JPH01163362U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01163362U JPH01163362U JP6018788U JP6018788U JPH01163362U JP H01163362 U JPH01163362 U JP H01163362U JP 6018788 U JP6018788 U JP 6018788U JP 6018788 U JP6018788 U JP 6018788U JP H01163362 U JPH01163362 U JP H01163362U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- light
- view
- edge
- sectional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
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Description
第１図は本考案の原理図、第２図は本考案にか
かる半導体レーザの部分断面図、第３図ａ，ｂは
本考案にかかるヒートシンクの平面図と断面図、
第４図ａ，ｂは本考案にかかる効果を説明する図
、第５図は半導体レーザの断面図、第６図は問題
点を説明するレーザ素子部分の拡大断面図である
。 図において、１はステム、２，１２はヒートシ
ンク、３，１３はレーザ素子、または、発光素子
、４は外部リード線、５はキヤツプ、２Ｅはヒー
トシンクの端部、１０はヒートシンクのＶ状溝、
２０はメタライズ層、３０，３２は接着融材、３
１はレーザ素子の活性層、３３はボンデイングワ
イヤー、Ｌ０は信号側出力光、Ｌ１は非信号側出
力光、を示している。
かる半導体レーザの部分断面図、第３図ａ，ｂは
本考案にかかるヒートシンクの平面図と断面図、
第４図ａ，ｂは本考案にかかる効果を説明する図
、第５図は半導体レーザの断面図、第６図は問題
点を説明するレーザ素子部分の拡大断面図である
。 図において、１はステム、２，１２はヒートシ
ンク、３，１３はレーザ素子、または、発光素子
、４は外部リード線、５はキヤツプ、２Ｅはヒー
トシンクの端部、１０はヒートシンクのＶ状溝、
２０はメタライズ層、３０，３２は接着融材、３
１はレーザ素子の活性層、３３はボンデイングワ
イヤー、Ｌ０は信号側出力光、Ｌ１は非信号側出
力光、を示している。
Claims (1)
- 端面から発光する発光素子のヒートシンクに接
着する裏面周縁部が、該ヒートシンクに設けた斜
面を有する溝あるいは該ヒートシンクの端部に接
している構造を有することを特徴とする端面発光
型光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6018788U JPH01163362U (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6018788U JPH01163362U (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01163362U true JPH01163362U (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=31285906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6018788U Pending JPH01163362U (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01163362U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153928A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体レーザアレイの製造方法 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP6018788U patent/JPH01163362U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153928A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体レーザアレイの製造方法 |