JPH01158774A - Mis型電界効果トランジスタの製造法 - Google Patents
Mis型電界効果トランジスタの製造法Info
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- JPH01158774A JPH01158774A JP31956087A JP31956087A JPH01158774A JP H01158774 A JPH01158774 A JP H01158774A JP 31956087 A JP31956087 A JP 31956087A JP 31956087 A JP31956087 A JP 31956087A JP H01158774 A JPH01158774 A JP H01158774A
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 claims description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1602—Diamond
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体デバイスの1種である、金属/絶縁体
/半導体(MIS型)構造を有する電界効果トランジス
タに関する。
/半導体(MIS型)構造を有する電界効果トランジス
タに関する。
[従来の技術]
現在、半導体材料として用いられているのは主としてS
iである。半導体市場の主流である論理回路や半導体メ
モリーなどの集積回路を構成している半導体デバイスに
はSiが用いられている。
iである。半導体市場の主流である論理回路や半導体メ
モリーなどの集積回路を構成している半導体デバイスに
はSiが用いられている。
半導体デバイスの中で半導体メモリーには、集積化の容
易なMO8型電界効果トランジスタが用いられ、高速性
を要求される論理演算子にはバイポーラ型トランジスタ
が用いられている。
易なMO8型電界効果トランジスタが用いられ、高速性
を要求される論理演算子にはバイポーラ型トランジスタ
が用いられている。
これら以外にもアナログICなど多くの電子部品におい
てSiが用いられている。また、GaAsやInPなど
の化合物半導体は光学デバイス、超高速ICのような限
定された用途に向(Jて開発が進んでいる。
てSiが用いられている。また、GaAsやInPなど
の化合物半導体は光学デバイス、超高速ICのような限
定された用途に向(Jて開発が進んでいる。
しかし、Siは200°C以上、GaAsは300°C
以」−の高温では使用できないという問題がある。
以」−の高温では使用できないという問題がある。
これは、バンドキャップが81で1.]、eV。
GaAsで1.5eVと小さいために、slは200℃
以上、GaAsは300°C以上で真性領域に入り、キ
ャリア密度が増大してしまうためである。
以上、GaAsは300°C以上で真性領域に入り、キ
ャリア密度が増大してしまうためである。
ところで、集積回路の集積度は近年まずまず高まる傾向
にあるが、それに伴って、素子の熱発生の割合も高まり
、これは回路の誤動作の原因となるため、放熱の手段も
問題になってきている。
にあるが、それに伴って、素子の熱発生の割合も高まり
、これは回路の誤動作の原因となるため、放熱の手段も
問題になってきている。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明の目的は、耐熱性を有することに加えて、有効な
放熱手段をも有することができる電界効果トランジスタ
を提供することにある。
放熱手段をも有することができる電界効果トランジスタ
を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明の目的は、金属層、絶縁体層及び半導体層を有す
るMIS型電界効果トランジスタにおいて、動作層とな
る半導体層がP型又はN型の半導体ダイヤモンド層であ
ることを特徴とするMIS型電界効果トランジスタによ
って達成される。
るMIS型電界効果トランジスタにおいて、動作層とな
る半導体層がP型又はN型の半導体ダイヤモンド層であ
ることを特徴とするMIS型電界効果トランジスタによ
って達成される。
本発明のMIS型電界効果トランジスタは、通常、1つ
のトランジスタの動作層としてP型半導体層又はN型半
導体層のいずれか一方を有するノーマリ−オン型である
が、P型半導体層又はN型半導体層のそれぞれを動作層
として有する複数のトランジスタを1つの基板の上に形
成することも可能である。
のトランジスタの動作層としてP型半導体層又はN型半
導体層のいずれか一方を有するノーマリ−オン型である
が、P型半導体層又はN型半導体層のそれぞれを動作層
として有する複数のトランジスタを1つの基板の上に形
成することも可能である。
本発明のMIS型電界効果トランジスタは、放熱効果の
点から、天然又は人工合成されたダイヤモンド単結晶か
らなる基板を有することが好ましい。この基板は、絶縁
性であることが好ましいが、動作層がN型(又はP型)
半導体ダイヤモンド層である場合、P型(又はN型)半
導体ダイヤモンド単結晶基板であってもよい。
点から、天然又は人工合成されたダイヤモンド単結晶か
らなる基板を有することが好ましい。この基板は、絶縁
性であることが好ましいが、動作層がN型(又はP型)
半導体ダイヤモンド層である場合、P型(又はN型)半
導体ダイヤモンド単結晶基板であってもよい。
半導体ダイヤモンド層は、気相合成法により成長させて
形成されており、B、N、AQ、PXS、Cl、As及
びSeから成る群から選択された少なくとも1種以上の
元素を不純物として含む半導体ダイヤモンド層であるこ
とが好ましい。
形成されており、B、N、AQ、PXS、Cl、As及
びSeから成る群から選択された少なくとも1種以上の
元素を不純物として含む半導体ダイヤモンド層であるこ
とが好ましい。
絶縁体層は、ダイヤモンドからできていても、あるいは
5102、Af2203又はSi3N4からできていて
もよい。
5102、Af2203又はSi3N4からできていて
もよい。
金属層は、例えば、トランジスタにおいて金属電極とし
て通常に使用されるいずれの金属からできていてよい。
て通常に使用されるいずれの金属からできていてよい。
本発明のMIS型電界効果トランンスタは、MIS型電
界効果トランジスタの動作層となる半導体ダイヤモンド
層の形成は、炭素源ガスを希釈用ガス及び不純物源ガス
と混合して得られた混合原料ガスを分解励起した後、基
板上に導くことによって基板上に半導体ダイヤモンド層
を成長させる気相合成法によって行うことを特徴とする
MIS型電界効果トランジスタの製造法によって製造さ
れる。
界効果トランジスタの動作層となる半導体ダイヤモンド
層の形成は、炭素源ガスを希釈用ガス及び不純物源ガス
と混合して得られた混合原料ガスを分解励起した後、基
板上に導くことによって基板上に半導体ダイヤモンド層
を成長させる気相合成法によって行うことを特徴とする
MIS型電界効果トランジスタの製造法によって製造さ
れる。
本発明の方法においては、半導体ダイヤモンド層を形成
するために、炭素源ガス、希釈用ガス及び不純物源ガス
を混合した原料ガスを使用する。
するために、炭素源ガス、希釈用ガス及び不純物源ガス
を混合した原料ガスを使用する。
炭素源ガスとしては、含炭素有機化合物、例えば、メタ
ン、エタン又はエヂルアルコール等を使用できる。希釈
用ガスとしては、水素ガス及び/又は不活性ガスが使用
でき、その使用量は、炭素源ガスに対して等モル量以上
である。不純物源ガスとしては、通常、所望の不純物の
単体又は水素化物、ハロゲン化物又は有機金属化合物を
使用し、その使用量は、半導体ダイヤモンド中への不純
物の所望ドープ量に応じて適宜選択する。
ン、エタン又はエヂルアルコール等を使用できる。希釈
用ガスとしては、水素ガス及び/又は不活性ガスが使用
でき、その使用量は、炭素源ガスに対して等モル量以上
である。不純物源ガスとしては、通常、所望の不純物の
単体又は水素化物、ハロゲン化物又は有機金属化合物を
使用し、その使用量は、半導体ダイヤモンド中への不純
物の所望ドープ量に応じて適宜選択する。
ダイヤモンド層を成長させる気相合成法において、原料
ガスを分解励起する方法としては、例えば、1)熱電子
放射材を1500に以上の温度に加熱して原料ガスを活
性化する方法、2)直流、高周波又はマイクロ波電界に
よる放電を利用する方法、3)イオン衝撃を利用する方
法、4)レーザーなどの光を照射する方法が挙げられる
。いずれの方法をも用いることが可能であるが、良好な
半導体ダイヤモンド結晶は、方法1)、2)又は4)に
より得ることができる。なお、分解励起した原料ガスを
導く基板は、400°C以上に加熱されていることが好
ましい。
ガスを分解励起する方法としては、例えば、1)熱電子
放射材を1500に以上の温度に加熱して原料ガスを活
性化する方法、2)直流、高周波又はマイクロ波電界に
よる放電を利用する方法、3)イオン衝撃を利用する方
法、4)レーザーなどの光を照射する方法が挙げられる
。いずれの方法をも用いることが可能であるが、良好な
半導体ダイヤモンド結晶は、方法1)、2)又は4)に
より得ることができる。なお、分解励起した原料ガスを
導く基板は、400°C以上に加熱されていることが好
ましい。
酸素プラズマを用いたドライエツチング法によりダイヤ
モンド上に微細なパターンを形成し得る。
モンド上に微細なパターンを形成し得る。
酸素プラズマを用いたドライエツチング法としては、平
行平板電極によるプラズマエッヂフグ法又はイオンビー
ムエツチング法のいずれをも用いることができる。
行平板電極によるプラズマエッヂフグ法又はイオンビー
ムエツチング法のいずれをも用いることができる。
添付図面を参照しながら、本発明のMIS型電界効果ト
ランジスタについて説明する。なお、本発明は、添付図
面の態様に限定されるものではない。
ランジスタについて説明する。なお、本発明は、添付図
面の態様に限定されるものではない。
第1図は、本発明のMIS型電界効果トランジスタの概
略を示す断面図である。この電界効果トランジスタは、
絶縁性ダイヤモンド単結晶基板11、半導体ダイヤモン
ド層12、絶縁体層13、ソース金属電極14、ゲート
金属電極15及びドレイン金属電極16を有する。半導
体ダイヤモンド層12は、P型又はN型のいずれかの半
導体ダイヤモンドからできている。ソース金属電極14
及びトレイン金属電極16の下の半導体ダイヤモンド層
12における各電極と接している部分(絶縁体層I3の
下の部分以外の部分)においては、不純物の濃度が高い
ことが好ましい。
略を示す断面図である。この電界効果トランジスタは、
絶縁性ダイヤモンド単結晶基板11、半導体ダイヤモン
ド層12、絶縁体層13、ソース金属電極14、ゲート
金属電極15及びドレイン金属電極16を有する。半導
体ダイヤモンド層12は、P型又はN型のいずれかの半
導体ダイヤモンドからできている。ソース金属電極14
及びトレイン金属電極16の下の半導体ダイヤモンド層
12における各電極と接している部分(絶縁体層I3の
下の部分以外の部分)においては、不純物の濃度が高い
ことが好ましい。
−8=
[発明の効果]
ダイヤモンドは、バンドギャップが5.5eVと大きい
ため、真性領域に相当する温度領域は、ダイヤモンドが
熱的に安定な1400℃以下には存在しない。また化学
的にも非常に安定である。よって、ダイヤモンドで作製
したデバイスは高温での動作が可能上なり、耐環境性の
優れたものとなる。
ため、真性領域に相当する温度領域は、ダイヤモンドが
熱的に安定な1400℃以下には存在しない。また化学
的にも非常に安定である。よって、ダイヤモンドで作製
したデバイスは高温での動作が可能上なり、耐環境性の
優れたものとなる。
また、ダイヤモンドの熱伝導率は20[W/am・K]
とSiの10倍以上であり、放熱性にも優れている。さ
らに、ダイヤモンドはキャリアの移動度が大きい(電子
移動度:2000[c屑2 / v・秒]、ホール移動
度:2100 [am’/V ・秒]at300K)。
とSiの10倍以上であり、放熱性にも優れている。さ
らに、ダイヤモンドはキャリアの移動度が大きい(電子
移動度:2000[c屑2 / v・秒]、ホール移動
度:2100 [am’/V ・秒]at300K)。
誘電率が小さい(K=5.5)、破壊電界が大きい(E
e=5xlO6V/c屑)などの特徴を有しており、高
周波で大電力用のデバイスを作製することができる。
e=5xlO6V/c屑)などの特徴を有しており、高
周波で大電力用のデバイスを作製することができる。
更に、ダイヤモンドは、不純物を含まないと絶縁体であ
るという特徴も有しているため、MIS型電界効果トラ
ンジスタを作製する際に、半導体層のみならず絶縁層も
ダイヤモンドで構成できるという利点があり、それらの
界面での界面準位を少なくできる。また、ダイヤモンド
中ではナトリウムなどの可動性汚染不純物の拡散係数が
小さいという特長がある。それゆえ、ダイヤモンドを用
いて作製したMIS型電界効果トランジスタは高電界、
高温の下でも安定した動作を行うことができる。また、
一般にMIS構造のトランジスタは、バイポーラ型トラ
ンジスタに比べて製造工程が簡易であり、集積化が容易
である。MIS型電界効果トランジスタの中でも、ノー
マリ−オン型のMIS型電界効果トランジスタは、簡単
な構造を有するので、製造工程を簡易にできるという点
で優れている。
るという特徴も有しているため、MIS型電界効果トラ
ンジスタを作製する際に、半導体層のみならず絶縁層も
ダイヤモンドで構成できるという利点があり、それらの
界面での界面準位を少なくできる。また、ダイヤモンド
中ではナトリウムなどの可動性汚染不純物の拡散係数が
小さいという特長がある。それゆえ、ダイヤモンドを用
いて作製したMIS型電界効果トランジスタは高電界、
高温の下でも安定した動作を行うことができる。また、
一般にMIS構造のトランジスタは、バイポーラ型トラ
ンジスタに比べて製造工程が簡易であり、集積化が容易
である。MIS型電界効果トランジスタの中でも、ノー
マリ−オン型のMIS型電界効果トランジスタは、簡単
な構造を有するので、製造工程を簡易にできるという点
で優れている。
本発明のMIS電界効果トランジスタは耐熱性及び耐環
境性に優れており、自動車のエンジンルーム、原子炉及
び人工衛星などの過酷な環境下で使用できる。
境性に優れており、自動車のエンジンルーム、原子炉及
び人工衛星などの過酷な環境下で使用できる。
本発明の電界効果トランジスタは、ダイヤモンドの熱伝
導率の良好さから高集積化が容易であるので、耐熱性高
速論理素子及び高周波大出力素子として有用である。
導率の良好さから高集積化が容易であるので、耐熱性高
速論理素子及び高周波大出力素子として有用である。
[実施例]
以下に本発明の実施例を示す。
実施例1
第2図に示すような手順により、ダイヤモンドから成る
MIS型電界効果トランジスタを製造した。
MIS型電界効果トランジスタを製造した。
(i)3x2XImmのIb型人工単結晶ダイヤ基板2
】の(100)面上に公知のマイクロ波プラズマCVD
法で厚さ0.5μmのB(ボロン)ハイトープP型ダイ
ヤモンド薄膜層22を形成した。
】の(100)面上に公知のマイクロ波プラズマCVD
法で厚さ0.5μmのB(ボロン)ハイトープP型ダイ
ヤモンド薄膜層22を形成した。
(合成条件二マイクロ波パワー=350W、反応圧カー
30 Torr、反応ガス−CI(、(0,5%)→
−821(e(0、001%)+H2(残))(ii)
N型ダイヤモンド薄膜層の一部にCr(クロム)をマス
ク23として蒸着し、マスク23で覆われていない部分
を酸素、プラズマエッチングした。
30 Torr、反応ガス−CI(、(0,5%)→
−821(e(0、001%)+H2(残))(ii)
N型ダイヤモンド薄膜層の一部にCr(クロム)をマス
ク23として蒸着し、マスク23で覆われていない部分
を酸素、プラズマエッチングした。
(エッヂング条件R,P パワー(高周波出力)−20
0W、圧力−0,005Torr)(山)先のCrマス
ク23を除去ぜずに、マイクロ波プラズマCVD法によ
り厚さ0.5μmのB(ホウ素)ドープP型ダイヤモン
ド薄膜層24を形成した。
0W、圧力−0,005Torr)(山)先のCrマス
ク23を除去ぜずに、マイクロ波プラズマCVD法によ
り厚さ0.5μmのB(ホウ素)ドープP型ダイヤモン
ド薄膜層24を形成した。
(合成条件:マイクロ波パワー−350W、反応圧カー
30 Torr、反応ガス−CI−(、(0,5%)+
B2He(0,00005%)4−H7(残))(iv
)Crマスク23を王水で溶解することによってP型ダ
イヤモンド薄膜層24の一部をリフトオフ法により除去
した。
30 Torr、反応ガス−CI−(、(0,5%)+
B2He(0,00005%)4−H7(残))(iv
)Crマスク23を王水で溶解することによってP型ダ
イヤモンド薄膜層24の一部をリフトオフ法により除去
した。
(v)マイクロ波プラズマCVD法で厚さ1000人の
ノンドープダイヤモンド薄膜層25を形成した。
ノンドープダイヤモンド薄膜層25を形成した。
(合成条件:マイクロ波パワー−350W、反応圧カー
30Torr、反応ガス−〇 H4(0、5%)十H2
(99,5%)) (■1)ノンドープダイヤモンド薄膜層25の一部を酸
素、プラズマエッチングした。
30Torr、反応ガス−〇 H4(0、5%)十H2
(99,5%)) (■1)ノンドープダイヤモンド薄膜層25の一部を酸
素、プラズマエッチングした。
(エツヂング条件R,F パワー−200W、圧力−0
,005Torr) (vii) A u/ Mo/ T iの3層電極を蒸
着後、一部エッチングを行い、ソース、ゲート及びドレ
インのそれぞれにオーミック電極26.26’、26”
を形成した。
,005Torr) (vii) A u/ Mo/ T iの3層電極を蒸
着後、一部エッチングを行い、ソース、ゲート及びドレ
インのそれぞれにオーミック電極26.26’、26”
を形成した。
このようにして作製したMIS型電界効果トランジスタ
の特性を測定したところ800℃でもトランジスタ特性
が観測された。
の特性を測定したところ800℃でもトランジスタ特性
が観測された。
第1図は、本発明のMIS型電界効果トランジスタの概
略を示す断面図、及び 第2図は、本発明のMIS型電界効果トランジスタの製
造を示す断面図である。 11.21・・基板、 + 2.22.24 半導体層、 13.25・・・絶縁体層、 14.15.]6.26.26’、26” 金属層。 特許出願人 導電性無機化合物技術研究組合代理人弁理
士 前出 葆 はか1名 第1図
略を示す断面図、及び 第2図は、本発明のMIS型電界効果トランジスタの製
造を示す断面図である。 11.21・・基板、 + 2.22.24 半導体層、 13.25・・・絶縁体層、 14.15.]6.26.26’、26” 金属層。 特許出願人 導電性無機化合物技術研究組合代理人弁理
士 前出 葆 はか1名 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属層、絶縁体層及び半導体層を有するMIS型電
界効果トランジスタにおいて、動作層となる半導体層が
P型又はN型の半導体ダイヤモンド層であることを特徴
とするMIS型電界効果トランジスタ。 2、半導体ダイヤモンド層が、天然又は人工合成された
ダイヤモンド単結晶基板の上に形成されたものである特
許請求の範囲第1項記載の電界効果トランジスタ。 3、半導体ダイヤモンド層が、気相合成法により成長さ
せて形成されており、B、N、Al、P、S、Cl、A
s及びSeから成る群から選択された少なくとも1種以
上の元素を不純物として含む特許請求の範囲第1項記載
の電界効果トランジスタ。 4、絶縁体層がダイヤモンドから成る特許請求の範囲第
1項記載の電界効果トランジスタ。 5、絶縁体層がSiO_2、Al_2O_3又はSi_
3N_4から成る特許請求の範囲第1項記載の電界効果
トランジスタ。 6、動作層となる半導体層がP型又はN型の半導体ダイ
ヤモンド層であるMIS型電界効果トランジスタの製造
法であって、 MIS型電界効果トランジスタの動作層となる半導体ダ
イヤモンド層の形成は、炭素源ガスを希釈用ガス及び不
純物源ガスと混合して得られた混合原料ガスを分解励起
した後、基板上に導くことによって基板上に半導体ダイ
ヤモンド層を成長させる気相合成法によって行うことを
特徴とするMIS型電界効果トランジスタの製造法。 7、混合ガスの分解励起は、熱電子放射材を1500K
以上の温度に加熱すること、又は直流もしくは交流の電
磁界による放電を利用すること、又は光を照射すること
によって行う特許請求の範囲第6項記載の方法。 8、プラズマエッチング法又はイオンビームエッチング
法によりダイヤモンド層のドライエッチングを行う特許
請求の範囲6項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62319560A JP2590161B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | Mis型電界効果トランジスタの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62319560A JP2590161B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | Mis型電界効果トランジスタの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01158774A true JPH01158774A (ja) | 1989-06-21 |
JP2590161B2 JP2590161B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=18111625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62319560A Expired - Fee Related JP2590161B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | Mis型電界効果トランジスタの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2590161B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0343963A2 (en) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited | Diamond transistor and method of manufacture thereof |
US5173761A (en) * | 1991-01-28 | 1992-12-22 | Kobe Steel Usa Inc., Electronic Materials Center | Semiconducting polycrystalline diamond electronic devices employing an insulating diamond layer |
US5278430A (en) * | 1989-11-18 | 1994-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Complementary semiconductor device using diamond thin film and the method of manufacturing this device |
US5371383A (en) * | 1993-05-14 | 1994-12-06 | Kobe Steel Usa Inc. | Highly oriented diamond film field-effect transistor |
US5382809A (en) * | 1992-09-14 | 1995-01-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device including semiconductor diamond |
US5442199A (en) * | 1993-05-14 | 1995-08-15 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond hetero-junction rectifying element |
US5491348A (en) * | 1993-05-14 | 1996-02-13 | Kobe Steel Usa, Inc. | Highly-oriented diamond film field-effect transistor |
US5493131A (en) * | 1993-05-14 | 1996-02-20 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond rectifying element |
US5512873A (en) * | 1993-05-04 | 1996-04-30 | Saito; Kimitsugu | Highly-oriented diamond film thermistor |
US5523160A (en) * | 1993-05-14 | 1996-06-04 | Kobe Steel Usa, Inc. | Highly-oriented diamond film |
US7064352B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-06-20 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Diamond semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2006137401A1 (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | ダイヤモンド半導体素子およびその製造方法 |
JP2008141218A (ja) * | 2008-01-07 | 2008-06-19 | Kobe Steel Ltd | 電子素子構造 |
CN110600366A (zh) * | 2019-09-20 | 2019-12-20 | 西安交通大学 | (100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法 |
CN114824651A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-07-29 | 郑州大学 | 一种用于钠负极的金-金刚石包覆隔膜的制备方法和应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208821A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相合成によるダイヤモンド半導体およびその製造方法 |
JPS59213126A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド半導体素子の製造法 |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP62319560A patent/JP2590161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208821A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相合成によるダイヤモンド半導体およびその製造方法 |
JPS59213126A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド半導体素子の製造法 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0343963A2 (en) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited | Diamond transistor and method of manufacture thereof |
US5278430A (en) * | 1989-11-18 | 1994-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Complementary semiconductor device using diamond thin film and the method of manufacturing this device |
US5173761A (en) * | 1991-01-28 | 1992-12-22 | Kobe Steel Usa Inc., Electronic Materials Center | Semiconducting polycrystalline diamond electronic devices employing an insulating diamond layer |
US5382809A (en) * | 1992-09-14 | 1995-01-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device including semiconductor diamond |
US5512873A (en) * | 1993-05-04 | 1996-04-30 | Saito; Kimitsugu | Highly-oriented diamond film thermistor |
US5371383A (en) * | 1993-05-14 | 1994-12-06 | Kobe Steel Usa Inc. | Highly oriented diamond film field-effect transistor |
US5442199A (en) * | 1993-05-14 | 1995-08-15 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond hetero-junction rectifying element |
US5491348A (en) * | 1993-05-14 | 1996-02-13 | Kobe Steel Usa, Inc. | Highly-oriented diamond film field-effect transistor |
US5493131A (en) * | 1993-05-14 | 1996-02-20 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond rectifying element |
US5523160A (en) * | 1993-05-14 | 1996-06-04 | Kobe Steel Usa, Inc. | Highly-oriented diamond film |
US7064352B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-06-20 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Diamond semiconductor device and method for manufacturing the same |
DE102004059657B4 (de) * | 2003-12-12 | 2009-06-18 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Diamanthalbleitervorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2006137401A1 (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | ダイヤモンド半導体素子およびその製造方法 |
US7973339B2 (en) | 2005-06-20 | 2011-07-05 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Diamond semiconductor element and process for producing the same |
US8221548B2 (en) | 2005-06-20 | 2012-07-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Diamond semiconductor element and process for producing the same |
US8242511B2 (en) | 2005-06-20 | 2012-08-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Field effect transistor using diamond and process for producing the same |
US8328936B2 (en) | 2005-06-20 | 2012-12-11 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Producing a diamond semiconductor by implanting dopant using ion implantation |
US8487319B2 (en) | 2005-06-20 | 2013-07-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Diamond semiconductor element and process for producing the same |
US8486816B2 (en) | 2005-06-20 | 2013-07-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Diamond semiconductor element and process for producing the same |
JP2008141218A (ja) * | 2008-01-07 | 2008-06-19 | Kobe Steel Ltd | 電子素子構造 |
CN110600366A (zh) * | 2019-09-20 | 2019-12-20 | 西安交通大学 | (100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法 |
CN114824651A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-07-29 | 郑州大学 | 一种用于钠负极的金-金刚石包覆隔膜的制备方法和应用 |
CN114824651B (zh) * | 2022-06-15 | 2023-09-22 | 郑州大学 | 一种用于钠负极的金-金刚石包覆隔膜的制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2590161B2 (ja) | 1997-03-12 |
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