JPH01153501A - 弗化水素及び四弗化珪素の製造方法 - Google Patents
弗化水素及び四弗化珪素の製造方法Info
- Publication number
- JPH01153501A JPH01153501A JP30957387A JP30957387A JPH01153501A JP H01153501 A JPH01153501 A JP H01153501A JP 30957387 A JP30957387 A JP 30957387A JP 30957387 A JP30957387 A JP 30957387A JP H01153501 A JPH01153501 A JP H01153501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen fluoride
- fluorite
- silicon tetrafluoride
- sulfuric acid
- silicic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 78
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 78
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 87
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 claims abstract description 69
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 3
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002686 phosphate fertilizer Substances 0.000 description 1
- 239000002367 phosphate rock Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B7/00—Halogens; Halogen acids
- C01B7/19—Fluorine; Hydrogen fluoride
- C01B7/191—Hydrogen fluoride
- C01B7/192—Preparation from fluorspar
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は螢石から、弗化水素及び四弗化珪素を同時に製
造する方法に関するものである。
造する方法に関するものである。
近年、弗素関連工業の発展に伴ない弗化水素の需要は飛
躍的に増大する傾向にある。又、四弗化珪素はアモルフ
ァスシリコン薄膜半導体用の原料。
躍的に増大する傾向にある。又、四弗化珪素はアモルフ
ァスシリコン薄膜半導体用の原料。
ドライエツチング剤、光フアイバー用合成石英硝子ある
いは7S−ムドシリカの原料として近年注目されてきて
いる。
いは7S−ムドシリカの原料として近年注目されてきて
いる。
従来、弗化水素及び四弗化珪素はその目的に応じて別々
に製造する所謂単独法と両者を同時に製造する併産法と
が知られている。
に製造する所謂単独法と両者を同時に製造する併産法と
が知られている。
弗化水素の単独法としては、弗化カルシウム含有率97
−以上、珪酸含有率(本明細書において、珪酸の含有率
やモル数はSiO□による)1チ以下のアンド級螢石の
硫酸分解による方法が古くから知られている。
−以上、珪酸含有率(本明細書において、珪酸の含有率
やモル数はSiO□による)1チ以下のアンド級螢石の
硫酸分解による方法が古くから知られている。
例えば、特公昭49−8656号公報には、弗化カルシ
ウム含有率97 wtlの螢石と98 wt%濃硫酸を
混合機で全量混合し、ペーストあるいはスラリー状で反
応させ、一部生成した弗化水素を取り出すと共に未反応
の螢石と硫酸及び反応生成物である石膏を後続のロータ
リーキルンに供給し、ここで残余の反応を終結させ、弗
化水素と石膏を得る方法が記載されている。
ウム含有率97 wtlの螢石と98 wt%濃硫酸を
混合機で全量混合し、ペーストあるいはスラリー状で反
応させ、一部生成した弗化水素を取り出すと共に未反応
の螢石と硫酸及び反応生成物である石膏を後続のロータ
リーキルンに供給し、ここで残余の反応を終結させ、弗
化水素と石膏を得る方法が記載されている。
この方法では弗化水素のみを製品とする為、弗化カルシ
ウム含有率の高い螢石を使用する事が必須であるが、近
年弗化カルシウム含有率97wt%以上の螢石の入手が
困難になりつつある。
ウム含有率の高い螢石を使用する事が必須であるが、近
年弗化カルシウム含有率97wt%以上の螢石の入手が
困難になりつつある。
四弗化珪素の単独法としては、特開昭57−17414
号公報において、非晶質酸化珪素を硫酸中に懸濁分散さ
せた系に弗化水素ガスを導入する方法が提案されている
。
号公報において、非晶質酸化珪素を硫酸中に懸濁分散さ
せた系に弗化水素ガスを導入する方法が提案されている
。
併産法は、弗化水素及び四弗化珪素を得る為、上述した
様な単独法を各々実施する場合に比べて、設備やユーテ
ィリティーを共用できるという点において有利である。
様な単独法を各々実施する場合に比べて、設備やユーテ
ィリティーを共用できるという点において有利である。
従来知られている併産法としては、特公昭55−186
43号公報の実施例にみられる様にリン鉱石の硫酸分解
により得られる四弗化珪素と弗化水素の混合ガスから各
々分離する方法がある。
43号公報の実施例にみられる様にリン鉱石の硫酸分解
により得られる四弗化珪素と弗化水素の混合ガスから各
々分離する方法がある。
この方法では、リン酸又はリン酸塩肥料の生産規模によ
り弗化水素及び四弗化珪素の生産量が規制されるという
欠点がある。
り弗化水素及び四弗化珪素の生産量が規制されるという
欠点がある。
これに対して、珪酸含量の多い螢石を濃硫酸により、1
00〜300℃で分解させる事により弗化水素と四弗化
珪素の混合ガスが得られる事が、特開昭49−3789
8号公報に記載されている。
00〜300℃で分解させる事により弗化水素と四弗化
珪素の混合ガスが得られる事が、特開昭49−3789
8号公報に記載されている。
この方法によれば、珪酸含量の多い所謂低品位螢石を使
用する為、入手は容易であり価格も安価であるという利
点があり、且プロセス的には、弗化水素の単独法と類似
の方法が採用できる可能性があり、単独法に比べて設備
コスト等の大幅な低減を期待できる。
用する為、入手は容易であり価格も安価であるという利
点があり、且プロセス的には、弗化水素の単独法と類似
の方法が採用できる可能性があり、単独法に比べて設備
コスト等の大幅な低減を期待できる。
しかしながら本発明者等が、この方法を実施したところ
、螢石の分解反応が充分進行せず、特に珪酸については
、反応温度、硫酸濃度等の条件を変えてもその分解率が
40〜50%程度しか進まず、四弗化珪素を収率良(得
ることが出来なかった。
、螢石の分解反応が充分進行せず、特に珪酸については
、反応温度、硫酸濃度等の条件を変えてもその分解率が
40〜50%程度しか進まず、四弗化珪素を収率良(得
ることが出来なかった。
本発明の目的は、上述した様な単独法に比べて設備、コ
スト等の大幅な低減が可能な併産法で、安価な低品位螢
石を使用し、且つ螢石の分解率が高く、高収率で弗化水
素及び四弗化珪素が得られる方法を提供することKある
。
スト等の大幅な低減が可能な併産法で、安価な低品位螢
石を使用し、且つ螢石の分解率が高く、高収率で弗化水
素及び四弗化珪素が得られる方法を提供することKある
。
本発明の要旨は螢石に硫酸を反応させて弗化水る珪酸の
モル数に対して4倍モル数以上の弗化水素を含有するガ
ス及び/または液を接触させてから、硫酸を反応させる
ことを特徴とする弗化水素及び四弗化珪素の製造方法に
あり、以下その詳細について説明する。
モル数に対して4倍モル数以上の弗化水素を含有するガ
ス及び/または液を接触させてから、硫酸を反応させる
ことを特徴とする弗化水素及び四弗化珪素の製造方法に
あり、以下その詳細について説明する。
本発明において使用する螢石は、弗化カルシウム含有率
が97 wt%未満の所謂低品位螢石の内で、珪酸含有
率が1〜50 wtlの螢石に限定される。
が97 wt%未満の所謂低品位螢石の内で、珪酸含有
率が1〜50 wtlの螢石に限定される。
螢石は、通常弗化カルシウム、珪酸、炭酸カルシウム及
びその他の不純物から成っており、弗化カルシウム含有
率97 wt%以上、珪酸含有率1wt%以下のものは
アンド級螢石として弗化水素製造原料として利用されて
いるが、近年その入手は困難となりつつある。これに対
して、弗化カルシウム含有率97 vrt%未満で珪酸
含有率1 wt%以上のものは低品位螢石として埋蔵量
も多(、容易に入手できる。この様な低品位螢石の内、
本発明においては珪酸含有率50 wt%以下のものを
使用する。50 wtlを越える場合、螢石の分解は充
分に進行せず、収率が低下する。
びその他の不純物から成っており、弗化カルシウム含有
率97 wt%以上、珪酸含有率1wt%以下のものは
アンド級螢石として弗化水素製造原料として利用されて
いるが、近年その入手は困難となりつつある。これに対
して、弗化カルシウム含有率97 vrt%未満で珪酸
含有率1 wt%以上のものは低品位螢石として埋蔵量
も多(、容易に入手できる。この様な低品位螢石の内、
本発明においては珪酸含有率50 wt%以下のものを
使用する。50 wtlを越える場合、螢石の分解は充
分に進行せず、収率が低下する。
螢石に硫酸を反応させる前に1まず、螢石に弗化水素を
含有するガス及び/または液を接触させることが必須で
ある。螢石に弗化水素を含有するガス及び/または液を
接゛触させることなく螢石に硫酸を反応させた場合、螢
石の分解反応が充分進行せず、特に珪酸については、反
応温度、硫酸濃度等の条件を変えてもその分解率が40
〜50%程度しか進まず、四弗化珪素を収率良(得るこ
とが出来ない。
含有するガス及び/または液を接触させることが必須で
ある。螢石に弗化水素を含有するガス及び/または液を
接゛触させることなく螢石に硫酸を反応させた場合、螢
石の分解反応が充分進行せず、特に珪酸については、反
応温度、硫酸濃度等の条件を変えてもその分解率が40
〜50%程度しか進まず、四弗化珪素を収率良(得るこ
とが出来ない。
螢石に弗化水素ガスを含有するガス及び/まtjま液を
接触させる温度は特に限定されないが、10〜200℃
の範囲が好ましい。温度が低い場合は反応速度が遅(な
り、一方、温度が高い場合は逆反応が起こりやすくなる
。
接触させる温度は特に限定されないが、10〜200℃
の範囲が好ましい。温度が低い場合は反応速度が遅(な
り、一方、温度が高い場合は逆反応が起こりやすくなる
。
螢石に接触させる弗化水素の量は化学量論量以上、すな
わち螢石中に含まれる珪酸のモル数に対して4倍モル数
以上の弗化水素を含有するガス及び/または液が必要で
ある。螢石に接触させる弗化水素の量が珪酸のモル数に
対して4倍モル数よりも少ない場合、螢石中の珪酸の一
部が反応せず、この未反応の珪酸は次の工程で生成して
(る弗化水素と一部反応して四弗化珪素を生成するが、
その残りは副垂石膏との混合物となり、四弗化珪素の収
率が低下する。
わち螢石中に含まれる珪酸のモル数に対して4倍モル数
以上の弗化水素を含有するガス及び/または液が必要で
ある。螢石に接触させる弗化水素の量が珪酸のモル数に
対して4倍モル数よりも少ない場合、螢石中の珪酸の一
部が反応せず、この未反応の珪酸は次の工程で生成して
(る弗化水素と一部反応して四弗化珪素を生成するが、
その残りは副垂石膏との混合物となり、四弗化珪素の収
率が低下する。
螢石に接触させる弗化水素は、ガス、液、ガス及び液の
いずれの状態でも良い。いずれの場合も濃度は特に限定
されないが、水または水蒸気を含まないことが好ましい
。螢石に接触させる弗化水素は、製品弗化水素でも良い
し、次の工程で生成して(る弗化水素でも良い。
いずれの状態でも良い。いずれの場合も濃度は特に限定
されないが、水または水蒸気を含まないことが好ましい
。螢石に接触させる弗化水素は、製品弗化水素でも良い
し、次の工程で生成して(る弗化水素でも良い。
螢石に弗化水素を接触させる方法としては連続式、バッ
チ式のいずれでも良く、型式としては特に限定はな(、
通常のパドル型の攪拌翼を備えた攪拌混合槽あるいは必
要に応じてニーダ−等も使用できる。連続式の場合、装
置から出てくる固体をそのまま連続的に次の工程へフィ
ードしても良いし、固体を一度ホツバー等に貯めてから
次の工程へフィードしても良い。
チ式のいずれでも良く、型式としては特に限定はな(、
通常のパドル型の攪拌翼を備えた攪拌混合槽あるいは必
要に応じてニーダ−等も使用できる。連続式の場合、装
置から出てくる固体をそのまま連続的に次の工程へフィ
ードしても良いし、固体を一度ホツバー等に貯めてから
次の工程へフィードしても良い。
以上の様にして、第1段目として珪酸含有率1〜s o
wt%の螢石に弗化水素を含有するガス及Wまたは液
を接触させることにより、未反応の弗化水素及び四弗化
珪素を含有する混合ガスが得られる。
wt%の螢石に弗化水素を含有するガス及Wまたは液
を接触させることにより、未反応の弗化水素及び四弗化
珪素を含有する混合ガスが得られる。
次に、弗化水素を接触させられた螢石に硫酸を混合反応
させる。
させる。
硫酸の使用量は、螢石中に含まれる弗化カルシましい。
弗化水素を接触させられた螢石と硫酸との混合方法とし
ては連続式、バッチ式のいずれでも良く、型式としては
特に限定はなく、通常のパドル型攪拌翼を備えた混合槽
あるいは必要に応じてニーダ−、キルン等も使用できる
。また、従来の弗化水素製造における螢石分解装置も使
用可能である。
ては連続式、バッチ式のいずれでも良く、型式としては
特に限定はなく、通常のパドル型攪拌翼を備えた混合槽
あるいは必要に応じてニーダ−、キルン等も使用できる
。また、従来の弗化水素製造における螢石分解装置も使
用可能である。
反応温度は特に限定されないが、100〜500℃の範
囲が好ましい。
囲が好ましい。
以上の様にして、第2段目として弗化水素を接触させら
れた螢石に硫酸を混合反応させると、直ちに弗化水素及
び微量の四弗化珪素を含有する混合ガスが発生する。発
生したガスは、通常、連続的に速やかに反応系外へ取り
出し、分離、精製することにより製品として回収する。
れた螢石に硫酸を混合反応させると、直ちに弗化水素及
び微量の四弗化珪素を含有する混合ガスが発生する。発
生したガスは、通常、連続的に速やかに反応系外へ取り
出し、分離、精製することにより製品として回収する。
また、ここで発生したガスを前の工程における螢石に接
触させる弗化水素1ス源の全部あるいは一部として使用
しても良い。
触させる弗化水素1ス源の全部あるいは一部として使用
しても良い。
以上の様にして第1段目で未反応の弗化水素及び四弗化
珪素を含有する混合ガス、第2段目で弗化水素及び微量
の四弗化珪素を含有する混合ガスが得られる。混合ガス
から弗化水素及び四弗化珪素を分離する方法としては特
に限定は無(種々の方法により実施できる。例えば、弗
化水素と四弗化珪素の沸点の差を利用することが出来る
。即ち、弗化水素の沸点が19.9℃であるのに対して
、四弗化珪素は−95−7℃で昇華する。従って、混合
ガスを10℃程度に冷却することに依り容易に分離でき
る。この時、混合ガス中に共存する微量の水蒸気を除去
する為、冷却前に濃硫酸中に通液しても差し支えない。
珪素を含有する混合ガス、第2段目で弗化水素及び微量
の四弗化珪素を含有する混合ガスが得られる。混合ガス
から弗化水素及び四弗化珪素を分離する方法としては特
に限定は無(種々の方法により実施できる。例えば、弗
化水素と四弗化珪素の沸点の差を利用することが出来る
。即ち、弗化水素の沸点が19.9℃であるのに対して
、四弗化珪素は−95−7℃で昇華する。従って、混合
ガスを10℃程度に冷却することに依り容易に分離でき
る。この時、混合ガス中に共存する微量の水蒸気を除去
する為、冷却前に濃硫酸中に通液しても差し支えない。
また、上記の方法により弗化水素及び四弗化珪素を分離
する際に、第1段目の混合ガスと第2段目の混合ガスを
、別々に分離しても良いし、混合してから分離しても良
い。
する際に、第1段目の混合ガスと第2段目の混合ガスを
、別々に分離しても良いし、混合してから分離しても良
い。
以上の方法により、低品位螢石を原料として高収率で弗
化水素及び四弗化珪素を同時に製造する事が出来る。
化水素及び四弗化珪素を同時に製造する事が出来る。
以上の説明から明らかな様に、本発明によれば、設備コ
スト等の大幅な低減が可能な併産法であり、安価な低品
位螢石を使用し、高収率で弗化水素及び四弗化珪素を同
時に製造することができる。
スト等の大幅な低減が可能な併産法であり、安価な低品
位螢石を使用し、高収率で弗化水素及び四弗化珪素を同
時に製造することができる。
次に本発明を実施例により、更に具体的に説明する。
実施例1
珪酸含有率a9wt%、弗化カルシウム含有率89、
Owt%の螢石をウィレー型粉砕機で粉砕した。
Owt%の螢石をウィレー型粉砕機で粉砕した。
第1段目として、攪拌機を備えたテフロンライニングの
耐圧容器に上記螢石100gと無水弗酸15gを入れ、
温度110℃で攪拌しながら反応させた。反応開始2時
間後、耐圧容器に取り付けたバルブを開け、未反応の弗
化水素及び四弗化珪素を含むガスを回収した。
耐圧容器に上記螢石100gと無水弗酸15gを入れ、
温度110℃で攪拌しながら反応させた。反応開始2時
間後、耐圧容器に取り付けたバルブを開け、未反応の弗
化水素及び四弗化珪素を含むガスを回収した。
第2段目として、攪拌機及び生成ガス取り出し用配管を
備えたニッケル合金製反応容器に第1段目で弗化水素を
接触させられた螢石を入れ、200℃に加熱した。攪拌
しながら濃度98 vrt%の硫酸126gを添加・混
合した。硫酸添加直後から弗化水素及び微量の四弗化珪
素を含有する混合ガスが発生した。硫酸添加後3時間で
反応を終了し、発生したガス全量を回収した。
備えたニッケル合金製反応容器に第1段目で弗化水素を
接触させられた螢石を入れ、200℃に加熱した。攪拌
しながら濃度98 vrt%の硫酸126gを添加・混
合した。硫酸添加直後から弗化水素及び微量の四弗化珪
素を含有する混合ガスが発生した。硫酸添加後3時間で
反応を終了し、発生したガス全量を回収した。
第1段目及び第2段目で回収したガス全量をそれぞれ硫
酸中に通液させて脱湿し、次いで10℃に冷却した凝縮
器中で弗化水素を凝縮分離し、最後に液体窒素温度に冷
却し、粉末状の四弗化珪素を回収した。弗化水素及び四
弗化珪素の収量が、第1段目からそれぞれ五7g、14
.6F、第2段目からそれぞれ4A39.α1yであっ
た。螢石中の珪酸及び弗化カルシウムの分解率はそれぞ
れ95俤、95%であった。
酸中に通液させて脱湿し、次いで10℃に冷却した凝縮
器中で弗化水素を凝縮分離し、最後に液体窒素温度に冷
却し、粉末状の四弗化珪素を回収した。弗化水素及び四
弗化珪素の収量が、第1段目からそれぞれ五7g、14
.6F、第2段目からそれぞれ4A39.α1yであっ
た。螢石中の珪酸及び弗化カルシウムの分解率はそれぞ
れ95俤、95%であった。
実施例2
実施例1で使用した螢石をテフロンライニング・ジャケ
ット付の連続式第に−ダーに100g/Hrでフィード
した。同時に上記第に−ダーに純度99.9 %の弗化
水素ガスを201 / Hrで螢石に対して向流方向忙
フィードし、温度110℃で反応させた。ガス取出し口
から未反応の弗化水素及び四弗化珪素を含有する混合ガ
スを得た。
ット付の連続式第に−ダーに100g/Hrでフィード
した。同時に上記第に−ダーに純度99.9 %の弗化
水素ガスを201 / Hrで螢石に対して向流方向忙
フィードし、温度110℃で反応させた。ガス取出し口
から未反応の弗化水素及び四弗化珪素を含有する混合ガ
スを得た。
次に第に−ダーで弗化水素を接触させられた螢石を、ニ
ッケル合金製・ジャケット付第2ニーダーへ連続的に導
入した。同時に、濃度9 a wt%硫酸を126g/
Hrでフィードし、温度200℃で反応させた。ガス取
出し口から弗化水素及び微量の四弗化珪素を含有する混
合ガスを得た。
ッケル合金製・ジャケット付第2ニーダーへ連続的に導
入した。同時に、濃度9 a wt%硫酸を126g/
Hrでフィードし、温度200℃で反応させた。ガス取
出し口から弗化水素及び微量の四弗化珪素を含有する混
合ガスを得た。
定常状態になってから、第に一ダー及び第2ニーダ−か
ら得られるガスを1時間サンプリングした。サンプリン
グしたガスを実施例1と同様な方法で弗化水素と四弗化
水素を分離・回収した。
ら得られるガスを1時間サンプリングした。サンプリン
グしたガスを実施例1と同様な方法で弗化水素と四弗化
水素を分離・回収した。
弗化水素及び四弗化珪素の収量は、第に−ダーからそれ
ぞれ/h19,15.09であり、第2ニーダーからそ
れぞれ444G+、(1,19であった。螢石中の珪酸
及び弗化カルシウムの分解率はそれぞれ98チ、97チ
であった。
ぞれ/h19,15.09であり、第2ニーダーからそ
れぞれ444G+、(1,19であった。螢石中の珪酸
及び弗化カルシウムの分解率はそれぞれ98チ、97チ
であった。
実施例3
実施例2で使用した装置において、第2ニーダ−で発生
したガスを第に−ダーへ導入可能な配管を取り付けた。
したガスを第に−ダーへ導入可能な配管を取り付けた。
実施例2と同じ速度で、各原料をフィードした。定常状
態になってから、第に一グーへの弗化水素ガスのフィー
ドをやめ、第2ニーダ−で発生してくるガス全量を第に
一グーに導入した。再び定常状態になってから、第1ニ
ーダ−により得られるガスを1時間サンプリングし、実
施例1と同様な方法で、弗化水素と四弗化珪素を分離・
回収した。弗化水素及び四弗化珪素の収量はそれぞれ5
2−79,14.99であった。
態になってから、第に一グーへの弗化水素ガスのフィー
ドをやめ、第2ニーダ−で発生してくるガス全量を第に
一グーに導入した。再び定常状態になってから、第1ニ
ーダ−により得られるガスを1時間サンプリングし、実
施例1と同様な方法で、弗化水素と四弗化珪素を分離・
回収した。弗化水素及び四弗化珪素の収量はそれぞれ5
2−79,14.99であった。
螢石中の珪酸及び弗化カルシウムの分解率はそれぞれ9
7チ、97チであった。
7チ、97チであった。
実施例4
珪酸含有率1a9wtl、弗化カルシウム含有率7 &
5 vrt%の螢石をウィレー型粉砕機で粉砕した。
5 vrt%の螢石をウィレー型粉砕機で粉砕した。
実施例3で使用した装置で、第に一ダーに上記螢石及び
純度999チ弗化水素ガスをそれぞれ1009 / H
r、 4251/ Hrでフィードし、第2ニーダ−に
濃度98wt%硫酸1119/Hrをフィードした以外
は、実施例3と同様に実施した。
純度999チ弗化水素ガスをそれぞれ1009 / H
r、 4251/ Hrでフィードし、第2ニーダ−に
濃度98wt%硫酸1119/Hrをフィードした以外
は、実施例3と同様に実施した。
弗化水素及び四弗化珪素の収量はそれぞれ14.69,
51.59であった。螢石中の珪酸及び弗化カルシウム
の分解率はそれぞれ9614.96チであった。
51.59であった。螢石中の珪酸及び弗化カルシウム
の分解率はそれぞれ9614.96チであった。
比較例1
実施例1において、螢石に弗化水素を接触させることな
く、螢石に硫酸を反応させた。
く、螢石に硫酸を反応させた。
実施例1と同様な方法で弗化水素と四弗化珪素を分離・
回収した。弗化水素及び四弗化珪素の収量はそれぞれ5
199,6..59であった。螢石中の珪酸及び弗化カ
ルシウムの分解率はそれぞれ42チ、85%であった。
回収した。弗化水素及び四弗化珪素の収量はそれぞれ5
199,6..59であった。螢石中の珪酸及び弗化カ
ルシウムの分解率はそれぞれ42チ、85%であった。
比較例2
実施例2において、接触させる弗化水素ガスを10 t
/ Hrでフィードした以外は実施例2と同様にして反
応させた。
/ Hrでフィードした以外は実施例2と同様にして反
応させた。
弗化水素及び四弗化珪素の収量は、第に−ダーからそれ
ぞれα19,11.5gであり、第2ニーダ−からそれ
ぞれ4cL59,1.19であった。
ぞれα19,11.5gであり、第2ニーダ−からそれ
ぞれ4cL59,1.19であった。
螢石中の珪酸及び弗化カルシウムの分解率はそれぞれ8
1チ、91チであった。
1チ、91チであった。
比較例5
実施例2の装置を使用して、ただし、珪酸含有率3五1
wt係、弗化カルシウム含有率65.Owtチの螢石
を用い、弗化水素ガスのフィード速度を60t/Hrに
した以外は実施例2と同様にして実施した。
wt係、弗化カルシウム含有率65.Owtチの螢石
を用い、弗化水素ガスのフィード速度を60t/Hrに
した以外は実施例2と同様にして実施した。
弗化水素及び四弗化珪素の収量は、第に−ダーからそれ
ぞれ22.79,4Q、29、第2ニーダ−から27.
09.!lL2gであった。螢石中の珪酸及び弗化カル
シウムの分解率はそれぞれ79%。
ぞれ22.79,4Q、29、第2ニーダ−から27.
09.!lL2gであった。螢石中の珪酸及び弗化カル
シウムの分解率はそれぞれ79%。
95係であった。
Claims (1)
- 螢石に硫酸を反応させて弗化水素及び四弗化珪素を得る
方法において、珪酸含有率1〜30wt%の螢石に、該
螢石中に含まれる珪酸のモル数に対して4倍モル数以上
の弗化水素を含有するガス及び/または液を接触させて
から、硫酸を反応させることを特徴とする弗化水素及び
四弗化珪素の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30957387A JPH01153501A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 弗化水素及び四弗化珪素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30957387A JPH01153501A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 弗化水素及び四弗化珪素の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01153501A true JPH01153501A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=17994657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30957387A Pending JPH01153501A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 弗化水素及び四弗化珪素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01153501A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002029706A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-29 | Daikin Ind Ltd | フッ化水素製造装置および製造方法 |
CN104801417A (zh) * | 2014-01-23 | 2015-07-29 | 陈瑞文 | 低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法及一种工艺方法 |
CN105149105A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-12-16 | 中南大学 | 一种萤石精矿脱硫提纯净化的方法 |
WO2020262195A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 三井化学株式会社 | フッ化水素の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP30957387A patent/JPH01153501A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002029706A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-29 | Daikin Ind Ltd | フッ化水素製造装置および製造方法 |
JP4599673B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2010-12-15 | ダイキン工業株式会社 | フッ化水素製造装置および製造方法 |
CN104801417A (zh) * | 2014-01-23 | 2015-07-29 | 陈瑞文 | 低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法及一种工艺方法 |
CN105149105A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-12-16 | 中南大学 | 一种萤石精矿脱硫提纯净化的方法 |
CN105149105B (zh) * | 2015-07-13 | 2017-12-08 | 中南大学 | 一种萤石精矿脱硫提纯净化的方法 |
WO2020262195A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 三井化学株式会社 | フッ化水素の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2628889A (en) | Preparation of hydroxylamine | |
MXPA03006112A (es) | Preparacion de pentafluoruro de fosforo. | |
IL100495A (en) | Production of phosphoric acid and hydrogen fluoride from phosphate rock and fluosilicic acid | |
US5382423A (en) | Apparatus for recovering calcium fluoride from fluoroetchant | |
CN110642282A (zh) | 一种利用二氧化碳制备氟化钙与碳酸氢钾的方法 | |
JP2002518281A (ja) | 硫酸カリウムの製造法 | |
US4515762A (en) | Process for processing waste gases resulting during the production of silicon | |
JPS6340714A (ja) | 四フッ化ケイ素の製法 | |
JPH01153501A (ja) | 弗化水素及び四弗化珪素の製造方法 | |
JP4197783B2 (ja) | フッ素化ハロゲン化合物の製造方法 | |
US4499063A (en) | Preparation of silane, SiH4 | |
US2595198A (en) | Method of preparing phosphorous acid | |
US3718453A (en) | Production of potassium dihydrogen phosphate fertilizers | |
CN112320824A (zh) | 一种六氟磷酸锂生产方法 | |
US2408785A (en) | Method of production of anhydrous monofluorophosphoric acid | |
US4663144A (en) | Water-splitting cycle with graphite intercalation compounds | |
US2886414A (en) | Process for producing finely-divided silica | |
US4062929A (en) | Production of hydrogen fluoride | |
JPS63139001A (ja) | 弗化水素及び四弗化珪素の製造方法 | |
JPH05170435A (ja) | フッ素系エッチング剤からフッ化カルシウムを回収する方法 | |
US2865711A (en) | Process for the production of hydrogen fluoride | |
US1978431A (en) | Process of producing nitrites | |
JPH06263715A (ja) | 高純度メタンスルホニルフロライドの製造法 | |
US2741542A (en) | Process for preparing phosphorus oxychloride | |
US3281209A (en) | Process for the production of hydroxyl-amine-o-sulphonic acid |