JPH01142410A - 測距装置 - Google Patents
測距装置Info
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- JPH01142410A JPH01142410A JP30037287A JP30037287A JPH01142410A JP H01142410 A JPH01142410 A JP H01142410A JP 30037287 A JP30037287 A JP 30037287A JP 30037287 A JP30037287 A JP 30037287A JP H01142410 A JPH01142410 A JP H01142410A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、AFカメラなどに用いられ被測距物体から
反射される信号光を受けて被測距物体までの距離を測定
する測距装置に関するものである。
反射される信号光を受けて被測距物体までの距離を測定
する測距装置に関するものである。
第4図はこの種の測距装置の従来例における受光機構を
示す概略図であり、図において1はLEDなどからなる
発光素子、2は上記発光素子1から投光されるパルス状
の信号光を集光して被測距物体3aまたは3bに照射す
る投光側の集光レンズ、4はS P D (Silic
on Photo Diode)などからなる光検出器
、5は被測距物体3aまたは3bから反射される信号光
を集光して光検出器4の受光面に入射する受光側の集光
レンズである。
示す概略図であり、図において1はLEDなどからなる
発光素子、2は上記発光素子1から投光されるパルス状
の信号光を集光して被測距物体3aまたは3bに照射す
る投光側の集光レンズ、4はS P D (Silic
on Photo Diode)などからなる光検出器
、5は被測距物体3aまたは3bから反射される信号光
を集光して光検出器4の受光面に入射する受光側の集光
レンズである。
第5図は上記光検出器4を受光面側から見た平面図であ
り、カソードとなるn型の半導体基板4Cと、この半導
体基板4Cの一重部に形成されカソードとなるp型の2
つの半導体114a、4bとからなり、半導体基板4C
と一方の半導体層4aとの組合せにより第1の受光素子
6aが、また半導体基板4Cと他方の半導体層4bとの
組合せにより第2の受光素子6bがそれぞれ構成される
。
り、カソードとなるn型の半導体基板4Cと、この半導
体基板4Cの一重部に形成されカソードとなるp型の2
つの半導体114a、4bとからなり、半導体基板4C
と一方の半導体層4aとの組合せにより第1の受光素子
6aが、また半導体基板4Cと他方の半導体層4bとの
組合せにより第2の受光素子6bがそれぞれ構成される
。
各々の受光素子6a、6bはカソードであるそれぞれの
半導体層4a、4bの表面を受光面8a。
半導体層4a、4bの表面を受光面8a。
8bとして持っている。そして、これら一対の受光素子
6a、6bはともに直角三角形の形状をしており、互い
の受光面8a、8bが、長方形区画をひとつの対角線に
沿った境界線りで2分割したような形に配置されている
。なお、第4図の光検出器4は、第5図における光検出
器4のIV−IV線矢視断面図を示したものである。
6a、6bはともに直角三角形の形状をしており、互い
の受光面8a、8bが、長方形区画をひとつの対角線に
沿った境界線りで2分割したような形に配置されている
。なお、第4図の光検出器4は、第5図における光検出
器4のIV−IV線矢視断面図を示したものである。
第6図はこの測距装置の信号処理段を示す回路図であり
、第1の受光素子6aにより供給される光起電流を電圧
出力に変換する第1のI/V変換回路9aと、第2の受
光素子6bにより供給される光起電流を電圧出力に変換
する第2のI/V変挽回路9bと、これらのI/V変換
器9a、9bの各次段に設けられなバッフ1アンプ1a
、10bと、抵抗11〜14.演算増幅器15.基準電
圧用バッテリ16.出力端子17などからなる差動アン
プ18とで構成されている。
、第1の受光素子6aにより供給される光起電流を電圧
出力に変換する第1のI/V変換回路9aと、第2の受
光素子6bにより供給される光起電流を電圧出力に変換
する第2のI/V変挽回路9bと、これらのI/V変換
器9a、9bの各次段に設けられなバッフ1アンプ1a
、10bと、抵抗11〜14.演算増幅器15.基準電
圧用バッテリ16.出力端子17などからなる差動アン
プ18とで構成されている。
第7図は上記した各1/V変換回路9a、9bの概略の
構成を示す回路で、その具体的構成にっいては特開昭6
2−14076号公報に開示されるものと同一であり、
対応する受光素子6aまたは6bより供給される光起電
流を低周波減衰用コンデンサ19を介してI/V変換器
20に入力し、入力電流atに応じたレベルの電圧出力
Vを得るように構成されている。
構成を示す回路で、その具体的構成にっいては特開昭6
2−14076号公報に開示されるものと同一であり、
対応する受光素子6aまたは6bより供給される光起電
流を低周波減衰用コンデンサ19を介してI/V変換器
20に入力し、入力電流atに応じたレベルの電圧出力
Vを得るように構成されている。
従来の測距装置は上記のように構成され、第4図におい
て基準となる距離(基準電l11)にある被測距物体3
aから反射された信号光へが集光レンズ5を介して光検
出器4に入射されるとき、その信号光Aは第4図および
第5図に示すように光検出器4の受光面の中心位置Pに
結像するような部材配置とされている。なお、この明細
書では、このように基準距離に対応してあらかじめ設定
された受光面全体上の受光位置の中心を「基準受光位置
」と呼ぶ。これによりこの場合には2つの受光素子6a
、6bの受光向が同量となり、これらの光起電流は等し
くなる。そのため2つのI/V変換器9a、9bより差
動アンプ18に伝えられる各電圧出力も等しくなり、差
動アンプ18の出力端子17には差電圧は生じない。
て基準となる距離(基準電l11)にある被測距物体3
aから反射された信号光へが集光レンズ5を介して光検
出器4に入射されるとき、その信号光Aは第4図および
第5図に示すように光検出器4の受光面の中心位置Pに
結像するような部材配置とされている。なお、この明細
書では、このように基準距離に対応してあらかじめ設定
された受光面全体上の受光位置の中心を「基準受光位置
」と呼ぶ。これによりこの場合には2つの受光素子6a
、6bの受光向が同量となり、これらの光起電流は等し
くなる。そのため2つのI/V変換器9a、9bより差
動アンプ18に伝えられる各電圧出力も等しくなり、差
動アンプ18の出力端子17には差電圧は生じない。
一方、第4図において上記した基準距離より近距離側に
ある被測距物体3bから反射された信号光Bが集光レン
ズ5を介して光検出器4に入力される場合には、その信
号光Bの結像位置は第4図および第5図に示すように光
検出器4の受光面の基準位置Pより右側に移動距離rだ
け偏る。このため第1の受光素子6aの受光量が第2の
受光素子6bより上記移動距離rに応じた分だけ多くな
り、それに伴って第1のI/V変換器9aの電圧出力の
レベルも第2のI/V変換器9bより高くなって、その
電圧出力の差が差動アンプ18の出力端子17にあられ
れる。すなわち、差動アンプ18によって得られる差電
圧は光検出器4の受光面での信号光Bの移動距離rに対
応した値であり、またその移動距離rは被測距物体3b
の距離に対応した値であるので、差動アンプ18により
得られる差電圧から被測距物体3bの距離が検出される
ことになる。
ある被測距物体3bから反射された信号光Bが集光レン
ズ5を介して光検出器4に入力される場合には、その信
号光Bの結像位置は第4図および第5図に示すように光
検出器4の受光面の基準位置Pより右側に移動距離rだ
け偏る。このため第1の受光素子6aの受光量が第2の
受光素子6bより上記移動距離rに応じた分だけ多くな
り、それに伴って第1のI/V変換器9aの電圧出力の
レベルも第2のI/V変換器9bより高くなって、その
電圧出力の差が差動アンプ18の出力端子17にあられ
れる。すなわち、差動アンプ18によって得られる差電
圧は光検出器4の受光面での信号光Bの移動距離rに対
応した値であり、またその移動距離rは被測距物体3b
の距離に対応した値であるので、差動アンプ18により
得られる差電圧から被測距物体3bの距離が検出される
ことになる。
従来の測距装置は上記のように構成されており、例えば
AFカメラなどに組み込んだ場合にその機能が正常に働
くためには、光検出器4の組込位置は基準距離の被測距
物体3aから反射される信号光Aが光検出器4の受光面
の基準受光位置Pに正しく結像するように、光検出器4
の位置を調整しておく必要がある。これは、たとえば、
出力端子17からの出力電圧をモニターしながら、第5
図の光検出器支持枠30(図中には1部分のみが示され
ている。)に螺合された支持ネジ318.31bを操作
し、光検出器4を第5図の上下左右に動かして、出力電
圧がゼロとなる位置を捜すことによって行なわれる。
AFカメラなどに組み込んだ場合にその機能が正常に働
くためには、光検出器4の組込位置は基準距離の被測距
物体3aから反射される信号光Aが光検出器4の受光面
の基準受光位置Pに正しく結像するように、光検出器4
の位置を調整しておく必要がある。これは、たとえば、
出力端子17からの出力電圧をモニターしながら、第5
図の光検出器支持枠30(図中には1部分のみが示され
ている。)に螺合された支持ネジ318.31bを操作
し、光検出器4を第5図の上下左右に動かして、出力電
圧がゼロとなる位置を捜すことによって行なわれる。
ところが、例えば左右方向について位置調整を行った場
合、信号光の結像位置が基準受光位置Pから第5図の上
下方向に偏って第5図に符号Cで示す位置にあると、第
1の受光素子6aと第2の受光素子6bの受光量に差が
生じないことになり、実際には正しい位置調整は行なわ
れていないにもかかわらず、差動アンプ18の出力をモ
ニターするだけでは正しく位置調整ができたものと誤っ
てしまうという問題点があった。
合、信号光の結像位置が基準受光位置Pから第5図の上
下方向に偏って第5図に符号Cで示す位置にあると、第
1の受光素子6aと第2の受光素子6bの受光量に差が
生じないことになり、実際には正しい位置調整は行なわ
れていないにもかかわらず、差動アンプ18の出力をモ
ニターするだけでは正しく位置調整ができたものと誤っ
てしまうという問題点があった。
また、このような誤りを防ぐために、光検出器4の受光
面上の信号光の結像位置を目で確かめながら、差動アン
プ18の出力をモニターして位置調整を行うことも試み
られているが、この場合には位置調整のために特別の装
置が必要で、調整に時間がかかり光学系の誤差の影響も
受けるという問題点があった。
面上の信号光の結像位置を目で確かめながら、差動アン
プ18の出力をモニターして位置調整を行うことも試み
られているが、この場合には位置調整のために特別の装
置が必要で、調整に時間がかかり光学系の誤差の影響も
受けるという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、受光部の位置調整を精度よく簡単に行うこと
のできる測距装置を得ることを目的とする。
たもので、受光部の位置調整を精度よく簡単に行うこと
のできる測距装置を得ることを目的とする。
この発明に係る測距装置は、互いの受光面が境界を接し
て2分されるように配置され被測距物体から反射される
信号光を受ける光検出器の一対の受光部のそれぞれが、
それら一対の受光面の全体において設定されている所定
の基準受光位置またはその近傍を通る線分でさらに細分
割され、前記細分割で得られる各分割受光面からのそれ
ぞれの受光出力の組合せによって、測距出力と、前記受
光部の位置調整用出力とを得るようにしている。
て2分されるように配置され被測距物体から反射される
信号光を受ける光検出器の一対の受光部のそれぞれが、
それら一対の受光面の全体において設定されている所定
の基準受光位置またはその近傍を通る線分でさらに細分
割され、前記細分割で得られる各分割受光面からのそれ
ぞれの受光出力の組合せによって、測距出力と、前記受
光部の位置調整用出力とを得るようにしている。
この発明においては、基準距離から反射される信号光が
基準受光位置に結像するように受光部を位置調整する場
合に、複数の分割受光面からの受光出力の組合せによっ
て得られる位置調整用出力をモニターしながら受光器の
上下および左右の位置調整を簡単に行うことができる。
基準受光位置に結像するように受光部を位置調整する場
合に、複数の分割受光面からの受光出力の組合せによっ
て得られる位置調整用出力をモニターしながら受光器の
上下および左右の位置調整を簡単に行うことができる。
第1図はこの発明による測距装置の受光部である光検出
器40を受光面側より見た平面図であり、一対の受光面
80a、80bが斜めの境界線してまず2分された形に
配置されていることは従来の測距装置の場合と同じであ
る。しかしながら、この実施例の光検出器40では、第
5図の従来の光検出器4と異なり、各受光面80a、8
0bのそれぞれがさらに2つずつの分割受光面80a1
゜80a :80b 、80b2へと細分割されている
。この実施例での細分割は、基準受光位置(図示例では
受光面の全体の中心位@)Pを通り、かつ第1図の上下
方向に伸びる境界線L1によってなされている。これら
の分割受光面80a1〜80b2は、n型の半導体基板
(カソード)40Cの一生面上に形成されたP型の半導
体層(アノード)40a1〜40b2の表面となってい
る。
器40を受光面側より見た平面図であり、一対の受光面
80a、80bが斜めの境界線してまず2分された形に
配置されていることは従来の測距装置の場合と同じであ
る。しかしながら、この実施例の光検出器40では、第
5図の従来の光検出器4と異なり、各受光面80a、8
0bのそれぞれがさらに2つずつの分割受光面80a1
゜80a :80b 、80b2へと細分割されている
。この実施例での細分割は、基準受光位置(図示例では
受光面の全体の中心位@)Pを通り、かつ第1図の上下
方向に伸びる境界線L1によってなされている。これら
の分割受光面80a1〜80b2は、n型の半導体基板
(カソード)40Cの一生面上に形成されたP型の半導
体層(アノード)40a1〜40b2の表面となってい
る。
そして、半導体基板40cと各半導体層40a1〜40
b2とのそれぞれの組合せにより、4個の単位受光素子
60a 〜60b2がそれぞれ形成されている。第1
図かられかるように、分割受光面80a 〜80b2
の配置は、基準受光位置Pに関して点対称となっている
。
b2とのそれぞれの組合せにより、4個の単位受光素子
60a 〜60b2がそれぞれ形成されている。第1
図かられかるように、分割受光面80a 〜80b2
の配置は、基準受光位置Pに関して点対称となっている
。
受光部に続く信号処理段は第6図に示した従来の測距装
置の場合とほぼ同様であるが、この実施例の測距装置の
場合、第6図における第1の■/■変換器9aに相当す
る第2図のI/V変換器90aにおいて、第1の受光面
80aに対応する2つの単位受光素子60a 、60
a2が並列に接続され、これらの光起電流の総和つまり
受光面80a全体の受光量に相当する光起電流をI/V
変換回路20に供給するように構成されている。同様に
して、第6図における第2のI/V変換器9bに相当す
るI/V変換器90bでは、第2の受光面80bに対応
する2つの単位受光素子6ob1.60b2が並列に接
続され、これにより受光面80b全体の受光量に相当す
る光起電流をそのI/V変挽回路20に供給するように
構成されている。
置の場合とほぼ同様であるが、この実施例の測距装置の
場合、第6図における第1の■/■変換器9aに相当す
る第2図のI/V変換器90aにおいて、第1の受光面
80aに対応する2つの単位受光素子60a 、60
a2が並列に接続され、これらの光起電流の総和つまり
受光面80a全体の受光量に相当する光起電流をI/V
変換回路20に供給するように構成されている。同様に
して、第6図における第2のI/V変換器9bに相当す
るI/V変換器90bでは、第2の受光面80bに対応
する2つの単位受光素子6ob1.60b2が並列に接
続され、これにより受光面80b全体の受光量に相当す
る光起電流をそのI/V変挽回路20に供給するように
構成されている。
上記のように構成された測距装置の実際の使用時の動作
は従来装置の場合と同様であり、受光面80aと受光面
80bの受光量の差つまり分割受光面80a 〜80
b2の受光出力の第1の組合せに基いて得られる測距出
力によって被測距物体までの距離が検出される。
は従来装置の場合と同様であり、受光面80aと受光面
80bの受光量の差つまり分割受光面80a 〜80
b2の受光出力の第1の組合せに基いて得られる測距出
力によって被測距物体までの距離が検出される。
そして、この測距装置の場合の光検出器40の位置調整
つまり基準距離の被測距物体から反射される信号光が全
体の受光面の中心位置すなわちこの実施例における基準
受光位置Pに結像するように位置合せする手順は以下の
ようにして行われる。
つまり基準距離の被測距物体から反射される信号光が全
体の受光面の中心位置すなわちこの実施例における基準
受光位置Pに結像するように位置合せする手順は以下の
ようにして行われる。
先ず第1図において上下方向に隣接する分割受光面80
a 、80b2を1組として、これらに対応する単位
受光素子60a 、60b2を第1のI/V変換器9
0a側に接続する一方(受光素子60a1については使
用時の接続状態と同じ)、残りの細分割受光部80a
、80b1に対応する単位受光素子60a 、60
b1を別の1組として、これらを第2のI/V変換器9
0b側に接続する(受光素子60b1については使用時
の接続状態と同じ)。以上のような受光出力の組合せ状
態(第2の組合せ〉で、第6図に示した差動アンプ18
の出力端子17にあられれる差電圧をモニターしながら
光検出器40を左右に移動させる。
a 、80b2を1組として、これらに対応する単位
受光素子60a 、60b2を第1のI/V変換器9
0a側に接続する一方(受光素子60a1については使
用時の接続状態と同じ)、残りの細分割受光部80a
、80b1に対応する単位受光素子60a 、60
b1を別の1組として、これらを第2のI/V変換器9
0b側に接続する(受光素子60b1については使用時
の接続状態と同じ)。以上のような受光出力の組合せ状
態(第2の組合せ〉で、第6図に示した差動アンプ18
の出力端子17にあられれる差電圧をモニターしながら
光検出器40を左右に移動させる。
このとき、差動アンプ18は光検出器40の右半部の受
光部80a 、80b2の受光量の和QRど、左半部
の受光面80a 、80b1の受光mf7)和Q、と
の差(QR−Q、)を検出することになるので、差電圧
がOとなるところで、光検出器40の位置を固定すれば
、左右方向についての位置調整を行ったことになる。
光部80a 、80b2の受光量の和QRど、左半部
の受光面80a 、80b1の受光mf7)和Q、と
の差(QR−Q、)を検出することになるので、差電圧
がOとなるところで、光検出器40の位置を固定すれば
、左右方向についての位置調整を行ったことになる。
つぎに、単位受光素子60a1〜60b2を実際の測距
使用時の接続状態、つまり斜め方向に隣接する1組の単
位受光素子60a 、60a2を第1のI/V変換器
90aに、残りの1組の単位受光素子60b 、60
b、、を第2のI/V変換器90bに接続し直した状態
(第1の組合せ)で、第6図の差動アンプ18の出力端
子17にあられれる差電圧をモニターしながら光検出器
40を第1図の上下に移動させる。このとき、差動アン
プ18は光検出器40の受光面80aと受光面80bの
受光量の差を検出することになるので、差電圧が零とな
るところで光検出器40を固定すると、上下方向につい
ての位置調整を行ったことになる。
使用時の接続状態、つまり斜め方向に隣接する1組の単
位受光素子60a 、60a2を第1のI/V変換器
90aに、残りの1組の単位受光素子60b 、60
b、、を第2のI/V変換器90bに接続し直した状態
(第1の組合せ)で、第6図の差動アンプ18の出力端
子17にあられれる差電圧をモニターしながら光検出器
40を第1図の上下に移動させる。このとき、差動アン
プ18は光検出器40の受光面80aと受光面80bの
受光量の差を検出することになるので、差電圧が零とな
るところで光検出器40を固定すると、上下方向につい
ての位置調整を行ったことになる。
なお、図示していないが、光検出器40の移動は、第5
図と同様の機構で行なえばよい。
図と同様の機構で行なえばよい。
このようにして、各分割受光面80a1〜80b2の受
光出力の第1と第2の組合せに基いて位置調整用出力を
得ることにより、検出器40の受光面に結像する信号光
を目で確かめることなく、差動アンプ18の出力をモニ
ターするだけで位置調整を用意かつ正確に行なうことが
できる。上記の説明かられかるように、第1と第2の組
合せは互いに異なった組合せである。
光出力の第1と第2の組合せに基いて位置調整用出力を
得ることにより、検出器40の受光面に結像する信号光
を目で確かめることなく、差動アンプ18の出力をモニ
ターするだけで位置調整を用意かつ正確に行なうことが
できる。上記の説明かられかるように、第1と第2の組
合せは互いに異なった組合せである。
第3図は光検出器40の受光面80a、80bの分割構
成の他の実施態様を示したもので、受光面80aは全体
の受光面の中心位置(基準受光位置)Pを通る縦方向の
境界線L1と、基準受光位置の近傍を通る横方向の境界
線L21とによって細分割された3つの分割受光面80
a 、80a4゜80a5により構成され、また受光
面80bは同様にして境界線L 、L22で細分割して
得られる3つの分割受光面80b 、80b4.80
b5により構成されている。これらの分割受光面80a
3〜80a5,80b3〜80b5の配置は、やはり基
準受光位@Pに関して点対称となっている。
成の他の実施態様を示したもので、受光面80aは全体
の受光面の中心位置(基準受光位置)Pを通る縦方向の
境界線L1と、基準受光位置の近傍を通る横方向の境界
線L21とによって細分割された3つの分割受光面80
a 、80a4゜80a5により構成され、また受光
面80bは同様にして境界線L 、L22で細分割して
得られる3つの分割受光面80b 、80b4.80
b5により構成されている。これらの分割受光面80a
3〜80a5,80b3〜80b5の配置は、やはり基
準受光位@Pに関して点対称となっている。
そして、実際の使用時には、分割受光面80a3 、s
oa 、80a5に対応する各受光素子は第1のI/
V変換器90aに接続され、分割受光面80b 、8
0b 、80b5に対応する名優光素子は第2のI/
V変換器90bに接続される(第2の実施例での第1の
組合せ)。一方、光検出器40の位置調整においては、
右下の分割受光面80a4と左上の分割受光面80b4
を選び、一方の分割受光面80a4に対応する受光素子
を第1のI/V変換器90aに、他方の分割受光面80
b4に対応する受光素子を第2のI/V変換器90bに
それぞれ接続することにより、分割受光面80a4と分
割受光面80b4の受光量の差から光検出器40の上下
と左右の位置調整をともに行うことができる(第2の実
施例での第2の組合せ)。
oa 、80a5に対応する各受光素子は第1のI/
V変換器90aに接続され、分割受光面80b 、8
0b 、80b5に対応する名優光素子は第2のI/
V変換器90bに接続される(第2の実施例での第1の
組合せ)。一方、光検出器40の位置調整においては、
右下の分割受光面80a4と左上の分割受光面80b4
を選び、一方の分割受光面80a4に対応する受光素子
を第1のI/V変換器90aに、他方の分割受光面80
b4に対応する受光素子を第2のI/V変換器90bに
それぞれ接続することにより、分割受光面80a4と分
割受光面80b4の受光量の差から光検出器40の上下
と左右の位置調整をともに行うことができる(第2の実
施例での第2の組合せ)。
なお、上記実施例では光検出器40に設けられる一対の
受光部の受光面80a、80bが斜めに2分される場合
について説明したが、この発明はこれに限定されない。
受光部の受光面80a、80bが斜めに2分される場合
について説明したが、この発明はこれに限定されない。
たとえば、一対の受光面が左右に2分される場合につい
ては、基準受光位置またはその近傍を通る縦方向の境界
線によってさらに横に細分割して全体を4つの分割受光
面に分けることにより、上下と左右の位置調整を同様に
して行うことができる。
ては、基準受光位置またはその近傍を通る縦方向の境界
線によってさらに横に細分割して全体を4つの分割受光
面に分けることにより、上下と左右の位置調整を同様に
して行うことができる。
また、基準受光位置Pは通常、全受光面の中心に設定さ
れているが、完全な中心以外に基準受光位置Pが設定さ
れているような受光器にもこの発明は適用できる。また
、第3因の例に示したように、境界線L 、L が
基準受光位置Pの真上を通ることは必須ではない。
れているが、完全な中心以外に基準受光位置Pが設定さ
れているような受光器にもこの発明は適用できる。また
、第3因の例に示したように、境界線L 、L が
基準受光位置Pの真上を通ることは必須ではない。
以上のようにこの発明によれば、一対の受光部のそれぞ
れを、基準受光位置を通る境界線でさらに細分割された
各分割受光面の出力の組合せによって測距出力や位置調
整用出力を得るようにしているため、受光部の位置調整
を精度よく簡単に行うことができる効果がある。
れを、基準受光位置を通る境界線でさらに細分割された
各分割受光面の出力の組合せによって測距出力や位置調
整用出力を得るようにしているため、受光部の位置調整
を精度よく簡単に行うことができる効果がある。
第1図はこの発明による測距装置の一実施例に用いられ
る光検出器を示す平面図、第2図はその測距装置のI/
V変換器の構成を示す回路図、第3図はこの発明の他の
実施例の光検出器を示す平面図、第4図は従来の測距装
置の受光機構を示す概略図、第5図はその光検出器を示
す平面図、第6図はその信号処理段の構成を示す回路図
、第7図はそのI/V変換器の概略構成を示す回路図で
ある。 図において、4.40は光検出器、80a1゜80a
、80b 、80b2は分割受光面t−ア2す る。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
る光検出器を示す平面図、第2図はその測距装置のI/
V変換器の構成を示す回路図、第3図はこの発明の他の
実施例の光検出器を示す平面図、第4図は従来の測距装
置の受光機構を示す概略図、第5図はその光検出器を示
す平面図、第6図はその信号処理段の構成を示す回路図
、第7図はそのI/V変換器の概略構成を示す回路図で
ある。 図において、4.40は光検出器、80a1゜80a
、80b 、80b2は分割受光面t−ア2す る。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)互いの受光面が境界を接して2分される一対の受
光部からなる光検出器により被測距物体から反射される
信号光を受け、それら一対の受光部の受光量の差から被
測距物体までの距離を測定するようにした測距装置にお
いて、 前記各受光部が、前記受光面の全体において設定されて
いる所定の基準受光位置またはその近傍を通る線分でさ
らに細分割され、前記細分割によつて得られた各分割受
光面のそれぞれからの受光出力の組合せによつて、測距
出力と前記受光器の位置調整用出力とを得ることを特徴
とする測距装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30037287A JPH01142410A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30037287A JPH01142410A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 測距装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01142410A true JPH01142410A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17883986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30037287A Pending JPH01142410A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 測距装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01142410A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5323222A (en) * | 1991-01-24 | 1994-06-21 | Olympus Optical Co., Ltd. | Distance-measuring device for use with camera |
-
1987
- 1987-11-28 JP JP30037287A patent/JPH01142410A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5323222A (en) * | 1991-01-24 | 1994-06-21 | Olympus Optical Co., Ltd. | Distance-measuring device for use with camera |
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