JPH01138429A - サ−モパイル - Google Patents
サ−モパイルInfo
- Publication number
- JPH01138429A JPH01138429A JP62185112A JP18511287A JPH01138429A JP H01138429 A JPH01138429 A JP H01138429A JP 62185112 A JP62185112 A JP 62185112A JP 18511287 A JP18511287 A JP 18511287A JP H01138429 A JPH01138429 A JP H01138429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermopile
- air gap
- substrate
- contact part
- thermocouple
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、放射温度計としてのサーモパイルに関し、特
に、温接点部にエアブリッジ構造を持たせたサーモパイ
ルに関するものである。
に、温接点部にエアブリッジ構造を持たせたサーモパイ
ルに関するものである。
［従来の技術］
従来、この種のサーモパイルとしては、第４図に示すよ
うに、穴１ａを有するＳｉ基板ｌ上に形成された絶縁膜
２と、その穴領域Ｓ上に形成された全黒などの受光部と
しての黒体部３と、この周囲に放射状に直列接続された
複数の熱電対４とからなり、熱電対線４ａ、４ｂの温接
点部４Ｃは黒体部３に近接配置され、その冷接点部４ｄ
は黒体部３から遠ざけた位置に形成されている。
うに、穴１ａを有するＳｉ基板ｌ上に形成された絶縁膜
２と、その穴領域Ｓ上に形成された全黒などの受光部と
しての黒体部３と、この周囲に放射状に直列接続された
複数の熱電対４とからなり、熱電対線４ａ、４ｂの温接
点部４Ｃは黒体部３に近接配置され、その冷接点部４ｄ
は黒体部３から遠ざけた位置に形成されている。
［解決すべき問題点］
しかしながら、上記サーモパイルにあっては、次の問題
がある。
がある。
■温接点部４Ｃが穴領域Ｓ上の薄い絶縁膜２（約６７ｔ
ｍ程度）上に形成されているため１機械的強度に乏しく
１歩留り、信頼性が低い。
ｍ程度）上に形成されているため１機械的強度に乏しく
１歩留り、信頼性が低い。
■穴領域Ｓの形成は、一般に２００ｇｍ程度の厚さのＳ
ｉ基板ｌ上にまず絶縁１ｌＩ２を形成した後、その絶縁
膜？下のＳｉ基板部分をそっくりエツチング除去して穴
１ａを形成するものであるが、一般的なエツチング液（
弗酸、硝酸、酢酸）ではそのエツチング速度にバラツキ
（不均一性）があり、結果的に穴領域Ｓの面積１位置、
形状等に精度が出ない、かかる点から温接点部４Ｃと冷
接点部４ｄとの間隔を短くできないので、冷接点部４ｄ
をヒートシンクとしてのＳｉ基板１上に確−実におくべ
く、予めその間隔を長くとる必要がある。したがってチ
ップの小屋化ないし熱電対の高集積化が困難である。
ｉ基板ｌ上にまず絶縁１ｌＩ２を形成した後、その絶縁
膜？下のＳｉ基板部分をそっくりエツチング除去して穴
１ａを形成するものであるが、一般的なエツチング液（
弗酸、硝酸、酢酸）ではそのエツチング速度にバラツキ
（不均一性）があり、結果的に穴領域Ｓの面積１位置、
形状等に精度が出ない、かかる点から温接点部４Ｃと冷
接点部４ｄとの間隔を短くできないので、冷接点部４ｄ
をヒートシンクとしてのＳｉ基板１上に確−実におくべ
く、予めその間隔を長くとる必要がある。したがってチ
ップの小屋化ないし熱電対の高集積化が困難である。
また、その間隔が長いことから、抵抗が比較的大きく、
感度向上の障害となり、更に、熱容量も大きいので、熱
応答性が劣る。
感度向上の障害となり、更に、熱容量も大きいので、熱
応答性が劣る。
［発明の目的］
本発明は、上記問題点を解決するためのものであり、そ
の目的は、温接点部の機械的強度が高く、温接点部と冷
接点部との間隔を短くし得るサーモパイルを提供するこ
とにある。
の目的は、温接点部の機械的強度が高く、温接点部と冷
接点部との間隔を短くし得るサーモパイルを提供するこ
とにある。
［問題点の解決手段］
上記目的を達成するため、本発明に係るサーモパイルに
おいては、各熱電対の一対の熱電対線のうち温接点部を
含む部分は基板との間に形成されたエアギャップ上に架
設されているものである。
おいては、各熱電対の一対の熱電対線のうち温接点部を
含む部分は基板との間に形成されたエアギャップ上に架
設されているものである。
［作用］
かかる構成のサーモパイルによれば、基板を貫通する穴
を開ける必要がなく、温接点部がエアギャップ上に架設
されているので、温接点部の機械的強度が向上すると共
に、集積回路製造の技術を利用することによって、各熱
電対のサイズをより微細化できるので、温接点部と冷接
点部の平面距離を従来に比して短くでき、熱電対搭載個
数の増大又はチップ面積の小型化等を図ることができる
。
を開ける必要がなく、温接点部がエアギャップ上に架設
されているので、温接点部の機械的強度が向上すると共
に、集積回路製造の技術を利用することによって、各熱
電対のサイズをより微細化できるので、温接点部と冷接
点部の平面距離を従来に比して短くでき、熱電対搭載個
数の増大又はチップ面積の小型化等を図ることができる
。
［実施例］
次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（Ａ）は、本発明に係るサーモパイルの第１実施
例を示す拡大平面図であり、第１図（Ｂ）は、同図（Ａ
）中ＩＢ−ＩＢ線に沿って切断した状態を示す切断矢視
図である。
例を示す拡大平面図であり、第１図（Ｂ）は、同図（Ａ
）中ＩＢ−ＩＢ線に沿って切断した状態を示す切断矢視
図である。
図中、 １０は平坦なＳｉ基板で、この表面にはＳｉ酸
化膜１１が一面に形成されている。このＳｉ酸化膜１１
上にはエアギャップ１３を設け、これに架設されたブリ
ッジ部１２ａを有する絶縁膜１２が形成されている。ブ
リッジ部１２ａの中央には全黒などの黒体部１４が形成
されており、その近傍部には熱電対線１５ａ、＋５ｂの
重ね合わせ部として形成された温接点部１５ｃが位置し
ている。ブリッジ部１２ａ以外の平坦面上には熱電対線
１５ａ 、 １５ｂの重ね合わせ部として形成された冷
接点部１５ｄが位置している。したがって、各熱電対線
１５ａ 、 １５ｂはブリッジ部１２ａに乗り上げる段
差部１５ｅ 、 １５ｆを有しており、冷接点部１５
ｄはブリッジ１２ａ上の温接点部１５ｃより低いＳｉ基
板１０寄りに位置する。
化膜１１が一面に形成されている。このＳｉ酸化膜１１
上にはエアギャップ１３を設け、これに架設されたブリ
ッジ部１２ａを有する絶縁膜１２が形成されている。ブ
リッジ部１２ａの中央には全黒などの黒体部１４が形成
されており、その近傍部には熱電対線１５ａ、＋５ｂの
重ね合わせ部として形成された温接点部１５ｃが位置し
ている。ブリッジ部１２ａ以外の平坦面上には熱電対線
１５ａ 、 １５ｂの重ね合わせ部として形成された冷
接点部１５ｄが位置している。したがって、各熱電対線
１５ａ 、 １５ｂはブリッジ部１２ａに乗り上げる段
差部１５ｅ 、 １５ｆを有しており、冷接点部１５
ｄはブリッジ１２ａ上の温接点部１５ｃより低いＳｉ基
板１０寄りに位置する。
かかるサーモパイルは次のようにして製造される。先ず
、Ｓｉ基板１０上にＳｉ酸化膜１１を形成した後、エア
ギャップ１３を形成すべく断面台形状にホトレジスト又
は樹脂を塗布し、しかる後、そのホトレジスト又は樹脂
を含めて一面を絶縁膜１２で覆う０次に、一方の熱電対
線１５ａと黒体部１４を形成した後、他方の熱電対線１
５ｂを形成する。最後にホトレジスト又は樹脂を除去し
てエアギャップ１３を形成し、サーモパイルが製造され
る。
、Ｓｉ基板１０上にＳｉ酸化膜１１を形成した後、エア
ギャップ１３を形成すべく断面台形状にホトレジスト又
は樹脂を塗布し、しかる後、そのホトレジスト又は樹脂
を含めて一面を絶縁膜１２で覆う０次に、一方の熱電対
線１５ａと黒体部１４を形成した後、他方の熱電対線１
５ｂを形成する。最後にホトレジスト又は樹脂を除去し
てエアギャップ１３を形成し、サーモパイルが製造され
る。
第１実施例に係るサーモパイルは、その構造から、従来
に比して機械的強度が高いことは勿論、Ｓｉ基板自体に
対するエツチング工程を用いずに作成されるので、作成
精度が増し、冷接点部１５ｄは必ずＳｉ基板１０上に位
置するので、温接点部１５ｃと冷接点部１５ｄとの間隔
を５０終■程度にすることが可能である。これにより熱
電対の微細化パターンを形成し易＜、ｌチップ上の熱電
対搭載数（集積度）の増大を図れる。温接点部１５ｃと
冷接点部１５ｄとの間隔が従来に比して短くなる分、各
熱電対の起電力は低下するが、熱電対搭載数の増大がこ
れを補い余りあるので、結果的に感度の向上が実現され
る。また、各熱電対線の長さを短縮できることにより、
合計の抵抗即ちサーモパイルの出力抵抗の値を下げるこ
とが可能で、熱応答性の向とも図れる。
に比して機械的強度が高いことは勿論、Ｓｉ基板自体に
対するエツチング工程を用いずに作成されるので、作成
精度が増し、冷接点部１５ｄは必ずＳｉ基板１０上に位
置するので、温接点部１５ｃと冷接点部１５ｄとの間隔
を５０終■程度にすることが可能である。これにより熱
電対の微細化パターンを形成し易＜、ｌチップ上の熱電
対搭載数（集積度）の増大を図れる。温接点部１５ｃと
冷接点部１５ｄとの間隔が従来に比して短くなる分、各
熱電対の起電力は低下するが、熱電対搭載数の増大がこ
れを補い余りあるので、結果的に感度の向上が実現され
る。また、各熱電対線の長さを短縮できることにより、
合計の抵抗即ちサーモパイルの出力抵抗の値を下げるこ
とが可能で、熱応答性の向とも図れる。
第２図（Ａ）は、本発明に係るサーモパイルの第２実施
例を示す拡大平面図であり、第２図ＣＢ）は、同図（Ａ
）中１１８−ＩＩＳ線に沿って切断した状態を示す切断
矢視図である。
例を示す拡大平面図であり、第２図ＣＢ）は、同図（Ａ
）中１１８−ＩＩＳ線に沿って切断した状態を示す切断
矢視図である。
２０は平坦なＳｉ基板で、この上には帯状の絶縁膜２１
が形成されている。絶縁膜２１はエアギャップ２３を画
成すべきブリッジ部２１ａを有している。一対の熱電対
線２４ａ 、 ２４ｂの温接点部２４ｃはブリッジ部２
１ａ上に形成されぞおり、冷接点部２４ｄは谷部に形成
されている。各温接点部２４ｃ上には金黒などの黒体部
２５が設けられている。
が形成されている。絶縁膜２１はエアギャップ２３を画
成すべきブリッジ部２１ａを有している。一対の熱電対
線２４ａ 、 ２４ｂの温接点部２４ｃはブリッジ部２
１ａ上に形成されぞおり、冷接点部２４ｄは谷部に形成
されている。各温接点部２４ｃ上には金黒などの黒体部
２５が設けられている。
第２実施例にあっては、温接点部２４ｃがエアギャップ
２３上に両端の熱電対線２４ａ、２４ｂによって支持さ
れているので、第１実施例に比し、支持構造が堅固であ
る。かかる点から温接点部２４ｃ上に黒体部２５の直接
搭載が可能なものとなり、高い感度のサーモパイルを得
ることができる。また、各温接点部２４ｃは夫々固有の
エアギャップ２３上に形成されているので、第１実施例
の如く、１つの長いエアギャップを共用させる場合に比
し、製造が容易となる。
２３上に両端の熱電対線２４ａ、２４ｂによって支持さ
れているので、第１実施例に比し、支持構造が堅固であ
る。かかる点から温接点部２４ｃ上に黒体部２５の直接
搭載が可能なものとなり、高い感度のサーモパイルを得
ることができる。また、各温接点部２４ｃは夫々固有の
エアギャップ２３上に形成されているので、第１実施例
の如く、１つの長いエアギャップを共用させる場合に比
し、製造が容易となる。
第３図（Ａ）は、本発明に係るサーモパイルの第３実施
例を示す拡大平面図であり、第３図（Ｂ）は、同図（Ａ
）中ＩＩＩ Ｂ−ＩｔＩ Ｂ線に沿って切断した状態を
示す切断矢視図である。
例を示す拡大平面図であり、第３図（Ｂ）は、同図（Ａ
）中ＩＩＩ Ｂ−ＩｔＩ Ｂ線に沿って切断した状態を
示す切断矢視図である。
３０は平坦なＳｉ基板で、この上にはＳｉ酸化膜３１が
一面に形成されている。一対の熱電対線３２ａ、３２ｂ
はエアギャップ３３上に温接点部３２ｃを有しており、
この温接点部３２ｃ上に金黒などの黒体部３４が設けら
れている。冷接点部３２ｄは温接点部３２ｃより低所の
Ｓｉｍ化膜３１上に形成されている。熱電対群は第３図
（Ａ）に示すようにジグザグ状に配列されており、各温
接点部３２ｃは各エアギャップ３３上に形成されている
。
一面に形成されている。一対の熱電対線３２ａ、３２ｂ
はエアギャップ３３上に温接点部３２ｃを有しており、
この温接点部３２ｃ上に金黒などの黒体部３４が設けら
れている。冷接点部３２ｄは温接点部３２ｃより低所の
Ｓｉｍ化膜３１上に形成されている。熱電対群は第３図
（Ａ）に示すようにジグザグ状に配列されており、各温
接点部３２ｃは各エアギャップ３３上に形成されている
。
このサーモパイルの製造方法は、まず、Ｓｉ基板３０上
にＳｉ酸化膜３１を形成した後、エアギャップ３３を形
成すべく断面台形状にホトレジスト又は樹脂を塗布する
０次に、この上に絶縁膜を形成せずに、断面台形状にホ
トレジスト又は樹脂の上に重ね合わせ部として自立的な
温接点部３２ｃを作成すべく熱電対線３２ａ 、 ３２
ｂを順次積層し１１作成された温接点部３２ｃ上に金黒
などの黒体部３４を設ける。最後にホトレジスト又は樹
脂を除去してエアギャップ３３を形成し、サーモパイル
が製造される。
にＳｉ酸化膜３１を形成した後、エアギャップ３３を形
成すべく断面台形状にホトレジスト又は樹脂を塗布する
０次に、この上に絶縁膜を形成せずに、断面台形状にホ
トレジスト又は樹脂の上に重ね合わせ部として自立的な
温接点部３２ｃを作成すべく熱電対線３２ａ 、 ３２
ｂを順次積層し１１作成された温接点部３２ｃ上に金黒
などの黒体部３４を設ける。最後にホトレジスト又は樹
脂を除去してエアギャップ３３を形成し、サーモパイル
が製造される。
この第３実施例においては、温接点部３２ｃの裏面に絶
縁膜がないため、第２実施例に比し、熱容量が軽減され
、熱応答時間の向上が図れる。
縁膜がないため、第２実施例に比し、熱容量が軽減され
、熱応答時間の向上が図れる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明に係るサーモパイルは、温
接点部を基板から離しこれをエアギャップ上に位置させ
である点に特徴を有するものであるから、次の効果を奏
する。
接点部を基板から離しこれをエアギャップ上に位置させ
である点に特徴を有するものであるから、次の効果を奏
する。
■従来の如く、穴を有する基板上に形成された絶縁膜の
上に温接点部を設けたサーモパイルに比べて、機械的強
度が高く１歩留り及び信頼性が向上する。
上に温接点部を設けたサーモパイルに比べて、機械的強
度が高く１歩留り及び信頼性が向上する。
■エアギャップの作成においては基板自体へのエツチン
グなどが起こらず、温接点部はエアギャップ上に位置し
、冷接点部は必ず基板上に位置するので、熱電対の微細
化パターンによって、１チツプ上の熱電対搭載数の増大
を図ることができる。かかる熱電対の高集積化によって
、結果的に感度の向上、サーモパイルの出力抵抗値の低
減化及び熱応答性の改善を図ることができる。
グなどが起こらず、温接点部はエアギャップ上に位置し
、冷接点部は必ず基板上に位置するので、熱電対の微細
化パターンによって、１チツプ上の熱電対搭載数の増大
を図ることができる。かかる熱電対の高集積化によって
、結果的に感度の向上、サーモパイルの出力抵抗値の低
減化及び熱応答性の改善を図ることができる。
第１図（Ａ）は、本発明に係るサーモパイルの第１実施
例を示す拡大平面図であり、第１図ＣＢ）は、同図（Ａ
）中ｌＳ−１−Ｂ線に沿って切断した状態を示す切断矢
視図である。 第２図（Ａ）は１本発明に係るサーモパイルの第ν ２実施例を示す拡大平面図であり、第３図（Ｂ）は、同
図（Ａ）中ＩＩＢ−ＦＩＢ線に沿って切断した状態を示
す切断矢視図である。 第３図（Ａ）は、本発明に係るサーモパイルの第３実施
例を示す拡大平面図であり、第３図（Ｂ）は同図（Ａ）
中ｍ Ｂ−ｍ Ｂ線に沿って切断した状態を示す切断矢
視図である。 第４図（Ａ）は、従来のサーモパイルの一例を示す平面
図であり、第４図（Ｂ）は、同図（Ａ）中ＩＶＢ−ＩＶ
Ｂ線に沿って切断した状態を示す切断矢視図である。 １０．２０，３０・・・Ｓｉ基板、１１ 、３１会・拳
Ｓｉｉ化膜、１２，２１・・・絶縁膜、１２ａ ・・・
ブリッジ部、１５ａ 、 １５ｂ 、２４ａ 、２４ｂ
、３２ａ 、３２ｂ 豊・・熱電対線、 １５ｃ 、
２４ｃ 、３２ｃ ・・拳温接点部、１５ｄ 、 ２４
ｄ 、 ３２ｄ ・・・冷接点部、＋３，３３・・・エ
アギャップ、 ’１４．２５．３４φｅ・黒体部。 第３図 （Ａ） （Ｂ） 第４図 （Ａツ マ （Ｂ〕 手続補正書（方式） ％式％ ■、水件の表示 昭和６２年特許願第１８５１１２号 ２、発明の名称 サーモパイル ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都港区虎ノ門−丁目２２番１４号氏
名（名称） 新日本無線株式会社 代表者 星 野 宏 ４、代理人 ５、補正命令の日付（発進口） 昭和６３年１２月２
０日６、補正の対象 「明細書の図面の簡単な説
明ｊの欄７、補正の内容 明細書第１０頁第３行目に「第３図（Ｂ）」とある記載
を、「第２図（Ｂ）」 と、補正します。 以上
例を示す拡大平面図であり、第１図ＣＢ）は、同図（Ａ
）中ｌＳ−１−Ｂ線に沿って切断した状態を示す切断矢
視図である。 第２図（Ａ）は１本発明に係るサーモパイルの第ν ２実施例を示す拡大平面図であり、第３図（Ｂ）は、同
図（Ａ）中ＩＩＢ−ＦＩＢ線に沿って切断した状態を示
す切断矢視図である。 第３図（Ａ）は、本発明に係るサーモパイルの第３実施
例を示す拡大平面図であり、第３図（Ｂ）は同図（Ａ）
中ｍ Ｂ−ｍ Ｂ線に沿って切断した状態を示す切断矢
視図である。 第４図（Ａ）は、従来のサーモパイルの一例を示す平面
図であり、第４図（Ｂ）は、同図（Ａ）中ＩＶＢ−ＩＶ
Ｂ線に沿って切断した状態を示す切断矢視図である。 １０．２０，３０・・・Ｓｉ基板、１１ 、３１会・拳
Ｓｉｉ化膜、１２，２１・・・絶縁膜、１２ａ ・・・
ブリッジ部、１５ａ 、 １５ｂ 、２４ａ 、２４ｂ
、３２ａ 、３２ｂ 豊・・熱電対線、 １５ｃ 、
２４ｃ 、３２ｃ ・・拳温接点部、１５ｄ 、 ２４
ｄ 、 ３２ｄ ・・・冷接点部、＋３，３３・・・エ
アギャップ、 ’１４．２５．３４φｅ・黒体部。 第３図 （Ａ） （Ｂ） 第４図 （Ａツ マ （Ｂ〕 手続補正書（方式） ％式％ ■、水件の表示 昭和６２年特許願第１８５１１２号 ２、発明の名称 サーモパイル ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都港区虎ノ門−丁目２２番１４号氏
名（名称） 新日本無線株式会社 代表者 星 野 宏 ４、代理人 ５、補正命令の日付（発進口） 昭和６３年１２月２
０日６、補正の対象 「明細書の図面の簡単な説
明ｊの欄７、補正の内容 明細書第１０頁第３行目に「第３図（Ｂ）」とある記載
を、「第２図（Ｂ）」 と、補正します。 以上
Claims (1)
- 基板上に多数の熱電対を直列接続してなるサーモパイ
ルであって、各熱電対の一対の熱電対線のうち温接点部
を含む部分は該基板との間に形成されたエアギャップ上
に架設されていることを特徴とするサーモパイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62185112A JPH01138429A (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | サ−モパイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62185112A JPH01138429A (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | サ−モパイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138429A true JPH01138429A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=16165069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62185112A Pending JPH01138429A (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | サ−モパイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01138429A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2664745A1 (fr) * | 1990-07-12 | 1992-01-17 | Landis & Gyr Betriebs Ag | Convertisseur thermoelectrique et procede pour sa fabrication. |
| JPH0566529U (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | シチズン時計株式会社 | サーモパイル |
| JP2004207391A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Ritsumeikan | 熱電変換デバイス及びその製造方法 |
| JP2018537848A (ja) * | 2015-10-23 | 2018-12-20 | コンソルツィオ デルタ ティ リサーチ | 熱電発電器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5798824A (en) * | 1980-12-12 | 1982-06-19 | Mitsuteru Kimura | Infrared ray detector |
| JPS57100325A (en) * | 1980-12-13 | 1982-06-22 | Matsushita Electric Works Ltd | Infrared ray sensor |
-
1987
- 1987-07-24 JP JP62185112A patent/JPH01138429A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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Cited By (4)
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