JPH01131004A - 水素分離膜の製造方法 - Google Patents
水素分離膜の製造方法Info
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- JPH01131004A JPH01131004A JP28880787A JP28880787A JPH01131004A JP H01131004 A JPH01131004 A JP H01131004A JP 28880787 A JP28880787 A JP 28880787A JP 28880787 A JP28880787 A JP 28880787A JP H01131004 A JPH01131004 A JP H01131004A
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Landscapes
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｕノ 産業上の利用分野
本発明は、高純度の水素ｅｌｎｔ製する装置等で用いら
れる水素分離膜の製造方法に関する。
れる水素分離膜の製造方法に関する。
（Ｉ従来の技術
半導体の還元工程等で大量に使用される高純度水素は、
例えば銀・パラジクム合金膜透過法？利用した水素精製
装置によって製造されている。
例えば銀・パラジクム合金膜透過法？利用した水素精製
装置によって製造されている。
しかし、この装置は銀・パラジウム合金が高価であるこ
と、精製時に４００℃以上の高温が必要であることと云
う欠点がある。
と、精製時に４００℃以上の高温が必要であることと云
う欠点がある。
そこで、銀・パラジウム合金に代る安価な水素吸蔵合金
を用いることが考えらｎ１更に水素精製のプロセス速度
を上げるために、膜厚が薄い水素分離膜が要望された。
を用いることが考えらｎ１更に水素精製のプロセス速度
を上げるために、膜厚が薄い水素分離膜が要望された。
とこ）が、膜厚に０．１〜５μｍ程度とすると、機械的
強度を呆持するために相持体が必要と成る。
強度を呆持するために相持体が必要と成る。
現状では特開昭６２−１９１４０２号公報で示されるよ
うに、多孔質で通気性を有する例えば焼結金属基板に、
スパッタ法或いは蒸着法で約３０μｍ程度の厚さで水素
吸蔵台金層を形成していた。
うに、多孔質で通気性を有する例えば焼結金属基板に、
スパッタ法或いは蒸着法で約３０μｍ程度の厚さで水素
吸蔵台金層を形成していた。
０９ 発明が解決しようとする問題点しかし、このも
のは、焼結金属基板の表面に細孔があるので、極めて平
坦性が悪く、この表面に形成さｎた水素吸蔵合金層も膜
厚が不均一となり、ピンホールが発生しやすい。
のは、焼結金属基板の表面に細孔があるので、極めて平
坦性が悪く、この表面に形成さｎた水素吸蔵合金層も膜
厚が不均一となり、ピンホールが発生しやすい。
本発明は、ピンホールの発生？抑えて水素分離膜の性能
全向上せんとするものである。
全向上せんとするものである。
に）問題点？解決するための手段
本発明による解決手段は、多孔質で通気性？有する基板
の空孔部に充填剤全充填して該空孔部全閉塞し、次いで
空孔部を含む基板の表面全切削し、研磨して平坦面に形
成し、次いでこの平坦面上に水素吸蔵合金層を均一に形
成し、この後に上記充填剤を空孔部から溶出除去した構
成である。
の空孔部に充填剤全充填して該空孔部全閉塞し、次いで
空孔部を含む基板の表面全切削し、研磨して平坦面に形
成し、次いでこの平坦面上に水素吸蔵合金層を均一に形
成し、この後に上記充填剤を空孔部から溶出除去した構
成である。
（ホ）作用
即ち、基板表面を充填剤毎切削して研磨すると、基板及
び充填剤により平坦面が形成され、この平坦面上に水素
吸蔵合金層を均一に形成する。
び充填剤により平坦面が形成され、この平坦面上に水素
吸蔵合金層を均一に形成する。
そして、充填剤のみを適当な溶剤等で除去すると、基板
表面上に平坦に水素吸蔵合金属が残シ、膜厚も均一とな
るので、薄くてもピンホールは発生しにくい。
表面上に平坦に水素吸蔵合金属が残シ、膜厚も均一とな
るので、薄くてもピンホールは発生しにくい。
（へ）実施例
第１図に基づいて説明すると、例えば最大空孔直径１．
ａｍで通気性を有するステンレス焼結体から成る基板１
に、耐熱性高分子材料の一種であるポリフェニレンオキ
シド全充填剤２として加える。即ち、このポリフェニレ
ンオキシドの飽和トルエン溶液中に基板ｌｔ−浸漬し、
全ての空孔部全閉塞すると共に全表面に被覆する。
ａｍで通気性を有するステンレス焼結体から成る基板１
に、耐熱性高分子材料の一種であるポリフェニレンオキ
シド全充填剤２として加える。即ち、このポリフェニレ
ンオキシドの飽和トルエン溶液中に基板ｌｔ−浸漬し、
全ての空孔部全閉塞すると共に全表面に被覆する。
そして、取シ出して乾燥し、この後に基板ｌの表面を充
填剤２と共に切削し、更に研磨して充填剤２が一部を構
成する平坦面３を形成する。
填剤２と共に切削し、更に研磨して充填剤２が一部を構
成する平坦面３を形成する。
次層で、平坦面３上に水素吸蔵合金層４としてランタン
・ニッケル合金（ＬａＮ ｉ ｓ、）２１μｍの厚さで
スパッタ法によって均一に形成する。
・ニッケル合金（ＬａＮ ｉ ｓ、）２１μｍの厚さで
スパッタ法によって均一に形成する。
次に、水素吸蔵台金層４が形成さ扛た基板１全、約６０
℃に刀ｎ熱さｎたトルエン、クロロホルム、ニトロベン
ゼン等の溶剤中で、超音波洗浄し、基板１の空孔部に在
る充填剤２（ポリフェニレンオキシド）を溶出して除去
する。
℃に刀ｎ熱さｎたトルエン、クロロホルム、ニトロベン
ゼン等の溶剤中で、超音波洗浄し、基板１の空孔部に在
る充填剤２（ポリフェニレンオキシド）を溶出して除去
する。
最後に基板ｌ全体をアセトン洗浄し、この後に真空乾燥
する。
する。
かくして、得らｆした水素分離膜５は、気密度試験の結
果、ピンホールが存在しないことケ確認さｎた。
果、ピンホールが存在しないことケ確認さｎた。
基板ｌは、通常の金属焼結体、ガラス、セラミック等も
オリ用できる。
オリ用できる。
水素吸蔵合金層４は、希土類・ニッケル基台金、チタニ
クム基台金、マグネシクム・ニッケル基台金全採用す・
ることもでき、その形成方法は、スパッタ法の他に、イ
オンブレーティング法、蒸着法等も利用できる。
クム基台金、マグネシクム・ニッケル基台金全採用す・
ることもでき、その形成方法は、スパッタ法の他に、イ
オンブレーティング法、蒸着法等も利用できる。
充填剤２は、耐熱性高分子等の樹脂で良く、その除去用
溶剤は採用樹脂に応じて選択する。
溶剤は採用樹脂に応じて選択する。
因みに、水素分離膜５全不発明方法によって得た場合と
従来方法によって得た場合の比較を次表で示す。
従来方法によって得た場合の比較を次表で示す。
（トノ発明の効果
不発明に依ｎば、基板に多孔質で通気性？有するもの全
周いた場合でも水素吸蔵合金層勿平坦面上に均一に形成
できると共に、基板の通気性を保持できる。このために
形属さｎた水素吸蔵合金１−でのピンホールの発生を抑
制、防止して、極めて高性能の水部分１１１Ｊｉｌ得る
ことができるものである。
周いた場合でも水素吸蔵合金層勿平坦面上に均一に形成
できると共に、基板の通気性を保持できる。このために
形属さｎた水素吸蔵合金１−でのピンホールの発生を抑
制、防止して、極めて高性能の水部分１１１Ｊｉｌ得る
ことができるものである。
第１１９）（ロ）し９に）（ホ）は本発明方法を順に示
す断面図である。 １・・・基板、２・・・充填剤、３・・・平坦面、４・
・・水素吸蔵合金層、５・・・水素分離膜。
す断面図である。 １・・・基板、２・・・充填剤、３・・・平坦面、４・
・・水素吸蔵合金層、５・・・水素分離膜。
Claims (1)
- （１）多孔質で通気性を有する基板の空孔部に充填剤を
充填して該空孔部を閉塞し、次いで空孔部を含む基板の
表面を切削し、研磨して平坦面に形成し、次いでこの平
坦面上に水素吸蔵台金層を均一に形成し、この後に上記
充填剤を空孔部から溶出除去して成る水素分離膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28880787A JPH01131004A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 水素分離膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28880787A JPH01131004A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 水素分離膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01131004A true JPH01131004A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17734985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28880787A Pending JPH01131004A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 水素分離膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01131004A (ja) |
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-
1987
- 1987-11-16 JP JP28880787A patent/JPH01131004A/ja active Pending
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| US8043519B2 (en) | 2002-07-25 | 2011-10-25 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Thin film support substrate for use in hydrogen production filter and production method of hydrogen production filter |
| US7241396B2 (en) | 2002-07-25 | 2007-07-10 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Thin film support substrate for use in hydrogen production filter and production method of hydrogen production filter |
| US7803263B2 (en) | 2002-07-25 | 2010-09-28 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Thin film support substrate for use in hydrogen production filter and production method of hydrogen production filter |
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