JPH01130519A - Mocvd crystal growing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ＭＯＣＶＤ法により結晶成長を行うＭＯＣ
ＶＤ結晶成長装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) This invention relates to an MOC which performs crystal growth by the MOCVD method.
This relates to a VD crystal growth apparatus.
（従来の技術）
第２図は従来の典型的なＭＯＣＶＤ結晶成長装置の構成
を示す配管の模式図である。(Prior Art) FIG. 2 is a schematic diagram of piping showing the configuration of a typical conventional MOCVD crystal growth apparatus.
この図において、１はアルシンＡｓＨ３，ホスフィンＰ
Ｈ，などのＶ族材料ガスボンベ、２はトリメチルガリウ
ムＴＭＧａ、 トリメチルアルミニウムＴＭＡＩ、
トリエチルインジウムＴＥＩｎなとのＩＩＩ族材料の
有機金属バブラ、３は恒温槽、４は供給ガスのガス流量
を調整するマスフローコントローラ（以下ＭＦＣと称す
）、５．５Ａ、５Ｂはエア作動弁、６は反応管、７はＶ
族材料ガスを反応管６へ導入するキャリアライン（以下
Ｖ族プロセスラインと称す）、８はＩＩＩ族有機金属ガ
スを反応管６へ導入するキャリアライン（以下ＩＩＩ族
プロセスラインと称す）、９は前記反応管６へ導入しな
いガスを流す排気ライン（以下ベントラインと称す）、
１０は結晶を成長させる基板をセットするサセプタであ
る。In this figure, 1 is arsine AsH3, phosphine P
V group material gas cylinder such as H, 2 is trimethyl gallium TMGa, trimethyl aluminum TMAI,
Organometallic bubbler made of group III material such as triethyl indium TEIn; 3 is a constant temperature bath; 4 is a mass flow controller (hereinafter referred to as MFC) that adjusts the gas flow rate of the supplied gas; 5.5A and 5B are air operated valves; 6 is a Reaction tube, 7 is V
8 is a carrier line for introducing group material gas into reaction tube 6 (hereinafter referred to as group V process line); 8 is a carrier line for introducing group III organometallic gas into reaction tube 6 (hereinafter referred to as group III process line); 9 is a carrier line for introducing group material gas into reaction tube 6; an exhaust line (hereinafter referred to as vent line) through which gas that is not introduced into the reaction tube 6 flows;
10 is a susceptor for setting a substrate on which a crystal is to be grown.
なお、図中同一形状のものは同一部分を表すが、符号は
省略しである。Note that parts having the same shape in the drawings represent the same parts, but the reference numerals are omitted.
次に動作について説明する。ＭＯＣＶＤ法による結晶成
長法は、ＩＩＩ族材料に有機金属（ＭＯ）が用いられる
のが特徴である。有機金属は一部の例外を除いて常温で
液体である。有機金属は、有機金属バブラ２でＨ２ガス
を導入してバブリングし、恒温槽３により蒸気圧を制御
して供給される。有機金属が固体である場合は、昇華さ
せることにより供給される。結晶成長を行うには、Ｖ族
材料はＶ族材料ガスボンベ１より、ＩＩＩ族の有機金属
は有機金属バブラ２にＨ２を導入して、ＭＦＣ４で流量
を制御することにより、各々Ｖ族プロセスライン７、Ｉ
ＩＩ族プロセスライン８に供給され反応管６へ、導入さ
れφ。結晶成長層の組成はＭＦＣ４による流量制御の他
、エア作動弁５の開閉により制御される。エア作動弁５
Ａを開、エア作動弁５Ｂを閉にすることにより、ＩＩＩ
族有機金属ガスはＩＩＩ族プロセスライン８へ供給され
る。また、エア作動弁５Ａを閉、エア作動弁５Ｂを開と
することで、ＩＩＩ族有機金属ガスはベントライン９に
供給され、反応管６へは導入されない。反応管６へ導入
されたＶ原材料ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガスは、高温
に熱せられたサセプタ１０およびその上にセットされた
基板近傍で熱分解し結晶成長が行われる。Next, the operation will be explained. The MOCVD crystal growth method is characterized by the use of an organic metal (MO) as a group III material. Organometallics are liquids at room temperature, with some exceptions. The organic metal is supplied by introducing and bubbling H2 gas with the organic metal bubbler 2 and controlling the vapor pressure with the constant temperature bath 3. When the organic metal is a solid, it is supplied by sublimation. To perform crystal growth, H2 is introduced into the group V material gas cylinder 1 for group V materials, and into the organometallic bubbler 2 for group III organic metals, and the flow rate is controlled by the MFC 4 in the group V process line 7. , I
φ is supplied to the Group II process line 8 and introduced into the reaction tube 6. The composition of the crystal growth layer is controlled by opening and closing an air-operated valve 5 in addition to controlling the flow rate by the MFC 4. Air operated valve 5
III by opening A and closing the air-operated valve 5B.
Group organometallic gas is supplied to Group III process line 8. Further, by closing the air-operated valve 5A and opening the air-operated valve 5B, the group III organometallic gas is supplied to the vent line 9 and is not introduced into the reaction tube 6. The V raw material gas and Group III organometallic gas introduced into the reaction tube 6 are thermally decomposed near the susceptor 10 heated to a high temperature and the substrate set thereon, resulting in crystal growth.
実際のデバイス構造の結晶成長が行われる際には数層の
組成、ドーピング量の異なる多層成長が行われることと
なる。ＭＦＣ４による流量制御とエア作動弁５の開閉制
御によって多層成長が可能となる。When crystal growth of an actual device structure is performed, multilayer growth is performed in which several layers have different compositions and doping amounts. Multilayer growth is possible by controlling the flow rate using the MFC 4 and controlling the opening and closing of the air-operated valve 5.
しかし、多層成長においては、例えばＩＩＩ族プロセス
ライン８へ供給されているＩＩＩ族有機金属ガスをベン
トライン９に切り換えることが必要な場合もある。この
際エア作動弁５Ａを開から閉に、エア作動弁５Ｂを閉か
ら開へと同時に行なったとしても、ＩＩＩ族有機金属ガ
スはエア作動弁５Ａから反応管６までの間のＩＩＩ族プ
ロセスライン８内に停滞する。このために、メモリ効果
と呼ばれる現象を引き起こす。すなわち、急峻な界面が
得られないわけである。これは、超格子構造のような数
原子層単位の結晶成長が制御できなくなる他、ＩｎＧａ
ＡｓＰ系、ＩｎＡｌＧａＡｓ系等、格子定数が組成によ
り大きく異なる場合に、格子不整合をおこす原因となっ
たりする。また、ドーピング量の少ない結晶成長層が必
要な場合に問題となる。However, in multilayer growth, for example, it may be necessary to switch the group III organometallic gas supplied to the group III process line 8 to the vent line 9. At this time, even if the air-operated valve 5A is turned from open to close and the air-operated valve 5B is changed from close to open at the same time, the group III organometallic gas will not flow through the group III process line between the air-operated valve 5A and the reaction tube 6. Stagnant within 8. This causes a phenomenon called the memory effect. In other words, a steep interface cannot be obtained. This makes it impossible to control crystal growth in units of several atomic layers, such as a superlattice structure, and also causes
When the lattice constant differs greatly depending on the composition, such as AsP type or InAlGaAs type, it may cause lattice mismatch. This also becomes a problem when a crystal growth layer with a small amount of doping is required.
第３図は従来公知のＭＯＣＶＤ結晶成長装置の構成を示
す配管模式図である。FIG. 3 is a schematic piping diagram showing the configuration of a conventionally known MOCVD crystal growth apparatus.
図において、第２図と同一符号は同一または相当部分を
示し、１１はエア作動三方弁、１２はＨ２ガスを導入す
るキャリアライン、１３はラジアルマニホールドである
。In the figure, the same reference numerals as in FIG. 2 indicate the same or corresponding parts, 11 is an air-operated three-way valve, 12 is a carrier line for introducing H2 gas, and 13 is a radial manifold.
エア作動三方弁１１は、第２図に示したエア作動弁５Ａ
、５Ｂを一体構造としたものであり、ベントライン９側
とプロセスライン７側または８側との切り換えを行うも
のである。エア作動三方弁１１は、反応管６の直前に設
置され、各々円周上に配置されている。エア作動三方弁
１１がプロセスライン７または８になっている時には、
Ｖ原材料ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガスは、キャリアラ
イン１２から供給されるＨ２ガスと混合されて反応管６
に導入される。また、ベントライン９側にすることによ
り、ベントライン９へ供給され反応間６へは導入されな
い。エア作動三方弁１１が円周上に配置されたＶ原材料
ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガス導入システムをラジアル
マニホールド１３という。The air-operated three-way valve 11 is the air-operated valve 5A shown in FIG.
, 5B are integrated, and is used to switch between the vent line 9 side and the process line 7 or 8 side. The air-operated three-way valves 11 are installed just before the reaction tube 6, and are arranged circumferentially. When the air-operated three-way valve 11 is in the process line 7 or 8,
The V raw material gas and the group III organometallic gas are mixed with the H2 gas supplied from the carrier line 12 and sent to the reaction tube 6.
will be introduced in Moreover, by placing it on the vent line 9 side, it is supplied to the vent line 9 and not introduced into the reaction chamber 6. The V raw material gas and group III organometallic gas introduction system in which air-operated three-way valves 11 are arranged on the circumference is called a radial manifold 13.
このようなＭＯＣＶＤ結晶成長装置ならば、■原材料ガ
スをＶ族プロセスライン７側からベントライン９側へ切
り換えた際のＶ族プロセスライン７内のガスの停滞を最
少限におさえることができ、急峻な界面の結晶成長が行
える他、ドーピング量の少ない結晶成長層を得ることも
できる。With such MOCVD crystal growth equipment, it is possible to minimize the stagnation of the gas in the V group process line 7 when the raw material gas is switched from the V group process line 7 side to the vent line 9 side, and In addition to being able to grow crystals at a suitable interface, it is also possible to obtain a crystal growth layer with a small amount of doping.
しかし、Ｖ原材料ガス、ＩＩＩ族有機金属ガスを反応管
６直前で混合しているために、ガスの混合が悪くなり、
結晶成長層面内での組成あるいはドーピング量の均一性
が悪くなるといった問題がおきる。However, since the V raw material gas and the group III organometallic gas are mixed just before the reaction tube 6, the gas mixing becomes poor.
A problem arises in that the uniformity of the composition or the amount of doping within the plane of the crystal growth layer deteriorates.
従来のＭＯＣＶＤ装置は以上のように構成されているの
で、第２図に示した装置では、Ｖ原材料ガス、ＩＩＩ族
有機金属ガスの切り換え時におこるメモリ効果のために
急峻な界面が得られない。また低ドーピング量の制御が
困難であるなどの問題点があった。Since the conventional MOCVD apparatus is constructed as described above, the apparatus shown in FIG. 2 cannot obtain a steep interface due to the memory effect that occurs when switching between the V raw material gas and the group III organometallic gas. Further, there were other problems such as difficulty in controlling the amount of doping.
また第３図に示した装置では、Ｖ族材料ガス。In addition, in the apparatus shown in FIG. 3, V group material gas is used.
ＩＩＩ族有機金属ガスの混合が悪くなり、結晶成長層の
組成、ドーピング量の面内均一性が悪くなるという問題
点があった。There is a problem in that the mixing of the group III organometallic gas becomes poor, and the in-plane uniformity of the composition and doping amount of the crystal growth layer becomes poor.
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、急峻な界面が得られ低ドーピング量の制御が可能
であるとともに、優れた結晶成長層の組成、ドーピング
量の面内均一性が得られるＭＯＣＶＤ結晶成長装置を得
ることを目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to obtain a steep interface and control a low doping amount, as well as to achieve excellent in-plane uniformity of the composition of the crystal growth layer and the doping amount. The object of the present invention is to obtain an MOCVD crystal growth apparatus that can obtain the following.
（問題点を解決するための手段）
この発明に係るＭＯＣＶＤ結晶成長装置は、供給ガス毎
にガス濃度の異なる供給ガスを供給する複数系統の供給
ラインと、この複数系統の供給ラインの供給ガスを排気
する排気ラインと、この排気ラインまたは複数系統の供
給ラインに供給ガスの供給を切り換える切り換え機構と
、複数系統の供給ラインの供給ガスを反応管に選択的に
導入するマニホールドとを設けたものである。(Means for Solving the Problems) The MOCVD crystal growth apparatus according to the present invention includes a plurality of supply lines that supply supply gases with different gas concentrations for each supply gas, and a supply gas of the plurality of supply lines. It is equipped with an exhaust line for exhausting air, a switching mechanism that switches the supply of supply gas to this exhaust line or multiple supply lines, and a manifold that selectively introduces the supply gas from the multiple supply lines into the reaction tube. be.
（作用）
この発明のＭＯＣＶＤ結晶成長装置においては、複数系
統の供給ラインが供給ガス毎にガス濃度の異なる供給ガ
スを供給し、排気ラインが複数系統の供給ラインの供給
ガスを排気し、切り換え機構が排気ラインまたは複数系
統の供給ラインに供給ガスの供給を切り換え、マニホー
ルドが複数系統の供給ラインの供給ガスを反応管に選択
的に導入する。(Function) In the MOCVD crystal growth apparatus of the present invention, the plurality of supply lines supply supply gases with different gas concentrations for each supply gas, the exhaust line exhausts the supply gas of the plurality of supply lines, and the switching mechanism switches the supply of the supply gas to the exhaust line or the plurality of supply lines, and the manifold selectively introduces the supply gas from the plurality of supply lines into the reaction tube.
第１図はこの発明の一実施例を示すＭＯＣＶＤ結晶成長
装置の配管模式図であり、第３図と同一符号は同一また
は相当部分を示す。FIG. 1 is a schematic piping diagram of an MOCVD crystal growth apparatus showing an embodiment of the present invention, and the same reference numerals as in FIG. 3 indicate the same or corresponding parts.
この発明のＭＯＣＶＤ結晶成長装置は、この発明による
供給ラインとなるＶ族プロセスライン７およびＩＩＩ族
プロセスライン８を各々２本有している。これらのＶ族
プロセスライン７およびＩＩＩ族プロセスライン８は、
ガス濃度の異なる供給ガス、すなわちＶ族材料ガスおよ
びＩＩＩ族有機金属ガスを供給する。The MOCVD crystal growth apparatus of the present invention has two group V process lines 7 and two group III process lines 8, which are supply lines according to the present invention. These group V process line 7 and group III process line 8 are
Supply gases having different gas concentrations, that is, a group V material gas and a group III organometallic gas are supplied.
この発明による排気ラインとなるベントライン９は、上
記各々の供給ライン７．８に必要に応じて設けられてお
り、Ｖ族プロセスライン７およびＩＩＩ族プロセスライ
ン８のＶ族材料ガスおよびＩＩＩ族有機金属ガスを排気
する。この発明による切り換え機構となるエア作動弁５
Ａ、５Ｂは、ベントライン９またはＶ族プロセスライン
７・ｍ族プロセスライン８にＶ族材料ガスおよびＩＩＩ
族有機金属ガスの供給を切り換える。各プロセスライン
７．８に供給されたＶ族材料ガスおよびＩＩＩ族有機金
属ガスは、ラジアルマニホールド１３のエア作動三方弁
１１へと導かれる。この発明によるマニホールドとなる
ラジアルマニホールド１３は、複数系統のプロセスライ
ン７．８のＶ族材料ガスあるいはＩＩＩ族有機金属ガス
をエア作動三方弁１１を用いて反応管６に選択的に導入
する。ここで各々のガスが反応管６かベントライン９い
ずれに供給されるかで結晶成長層の制御が行われる。The vent line 9 serving as an exhaust line according to the present invention is provided in each of the above supply lines 7.8 as necessary, and is used to supply the group V material gas and the group III organic material gas in the group V process line 7 and the group III process line 8. Exhaust metal gas. Air-operated valve 5 serving as a switching mechanism according to the present invention
A, 5B indicates that the V group material gas and III
Switch the supply of group organometallic gas. The Group V material gas and the Group III organometallic gas supplied to each process line 7.8 are led to the air-operated three-way valve 11 of the radial manifold 13. The radial manifold 13, which is a manifold according to the present invention, selectively introduces group V material gas or group III organometallic gas from a plurality of process lines 7.8 into the reaction tube 6 using an air-operated three-way valve 11. Here, the crystal growth layer is controlled depending on whether each gas is supplied to the reaction tube 6 or the vent line 9.
ここで、２本のＶ族プロセスライン７へＶ族材料ガスボ
ンベ１からＶ族材料ガスを供給する際には、１木のＶ族
材料ガスボンベ１より２つのＭＦＣ４で各々のＶ族プロ
セスライン７へ供給することができる。一方、２本のＩ
ＩＩ族プロセスライン８へＩＩＩ族有機金属ガスを供給
するためには、各々のＩＩＩ族プロセスライン８が独立
してＩＩＩ族有機金属バブラ２群を有することが必要と
なる。これは、ＩＩＩ族プロセスライン８へのＩＩＩ族
有機金属ガスの供給量が！■■族有機金属バブラ２への
Ｈ２バブリング量で制御されるためである。Here, when supplying the V group material gas from the V group material gas cylinder 1 to the two V group process lines 7, the V group material gas is supplied from one V group material gas cylinder 1 to each V group process line 7 using two MFCs 4. can be supplied. On the other hand, two I
In order to supply a group III organometallic gas to the group II process line 8, each group III process line 8 needs to have two groups of group III organometallic bubblers independently. This means that the amount of Group III organometallic gas supplied to Group III process line 8! This is because it is controlled by the amount of H2 bubbling into the group organometallic bubbler 2.
この実施例で示したＭＯＣＶＤ結晶成長装置で結晶成長
を行う場合には、各１本のＩＩＩ族プロセスライン８、
Ｖ族プロセスライン７を用いて結晶成長を行ない、その
開催の各１本のＩＩＩ族プロセスライン８．Ｖ族プロセ
スライン７には次に結晶成長を行なう層に必要な混合比
のＶ族材料ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガスを各々供給し
ベントライン９へ流しておく。次いで、結晶成長層を切
り換える際にベントライン９から反応管６へとエア作動
三方弁１１を切り換える。この時同時に、それまで反応
管６側になっていた■族プロセスライン７、ＩＩＩ 族
プロセスライ８のエア作動三方弁１１をペントライン９
側に切り換えるのはいうまでもない。このようにするこ
とで、配管へのガスの停滞なしに反応管６へ供給するＶ
族材料ガス、ＩＩ族有機金属ガスの混合比を急峻に、し
かも混合のよい状態で変えることが可能となる。その結
果、結晶成長層間の界面を急峻にすることができる他、
低ドーピング量の結晶成長層を得ることができる。さら
に結晶成長層１組成、ドーピング量の均一性をはかるこ
とができる。また、反応管６側からベントライン９側へ
エア作動三方弁１１を切り変えた後、さらにＶ族プロセ
スライン７、■■族プロセスライン８へ次の結晶成長層
に必要な混合比のＩＩＩ族有機金属ガス、Ｖ族材料ガス
を各々に供給しておく。このようにして多層成長を行う
ことができる。When crystal growth is performed using the MOCVD crystal growth apparatus shown in this embodiment, one group III process line 8,
A group V process line 7 is used for crystal growth, and one group III process line 8 is used for each of the crystal growth. A group V material gas and a group III organometallic gas are supplied to the group V process line 7 in a mixing ratio necessary for the next layer to be grown, and then flowed to the vent line 9. Then, when switching the crystal growth layer, the air-operated three-way valve 11 is switched from the vent line 9 to the reaction tube 6. At the same time, the air-operated three-way valves 11 of the group II process line 7 and the group III process line 8, which had been on the reaction tube 6 side, were connected to the pent line 9.
Needless to say, switch to the other side. By doing this, V supplied to the reaction tube 6 without stagnation of gas in the piping
It becomes possible to change the mixing ratio of the group material gas and the group II organometallic gas rapidly and in a well-mixed state. As a result, the interface between the crystal growth layers can be made steeper, and
A crystal growth layer with a low doping amount can be obtained. Furthermore, it is possible to measure the uniformity of the composition of the crystal growth layer 1 and the amount of doping. After switching the air-operated three-way valve 11 from the reaction tube 6 side to the vent line 9 side, the V group process line 7 and the Organometallic gas and group V material gas are supplied to each of them. In this way, multilayer growth can be performed.
なお、上記実施例ではプロセスライン７および８をＩＩ
族、Ｖ族各２本ずつ設けた例を示したが必要が生じれば
さらに設置本数を増やしてもよい。In the above embodiment, process lines 7 and 8 are
Although an example in which two group and V group tubes are provided is shown, the number of tubes may be further increased if necessary.
また、上記実施例では、Ｖ原材料ガスボンベ１を２本、
有機金属バブラ２を各３木とした例を示したが、必要に
応じてこれらの数は増減させても上記実施例と同様の効
果を奏する。In addition, in the above embodiment, two V raw material gas cylinders 1,
Although an example has been shown in which three organometallic bubblers 2 are used, the same effect as in the above embodiment can be obtained even if the number of organometallic bubblers 2 is increased or decreased as necessary.
さらに、Ｖ原材料ガスボンベ１を、セレン化水素Ｈ２Ｓ
ｅ、硫化水素Ｈ２Ｓなどのドーピングガスボンベとし、
有機金属バブラ２をジエチルジンクＤＥＺｎ、シクロペ
ンタジェニルマグネシウムＣＰ２Ｍｇなどのドーピング
有機金属バブラとしてこの発明のＭＯＣＶＤ結晶成長装
置を構成してもよく、上記実施例と同様の効果を奏する
。Furthermore, the V raw material gas cylinder 1 is replaced with hydrogen selenide H2S
e, a doping gas cylinder such as hydrogen sulfide H2S,
The MOCVD crystal growth apparatus of the present invention may be constructed by using the organometallic bubbler 2 as a doped organometallic bubbler such as diethylzinc DEZn, cyclopentadienylmagnesium CP2Mg, etc., and the same effects as in the above embodiments can be obtained.
上記実施例は、ＩＩＩ −Ｖ族の結晶成長の場合につい
て述べたが、さらにＩＩ −Ｖ族、ＩＩ−ｍＶ族につい
ても、あるいはそれら化合物半導体結晶の二元系、三元
系および四元系についても同様の効果を奏することは明
白である。また、ラジアルマニホールド１３は、一般に
はマニホールドであればよい。The above embodiments have described the case of III-V group crystal growth, but also regarding II-V group, II-mV group, or binary, ternary, and quaternary systems of these compound semiconductor crystals. It is clear that the same effect can be achieved. Furthermore, the radial manifold 13 may generally be any manifold.
（発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、供給ガス毎にガス濃度
の異なる供給ガスを供給する複数系統の供給ラインと、
この複数系統の供給ラインの供給ガスを排気する排気ラ
インと、この排気ラインまたは複数系統の供給ラインに
供給ガスの供給を切り換える切り換え機構と、複数系統
の供給ラインの供給ガスを反応管に選択的に導入するマ
ニホールドとを設けたので、結晶成長層間の急峻な界面
が得られ、低ドーピング量の制御が可能となるほか、優
れた結晶成長層の組成、ドーピング量の面内均一性を得
られる効果がある。(Effects of the Invention) As explained above, the present invention includes a plurality of supply lines that supply supply gases with different gas concentrations for each supply gas,
An exhaust line that exhausts the supply gas from the multiple supply lines, a switching mechanism that switches the supply of the supply gas to the exhaust line or the multiple supply lines, and a switching mechanism that selectively directs the supply gas from the multiple supply lines to the reaction tube. By providing a manifold to introduce the crystal, a steep interface between the crystal growth layers can be obtained, making it possible to control the doping amount at a low level, and achieving excellent in-plane uniformity of the composition of the crystal growth layer and the doping amount. effective.
第１図はこの発明の一実施例を示すＭＯＣＶＤ結晶成長
装置の配管模式図、第２図および第３図は従来のＭＯＣ
ＶＤ結晶成長装置の配管模式図である。
図において、５Ａ、５Ｂはエアー作動弁、６は反応管、
７はＶ族プロセスライン、８はＩＩＩ族プロセスライン
、９はベントライン、１１はエア作動三方弁、１３はラ
ジアルマニホールドである。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図
手続補正書（自発）
１．事件の表示 特願昭６２−２８９９７２号２、
発明の名称 ＭＯＣＶＤ結晶成長装置３、補正をする
者
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号。
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉
４、代理人
住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内
氏名 （７３７５）弁理士大君増進 。
（連絡先０３（２１３）３４２１持許部） ′５
、補正の対象
明細書の特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄お
よび図面
６、補正の内容
（１）明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する
。
（２）明細書第５頁１１行の［プロセスライン７側また
は８側」を、「■族プロセスライン７側または■族プロ
セスライン８側」と補正する。
（３） 同じく第５頁１４〜１５行の［プロセスライ
ン７または８」を、［■族プロセスライン７または■族
プ四セスライン８］と補正する。
（４）同じく第５頁１９行の「反応間６」を、「反応管
６」と補正する。
（５）同じく第９頁１行の「供給ライン７．８」を、［
プロセスライン７．８」と補正する。
（６）同じく第９頁１３行の「プロセスライン７゜８」
を、「各々のプロセスライン７．８」と補正する。
（７）同じく第１０頁４〜５行、７行の「■族有機金属
バブラ２」を、「有機金属バブラ２」と補正する。
（８）図面中、第２図を別紙のように補正する。
以 上
２、特許請求の範囲
反応管に供給ガスを導入して化合物半導体結晶を成長さ
せるＭＯＣＶＤ結晶成長装置において、供給ガス毎にガ
ス濃度の異なる前記供給ガスを供給する複数系統の供給
ラインと、この複数系統の供給ラインの前記典雁ガスを
排気する排気ラインと、この排気ラインまたは前記複数
系統の供給ラインに前記供給ガスの供給を切り換える切
り換丸機構と、前記複数系統の供給ラインの供給ガスを
前記反応管に選択的に導入するマニホールドとを具備し
たことを特徴とするＭＯＣＶＤ結晶成長装置。Figure 1 is a schematic piping diagram of an MOCVD crystal growth apparatus showing an embodiment of the present invention, and Figures 2 and 3 are conventional MOC
It is a piping schematic diagram of a VD crystal growth apparatus. In the figure, 5A and 5B are air operated valves, 6 is a reaction tube,
7 is a V group process line, 8 is a III group process line, 9 is a vent line, 11 is an air-operated three-way valve, and 13 is a radial manifold. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Agent: Masuo Oiwa (2 others) Figure 1 procedural amendment (voluntary) 1. Indication of the incident: Patent Application No. 62-289972 2,
Title of the invention: MOCVD crystal growth apparatus 3, relationship to the amended case Patent applicant address: 2-2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo. Name (601) Mitsubishi Electric Corporation Representative Moriya Shiki 4, Agent Address Mitsubishi Electric Corporation 2-2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Name (7375) Patent Attorney Daikimi Koushin. (Contact information: 03 (213) 3421 Licensing Department) '5
, Claims column, Detailed Description of the Invention column and Drawing 6 of the specification to be amended, Contents of amendment (1) The claims of the specification are amended as shown in the attached sheet. (2) "Process line 7 side or 8 side" on page 5, line 11 of the specification is corrected to "■ group process line 7 side or ■ group process line 8 side." (3) Similarly, [Process Line 7 or 8] on page 5, lines 14-15 is corrected to [Group ■ Process Line 7 or Group ■ Process Line 8]. (4) Similarly, on page 5, line 19, "reaction chamber 6" is corrected to "reaction tube 6." (5) Similarly, change “Supply line 7.8” on page 9, line 1 to [
Process line 7.8”. (6) “Process line 7°8” also on page 9, line 13
is corrected to "each process line 7.8". (7) Similarly, "Group organometallic bubbler 2" on page 10, lines 4 to 5 and line 7 is corrected to "organometallic bubbler 2." (8) In the drawings, correct Figure 2 as shown in the attached sheet. 2. Claims: In an MOCVD crystal growth apparatus for growing a compound semiconductor crystal by introducing a supply gas into a reaction tube, a plurality of supply lines supplying the supply gas having different gas concentrations for each supply gas; an exhaust line that exhausts the gas from the plurality of supply lines; a switching mechanism that switches the supply of the supply gas to the exhaust line or the plurality of supply lines; and a supply line for the plurality of supply lines. An MOCVD crystal growth apparatus comprising: a manifold for selectively introducing gas into the reaction tube.
Claims (1)
させるＭＯＣＶＤ結晶成長装置において、供給ガス毎に
ガス濃度の異なる前記供給ガスを供給する複数系統の供
給ラインと、この複数系統の供給ラインの前記化合物ガ
スを排気する排気ラインと、この排気ラインまたは前記
複数系統の供給ラインに前記供給ガスの供給を切り換え
る切り換え機構と、前記複数系統の供給ラインの供給ガ
スを前記反応管に選択的に導入するマニホールドとを具
備したことを特徴とするＭＯＣＶＤ結晶成長装置。In an MOCVD crystal growth apparatus that grows a compound semiconductor crystal by introducing a supply gas into a reaction tube, a plurality of supply lines supplying the supply gas having different gas concentrations for each supply gas; an exhaust line for exhausting compound gas; a switching mechanism for switching the supply of the supply gas to the exhaust line or the plurality of supply lines; and selectively introducing the supply gas from the plurality of supply lines to the reaction tube. An MOCVD crystal growth apparatus characterized by comprising a manifold.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28997287A JPH01130519A (en) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Mocvd crystal growing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP28997287A JPH01130519A (en) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Mocvd crystal growing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130519A true JPH01130519A (en) | 1989-05-23 |
Family
ID=17750111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28997287A Pending JPH01130519A (en) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Mocvd crystal growing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130519A (en) |
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|---|---|---|---|---|
| WO2005072700A3 (en) * | 2004-01-30 | 2005-09-09 | Ferrosan As | Haemostatic sprays and compositions |
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| US10918796B2 (en) | 2015-07-03 | 2021-02-16 | Ferrosan Medical Devices A/S | Syringe for mixing two components and for retaining a vacuum in a storage condition |
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| US11801324B2 (en) | 2018-05-09 | 2023-10-31 | Ferrosan Medical Devices A/S | Method for preparing a haemostatic composition |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28997287A patent/JPH01130519A/en active Pending
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