JPS59170000A - 結晶成長装置 - Google Patents
結晶成長装置Info
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- JPS59170000A JPS59170000A JP4079983A JP4079983A JPS59170000A JP S59170000 A JPS59170000 A JP S59170000A JP 4079983 A JP4079983 A JP 4079983A JP 4079983 A JP4079983 A JP 4079983A JP S59170000 A JPS59170000 A JP S59170000A
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- gas
- supply pipe
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- crystal growth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板結晶上に単結晶全エピタキシャル成長さ
せるための結晶成長装置に関する。
せるための結晶成長装置に関する。
半導体レーザ、受光素子等には、ＡｔＧａＡｓ、ｏａｇ
あるいはＩｎＧａＡｓＰ及び工ｎＰ 等のへテロ接
合が広く使われている。これらのへテロ接合は通常、液
相成長法及び気相成長法等のエピタキシャル成長により
製造されるが、量産性及び制御性が良いことから最近で
は、有機金属材料を原料とする気相成長法、すなわちＭ
ＯＯＶ Ｄ法が注目されている。該方法によれば、成
長結晶の組成の切替え及び添加不純物の切替え等は、反
応室内へ導入するガスの切換えによシできるという特徴
を有する。しかしながら、該方法では、ガス切換え後も
配管部分に残留したガスが反応室内に流入し、組成の切
替え及び添加不純物の切替え等の制御が不十分になると
いう問題点があった。最近注目を浴びている超格子ある
いは変調ドーピングの実現には、特に急しゅんな組成の
切替えが必要であり、上記問題点の解決が強く要請され
ている。
あるいはＩｎＧａＡｓＰ及び工ｎＰ 等のへテロ接
合が広く使われている。これらのへテロ接合は通常、液
相成長法及び気相成長法等のエピタキシャル成長により
製造されるが、量産性及び制御性が良いことから最近で
は、有機金属材料を原料とする気相成長法、すなわちＭ
ＯＯＶ Ｄ法が注目されている。該方法によれば、成
長結晶の組成の切替え及び添加不純物の切替え等は、反
応室内へ導入するガスの切換えによシできるという特徴
を有する。しかしながら、該方法では、ガス切換え後も
配管部分に残留したガスが反応室内に流入し、組成の切
替え及び添加不純物の切替え等の制御が不十分になると
いう問題点があった。最近注目を浴びている超格子ある
いは変調ドーピングの実現には、特に急しゅんな組成の
切替えが必要であり、上記問題点の解決が強く要請され
ている。
本発明の目的は、前記従来技術における弁しゅんなガス
切替え制御全容易に行うことができる結晶成長装置全提
供することにある。
切替え制御全容易に行うことができる結晶成長装置全提
供することにある。
本発明全概説すれば、本発明の第１の発明は結晶成長装
置に関する発明であって、２種以上のガスをガス供給管
からノズルを介して反応容器内に導入し、容器内に配置
された基板結晶上にエピタキシャル結晶成長を行わせる
結晶成長装置において、該ガス供給管が、２以上のガス
供給管からなり、外側のガス供給管が内側のガス供給’
ｆｋ取囲むように構成されておシ、該ガス供給管のうち
の少なくとも１つのガス供給管が排気装置に接続してな
ることを特徴とする。
置に関する発明であって、２種以上のガスをガス供給管
からノズルを介して反応容器内に導入し、容器内に配置
された基板結晶上にエピタキシャル結晶成長を行わせる
結晶成長装置において、該ガス供給管が、２以上のガス
供給管からなり、外側のガス供給管が内側のガス供給’
ｆｋ取囲むように構成されておシ、該ガス供給管のうち
の少なくとも１つのガス供給管が排気装置に接続してな
ることを特徴とする。
本発明の第２の発明は、第１の発明と同様な基板結晶上
にエピタキシャル結晶成長を行わせる結晶成長装置に関
する発明であって、該ガス供給管が、対をなす２つのガ
ス供給管の組？単位として複数の組のガス供給管によシ
構成され、少なくとも１つのガス供給管は排気装置に接
続しており、かつ各ガス供給管は内側から順に内側のガ
ス供給管を取囲むように配置されており、更に各組内の
ガス供給管を隔離する隔壁のガス出口端部のなす面が各
紐間を隔離する隔壁のガス出口端部のなす面よりも短く
したことを特徴とする。
にエピタキシャル結晶成長を行わせる結晶成長装置に関
する発明であって、該ガス供給管が、対をなす２つのガ
ス供給管の組？単位として複数の組のガス供給管によシ
構成され、少なくとも１つのガス供給管は排気装置に接
続しており、かつ各ガス供給管は内側から順に内側のガ
ス供給管を取囲むように配置されており、更に各組内の
ガス供給管を隔離する隔壁のガス出口端部のなす面が各
紐間を隔離する隔壁のガス出口端部のなす面よりも短く
したことを特徴とする。
本発明の装置においては、化合物混晶半導体及びシリコ
ン等の半導体結晶の成長途中でのガス切換えによる多層
成長あるいはｐｎ 接合の形成の際、切換え後の残留ガ
スを強制的に排気することができる。またガス導入系統
全分離することができる。特に、本発明の第２の発明に
よれば、各組内の容管の障壁のガス出口端が、各紐間の
障壁のガス出口端より、管の長手方向でみて短くなって
いるから、各系統のガスが他の系統の管中へ混入するこ
とを避けることができる。
ン等の半導体結晶の成長途中でのガス切換えによる多層
成長あるいはｐｎ 接合の形成の際、切換え後の残留ガ
スを強制的に排気することができる。またガス導入系統
全分離することができる。特に、本発明の第２の発明に
よれば、各組内の容管の障壁のガス出口端が、各紐間の
障壁のガス出口端より、管の長手方向でみて短くなって
いるから、各系統のガスが他の系統の管中へ混入するこ
とを避けることができる。
それによって以下に挙げるような効果が奏せられる。
第１の効果は、ガスの切換え後の残留ガスのしみ出しを
抑止できることにある。この結果、界面の急しゅんな化
合物半導体の多層エピタキシャル成長を実現することが
でき、したがって超格子あるいは変調ドーピングも可能
となる。
抑止できることにある。この結果、界面の急しゅんな化
合物半導体の多層エピタキシャル成長を実現することが
でき、したがって超格子あるいは変調ドーピングも可能
となる。
また、シリコンの良好なエピタキシャルｐｎ 接合が可
能となる。
能となる。
第２の効果は、例えばインジウム化合物とアルシンとの
中間反応のような結晶成長に好ましくない影響ゲ与える
反応を抑止することができ、良好なエピタキシャル層を
得ることができることにある。
中間反応のような結晶成長に好ましくない影響ゲ与える
反応を抑止することができ、良好なエピタキシャル層を
得ることができることにある。
以下添付図面によって本発明の実施の態様を詳細に説明
する。しかし本発明は、これらに限定されるものではな
い。
する。しかし本発明は、これらに限定されるものではな
い。
なお添付図面の第１図は、本発明装置の一実施の態様會
示す部分断面概略図であり、第２図及び第３図は、本発
明装置の他の実施の態様におけるガス供給管及びノズル
の部分の断面概略図である。
示す部分断面概略図であり、第２図及び第３図は、本発
明装置の他の実施の態様におけるガス供給管及びノズル
の部分の断面概略図である。
実施例１
第１図に示す装置を使用し声。第１図において、符号１
は反応容器基台、２はペルジャー、６はサセプタ、例え
ばカーボン及び６ｔｉＯコートカーボン等、４はワーク
コイル、すなわち高周波電流通電用のもの、５はワーク
コイルカバー、６は基板、７はノズル、８．８．９、？
、１０及び１０′はガス供給管、１１及び１２はストッ
プ弁１，１３は排気管、１４は排気装置、例えば真空ポ
ンプ全意味する。
は反応容器基台、２はペルジャー、６はサセプタ、例え
ばカーボン及び６ｔｉＯコートカーボン等、４はワーク
コイル、すなわち高周波電流通電用のもの、５はワーク
コイルカバー、６は基板、７はノズル、８．８．９、？
、１０及び１０′はガス供給管、１１及び１２はストッ
プ弁１，１３は排気管、１４は排気装置、例えば真空ポ
ンプ全意味する。
以下、ＧａＡｓ 基板６上にＧａＡｓ ／ ＡｔＧａ
Ａｓの多層結晶成長を行う場合について説明する。
Ａｓの多層結晶成長を行う場合について説明する。
トリメチルアルミニウム（以下、 ＴＩＡＡと略記す
る）、トリメチルガリウム（以下、ＴＭＧと略記する）
及びアルシン（すなわちＡＳＨ３）等の原料ガスは、ノ
ズル７に設けられた噴射口から円周方向に噴射され、一
定Ω一温度に加熱された基板上で熱分解反応してＧａＡ
、 又はＡｔＧａＡｓ を成長させる。
る）、トリメチルガリウム（以下、ＴＭＧと略記する）
及びアルシン（すなわちＡＳＨ３）等の原料ガスは、ノ
ズル７に設けられた噴射口から円周方向に噴射され、一
定Ω一温度に加熱された基板上で熱分解反応してＧａＡ
、 又はＡｔＧａＡｓ を成長させる。
ＧＰＬＡｓ 結晶成長の際には、ガス供給管８からＴ
ＭＧ、 ＡｓＨ３及び水素を、ガス供給管８の内側に配
置したガス供給管９から水素全導入し、ガス供給管９の
内側に配置したガス供給管１０は、真空ポンプ等で反応
容器を経ずに排気する。
ＭＧ、 ＡｓＨ３及び水素を、ガス供給管８の内側に配
置したガス供給管９から水素全導入し、ガス供給管９の
内側に配置したガス供給管１０は、真空ポンプ等で反応
容器を経ずに排気する。
ＡｔＧａＡｓ の結晶成長の際には、ガス供給管１０
は同じく排気装置に接続しているが、弁１２を閉じ、１
０からＴＭＡ及び水素を導入する。
は同じく排気装置に接続しているが、弁１２を閉じ、１
０からＴＭＡ及び水素を導入する。
管８及び９には、ＧａＡｓ 結晶成長の際と同じか、
又はガス流量を変更して、同様にガスを流入させる。１
１及び１２は、このようなガスの切換えを行うためのス
トップ弁であシ、弁１２には、ガス流量調整のため流量
調整弁を付加してもよい。管８’、 ９’及び１０′
は、ガス流量等全調整して供給するガス供給装置に接続
される。
又はガス流量を変更して、同様にガスを流入させる。１
１及び１２は、このようなガスの切換えを行うためのス
トップ弁であシ、弁１２には、ガス流量調整のため流量
調整弁を付加してもよい。管８’、 ９’及び１０′
は、ガス流量等全調整して供給するガス供給装置に接続
される。
ＡｔＧａＡｓ 結晶の上に、更にｏａＡｓ 結晶成
長の際、ガス供給管９から導入されるキャリアガス流量
ケガス供給管１０から排気される量より多くしておけは
管１０中に残留しｆｃＴＭＡは反応容器内に導入されず
、界面の急しゅんなＧａＡｅ／ＡＡ）ａＡ［］ヘテロエ
ピタキシャル磨が形成でキル。
長の際、ガス供給管９から導入されるキャリアガス流量
ケガス供給管１０から排気される量より多くしておけは
管１０中に残留しｆｃＴＭＡは反応容器内に導入されず
、界面の急しゅんなＧａＡｅ／ＡＡ）ａＡ［］ヘテロエ
ピタキシャル磨が形成でキル。
以下、操作条件？具体的に説明する。
基板温度７５０℃、反応容器内圧力ｉ Ｘ ＋ Ｏ’Ｐ
ａ とし、ＡｔＧａＡｅ 結晶成長のときには、ＴＭ
Ａをバブルさせる水素５ Ｑ ｃｃ／分、及びそのキャ
リアガスとしての水素１ｔ７分をガス供給管１０から反
応容器内に導入し、マタ、ＴＭＧ 全バブルさせる水素
２ ｃｃ／分、Ａ［ＩＨ３（５％水素希釈ンｊ−、５０
’ ｃｃ／分、及びそのキャリアガスとしての水素１１
７分をガス供給管８から導入し、更にガス供給管９から
は、水累’１ｚ５ｔ／分で流入させる。次にその上にＧ
ａＡｓ 結晶成長を行うときには、ストップ弁１１を
閉、１２を開として、ガス供給管１０かも１１／分で強
制的に排気を行う。これにより、ガス供給管１０内に残
留しりＴＭＡは、ストップ弁切換えと同時に反応容器に
は流れなくなり、境界が２０Ａ以下の急しゅんな界面を
有するＡｔＧａＡｓ ／ ＧａＡｓ ヘテロエピタキ
シャル層を形成することができた。なお、ＴＭＡの温度
は２０℃、ＴＭＧの温度は一１２℃に設定した。成長速
度は、ＡｔＧａＡｅ 及びＧａＡＳ 先約０．１μｍ
／分であった。上記各ガス流量は、標準状態に換算した
数値である。
ａ とし、ＡｔＧａＡｅ 結晶成長のときには、ＴＭ
Ａをバブルさせる水素５ Ｑ ｃｃ／分、及びそのキャ
リアガスとしての水素１ｔ７分をガス供給管１０から反
応容器内に導入し、マタ、ＴＭＧ 全バブルさせる水素
２ ｃｃ／分、Ａ［ＩＨ３（５％水素希釈ンｊ−、５０
’ ｃｃ／分、及びそのキャリアガスとしての水素１１
７分をガス供給管８から導入し、更にガス供給管９から
は、水累’１ｚ５ｔ／分で流入させる。次にその上にＧ
ａＡｓ 結晶成長を行うときには、ストップ弁１１を
閉、１２を開として、ガス供給管１０かも１１／分で強
制的に排気を行う。これにより、ガス供給管１０内に残
留しりＴＭＡは、ストップ弁切換えと同時に反応容器に
は流れなくなり、境界が２０Ａ以下の急しゅんな界面を
有するＡｔＧａＡｓ ／ ＧａＡｓ ヘテロエピタキ
シャル層を形成することができた。なお、ＴＭＡの温度
は２０℃、ＴＭＧの温度は一１２℃に設定した。成長速
度は、ＡｔＧａＡｅ 及びＧａＡＳ 先約０．１μｍ
／分であった。上記各ガス流量は、標準状態に換算した
数値である。
この場合、ガス供給管８と９との間の隔壁を除き、Ｇａ
Ａ３ 成長のための原料が、ガス供給管１０内に流入
するようになっても障害は起らない。
Ａ３ 成長のための原料が、ガス供給管１０内に流入
するようになっても障害は起らない。
実施例２
第２図に示す装置を使用した。第２図において、符号７
はノズル、８１．９１．９２及び）０１はガス供給管を
意味する。ここでは、８１と９１とが対をなし、９２と
１０１とが対全なす組である。
はノズル、８１．９１．９２及び）０１はガス供給管を
意味する。ここでは、８１と９１とが対をなし、９２と
１０１とが対全なす組である。
このガス供給管を用いてＡｔＧａＡｅ ／ ＧａＡｓ多
屑へテロエピタキシャル結晶成長を行う」場合について
説明すると、ＧａＡｓ の結晶成長の際には、８１か
らＴＭＧとＡｓＨ３に含むガスを流入し、１０１は強制
的に排気する。９１及び９２からはキャリアガスを導入
する。ＡｔＧａＡｓ の結晶成長の際には、８１は強
制的に排気し、＋ｏ＋がらＴＭＡ 。
屑へテロエピタキシャル結晶成長を行う」場合について
説明すると、ＧａＡｓ の結晶成長の際には、８１か
らＴＭＧとＡｓＨ３に含むガスを流入し、１０１は強制
的に排気する。９１及び９２からはキャリアガスを導入
する。ＡｔＧａＡｓ の結晶成長の際には、８１は強
制的に排気し、＋ｏ＋がらＴＭＡ 。
ＴＭＧ及びＡＳＨ３ｋ含むＡｔＧａＡｓ の結晶成長に
必要管８１と９２との間の障壁のガス出口端部のなす面
よシ短く、すなわちこの場合には、第２図に示したよう
に低くすることによって、各系統のガスが他の系統の管
中へ混入することを避けることができる。
必要管８１と９２との間の障壁のガス出口端部のなす面
よシ短く、すなわちこの場合には、第２図に示したよう
に低くすることによって、各系統のガスが他の系統の管
中へ混入することを避けることができる。
実施例３
第３図に示す装置を使用した。第３図における各符号は
第２図と同義である。
第２図と同義である。
第５図に示した装置は、第２図に示した実施例を改良し
たものであり、第３図に示したように、ノズル７の部分
の径？細く絞ることにより、異なる系統のガスが混合す
ることを、より効果的に防ぐことができる。
たものであり、第３図に示したように、ノズル７の部分
の径？細く絞ることにより、異なる系統のガスが混合す
ることを、より効果的に防ぐことができる。
第２図及び第３図のいずれの装置においても、管８１と
９１．１０１と９２を入れ換えても効果は変らない。
９１．１０１と９２を入れ換えても効果は変らない。
以上各実施例は、ＡｔＧａＡｓ 、ＧａＡｅの単結晶エ
ピタキシャル成長を行う場合について説明したが、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ ／ Ｉｒ−Ｐ等信のｎ＋−ｖ族化合物混晶
半導体、ＺｎＳ等のＩＩ−、ＶＩ族化合物半導体等、他
の結晶の成長も有−効に行うことができることは自明な
ことである。−！り、シリコンのエピタキシャル成長に
おいて、添加不純物の切換えによる接合形成等にも応用
することができる。
ピタキシャル成長を行う場合について説明したが、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ ／ Ｉｒ−Ｐ等信のｎ＋−ｖ族化合物混晶
半導体、ＺｎＳ等のＩＩ−、ＶＩ族化合物半導体等、他
の結晶の成長も有−効に行うことができることは自明な
ことである。−！り、シリコンのエピタキシャル成長に
おいて、添加不純物の切換えによる接合形成等にも応用
することができる。
各実施例では、説明の便宜のため、各ガス供給管は同心
円状に配置され、ガスの流れの方向は上向きになるよう
に図示し説明したが、下向きにしてもよく、また同心円
状である必要をづ、々ぐ、外側の各ガス供給管が内側の
ガス供給管全取囲むように配置されていれば十分である
。また、反応容器内へのガスの導入部分、すなわちガス
供給管と反応容器とのシール部分は、ガス、供給管が一
体化されている状態について説明したが、各ガス供給管
若しくはその一部葡別個に反応容器内に導入し、反応容
器内で、前記したようなノズルに接続してもよい。
円状に配置され、ガスの流れの方向は上向きになるよう
に図示し説明したが、下向きにしてもよく、また同心円
状である必要をづ、々ぐ、外側の各ガス供給管が内側の
ガス供給管全取囲むように配置されていれば十分である
。また、反応容器内へのガスの導入部分、すなわちガス
供給管と反応容器とのシール部分は、ガス、供給管が一
体化されている状態について説明したが、各ガス供給管
若しくはその一部葡別個に反応容器内に導入し、反応容
器内で、前記したようなノズルに接続してもよい。
更に、ガス系統が２系統の場合について説明したが、系
統数はこれ以上あっても、ガス供給置数？増して、同様
の効果を奏することができた。
統数はこれ以上あっても、ガス供給置数？増して、同様
の効果を奏することができた。
以上詳細に説明したように、本発明の装置によれば、（
１）ガス切換え後の残留ガスのしみ出しを抑止すること
ができ、その結果、界面の急しゅんな化合物半導体の多
層エピタキシャル結晶成長上実現することができる。し
たがって超格子、変調ドーピング及びシリコンのエピタ
キシャルｐｎ 接合が可能となる、（２）結晶成長に好
１しくない影響ゲ与える反応全抑止でき、良好なエピタ
キシャル層葡得ることができる、という顕著々効果が奏
せられる。
１）ガス切換え後の残留ガスのしみ出しを抑止すること
ができ、その結果、界面の急しゅんな化合物半導体の多
層エピタキシャル結晶成長上実現することができる。し
たがって超格子、変調ドーピング及びシリコンのエピタ
キシャルｐｎ 接合が可能となる、（２）結晶成長に好
１しくない影響ゲ与える反応全抑止でき、良好なエピタ
キシャル層葡得ることができる、という顕著々効果が奏
せられる。
第１図は本発明装置の一実施の態様を示す部分断面概略
図であり、第２図及び第３図は本発明装置の他の実施の
態様におけるガス供給管及びノズルの部分の断面概略図
である。 １：反応容器基台、２：ベルジャ−，５゛サセプク、４
：ワークコイル、５ ワークコイルカバー、６：基板、
７：ノズル、８．８．８１．９．９′、９１．９２．１
０．１０及び１０１：ガス供給管、１１及び１２．スト
ップ弁、１３：排気管、１４：排気装置 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中 本 宏 同 井 上 昭第１図 ６２図 案３図
図であり、第２図及び第３図は本発明装置の他の実施の
態様におけるガス供給管及びノズルの部分の断面概略図
である。 １：反応容器基台、２：ベルジャ−，５゛サセプク、４
：ワークコイル、５ ワークコイルカバー、６：基板、
７：ノズル、８．８．８１．９．９′、９１．９２．１
０．１０及び１０１：ガス供給管、１１及び１２．スト
ップ弁、１３：排気管、１４：排気装置 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中 本 宏 同 井 上 昭第１図 ６２図 案３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １゜ ２種以上のガスをガス供給管からノズル？介して
反応容器内に導入し、容器内に配置された基板結晶上に
エピタキシャル結晶成長を行わせる結晶成長装置におい
て、該ガス供給管が、２以上のガス供給管からなシ、外
１１すのガス供給管が内側のガス供給管？取囲むように
構成されており、該ガス供給管のうちの少なくとも１つ
のガス供給管が排気装（罰に接続してなることを特徴と
する結晶成長装置。 ２．２種以上のガス全ガス供給管からノズル？介して反
応容器内に導入し、容器内に配置された基板結晶上にエ
ビクキシャル結晶成長を行わせる結晶成長装置において
、該ガス供給管が、対をなす２つのガス供給管の組紮単
位として複数の組のガス供給管によ多構成され、少なく
とも１つのガス供給管は排気装置に接続しており、かつ
各ガス供給管は内側から順に内側のガス供給管を取囲む
ように配置されておシ、更に各組内のガス供給管を隔離
する隔壁のガス出口端部のなす面が各粗間全隔離する隔
壁のガス出口端部のなす而よ）も短くしたことを特徴と
する結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079983A JPS59170000A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079983A JPS59170000A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59170000A true JPS59170000A (ja) | 1984-09-26 |
| JPS6237000B2 JPS6237000B2 (ja) | 1987-08-10 |
Family
ID=12590670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4079983A Granted JPS59170000A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59170000A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145882A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Canon Inc | 光起電力素子の連続製造装置 |
| JPS63299325A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Sony Corp | 気相成長装置 |
| US4976996A (en) * | 1987-02-17 | 1990-12-11 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof |
-
1983
- 1983-03-14 JP JP4079983A patent/JPS59170000A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145882A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Canon Inc | 光起電力素子の連続製造装置 |
| US4976996A (en) * | 1987-02-17 | 1990-12-11 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof |
| JPS63299325A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Sony Corp | 気相成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6237000B2 (ja) | 1987-08-10 |
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