JPH01111323A - 電子線露光方法および装置 - Google Patents
電子線露光方法および装置Info
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- JPH01111323A JPH01111323A JP26815787A JP26815787A JPH01111323A JP H01111323 A JPH01111323 A JP H01111323A JP 26815787 A JP26815787 A JP 26815787A JP 26815787 A JP26815787 A JP 26815787A JP H01111323 A JPH01111323 A JP H01111323A
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子線露光技術に関し、特に、半導体集積回
路の製造におけるフォトリソグラフィにおいて実施され
る、電子線の直接描画による集積。
路の製造におけるフォトリソグラフィにおいて実施され
る、電子線の直接描画による集積。
回路パターンの転写に適用して有効な技術に関する。
たとえば、電子線の直接描画による集積回路パターンの
転写に用いられる電子線露光装置における動作の信頼性
などを管理する技術として、特開昭60−42012号
に開示される技術が知られている。
転写に用いられる電子線露光装置における動作の信頼性
などを管理する技術として、特開昭60−42012号
に開示される技術が知られている。
その概要は、目的の集積回路パターンに基づいて、電子
線を制御する制御信号を発生するパターン信号発生回路
の一部を複数系統で構成し、各系統の出力を比較するこ
とによって誤動作などを確実に検出しようとするもので
ある。
線を制御する制御信号を発生するパターン信号発生回路
の一部を複数系統で構成し、各系統の出力を比較するこ
とによって誤動作などを確実に検出しようとするもので
ある。
しかしながら、前記の従来技術では、装置の誤動作の管
理には効果があるものの、装置の誤動作のもとで露光さ
れた半導体集積回路素子を他の正常な露光動作のもとで
露光された半導体集積回路素子から区別し、後の検査工
程などにおける良否判別の便宜を図るという点に配慮さ
れていないという問題がある。
理には効果があるものの、装置の誤動作のもとで露光さ
れた半導体集積回路素子を他の正常な露光動作のもとで
露光された半導体集積回路素子から区別し、後の検査工
程などにおける良否判別の便宜を図るという点に配慮さ
れていないという問題がある。
本発明の目的は、異常な露光動作のもとで露光された個
々の単位露光領域の選別を容易かつ確実に行うことが可
能な露光技術を提供することにある。
々の単位露光領域の選別を容易かつ確実に行うことが可
能な露光技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被露光物の個々の単位露光領域における露光
動作に固有の数値情報を計数する計数手段と、所定の基
準値を保持する基準値格納部とを設け、計数手段によっ
て得られた数値情報が基準値格納部に記憶された基準値
と異なる異常な露光動作が行われた露光領域には、異常
を示す識別図形が追加露光されるようにしたものである
。
動作に固有の数値情報を計数する計数手段と、所定の基
準値を保持する基準値格納部とを設け、計数手段によっ
て得られた数値情報が基準値格納部に記憶された基準値
と異なる異常な露光動作が行われた露光領域には、異常
を示す識別図形が追加露光されるようにしたものである
。
上記した手段によれば、露光作業の後の検査工程などに
おいて、異常な露光動作のもとで露光された単位露光領
域が、他の正常な露光処理が行われた単位露光領域から
明瞭に区別されるので、異常な露光動作のもとで露光さ
れた個々の単位露光領域の選別を容易かつ確実に行うこ
とができる。
おいて、異常な露光動作のもとで露光された単位露光領
域が、他の正常な露光処理が行われた単位露光領域から
明瞭に区別されるので、異常な露光動作のもとで露光さ
れた個々の単位露光領域の選別を容易かつ確実に行うこ
とができる。
第1図は、本発明の一実施例である電子線露光装置の要
部を示すブロック図であり、第2図は、本実施例に右い
て露光される被露光物の平面図である。
部を示すブロック図であり、第2図は、本実施例に右い
て露光される被露光物の平面図である。
水平面内において移動自在なX−Yテーブル1の上には
、たとえば、表面に感電子線レジストなどが塗布された
半導体ウェハなどからなる被露光物2が着脱自在に戴置
されている。
、たとえば、表面に感電子線レジストなどが塗布された
半導体ウェハなどからなる被露光物2が着脱自在に戴置
されている。
被露光物2の表面は、複数の矩形の素子形成領域2a(
単位露光領域)に区画されており、その各々に所定の集
積回路パターンなどを転写するフォトリソグラフィを繰
り返すことによって、種類の異なる複数の集積回路素子
A、集積回路素子B。
単位露光領域)に区画されており、その各々に所定の集
積回路パターンなどを転写するフォトリソグラフィを繰
り返すことによって、種類の異なる複数の集積回路素子
A、集積回路素子B。
集積回路素子C9集積回路素子りが個別に形成され、後
のグイレンズ工程などにおいて個別に分割されるもので
ある。
のグイレンズ工程などにおいて個別に分割されるもので
ある。
このX−Yテーブル1の上方には、電子銃3が垂直下向
きに設けられ、X−Yテーブル1に戴置された被露光物
2に対して電子線Eが放射されるように構成されている
。
きに設けられ、X−Yテーブル1に戴置された被露光物
2に対して電子線Eが放射されるように構成されている
。
電子銃3から被露光物2に対して放射される電子線Eの
経路には、所定の図形に電子線Eの透過窓が形成された
複数の図示しないアパーチャに対する電子線Eの通過経
路を制御することによって、該電子線Eの光電子面を所
望の形状および大きさに制御する整形器4と、電子線E
の被露光物2に対する焦点位置などを制御する電子レン
ズ5と、被露光物2に対する電子線Eの到達位置を制御
する副偏向器6および主偏向器7などからなる電子光学
系が設けられている。
経路には、所定の図形に電子線Eの透過窓が形成された
複数の図示しないアパーチャに対する電子線Eの通過経
路を制御することによって、該電子線Eの光電子面を所
望の形状および大きさに制御する整形器4と、電子線E
の被露光物2に対する焦点位置などを制御する電子レン
ズ5と、被露光物2に対する電子線Eの到達位置を制御
する副偏向器6および主偏向器7などからなる電子光学
系が設けられている。
また、X−Yテーブル1.電子銃3.電子線Eの経路に
設けられた電子光学系などは、内部の真空度が所望の値
に制御可能な図示しない真空容器に収容されている。
設けられた電子光学系などは、内部の真空度が所望の値
に制御可能な図示しない真空容器に収容されている。
図示しない真空容器の外部には、制御計算機8が設けら
れており、X−Yテーブル1は、X−Yテーブル駆動部
1aを介してこの制御計算機8により制御される。
れており、X−Yテーブル1は、X−Yテーブル駆動部
1aを介してこの制御計算機8により制御される。
さらに、制御計算機8には、被露光物2に転写すべき集
積回路パターンなどの情報が格納された外部記憶部9が
接続されており、この外部記憶部9に格納されているデ
ータは、制御計算機8を介して、随時、高速にアクセス
可能なバッファメモリ10に転送されるように構成され
ている。
積回路パターンなどの情報が格納された外部記憶部9が
接続されており、この外部記憶部9に格納されているデ
ータは、制御計算機8を介して、随時、高速にアクセス
可能なバッファメモリ10に転送されるように構成され
ている。
このバッファメモリlOには、該バッファメモリ10に
転送された集積回路パターンなどの情報に基づいて、電
子線Eの光電子面の形状および面積、当該光電子面の形
状を有する電子線Eの照射位置の座標など、個々の素子
形成領域2aに固有な制御情報を算出する演算部11が
接続されている。
転送された集積回路パターンなどの情報に基づいて、電
子線Eの光電子面の形状および面積、当該光電子面の形
状を有する電子線Eの照射位置の座標など、個々の素子
形成領域2aに固有な制御情報を算出する演算部11が
接続されている。
さらに、演算部11には、当該演算部11からの情報に
基づいて、整形器制御部12aを介して整形器4を制御
することにより、電子線Eの光電子面の形状を操作する
整形信号発生部12と、電子レンズ制御部13a、副偏
向制御部13b、主偏向制御部13cを介して、電子レ
ンズ5.副偏向器6.主偏向器7を制御することにより
、電子線Eの被露光物2に対する照射位置を制御する照
射位置信号発生部13とが接続されている。
基づいて、整形器制御部12aを介して整形器4を制御
することにより、電子線Eの光電子面の形状を操作する
整形信号発生部12と、電子レンズ制御部13a、副偏
向制御部13b、主偏向制御部13cを介して、電子レ
ンズ5.副偏向器6.主偏向器7を制御することにより
、電子線Eの被露光物2に対する照射位置を制御する照
射位置信号発生部13とが接続されている。
この場合、前記演算B11には、計数部14が設けられ
ており、たとえば、個々の素子形成領域2aにおける電
子線Eの光電子面の面積、照射回数、照射位置の座標な
どの制御情報の少なくとも一つを累積して得られる当該
素子形成領域2aに固有な数値情報が制御計算器8に伝
達されるように構成されている。
ており、たとえば、個々の素子形成領域2aにおける電
子線Eの光電子面の面積、照射回数、照射位置の座標な
どの制御情報の少なくとも一つを累積して得られる当該
素子形成領域2aに固有な数値情報が制御計算器8に伝
達されるように構成されている。
また、制御計算器8には、基準値格納部15が設けられ
ており、たとえば、実際の露光動作を伴わないシミュレ
ーションや試験的な露光操作などにおいて予め把握され
た、各素子形成領域2aにおける標準となる前記数値情
報や、実際の露光作業中において得られた各素子形成領
域2aにおける前記数値情報などが記憶され、随時、制
御計算器15から参照されるように構成されている。
ており、たとえば、実際の露光動作を伴わないシミュレ
ーションや試験的な露光操作などにおいて予め把握され
た、各素子形成領域2aにおける標準となる前記数値情
報や、実際の露光作業中において得られた各素子形成領
域2aにおける前記数値情報などが記憶され、随時、制
御計算器15から参照されるように構成されている。
以下、本実施例の作用について説明する。
まず、半導体ウェハなどからなる被露光物2に設けられ
た複数の素子形成領域2aの任意の一つが、電子銃3の
軸の直下に位置決めされるとともに、バッファメモリ1
0には、外部記憶部9に格納されている当該素子形成領
域2aに転写すべき集積回路パターンのデータが転送さ
れる。
た複数の素子形成領域2aの任意の一つが、電子銃3の
軸の直下に位置決めされるとともに、バッファメモリ1
0には、外部記憶部9に格納されている当該素子形成領
域2aに転写すべき集積回路パターンのデータが転送さ
れる。
同時に、基準値格納部15には、たとえば、実際の露光
動作を伴わないシミュレーションや試験的な露光操作な
どにおいて予め把握された、各素子形成領域2aにおけ
る前記数値情報や、実際の露光作業中にふいて得られた
各素子形成領域2aにおける前記数値情報などが基準値
としてセットされる。
動作を伴わないシミュレーションや試験的な露光操作な
どにおいて予め把握された、各素子形成領域2aにおけ
る前記数値情報や、実際の露光作業中にふいて得られた
各素子形成領域2aにおける前記数値情報などが基準値
としてセットされる。
次に、演算部11は、バッファメモリ10から当該素子
形成領域2aに転写すべき集積回路パターンのデータに
基づいて、所定のアルゴリズムで、電子線Eの光電子面
の面積・形状および照射位置などの制御情報を算出し、
この制御情報に基づいて、整形器4.電子レンズ5.副
偏向器6.主偏向器7などからなる電子光学系を適宜制
御することにより、素子形成領域2aに目的の集積回路
パターンが転写される。
形成領域2aに転写すべき集積回路パターンのデータに
基づいて、所定のアルゴリズムで、電子線Eの光電子面
の面積・形状および照射位置などの制御情報を算出し、
この制御情報に基づいて、整形器4.電子レンズ5.副
偏向器6.主偏向器7などからなる電子光学系を適宜制
御することにより、素子形成領域2aに目的の集積回路
パターンが転写される。
この時、本実施例では、計数部14は、演算部11にお
いて発生された電子線Eの光電子面の面積、照射回数、
照射位置の座標などを累積し、当該素子形成領域2aの
露光動作の終了時にこの素子形成領域2aに固有な数値
情報として制御計算器8に伝達する。
いて発生された電子線Eの光電子面の面積、照射回数、
照射位置の座標などを累積し、当該素子形成領域2aの
露光動作の終了時にこの素子形成領域2aに固有な数値
情報として制御計算器8に伝達する。
制御計算器8は、計数部14から得られた当該素子形成
領域2aにおける前記の数値情報と、基準値格納部15
に格納された、当該素子形成領域2aに対応する基準値
とを比較する。
領域2aにおける前記の数値情報と、基準値格納部15
に格納された、当該素子形成領域2aに対応する基準値
とを比較する。
そして、両者が一致しない場合には、たとえば演算部1
1における電子線Eの制御情報の算出過程で回路などに
右いてノイズや誤動作などが発生し、異常な露光動作が
行われたものと判定し、予めバッファメモリなどに格納
されている識別図形Mを当該素子形成領域の所望の部位
に追加露光する。
1における電子線Eの制御情報の算出過程で回路などに
右いてノイズや誤動作などが発生し、異常な露光動作が
行われたものと判定し、予めバッファメモリなどに格納
されている識別図形Mを当該素子形成領域の所望の部位
に追加露光する。
この識別図形は、たとえば光学的に検出可能なマーク、
または、集積回路パターンの一部に付加されることによ
って、当該素子形成領域2aに形成される集積回路素子
の電源線と接地線とを短絡させる図示しないパターンな
どからなり、後の検査工程において実施される集積回路
素子の電気的な検査において、明瞭かつ簡便に不良と判
定されるようにする類のものである。
または、集積回路パターンの一部に付加されることによ
って、当該素子形成領域2aに形成される集積回路素子
の電源線と接地線とを短絡させる図示しないパターンな
どからなり、後の検査工程において実施される集積回路
素子の電気的な検査において、明瞭かつ簡便に不良と判
定されるようにする類のものである。
一方、計数部14から得られた前記数値情報と前記基準
値とが一致する場合には、露光動作が正常に行われたも
のと判定し、直ちに、他の任意の素子形成領域2aの露
光動作に移る。
値とが一致する場合には、露光動作が正常に行われたも
のと判定し、直ちに、他の任意の素子形成領域2aの露
光動作に移る。
な右、上記の説明では、個々の素子形成領域2aにおけ
る露光動作が終了する毎に、予め設定された基準値と当
該露光動作において得られた数値情報とを比較すること
によって露光動作の良否を判定しているが、これに限ら
ず、たとえば、個々の素子形成領域2aの描画動作にお
いて得られた数値情報を個別に基準値格納部15に格納
しておき、同種の集積回路素子が形成される複数の素子
形成領域2aにおける露光動作が終了した時点で、基準
値格納部15に格納された個々の素子形成領域2aにお
ける数値情報を相互に比較し、多数決法によって、少数
派に属する素子形成領域2aを不良と判定し、所定の識
別図形Mをまとめて追加露光するようにしても良いもの
である。
る露光動作が終了する毎に、予め設定された基準値と当
該露光動作において得られた数値情報とを比較すること
によって露光動作の良否を判定しているが、これに限ら
ず、たとえば、個々の素子形成領域2aの描画動作にお
いて得られた数値情報を個別に基準値格納部15に格納
しておき、同種の集積回路素子が形成される複数の素子
形成領域2aにおける露光動作が終了した時点で、基準
値格納部15に格納された個々の素子形成領域2aにお
ける数値情報を相互に比較し、多数決法によって、少数
派に属する素子形成領域2aを不良と判定し、所定の識
別図形Mをまとめて追加露光するようにしても良いもの
である。
上記の一連の動作を繰り返すことにより、半導体ウェハ
などの被露光物2に形成されている複数の素子形成領域
2a各々に所定の集積回路パターンが転写されるととも
に、異常な露光動作による転写が行われた素子形成領域
2aは、識別図形Mを追加露光されることによって、他
から明瞭に識別可能な状態にされる。
などの被露光物2に形成されている複数の素子形成領域
2a各々に所定の集積回路パターンが転写されるととも
に、異常な露光動作による転写が行われた素子形成領域
2aは、識別図形Mを追加露光されることによって、他
から明瞭に識別可能な状態にされる。
また、上記のような露光動作によって露光された半導体
ウェハなどの被露光物2を、次のステップでさらに露光
する場合には、前回の露光処理において異常な露光動作
によって露光された素子形成領域2aを、識別図形Mに
基づいて判別し、スキップして露光操作を行うことで、
無駄な露光動作を省くことができる。
ウェハなどの被露光物2を、次のステップでさらに露光
する場合には、前回の露光処理において異常な露光動作
によって露光された素子形成領域2aを、識別図形Mに
基づいて判別し、スキップして露光操作を行うことで、
無駄な露光動作を省くことができる。
このように、本実施例においては以下の効果を得ること
ができる。 “ (1)1個々の素子形成領域に転写すべき集積回路パタ
ーンなどのデータに基づいて、演算部11において算出
される電子線Eの光電子面の形状や面積。
ができる。 “ (1)1個々の素子形成領域に転写すべき集積回路パタ
ーンなどのデータに基づいて、演算部11において算出
される電子線Eの光電子面の形状や面積。
照射位置の座標、照射回数などの積算値など、個々の素
子形成領域に固有な数値情報を計数する計数部14と、
所定の基準値を保持する基準値格納部15とを備え、両
者を比較することによって、当該素子形成領域における
露光勤6作の異常の有無を判定するとともに、異常に露
光動作のもとで露光された素子形成領域2aには、識別
図形Mを追加露光するように構成されているので、後の
検査工程などにおいて、異常な露光動作を経た素子形成
領域2aに形成された不良または潜在的に不良な集積回
路素子などを正常なものから容易かつ確実に選別するこ
とができる。
子形成領域に固有な数値情報を計数する計数部14と、
所定の基準値を保持する基準値格納部15とを備え、両
者を比較することによって、当該素子形成領域における
露光勤6作の異常の有無を判定するとともに、異常に露
光動作のもとで露光された素子形成領域2aには、識別
図形Mを追加露光するように構成されているので、後の
検査工程などにおいて、異常な露光動作を経た素子形成
領域2aに形成された不良または潜在的に不良な集積回
路素子などを正常なものから容易かつ確実に選別するこ
とができる。
(2)、前記(1)の結果、たとえば、出荷前の検査工
程などにおいて不良また潜在的に不良な集積回路素子を
見逃すことがなく、出荷後の製品の動作の信頼性を向上
させることができる。
程などにおいて不良また潜在的に不良な集積回路素子を
見逃すことがなく、出荷後の製品の動作の信頼性を向上
させることができる。
(3)、前記(1)の結果、電子線露光によるフォトリ
ソグラフィ工程を経て製造される集積回路素子などの検
査工程が簡略化される。
ソグラフィ工程を経て製造される集積回路素子などの検
査工程が簡略化される。
(4)、前記(1)〜(3)の結果、半導体装置の製造
におけるウェハ処理工程での生産性が向上される。
におけるウェハ処理工程での生産性が向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、数値情報としては、前述の電子線Eの光電子
面の形状や面積、照射位置の座標、照射回数などの積算
値などに限らず、個々の素子形成領域に固有なものであ
れば、いかなるものであっても良い。
面の形状や面積、照射位置の座標、照射回数などの積算
値などに限らず、個々の素子形成領域に固有なものであ
れば、いかなるものであっても良い。
また、電子線露光技術の形式としては、可変整形ビーム
方式に限らず、他のいかなる方式の電子線露光技術であ
ってもよい。
方式に限らず、他のいかなる方式の電子線露光技術であ
ってもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの電子
線露光技術に適用した場合につい 4で説明したが、こ
れに限定されるものではなく、一般の電子線描画技術に
広く適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの電子
線露光技術に適用した場合につい 4で説明したが、こ
れに限定されるものではなく、一般の電子線描画技術に
広く適用できる。
[発明の効果]
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、被露光物の個々の単位露光領域における露光
動作に固有の数値情報を計数する計数手段と、所定の基
準値を保持する基準値格納部とを備え、前記計数手段に
よって得られた前記数値情報が前記基準値格納部に記憶
された前記基準値と異なる異常な露光動作が行われた前
記露光領域には、異常を示す識別図形が追加露光される
ので、露光作業の後の検査工程などにおいて、異常な露
光動作のもとで露光された単位露光領域を、他の正常な
露光処理が行われた単位露光領域から明瞭に区別でき、
異常な露光動作のもとで露光された個々の単位露光領域
の選別を容易かつ確実に行うことができる。
動作に固有の数値情報を計数する計数手段と、所定の基
準値を保持する基準値格納部とを備え、前記計数手段に
よって得られた前記数値情報が前記基準値格納部に記憶
された前記基準値と異なる異常な露光動作が行われた前
記露光領域には、異常を示す識別図形が追加露光される
ので、露光作業の後の検査工程などにおいて、異常な露
光動作のもとで露光された単位露光領域を、他の正常な
露光処理が行われた単位露光領域から明瞭に区別でき、
異常な露光動作のもとで露光された個々の単位露光領域
の選別を容易かつ確実に行うことができる。
第1図は本発明の一実施例である電子線露光装置の要部
を示すブロック図、 第2図は被露光物の一例を示す平面図である。 1・・・x−yテーブル、1a・・・x−yテーブル駆
動部、2・・・被露光物、2a・・・素子形成領域、3
・・・電子銃、4・・・整形器、5・・・電子レンズ、
6・・・副偏向器、7・・・主偏向器、8・・・制御計
算機、9・・・外部記憶部、10・・・パフファメモ’
J、11・・・演算部、12・・・整形信号発生部、1
2a・・・整形器制御部、13・・・照射位置信号発生
部、13a・・・電子レンズ制御部、13b・・・副偏
向器制御部、13C・・・副偏向器制御部、E・・・電
子線、A−D・・・集積回路素子、M・・・識別図形。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 第2図
を示すブロック図、 第2図は被露光物の一例を示す平面図である。 1・・・x−yテーブル、1a・・・x−yテーブル駆
動部、2・・・被露光物、2a・・・素子形成領域、3
・・・電子銃、4・・・整形器、5・・・電子レンズ、
6・・・副偏向器、7・・・主偏向器、8・・・制御計
算機、9・・・外部記憶部、10・・・パフファメモ’
J、11・・・演算部、12・・・整形信号発生部、1
2a・・・整形器制御部、13・・・照射位置信号発生
部、13a・・・電子レンズ制御部、13b・・・副偏
向器制御部、13C・・・副偏向器制御部、E・・・電
子線、A−D・・・集積回路素子、M・・・識別図形。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被露光物の個々の単位露光領域における露光動作に
固有の数値情報を計数し、計数された前記数値情報が所
定の基準値と異なる異常な露光動作が行われた前記露光
領域には、異常を示す識別図形を追加露光することを特
徴とする電子線露光方法。 2、可変整形ビーム方式の電子線露光方法であり、前記
数値情報が、個々の前記単位露光領域における電子線の
照射回数、一回の照射における照射面積、照射位置の座
標の少なくとも一つの積算値であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の電子線露光方法。 3、同一の図形データに基づいて露光される複数の前記
単位露光領域の各々において得られた前記数値情報を相
互に比較し、多数決法によって個々の前記単位露光領域
における露光動作の異常を判定することを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の電子線露光方法。 4、前記数値情報を、シミュレーションまたは試験的な
露光動作によって予め把握された基準値と比較すること
によって、個々の前記単位露光領域における露光動作の
異常を判定することを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の電子線露光方法。 5、異常と判定された前記単位露光領域に追加露光され
る前記識別図形が、光学的に検出可能であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の電子線露光方法。 6、半導体集積回路の製造におけるフォトリソグラフィ
での回路パターンの転写に用いられ、異常と判定された
前記単位露光領域に追加露光される前記識別図形が、前
記集積回路の電源線を切断する図形または電源線と切線
とを短絡させる図形などからなり、後の前記集積回路の
電気的な検査において当該集積回路の異常が容易に検出
可能にすることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の電子線露光方法。 7、被露光物の個々の単位露光領域における露光動作に
固有の数値情報を計数する計数手段と、所定の基準値を
保持する基準値格納部とを備え、前記計数手段によって
得られた前記数値情報が前記基準値格納部に記憶された
前記基準値と異なる異常な露光動作が行われた前記露光
領域には、異常を示す識別図形が追加露光されることを
特徴とする電子線露光装置。 8、可変整形ビーム方式の電子線露光装置であり、前記
数値情報が、電子線の照射回数、一回の照射における照
射面積、照射位置の座標の少なくとも一つの積算値であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第7項記載の電子線
露光装置。 9、同一の図形データに基づいて露光される複数の前記
単位露光領域の各々において得られた前記数値情報を前
記基準値格納部に個別に格納し、個々の単位露光領域の
数値情報を相互に比較することにより、多数決法によっ
て個々の前記単位露光領域における露光動作の異常を判
定することを特徴とする特許請求の範囲第7項記載の電
子線露光装置。 10、前記数値情報を、シミュレーションまたは試験的
な露光動作によって予め把握された基準値と比較するこ
とによって、個々の前記単位露光領域における露光動作
の異常を判定することを特徴とする特許請求の範囲第7
項記載の電子線露光装置。 11、異常と判定された前記単位露光領域に追加露光さ
れる前記識別図形が、光学的に検出可能であることを特
徴とする特許請求の範囲第7項記載の電子線露光装置。 12、半導体集積回路の製造におけるフォトリソグラフ
ィでの回路パターンの転写に用いられ、異常と判定され
た前記単位露光領域に追加露光される前記識別図形が、
前記集積回路の電源線を切断する図形または電源線と切
線とを短絡させる図形などからなり、後の前記集積回路
の電気的な検査において当該集積回路の異常を容易1検
出可能にすることを特徴とする特許請求の範囲第7項記
載の電子線露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26815787A JPH01111323A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 電子線露光方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26815787A JPH01111323A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 電子線露光方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01111323A true JPH01111323A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=17454693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26815787A Pending JPH01111323A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 電子線露光方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01111323A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007047356A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Fujifilm Holdings Corp | 露光装置、露光方法、及びパターン製造システム |
JP2007324228A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nuflare Technology Inc | 荷電ビーム描画装置の描画エラー診断方法および荷電ビーム描画装置 |
JP2015060146A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、基板処理システムおよび描画方法 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP26815787A patent/JPH01111323A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007047356A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Fujifilm Holdings Corp | 露光装置、露光方法、及びパターン製造システム |
JP2007324228A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nuflare Technology Inc | 荷電ビーム描画装置の描画エラー診断方法および荷電ビーム描画装置 |
JP2015060146A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、基板処理システムおよび描画方法 |
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