JPH01132109A

JPH01132109A - 強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH01132109A
Application number: JP28931387A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Nakatani; 亮一中谷; Toshio Kobayashi; 俊雄小林; Moichi Otomo; 茂一大友; Takayuki Kumasaka; 登行熊坂; Noritoshi Saitou; 斉藤　法利
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-11-18
Filing date: 1987-11-18
Publication date: 1989-05-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、低磁歪定数、高飽和磁束密度、高透磁率なら
びに高耐食性の特性を有する強磁性薄膜および上記強磁
性薄膜を用いた磁気ヘッドに関し。

特に磁気ディスク装置、ＶＴＲなどに眉いる磁気ヘッド
および磁気ヘッドのコア材料に適した強磁性薄膜に関す
る。

〔従来の技術〕

近年、磁気記録技術の発展は著しく、家庭用ＶＴＲの分
野では従来の装置を大幅に小型・軽量化した８　ｍ　Ｖ
　Ｔ　Ｒが開発され、また磁気ディスクの分野でも従来
の面内磁気記録方式と比較して大幅に記録密度を向上し
うる垂直磁気記録方式の研究が進められている。面内磁
気記録方式においては、記録密度を向上させるために高
保磁力の記録媒体を使用する必要があるが、その記録媒
体の性能を十分に生かすために高飽和磁束密度を有する
磁気ヘッド材料の開発が必要である。また垂直磁気記録
方式においても１例えば垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘ
ッドの主磁極は０．２　　μｍ程度と極めて薄いため、
記録・再生の際に磁気的に飽和しやすく、それを避ける
ためには高飽和磁束密度を有する磁気ヘッド材料の開発
が不可欠である。

また磁気ヘッド材料はヘッドの記録再生効率の面から高
透磁率を有することが必要であり、そのためには磁歪定
数が零に近いことが望ましい。このような材料としては
従来、Ｎ　ｉ　−２０ｗ　ｔ％Ｆｅ合金（パーマロイ）
　、Ｆｅ−ＡＱ−８ｉ系合金などが開発されており、ま
た非晶質磁性材料およびＦｓ−６，７ｗｔ％Ｓｉ合金の
磁気ヘッドへの適用も図られている。

一方、磁歪定数が零に近い強磁性材料は上記の他にも存
在し１例えば、アール・エム・ボゾルス（Ｒ，Ｍ、　Ｂ
ｏｚｏｒｔｈ）による１９５１年発行のフエロマグネテ
イズム（Ｆｅｒｒｏｗ＋ａｇｎｅｔｉｓ＋ｉ）　６６４
〜６７２ページに論じられているとおり、Ｆｅ−０，５
ｗｔ％Ｎｉ付近の組成の合金バルク材においても磁歪零
を実現することができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｆｅ合金（パーマロイ）およ
びＦ　ｅ　−Ａ　Ｑ　−Ｓ　ｉ系合金は飽和磁束密度が
８〜１０ｋＧと低い、また、高透磁率を有する非晶質磁
性材料では飽和磁束密度が１３ｋＧ以上になると熱安定
性が極めて悪く、磁気ヘッドの作製が困難であるという
欠点がある。さらに、Ｆｅ−６，７ｗｔ％Ｓｉ合金は飽
和磁束密度が約１８ｋＧと高いが耐食性に問題があり、
Ｒｕなとの添加により耐食性の改善を行うと飽和磁束密
度が１４ｋｇ程度まで低下するという問題があった。

一方、Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金は前記アール・エム。

ボゾルスによる文献に論じられているようにバルク材に
おいて磁歪定数が測定されている。しかし、磁気ヘッド
作製の面からはバルク材よりも薄膜であることが好まし
い。

また、磁気ヘッド材料は磁気テープ、磁気ディスクなど
の記録媒体との摺動摩耗が少ないことが要求される。

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、低
磁歪定数、高飽和磁束密度、高透磁率ならびに高耐食性
を有する強磁性薄膜および上記強磁性薄膜を用いた高密
度磁気記録用の磁気ヘッドを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、蒸着法、スパッタリング法などの薄膜形
成技術によって作製したＦｅ−Ｎｉ系合金薄膜について
鋭意研究を重ねた結果、高飽和密度を有するＮｉ濃度が
１０ｗｔ％以下の組成範囲において、その磁歪定数の組
成依存性が従来技術であるＦｅ−Ｎｉ系合金バルク材の
磁歪定数の組成依存性と大きく異なることを見い出した
。すなわち、Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄膜を蒸着法、スパッタ
リング法などの薄膜形成技術によって作製するとＮｉ濃
度が１０ｗｔ％以下の組成範囲において、低磁歪定数を
示す組成はバルク材と異なり、磁歪定数λＳの絶対値１
λｓ１を２Ｘ１０−Ｂ以下にするためには、Ｆｅおよび
微量な不可避の不純物からなるベースに対してＮｉ組成
を、重量％で０．５〜２．６％にすることが必要であり
、さらに１λ、＋をｌＸｌ０””以下にするためにはＮ
ｉ組成を１重量％で１．１〜２．１　％にする必要があ
ることを知見し本発明を完成するに至った。

また本発明のＦ　ｓ　−０、５〜２　、６　ｗ　ｔ％Ｎ
ｉ合金薄膜に、Ｂ、Ｃ，Ｈの群より選ばれる少なくとも
１種の元素を０．１〜５ｗｔ％添加することにより軟磁
気特性を向上させることができる。またＡ　Ｑ　ｇ　Ｓ
　ｉｇ　Ｐ　＠　Ｇ　ａ　＠　Ｇ　ｅ　ｖ　Ａ　ｓ　ｔ
　Ｉ　ｎ　？　Ｓ　ｎ　＋Ｓｂ、　　Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ
、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ。

Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ａｕ。

Ａｇの群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜
３　ｗ　ｔ％添加することにより耐食性を向上させるこ
とができる。

またＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの群から選ば
れる少なくとも１種の元素を２ｗｔ％以下添加すること
により、磁気特性をほとんど劣化させずに耐摩耗性を向
上させることができる。しかし、上記Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ
、Ｏｓ、Ｉ　ｒ、Ｐｔの群より選ばれる元素を２ｗｔ％
より多く添加すると保磁力の増加が著しくなるため、上
記元素の添加は２ｗｔ％以下が好ましい。

さらに本発明のＦｅ−Ｎｉ系合金薄膜を、他の組成の磁
性薄膜あるいは非磁性薄膜を介して１層以上の積層構造
とすることによって、さらに高い透磁率を有する積層型
の強磁性薄膜とすることができる。

また上記強磁性薄膜を磁気ヘッドの磁気回路に用いるこ
とにより記録・再生特性の優れた磁気ヘッドを得ること
ができる。

〔作用〕

上述したように、Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金薄膜を蒸着法
、スパッタリング法などの薄膜形成技術によって作製す
ると、低磁歪定数を示す組成はバルク材と異なり１合金
組成を重量％で、Ｎｉが０．５〜２．６　％、残部Ｆｅ
および不純物とすることにより磁歪定数の絶対値１λｓ
１を２Ｘ１０−６以下とすることができ、また上記組成
の合金薄膜は２０ｋＧ以上の飽和磁束密度を有する。さ
らに合金組成を重量％で、Ｎｉが１．１〜２．１％、残
部Ｆ’　ｅおよび不純物とすることにより１λｓ１を１
×１０−６以下とすることができる。さらに上記Ｆｅ−
Ｎｉ系合金薄膜にＢ、Ｃ，Ｎの群より選ばれる少なくと
も１種の元素を０．１　〜５ｗｔ％添加することにより
軟磁気特性を向上させることができる。またＡｌ，Ｓｉ
、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ。

Ｉ　ｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｇｏ、Ｍｎ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗｓ　Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚ　ｒ。

Ｈｆ、Ｙ、Ａｕ、Ａｇの群より選ばれる少なくとも１種
の元素を０．１〜３　　ｗｔ％添加することにより耐食
性を向上させることができる。さらに上記Ｆｅ−Ｎｉ系
合金薄膜にＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ。

Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの群より選ばれる少なくとも１種の元
素を２ｗｔ％以下添加することにより耐摩耗性を向上さ
せることができる。またさらに本発明のＦｅ−Ｎｉ系合
金薄膜を積層構造とすることにより高透磁率の特性が得
られる。また上記強磁性薄膜を磁気ヘッドの磁気回路に
用いることにより記録・再生特性の優れた磁気ヘッドを
得ることができる。

なお、本発明の強磁性薄膜に微量な不可避の不純物が含
有していても、上述の作用が減じない。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例を挙げ、図表を参照しながらさ
らに具体的に説明する。

〔実施例１〕Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系強磁性薄膜の作製には高周波スパッ
タリング装置を用い、所定の合金組成の薄膜を得るため
に、１５０ｎｏφ×３１１のＦｅ円板に５ｍ＋Ｘ５＋ｍ
Ｘ１＋＋ｎ’のＮｉペレットを貼りつけたターゲットを
用いた。なお、スパッタリングは以下の条件で行った。

高周波電力密度・・・・・・２　、８　ｗ　／　ｒｘｌ
アルゴン圧力・・・・・・５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ基
　　板　　温　　度・・・・・・３００℃電極間距離・
・・・・・４５ｎｎ基板として、磁歪定数の測定用にコーニング社製ホトセ
ラム基板を用い、それ以外の磁気特性および耐食性の測
定用にはコーニング社製７０５９ガラス基板を用いた。

また膜厚は１，５μｒｎ一定とした。

上記条件により作製したＦ　ｅ　−Ｎ　ｉ二元前合金薄
膜の磁歪定数λＳの組成依存性を測定したところ、第２
図における実線２１のごとくなった。また同図にはアー
ル・エム・ボゾルス（Ｒ，Ｍ。

Ｂｏｚｏｒｔｈ）によるＦ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金バルク
材のλ８の測定結果も実線２２で示しである。すなわち
同図に示すごとく、Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ二元前合金のＮｉ
ａ度が１０ｗｔ％以下の組成範囲において、本発明の薄
膜と従来例のバルク材とではそのλ８に大きな差異があ
り、薄膜において磁歪定数λＳの絶対値１λｓ１を２　
Ｘ　１０６以下にするためにはＮｉ組成を０．５〜２．
６　ｗ　ｔ％とすることが必要であり、さらに１λｓ１
をｌＸｌ０−６以下にするためにはＮｉ組成を１．１〜
２．１ｖｔ％とすることが必要である６本発明のＦｅ−
０，５〜２．６ｗｔ％Ｎｉ合金の磁気特性を第１表に示
す。

第１表第１表に示すごと＜、Ｆｅ−Ｎｉ二元系合金薄膜はＮｉ
が０．５〜２　、６　ｗ　ｔ％の組成範囲において２０
ｋＧ以上の飽和磁束密度を有する。また本実施例におい
て最も磁気特性に優れた合成組成は、Ｆｅ−１，６ｗｔ
％Ｎｉであり、その磁気特性値は磁歪定数λｓ＝０．飽
和磁束密度Ｂｓ＝２０．９ｋＧ、保磁力Ｈｃ　＝　２　
、１　０　ｅ　、測定周波数５ＭＨｚでの初期透磁率μ
１＝７００であった。

一方、耐食性を調査するために、上記Ｆｅ−１，６ｗｔ
％Ｎｉ合金の飽和磁化Ｍｏを測定し。

その後、膜表面に０．５　　％Ｎ　ａ　ＣＱ水溶液を噴
霧し、室温で２４時間放置した後の飽和磁化Ｍ１を測定
した。腐食率は、腐食率（％）＝（Ｍｏ−Ｍｌ）Ｘ１０
０／ＭＯで定義した。またこの際、比較のために従来よ
り磁気ヘッドへの適用が図られているＦｅ−６，７ｗｔ
％Ｓｉ合金薄膜（Ｂｓ＝１８ｋＧ）にも上記同様の耐食
性試験を行った。

この耐食性試験の結果を第２表に示す。

第　　２　　表第２表に示すごとく、Ｆｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉ合金の耐
食性は優れており、腐食率は０％であった。またＦｅ−
１，６ｗｔ％Ｎｉ合金は塩水噴霧を行って３週間後にお
いても全く腐食せず、耐食性は非常に優れていることが
確認された。

〔実施例２〕軟磁気特性に対するＢ、Ｃ，Ｎの添加の効果を調べるた
め、実施例１と同様のスパッタリング条件でＦ　ｅ　−
Ｎ　ｉ　−ｘ　（ｘ　＝　Ｂ　、　Ｃ、Ｎ　）系合金薄
膜を作製した。組成はＮｉが１．６　　ｗｔ％、添加元
素であるＢ、ＣあるいはＮが０〜５ｗｔ％、残部をＦｅ
とした。第１図にＢ、ＣあるいはＮの添加量と５ＭＨｚ
での比透磁率との関係を示す。

同図の比透磁率のＢ′ａ度依存性（曲線１１）。

Ｃｅ度依存性（曲線１２）、Ｎ濃度依存性（曲線１３）
に示すように、Ｂ、Ｃ，Ｎを０．１　　ｗｔ％以上添加
すると比透磁率が向上する。ＴＥＭによる膜の断面観察
の結果、Ｆｅ−Ｎｉ系合金にＢ。

Ｃ，Ｎを添加すると結晶粒径が小さくなることがわかっ
た。この結晶粒の微細化のため、比透磁率が向上してい
ると考えられる。またＢおよびＣを５ｗｔ％より多く添
加すると、膜の内部応力が大きくなり、膜が基板よりは
がれる。またＮを５ｗｔ％より多く添加するとＦｅ４Ｎ
　ができ、飽和磁束密度が減少するという問題がある。

従ってＢ。

Ｃ，Ｎを添加は０．１〜５　　ｗｔ％の範囲とすること
が好ましい。

〔実施例３〕耐食性に対するＡｌ，Ｓｉ、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅ。

Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｇｏ。

Ｍｎ、Ｃｒ’、Ｍｏ、Ｗｔ　Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ　。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ａｕ、Ａｇの添加の効果を調べた。耐
食性の評価はアノード分極曲線の測定によって行った。

緩衝液はホウ酸緩衝液に０．０１＋ｍｏｌ／ＱのＮａＣ
Ｑを添加した緩衝液を用いた。Ｎｉが１．６　　ｗｔ％
、上記添加元素が３　ｗ　ｔ％、残部Ｆｅからなる組成
の合金薄膜の孔食を起こす電位をアノード分極曲線から
求めた。孔食電位は高い方が耐食性が優れていると考え
ることができる。

第３表に添加元素と孔食電位との関係を示す。

第３表第３表に示すごとく、Ｆｅ−Ｎｉ系合金に上記元素を添
加すると孔食電位が上昇し、耐食性が高まる。またこの
耐食性に対する効果は、添加元素の濃度が０．１　　ｗ
ｔ％以上で生じる。また上記元素をａｗｔ％以上添加す
ると、ｃｏ以外の元素では飽和磁束密度を大きく低下さ
せる。またＧｏの場合、保磁力を増大させてしまう、従
って上記元素の添加は０．１〜３ｗｔ％が好ましい、ま
たさらに上記合金薄膜にＢ、Ｃ，Ｎｔｔｏ、１〜５ｗｔ
％添加すると軟磁気特性を向上させることができる。

〔実施例４〕耐摩耗性に対するＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ。

Ｉｒ、Ｐｔなどの添加の効果を調べるためダミーヘッド
を作製し、耐摩耗性試験を行った。第３図（ａ）に示す
様な半径２０ｍの曲面３１および１５閣の厚さを有する
フェライト基板３２を用意し、曲面３１に第３図（ｂ）
に示す様に厚さ１０μｍのスパッタ膜３３を形成するこ
とにより耐摩耗性測定用ダミーヘッド３５を得た。この
際のスパッタリングには実施例１と同様のターゲットに
添加元素であるｍ　Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ　ｒ。

ｐｔのペレット（５■×５■Ｘ１ｍｔ）を１回のスパッ
タリングにつき１種ずつ貼り付けたターゲットを用い、
スパッタ膜３３の組成は実施例１で最も磁気特性の優れ
ていたＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉの合金組成に上記添加元
素を２ｗｔ％添加した組成とした。

耐摩耗性試験は第３図（ｂ）に示すスパッタ膜の曲面３
４にメタルテープを３０ｍ／ｓの速度で２００時間摺動
させ、摩耗量を測定することによった。この耐摩耗性試
験の結果を第４表に示す。

第４表第４表に示すごとく、いずれかの１種の元素の添加によ
って、添加元素なしの場合よりも耐摩耗性が向上してい
る。

また上記合金薄膜にＢ、Ｃ，Ｎを０．１〜５ｗｔ％添加
すると軟磁気特性を向上させることができる。

〔実施例５〕実施例２と同様のターゲットを用いてスパッタリングを
行い、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ　ｒ。

ｐｔの添加が保磁力に与える影響について調べた。

スパッタリング条件、基板、膜厚なとは実施例１同様と
した。また合金薄膜の組成はＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉに
上記添加元素を２ｗｔ％ないし２．５ｗｔ％含有させた
ものとした。これらの試料の保磁力の測定結果を第５表
に示す。

第５表第５表に示すごとく、上記添加元素を２　ｗ　ｔ％添加
した時は、添加元素なしの場合の保磁力２．１０ｓと比
較して保磁力の増加はあまりないが、２．５　　ｗｔ％
添加する保磁力が大幅に増加する。

従って上記添加元素の添加は２ｗｔ％以下が好ましい。

〔実施例６〕第４図に示すごとく、主磁性体膜としてＦｅ−１，６ｗ
ｔ％Ｎｉ−２ｗｔ％Ｃ合金薄膜（膜厚０．１μｍ）４１
を５ｉｎｓまたはパーマロイ（Ｎ　ｉ　−１９ｗ　ｔ％
Ｆｅ）からなる中間層（膜厚３０人）４２を介して１５
層積層（総膜厚１．５μｍ）した。Ｆｅ−Ｎ１−Ｃ系合
金薄膜４１は上述の実施例１と同じ条件で巣バッタリン
グを行い、中間層４２の形成は以下に示すスパッタリン
グ条件で行った。

高周波電力密度・・・・・・０　、５　ｗ　／　ａｌア
ルゴン圧力・・・・・・５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ基　
　板　　温　　度・・・・・・３００℃電極間距離・・
・・・・４５Ｗｎ上記条件で作製した積層型の磁性薄膜の磁気特性を測定
した。その結果を第６表に示す。

第６表第５表に示すごとく、本発明の強磁性薄膜を積層構造の
磁性薄膜とすることにより、保磁力Ｈａならびに初期透
磁率μｉが飛躍的に改善される。

〔実施例７〕本発明のＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎ　ｉ　〜２　ｗ　ｔ％Ｃ
合金薄膜ないし従来の実用材料であるパーマロイ（Ｎｉ
−１９ｗｔ％）合金薄膜を用いて第５図に示す構造の垂
直磁気記録用単磁極型磁気ヘッド７１を作製した。この
磁気ヘッド７１の隠製工程を以下に述べる。

第５図（ａ）に示すＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト６１お
よび高融点ガラス６２からなる基板６３を用い、その表
面に第５図（ｂ）に示すように膜厚０．２μｍの上記合
金強磁性薄膜６４を高周波スパッタリング法で作製した
。さらに、この上に接着用ｐｂ系ガラス膜を高周波スパ
ッタリングにより形成し、第５図（ａ）に示す基板６３
を重ね合わせて４５０Ｃで３０分間加熱し、上記ｐｂ系
ガラス膜を溶融固着させ、第５図（Ｑ）に示す主磁極ブ
ロック６５を作製した。そして、第５図（ｄ）に示すＭ
　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト６６および高融点ガラス６７
からなる補助コアブロック６８を用意し。

接合面７０に上記と同様の接着用ｐｂ系ガラス膜を形成
した後、主磁極ブロック６５を補助コアブロック６８の
接合面７０によって挟み、４５０℃で３０分間加熱する
ことバより、上記ｐｂ系ガラス膜を溶融固着させて接合
ブロック６９を作製した１次に、第５図（ｄ）に示す２
点鎖線部を切断し、第５図（ｅ）に示す垂直磁気記録用
単磁極型磁気ヘッド７１を得た。

上述の工程によって作製したＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉ〜
２ｗｔ％Ｃ合金薄膜を用いたヘッドおよびパーマロイ薄
膜を用いたヘッドの記録、特性をＧ　ｏ　−Ｃｒ垂直磁
気記録媒体を用いて測定した。

再生ヘッドにはパーマロイ薄膜を有するヘッドを用いた
。その結果、本発明のＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉ〜２ｗｔ
％Ｃ合金薄膜を用いたヘッドは従来の実用材料であるパ
ーマロイ合金薄膜を用いたヘッドと比較して約４ｄＢ高
い出力を示した。このように本発明の強磁性薄膜を用い
た磁気ヘッドは優れた記録特性を有することが明らかと
なった。

その他、Ｆｅ−１，６ｗｔ％−２ｗｔ％Ｂ。

Ｆｅ−１，６ｗｔ％−２ｗｔ％Ｎ合金薄膜を用いて上記
と同様の磁気ヘッドを作製したところ、パーマロイ合金
薄膜を用いたヘッドと比較して、それぞれ約３ｄＢ、約
４ｄＢ高い出方を示した。

〔発明の効果〕

以上詳細な説明したごとく、本発明の強磁性薄膜は低磁
歪組成で高い飽和磁束密度を有し、また優れた耐食性、
耐摩耗性、低保磁力および高透磁率の特性を有する。ま
た、上記強磁性薄膜を磁気ヘッドの主磁極に適用すると
優れた記録特性を有する磁気ヘッドを得ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例２におけるＦ　ｅ　−Ｎ　ｉ−
（Ｂ、Ｃ，Ｎ）合金薄膜の比透磁率の組成依存性を示す
グラフ、第２図は本発明の実施例１にお−けるＦ　ａ　
−Ｎ　ｉ系合金薄膜および従来のＦｅ−Ｎｉ系合金バル
ク材の磁歪定数の組成依存性を示すグラフ、第３図は本
発明の実施例４における耐摩耗性測定用ダミーヘッドの
作製工程を示す斜視図、第４図は本発明の実施例６にお
ける積層構造の強磁性薄膜の構造を示す断面図、第５図
は本発明の実施例７における垂直磁気記録用単磁極型磁
気ヘッドの作製工程を示す斜視図である。１１・・・比透磁率のＢ濃度依存性、１２・・・比透磁
率のＣ濃度依存性、１３・・・比透磁率のＢ濃度依存性
、２１・・・Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金薄膜の磁歪定数の
組成依存性、２２・・・Ｆｅ−Ｎｉ系合金バルク材の磁
歪定数の組成依存性、３１・・・曲面、３２・・・フェ
ライト基板、３３・・・スパッタ膜、３４・・・スパッ
タ膜の曲面、３５・・・ダミーヘッド、４１・・・Ｆ　
ｅ−ＰＮ　ｉ　−Ｃ系合金薄膜、４２・・・中間層、４
３・・・基板、６１゜６６・・・Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェ
ライト、６２．６７・・・高融点ガラス、６３・・・基
板、６４・・・強磁性薄膜、６５・・・主磁極ブロック
、６８・・・補助コアブロック、６９・・・接合ブロッ
ク、７０・・・接合面、７１・・・垂直１＼第　Ｉ　口俸加厄＃Ｊｌ　（ｗｔ％つ

Claims

【特許請求の範囲】

１．重量％で、Ｎｉが０．５〜２．６％、およびＢ，Ｃ
，Ｎの群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜
５％含有し、残部がＦｅからなる強磁性薄膜。
２．重量％で、Ｎｉが０．５〜２．６％、およびＡｌ，
Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｚｎ
，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ
，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ａｕ，Ａｇの群より選ばれる
少なくとも１種の元素を０．１〜３％含有し、残部がＦ
ｅからなる強磁性薄膜。
３．重量％で、Ｎｉが０．５〜２．６％、およびＡｌ，
Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｚｎ
，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ
，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ａｕ，Ａｇの群より選ばれる
少なくとも１種の元素を０．１〜３％、およびＢ，Ｃ，
Ｎの群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜５
％含有し、残部がＦｅからなる強磁性薄膜。
４．重量％でＲｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの群
より選ばれる少なくとも１種の元素を２％以下含有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項記
載の強磁性薄膜。
５．強磁性薄膜を磁気回路の少なくとも一部に用いる磁
気ヘッドにおいて、上記強磁性薄膜は、重量％でＮｉが
０．５〜２．６％、およびＢ，Ｃ，Ｎの群より選ばれる
少なくとも１種の元素を０．１〜５％含有し、残部がＦ
ｅからなることを特徴とする強磁性薄膜を用いた磁気ヘ
ッド。