JPH01102550A - パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 - Google Patents
パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板Info
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- JPH01102550A JPH01102550A JP62259521A JP25952187A JPH01102550A JP H01102550 A JPH01102550 A JP H01102550A JP 62259521 A JP62259521 A JP 62259521A JP 25952187 A JP25952187 A JP 25952187A JP H01102550 A JPH01102550 A JP H01102550A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発Ｆ！Ａｔ、、ＬＳＩ、ハイブリッドＩＣ及び高密度
実装用多層板における層間絶縁膜あるいは表面保護膜と
して使用可能なパターン形成材料及びそれを用いた多層
配線板に関する。
実装用多層板における層間絶縁膜あるいは表面保護膜と
して使用可能なパターン形成材料及びそれを用いた多層
配線板に関する。
従来、ＩＣ，ＬＳＩ、プリント配線板等の絶縁膜として
は、ポリイミドが用いられている。
は、ポリイミドが用いられている。
これはポリイミドがポリマーの中で最も高い耐熱性と低
い誘電率をもち、蒸着、メツキなどの加工プロセスに耐
え、信号の遅延を減らすことができる長所をもっためで
るる。このポリイミドを用いて高密度実装化する方法と
しては、通常基板上にポリイミドの前駆体であるポリア
ミック＃ｌｔ−スピンーートし、加熱してポリイミドに
した後、その上にホトレジスト七塗布し、ホトリソグラ
フィによタパイヤホールをつくる。
い誘電率をもち、蒸着、メツキなどの加工プロセスに耐
え、信号の遅延を減らすことができる長所をもっためで
るる。このポリイミドを用いて高密度実装化する方法と
しては、通常基板上にポリイミドの前駆体であるポリア
ミック＃ｌｔ−スピンーートし、加熱してポリイミドに
した後、その上にホトレジスト七塗布し、ホトリソグラ
フィによタパイヤホールをつくる。
そして、その上に蒸着やスパッタリングでＣｕ層をつく
る。以下、この工程を繰返して多層化する方法がとられ
ている。
る。以下、この工程を繰返して多層化する方法がとられ
ている。
しかし、この工程ではホトレジストのパターン管作った
後、ポリイミド被膜のエツチングに人体に有害なヒドラ
ジンなどの高反応性のエツチング液を使わないといけな
いこと、またエツチング時にポリイミド被膜が等方的に
エツチングされるため、小さいパイヤホールｔ−アける
場合、上部が削れ、テーパ状となり、高密度化の支障と
なる欠点がある。この欠点を改善するためにポリイミド
に感光性をもたせ、ポリイミドそのものｔ−元によシバ
ターン化することが発表されている（特公昭５５−５０
２０７号、同５５−４１４２２号）。しかし、感光性ポ
リイミドを用いることにより工程は短縮できるが、いく
つかの問題点がある。例えば、現像時に露出部が溶けだ
し、膜減りを起こす。また現像時の膨潤のために解像性
が低下するなどである。また、現像後にボストキエアが
必要であ夛、その際に膜厚が５０〜５０％も収縮すると
いう欠点を有している。
後、ポリイミド被膜のエツチングに人体に有害なヒドラ
ジンなどの高反応性のエツチング液を使わないといけな
いこと、またエツチング時にポリイミド被膜が等方的に
エツチングされるため、小さいパイヤホールｔ−アける
場合、上部が削れ、テーパ状となり、高密度化の支障と
なる欠点がある。この欠点を改善するためにポリイミド
に感光性をもたせ、ポリイミドそのものｔ−元によシバ
ターン化することが発表されている（特公昭５５−５０
２０７号、同５５−４１４２２号）。しかし、感光性ポ
リイミドを用いることにより工程は短縮できるが、いく
つかの問題点がある。例えば、現像時に露出部が溶けだ
し、膜減りを起こす。また現像時の膨潤のために解像性
が低下するなどである。また、現像後にボストキエアが
必要であ夛、その際に膜厚が５０〜５０％も収縮すると
いう欠点を有している。
′ｔた、テーパをなくすことを目的にプラズマエツチン
グを利用してバイヤホールを形成するとの報告もなされ
ている（昭和５８年度電子通信学会半導体材料部門全国
大会、予稿集、講演番号２７）。
グを利用してバイヤホールを形成するとの報告もなされ
ている（昭和５８年度電子通信学会半導体材料部門全国
大会、予稿集、講演番号２７）。
これを第２図に示す。すなわち第２図は従来の３層構造
を用いた多層配線板製造の工程図である。第２図におい
て符号１は基板、２は第−層導体パターン、５は耐熱性
樹脂層、４は無機ａ、ｓＩａ、ホトレジスト、６はホト
マスク、７は露元用元、８．９及び１０にパイヤホール
を意味する。第２図に示すように、基板１上にポリイミ
ドなどの耐熱性樹脂層３ｔ−形成し、その上に無機層４
ｔ−塗布形成する＠更にその上にホトレジスト５ｔ−塗
布して三層構造とする。まず、最上層のホトレジスト５
ｔ−露光し、現像することによシバターニングする。更
に、これをマスクとして無機層４をエツチングする０パ
ターン化した一無機層４をマスクとして下層の耐熱性樹
脂層５をエツチングする。最後に無機層４ｔ−除去する
。
を用いた多層配線板製造の工程図である。第２図におい
て符号１は基板、２は第−層導体パターン、５は耐熱性
樹脂層、４は無機ａ、ｓＩａ、ホトレジスト、６はホト
マスク、７は露元用元、８．９及び１０にパイヤホール
を意味する。第２図に示すように、基板１上にポリイミ
ドなどの耐熱性樹脂層３ｔ−形成し、その上に無機層４
ｔ−塗布形成する＠更にその上にホトレジスト５ｔ−塗
布して三層構造とする。まず、最上層のホトレジスト５
ｔ−露光し、現像することによシバターニングする。更
に、これをマスクとして無機層４をエツチングする０パ
ターン化した一無機層４をマスクとして下層の耐熱性樹
脂層５をエツチングする。最後に無機層４ｔ−除去する
。
このように、５層構造とすることによシテーパのない微
細なパターンの形成が可能であるが、無機層の塗布、除
去など工程数が多く煩雑である欠点をもっている。
細なパターンの形成が可能であるが、無機層の塗布、除
去など工程数が多く煩雑である欠点をもっている。
この問題を解決するため、耐熱性に優れたシロキサンポ
リマーとオルトシアシナ７トキノン系感元剤とからなる
感光性シリコーン系層間絶縁膜が提案されている（％願
昭６ｌ−１５ｔ５８１６号）０ 〔発明が解決しようとする問題点〕 この層間絶縁膜は耐熱性でしかも微ａなパターンを形成
できる特徴がるるが、１０μｍ以上の膜厚になるとき裂
が発生し、信頼性が低下する問題があり九。
リマーとオルトシアシナ７トキノン系感元剤とからなる
感光性シリコーン系層間絶縁膜が提案されている（％願
昭６ｌ−１５ｔ５８１６号）０ 〔発明が解決しようとする問題点〕 この層間絶縁膜は耐熱性でしかも微ａなパターンを形成
できる特徴がるるが、１０μｍ以上の膜厚になるとき裂
が発生し、信頼性が低下する問題があり九。
本発明は、上記事情にかんがみてなされたもので６タ、
その目的に厚膜形成を可能にした高信頼性のパターン形
成材料及びそれを用い九多層配線板を提供することにあ
る。
その目的に厚膜形成を可能にした高信頼性のパターン形
成材料及びそれを用い九多層配線板を提供することにあ
る。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はパターン形
成材料に関する発明であって、下記一般式Ｉ又はＩ： 人 人 （Ｒは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカ
ルボキシル基よりなる評から選択した１種の基、Ｗ％ビ
、ｒ及びＲ−は同−又は異なり、水酸基、アルキル基、
及びフェニル基よりなる群から選択したＩｎ２の基を示
し、２％ｍ及びｎは０又框正の整数であるが、を及びｍ
の少なくとも一方は正の整数でありｓ ｐは正の整数
である〕で表されるアルカリ可溶性シリコーンポリマー
と、オルトナフトキノン系感光剤とを含有する感光性樹
脂組成物に、更に有機ケイ素化合物が含有されているこ
とを特徴とする。
成材料に関する発明であって、下記一般式Ｉ又はＩ： 人 人 （Ｒは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカ
ルボキシル基よりなる評から選択した１種の基、Ｗ％ビ
、ｒ及びＲ−は同−又は異なり、水酸基、アルキル基、
及びフェニル基よりなる群から選択したＩｎ２の基を示
し、２％ｍ及びｎは０又框正の整数であるが、を及びｍ
の少なくとも一方は正の整数でありｓ ｐは正の整数
である〕で表されるアルカリ可溶性シリコーンポリマー
と、オルトナフトキノン系感光剤とを含有する感光性樹
脂組成物に、更に有機ケイ素化合物が含有されているこ
とを特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は多層配線板に関する発明
でろって、第１の発明のパターン形成材料を層間絶縁膜
あるいは表面保護膜として使用してなることを特徴とす
る。
でろって、第１の発明のパターン形成材料を層間絶縁膜
あるいは表面保護膜として使用してなることを特徴とす
る。
本発明のパターン形成材料に用いられるアルカリ可溶性
シリコーンポリマーは、主鎖構造がポリシロキサン構造
である几め耐熱性が高い〇また、シラノール基がおるた
めにポリマーにアルカリ水溶液に可溶でロシ、オルトナ
フトキノン系化合物を加えることによシボジ形の感光性
樹脂として利用でき、パイヤホール形成等に使用可能で
ある０この感光性樹脂組成物は紫外線照射により照射部
分のオルトナフトキノン系化合物がインデンカルボン酸
の形となるためアルカリ可溶性を示し、アルカリ水溶液
で現像でき、従来のパイヤホール形成のための工程（第
２図）に比べて簡易な工程で、しかも現像時の膨潤がな
い沈め微細なパターンを形成できる。しかしながら、こ
れを多層配線板の層間絶縁層として使用するには１０μ
ｍ以上の厚膜化が必要であるが、このような厚膜を、レ
ジスト溶液を基板上に回転塗布し、しかるのちに膜中に
残存している塗布溶媒を除くためにプリベークを行う一
連の工程に従って炸裂しようとすると、き裂が発生し、
信頼性が低下する問題がめった。
シリコーンポリマーは、主鎖構造がポリシロキサン構造
である几め耐熱性が高い〇また、シラノール基がおるた
めにポリマーにアルカリ水溶液に可溶でロシ、オルトナ
フトキノン系化合物を加えることによシボジ形の感光性
樹脂として利用でき、パイヤホール形成等に使用可能で
ある０この感光性樹脂組成物は紫外線照射により照射部
分のオルトナフトキノン系化合物がインデンカルボン酸
の形となるためアルカリ可溶性を示し、アルカリ水溶液
で現像でき、従来のパイヤホール形成のための工程（第
２図）に比べて簡易な工程で、しかも現像時の膨潤がな
い沈め微細なパターンを形成できる。しかしながら、こ
れを多層配線板の層間絶縁層として使用するには１０μ
ｍ以上の厚膜化が必要であるが、このような厚膜を、レ
ジスト溶液を基板上に回転塗布し、しかるのちに膜中に
残存している塗布溶媒を除くためにプリベークを行う一
連の工程に従って炸裂しようとすると、き裂が発生し、
信頼性が低下する問題がめった。
本発明者らは、この問題を解決する次めに鋭意検討した
結果、分子中にシラノール基を含む有機ケイ素化合物を
添加することにより、厚膜形成できることを発見し友。
結果、分子中にシラノール基を含む有機ケイ素化合物を
添加することにより、厚膜形成できることを発見し友。
この添加剤は親水性のシラノール基を含む九めにアルカ
リ可溶性でるり、アルカリ水浴液を用いて現像するパタ
ーン形成方法において、一般式（１） ６るいは（１）
で示されるアルカリ可溶性シリコーンポリマーと感光性
樹脂組成物の組合せによるパターン形成能を損わない。
リ可溶性でるり、アルカリ水浴液を用いて現像するパタ
ーン形成方法において、一般式（１） ６るいは（１）
で示されるアルカリ可溶性シリコーンポリマーと感光性
樹脂組成物の組合せによるパターン形成能を損わない。
更に耐熱性も向上し、シリコン基板上に形成した厚膜は
、３５０℃までの加熱及び加熱後の急冷において、き裂
は発生せず、体積変化もほとんどない。
、３５０℃までの加熱及び加熱後の急冷において、き裂
は発生せず、体積変化もほとんどない。
１３０℃以上で熱架橋したのちは、ドライエツチングに
対する耐性が極めて高くなる友めに、厚膜のマスクパタ
ーンとしてＩｎＰなどの種々の基板の深溝の加工も可能
であるし、２層レジストの薄膜の上層マスクパターンと
して用いて、下層レジストのドライエツチングにも用い
ることができる。酸素プラズマによって下層レジストを
加工する場合には、従来のアルカリ可溶性シリコーンポ
リマーと感光性樹脂組成物との組合せのものよりも酸素
プラズマエツチング耐性が高いために、上層レジストヲ
よシ薄くすることができ、またパターン変換差を小さく
することが可能である。
対する耐性が極めて高くなる友めに、厚膜のマスクパタ
ーンとしてＩｎＰなどの種々の基板の深溝の加工も可能
であるし、２層レジストの薄膜の上層マスクパターンと
して用いて、下層レジストのドライエツチングにも用い
ることができる。酸素プラズマによって下層レジストを
加工する場合には、従来のアルカリ可溶性シリコーンポ
リマーと感光性樹脂組成物との組合せのものよりも酸素
プラズマエツチング耐性が高いために、上層レジストヲ
よシ薄くすることができ、またパターン変換差を小さく
することが可能である。
有機ケイ化合物の添加量は、主成分でるるアルカリ可溶
性シリコーンポリマーに対して、５〜３０重量−の範囲
が最適とされる。５重量％未満では厚膜におけるき裂発
生を抑制できない。
性シリコーンポリマーに対して、５〜３０重量−の範囲
が最適とされる。５重量％未満では厚膜におけるき裂発
生を抑制できない。
また、３０重量％よシも多く添加すると製膜性が悪くな
る・ 好適な有機ケイ素化合物の例としては、下記一般弐厘： （但シ、Ｒ１、Ｈ鵞、Ｒ” 及ヒＲ’ ｆｉｌｍ−又ｔ
ｌ！異ｅ Ｄ、アルキル基、フェニル基、置換フェニル
基、あるいな有機ケイ素置換基を示し、Ｒ５はアルキレ
ン基、フェニレン基、置換フェニレン基、２価の有機ケ
イ素置換基、あるいは酸素を示す）で表されるものが挙
げられる。
る・ 好適な有機ケイ素化合物の例としては、下記一般弐厘： （但シ、Ｒ１、Ｈ鵞、Ｒ” 及ヒＲ’ ｆｉｌｍ−又ｔ
ｌ！異ｅ Ｄ、アルキル基、フェニル基、置換フェニル
基、あるいな有機ケイ素置換基を示し、Ｒ５はアルキレ
ン基、フェニレン基、置換フェニレン基、２価の有機ケ
イ素置換基、あるいは酸素を示す）で表されるものが挙
げられる。
第１図に本発明のパターン形成材料金剛いた多層配線板
製造の１例の工程図を示す。第１図において符号２１は
基板、２２は第−層導体パターン、２５はアルカリ可溶
性シリコーン系ポリマー＋オルトナフトキノン化合物＋
有機ケイ素化合物（組成物）、２４はホトマスク、２５
は露元用紫外元、２６はパイヤホールを意味するＯ 以下に前記アルカリ可溶性シリコーンポリマーの製造Ｉ
ｐＨｔ−示す。
製造の１例の工程図を示す。第１図において符号２１は
基板、２２は第−層導体パターン、２５はアルカリ可溶
性シリコーン系ポリマー＋オルトナフトキノン化合物＋
有機ケイ素化合物（組成物）、２４はホトマスク、２５
は露元用紫外元、２６はパイヤホールを意味するＯ 以下に前記アルカリ可溶性シリコーンポリマーの製造Ｉ
ｐＨｔ−示す。
裏造例１
かき混ぜ機、温度計、滴下漏斗をつけた５００−のフラ
スコに無水塩化アルミニウム１５ｆ１塩化アセチル５０
−をと夛かくはんする。次に分子量７８００のポリフェ
ニルシルセスキオキサン５ｆｔ−塩化アセチル５０―に
溶かしたｆ＃液を徐々に滴下する。＠度１に２５℃に保
ち反応を進める。反応の進行と共に塩化水素が発生する
。
スコに無水塩化アルミニウム１５ｆ１塩化アセチル５０
−をと夛かくはんする。次に分子量７８００のポリフェ
ニルシルセスキオキサン５ｆｔ−塩化アセチル５０―に
溶かしたｆ＃液を徐々に滴下する。＠度１に２５℃に保
ち反応を進める。反応の進行と共に塩化水素が発生する
。
３時間反応後冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ
。よくかきまぜて塩化アルミニウムを分解し、氷水が酸
性でろることを確かめてから沈殿し次ポリマーｔ−Ｆ別
する。希塩酸−水でよく洗い、最後に真空乾燥器で乾燥
する。得られ几ポリマーの分子１ｉｉ７９００であつ九
。赤外線吸収スペクトルでは１６７０ ａｎ−”にカル
ボニル基の吸収が５．ＮＭＲでδ＝２．４にメチル基の
吸収がみられ、アセチル化されたことが確認でき友。ま
九、赤外吸収スペクトルで５４００ ｃｍ−”にＯＨの
吸収がＮＭＲでは、４５１）ｐｍ付近にシラノール基の
ＯＨのシグナルが観測され、ポリマー中にシラノール基
があることが確認できた。
。よくかきまぜて塩化アルミニウムを分解し、氷水が酸
性でろることを確かめてから沈殿し次ポリマーｔ−Ｆ別
する。希塩酸−水でよく洗い、最後に真空乾燥器で乾燥
する。得られ几ポリマーの分子１ｉｉ７９００であつ九
。赤外線吸収スペクトルでは１６７０ ａｎ−”にカル
ボニル基の吸収が５．ＮＭＲでδ＝２．４にメチル基の
吸収がみられ、アセチル化されたことが確認でき友。ま
九、赤外吸収スペクトルで５４００ ｃｍ−”にＯＨの
吸収がＮＭＲでは、４５１）ｐｍ付近にシラノール基の
ＯＨのシグナルが観測され、ポリマー中にシラノール基
があることが確認できた。
製造例２
製造例１においてポリフェニルシルセスキオキサンのｆ
ｌに環状シロキサンの開環重合で得られ次ポリ゛ジフェ
ニルシロキサン（分子量１万ンを用いて、同じ方法でア
セチル化ポリジフェニルシロキサンを得九〇 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されないＯ 実施例１ 前記製造ガ１及び２で得られたシリコーンポリマーに、 〒０３ −（式中Ｘ及びｙは１対１の比率を示す）で表されるナ
フトキノン化合物を２０重量−及び１，４−ビス（ヒド
ロキシジメチルシリルベンゼン〕ｔ−２０重量％添加し
た組成物の酢酸セロソルブ溶液を導体パターンの形成さ
れ九アルミナ基板上に２０重１ｍの厚さで塗布し、１０
０Ｃ，２０分グリベークし次。
ｌに環状シロキサンの開環重合で得られ次ポリ゛ジフェ
ニルシロキサン（分子量１万ンを用いて、同じ方法でア
セチル化ポリジフェニルシロキサンを得九〇 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されないＯ 実施例１ 前記製造ガ１及び２で得られたシリコーンポリマーに、 〒０３ −（式中Ｘ及びｙは１対１の比率を示す）で表されるナ
フトキノン化合物を２０重量−及び１，４−ビス（ヒド
ロキシジメチルシリルベンゼン〕ｔ−２０重量％添加し
た組成物の酢酸セロソルブ溶液を導体パターンの形成さ
れ九アルミナ基板上に２０重１ｍの厚さで塗布し、１０
０Ｃ，２０分グリベークし次。
次に、ホトマスクを介しウシオ社製の紫外線照射装置（
２５０Ｗ）ｔ−用いて２分間照射した。
２５０Ｗ）ｔ−用いて２分間照射した。
照射後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
（ＴＭＡ）５ ％水溶液の現像液で現像し友。これによ
シリコーンポリマーにパイヤホール用孔を形成した。現
像後に１００ｃでポストベークした後、１３０℃で熱架
橋させたものは、３５０℃の加熱、急冷の処理で膜にき
裂が発生することがなかった。
（ＴＭＡ）５ ％水溶液の現像液で現像し友。これによ
シリコーンポリマーにパイヤホール用孔を形成した。現
像後に１００ｃでポストベークした後、１３０℃で熱架
橋させたものは、３５０℃の加熱、急冷の処理で膜にき
裂が発生することがなかった。
更に、一般に行われているセミアデイティブ法により無
電解銅メツキで導体パターン２０μｍ。
電解銅メツキで導体パターン２０μｍ。
パッド系５０μｍ１バイヤホール２０μｍｔ−形成した
。
。
以上述べた方法により絶縁層形成と回路形成を行い、高
密度な多層配線板を製造できた。
密度な多層配線板を製造できた。
実施例２〜８
製造例１によるシロキサンポリマーを用い、実施例１の
感光剤２０］ｉ３１％、及び表１に示す有機ケイ素化合
物２０重ｉｔ％を添加し九組成物會用い、実施例１と同
様な方法でポジ型パターン全作製した。どの場合も、現
像後に１００℃でポストベークした［、１５０℃で熱架
橋させたものは、３５０℃の加熱、急冷の処理でき裂が
発生することがなかった。
感光剤２０］ｉ３１％、及び表１に示す有機ケイ素化合
物２０重ｉｔ％を添加し九組成物會用い、実施例１と同
様な方法でポジ型パターン全作製した。どの場合も、現
像後に１００℃でポストベークした［、１５０℃で熱架
橋させたものは、３５０℃の加熱、急冷の処理でき裂が
発生することがなかった。
表 １
実施例 ゛
ＣＨｓ ｃａｎ
ＣＨｓ ｃａｎ
実施例９
実施Ｐｌｔ〜８の組成物を基板上に膜厚を（Ｌ５Ｊｉｍ
に塗布し、１００℃で１リペークしたのち、１３０℃で
熱架橋させて、酸素プラズマエツチング耐１！Ｆ、を測
定した０アネルバ裂 ＤＴＡＭ−４５１（平行平板屋）
ｔ−用い、出力＝αＩＷ／−、バイアス＝ａ６ｋｖ、流
置＝ ５０５ｃａｎ 、圧力＝ １０ ｇ Ｔｏｒｒの
条件で評価したところ、実施例１〜８のものはいずれも
、２〜４ｎｒｎ／ｍ１ｎのエツチングレートを示し、代
表的なレジスト材料であるＭＰ１４００（シップレイ社
）のエツチングレートに対して２５〜５０倍の耐性であ
った〇 実施例１０ シリコン基板にＭＰ１４００をＩ Ａｍ厚に塗布し、
２００℃で１時間ベークしたのち、その上に実施例１の
組成物をα３μｍ厚に塗布し、９０℃で１０分間プリベ
ークした＠Ｐ Ｌ Ａ ５０１Ｆアライナ（キャノン１
ｉりｔ−用いて、密着露光で１５秒露光し、’ｒＭＡ水
溶液で現像、水でリンスし、パターンを転写した。１０
０℃でポストベークし几のち、１３０℃で熱架橋させ次
。
に塗布し、１００℃で１リペークしたのち、１３０℃で
熱架橋させて、酸素プラズマエツチング耐１！Ｆ、を測
定した０アネルバ裂 ＤＴＡＭ−４５１（平行平板屋）
ｔ−用い、出力＝αＩＷ／−、バイアス＝ａ６ｋｖ、流
置＝ ５０５ｃａｎ 、圧力＝ １０ ｇ Ｔｏｒｒの
条件で評価したところ、実施例１〜８のものはいずれも
、２〜４ｎｒｎ／ｍ１ｎのエツチングレートを示し、代
表的なレジスト材料であるＭＰ１４００（シップレイ社
）のエツチングレートに対して２５〜５０倍の耐性であ
った〇 実施例１０ シリコン基板にＭＰ１４００をＩ Ａｍ厚に塗布し、
２００℃で１時間ベークしたのち、その上に実施例１の
組成物をα３μｍ厚に塗布し、９０℃で１０分間プリベ
ークした＠Ｐ Ｌ Ａ ５０１Ｆアライナ（キャノン１
ｉりｔ−用いて、密着露光で１５秒露光し、’ｒＭＡ水
溶液で現像、水でリンスし、パターンを転写した。１０
０℃でポストベークし几のち、１３０℃で熱架橋させ次
。
酸素プラズマエツチングで下層レジストをエツチングし
、α６μｍのライン＆スペースのパターンを転写するこ
とができた０ 〔発明の効果〕 以上説明し次ように、本発明におけるパターン形成材料
は、耐熱性に優れ、厚膜でも微細パターンを形成できる
利点がめる◎このパターン形成材料は、３５０℃におい
てもほとんど重量は減少しないため、層間絶縁膜や表面
保護膜として有望であシ、その際製造工程が従来と比較
して大幅に簡略化できる。また、厚膜で急しゅんなパタ
ーンが得られるために、ＩｎＰ％ＧａＡｓ等の種々の基
板の深溝の加工にマスクパターンとして用いることがで
きる。また、２層レジストとして微細加工に用いること
もできる。
、α６μｍのライン＆スペースのパターンを転写するこ
とができた０ 〔発明の効果〕 以上説明し次ように、本発明におけるパターン形成材料
は、耐熱性に優れ、厚膜でも微細パターンを形成できる
利点がめる◎このパターン形成材料は、３５０℃におい
てもほとんど重量は減少しないため、層間絶縁膜や表面
保護膜として有望であシ、その際製造工程が従来と比較
して大幅に簡略化できる。また、厚膜で急しゅんなパタ
ーンが得られるために、ＩｎＰ％ＧａＡｓ等の種々の基
板の深溝の加工にマスクパターンとして用いることがで
きる。また、２層レジストとして微細加工に用いること
もできる。
第１図は本発明のパターン形成材料を用い友多層配線板
製造の１例の工程図、第２図は従来の５層構造を用い次
多層配線板製造の工程図でろる。 １．２１：基板、２，２２：第−層導体パターン、５：
耐熱性樹脂層、４：無機層、５：ホトレジスト、６．２
４：ホトマスク；、″７：ｊ１元用元、８，９，１０．
２６：パイヤホール、２３：アルカリ可溶性シリコーン
系ポリマー＋オルトナフトキノン化合物＋有機ケイ素化
合物（組成物）、２５：露光用紫外光 特許出願人 日本電信電話株式会社
製造の１例の工程図、第２図は従来の５層構造を用い次
多層配線板製造の工程図でろる。 １．２１：基板、２，２２：第−層導体パターン、５：
耐熱性樹脂層、４：無機層、５：ホトレジスト、６．２
４：ホトマスク；、″７：ｊ１元用元、８，９，１０．
２６：パイヤホール、２３：アルカリ可溶性シリコーン
系ポリマー＋オルトナフトキノン化合物＋有機ケイ素化
合物（組成物）、２５：露光用紫外光 特許出願人 日本電信電話株式会社
Claims (4)
- １．下記一般式 I 又はII： ▲数式、化学式、表等があります▼…〔 I 〕 〔但し、Ｘは同一又は異なり、▲数式、化学式、表等が
あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒは
炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカルボキ
シル基よ９なる群から選択レた１種の基、Ｒ′、Ｒ″、
Ｒ′″及びＲ″は同一又は異なり、水酸基、アルキル基
、及びフエニル基よりなる群から選択した１種の基を示
し、ｌ、ｍ及びｎは０又は正の整数であるが、ｌ及びｍ
の少なくとも一方は正の整数であり、ｐは正の整数であ
る〕で表されるアルカリ可溶性シリコーンポリマーと、
オルトナフトキノン系感光剤とを含有する感光性樹脂組
成物に、更に有機ケイ素化合物が含有されていることを
特徴とするパターン形成材料。 - ２．該有機ケイ素化合物が、下記一般式III：▲数式、
化学式、表等があります▼…〔III〕 （但し、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は同一又は
異なり、アルキル基、フエニル基、置換フエニル基、あ
るいは有機ケイ素置換基を示し、Ｒ＾５はアルキレン基
、フエニレン基、置換フエニレン基、２価の有機ケイ素
置換基、あるいは酸素を示す）で表されるものである特
許請求の範囲第１項記載のパターン形成材料。 - ３．下記一般式 I 又はII： ▲数式、化学式、表等があります▼…〔 I 〕 〔但し、Ｘは同一又は異なり、▲数式、化学式、表等が
あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒは
炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカルボキ
シル基よりなる群から選択した１種の基、Ｒ′、Ｒ″、
Ｒ′″及びＲ″″は同一又は異なり、水酸基アルキル基
、及びフエニル基 よりなる群から選択した１種の基を示し、ｌ、ｍ及びｎ
は０又は正の整数であるが、ｌ及びｍの少なくとも一方
は正の整数であり、ｐは正の整数である〕で表されるア
ルカリ可溶性シリコーンポリマーと、オルトナフトキノ
ン系感光剤とを含有する感光性樹脂組成物に、更に有機
ケイ素化合物が含有されているパターン形成材料を層間
絶縁膜あるいは表面保護膜として使用してなることを特
徴とする多層配線板。 - ４．該有機ケイ素化合物が、下記一般式III：▲数式、
化学式、表等があります▼…〔III〕 （但し、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は同一又は
異なり、アルキル基、フエニル基、置換フエニル基、あ
るいは有機ケイ素置換基を示し、Ｒ＾５はアルキレン基
、フエニレン基、置換フエニレン基、２価の有機ケイ素
置換基、あるいは酸素を示す）で表されるものである特
許請求の範囲第３項記載の多層配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259521A JP2571072B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259521A JP2571072B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102550A true JPH01102550A (ja) | 1989-04-20 |
| JP2571072B2 JP2571072B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=17335252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259521A Expired - Fee Related JP2571072B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571072B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121042A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-12 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
| JPS59125730A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPS6236662A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料及びその使用方法 |
| JPS63241542A (ja) * | 1987-03-28 | 1988-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト組成物 |
| JPS63285538A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成材料およびそれを用いた多層配線板 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62259521A patent/JP2571072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121042A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-12 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
| JPS59125730A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPS6236662A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料及びその使用方法 |
| JPS63241542A (ja) * | 1987-03-28 | 1988-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト組成物 |
| JPS63285538A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成材料およびそれを用いた多層配線板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2571072B2 (ja) | 1997-01-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |