JPH01100179A - 有機金属含有化合物 - Google Patents
有機金属含有化合物Info
- Publication number
- JPH01100179A JPH01100179A JP63224365A JP22436588A JPH01100179A JP H01100179 A JPH01100179 A JP H01100179A JP 63224365 A JP63224365 A JP 63224365A JP 22436588 A JP22436588 A JP 22436588A JP H01100179 A JPH01100179 A JP H01100179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- group
- following formula
- tables
- formulas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 16
- -1 organometallic styrene derivatives Chemical class 0.000 claims description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 13
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 11
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- AOGYCOYQMAVAFD-UHFFFAOYSA-N chlorocarbonic acid Chemical class OC(Cl)=O AOGYCOYQMAVAFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- FZFAMSAMCHXGEF-UHFFFAOYSA-N chloro formate Chemical compound ClOC=O FZFAMSAMCHXGEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 238000010534 nucleophilic substitution reaction Methods 0.000 claims description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007239 Wittig reaction Methods 0.000 claims 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 claims 1
- 150000004675 formic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 3
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical class SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TXFPEBPIARQUIG-UHFFFAOYSA-N 4'-hydroxyacetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 TXFPEBPIARQUIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical class NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000003935 benzaldehydes Chemical class 0.000 description 2
- PFKFTWBEEFSNDU-UHFFFAOYSA-N carbonyldiimidazole Chemical compound C1=CN=CN1C(=O)N1C=CN=C1 PFKFTWBEEFSNDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSEFCHWGJNHZNT-UHFFFAOYSA-M methyl(triphenyl)phosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C)C1=CC=CC=C1 LSEFCHWGJNHZNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 2
- DCQVMMQPDMUIPC-UHFFFAOYSA-N (4-formylphenyl) carbonochloridate Chemical compound ClC(=O)OC1=CC=C(C=O)C=C1 DCQVMMQPDMUIPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEXRKQFZXJSHOB-UHFFFAOYSA-N (4-nitrophenyl) formate Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(OC=O)C=C1 IEXRKQFZXJSHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNZWAGASOUVTAF-UHFFFAOYSA-N (4-prop-1-en-2-ylphenyl) carbonochloridate Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(OC(Cl)=O)C=C1 QNZWAGASOUVTAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHNRZXQVBKRYKN-VQHVLOKHSA-N (ne)-n-(1-phenylethylidene)hydroxylamine Chemical group O\N=C(/C)C1=CC=CC=C1 JHNRZXQVBKRYKN-VQHVLOKHSA-N 0.000 description 1
- DZEOBARUYSTQEI-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(trimethylsilyl)ethanol Chemical compound C[Si](C)(C)C(O)(C)[Si](C)(C)C DZEOBARUYSTQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDIYNUQGXSNSNJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(trimethylsilyl)ethyl (4-prop-1-en-2-ylphenyl) carbonate Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(OC(=O)OC(C)([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C)C=C1 CDIYNUQGXSNSNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMARKUZRJZREC-UHFFFAOYSA-N 2-trimethylsilylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)[Si](C)(C)C TZMARKUZRJZREC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073735 4-hydroxy acetophenone Drugs 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002373 5 membered heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004070 6 membered heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 6-(4-aminophenyl)sulfonylpyridin-3-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=N1 XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVOFFOKAOXNMQW-UHFFFAOYSA-N ClCCl.C(C)(=O)C1=CC=CC=C1 Chemical compound ClCCl.C(C)(=O)C1=CC=CC=C1 FVOFFOKAOXNMQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Natural products OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASHANVMKBGZMDN-UHFFFAOYSA-N [Na].C[Si](C)(C)Cl Chemical compound [Na].C[Si](C)(C)Cl ASHANVMKBGZMDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-WFGJKAKNSA-N acetone d6 Chemical compound [2H]C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])[2H] CSCPPACGZOOCGX-WFGJKAKNSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- XCTMSCBHFJLFCT-UHFFFAOYSA-N benzyltin Chemical compound [Sn]CC1=CC=CC=C1 XCTMSCBHFJLFCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFFDSQBEGQFJJU-UHFFFAOYSA-N butyl hydrogen carbonate Chemical group CCCCOC(O)=O DFFDSQBEGQFJJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYYOBHFYCIDXHH-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;hydrate Chemical compound O.OC(O)=O JYYOBHFYCIDXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000012955 diaryliodonium Substances 0.000 description 1
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- VGRFVJMYCCLWPQ-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge].[Ge] VGRFVJMYCCLWPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Substances C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000021110 pickles Nutrition 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920005553 polystyrene-acrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical group CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000003638 stannyl group Chemical group [H][Sn]([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000006277 sulfonation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
- C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F30/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
- C08F30/04—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は有機金属含有スチレン誘導体、その製造方法、
前記スチレン誘導体の製造のために使用される新規なカ
ルボニル化合物、並びにある種の官能基を含むポリマー
と反応する有機金属含有試薬に関する。
前記スチレン誘導体の製造のために使用される新規なカ
ルボニル化合物、並びにある種の官能基を含むポリマー
と反応する有機金属含有試薬に関する。
(従来の技術及び発明が解決しようとする課題)スチレ
ン誘導体が、フリーラジカル、アニオン又はカチオン機
構により重合されてポリスチレンを与えることは知られ
ている。この種のポリマーが光照射によシ変わる、例え
ば分解する官能基を含む場合には、この種の材料はレジ
メト材料として採用され得る。このように米国特許第4
,491.628号には酸に不安定な側基、例えば第3
ブチルエステル基又は第3ブチルカーボネート基を有す
るポリマー、及び光照射時に酸を発生する光開始剤を含
む材料からなるレジスト組成物が記載されている。採用
されるポリマーは好ましくは、ビニルポリマー、例えば
ポリスチレン又はポリアクリレートであって、一方、使
用される光開始剤は、%lCオニウム塩、例えばジアリ
ールヨードニウム又はトリアリールスルホニウム塩であ
る。
ン誘導体が、フリーラジカル、アニオン又はカチオン機
構により重合されてポリスチレンを与えることは知られ
ている。この種のポリマーが光照射によシ変わる、例え
ば分解する官能基を含む場合には、この種の材料はレジ
メト材料として採用され得る。このように米国特許第4
,491.628号には酸に不安定な側基、例えば第3
ブチルエステル基又は第3ブチルカーボネート基を有す
るポリマー、及び光照射時に酸を発生する光開始剤を含
む材料からなるレジスト組成物が記載されている。採用
されるポリマーは好ましくは、ビニルポリマー、例えば
ポリスチレン又はポリアクリレートであって、一方、使
用される光開始剤は、%lCオニウム塩、例えばジアリ
ールヨードニウム又はトリアリールスルホニウム塩であ
る。
光に晒された領域に酸が発生して酸に不安定な基が分解
し、それにょシボリマーの極性が変る。画像を現像する
のに適当な極性又は非極性溶媒を選択することによシこ
のホトレジストによシボジ及びネガ画像の双方が形成さ
れ得る。
し、それにょシボリマーの極性が変る。画像を現像する
のに適当な極性又は非極性溶媒を選択することによシこ
のホトレジストによシボジ及びネガ画像の双方が形成さ
れ得る。
多くの応用、特にマイクロエレクトロニクスにとって、
溶剤によって現像され得るレジストは高度の要求には合
わず、乾式条件下で現像され得る組成物が好ましいとさ
れる。即ち、光照射後に分解して揮発性の粒子を与え一
#:、シ、あるいは光照射後に湿式現像剤を用いずにプ
ラズマによシ構造化され得るレジストが画像形成に必要
とされている。この目的のために種々の材料、例えばポ
リメタアクリル酸メf ル、ポリエチレンテレフタレー
、ト、ニトロセルロース又はポリイソプレン〔例えば、
エイテ・7ランケ(H−Franke )のアプライド
フィジックス レター(Appl、 Phys、 L
ett、 )45(1)、110等(184))が探索
されているが、この様な材料を使用した場合、種々の欠
陥、例えば低感度、不充分な安定性、不揮発性残分の形
成、酸素プラズマに対する不充分な抵抗あるいは不充分
な解像がしばしば観察される。
溶剤によって現像され得るレジストは高度の要求には合
わず、乾式条件下で現像され得る組成物が好ましいとさ
れる。即ち、光照射後に分解して揮発性の粒子を与え一
#:、シ、あるいは光照射後に湿式現像剤を用いずにプ
ラズマによシ構造化され得るレジストが画像形成に必要
とされている。この目的のために種々の材料、例えばポ
リメタアクリル酸メf ル、ポリエチレンテレフタレー
、ト、ニトロセルロース又はポリイソプレン〔例えば、
エイテ・7ランケ(H−Franke )のアプライド
フィジックス レター(Appl、 Phys、 L
ett、 )45(1)、110等(184))が探索
されているが、この様な材料を使用した場合、種々の欠
陥、例えば低感度、不充分な安定性、不揮発性残分の形
成、酸素プラズマに対する不充分な抵抗あるいは不充分
な解像がしばしば観察される。
乾式条件下で現像され得るポジレジストとしである種の
光開始剤と一緒に使用するのに適当なシリ1ン側基を有
するポリスチレンは、ヨーロッパ特許出願第17a2Q
8号及びマイクロ回路技術(Microeircuit
Engineering )471−481(198
5)に記載されている。この場合、エーテル酸素原子又
はアミンの窒素原子のいずれかを介してポリスチレン鎖
に付いているトリアルキルシリル基がレジストフィルム
の光照射領域において分解する1、これによシフイルム
の光照射領域がプラズマ現像によシ除去されるようにな
る一方、このフィルムの非光照射シリコン含有領域はプ
ラズマに対して抵抗を示すが、この系の欠点は画像を形
成するのに8080−12O/6Jといった比較的高い
光量を必要とすると共に適当な溶媒中でのポリマーの不
充分な溶解性を有する点にある。また、光照射の間に分
解するシリコン含有化合物の揮発性も必ずも満足なもの
とは言えない。
光開始剤と一緒に使用するのに適当なシリ1ン側基を有
するポリスチレンは、ヨーロッパ特許出願第17a2Q
8号及びマイクロ回路技術(Microeircuit
Engineering )471−481(198
5)に記載されている。この場合、エーテル酸素原子又
はアミンの窒素原子のいずれかを介してポリスチレン鎖
に付いているトリアルキルシリル基がレジストフィルム
の光照射領域において分解する1、これによシフイルム
の光照射領域がプラズマ現像によシ除去されるようにな
る一方、このフィルムの非光照射シリコン含有領域はプ
ラズマに対して抵抗を示すが、この系の欠点は画像を形
成するのに8080−12O/6Jといった比較的高い
光量を必要とすると共に適当な溶媒中でのポリマーの不
充分な溶解性を有する点にある。また、光照射の間に分
解するシリコン含有化合物の揮発性も必ずも満足なもの
とは言えない。
米国特許第4.44KO44号にはメタアクリル酸のシ
リコン含有オキシムエステル、のポリマーも乾式条件下
で現像することができ、短波長のUV領域に感度を有す
るポジレジストとして採用され得ることが記載されてい
る。この場合、トリメチルシリル基はメチレン橋を介し
て、直接、ポリマー側鎖のアセトフェノンオキシム基の
ベンゼン環についている。しかしながら、この系にはシ
リコン含有基の適当な離脱状態を得るためにはWoo−
4500rnJ/−と非常圧高い光量が必要とされる。
リコン含有オキシムエステル、のポリマーも乾式条件下
で現像することができ、短波長のUV領域に感度を有す
るポジレジストとして採用され得ることが記載されてい
る。この場合、トリメチルシリル基はメチレン橋を介し
て、直接、ポリマー側鎖のアセトフェノンオキシム基の
ベンゼン環についている。しかしながら、この系にはシ
リコン含有基の適当な離脱状態を得るためにはWoo−
4500rnJ/−と非常圧高い光量が必要とされる。
加えて、この系は良好な画像構造を得るためにはプラズ
マエツチング工程の前に高真空中で昇瀉瀉度での加熱を
必要とする。
マエツチング工程の前に高真空中で昇瀉瀉度での加熱を
必要とする。
(課題を解決するための手段)
ある種のシリル、スタニル又はゲルマニル基を基礎とす
る少なくとも1個の置換基を含むスチレン誘導体は、重
合して触媒量の特定の光開始剤と混合した場合に、輻射
線に対して非常に高感間を示すポリマーを与え得ること
が見出された。加えてこれ等のポリマーには酸素プラズ
マに対して高い抵抗が認められる。それが有利な場合に
は、この光照射されたポリマーは湿式条件下でも現像す
ることができ、使用する現像剤の極性に応じてポジ画像
あるいはネガ画像のいずれをも形成できる。更には光照
射の間にポリマーの側鎖から分解して自由となった化合
物は容易に揮発し、このため乾式現像のための非常に高
い温度のみならず高真空も必要とされなくなる。
る少なくとも1個の置換基を含むスチレン誘導体は、重
合して触媒量の特定の光開始剤と混合した場合に、輻射
線に対して非常に高感間を示すポリマーを与え得ること
が見出された。加えてこれ等のポリマーには酸素プラズ
マに対して高い抵抗が認められる。それが有利な場合に
は、この光照射されたポリマーは湿式条件下でも現像す
ることができ、使用する現像剤の極性に応じてポジ画像
あるいはネガ画像のいずれをも形成できる。更には光照
射の間にポリマーの側鎖から分解して自由となった化合
物は容易に揮発し、このため乾式現像のための非常に高
い温度のみならず高真空も必要とされなくなる。
本発明は次式!ニ
ア
(式中、R1ないしR6は互いに独立して炭素原子数1
ないし4のアルキル基、炭素原子数1ないし4のアルコ
キシ基、フェニル基、ベンジル茫、フェノキシ基、−M
(R”)3又は咀 を表わし、そしてR1ないしR3は更に水素原子を表わ
すこともでき、R7は水素原子又は炭素原子数1カいし
4のアルキル基を表わし、モしてR8は炭素原子数1な
いし4のアルキル基、炭素原子数1ないし4のアルコキ
シ基、フェニル基。
ないし4のアルキル基、炭素原子数1ないし4のアルコ
キシ基、フェニル基、ベンジル茫、フェノキシ基、−M
(R”)3又は咀 を表わし、そしてR1ないしR3は更に水素原子を表わ
すこともでき、R7は水素原子又は炭素原子数1カいし
4のアルキル基を表わし、モしてR8は炭素原子数1な
いし4のアルキル基、炭素原子数1ないし4のアルコキ
シ基、フェニル基。
ベンジル基又はフェノキシ基を表わし、Mは珪素原子、
ゲルマニウム原子、錫原子、CLSi又はO8iを表わ
し、そしてXはOoS又はNHを表わし、aは0又は1
を表わし、bは1から6までの整数を表わし、そしてC
は3から6までの整数を表わす。)で表わされる有機金
属含有スチレン誘導体に関する。
ゲルマニウム原子、錫原子、CLSi又はO8iを表わ
し、そしてXはOoS又はNHを表わし、aは0又は1
を表わし、bは1から6までの整数を表わし、そしてC
は3から6までの整数を表わす。)で表わされる有機金
属含有スチレン誘導体に関する。
本発明に関するスチレン誘導体中の基R1ないしRaの
炭素原子数1ないし4のアルキル基又は炭素原子数1な
いし4のアルコキシ基のアルキル基は枝分れしていても
、好ましくは直鎖であっても良く;その例としてはn−
、イソ−1第2又は第3ブチル、n−プロピル、インプ
ロピル、エチル及び特にメチル基が挙げられる。
炭素原子数1ないし4のアルキル基又は炭素原子数1な
いし4のアルコキシ基のアルキル基は枝分れしていても
、好ましくは直鎖であっても良く;その例としてはn−
、イソ−1第2又は第3ブチル、n−プロピル、インプ
ロピル、エチル及び特にメチル基が挙げられる。
特に好ましい式■の有機金属含有化合物はMがCHs
S i 、 O8i又は、特にSt を表わすシリコ
ン化合物である。
S i 、 O8i又は、特にSt を表わすシリコ
ン化合物である。
XがS又は、特にOを表わす本発明に係るスチレン誘導
体も、また好ましい。
体も、また好ましい。
前記定義に関し、本スチレン誘導体は少なくとも1個の
珪素、ゲルマニウム又は錫原子Mを含むが、これ等の原
子を2個以上含んでも差支えない。置換基R3及びR4
が一緒になって2価の物は、例えば1個の炭素原子及び
数個の金属原子を有する環を含む。これについてはS−
)!及び6−員環を有する化合物が好ましい。R4、H
s及びR6が同一である本発明に係る化合物もまた、好
ましい。
珪素、ゲルマニウム又は錫原子Mを含むが、これ等の原
子を2個以上含んでも差支えない。置換基R3及びR4
が一緒になって2価の物は、例えば1個の炭素原子及び
数個の金属原子を有する環を含む。これについてはS−
)!及び6−員環を有する化合物が好ましい。R4、H
s及びR6が同一である本発明に係る化合物もまた、好
ましい。
一般に、本発明に係る好ましいスチレン誘導体は、酸を
遊離する光開始剤の存在中で光照射した場合にCot
K加えて次式■8 (式中、R1ないしR6は前記式!で与えられた意見を
表わす。)で表わされる化合物を分解し、出来るだけ容
易に揮発するものである。この狙いは置換基R1ないし
R6及び金属原子Mの適当な組合せによシ達成されるこ
とが容易に理解されよう。
遊離する光開始剤の存在中で光照射した場合にCot
K加えて次式■8 (式中、R1ないしR6は前記式!で与えられた意見を
表わす。)で表わされる化合物を分解し、出来るだけ容
易に揮発するものである。この狙いは置換基R1ないし
R6及び金属原子Mの適当な組合せによシ達成されるこ
とが容易に理解されよう。
本発明に係る化合物中の基R1ないしR6の1個R$
ないし3の整数、特に1を表わす。
同様に好ましい式■のスチレン誘導体はR1及びR2が
水素原子を表わし、R3がメチル基又はS i (CH
s hを表わし、そしてR4ないしR6がそれぞれメチ
ル基を表わすものであるか、あるいはに出
Latim を表わすものであシ、特K R”及びR3がそれぞれ水
素原子を表わし、R3がメチル基又はS * (CH3
)sを表わし、そしてR4ないしR6がそれぞれメチル
基を表わす弐■のスチレン誘導体でおる。同様に好まし
い式Iの化合物はaがゼロを表わし、そしてR1が水素
原子又はメチル基を表わすものである。
水素原子を表わし、R3がメチル基又はS i (CH
s hを表わし、そしてR4ないしR6がそれぞれメチ
ル基を表わすものであるか、あるいはに出
Latim を表わすものであシ、特K R”及びR3がそれぞれ水
素原子を表わし、R3がメチル基又はS * (CH3
)sを表わし、そしてR4ないしR6がそれぞれメチル
基を表わす弐■のスチレン誘導体でおる。同様に好まし
い式Iの化合物はaがゼロを表わし、そしてR1が水素
原子又はメチル基を表わすものである。
特に好ましい式■の化合物は、R1及びR2がそぞれ水
素原子を表わし、そしてR3ないしR6がそれぞれメチ
ル基を表わすものである。特に好ましい本発明のスチレ
ン誘導体は、とシわけ4−(2′−トリメチルシリル−
2゛−プロポキシカルボニルオキシ)−スチレン、 4
− (2’−トリメチルシリル−2′−プロポキシカル
ボニルオキシ)−α−メチルスチレン及ヒ4− (1’
、 1’−ビストリメチルシリルエトキシカルボニルオ
キシ)−α−メチルスチレンである。
素原子を表わし、そしてR3ないしR6がそれぞれメチ
ル基を表わすものである。特に好ましい本発明のスチレ
ン誘導体は、とシわけ4−(2′−トリメチルシリル−
2゛−プロポキシカルボニルオキシ)−スチレン、 4
− (2’−トリメチルシリル−2′−プロポキシカル
ボニルオキシ)−α−メチルスチレン及ヒ4− (1’
、 1’−ビストリメチルシリルエトキシカルボニルオ
キシ)−α−メチルスチレンである。
本発明に係る式Iのスチレン誘導体は、a)直接次式■
R4R3
(式中、R1ないしR6及びMは前記式!で与えられた
意味を表わす。)で表わされる有機金属含有アルコール
を次式U[a (式中、R1は前記式Iで与えられた意味を表わす。)
で表わされるクロロ蟻酸誘導体と反応させるか、あるい
は次式V (式中、R1ないしR6及びMは前記式lで与えられた
意味を表わす。)で表わされる有機金属含有クロロ蟻酸
塩を次式Ma (式中、8丁は前記式■で与えられた意味を表わす。)
で表わされる化合物と反応させるか、あるいは b)対応するカルボニル化合物を介して前記式■の有機
金用含有アルコールを次式mb(式中、R7は前記式■
で与えられた意味を表わす。)で表わされるクロロ蟻酸
誘導体と反応させて次式■ (式中、R1ないしR1及びMは前記式Iで与えられた
意味を表わす。)で表わされるカルボニル化合物を与え
るか、あるいは 前記式Vの有機金属含有クロロ鰺酸塩を次式(式中、R
7は前記式!で与えられた意味を表わす。)で表わされ
る化合物と反応させることによシ前記式■の化合物を与
え、続いて前記式■のカルボニル化合物の燐イリド(p
hospho rousylid )とのウィツテイヒ
反応が行なわれる1、前記式■の有機金属含有アルコー
ルは公知であシ、また、公知の方法で製造され得る。こ
の様ナトリメチルクロロシランとアセトンを反応させる
ことによるシリコン含有アルコールの製造は有機金属化
学誌(J、 Organomet−ehem、 49(
1973)C9−C12に記載されている。
意味を表わす。)で表わされる有機金属含有アルコール
を次式U[a (式中、R1は前記式Iで与えられた意味を表わす。)
で表わされるクロロ蟻酸誘導体と反応させるか、あるい
は次式V (式中、R1ないしR6及びMは前記式lで与えられた
意味を表わす。)で表わされる有機金属含有クロロ蟻酸
塩を次式Ma (式中、8丁は前記式■で与えられた意味を表わす。)
で表わされる化合物と反応させるか、あるいは b)対応するカルボニル化合物を介して前記式■の有機
金用含有アルコールを次式mb(式中、R7は前記式■
で与えられた意味を表わす。)で表わされるクロロ蟻酸
誘導体と反応させて次式■ (式中、R1ないしR1及びMは前記式Iで与えられた
意味を表わす。)で表わされるカルボニル化合物を与え
るか、あるいは 前記式Vの有機金属含有クロロ鰺酸塩を次式(式中、R
7は前記式!で与えられた意味を表わす。)で表わされ
る化合物と反応させることによシ前記式■の化合物を与
え、続いて前記式■のカルボニル化合物の燐イリド(p
hospho rousylid )とのウィツテイヒ
反応が行なわれる1、前記式■の有機金属含有アルコー
ルは公知であシ、また、公知の方法で製造され得る。こ
の様ナトリメチルクロロシランとアセトンを反応させる
ことによるシリコン含有アルコールの製造は有機金属化
学誌(J、 Organomet−ehem、 49(
1973)C9−C12に記載されている。
前記式■の有機金包含有アルコールは有機化字詰(J、
Org−chem )45(1980)3571−s5
7aZh、0bahch、Khim、36(1966)
、 1709 、テトラヘドロンレター1976.1
591−1594、あるいは有機金属化学誌(J 、
Organowet、 Chem )1981 55−
47に記載された方法あるいはこれ等方法と同様の方法
によシ製造することもできる。
Org−chem )45(1980)3571−s5
7aZh、0bahch、Khim、36(1966)
、 1709 、テトラヘドロンレター1976.1
591−1594、あるいは有機金属化学誌(J 、
Organowet、 Chem )1981 55−
47に記載された方法あるいはこれ等方法と同様の方法
によシ製造することもできる。
前記式■の蟻酸訪導体も公知であり、例えば、ホスケン
を前記式■の置換フェノール、チオフェノール又はアニ
リンと、好ましくは、塩基、例えばピリジン又はジメチ
ルアニリンの如き3級アミンの存在下で反応させること
によって製造することができる。金属と結合した前記式
Vの有機金属含有クロロ蟻酸塩もまた同様に前記式■の
アルコールをホスゲンと反応させることによシ合成する
ことができる。前記式111aのクロロ蟻酸誘導体を製
造する方法は、例えばAngeW、M&krOmO1−
Chem、60/61 (1977) 125−137
又はドイツ公開特許第2.50&5t2号に記載され
ている。前記式111aのクロロ蟻酸誘導体もまた前記
式Maの対応する化合物をホスゲンと、例えばドイツ特
許明細書簡1,19&O1t号に記載された方法に従っ
て反応させることによフ製造され得る。クロロ蟻酸誘導
体、例えばクロロ蟻酸塩の適当な合成法並びにそのアル
コール、チオール及びアミンとの反応生成物の多くは、
例えばケミカル レビz = (Chem、Rev、
) 64(1964)445−687に記載されている
。
を前記式■の置換フェノール、チオフェノール又はアニ
リンと、好ましくは、塩基、例えばピリジン又はジメチ
ルアニリンの如き3級アミンの存在下で反応させること
によって製造することができる。金属と結合した前記式
Vの有機金属含有クロロ蟻酸塩もまた同様に前記式■の
アルコールをホスゲンと反応させることによシ合成する
ことができる。前記式111aのクロロ蟻酸誘導体を製
造する方法は、例えばAngeW、M&krOmO1−
Chem、60/61 (1977) 125−137
又はドイツ公開特許第2.50&5t2号に記載され
ている。前記式111aのクロロ蟻酸誘導体もまた前記
式Maの対応する化合物をホスゲンと、例えばドイツ特
許明細書簡1,19&O1t号に記載された方法に従っ
て反応させることによフ製造され得る。クロロ蟻酸誘導
体、例えばクロロ蟻酸塩の適当な合成法並びにそのアル
コール、チオール及びアミンとの反応生成物の多くは、
例えばケミカル レビz = (Chem、Rev、
) 64(1964)445−687に記載されている
。
前記式■の化合物は公知であシ、−船釣に、市販もされ
ている。
ている。
前記式■の有機金属含有カルボニル化合物は本発明に係
る前記式Iの化合物を製造するために開発されたもので
あシ、従ってこの化合物もまた本発明の課題を形成する
。この化合物は、例えば燐イリドとの公知方法によるウ
ィツテイヒ反応によシ前記式Iのスチレン誘導体に変え
ることができる。適当な燐イリドは1例えばメチルトリ
フェニルホスホニウム ブロマイドの様なメチルトリア
リールホスホニウム塩8強塩基、例えば水素化ナトリウ
ム又はカリウム第三ブチレートと反応させることによシ
製造され得る。ウィツテイヒ反応は、多くの報告書、例
えばハウスの“現代合成反応(Modern 5ynt
heticReactions ) ’ 2版9頁68
2−709.ダブリュー・ニー°ベンジャミン社(W、
A、 Benjamin Inc、 *)メンローパ
ーク 力ルホルニア、米国1972に記載されている。
る前記式Iの化合物を製造するために開発されたもので
あシ、従ってこの化合物もまた本発明の課題を形成する
。この化合物は、例えば燐イリドとの公知方法によるウ
ィツテイヒ反応によシ前記式Iのスチレン誘導体に変え
ることができる。適当な燐イリドは1例えばメチルトリ
フェニルホスホニウム ブロマイドの様なメチルトリア
リールホスホニウム塩8強塩基、例えば水素化ナトリウ
ム又はカリウム第三ブチレートと反応させることによシ
製造され得る。ウィツテイヒ反応は、多くの報告書、例
えばハウスの“現代合成反応(Modern 5ynt
heticReactions ) ’ 2版9頁68
2−709.ダブリュー・ニー°ベンジャミン社(W、
A、 Benjamin Inc、 *)メンローパ
ーク 力ルホルニア、米国1972に記載されている。
本発明は次式■
(式中、R1ないしR・及びMは前記弐1中で定義され
た意味を表わし、Yは求核置換のために適′当な脱離基
を表わす。)で表わされる有機金属含有化合物にも関す
る。
た意味を表わし、Yは求核置換のために適′当な脱離基
を表わす。)で表わされる有機金属含有化合物にも関す
る。
本発明に係る前記式■及び■の化合物における記号R1
ないしR’、M、Xiびaの好ましい意味は前記式■に
おけるそれ等の記号の好ましい意味と同様である。
ないしR’、M、Xiびaの好ましい意味は前記式■に
おけるそれ等の記号の好ましい意味と同様である。
式■の化合物は、それ等を、ポリマー中の例えばある種
の求核官能基、例えばヒドロキシル基、メルカプト基、
アミノ基又はイミノ基と反応させ、それによシ次式■8 (式中、HtないしR6及びMは前記式■で与えられた
意味を表わす。)で表わされる基を有機金属含有基とし
てこのポリマーに付加することによシ有機金属含有ポリ
マーを製造するための価値ある出発物質でもある。この
反応に適当なポリマーの例としてはポリアルコール及び
ポリフェノール、例えばポリビニルアルコール、ノボラ
ック又はポリ−4−ヒドロキシスチレン、ポリチオール
又はポリイミンが挙げられる。
の求核官能基、例えばヒドロキシル基、メルカプト基、
アミノ基又はイミノ基と反応させ、それによシ次式■8 (式中、HtないしR6及びMは前記式■で与えられた
意味を表わす。)で表わされる基を有機金属含有基とし
てこのポリマーに付加することによシ有機金属含有ポリ
マーを製造するための価値ある出発物質でもある。この
反応に適当なポリマーの例としてはポリアルコール及び
ポリフェノール、例えばポリビニルアルコール、ノボラ
ック又はポリ−4−ヒドロキシスチレン、ポリチオール
又はポリイミンが挙げられる。
求核置換に適当な脱離基Yは公知である。この脱離基を
選択する際に最も重要なことは、この脱離基がそれが反
応すべきポリマー中の官能基よシも求核性が少ないこと
である。
選択する際に最も重要なことは、この脱離基がそれが反
応すべきポリマー中の官能基よシも求核性が少ないこと
である。
特に適当な前記式■の化合物中の脱離基Yは、電子受容
性基によって置換されたフェノキシ基あるいは環中に少
なくとも1個、好ましくは2個の異原子、例えば0.S
及び特にN原子を含み、そして分子中のカルボニル基に
これ等異原子の1個を介して結合した5−員又は6−員
の複素環構造体を表わす。適当な脱離基Yの例としては
1−イミダゾリル基又は次式■ (式中、R9はハロゲン原子、特にフッ素原子、塩素原
子又は臭素原子、No2.CN又はCFsを表わし、d
は1ないし5、好ましくは1ないし3の整数を表わす。
性基によって置換されたフェノキシ基あるいは環中に少
なくとも1個、好ましくは2個の異原子、例えば0.S
及び特にN原子を含み、そして分子中のカルボニル基に
これ等異原子の1個を介して結合した5−員又は6−員
の複素環構造体を表わす。適当な脱離基Yの例としては
1−イミダゾリル基又は次式■ (式中、R9はハロゲン原子、特にフッ素原子、塩素原
子又は臭素原子、No2.CN又はCFsを表わし、d
は1ないし5、好ましくは1ないし3の整数を表わす。
)で表わされる基を表わす。
4−ニトロフェノキシ基が式■の特に適当な基である。
前記式■の化合物はそれ自体公知の方法、例えば前記式
Vの有機金属含有クロロ蟻酸塩を次式■ Y H(IK) (式中、Yは前記意味を表わす。) の化合物と反応させることによりs造することができる
。
Vの有機金属含有クロロ蟻酸塩を次式■ Y H(IK) (式中、Yは前記意味を表わす。) の化合物と反応させることによりs造することができる
。
他の適当な合成方法は前記式■の有機金属含有アルコー
ルを次式X CI−C−Y CX)(式中
、Yは前記意味を表わす。) で表わされるクロロ蟻酸前導体、あるいは次式(式中、
Yは前記意味を表わす。) で表わされるカルボニル化合物と反応させる方法である
。
ルを次式X CI−C−Y CX)(式中
、Yは前記意味を表わす。) で表わされるクロロ蟻酸前導体、あるいは次式(式中、
Yは前記意味を表わす。) で表わされるカルボニル化合物と反応させる方法である
。
前記式X又は式Xの化合物は、例えばホスゲンを前記式
■の化合物と反応させることにより製造され得る。
■の化合物と反応させることにより製造され得る。
前記式■の化合物は公知であり、−船釣に市販されてい
る。
る。
前記式Xの化合物を介して前記式■の化合物を製造する
合成法はYが上述した複素環基の1種である場合に特に
適当である。前記式Xの適当な化合物の1例としては1
.1′−カルボニルジイミダゾールが挙げられる。
合成法はYが上述した複素環基の1種である場合に特に
適当である。前記式Xの適当な化合物の1例としては1
.1′−カルボニルジイミダゾールが挙げられる。
最初に述べた様に、本発明に係る化合物は適当な光開始
剤と混合した際に輻射線に感度を有し、プラズマに対し
て抵抗を示すレジスト材料として採用され得、そして乾
式条件下で現像され得る有機金属含有ポリマーの製造の
ための価値ある出発物質である。
剤と混合した際に輻射線に感度を有し、プラズマに対し
て抵抗を示すレジスト材料として採用され得、そして乾
式条件下で現像され得る有機金属含有ポリマーの製造の
ための価値ある出発物質である。
(実施例及び発明の効果)
下記実施例により本発明を更に詳しく説明する。
実m例1 : 2−トリメチルシリル−2−プロパツ
ール83F(12モル)のリチウム粉末をまず窒素下で
スリのジ璽インド及び機械的攪拌器を設は九102容器
に入れる。61の無水THPを加え、この混合物を0℃
に冷却する。1500f(1i8モル)のトリメチルク
ロロシラ/及び31 St(5,4そル)のア七トンを
混合し、前記リチウム懸濁液に滴下漏斗を介して滴下し
て加える。この反応温度をこの間0℃に保つべきである
。添加が完了した時点で冷却を止め、この混合物を50
℃で1−2時間攪拌する。この溶液を塩及び過剰のリチ
ウムから分離する。残分をn−ペンタンで洗浄し、F液
を濃縮する。そうする際に溶剤を常圧下金属コート充填
カラムを通してまず除去する。すると2−トリメチルシ
リル−2−プロパツールのトリメチルシリルエーテルが
20ミリバール下で得られる。300f(28%)の沸
点47−48℃の無点液体が得られる。
ール83F(12モル)のリチウム粉末をまず窒素下で
スリのジ璽インド及び機械的攪拌器を設は九102容器
に入れる。61の無水THPを加え、この混合物を0℃
に冷却する。1500f(1i8モル)のトリメチルク
ロロシラ/及び31 St(5,4そル)のア七トンを
混合し、前記リチウム懸濁液に滴下漏斗を介して滴下し
て加える。この反応温度をこの間0℃に保つべきである
。添加が完了した時点で冷却を止め、この混合物を50
℃で1−2時間攪拌する。この溶液を塩及び過剰のリチ
ウムから分離する。残分をn−ペンタンで洗浄し、F液
を濃縮する。そうする際に溶剤を常圧下金属コート充填
カラムを通してまず除去する。すると2−トリメチルシ
リル−2−プロパツールのトリメチルシリルエーテルが
20ミリバール下で得られる。300f(28%)の沸
点47−48℃の無点液体が得られる。
”H−NMR(Ccl!4): Oi)pm(s、9
H)(H2O)3Si−co、1 ppm(s 、 9
HXHsC)s 5i−O15ppm(s 、 6H)
(H2O)2 C元素分析二 計算値 実測値 %C52,8st6 %H118117 252fのトリメチルシリルエーテルヲ900.dのジ
エチルエーテルに溶解し、そして700ai!015%
HC1!を加える。2相混合物を還流下で激しく攪拌し
ながら約1時間加熱する。有機相を分離し、1回水洗し
、次いで重炭酸ナトIJウム溶液で完全に洗りて乾燥し
、そしてこのエーテルを常圧下で蒸発除去する。残分を
100 ミIJバール下で充填カラムを通して蒸留する
。これKよfi 63f(65%)の65℃で蒸留し、
ガスクロマトグラフィー(GC)の測定により97チを
越える純度を有する透明な液体が得られる。
H)(H2O)3Si−co、1 ppm(s 、 9
HXHsC)s 5i−O15ppm(s 、 6H)
(H2O)2 C元素分析二 計算値 実測値 %C52,8st6 %H118117 252fのトリメチルシリルエーテルヲ900.dのジ
エチルエーテルに溶解し、そして700ai!015%
HC1!を加える。2相混合物を還流下で激しく攪拌し
ながら約1時間加熱する。有機相を分離し、1回水洗し
、次いで重炭酸ナトIJウム溶液で完全に洗りて乾燥し
、そしてこのエーテルを常圧下で蒸発除去する。残分を
100 ミIJバール下で充填カラムを通して蒸留する
。これKよfi 63f(65%)の65℃で蒸留し、
ガスクロマトグラフィー(GC)の測定により97チを
越える純度を有する透明な液体が得られる。
’H−NMR(Ccl!4): Oppm(s、9H)
(HsC)ISil 1 ppm(s 、 6H) (
H2O)2 C17 ppm(s、IH)HO− 元素分析:計算値 実測値 チC54,4854,19 %H12,191198 224f(2モル)の−−ヒドロキシベンズアルデヒド
及び2I!のトルエン中の2Mホスゲン溶液(4モルの
ホスゲン)をスリのシロインド。
(HsC)ISil 1 ppm(s 、 6H) (
H2O)2 C17 ppm(s、IH)HO− 元素分析:計算値 実測値 チC54,4854,19 %H12,191198 224f(2モル)の−−ヒドロキシベンズアルデヒド
及び2I!のトルエン中の2Mホスゲン溶液(4モルの
ホスゲン)をスリのシロインド。
機械的攪拌器及び温度計を設けた51の容器中にまず窒
素下で入れる。2421(2モル)のジメチルアニリン
を一5℃で滴下して加える。滴下による添加が完了した
時点でこの混合物を更に2時間0°Cで攪拌する。次い
で室温まで暖ため、過剰のホスゲンを窒素によシ追出し
、そしてとの残分を氷水中に注ぐ。この有機相を希塩酸
で完全に洗い、硫酸ナトリウムで、乾燥する。
素下で入れる。2421(2モル)のジメチルアニリン
を一5℃で滴下して加える。滴下による添加が完了した
時点でこの混合物を更に2時間0°Cで攪拌する。次い
で室温まで暖ため、過剰のホスゲンを窒素によシ追出し
、そしてとの残分を氷水中に注ぐ。この有機相を希塩酸
で完全に洗い、硫酸ナトリウムで、乾燥する。
この溶媒ヲロータリエバボレータで留去する。
この残分を高真空下で蒸留する。これによシ250f(
68%〕の4−(クロロカルボニルオキシ)−ベンズア
ルデヒドが結晶−84℃10.2ミリバールで沸騰する
透明液体として得られる。
68%〕の4−(クロロカルボニルオキシ)−ベンズア
ルデヒドが結晶−84℃10.2ミリバールで沸騰する
透明液体として得られる。
この液体は冷却時に間作し、その融点は室温よりやや上
である。
である。
元素分析 計算値 実測値
% C52,口6 Si07%H2,
752,74 %C1!19.21 2126 43 f (233ミリモル)のこのクロa蟻酸塩を5
0−の塩化メチレンに溶解し、そしてこの溶液を窒素下
で5α8 t (233ミIJモル)の2−トリメチル
シリル−2−グロバノール及ヒ18.42(235ミリ
モル)のピリジンの塩化メチレン120d中の溶液に滴
下して加える。この溶液の温度をこの間5℃以下に維持
する。滴下による添加が完了した時点でこの混合物を室
温まで暖ためる。
752,74 %C1!19.21 2126 43 f (233ミリモル)のこのクロa蟻酸塩を5
0−の塩化メチレンに溶解し、そしてこの溶液を窒素下
で5α8 t (233ミIJモル)の2−トリメチル
シリル−2−グロバノール及ヒ18.42(235ミリ
モル)のピリジンの塩化メチレン120d中の溶液に滴
下して加える。この溶液の温度をこの間5℃以下に維持
する。滴下による添加が完了した時点でこの混合物を室
温まで暖ためる。
窒素下での12時間の後、塩から分離し、そしてこの有
機相を希塩酸、水及び重炭酸ナトリウム溶液で洗浄する
。乾燥の後溶媒を除去する。
機相を希塩酸、水及び重炭酸ナトリウム溶液で洗浄する
。乾燥の後溶媒を除去する。
この残分を移動相と[5てクロロホルムを使用してシリ
カゲル上にクロマトグラフ展開する。これにより3α6
1(46チ)の4−(2′−トリメチルシリル−2’−
グロヒルオキシカルポニルオキシ)−ベンズアルデヒド
が無色液体として得られる。
カゲル上にクロマトグラフ展開する。これにより3α6
1(46チ)の4−(2′−トリメチルシリル−2’−
グロヒルオキシカルポニルオキシ)−ベンズアルデヒド
が無色液体として得られる。
’H−NM)も()−ヒドン−d6) : 0.
1 ppm(s、9kl) (H3C)3 Si
15 ppm(s、 6H) (H3C)2 C7、5
−7,9pprn (m、4H) )i−Ar。
1 ppm(s、9kl) (H3C)3 Si
15 ppm(s、 6H) (H3C)2 C7、5
−7,9pprn (m、4H) )i−Ar。
10 ppm (s 、 IH) C)i0元素分析
二 計算値 実測値 %C59,9759,62 %H7,197,18 %Si 10.01 9.95このベン
ズアルデヒド誘導体をウィツテイヒ反応により対応する
スチレン誘導体に変える:400−の無水THF中の3
8.6f(108ミリモル)のメチルトリフェニルホス
ホニウムブロマイドを滴下漏斗及び温度計を備えた11
!の50丸底フラスコ中にまず入れる。12.2F(1
08ミリモル)のカリウム第三ブチラードを加え、そし
てこの混合物を窒素下で1時間室温で攪拌する。180
m1!のTHF 中に溶解した20F(72ミリモル)
のベンズアルデヒド誘導体を次いで室温で滴下して加え
る。15時間後、薄層りaマドグラフィー(1:1トル
エン/ヘキサン)により生成物のみが示される。この混
合物を氷水中に注ぎ、2回h−ヘキサンで抽出する。有
機相を2回水洗し7、乾燥、蒸発を行なう。残分を1=
1トルエン/ヘキサンを用いてシリカゲルカラムにクロ
マトグラムを展開する。これにより高真空下で蒸留(沸
点110℃10.05ミリバール)し得る13F(65
%)の無色液体が得られる。
二 計算値 実測値 %C59,9759,62 %H7,197,18 %Si 10.01 9.95このベン
ズアルデヒド誘導体をウィツテイヒ反応により対応する
スチレン誘導体に変える:400−の無水THF中の3
8.6f(108ミリモル)のメチルトリフェニルホス
ホニウムブロマイドを滴下漏斗及び温度計を備えた11
!の50丸底フラスコ中にまず入れる。12.2F(1
08ミリモル)のカリウム第三ブチラードを加え、そし
てこの混合物を窒素下で1時間室温で攪拌する。180
m1!のTHF 中に溶解した20F(72ミリモル)
のベンズアルデヒド誘導体を次いで室温で滴下して加え
る。15時間後、薄層りaマドグラフィー(1:1トル
エン/ヘキサン)により生成物のみが示される。この混
合物を氷水中に注ぎ、2回h−ヘキサンで抽出する。有
機相を2回水洗し7、乾燥、蒸発を行なう。残分を1=
1トルエン/ヘキサンを用いてシリカゲルカラムにクロ
マトグラムを展開する。これにより高真空下で蒸留(沸
点110℃10.05ミリバール)し得る13F(65
%)の無色液体が得られる。
’H−NMR,(アセトン−d6): 0.05 p
pm(s、9H) (H3C)3 S il 4
5 ppm(s、 6H) (H3C)2 C5,1−
5,8ppm(m、 2H) H2C−65−6,8p
pm(m 、 1H) =作−7,0−7,5ppm(
m、4H)H−Ar。
pm(s、9H) (H3C)3 S il 4
5 ppm(s、 6H) (H3C)2 C5,1−
5,8ppm(m、 2H) H2C−65−6,8p
pm(m 、 1H) =作−7,0−7,5ppm(
m、4H)H−Ar。
元素分析: 計算値 実測値
%C64,7165,95
%H7,977,91
%Si 10.0? 10.24実施例3
: 4−(2” トリメチルシリル−27−プロ
ポキシとのモノマーは、4−ヒドロキシアセトフェノン
から出発して全〈実施例2で記載されたスチレン誘導体
と同様にして製造される。製造された化合物の収率及び
物理データは下記の通りである: 4−(クロロカルボニルオキシラーアセトフェノン収率
82%、 融点35℃ ’)(−NMlt(CDcl!3) : 2.6 pp
m(s、 3H)H3C−C、7,25−&10ppm
(m、4H)H−Ar。
: 4−(2” トリメチルシリル−27−プロ
ポキシとのモノマーは、4−ヒドロキシアセトフェノン
から出発して全〈実施例2で記載されたスチレン誘導体
と同様にして製造される。製造された化合物の収率及び
物理データは下記の通りである: 4−(クロロカルボニルオキシラーアセトフェノン収率
82%、 融点35℃ ’)(−NMlt(CDcl!3) : 2.6 pp
m(s、 3H)H3C−C、7,25−&10ppm
(m、4H)H−Ar。
元素分析: 計算値 実測値
%e 54.43 54.41%H&55
K59 %ce17.135 1778 収率68%、 融点41℃ 1H−NMFL(7−tトy−d6): Q、1
ppm(s、9H)(H3C)3 5i15 ppm
(s、 6H) (H3C)2C2,6ppm(s、
3H) H3C−C7、25−8,1ppm(m、 4
H) H−Ar。
K59 %ce17.135 1778 収率68%、 融点41℃ 1H−NMFL(7−tトy−d6): Q、1
ppm(s、9H)(H3C)3 5i15 ppm
(s、 6H) (H3C)2C2,6ppm(s、
3H) H3C−C7、25−8,1ppm(m、 4
H) H−Ar。
元素分析二 計算値 実測値
%C6t1?6α90
%H7,537,48
収率53%、 沸点 118℃10.04 ミリバ
ール”H−NMR(7−1=トン−d6): IN
ppm (s、9H) (H3C)3 Sit
s ppm (s 、 6H) (kbC)202.
1 ppm (m、 3H) H3C−a=c5.1−
5.4ppm(m、2H)H2C=C’ニア、1−7.
6ppm(m、4H)H−Ar。
ール”H−NMR(7−1=トン−d6): IN
ppm (s、9H) (H3C)3 Sit
s ppm (s 、 6H) (kbC)202.
1 ppm (m、 3H) H3C−a=c5.1−
5.4ppm(m、2H)H2C=C’ニア、1−7.
6ppm(m、4H)H−Ar。
元素分析: 計算値 実測値
%C65,7165,77
4H178,30
10f(36ミリモル)の4−(2’−)リメチルシI
J A/ −2’−プ・ポキシカルボ=ルオキシ)−ス
チレン(実施例2に従って製造)を20mのトルエンに
溶解し、そして1モル−〇2.2’−アゾビスイソブチ
o = )リルを加える。この溶液から酸素を除去し、
窒素下70℃で重合する。
J A/ −2’−プ・ポキシカルボ=ルオキシ)−ス
チレン(実施例2に従って製造)を20mのトルエンに
溶解し、そして1モル−〇2.2’−アゾビスイソブチ
o = )リルを加える。この溶液から酸素を除去し、
窒素下70℃で重合する。
数時間後忙粘調溶液を50M1の塩化メチレンで希釈し
、500M1のメタノール中に注ぐ。この沈殿したポリ
マーを再び塩化メチレン中に溶解し、メタノール中で再
沈する。このポリマーを高真空中50℃で乾燥する。収
率6 f (60%)。
、500M1のメタノール中に注ぐ。この沈殿したポリ
マーを再び塩化メチレン中に溶解し、メタノール中で再
沈する。このポリマーを高真空中50℃で乾燥する。収
率6 f (60%)。
1H−NMEL(CDC/3) : (11ppm(s
、 9H)(H3C)35i(175−2,25(m/
s、 9H) −CH2−Q(−及び (HaC)zC 6,2−7,1ppm (m、 4H) H−Ar。
、 9H)(H3C)35i(175−2,25(m/
s、 9H) −CH2−Q(−及び (HaC)zC 6,2−7,1ppm (m、 4H) H−Ar。
元素分析 : 計算値 実測、値
%C64,7164,75
チH7,967,92
分子量は、ポリスチレンを標準としてテトラヒドロ72
ン中のゲル透過りaマドグラフィ(GPC)を用いるこ
とKよly Mn−42,000及びMW−87,00
0と測定される。
ン中のゲル透過りaマドグラフィ(GPC)を用いるこ
とKよly Mn−42,000及びMW−87,00
0と測定される。
熱重量分析: 空気中4℃/分の加熱速度で160℃で
の重量損失は約10チである。175℃で化合物は完全
にカルボキシル部分が失なわれる。重量損失は55%で
あシ、これは正確にCO,の消失及びインプロペニルト
リメチルシランに相邑する。
の重量損失は約10チである。175℃で化合物は完全
にカルボキシル部分が失なわれる。重量損失は55%で
あシ、これは正確にCO,の消失及びインプロペニルト
リメチルシランに相邑する。
20?(68ミリモル)のモノマーをガラス栓と合わせ
た100−の丸底フラスコ中の塩化メチレン60mj中
に溶解する。酸素をこの溶液から除き、そして塩化メチ
レン中のBF2・Et、0の1M溶液11mを窒素下、
−78℃で加える。重合を−20ないし一40℃で行な
う。18時間後粘調溶液を1jのメタノール中に注ぐ。
た100−の丸底フラスコ中の塩化メチレン60mj中
に溶解する。酸素をこの溶液から除き、そして塩化メチ
レン中のBF2・Et、0の1M溶液11mを窒素下、
−78℃で加える。重合を−20ないし一40℃で行な
う。18時間後粘調溶液を1jのメタノール中に注ぐ。
沈殿したポリマーを分離して乾燥し、そして塩化メチレ
ン/メタノール中で再沈する。次いで高真空中50℃で
乾燥fる。l5t(65%)のポリマーを得る。
ン/メタノール中で再沈する。次いで高真空中50℃で
乾燥fる。l5t(65%)のポリマーを得る。
”H−■R(CDCe5) : 0,1 ppm(S
、 9H) (CH3)3S!1.0−2.1ppm(
m/s、11H)Qち−C、−CH2−、CH3,−C
−CH36、477,2ppm(m、 4H) H−A
r。
、 9H) (CH3)3S!1.0−2.1ppm(
m/s、11H)Qち−C、−CH2−、CH3,−C
−CH36、477,2ppm(m、 4H) H−A
r。
元素分析二 計算値 実測値
%Ctss、;’1 65,7s
%)i 8.27 8.20%S i
9.60 9.68T HF中のGPC測足によ
ればkinが33,000、そしてMwが84,000
と示される。
9.60 9.68T HF中のGPC測足によ
ればkinが33,000、そしてMwが84,000
と示される。
熱重鷺分析: 空気中で4°C/分の速度で加熱した場
合、約155°Cで10%の、171℃で約53%のN
全損失がある。この53%の垂蓋損失はC02の完全な
消失とインプロペニルトリメチルシランに対応する。
合、約155°Cで10%の、171℃で約53%のN
全損失がある。この53%の垂蓋損失はC02の完全な
消失とインプロペニルトリメチルシランに対応する。
1ot(フロミリモル)の2−トリメチルシリル−2−
プロパツール、6f(フロミリモル)のピリジン及び3
01m7の塩化メチレンを窒素下で温度計、滴下漏斗及
び磁気攪拌器を備えた100mA!のガラスフラスコ中
にまず入れ、そしてこの溶液を0℃に冷却する。1s、
2r(フロミリモル)の4−二トロフェニルク口口ホル
メートを20m1の塩化メチレン中に溶解し、そして温
度が0℃と5℃の間に保たれる速度で上記溶液に滴下し
て加える。
プロパツール、6f(フロミリモル)のピリジン及び3
01m7の塩化メチレンを窒素下で温度計、滴下漏斗及
び磁気攪拌器を備えた100mA!のガラスフラスコ中
にまず入れ、そしてこの溶液を0℃に冷却する。1s、
2r(フロミリモル)の4−二トロフェニルク口口ホル
メートを20m1の塩化メチレン中に溶解し、そして温
度が0℃と5℃の間に保たれる速度で上記溶液に滴下し
て加える。
滴下による添加が完了した後、混合物を室温まで暖ため
、そして更に約1時間攪拌する。次いでこれを氷水中に
注ぎ、そして有機相を1N11ce続いてNa HL’
03で洗浄する。乾燥の後、この有機相を濃縮し、そし
て残分をn−ヘキサンから再結晶する。これによシ融点
61℃の結晶物質10F(44%)が得られる。
、そして更に約1時間攪拌する。次いでこれを氷水中に
注ぎ、そして有機相を1N11ce続いてNa HL’
03で洗浄する。乾燥の後、この有機相を濃縮し、そし
て残分をn−ヘキサンから再結晶する。これによシ融点
61℃の結晶物質10F(44%)が得られる。
’H−NMR(7−hトン−d6) : 0.1
ppm(s、9H) ()−〇)、8it55
ppm(s、6H) (H2O)IC7,4−8,1p
pm(m、 4H) H−Ar。
ppm(s、9H) ()−〇)、8it55
ppm(s、6H) (H2O)IC7,4−8,1p
pm(m、 4H) H−Ar。
元素分析: 計算値 実測値
%C52,5152,31
%H、4446,41
4N 4.71 4.60実施例7:
1−(2’−トリメチルシリル−2′−プロポキシ10
F(フロミリモル)の2−トリメチルシリル−2−プロ
パツール、14.7F(91ミリモル)の1.1′−カ
ルボニルジイミダゾール及び50slの塩化メチレンを
窒素下で、コンデンサー、温度計及び磁気攪拌器を備え
たスルホン化用フラスコ中にまず入れる。この混合物を
次いで還流下で21時間攪拌する。これを氷水に注ぎ、
相を分離した後有機相を再び2回水で洗う。この有機相
を乾燥そしてロータリエバポレータで濃縮し、残分を高
真空下で蒸留する。これにより沸点90℃/α1ミリバ
・−ルの無色液体11.3 t(66チ)が得られる。
1−(2’−トリメチルシリル−2′−プロポキシ10
F(フロミリモル)の2−トリメチルシリル−2−プロ
パツール、14.7F(91ミリモル)の1.1′−カ
ルボニルジイミダゾール及び50slの塩化メチレンを
窒素下で、コンデンサー、温度計及び磁気攪拌器を備え
たスルホン化用フラスコ中にまず入れる。この混合物を
次いで還流下で21時間攪拌する。これを氷水に注ぎ、
相を分離した後有機相を再び2回水で洗う。この有機相
を乾燥そしてロータリエバポレータで濃縮し、残分を高
真空下で蒸留する。これにより沸点90℃/α1ミリバ
・−ルの無色液体11.3 t(66チ)が得られる。
1H−心込M(7−ヒトンーd6): α2 ppm
(s、9H)(H3()38i16 ppm (s、
6H) (H2O)2 CZ74 and 8.1p
pm(s、3H)H−イミダゾール 元素分析−計算値 実測値 %C5五06 52.31 %H8,028,02 %N 12.38 12.4
0塩化メチレン中での4−(クロロカルボニルオキシ)
−アセトフエノーンと1.1−ビストリメチルシリルエ
タノール(テトラヘドロンレター。
(s、9H)(H3()38i16 ppm (s、
6H) (H2O)2 CZ74 and 8.1p
pm(s、3H)H−イミダゾール 元素分析−計算値 実測値 %C5五06 52.31 %H8,028,02 %N 12.38 12.4
0塩化メチレン中での4−(クロロカルボニルオキシ)
−アセトフエノーンと1.1−ビストリメチルシリルエ
タノール(テトラヘドロンレター。
1976 1591−1594中に記載されている様に
して製造)との間の動台反応を実施例2中に記載された
縮合反応と同様圧して行なう。カラムクロマトグラフィ
ーによシ精裂することによシヘキサンから再結晶され得
る固体を得る。
して製造)との間の動台反応を実施例2中に記載された
縮合反応と同様圧して行なう。カラムクロマトグラフィ
ーによシ精裂することによシヘキサンから再結晶され得
る固体を得る。
収率60チ、 融点795℃
”H−メ餞CDC13): (CH3)ssi(18H
,3) : 0.12 ppmCH3−C(3H,3)
: 1.6 ppmCH3−C=0(3H、3) :
2.6 ppm芳香性(4H、m) : 7.2−8
.05 ppm元素分析二 計算値 実測値 %C57,9158,01 チH8,(H8,13 %Si 15.93 15.92笑施例2と
同様にしてウィツテイヒ反応を行なう。カラムクロマト
グラフィーによう精製することKより41%の収率で無
色液体が得られる。
,3) : 0.12 ppmCH3−C(3H,3)
: 1.6 ppmCH3−C=0(3H、3) :
2.6 ppm芳香性(4H、m) : 7.2−8
.05 ppm元素分析二 計算値 実測値 %C57,9158,01 チH8,(H8,13 %Si 15.93 15.92笑施例2と
同様にしてウィツテイヒ反応を行なう。カラムクロマト
グラフィーによう精製することKより41%の収率で無
色液体が得られる。
’H−NMR(CDC/3) : ((13)38i(
18H,3) : CL 15 ppmCH3−C(3
H,3) : 1.6 ppmC)1!−C= (3
H,m) : 2.15 ppmCH,=C(2H,m
) : 5.04−5.33ppm芳香性 (4H,m
) : 7.00−7.53 ppm元素分析 二 計
算値 実測値 % C6t66 61.57 % H8,638,77 %8i 1ao216.08 実施例9 :ポリー(41’、1’−ビストリメチルシ
リル20f(57ミリモル)の4−(1’、 j’−ビ
ストリメチルシリルエトキシカルボニルオキシ−α−メ
チルスチレン(実施例8に従うて製造)を磁気攪拌器を
備えた250−の丸底フラスコ中の無水塩化メチレン6
0m/に溶解し、そしてこの混合物から冷凍/解凍技法
を用いて真空/窒素ラインにより酸素を除去する。この
溶液をマイナス60℃まで冷却し、そして12ミリモル
の新しく蒸留したB1゛3・Et、0を加える。重合を
18時間にわたりマイナス60℃とマイナス40℃の間
で行なう。粘稠溶液を11!のメタノール中に沈殿させ
る。白色ポリマー粉末を乾燥し、100m1の’l’
HF中に溶解し、そしてこの溶液を濾過して11のメタ
ノール中だ再沈させる。得られたポリマーを分離し、空
気中P材上に吸引乾燥し、高真空中50℃で乾燥する。
18H,3) : CL 15 ppmCH3−C(3
H,3) : 1.6 ppmC)1!−C= (3
H,m) : 2.15 ppmCH,=C(2H,m
) : 5.04−5.33ppm芳香性 (4H,m
) : 7.00−7.53 ppm元素分析 二 計
算値 実測値 % C6t66 61.57 % H8,638,77 %8i 1ao216.08 実施例9 :ポリー(41’、1’−ビストリメチルシ
リル20f(57ミリモル)の4−(1’、 j’−ビ
ストリメチルシリルエトキシカルボニルオキシ−α−メ
チルスチレン(実施例8に従うて製造)を磁気攪拌器を
備えた250−の丸底フラスコ中の無水塩化メチレン6
0m/に溶解し、そしてこの混合物から冷凍/解凍技法
を用いて真空/窒素ラインにより酸素を除去する。この
溶液をマイナス60℃まで冷却し、そして12ミリモル
の新しく蒸留したB1゛3・Et、0を加える。重合を
18時間にわたりマイナス60℃とマイナス40℃の間
で行なう。粘稠溶液を11!のメタノール中に沈殿させ
る。白色ポリマー粉末を乾燥し、100m1の’l’
HF中に溶解し、そしてこの溶液を濾過して11のメタ
ノール中だ再沈させる。得られたポリマーを分離し、空
気中P材上に吸引乾燥し、高真空中50℃で乾燥する。
収率:白色ポリマー粉末a1p(51%)。
元素分析二 計算値 実測値
%C61,666t60
%Ha63 8.62
$Si 16112 16.03GPC(T
HF) : Mn−52,000mw −102,00
0 熱重量分析: ポリマーは170 ”QでCO□と1.
1−ビストリメチルシリルエチレンとに分解する。
HF) : Mn−52,000mw −102,00
0 熱重量分析: ポリマーは170 ”QでCO□と1.
1−ビストリメチルシリルエチレンとに分解する。
101(75,6ミリモル)の2−トリメチルシリル−
2−グロパノール及び7.29 (91ミリモル)のピ
リジンを滴下漏斗及び温度計を備えた2 50mlの3
0フラスコ中の無水塩化メチレン100コに溶解する。
2−グロパノール及び7.29 (91ミリモル)のピ
リジンを滴下漏斗及び温度計を備えた2 50mlの3
0フラスコ中の無水塩化メチレン100コに溶解する。
この溶液を0℃に冷却した後、17.1(9α5ミリモ
ル)の4−クロロホルミルオキシ−α−メチルスチレン
(ドイツ公開特許筒2.50 a512号の実施例6.
2に従って製造)を滴下して加える。滴下による添加が
完了した時点で混合物を室温まで暖ため、そして懸濁液
を更に1時間攪拌する。その結果化じたどりジン塩酸塩
を除去し、そして有機相をそれぞれI N HC1!、
水及び飽和重炭酸す) IJウム溶液で2回づつ完全に
洗浄する。次いで硫酸ナトリウムにより乾燥し、ロータ
リエバポレータで濃縮する。この液体生成物を移動相と
してトルエンを使用してシリカゲルカラム上で精製する
。これにより実施例3に記載した物質と同様の性質を有
する14F(40ミリモル、6Sチ収率)の4−(2′
−トリメチルシリル−2′−プロポキシカルボニルオキ
シ)−α−メチルスチレンが得られる。
ル)の4−クロロホルミルオキシ−α−メチルスチレン
(ドイツ公開特許筒2.50 a512号の実施例6.
2に従って製造)を滴下して加える。滴下による添加が
完了した時点で混合物を室温まで暖ため、そして懸濁液
を更に1時間攪拌する。その結果化じたどりジン塩酸塩
を除去し、そして有機相をそれぞれI N HC1!、
水及び飽和重炭酸す) IJウム溶液で2回づつ完全に
洗浄する。次いで硫酸ナトリウムにより乾燥し、ロータ
リエバポレータで濃縮する。この液体生成物を移動相と
してトルエンを使用してシリカゲルカラム上で精製する
。これにより実施例3に記載した物質と同様の性質を有
する14F(40ミリモル、6Sチ収率)の4−(2′
−トリメチルシリル−2′−プロポキシカルボニルオキ
シ)−α−メチルスチレンが得られる。
使用例: ポリマーに対し7て10重#チの4−フェニ
ルチオフエニルジフェニルスルホニウムへキサフルオロ
ヒ酸塩〔高分子科学誌(J。
ルチオフエニルジフェニルスルホニウムへキサフルオロ
ヒ酸塩〔高分子科学誌(J。
Polymer Sci 、 ) r高分子化学出版(
Polymerchem、 Ed、 ) 18 、26
77−2695(1985) )中に記載されている様
に製造)をシクロヘキサン中の実施例4のポリマーの1
0重量%溶液に加える。この溶液を0.5ミクロンフィ
ルターを通してシリコンウェハーに滴下して加え、回転
塗布により均一なフィルムを形成する。このポリマーフ
ィルムを20分間にわたり90℃で乾燥する。無定形の
均一なフィルムの層厚は0.5μmである。このフィル
ムをクロム−石英マスクを通して254 nm の光&
C1−2mJ/−の光量で晒す。次いでこの露光された
材料を90℃で1a分間にわたシ現像する。高解像マス
クパターンが鮮明に認められる。この露光領域を反応性
イオンエツチング装置中、アニソトロピック条件(02
流れ:20標準CC/分、圧カニ4×10qリバール、
35ワツト)下で酸素プラズマにより鮮明にエツチング
される一方、未露光領域は攻撃されない。即ち、測定に
より露光領域は未露光領域に比べて30倍以上の速さで
エツチングされる。この技法により乾式条件下、レジス
ト中のサブミクロン構造までを現像することができるよ
うになる。
Polymerchem、 Ed、 ) 18 、26
77−2695(1985) )中に記載されている様
に製造)をシクロヘキサン中の実施例4のポリマーの1
0重量%溶液に加える。この溶液を0.5ミクロンフィ
ルターを通してシリコンウェハーに滴下して加え、回転
塗布により均一なフィルムを形成する。このポリマーフ
ィルムを20分間にわたり90℃で乾燥する。無定形の
均一なフィルムの層厚は0.5μmである。このフィル
ムをクロム−石英マスクを通して254 nm の光&
C1−2mJ/−の光量で晒す。次いでこの露光された
材料を90℃で1a分間にわたシ現像する。高解像マス
クパターンが鮮明に認められる。この露光領域を反応性
イオンエツチング装置中、アニソトロピック条件(02
流れ:20標準CC/分、圧カニ4×10qリバール、
35ワツト)下で酸素プラズマにより鮮明にエツチング
される一方、未露光領域は攻撃されない。即ち、測定に
より露光領域は未露光領域に比べて30倍以上の速さで
エツチングされる。この技法により乾式条件下、レジス
ト中のサブミクロン構造までを現像することができるよ
うになる。
特 許 出 願 人 チバーガイギーアクチェンゲ
ゼルシャフト 代理人弁理士 萼 優 美 −°゛−(ほか2名)
“
ゼルシャフト 代理人弁理士 萼 優 美 −°゛−(ほか2名)
“
Claims (13)
- (1)次式 I : ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1ないしR_6は互いに独立して炭素原子
数1ないし4のアルキル基、炭素原子数1ないし4のア
ルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、フェノキシ基、
基−M(R^8)_3又は▲数式、化学式、表等があり
ます▼を表わし、 あるいはR^3及びR^4は一緒になって▲数式、化学
式、表等があります▼を表わし、そしてR^1ないしR
^3は更に水素原子を表わすこともでき、R^7は水素
原子又は炭素原子数1ないし4のアルキル基を表わし、
そしてR^8は炭素原子数1ないし4のアルキル基、炭
素原子数1ないし4のアルコキシ基、フェニル基、ベン
ジル基又はフェノキシ基を表わし、Mは珪素原子、ゲル
マニウム原子、錫原子、CH_2Si又はOSiを表わ
し、そしてXはO、S又はNHを表わし、aは0又は1
を表わし、bは1から6までの整数を表わし、そしてC
は3から6までの整数を表わす。)で表わされることを
特徴とする有機金属含有スチレン誘導体。 - (2)MがCH_2Si、OSi又はSiを表わす請求
項1記載のスチレン誘導体。 - (3)XがS又はOを表わす請求項1記載のスチレン誘
導体。 - (4)R^1及びR^2がそれぞれ水素原子を表わし、
R^3がメチル基又はSi(CH_3)_3を表わし、
そしてR^4ないしR^6がそれぞれメチル基を表わす
か、あるいは、R^3及びR^4が1緒になって▲数式
、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表等
があります▼を表わす請求項1 記載のスチレン誘導体。 - (5)R^1及びR^2がそれぞれ水素原子を表わし、
R^3がメチル基又はSi(CH_3)_3を表わし、
そしてR^4ないしR^6がそれぞれメチル基を表わす
請求項4記載のスチレン誘導体。 - (6)aがゼロを表わし、そしてR^7が水素原子又は
メチル基を表わす請求項1記載のスチレン誘導体。 - (7)式 I の化合物が4−(2′−トリメチルシリル
−2′−プロポキシカルボニルオキシ)−スチレン、4
−(2′−トリメチルシリル−2′−プロポキシカルボ
ニルオキシ)−α−メチルスチレン及び4−(1′,1
′−ビストリメチルシリルエトキシカルボニルオキシ)
−α−メチルスチレンを表わす請求項1記載のスチレン
誘導体。 - (8)a)直接次式II ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1ないしR^6及びMは請求項 I で定義
された意味を表わす。)で表わされる有機金属含有アル
コールを次式IIIa ▲数式、化学式、表等があります▼(IIIa) (式中、R^7は請求項 I で定義された意味を表わす
。)で表わされるクロロ蟻酸誘導体と反応させるか、あ
るいは次式V ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、R^1ないしR^6及びMは請求項 I で定義
された意味を表わす。)で表わされる有機金属含有クロ
ロ蟻酸塩を次式VIa ▲数式、化学式、表等があります▼(VIa) (式中、R^7は請求項 I で定義された意味を表わす
。)で表わされる化合物と反応させるか、あるいは b)対応するカルボニル化合物を介して前記式IIの有機
金属含有アルコールを次式IIIb ▲数式、化学式、表等があります▼(IIIb) (式中、R^7は請求項 I で定義された意味を表わす
。)で表わされるクロロ蟻酸誘導体と反応させて次式I
V ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R^1ないしR^7及びMは請求項 I で定義
された意味を表わす。)で表わされるカルボニル化合物
を与えるか、あるいは 前記式Vの有機金属含有クロロ蟻酸塩を次式VIb ▲数式、化学式、表等があります▼(VIb) (式中、R^7は請求項 I で定義された意味を表わす
。)で表わされる化合物と反応させることにより前記式
IVの化合物を与え、続いて前記式IVのカルボニル化合物
の燐イリドとのウィッティヒ反応を行なうことによる請
求項1記載の式 I の有機金属含有スチレン誘導体の製
造方法。 - (9)次式IV ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R^1ないしR^7、M、X及びaは請求項
I で定義された意味を表わす。) で表わされる有機金属含有カルボニル化合物。 - (10)次式VII ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) (式中、R^1ないしR^6及びMは請求項1で定義さ
れた意味を表わし、Yは求核置換を行なうのに適当な脱
離基を表わす。) で表わされる有機金属含有化合物。 - (11)Yが1−イミダゾリル基又は次式VIII▲数式、
化学式、表等があります▼(VIII) (式中、R^9はハロゲン原子、NO_2、CN又はC
F_3を表わし、dは1ないし5の整数を表わす。)で
表わされる基を表わす請求項10記載の化合物。 - (12)前記式VIIIaの基が4−ニトロフェノキシ基を
表わす請求項11記載の化合物。 - (13)請求項8の式Vの有機金属含有クロロ蟻酸塩を
次式IX YH(IX) (式中、Yは請求項9で定義された意味を表わす。) で表わされる化合物と反応させるか、あるいは請求項8
記載の式IIの有機金属含有アルコールを次式(X) ▲数式、化学式、表等があります▼(X) (式中、Yは請求項9で定義された意味を表わす。) で表わされるクロロ蟻酸誘導体又は次式X I ▲数式、
化学式、表等があります▼(X I ) (式中、Yは請求項9で定義された意味を表わす。) で表わされるカルボニル化合物と反応させることにより
請求項10記載の式VIIで表わされる化合物を製造する
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH03425/87-2 | 1987-09-07 | ||
CH342587 | 1987-09-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01100179A true JPH01100179A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=4255706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63224365A Pending JPH01100179A (ja) | 1987-09-07 | 1988-09-07 | 有機金属含有化合物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4916247A (ja) |
EP (1) | EP0307356A3 (ja) |
JP (1) | JPH01100179A (ja) |
KR (1) | KR890005128A (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5329034A (en) * | 1990-08-09 | 1994-07-12 | Sagami Chemical Research Center | Silanol compounds, polymerizable monomers and polymers having mesogenic groups |
DE69526998T2 (de) * | 1994-03-25 | 2002-12-19 | Novartis Ag | Licht-Diffusor und Herstellungsverfahren eines Licht-Diffusors |
US6358675B1 (en) | 1998-10-02 | 2002-03-19 | 3M Innovative Properties Company | Silicon-containing alcohols and polymers having silicon-containing tertiary ester groups made therefrom |
US6171757B1 (en) | 1999-07-12 | 2001-01-09 | International Business Machines Corporation | Organometallic polymers and use thereof |
MY143187A (en) * | 2005-03-23 | 2011-03-31 | Ciba Holding Inc | Coating compositions for marking substrates |
CN101228034B (zh) * | 2005-07-25 | 2010-06-09 | 西巴特殊化学品控股有限公司 | 用于标记基材的水基透明涂料及其制备方法和产品 |
JP2010533749A (ja) * | 2007-07-18 | 2010-10-28 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 被覆組成物 |
KR20100037148A (ko) * | 2007-07-18 | 2010-04-08 | 바스프 에스이 | 레이저 감응성 코팅 제제 |
US8853314B2 (en) | 2008-10-23 | 2014-10-07 | Datalase Ltd. | Heat absorbing additives |
EP2342295A1 (en) | 2008-10-27 | 2011-07-13 | DataLase Ltd | Coating composition for marking substrates |
GB0906756D0 (en) * | 2009-04-20 | 2009-06-03 | Givaudan Sa | Alpha-silyl alcohols possessing olfactory properties reminiscent of patchouli oil |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2840603A (en) * | 1956-10-12 | 1958-06-24 | Dow Chemical Co | Vinylphenyl aliphatic aminocarboxylic acids |
US3321361A (en) * | 1964-04-06 | 1967-05-23 | Stauffer Chemical Co | Acaricidal method |
DE1795262B2 (de) * | 1968-08-30 | 1972-12-07 | Farbwerke Hoechst AG, vormals Mei ster Lucius & Bruning, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von fluor- und siliciumhaltigen polykondensaten |
DE3141860A1 (de) * | 1981-10-22 | 1983-05-05 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Trifluormethyl-phenoxy-phenyl-silicium-derivate, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als herbizide und pflanzenwuchsregulatoren |
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
FR2570844B1 (fr) * | 1984-09-21 | 1986-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Film photosensible a base de polymere silicie et son utilisation comme resine de masquage dans un procede de lithographie |
-
1988
- 1988-08-29 US US07/237,473 patent/US4916247A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-08-30 EP EP19880810597 patent/EP0307356A3/de not_active Withdrawn
- 1988-09-07 JP JP63224365A patent/JPH01100179A/ja active Pending
- 1988-09-07 KR KR1019880011577A patent/KR890005128A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR890005128A (ko) | 1989-05-11 |
US4916247A (en) | 1990-04-10 |
EP0307356A3 (de) | 1990-11-22 |
EP0307356A2 (de) | 1989-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62115440A (ja) | ホトレジスト組成物およびt−置換オルガノメチルビニルアリ−ルエ−テル材料 | |
JPH11322656A (ja) | 新規なカリックスアレーン誘導体およびカリックスレゾルシナレーン誘導体、ならびに感光性組成物 | |
JPH01100179A (ja) | 有機金属含有化合物 | |
JPH0219849A (ja) | 感放射線混合物及びレリーフパターン作製方法 | |
JP2005518476A (ja) | フッ素化された分子並びに、その製造及び使用法 | |
JP2000026541A (ja) | フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ンの形成方法、及び、半導体素子 | |
EP0129834B1 (en) | Photo and radiation-sensitive organopolymeric material | |
KR910004040B1 (ko) | 유기금속 중합체 | |
US4965316A (en) | Radiation sensitive polymers and use thereof | |
US5981141A (en) | Chemically amplified resists | |
Akelah et al. | Photochemical reactions of polymers bearing chalcone residues | |
JPH03148257A (ja) | 光重合開始剤として有用な新規スルホニウム塩 | |
JPS63101427A (ja) | アルカリ可溶性ラダ−シリコ−ン | |
KR20080062119A (ko) | 수용성 광개시제 | |
JPH0558446B2 (ja) | ||
US6596830B2 (en) | Silicon-containing polymer and bilayer resist composition based thereon | |
JP2606653B2 (ja) | 珪素含有スルホニウム塩及びフォトレジスト組成物 | |
JPS62209528A (ja) | 新規なるレジスト材料 | |
JP2682417B2 (ja) | 珪素含有スルホニウム塩化合物 | |
JP2009143983A (ja) | 光酸発生剤及びフォトリソグラフィ用樹脂組成物 | |
Akelah et al. | Photochemical reactivities of photosensitive polymers containing chalcone derivatives | |
Kim et al. | Chemically amplified resists containing vinyllactam derivatives | |
Vicari | The Synthesis and Evaluation of Acylsilanes as New Photocrosslinking Agents | |
JPS6243426A (ja) | アルカリ可溶性シルメチレン重合体 | |
Kim et al. | New dry-developable chemically amplified photoresist |