JP7504834B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7504834B2 JP7504834B2 JP2021091340A JP2021091340A JP7504834B2 JP 7504834 B2 JP7504834 B2 JP 7504834B2 JP 2021091340 A JP2021091340 A JP 2021091340A JP 2021091340 A JP2021091340 A JP 2021091340A JP 7504834 B2 JP7504834 B2 JP 7504834B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hollow portion
- semiconductor layer
- photoelectric conversion
- semiconductor device
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 196
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 69
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 150
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 17
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
10 表面
20 裏面
11 第1面
21 第2面
30 中間面
310 導電部材
103、203 固体材料
130、230 中空部
220 溝
Claims (13)
- 表面と前記表面とは反対側の裏面を有し、複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の前記表面の上に配された配線層とを備えた半導体装置において、
前記表面を含み前記表面に沿った仮想的な平面を第1面、前記裏面を含み前記裏面に沿った仮想的な平面を第2面、前記第1面および前記第2面から等しい距離に位置する仮想的な平面を第3面として、
前記半導体層に配され、前記複数の光電変換部のうちのある光電変換部と別の光電変換部との間に配され、前記裏面に連続し、前記第3面を貫通し、前記第1面と前記第3面との間に位置する前記第1面側の端部を有する溝と、
前記溝の中に配された中空部と、
前記溝の中に配され、前記第2面から前記端部まで延在する部分を含み、前記中空部を包囲する固体材料と、を有し、
前記第1面と前記第2面を結ぶ方向における前記中空部の中心は、前記第1面と前記第3面との間に位置し、
前記方向において、前記中空部の中心と前記第1面との距離は、前記中空部の長さの半分よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 前記中空部の一部は、前記第2面と前記第3面との間に位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、前記半導体層を貫通する導電部材を有し、
前記第1面側に配され、前記導電部材の周りに配された素子分離部と、を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記半導体層を貫通し、前記導電部材と前記半導体層の一部との間に位置する貫通孔を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記導電部材は前記配線層に接続することを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置。
- 前記素子分離部はSTI構造であることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記複数の光電変換部は、第1光電変換部と、第2光電変換部と、第3光電変換部と、第4光電変換部と、を含み、
平面視において、前記溝は、前記第1光電変換部と前記第2光電変換部と前記第3光電変換部と前記第4光電変換部との間に配された十字状の部分を有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記複数の光電変換部は、第1導電型の第1半導体領域を有し、
前記方向において、前記中空部の長さは前記第1半導体領域の長さよりも短いことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体層の厚さは、2μmから10μmの間であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、前記配線層と前記半導体層を電気的に接続するプラグを有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体装置の製造方法であって、
表面と前記表面とは反対側の裏面を有し、複数の光電変換部を有する半導体層を準備する工程と、
前記半導体層の前記表面の上に配線層を形成する工程と、
前記表面を含み前記表面に沿った仮想的な平面を第1面、前記裏面を含み前記裏面に沿った仮想的な平面を第2面、前記第1面および前記第2面から等しい距離に位置する仮想的な平面を第3面として、前記第3面を貫通するように前記半導体層に前記裏面側から溝を形成する工程と、
前記溝の中に絶縁体である固体材料と中空部とを形成する工程と、を有し、
前記溝を形成する工程において、前記溝は、前記複数の光電変換部のうちのある光電変換部と別の光電変換部との間に配され、前記第1面と前記第3面との間に位置する前記第1面側の端部を有し、
前記固体材料は、前記中空部を包囲し、前記第2面から前記溝の前記端部まで延在し、
前記第1面と前記第2面を結ぶ方向における前記中空部の中心は、前記第1面と前記第3面との間に位置し、前記方向において、前記中空部の中心と前記第1面との距離が前記中空部の長さの半分よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体層を準備する工程は、前記半導体層を含む半導体基板を薄くする工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝を形成する工程は、前記溝の幅が前記溝の前記端部に向かうほど狭くなるように行われる請求項11または12に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021091340A JP7504834B2 (ja) | 2020-04-06 | 2021-05-31 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020068363A JP2020102656A (ja) | 2020-04-06 | 2020-04-06 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2021091340A JP7504834B2 (ja) | 2020-04-06 | 2021-05-31 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020068363A Division JP2020102656A (ja) | 2020-04-06 | 2020-04-06 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021121043A JP2021121043A (ja) | 2021-08-19 |
JP7504834B2 true JP7504834B2 (ja) | 2024-06-24 |
Family
ID=71139918
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020068363A Pending JP2020102656A (ja) | 2020-04-06 | 2020-04-06 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2021091340A Active JP7504834B2 (ja) | 2020-04-06 | 2021-05-31 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020068363A Pending JP2020102656A (ja) | 2020-04-06 | 2020-04-06 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2020102656A (ja) |
Citations (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005123449A (ja) | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2008010544A (ja) | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子 |
JP2011044489A (ja) | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2012038981A (ja) | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器 |
US20120153128A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Stmicroelectronics Sa | Image sensor with reduced optical crosstalk |
US20120153500A1 (en) | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Kyoung-Hee Kim | Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices |
US20120193797A1 (en) | 2010-09-30 | 2012-08-02 | Huilong Zhu | 3d integrated circuit structure and method for manufacturing the same |
JP2012178429A (ja) | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2012204810A (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法。 |
US20120292782A1 (en) | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microelectronic devices having conductive through via electrodes insulated by gap regions |
JP2012256785A (ja) | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
US20130115769A1 (en) | 2011-11-07 | 2013-05-09 | Globalfounderies Singapore Pte. Ltd. | Method for forming an air gap around a through-silicon via |
JP2013175494A (ja) | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
WO2013160976A1 (ja) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014072296A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Canon Inc | 半導体装置 |
JP2014072297A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Canon Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014130922A (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014204047A (ja) | 2013-04-08 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN104253082A (zh) | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
JP2015076569A (ja) | 2013-10-11 | 2015-04-20 | ソニー株式会社 | 撮像装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
JP2015511765A (ja) | 2012-02-27 | 2015-04-20 | クアルコム,インコーポレイテッド | Tsvの歪緩和のための構造および方法 |
JP2015111604A (ja) | 2012-04-05 | 2015-06-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2015162679A (ja) | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 負の電荷物質を含むトレンチを有するイメージセンサー及びその製造方法 |
US20150263054A1 (en) | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deep trench isolation with air-gap in backside illumination image sensor chips |
US20150372031A1 (en) | 2014-06-23 | 2015-12-24 | Junho YOON | Image sensor and method of fabricating the same |
JP2015029047A5 (ja) | 2014-03-19 | 2016-02-18 | ||
US20160204143A1 (en) | 2015-01-13 | 2016-07-14 | Yun Ki Lee | Image sensors and methods of forming the same |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101934864B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2019-03-18 | 삼성전자주식회사 | 관통 실리콘 비아 구조물 및 그 제조 방법, 이를 포함하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP6120094B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2017-04-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
-
2020
- 2020-04-06 JP JP2020068363A patent/JP2020102656A/ja active Pending
-
2021
- 2021-05-31 JP JP2021091340A patent/JP7504834B2/ja active Active
Patent Citations (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005123449A (ja) | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2008010544A (ja) | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子 |
JP2011044489A (ja) | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2012038981A (ja) | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器 |
US20120193797A1 (en) | 2010-09-30 | 2012-08-02 | Huilong Zhu | 3d integrated circuit structure and method for manufacturing the same |
US20120153500A1 (en) | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Kyoung-Hee Kim | Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices |
US20120153128A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Stmicroelectronics Sa | Image sensor with reduced optical crosstalk |
JP2012178429A (ja) | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2013175494A (ja) | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2012204810A (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法。 |
US20120292782A1 (en) | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microelectronic devices having conductive through via electrodes insulated by gap regions |
JP2012256785A (ja) | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
US20130115769A1 (en) | 2011-11-07 | 2013-05-09 | Globalfounderies Singapore Pte. Ltd. | Method for forming an air gap around a through-silicon via |
JP2015511765A (ja) | 2012-02-27 | 2015-04-20 | クアルコム,インコーポレイテッド | Tsvの歪緩和のための構造および方法 |
JP2015111604A (ja) | 2012-04-05 | 2015-06-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び、電子機器 |
WO2013160976A1 (ja) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014072297A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Canon Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014072296A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Canon Inc | 半導体装置 |
JP2014130922A (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014204047A (ja) | 2013-04-08 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013251539A5 (ja) | 2013-05-16 | 2016-06-02 | ||
CN104253082A (zh) | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
JP2015076569A (ja) | 2013-10-11 | 2015-04-20 | ソニー株式会社 | 撮像装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
JP2015162679A (ja) | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 負の電荷物質を含むトレンチを有するイメージセンサー及びその製造方法 |
US20150263054A1 (en) | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deep trench isolation with air-gap in backside illumination image sensor chips |
JP2015029047A5 (ja) | 2014-03-19 | 2016-02-18 | ||
US20150372031A1 (en) | 2014-06-23 | 2015-12-24 | Junho YOON | Image sensor and method of fabricating the same |
US20160204143A1 (en) | 2015-01-13 | 2016-07-14 | Yun Ki Lee | Image sensors and methods of forming the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020102656A (ja) | 2020-07-02 |
JP2021121043A (ja) | 2021-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10804313B2 (en) | Semiconductor device and solid-state imaging device | |
JP6700811B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5306123B2 (ja) | 裏面照射型固体撮像装置 | |
JP5853351B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 | |
US9324744B2 (en) | Solid-state image sensor having a trench and method of manufacturing the same | |
JP7277248B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US11569289B2 (en) | Image sensor having stress releasing structure and method of forming same | |
JP6256562B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
WO2009141952A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9871072B2 (en) | Photoelectric conversion device, image pickup system, and method for manufacturing photoelectric conversion device | |
JP7140718B2 (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
JP7504834B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6233376B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP2013089871A (ja) | 固体撮像素子ウエハ、固体撮像素子の製造方法、および固体撮像素子 | |
JP2020102485A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20220415960A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2017117968A (ja) | 半導体装置 | |
JP6236181B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2020129688A (ja) | 撮像装置 | |
JP2023004854A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2024011954A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2020129672A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231212 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20231213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240612 |