JP7504802B2 - 固体撮像素子、固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
1.実施形態
1-1.固体撮像素子の構成
1-2.固体撮像素子の積層構造
1-3.画素回路の構成
2.第1変形例
3.第2変形例
4.第3変形例
5.第4変形例
6.第5変形例
7.第6変形例
8.固体撮像装置への適用例
9.内視鏡手術システムへの応用例
10.移動体への応用例
[1-1.固体撮像素子の構成]
図1を用いて、本開示の実施形態に係る固体撮像素子の構成要素について説明する。図1は、本開示の実施形態に係る固体撮像素子の構成要素の一例を示すブロック図である。本開示の実施形態に係る固体撮像素子は、デジタルカメラなどを搭載する種々の電子機器に適用することができる。
図2を用いて、本開示の実施形態に係る固体撮像素子の積層構造について説明する。図2は、本開示の実施形態に係る固体撮像素子の積層構造を説明するための模式図である。
図4を用いて、本開示の実施形態に係る画素回路の構成について説明する。図4は、本開示の実施形態に係る画素回路の構成を示す回路図である。
図7を用いて、本実施形態の第1変形例に係る画素内のトランジスタの配置について説明する。図7は、本実施形態の第1変形例に係る画素内のトランジスタの配置を示す模式図である。
図8を用いて、本実施形態の第2変形例に係る画素内のトランジスタの配置について説明する。図8は、本実施形態の第2変形例に係る画素内のトランジスタの配置を示す模式図である。
図9を用いて、本実施形態の第3変形例に係る画素内のトランジスタの配置について説明する。図9は、本実施形態の第3変形例に係る画素内のトランジスタの配置を示す模式図である。
図10を用いて、本実施形態の第4変形例に係る画素内のトランジスタの配置について説明する。図10は、本実施形態の第4変形例に係る画素内のトランジスタの配置を示す模式図である。
図13を用いて、本実施形態の第5変形例に係る画素内のトランジスタの配置について説明する。図13は、本実施形態の第5変形例に係る画素内のトランジスタの配置を示す模式図である。
図15を用いて、本実施形態の第6変形例に係る画素内のトランジスタの配置について説明する。図15は、本実施形態の第6変形例に係る画素内のトランジスタの配置を示す模式図である。
また、上述したような、各固体撮像素子は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)
画素に入射された光を光電変換部によって光電変換することで画素信号を生成し、前記画素信号を増幅する第1トランジスタが配置された画素回路を備え、
前記画素回路は、
参照信号発生部から参照信号が入力される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタとに、バイアス電流を出力する第3トランジスタと、を有する、
固体撮像素子。
(2)
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのソースは、前記第3トランジスタのドレインと接続され、
前記第2トランジスタのゲートに前記参照信号発生部が接続され、
前記第3トランジスタのソースはグランドに接続されている、
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのドレインは、外部のカレントミラー回路に接続されている、
前記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとは、この順で直線状に配置されている、
前記(1)~(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記第2トランジスタのソースと、前記第3トランジスタのドレインが接続されているグランドノードとが、隣接して配置されている、
前記(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとは、拡散層を共有している、
前記(1)~(5)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)
前記第3トランジスタは、複数の前記画素回路で共有されている、
前記(1)~(6)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(8)
前記第3トランジスタは、複数の前記画素回路に渡って形成された引き回し配線によって共有されている、
前記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
複数の前記画素回路は、積層された複数の半導体基板に渡って設けられており、
前記第3トランジスタは、複数の前記半導体基板に渡って設けられた複数の前記画素回路で共有されている、
前記(7)または(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記画素回路が配置された第1半導体基板と、
前記第1半導体基板に積層され、前記画素回路が配置されていない第2半導体基板とを備え、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとのうち、少なくとも前記第3トランジスタは、前記第2半導体基板の前記画素に配置されている、
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタとは、前記第2半導体基板の前記画素に配置されている、
前記(10)に記載の固体撮像素子。
(12)
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとが、前記画素回路が配置された基板とは異なる基板に配置されている、
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(13)
画素に入射された光を光電変換部によって光電変換することで画素信号を生成し、前記画素信号を増幅する第1トランジスタが配置された画素回路を備え、
前記画素回路は、
参照信号発生部から参照信号が入力される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタとに、バイアス電流を出力する第3トランジスタと、を有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に、被写体からの入射光を導く光学系と、を有する、
固体撮像装置。
(14)
画素に入射された光を光電変換部によって光電変換することで画素信号を生成し、前記画素信号を増幅する第1トランジスタが配置された画素回路を備え、
前記画素回路は、
参照信号発生部から参照信号が入力される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタとに、バイアス電流を出力する第3トランジスタと、を有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に、被写体からの入射光を導く光学系と、を含む、固体撮像装置を搭載した、
電子機器。
20 画素回路
21 光電変換部
22 排出トランジスタ
23 転送トランジスタ
24 リセットトランジスタ
25 浮遊拡散層(FD)
26 増幅トランジスタ(第1トランジスタ)
27 参照トランジスタ(第2トランジスタ)
28 バイアストランジスタ(第3トランジスタ)
30 カレントミラー回路
31,32 トランジスタ
100 第1基板
110 画素アレイ部
111 画素
200 第2基板
210 ロジック回路
220 画素駆動回路
230 DAC
240 垂直駆動回路
250 タイミング生成回路
260 出力部
270 周辺回路
300 第3基板
1010 固体撮像装置
11000 内視鏡手術システム
12000 車両制御システム
Claims (8)
- 画素に入射された光を光電変換部によって光電変換することで画素信号を生成し、前記画素信号を増幅する第1トランジスタが配置された画素回路を備え、
前記画素回路は、
参照信号発生部から参照信号が入力される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタとに、バイアス電流を出力する第3トランジスタと、を有し、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのソースは、前記第3トランジスタのドレインと接続され、
前記第2トランジスタのゲートに前記参照信号発生部が接続され、
前記第3トランジスタのソースはグランドに接続され、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのドレインは、外部のカレントミラー回路に接続されており、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとは、この順で直線状に隣接するように配置されており、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとは、拡散層を共有している、
固体撮像素子。 - 前記第2トランジスタのソースと、前記第3トランジスタのドレインが接続されているグランドノードとが、隣接して配置されている、
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第3トランジスタは、複数の前記画素回路で共有されている、
請求項1又は2に記載の固体撮像素子。 - 前記第3トランジスタは、複数の前記画素回路に渡って形成された引き回し配線によって共有されている、
請求項3に記載の固体撮像素子。 - 複数の前記画素回路は、積層された複数の半導体基板に渡って設けられており、
前記第3トランジスタは、複数の前記半導体基板に渡って設けられた複数の前記画素回路で共有されている、
請求項3又は4に記載の固体撮像素子。 - 前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとは、前記画素が配置された基板とは異なる基板に配置されている、
請求項1又は2に記載の固体撮像素子。 - 画素に入射された光を光電変換部によって光電変換することで画素信号を生成し、前記画素信号を増幅する第1トランジスタが配置された画素回路を備え、
前記画素回路は、
参照信号発生部から参照信号が入力される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタとに、バイアス電流を出力する第3トランジスタと、を有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に、被写体からの入射光を導く光学系と、を有し、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのソースは、前記第3トランジスタのドレインと接続され、
前記第2トランジスタのゲートに前記参照信号発生部が接続され、
前記第3トランジスタのソースはグランドに接続され、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのドレインは、外部のカレントミラー回路に接続されており、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとは、この順で直線状に隣接するように配置されており、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとは、拡散層を共有している、
固体撮像装置。 - 画素に入射された光を光電変換部によって光電変換することで画素信号を生成し、前記画素信号を増幅する第1トランジスタが配置された画素回路を備える固体撮像装置を搭載した電子機器であって、
前記画素回路は、
参照信号発生部から参照信号が入力される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタとに、バイアス電流を出力する第3トランジスタと、を有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に、被写体からの入射光を導く光学系と、を含み、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのソースは、前記第3トランジスタのドレインと接続され、
前記第2トランジスタのゲートに前記参照信号発生部が接続され、
前記第3トランジスタのソースはグランドに接続され、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのドレインは、外部のカレントミラー回路に接続されており、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとは、この順で直線状に隣接するように配置されており、
前記第1トランジスタと、前記第2トランジスタと、前記第3トランジスタとは、拡散層を共有している、
電子機器。
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