JP7422676B2 - 撮像装置 - Google Patents

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Description

本開示は、撮像素子および半導体素子を有する撮像装置に関する。
例えば、撮像素子および半導体素子が積層された固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この固体撮像装置では、例えば、画素毎にＰＤ（Photo Diode）等が設けられた撮像素子と、各画素で得られた信号を処理する回路が設けられた半導体素子とが積層されている。半導体素子は、例えば半導体基板と配線層とを含んでいる。
特開２０１４－０９９５８２号公報
このような積層型の撮像装置では、製造時の不具合に起因して信頼性等が低下するおそれがある。
したがって、製造時の不具合の発生を抑えることが可能な撮像装置を提供することが望ましい。
本開示の一実施の形態に係る撮像装置は、撮像素子と、撮像素子に対向して設けられるとともに撮像素子に電気的に接続された半導体素子とを備え、半導体素子は、中央部に設けられた配線領域および配線領域の外側の周辺領域と、配線領域に配線を有する配線層と、配線層を間にして撮像素子に対向し、配線層側から順に、第１面および第２面を有する半導体基板と、半導体基板の構成材料よりも研磨レートの低い材料により構成され、かつ、周辺領域の少なくとも一部に配置されるとともに、第２面から半導体基板の厚み方向に設けられた研磨調整部とを含むものである。
本開示の一実施の形態に係る撮像装置では、半導体素子に研磨調整部が設けられているので、撮像装置の製造工程で半導体基板を研磨する際に、周辺領域が過剰に研磨されることを抑えられる。
本開示の一実施の形態に係る撮像装置の構成を表す断面模式図である。 （Ａ）は、図１に示したメモリチップの構成を表す断面模式図であり、（Ｂ）は、（Ａ）の要部の平面構成を表す模式図である。 （Ａ）は、図１に示したロジックチップの構成を表す断面模式図であり、（Ｂ）は、（Ａ）の要部の平面構成を表す模式図である。 図２，図３に示した研磨調整部の平面構成の他の例（１）を表す模式図である。 図２，図３に示した研磨調整部の平面構成の他の例（２）を表す模式図である。 図２，図３に示した研磨調整部の平面構成の他の例（３）を表す模式図である。 図２（Ａ）に示したメモリチップの断面構成の他の例を表す模式図である。 図３（Ａ）に示したロジックチップの断面構成の他の例を表す模式図である。 図１に示した撮像装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。 図９Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図９Ｂに続く工程を表す断面模式図である。 図９Ｃに続く工程を表す断面模式図である。 図９Ｄに続く工程を表す断面模式図である。 図９Ｅに続く工程を表す断面模式図である。 図９Ｆに続く工程を表す断面模式図である。 図９Ｇに続く工程を表す断面模式図である。 図１に示した撮像装置の製造方法の他の例を表す断面模式図である。 図１０Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図１０Ｂに続く工程を表す断面模式図である。 図１０Ｃに続く工程を表す断面模式図である。 図１０Ｄに続く工程を表す断面模式図である。 比較例に係る撮像装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。 図１１Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図１１Ｂに示したロジックチップの構成を拡大して表す断面模式図である。 図１等に示した撮像装置を含む電子機器の一例を表す機能ブロック図である。 体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
以下、本開示における実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．実施の形態（半導体素子に研磨調整部を有する撮像装置）
２．適用例（電子機器）
３．応用例
＜実施の形態＞
（撮像装置１の構成）
図１は、本開示の一実施の形態に係る固体撮像装置（撮像装置１）の断面構成の一例を模式的に表したものである。この撮像装置１は、例えば、裏面照射型ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサである。撮像装置１は、主に、撮像素子１０、メモリチップ２０およびロジックチップ３０を有している。メモリチップ２０およびロジックチップ３０は、支持基板４０上に設けられている。撮像素子１０は、メモリチップ２０およびロジックチップ３０を間にして支持基板４０に対向している。支持基板４０と撮像素子１０との間には、メモリチップ２０およびロジックチップ３０とともに、埋込層５０が設けられている。撮像素子１０の光入射側（メモリチップ２０およびロジックチップ３０との対向面と反対側）には、カラーフィルタ６１およびオンチップレンズ６２が設けられている。ここで、メモリチップ２０およびロジックチップ３０が、本開示の「半導体素子」の一具体例に対応する。
撮像素子１０は、例えば、メモリチップ２０、ロジックチップ３０各々に比べて、チップサイズが大きくなっている。具体的には、撮像素子１０の平面形状の大きさは、メモリチップ２０、ロジックチップ３０各々の平面形状の大きさに比べて大きくなっている。この撮像素子１０は、例えば、半導体基板１１および配線層１２を含んでいる。半導体基板１１は、例えば、配線層１２を間にしてメモリチップ２０およびロジックチップ３０に対向している。この半導体基板１１には、画素毎にＰＤ（光電変換部）が設けられている。半導体基板１１は、例えばシリコン（Ｓｉ）基板により構成されている。配線層１２は、半導体基板１１とメモリチップ２０との間、および半導体基板１１とロジックチップ３０との間に設けられている。この配線層１２は、例えば、端子１２ａ，第１絶縁膜１２ｂおよび第２絶縁膜１２ｃを有している。半導体基板１１側から第１絶縁膜１２ｂおよび第２絶縁膜１２ｃがこの順に積層されている。例えば、第１絶縁膜１２ｂの厚みは、第２絶縁膜１２ｃの厚みよりも大きくなっている。第１絶縁膜１２ｂおよび第２絶縁膜１２ｃは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）等により構成されている。端子１２ａは、配線層１２に複数設けられ、複数の端子１２ａが第１絶縁膜１２ｂにより互いに分離されている。メモリチップ２０に対向する位置に設けられた複数の端子１２ａは、各々配線Ｗ１により、メモリチップ２０（より具体的には、後述の端子２２ａ）に電気的に接続されている。ロジックチップ３０に対向する位置に設けられた複数の端子１２ａは、各々配線Ｗ２により、ロジックチップ３０（より具体的には、後述の端子３２ａ）に電気的に接続されている。端子１２ａは、例えば、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）等により構成されている。
図２は、メモリチップ２０のより具体的な構成を表したものである。図２（Ａ）は、メモリチップ２０の断面構成を表し、図２（Ｂ）は、メモリチップ２０の要部の平面構成を表している。
撮像素子１０に対向して設けられたメモリチップ２０は、中央部の配線領域２０Ａと、この配線領域２０Ａの外側に、配線領域２０Ａを囲むように設けられた周辺領域２０Ｂとを有している。例えば、配線領域２０Ａが、メモリチップ２０として有効に機能する領域であり、メモリチップ２０は、この配線領域２０Ａに、撮像素子１０のＰＤに電気的に接続されたメモリ回路を有している。配線領域２０Ａは、例えば四角形の平面形状（図２（Ｂ）のＸＹ平面の形状）を有している。
このメモリチップ２０は、例えば、半導体基板２１および配線層２２を有している。ここで、半導体基板２１または後述の半導体基板３１が、本開示の「半導体基板」の一具体例に対応し、配線層２２または後述の配線層３２が、本開示の「配線層」の一具体例に対応する。半導体基板２１および配線層２２は、配線領域２０Ａおよび周辺領域２０Ｂにわたって設けられている。半導体基板２１は、例えば、配線層２２を間にして撮像素子１０に対向しており、配線層２２側の表面Ｓａと、表面Ｓａと反対側に設けられた裏面Ｓｂとを有している。この半導体基板２１の配線領域２０Ａに、複数のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ（図示せず）が設けられている。メモリ回路は、例えば、この複数のＭＯＳトランジスタを用いて構成されている。半導体基板２１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板により構成されている。配線層２２は、半導体基板２１と撮像素子１０との間、即ち半導体基板２１の表面Ｓａ側に設けられている。この配線層２２は、例えば、端子２２ａ，第１絶縁膜２２ｂおよび第２絶縁膜２２ｃを有している。半導体基板２１側から第１絶縁膜２２ｂおよび第２絶縁膜２２ｃがこの順に積層されている。例えば、第１絶縁膜２２ｂの厚みは、第２絶縁膜２２ｃの厚みよりも大きくなっている。第１絶縁膜２２ｂおよび第２絶縁膜２２ｃは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）により構成されている。端子２２ａは、配線領域２０Ａに複数設けられ、複数の端子２２ａが第１絶縁膜２２ｂにより互いに分離されている。複数の端子２２ａは、各々配線Ｗ１により、撮像素子１０の端子１２ａに電気的に接続されている。端子２２ａは、例えば、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）等により構成されている。配線Ｗ１は、例えば、メモリチップ２０側のパッドと撮像素子１０側のパッドとのＣｕＣｕ接合により構成されている。ここで、端子２２ａまたは後述の端子２２ａが、本開示の「配線」の一具体例に対応する。
本実施の形態では、このメモリチップ２０が、更に、研磨調整部２３を有している。研磨調整部２３は、周辺領域２０Ｂに配置されており、半導体基板２１の裏面Ｓｂから厚み方向（図２（Ａ）のＺ方向）にわたって設けられている。この研磨調整部２３は、半導体基板２１の構成材料よりも研磨レートの低い材料により構成されている。詳細は後述するが、メモリチップ２０に、このような研磨調整部２３を設けることにより、メモリチップ２０を形成する際の半導体基板２１の研磨工程で、半導体基板２１の周辺領域２０Ｂが過剰に研磨されることが抑えられる。
半導体基板２１がシリコン（Ｓｉ）基板により構成されているとき、研磨調整部２３は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）または酸化シリコン（ＳｉＯ）等により構成されている。研磨調整部２３は、例えば、厚み方向にわたって、半導体基板２１の裏面Ｓｂから表面Ｓａまで設けられている。研磨調整部２３は、例えば、半導体基板２１の裏面Ｓｂに露出されている。研磨調整部２３は、例えば、配線領域２０Ａを取り囲むように設けられ、額縁状の平面形状を有している。研磨調整部２３は、配線領域２０Ａを取り囲むように設けられていることが好ましい。これにより、あらゆる方向での半導体基板２１の過剰な研磨を抑えることができる。
図３は、ロジックチップ３０のより具体的な構成を表したものである。図３（Ａ）は、ロジックチップ３０の断面構成を表し、図３（Ｂ）は、ロジックチップ３０の要部の平面構成を表している。
撮像素子１０に対向して設けられたロジックチップ３０は、中央部の配線領域３０Ａと、この配線領域３０Ａの外側に、配線領域３０Ａを囲むように設けられた周辺領域３０Ｂとを有している。例えば、配線領域３０Ａが、ロジックチップ３０として有効に機能する領域であり、ロジックチップ３０は、この配線領域３０Ａに、撮像素子１０のＰＤに電気的に接続されたロジック回路を有している。配線領域３０Ａは、例えば四角形の平面形状（図３（Ｂ）のＸＹ平面の形状）を有している。ロジックチップ３０の平面形状は、例えば、メモリチップ２０の平面形状よりも小さくなっている。
このロジックチップ３０は、例えば、半導体基板３１および配線層３２を有している。半導体基板３１および配線層３２は、配線領域３０Ａおよび周辺領域３０Ｂにわたって設けられている。半導体基板３１は、例えば、配線層３２を間にして撮像素子１０に対向しており、配線層３２側の表面Ｓｃと、表面Ｓｃと反対側に設けられた裏面Ｓｄとを有している。この半導体基板３１の配線領域３０Ａに、複数のＭＯＳトランジスタ（図示せず）が設けられている。ロジック回路は、例えば、この複数のＭＯＳトランジスタを用いて構成されている。半導体基板３１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板により構成されている。配線層３２は、半導体基板３１と撮像素子１０との間、即ち半導体基板３１の表面Ｓｃ側に設けられている。この配線層３２は、例えば、端子３２ａ，第１絶縁膜３２ｂおよび第２絶縁膜３２ｃを有している。半導体基板３１側から第１絶縁膜３２ｂおよび第２絶縁膜３２ｃがこの順に積層されている。例えば、第１絶縁膜３２ｂの厚みは、第２絶縁膜３２ｃの厚みよりも大きくなっている。第１絶縁膜３２ｂおよび第２絶縁膜３２ｃは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）等により構成されている。端子３２ａは、配線領域３０Ａに複数設けられ、複数の端子３２ａが第１絶縁膜３２ｂにより互いに分離されている。複数の端子３２ａは、各々配線Ｗ２により、撮像素子１０の端子１２ａに電気的に接続されている。端子３２ａは、例えば、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）等により構成されている。配線Ｗ２は、例えば、ロジックチップ３０側のパッドと撮像素子１０側のパッドとのＣｕＣｕ接合により構成されている。
ロジックチップ３０は、更に、研磨調整部３３を有している。研磨調整部３３は、周辺領域３０Ｂに配置されており、半導体基板３１の裏面Ｓｄから厚み方向（図３（Ａ）のＺ方向）にわたって設けられている。この研磨調整部３３は、半導体基板３１の構成材料よりも研磨レートの低い材料により構成されている。上記メモリチップ２０の研磨調整部２３と同様に、研磨調整部３３を設けることにより、ロジックチップ３０を形成する際の半導体基板３１の研磨工程で、半導体基板３１の周辺領域３０Ｂが過剰に研磨されることが抑えられる。
半導体基板３１がシリコン（Ｓｉ）基板により構成されているとき、研磨調整部３３は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）または酸化シリコン（ＳｉＯ）等により構成されている。研磨調整部３３は、例えば、厚み方向にわたって、半導体基板３１の裏面Ｓｄから表面Ｓｃまで設けられている。研磨調整部３３は、例えば、半導体基板３１の裏面Ｓｄに露出されている。研磨調整部３３は、例えば、配線領域３０Ａを取り囲むように設けられ、額縁状の平面形状を有している。研磨調整部３３は、配線領域３０Ａを取り囲むように設けられていることが好ましい。これにより、あらゆる方向での半導体基板３１の過剰な研磨を抑えることができる。
図４～図６は、研磨調整部２３，３３の平面形状の他の例を表している。研磨調整部２３，３３は、連続して設けられていなくてもよい。例えば、図４に示したように、配線領域２０Ａ，３０Ａの周囲に、複数の研磨調整部２３，３３が互いに分離して設けられていてもよい。
図５に示したように、研磨調整部２３，３３が、第１研磨調整部２３－１，３３－１および第２研磨調整部２３－２，３３－２を含んでいてもよい。第１研磨調整部２３－１，３３－１は、例えば、配線領域２０Ａ，３０Ａに近い位置に設けられ、配線領域２０Ａ，３０Ａを取り囲んでいる。第２研磨調整部２３－２，３３－２は、例えば、第１研磨調整部２３－１，３３－１よりも配線領域２０Ａ，３０Ａから離れた位置に配置され、配線領域２０Ａ，３０Ａを取り囲んでいる。
図６に示したように、周辺領域２０Ｂ，３０Ｂの一部に研磨調整部２３，３３を設けるようにしてもよい。このとき、研磨調整部２３，３３は、四角形の平面形状を有する半導体基板２１，３１の角部に設けることが好ましい。半導体基板２１，３１の角部では、過剰な研磨が生じやすい。この角部に研磨調整部２３，３３を設けることにより、効果的に過剰な研磨を抑えることができる。
図７は、メモリチップ２０の断面構成の他の例を表し、図８は、ロジックチップ３０の断面構成の他の例を表している。このように、研磨調整部２３，３３は、半導体基板２１，３１および配線層２２，３２にわたって設けられていてもよい。研磨調整部２３，３３は、例えば、半導体基板２１，３１の裏面Ｓｂ，Ｓｄに露出され、かつ、配線層２２，３２の撮像素子１との対向面に露出されている。
支持基板４０は、このようなメモリチップ２０およびロジックチップ３０を支持している（図１）。この支持基板４０は、例えば、製造段階でメモリチップ２０およびロジックチップ３０の強度を確保するためのものであり、例えばシリコン（Ｓｉ）基板によって構成されている。
支持基板４０上に設けられたメモリチップ２０およびロジックチップ３０は、埋込層５０に覆われている（図１）。埋込層５０は、メモリチップ２０およびロジックチップ３０を覆うとともに、メモリチップ２０およびロジックチップ３０各々の周囲に設けられている。この埋込層５０は平坦面を有しており、この平坦面に接して撮像素子１０が設けられている。埋込層５０の平坦面は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の平坦化処理により形成される。埋込層５０は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）等の絶縁膜により構成されている。支持基板４０とメモリチップ２０との間、または支持基板４０とロジックチップ３０との間に埋込層５０が設けられていてもよい。
埋込層５０上には、例えば、撮像素子１０、カラーフィルタ６１およびオンチップレンズ６２がこの順に設けられている。撮像素子１０の光入射側に設けられたカラーフィルタ６１は、例えば赤色（Ｒ）フィルタ、緑色（Ｇ）フィルタ、青色（Ｂ）フィルタおよび白色フィルタ（Ｗ）のいずれかであり、例えば画素毎に設けられている。これらのカラーフィルタ６１は、規則的な色配列（例えばベイヤー配列）で設けられている。このようなカラーフィルタ６１を設けることにより、撮像装置１では、その色配列に対応したカラーの受光データが得られる。
カラーフィルタ６１上のオンチップレンズ６２は、画素毎に、撮像素子１０のＰＤに対向する位置に設けられている。このオンチップレンズ６２に入射した光は、画素毎にＰＤに集光されるようになっている。このオンチップレンズ６２のレンズ系は、画素のサイズに応じた値に設定されている。オンチップレンズ６２のレンズ材料としては、例えば有機材料やシリコン酸化膜（ＳｉＯ）等が挙げられる。
（撮像装置１の製造方法）
このような撮像装置１は、例えば以下のようにして製造することができる（図９Ａ～図９Ｈ）。ここでは、主にメモリチップ２０の製造工程について説明する。
まず、図９Ａに示したように、ウェハ状の半導体基板２１Ｗ上に、所定の形状にパターニングされたフォトレジストＰＲ１を形成する。後の工程で、この半導体基板２１Ｗが個片化され（後述の図９Ｆ）、更に、研磨されてメモリチップ２０の半導体基板２１（後述の図９Ｈ）が形成される。半導体基板２１Ｗは、例えばシリコン（Ｓｉ）基板により構成されている。
次いで、図９Ｂに示したように、このフォトレジストＰＲ１を用いて、半導体基板２１Ｗに複数の溝Ｇ１を形成する。この溝Ｇ１は、メモリチップ２０の研磨調整部２３を形成するためのものであり、半導体基板２１Ｗに、例えば、額縁状（図２（Ｂ）参照）の溝Ｇ１を複数形成する。
溝Ｇ１を形成した後、図９Ｃに示したように、半導体基板２１Ｗ上に、研磨調整材料２３Ｍを成膜する。研磨調整材料２３Ｍは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）により構成されている。研磨調整材料２３Ｍは、半導体基板２１Ｗの表面から溝Ｇ１内に埋め込まれる。
続いて、図９Ｄに示したように、例えばウェットエッチング法を用いて半導体基板２１Ｗの表面に設けられた研磨調整材料２３Ｍを除去する。これにより、半導体基板２１Ｗに埋設された研磨調整部２３が形成される。次いで、半導体基板２１Ｗ内の、研磨調整部２３で囲まれた各領域内にメモリ回路を形成する。
次に、図９Ｅ，図９Ｆに示したように、半導体基板２１Ｗ上に配線層２２を形成した後（図９Ｅ）、配線層２２および半導体基板２１ＷをラインＤＬで切り出す（図９Ｆ）。この切り出しは、例えばダイシングを用いて行う。これにより、ウェハ状態の半導体基板２１Ｗおよび配線層２２が個片化される。ここで、メモリ回路の周囲（周辺領域２０Ｂ）に研磨調整部２３が設けられているので、ラインＤＬでの切り出しの際に、ラインＤＬ近傍の半導体基板２１Ｗに汚染物質が付着しても、ロジック回路（配線領域２０Ａ）への汚染物質の浸入が抑えられる。
続いて、図９Ｇに示したように、この個片化した半導体基板２１Ｗおよび配線層２２を、ウェハ状態の半導体基板１１Ｗおよび配線層１２に接合する。半導体基板１１Ｗおよび配線層１２Ｗは、撮像素子１を形成するためのものである。このとき、配線層２２の端子２２ａと配線層１２の端子１２ａとは、例えば、ＣｕＣｕ接合（配線Ｗ１）により接続する。また、ロジックチップ３０を形成するため、上記と同様にして、ウェハ状態の半導体基板３１Ｗおよび配線層３２を切り出し、個片化しておく。この半導体基板３１Ｗおよび配線層３２も、ウェハ状態の半導体基板１１Ｗおよび配線層１２に接合する。配線層３２の端子３２ａと配線層１２の端子１２ａとは、例えば、ＣｕＣｕ接合（配線Ｗ２）により接続する。
この後、図９Ｈに示したように、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗを例えば、ＣＭＰ法を用いて薄くする。これにより、メモリチップ２０の半導体基板２１およびロジックチップ３０の半導体基板３１が形成される。即ち、ウェハ状の半導体基板１１上に、メモリチップ２０およびロジックチップ３０が形成される。ここで、本実施の形態では、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗに研磨調整部２３，３３が設けられているので、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗの局所的な過剰研磨が抑えられる。
次に、メモリチップ２０およびロジックチップ３０を覆うように埋込部５０を形成する。続いて、メモリチップ２０およびロジックチップ３０を間にして、半導体基板１１Ｗに支持基板４０を貼り合わせる。次いで、半導体基板１１Ｗを例えば、ＣＭＰ法を用いて薄くする。この後、半導体基板１１Ｗ上に、カラーフィルタ６１およびオンチップレンズ６２を形成する。最後に、ウェハ状の半導体基板１１Ｗおよび配線層１２を切り出す。例えば、このようにして図１に示した撮像装置１を完成させることができる。
図１０Ａ～図１０Ｅは、メモリチップ２０（またはロジックチップ３０）の製造工程の他の例を順に表したものである。例えば、この方法を用いることにより、図７，図８に示したメモリチップ２０，ロジックチップ３０を形成することができる。
まず、図１０Ａに示したように、ウェハ状の半導体基板２１Ｗ上に配線層２２を形成する。次いで、図１０Ｂに示したように、配線層２２上に、所定の形状にパターニングされたフォトレジストＰＲ２を形成する。続いて、図１０Ｃに示したように、このフォトレジストＰＲ２を用いて、配線層２２および半導体基板２１Ｗに複数の溝Ｇ２を形成する。この溝Ｇ２は、メモリチップ２０の研磨調整部２３を形成するためのものであり、配線層２２を貫通し、かつ、半導体基板２１Ｗの厚み方向の一部にわたっている。複数の溝Ｇ２各々は、例えば、額縁状（図２（Ｂ）参照）の平面形状を有している。
溝Ｇ２を形成した後、図１０Ｄに示したように、配線層２２上に、研磨調整材料２３Ｍを成膜する。研磨調整材料２３Ｍは、配線層２２の表面から溝Ｇ２内に埋め込まれる。
続いて、図１０Ｅに示したように、例えばウェットエッチング法を用いて配線層２２の表面に設けられた研磨調整材料２３Ｍを除去する。これにより、配線層２２および半導体基板２１Ｗに埋設された研磨調整部２３が形成される。この後、上記で説明したのと同様にして、撮像装置１を完成させることができる。
（撮像装置１の動作）
このような撮像装置１では、例えば次のようにして信号電荷（例えば、電子）が取得される。光が、オンチップレンズ６２およびカラーフィルタ６１等を通過して撮像素子１に入射すると、この光は各画素のＰＤで検出（吸収）され、赤，緑または青の色光が光電変換される。ＰＤで発生した電子－正孔対のうち、信号電荷（例えば、電子）が、撮像信号に変換され、メモリチップ２０のメモリ回路およびロジックチップ３０のロジック回路で処理される。
（撮像装置１の作用・効果）
本実施の形態では、メモリチップ２０に研磨調整部２３が設けられ、ロジックチップ３０に研磨調整部３３が設けられている。これにより、撮像装置１の製造工程で、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗを研磨する際（図９Ｈ参照）に、周辺領域２０Ｂ，３０Ｂが過剰の研磨されることを抑えられる。以下、この作用効果について、比較例を用いて説明する。
図１１Ａ，図１１Ｂは、比較例に係る撮像装置の製造方法を工程順に表したものである。この方法も、まず、上記撮像装置１の製造方法と同様に、ウェハ状の半導体基板２１Ｗ，３１Ｗおよび配線層２２，３２を個片化した後、これらをウェハ状の半導体基板１１Ｗに接合する（図１１Ａ）。次いで、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗを例えば、ＣＭＰ法を用いて薄くする（図１１Ｂ）。これにより、メモリチップ１２０およびロジックチップ１３０が形成される。
この比較例に係る撮像装置の製造方法では、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗに、研磨調整部（例えば、図２，図３の研磨調整部２３，３３）が設けられていない。したがって、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗを、ＣＭＰ法を用いて薄くする際に、例えば、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗの角部（後述の図１２の角部Ｅ）が他の部分に比べて研磨されやすい。）。半導体基板２１Ｗ，３１Ｗの角部には、他の部分よりも大きく研磨パッドの応力がかかるためである。
図１２は、図１１Ｂに示したロジックチップ１３０を拡大して表したものである。このように、比較例に係る撮像装置の製造方法では、半導体基板３１Ｗ（または半導体基板２１Ｗ）の角部Ｅが過剰に研磨され、角部Ｅでは半導体基板３１Ｗの平坦面を形成することが困難となる。この半導体基板３１Ｗの角部Ｅに起因して埋込層（図１の埋込層５０参照）の平坦性が低下すると、支持基板（図１の支持基板４０）とメモリチップ１２０およびロジックチップ１３０との間で接合不良が生じるおそれがある。
また、ウェハ状の半導体基板２１Ｗ，３１Ｗおよび配線層２２，３２を個片化する際に、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗの周縁に付着した汚染物質ＩＭが、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗを介してメモリ回路，ロジック回路に侵入するおそれがある。この汚染物質の浸入により、撮像装置の特性が低下する。
これに対し、本実施の形態では、メモリチップ２０，ロジックチップ３０が、周辺領域２０Ｂ，３０Ｂに研磨調整部２３，３３を有している。この研磨調整部２３，３３の研磨レートは、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗの研磨レートに比べて低くなっている。したがって、より研磨されやすい周辺領域２０Ｂ，３０Ｂも、他の部分と同程度の速度で研磨され、配線領域２０Ａ，３０Ａから周辺領域２０Ｂ，３０Ｂ（特に、角部）にわたって平坦面が形成される。したがって、上記比較例に係る撮像装置に比べて、埋込層５０の平坦性が高まり、メモリチップ２０およびロジックチップ３０と支持基板４０との間の接合不良の発生を抑えることが可能となる。
例えば、ウェハ状の半導体基板２１Ｗ，３１Ｗおよび配線層２２，３２を個片化する際（図９Ｆ）に、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗの周縁（ラインＤＬ近傍）に汚染物質が付着するおそれがある。しかし、撮像装置１では、研磨調整部２３，３３により、この汚染物質がメモリ回路，ロジック回路（配線領域２０Ａ，３０Ａ）内に侵入することが抑えられる。特に、研磨調整部２３，３３が窒化シリコン（ＳｉＮ）により形成されるとき、効果的に汚染物質の浸入を抑えることができる。このように、撮像装置１では、この汚染物質に起因した特性の低下を抑えることが可能となる。
以上のように、本実施の形態では、メモリチップ２０，ロジックチップ３０に研磨調整部２３，３３を設けるようにしたので、撮像装置１の製造工程で、半導体基板２１Ｗ，３１Ｗの局所的な過剰研磨を抑えることができる。よって、製造時の不具合の発生を抑えることが可能となる。
＜適用例＞
上述の撮像装置１は、例えばカメラなど、様々なタイプの電子機器に適用することができる。図１３に、その一例として、電子機器５（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器５は、例えば静止画または動画を撮影可能なカメラであり、撮像装置１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、撮像装置１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。
光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を撮像装置１へ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、撮像装置１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、撮像装置１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、撮像装置１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄoutは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。
＜体内情報取得システムへの応用例＞
更に、本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図１４は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る、カプセル型内視鏡を用いた患者の体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
体内情報取得システム１０００１は、カプセル型内視鏡１０１００と、外部制御装置１０２００とから構成される。
カプセル型内視鏡１０１００は、検査時に、患者によって飲み込まれる。カプセル型内視鏡１０１００は、撮像機能及び無線通信機能を有し、患者から自然排出されるまでの間、胃や腸等の臓器の内部を蠕動運動等によって移動しつつ、当該臓器の内部の画像（以下、体内画像ともいう）を所定の間隔で順次撮像し、その体内画像についての情報を体外の外部制御装置１０２００に順次無線送信する。
外部制御装置１０２００は、体内情報取得システム１０００１の動作を統括的に制御する。また、外部制御装置１０２００は、カプセル型内視鏡１０１００から送信されてくる体内画像についての情報を受信し、受信した体内画像についての情報に基づいて、表示装置（図示せず）に当該体内画像を表示するための画像データを生成する。
体内情報取得システム１０００１では、このようにして、カプセル型内視鏡１０１００が飲み込まれてから排出されるまでの間、患者の体内の様子を撮像した体内画像を随時得ることができる。
カプセル型内視鏡１０１００と外部制御装置１０２００の構成及び機能についてより詳細に説明する。
カプセル型内視鏡１０１００は、カプセル型の筐体１０１０１を有し、その筐体１０１０１内には、光源部１０１１１、撮像部１０１１２、画像処理部１０１１３、無線通信部１０１１４、給電部１０１１５、電源部１０１１６、及び制御部１０１１７が収納されている。
光源部１０１１１は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、撮像部１０１１２の撮像視野に対して光を照射する。
撮像部１０１１２は、撮像素子、及び当該撮像素子の前段に設けられる複数のレンズからなる光学系から構成される。観察対象である体組織に照射された光の反射光（以下、観察光という）は、当該光学系によって集光され、当該撮像素子に入射する。撮像部１０１１２では、撮像素子において、そこに入射した観察光が光電変換され、その観察光に対応する画像信号が生成される。撮像部１０１１２によって生成された画像信号は、画像処理部１０１１３に提供される。
画像処理部１０１１３は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等のプロセッサによって構成され、撮像部１０１１２によって生成された画像信号に対して各種の信号処理を行う。画像処理部１０１１３は、信号処理を施した画像信号を、ＲＡＷデータとして無線通信部１０１１４に提供する。
無線通信部１０１１４は、画像処理部１０１１３によって信号処理が施された画像信号に対して変調処理等の所定の処理を行い、その画像信号を、アンテナ１０１１４Ａを介して外部制御装置１０２００に送信する。また、無線通信部１０１１４は、外部制御装置１０２００から、カプセル型内視鏡１０１００の駆動制御に関する制御信号を、アンテナ１０１１４Ａを介して受信する。無線通信部１０１１４は、外部制御装置１０２００から受信した制御信号を制御部１０１１７に提供する。
給電部１０１１５は、受電用のアンテナコイル、当該アンテナコイルに発生した電流から電力を再生する電力再生回路、及び昇圧回路等から構成される。給電部１０１１５では、いわゆる非接触充電の原理を用いて電力が生成される。
電源部１０１１６は、二次電池によって構成され、給電部１０１１５によって生成された電力を蓄電する。図１４では、図面が煩雑になることを避けるために、電源部１０１１６からの電力の供給先を示す矢印等の図示を省略しているが、電源部１０１１６に蓄電された電力は、光源部１０１１１、撮像部１０１１２、画像処理部１０１１３、無線通信部１０１１４、及び制御部１０１１７に供給され、これらの駆動に用いられ得る。
制御部１０１１７は、ＣＰＵ等のプロセッサによって構成され、光源部１０１１１、撮像部１０１１２、画像処理部１０１１３、無線通信部１０１１４、及び、給電部１０１１５の駆動を、外部制御装置１０２００から送信される制御信号に従って適宜制御する。
外部制御装置１０２００は、ＣＰＵ，ＧＰＵ等のプロセッサ、又はプロセッサとメモリ等の記憶素子が混載されたマイクロコンピュータ若しくは制御基板等で構成される。外部制御装置１０２００は、カプセル型内視鏡１０１００の制御部１０１１７に対して制御信号を、アンテナ１０２００Ａを介して送信することにより、カプセル型内視鏡１０１００の動作を制御する。カプセル型内視鏡１０１００では、例えば、外部制御装置１０２００からの制御信号により、光源部１０１１１における観察対象に対する光の照射条件が変更され得る。また、外部制御装置１０２００からの制御信号により、撮像条件（例えば、撮像部１０１１２におけるフレームレート、露出値等）が変更され得る。また、外部制御装置１０２００からの制御信号により、画像処理部１０１１３における処理の内容や、無線通信部１０１１４が画像信号を送信する条件（例えば、送信間隔、送信画像数等）が変更されてもよい。
また、外部制御装置１０２００は、カプセル型内視鏡１０１００から送信される画像信号に対して、各種の画像処理を施し、撮像された体内画像を表示装置に表示するための画像データを生成する。当該画像処理としては、例えば現像処理（デモザイク処理）、高画質化処理（帯域強調処理、超解像処理、ＮＲ（Noise reduction）処理及び／又は手ブレ補正処理等）、並びに／又は拡大処理（電子ズーム処理）等、各種の信号処理を行うことができる。外部制御装置１０２００は、表示装置の駆動を制御して、生成した画像データに基づいて撮像された体内画像を表示させる。あるいは、外部制御装置１０２００は、生成した画像データを記録装置（図示せず）に記録させたり、印刷装置（図示せず）に印刷出力させてもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る体内情報取得システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１０１１２に適用され得る。これにより、検出精度が向上する。
＜内視鏡手術システムへの応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図１５は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
図１５では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ: Camera Control Unit）１１２０１に送信される。
ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Narrow Band Imaging）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ICG）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
図１６は、図１５に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（dimensional）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Auto Exposure）機能、ＡＦ（Auto Focus）機能及びＡＷＢ（Auto White Balance）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１１４０２に適用され得る。撮像部１１４０２に本開示に係る技術を適用することにより、検出精度が向上する。
なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
＜移動体への応用例＞
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図１７は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１７に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（interface）１２０５３が図示されている。
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１７の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図１８は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
図１８では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図１８には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部12031に適用され得る。撮像部12031に本開示に係る技術を適用することにより、より見やすい撮影画像を得ることができるため、ドライバの疲労を軽減することが可能になる。
以上、実施の形態を挙げて説明したが、本開示内容は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した撮像装置の構成は一例であり、更に他の層を備えていてもよい。また、各層の材料や厚みも一例であって、上述のものに限定されるものではない。
また、上記実施の形態では、撮像装置１が、撮像素子１０、メモリチップ２０およびロジックチップ３０を有する例について説明したが、撮像装置１は少なくとも２つの半導体チップを有していればよい。また、撮像装置１は４つ以上の半導体チップを有していてもよい。
また、上記実施の形態では、メモリチップ２０と撮像素子１０との接続、およびロジックチップ３０と撮像素子１０との接続にＣｕＣｕ接合を用いる場合について説明したが、これらは、他の方法で接続されていてもよい。例えば、これらを、再配線層を用いて接続するようにしてもよく、あるいは、貫通電極等の他の方法により電気的に接続するようにしてもよい。
また、上記実施の形態では、メモリチップ２０およびロジックチップ３０の両方に研磨調整部（研磨調整部２３，３３）を設ける場合について説明したが、メモリチップ２０およびロジックチップ３０のどちらか一方に研磨調整部を設けるようにしてもよい。
また、上記実施の形態では、メモリチップ２０およびロジックチップ３０を、撮像素子１０に接続する場合について説明したが、撮像素子１０に接続するチップは、他の構成を有していてもよい。
上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
尚、本開示は、以下のような構成であってもよい。以下の構成を有する撮像装置によれば、半導体素子に研磨調整部を設けるようにしたので、撮像装置の製造工程で、半導体基板の局所的な過剰研磨を抑えることができる。よって、製造時の不具合の発生を抑えることが可能となる。
（１）
撮像素子と、前記撮像素子に対向して設けられるとともに前記撮像素子に電気的に接続された半導体素子とを備え、
前記半導体素子は、
中央部に設けられた配線領域および前記配線領域の外側の周辺領域と、
前記配線領域に配線を有する配線層と、
前記配線層を間にして前記撮像素子に対向し、前記配線層側から順に、第１面および第２面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の構成材料よりも研磨レートの低い材料により構成され、かつ、前記周辺領域の少なくとも一部に配置されるとともに、前記第２面から前記半導体基板の厚み方向に設けられた研磨調整部とを含む
撮像装置。
（２）
前記半導体基板の平面形状は角部を有し、
少なくとも前記角部に前記研磨調整部が配置されている
前記（１）に記載の撮像装置。
（３）
前記研磨調整部は、前記配線領域を取り囲むように配置されている
前記（１）または（２）に記載の撮像装置。
（４）
前記配線領域の周囲に、複数の前記研磨調整部が分離して配置されている
前記（１）または（２）に記載の撮像装置。
（５）
前記研磨調整部は、
第１研磨調整部と、
前記第１研磨調整部よりも前記配線領域から離れた位置に配置された第２研磨調整部とを含む
前記（１）ないし（４）のうちいずれか１つに記載の撮像装置。
（６）
前記研磨調整部は、前記半導体基板および前記配線層に設けられている
前記（１）ないし（５）のうちいずれか１つに記載の撮像装置。
（７）
更に、前記半導体素子を間にして前記撮像素子に対向する支持基板を有する
前記（１）ないし（６）のうちいずれか１つに記載の撮像装置。
（８）
更に、前記支持基板と前記撮像素子との間に、前記半導体素子を囲む埋込層を有する
前記（７）に記載の半導体装置。
（９）
前記半導体素子を複数有する
前記（１）ないし（８）のうちいずれか１つに記載の撮像装置。
（１０）
前記研磨調整部は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含む
前記（１）ないし（９）のうちいずれか１つに記載の撮像装置。
本出願は、日本国特許庁において２０１８年１０月２９日に出願された日本特許出願番号第２０１８－２０２７６９号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (10)

  1. 撮像素子と、前記撮像素子に対向して設けられるとともに前記撮像素子に電気的に接続された半導体素子とを備え、
    前記半導体素子は、
    中央部に設けられた配線領域および前記配線領域の外側の周辺領域と、
    前記配線領域に配線を有する配線層と、
    前記配線層を間にして前記撮像素子に対向し、前記配線層側から順に、第１面および第２面を有する半導体基板と、
    前記半導体基板の構成材料よりも研磨レートの低い材料により構成され、かつ、前記周辺領域の少なくとも一部に配置されるとともに、前記第２面から前記半導体基板の厚み方向に設けられた研磨調整部とを含む
    撮像装置。
  2. 前記半導体基板の平面形状は角部を有し、
    少なくとも前記角部に前記研磨調整部が配置されている
    請求項１に記載の撮像装置。
  3. 前記研磨調整部は、前記配線領域を取り囲むように配置されている
    請求項１に記載の撮像装置。
  4. 前記配線領域の周囲に、複数の前記研磨調整部が分離して配置されている
    請求項１に記載の撮像装置。
  5. 前記研磨調整部は、
    第１研磨調整部と、
    前記第１研磨調整部よりも前記配線領域から離れた位置に配置された第２研磨調整部とを含む
    請求項１に記載の撮像装置。
  6. 前記研磨調整部は、前記半導体基板および前記配線層に設けられている
    請求項１に記載の撮像装置。
  7. 更に、前記半導体素子を間にして前記撮像素子に対向する支持基板を有する
    請求項１に記載の撮像装置。
  8. 更に、前記支持基板と前記撮像素子との間に、前記半導体素子を囲む埋込層を有する
    請求項７に記載の半導体装置。
  9. 前記半導体素子を複数有する
    請求項１に記載の撮像装置。
  10. 前記研磨調整部は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含む
    請求項１に記載の撮像装置。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013214616A (ja) 2012-04-02 2013-10-17 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
US20140268609A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Support structure for integrated circuitry
JP2016058655A (ja) 2014-09-11 2016-04-21 株式会社ジェイデバイス 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5691248A (en) * 1995-07-26 1997-11-25 International Business Machines Corporation Methods for precise definition of integrated circuit chip edges
JP4337371B2 (ja) * 2003-03-13 2009-09-30 ソニー株式会社 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
TWI445166B (zh) * 2008-11-07 2014-07-11 Sony Corp 固態成像裝置，製造固態成像裝置之方法、及電子設備
JP5407282B2 (ja) * 2008-11-07 2014-02-05 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
KR20100079450A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 후면 수광 이미지센서의 제조방법
WO2010086952A1 (ja) * 2009-01-30 2010-08-05 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5825931B2 (ja) * 2011-08-25 2015-12-02 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP2014099582A (ja) 2012-10-18 2014-05-29 Sony Corp 固体撮像装置
KR102210675B1 (ko) * 2013-03-29 2021-02-01 소니 주식회사 촬상 소자 및 촬상 장치
EP3264466B1 (en) * 2015-02-26 2021-04-28 Kyocera Corporation Image pickup element, image pickup device, and method for manufacturing image pickup element
JP6569549B2 (ja) * 2015-05-01 2019-09-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法
US9978791B2 (en) * 2015-07-31 2018-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Image sensor and method for manufacturing the same
JP2018129374A (ja) * 2017-02-07 2018-08-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013214616A (ja) 2012-04-02 2013-10-17 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
US20140268609A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Support structure for integrated circuitry
JP2016058655A (ja) 2014-09-11 2016-04-21 株式会社ジェイデバイス 半導体装置の製造方法

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