JP7500261B2 - ウエーハの生成方法 - Google Patents
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Description
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :3.2W
パルス幅 :4ns
スポット径 :φ5μm
開口率(NA) :0.45
波長 :900~1100nm
繰り返し周波数 :80kHz(パルスレーザー光線の場合)
平均出力 :0.5W
パルス幅 :100ns(パルスレーザー光線の場合)
スポット径 :φ10μm
開口率(NA) :0.8
送り速度 :400mm/秒
割り出し送り :1mm
波長 :355nm、又は532nm
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :100W
パルス幅 :100ns
スポット径 :φ1μm
送り速度 :100mm/秒
割り出し送り :2mm
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :0.5W
パルス幅 :100ns
スポット径 :φ0.5μm
開口率(NA) :0.45
送り速度 :400mm/秒
割り出し送り :1mm
超音波 :24kHz
平均出力 :20W
送り速度 :10mm/秒
超音波付与径 :φ10mm
割り出し送り :10mm
20a、20a’:上面
20b:側面
20c:下面
30:加工装置
32:保持テーブル
34:レーザー光線照射手段
341:集光器
40:切削手段
41:電動モータ
42:切削ブレード
50:レーザー光線照射手段
52:集光器
60:超音波付与手段
62:超音波振動子
100:改質層
100A,100B、100C:改質層
110:切込み溝
110A、110B、110C:切込み溝
120、130:剥離層
C1、C2:亀裂
W:ウエーハ
Claims (4)
- 上面と、下面と、側面とを備えたインゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
インゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を、生成すべきウエーハの厚みに相当する位置の側面から内部に位置付けて照射して改質層を該側面の全周にわたって、又は円弧状に形成する改質層形成工程と、
インゴットの上面から外力を付与して該改質層から内部に延びる亀裂に応力を集中させ該亀裂を側面側から内部に向かって進展させて剥離層を形成する剥離層形成工程と、
該剥離層を起点として生成すべきウエーハをインゴットから剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、
を含み構成され、
該剥離層形成工程において、インゴットの上面から付与される外力は、レーザー光線であり、該レーザー光線は外周から内側に向かって螺旋状に照射されるか、又は割り出し送りしながら、直線状に照射され、
該剥離層形成工程において照射されるレーザー光線は、インゴットに対して吸収性を有する波長であると共に、インゴットの内部に集光点が位置付けられても改質層が形成されない出力で照射されるものであり、該剥離層形成工程において照射されるレーザー光線の集光点が位置付けられる深さは、上面と改質層形成工程において形成された改質層との間に設定され、生成すべきウエーハを部分的に膨張させて該改質層に沿った亀裂を側面から内部に進展させるウエーハの生成方法。 - 該改質層形成工程と、該剥離層形成工程との間に、インゴットの側面から切削ブレードを位置付けて改質層を彫り込んで切込み溝を形成し、該改質層から内部に延びる亀裂を成長させる請求項1に記載のウエーハの生成方法。
- 該改質層形成工程において、生成すべき複数のウエーハに対応して改質層を複数形成する請求項1又は2に記載のウエーハの生成方法。
- 該改質層形成工程において、生成すべき複数のウエーハに対応して改質層を複数形成した場合、該ウエーハ生成工程で生成すべきウエーハをインゴットの上面から剥離した後、次に生成すべきウエーハに対応する改質層から内部に延びる剥離層を形成する剥離層形成工程を実施する、請求項3に記載のウエーハの生成方法。
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