JP2020035821A - ＳｉＣ基板の加工方法 - Google Patents

ＳｉＣ基板の加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020035821A
JP2020035821A JP2018159320A JP2018159320A JP2020035821A JP 2020035821 A JP2020035821 A JP 2020035821A JP 2018159320 A JP2018159320 A JP 2018159320A JP 2018159320 A JP2018159320 A JP 2018159320A JP 2020035821 A JP2020035821 A JP 2020035821A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sic
substrate
sic substrate
ingot
peeling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018159320A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7187215B2 (ja
Inventor
関家　一馬
Kazuma Sekiya
一馬 関家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2018159320A priority Critical patent/JP7187215B2/ja
Priority to CN201910720429.0A priority patent/CN110871506B/zh
Priority to US16/545,677 priority patent/US11018059B2/en
Priority to DE102019212840.8A priority patent/DE102019212840A1/de
Publication of JP2020035821A publication Critical patent/JP2020035821A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7187215B2 publication Critical patent/JP7187215B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • H01L21/7813—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate leaving a reusable substrate, e.g. epitaxial lift off
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/046—Automatically focusing the laser beam
    • B23K26/048—Automatically focusing the laser beam by controlling the distance between laser head and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0408—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/047—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by ultrasonic cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0054—Processes for devices with an active region comprising only group IV elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of Group IV of the Periodic Table
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

【課題】ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を効率よく経済的に生成することができるＳｉＣ基板の加工方法を提供する。【解決手段】ＳｉＣ基板の加工方法は、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢの集光点をＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線ＬＢをＳｉＣインゴット２に照射して剥離層３８を形成する剥離層形成工程と、ＳｉＣインゴット２の上面にサブストレート４０を貼着するサブストレート貼着工程と、剥離層３８に外力を付与してＳｉＣ基板４４をサブストレート４０と共に剥離する剥離工程とから少なくとも構成される。【選択図】図５

Description

本発明は、ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を生成するＳｉＣ基板の加工方法に関する。
パワーデバイス、ＬＥＤ等のデバイスは、ＳｉＣ基板の上面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されてウエーハの形態で形成される。そして、デバイスが形成されたウエーハは、レーザー加工装置等によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは制御装置、自動車部品等に利用される。
ＳｉＣ基板は、一般的に円柱形状のＳｉＣインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成され、切断されたＳｉＣ基板の表面および裏面は研磨により鏡面に仕上げられる（たとえば特許文献１参照。）。しかし、ＳｉＣインゴットをワイヤーソーで切断し、切断したＳｉＣ基板の表面および裏面を研磨すると、高価なＳｉＣインゴットの大部分（７０〜８０％）が捨てられることになるため、ＳｉＣ基板は相当の高額となり、ＳｉＣ基板を用いたデバイスチップも高額になるという問題がある。
そこで本出願人は、ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきＳｉＣ基板の厚みに相当する深さに位置づけてＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射し、ｃ面においてＳｉＣがＳｉとＣとに分離すると共にＳｉとＣとに分離したｃ面に沿ってクラックが延びる剥離層を形成し、外力を付与してＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を剥離してＳｉＣ基板を効率よく生成できる技術を開発した（たとえば特許文献２参照。）。
特開２０００−９４２２１号公報 特開２０１６−１１１１４３号公報
しかし、ＳｉＣ基板の上面に複数のデバイスを形成する幾多の工程において加工が施される際に、ＳｉＣ基板が損傷しないようにＳｉＣ基板の厚みは５００〜７００μｍに設定されており、ＳｉＣ基板１枚当たりの価格を充分に下げられないという問題がある。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を効率よく経済的に生成することができるＳｉＣ基板の加工方法を提供することである。
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のＳｉＣ基板の加工方法である。すなわち、ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を生成するＳｉＣ基板の加工方法であって、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線をＳｉＣインゴットに照射して剥離層を形成する剥離層形成工程と、ＳｉＣインゴットの上面にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程と、該剥離層に外力を付与してＳｉＣ基板を該サブストレートと共に剥離する剥離工程と、から少なくとも構成されるＳｉＣ基板の加工方法である。
好ましくは、該剥離層形成工程の前に、ＳｉＣインゴットの上面を平坦化する上面平坦化工程が含まれる。該剥離工程の後、該サブストレートに貼着されたＳｉＣ基板の剥離面を平坦に仕上げる剥離面平坦化工程が含まれるのが好適である。該剥離面平坦化工程の後、ＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた剥離面にデバイスを形成するデバイス形成工程が含まれるのが好都合である。デバイスが形成されたＳｉＣ基板から該サブストレートを除去するサブストレート除去工程が含まれるのが好ましい。該剥離層形成工程において、ＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置とは、ＳｉＣ基板の上面にデバイスを形成できる必要不可欠な厚みのＳｉＣ基板が生成できる深さであるのが好適である。ＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置とは、３０〜１００μｍであるのが好都合である。
本発明が提供するＳｉＣ基板の加工方法は、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線をＳｉＣインゴットに照射して剥離層を形成する剥離層形成工程と、ＳｉＣインゴットの上面にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程と、該剥離層に外力を付与してＳｉＣ基板を該サブストレートと共に剥離する剥離工程と、から少なくとも構成されているので、剥離層形成工程においてＳｉＣインゴットの上面から浅い位置に剥離層を形成して比較的薄いＳｉＣ基板を生成しても、ＳｉＣ基板にはサブストレートが貼着されており、ＳｉＣ基板の上面に複数のデバイスを形成する幾多の工程においてＳｉＣ基板の損傷が抑制される。したがって、本発明のＳｉＣ基板の加工方法では、従来よりも薄いＳｉＣ基板を生成することができるので、ＳｉＣインゴットから従来よりも多くのＳｉＣ基板を効率よく生成することができる。
（ａ）ＳｉＣインゴットの正面図、（ｂ）ＳｉＣインゴットの平面図。 ＳｉＣインゴットを保持テーブルに載置する状態を示す斜視図。 上面平坦化工程を実施している状態を示す斜視図。 （ａ）剥離層形成工程を実施している状態を示す斜視図、（ｂ）剥離層が形成されたＳｉＣインゴットの断面図。 サブストレート貼着工程を実施している状態を示す斜視図。 剥離工程を実施している状態を示す斜視図。 （ａ）ＳｉＣインゴットから剥離したＳｉＣ基板をチャックテーブルに載置する状態を示す斜視図、（ｂ）剥離面平坦化工程を実施している状態を示す斜視図。 デバイスが形成されたＳｉＣ基板の斜視図。 （ａ）サブストレート除去工程を実施している状態を示す斜視図、（ｂ）サブストレート除去工程を実施している状態を示す断面図、（ｃ）サブストレートが除去されたＳｉＣ基板の斜視図。
以下、本発明のＳｉＣ基板の加工方法の好適実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１には、本発明のＳｉＣ基板の加工方法が実施され得る六方晶単結晶ＳｉＣインゴット２が示されている。ＳｉＣインゴット２は、全体として円柱形状に形成され、円形状の第一の端面４と、第一の端面４と反対側の円形状の第二の端面６と、第一の端面４および第二の端面６の間に位置する周面８と、第一の端面４から第二の端面６に至るｃ軸（＜０００１＞方向）と、ｃ軸に直交するｃ面（｛０００１｝面）とを有する。
ＳｉＣインゴット２においては、第一の端面４の垂線１０に対してｃ軸が傾いており、ｃ面と第一の端面４とでオフ角α（たとえばα＝１、３、６度）が形成されている。オフ角αが形成される方向を図１に矢印Ａで示す。また、ＳｉＣインゴット２の周面８には、結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されている。第一のオリエンテーションフラット１２は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第二のオリエンテーションフラット１４は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図１（ｂ）に示すとおり、上方からみて、第二のオリエンテーションフラット１４の長さＬ２は、第一のオリエンテーションフラット１２の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。
図示の実施形態では図２に示すとおり、まず、適宜の接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介してＳｉＣインゴット２を保持テーブル１６の上面に固定する。保持テーブル１６は、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されていると共に、後述の研削装置１８やレーザー加工装置３０等の間を移動自在に構成されている。
ＳｉＣインゴット２を保持テーブル１６に固定した後、ＳｉＣインゴット２の上面が既に平坦に形成されている場合を除き、ＳｉＣインゴット２の上面を平坦化する上面平坦化工程を実施する。上面平坦化工程は、たとえば図３に一部を示す研削装置１８を用いて実施することができる。研削装置１８は、スピンドル用モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びるスピンドル２０と、スピンドル２０の下端に固定された円板状のホイールマウント２２とを含む。ホイールマウント２２の下面にはボルト２４により環状の研削ホイール２６が固定されている。研削ホイール２６の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石２８が固定されている。
図３を参照して説明を続けると、上面平坦化工程では、まず、保持テーブル１６を研削装置１８の下方に移動させる。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）で保持テーブル１６を回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル２０を回転させる。次いで、研削装置１８の昇降手段（図示していない。）でスピンドル２０を下降させ、ＳｉＣインゴット２の上面（図示の実施形態では第一の端面４）に研削砥石２８を接触させる。その後、所定の研削送り速度（たとえば０．１μｍ／ｓ）でスピンドル２０を下降させる。これによって、後述の剥離層形成工程におけるレーザー光線の入射を妨げない程度にＳｉＣインゴット２の上面を平坦化することができる。
上面平坦化工程を実施した後、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線をＳｉＣインゴット２に照射して剥離層を形成する剥離層形成工程を実施する。剥離層形成工程は、たとえば図４に一部を示すレーザー加工装置３０を用いて実施することができる。レーザー加工装置３０は、パルスレーザー光線発振器（図示していない。）が発振したパルスレーザー光線ＬＢを集光してＳｉＣインゴット２に照射するための集光器３２を備える。集光器３２は、図４（ａ）に矢印Ｘで示すＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向（図４（ａ）に矢印Ｙで示す方向）とのそれぞれに進退自在に構成されている。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定する平面は実質上水平である。
図４（ａ）を参照して説明を続けると、剥離層形成工程では、まず、保持テーブル１６をレーザー加工装置３０の下方に移動させる。次いで、レーザー加工装置３０の撮像手段（図示していない。）で上方からＳｉＣインゴット２を撮像する。次いで、撮像手段で撮像したＳｉＣインゴット２の画像に基づいて、保持テーブル１６を回転させると共に集光器３２を移動させることにより、ＳｉＣインゴット２の向きを所定の向きに調整すると共に、ＳｉＣインゴット２と集光器３２とのＸＹ平面における位置を調整する。ＳｉＣインゴット２の向きを所定の向きに調整する際は、図４（ａ）に示すとおり、第二のオリエンテーションフラット１４をＸ軸方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向をＸ軸方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向ＡをＹ軸方向に整合させる。
次いで、レーザー加工装置３０の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器３２を昇降させ、ＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置に集光点を位置づける。ＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置とは、ＳｉＣ基板の上面にデバイスを形成できる必要不可欠な厚みのＳｉＣ基板が生成できる深さであるのが好ましく、たとえば３０〜１００μｍ程度である。
次いで、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に整合しているＸ軸方向に集光器３２を所定の送り速度で移動させながら、ＳｉＣインゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３２からＳｉＣインゴット２に照射する。そうすると、図４（ｂ）に示すとおり、パルスレーザー光線ＬＢの照射によりＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離すると共に、ＳｉＣがＳｉとＣとに分離した部分３４からｃ面に沿って等方的に延びるクラック３６が生成される。なお、ＳｉＣインゴット２にパルスレーザー光線ＬＢを照射する際は、集光器３２に代えて保持テーブル１６を移動させてもよい。
そして、オフ角αが形成される方向Ａに整合しているＹ軸方向に、クラック３６の幅を超えない範囲で所定インデックス量Ｌｉだけ、ＳｉＣインゴット２に対して集光器３２を相対的にインデックス送りしながら、パルスレーザー光線ＬＢの照射を繰り返す。これによって、Ｙ軸方向に所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいて、ＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置に、ＳｉＣがＳｉとＣとに分離した部分３４およびクラック３６からなる強度が低下した剥離層３８を形成することができる。なお、インデックス送りの際は集光器３２に代えて保持テーブル１６を移動させてもよい。このような剥離層形成工程は、たとえば以下の加工条件で行うことができる。
パルスレーザー光線の波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：３．２Ｗ
パルス幅 ：４ｎｓ
スポット径 ：３μｍ
集光器の開口数（ＮＡ） ：０．４３
インデックス量 ：２５０〜４００μｍ
送り速度 ：１２０〜２６０ｍｍ／ｓ
剥離層形成工程を実施した後、ＳｉＣインゴット２の上面にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程を実施する。図示の実施形態では図５に示すとおり、ＳｉＣインゴット２の直径とほぼ同じ直径を有する円板状のガラス製サブストレート４０を適宜の接着剤（たとえばポリイミド樹脂系接着剤）を介してＳｉＣインゴット２の第一の端面４（剥離層３８に近い方の端面）に貼着している。サブストレート４０の厚みは、ＳｉＣインゴット２から生成されたＳｉＣ基板に加工が施される際に、サブストレート４０でＳｉＣ基板を保持してＳｉＣ基板の損傷を防止することができる程度の厚みであればよく、たとえば５００〜１０００μｍ程度でよい。
サブストレート貼着工程を実施した後、剥離層３８に外力を付与してＳｉＣ基板をサブストレート４０と共に剥離する剥離工程を実施する。剥離工程は、たとえば図６に示す水槽４２内において、水を介してＳｉＣインゴット２に超音波を付与することによって実施することができる。
剥離工程では、まず、ＳｉＣインゴット２を水槽４２内に移動させる。たとえば、上部および下部が開放された筒体４２’を昇降自在に構成し、剥離工程実施場所に保持テーブル１６を移動させた後、保持テーブル１６が載置されている基台（図示していない。）の上面あるいは保持テーブル１６の上面周縁部に筒体４２’の下端を接触させることによって、水槽４２を形成し、ＳｉＣインゴット２を水槽４２内に収容する。次いで、ＳｉＣインゴット２が浸漬するまで水槽４２内に水を供給する。次いで、圧電セラミックス等から形成され得る超音波振動子（図示していない。）を浸水させて作動させる。超音波振動子を作動させる際は、超音波振動子とＳｉＣインゴット２とを接触させてもよく、あるいは超音波振動子とＳｉＣインゴット２との間に間隙（たとえば２〜３ｍｍ）を設けてもよい。超音波振動子を作動させると超音波によって剥離層３８を刺激して破壊し、剥離層３８を起点として、ＳｉＣインゴット２からＳｉＣ基板４４（図７参照。）をサブストレート４０と共に剥離することができる。なお、剥離工程は、先端に向かって厚みが薄くなるノミのような部材を用いて、剥離層３８に衝撃を加えることによっても実施することができる。
剥離工程を実施した後、サブストレート４０に貼着されたＳｉＣ基板４４の剥離面を平坦に仕上げる剥離面平坦化工程を実施する。剥離面平坦化工程は、上述の研削装置１８と、ＳｉＣ基板４４を吸引保持するチャックテーブル４６（図７参照。）とを用いて実施することができる。チャックテーブル４６の上端部分には、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の円形の吸着チャック４８が配置され、チャックテーブル４６においては、吸引手段で吸着チャック４８の上面に吸引力を生成し、上面に載せられたＳｉＣ基板４４を吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル４６は上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されていると共に、研削装置１８の下方の研削位置と、研削装置１８から離間した待機位置との間で移動自在に構成されている。
剥離面平坦化工程では、まず、図７（ａ）に示すとおり、ＳｉＣ基板４４の剥離面４４ａを上に向けて、チャックテーブル４６の上面で、サブストレート４０に貼着されたＳｉＣ基板４４を吸引保持する。次いで、チャックテーブル４６を研削位置に移動させる。次いで、図７（ｂ）に示すとおり、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル４６を回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル２０を回転させる。次いで、研削装置１８の昇降手段（図示していない。）でスピンドル２０を下降させ、ＳｉＣ基板４４の剥離面４４ａに研削砥石２８を接触させる。その後、所定の研削送り速度（たとえば０．１μｍ／ｓ）でスピンドル２０を下降させる。これによって、サブストレート４０に貼着されたＳｉＣ基板４４の剥離面４４ａを平坦に仕上げることができる。なお、ＳｉＣインゴット２については、上述の上面平坦化工程を実施して剥離面４４ｂを平坦化した上で、剥離層形成工程、サブストレート貼着工程および剥離工程を繰り返すことにより、ＳｉＣインゴット２から複数のＳｉＣ基板４４を生成する。そして、生成したＳｉＣ基板４４のそれぞれに対して剥離面平坦化工程を実施する。
剥離面平坦化工程を実施した後、ＳｉＣ基板４４の平坦に仕上げられた剥離面４４ａにデバイスを形成するデバイス形成工程を実施する。図示の実施形態では図８に示すとおり、ＳｉＣ基板４４の平坦に仕上げられた剥離面４４ａは、格子状の分割予定ライン５０によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはパワーデバイス、ＬＥＤ等のデバイス５２が形成されている。図示の実施形態では、ＳｉＣ基板４４にサブストレート４０が貼着されているので、デバイス形成工程においてＳｉＣ基板４４に加工を施す際に、ＳｉＣ基板４４の損傷が抑制される。
デバイス形成工程を実施した後、デバイス５２が形成されたＳｉＣ基板４４からサブストレート４０を除去するサブストレート除去工程を実施する。サブストレート除去工程は、たとえば図９に一部を示すレーザー加工装置５４を用いて実施することができる。レーザー加工装置５４は、被加工物を吸引保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに吸引保持された被加工物にパルスレーザー光線ＬＢ’を照射する集光器５６とを備える。集光器５６は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に進退自在に構成されている。
図９を参照して説明を続けると、サブストレート除去工程では、まず、サブストレート４０を上に向けて、チャックテーブルの上面でＳｉＣ基板４４を吸引保持する。次いで、レーザー加工装置５４の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器５６を昇降させ、サブストレート４０とＳｉＣ基板４４とを接着している接着剤５８に集光点を位置づける。次いで、集光器５６を所定の送り速度でＸ軸方向に移動させながら、パルスレーザー光線ＬＢ’を集光器５６から接着剤５８に照射して接着剤５８を破壊する。パルスレーザー光線ＬＢ’の照射は、集光器５６を所定インデックス量だけＹ軸方向にインデックス送りしながら適宜繰り返す。そして、ＳｉＣ基板４４からサブストレート４０を除去することができる程度に接着剤５８を破壊したら、ＳｉＣ基板４４からサブストレート４０を除去することによって、図９（ｃ）に示すとおり、デバイス５２が形成されたＳｉＣ基板４４を得ることができる。なお、接着剤５８にパルスレーザー光線ＬＢ’を照射する際やインデックス送りの際は、集光器５６に代えてチャックテーブルを移動させてもよい。このようなサブストレート除去工程は、たとえば以下の加工条件で行うことができる。
パルスレーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：１．５Ｗ
パルス幅 ：４ｎｓ
スポット径 ：３μｍ
集光器の開口数（ＮＡ） ：０．４３
インデックス量 ：１００μｍ
送り速度 ：２４０ｍｍ／ｓ
以上のとおり図示の実施形態では、剥離層形成工程においてＳｉＣインゴット２の上面から浅い位置（たとえば３０〜１００μｍ程度）に剥離層３８を形成して比較的薄いＳｉＣ基板４４を生成しても、ＳｉＣ基板４４にはサブストレート４０が貼着されているので、デバイス形成工程においてＳｉＣ基板４４の損傷が抑制される。したがって、図示の実施形態では、従来よりも薄いＳｉＣ基板４４を生成することができるので、ＳｉＣインゴット２から従来よりも多くのＳｉＣ基板４４を効率よく生成することができる。
２：ＳｉＣインゴット
３８：剥離層
４０：サブストレート
４４：ＳｉＣ基板
４４ａ：ＳｉＣ基板の剥離面
５２：デバイス

Claims (7)

  1. ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を生成するＳｉＣ基板の加工方法であって、
    ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線をＳｉＣインゴットに照射して剥離層を形成する剥離層形成工程と、
    ＳｉＣインゴットの上面にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程と、
    該剥離層に外力を付与してＳｉＣ基板を該サブストレートと共に剥離する剥離工程と、
    から少なくとも構成されるＳｉＣ基板の加工方法。
  2. 該剥離層形成工程の前に、ＳｉＣインゴットの上面を平坦化する上面平坦化工程が含まれる請求項１記載のＳｉＣ基板の加工方法。
  3. 該剥離工程の後、該サブストレートに貼着されたＳｉＣ基板の剥離面を平坦に仕上げる剥離面平坦化工程が含まれる請求項１記載のＳｉＣ基板の加工方法。
  4. 該剥離面平坦化工程の後、ＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた剥離面にデバイスを形成するデバイス形成工程が含まれる請求項３記載のＳｉＣ基板の加工方法。
  5. デバイスが形成されたＳｉＣ基板から該サブストレートを除去するサブストレート除去工程が含まれる請求項４記載のＳｉＣ基板の加工方法。
  6. 該剥離層形成工程において、ＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置とは、ＳｉＣ基板の上面にデバイスを形成できる必要不可欠な厚みのＳｉＣ基板が生成できる深さである請求項１記載のＳｉＣ基板の加工方法。
  7. ＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置とは、３０〜１００μｍである請求項６記載のＳｉＣ基板の加工方法。
JP2018159320A 2018-08-28 2018-08-28 ＳｉＣ基板の加工方法 Active JP7187215B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018159320A JP7187215B2 (ja) 2018-08-28 2018-08-28 ＳｉＣ基板の加工方法
CN201910720429.0A CN110871506B (zh) 2018-08-28 2019-08-06 SiC基板的加工方法
US16/545,677 US11018059B2 (en) 2018-08-28 2019-08-20 SiC substrate processing method
DE102019212840.8A DE102019212840A1 (de) 2018-08-28 2019-08-27 SiC-SUBSTRATBEARBEITUNGSVERFAHREN

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018159320A JP7187215B2 (ja) 2018-08-28 2018-08-28 ＳｉＣ基板の加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020035821A true JP2020035821A (ja) 2020-03-05
JP7187215B2 JP7187215B2 (ja) 2022-12-12

Family

ID=69527494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018159320A Active JP7187215B2 (ja) 2018-08-28 2018-08-28 ＳｉＣ基板の加工方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11018059B2 (ja)
JP (1) JP7187215B2 (ja)
CN (1) CN110871506B (ja)
DE (1) DE102019212840A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US11034056B2 (en) 2019-05-17 2021-06-15 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US11219966B1 (en) 2018-12-29 2022-01-11 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11826846B2 (en) 2018-12-29 2023-11-28 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7166893B2 (ja) * 2018-11-21 2022-11-08 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
DE102020206233B3 (de) 2020-05-18 2021-08-12 Disco Corporation Verfahren zum herstellen eines substrats und system zum herstellen eines substrats

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017100255A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017188586A (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2018125390A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP2006142556A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Sharp Corp 基板製造装置および基板製造方法
US7811900B2 (en) * 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
JP2015516672A (ja) * 2012-02-26 2015-06-11 ソレクセル、インコーポレイテッド レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6355540B2 (ja) * 2014-12-04 2018-07-11 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472347B2 (ja) * 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6562819B2 (ja) * 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
JP6773506B2 (ja) * 2016-09-29 2020-10-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017100255A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017188586A (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2018125390A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US11219966B1 (en) 2018-12-29 2022-01-11 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11826846B2 (en) 2018-12-29 2023-11-28 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11901181B2 (en) 2018-12-29 2024-02-13 Wolfspeed, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US11911842B2 (en) 2018-12-29 2024-02-27 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11034056B2 (en) 2019-05-17 2021-06-15 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US11654596B2 (en) 2019-05-17 2023-05-23 Wolfspeed, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods

Also Published As

Publication number Publication date
CN110871506B (zh) 2023-03-14
JP7187215B2 (ja) 2022-12-12
US20200075414A1 (en) 2020-03-05
CN110871506A (zh) 2020-03-10
US11018059B2 (en) 2021-05-25
DE102019212840A1 (de) 2020-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107877011B (zh) SiC晶片的生成方法
JP7187215B2 (ja) ＳｉＣ基板の加工方法
JP6858587B2 (ja) ウエーハ生成方法
CN111203652B (zh) 晶片的生成方法
JP6858586B2 (ja) ウエーハ生成方法
KR102279621B1 (ko) SiC 웨이퍼의 생성 방법
JP7201367B2 (ja) ＳｉＣ基板の加工方法
KR20180063832A (ko) SiC 웨이퍼의 생성 방법
TW201829862A (zh) SiC晶圓之製成方法
JP7073172B2 (ja) ウエーハの生成方法
TW201933465A (zh) 平坦化方法
KR20190113573A (ko) 웨이퍼의 생성 방법 및 웨이퍼의 생성 장치
JP2019161037A (ja) ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
US10872757B2 (en) Semiconductor substrate processing method
JP2022025566A (ja) Ｓｉ基板生成方法
TW201933707A (zh) 晶圓的生成方法及晶圓的生成裝置
JP2023026921A (ja) ウエーハの加工方法
JP2021170613A (ja) ウエーハの生成方法
JP2022137807A (ja) ウェーハの製造方法、チップの製造方法、ウェーハ及びレーザービームの位置合わせ方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210616

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220613

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220812

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7187215

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150