JP7499845B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7499845B2
JP7499845B2 JP2022509458A JP2022509458A JP7499845B2 JP 7499845 B2 JP7499845 B2 JP 7499845B2 JP 2022509458 A JP2022509458 A JP 2022509458A JP 2022509458 A JP2022509458 A JP 2022509458A JP 7499845 B2 JP7499845 B2 JP 7499845B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
layer
peeling
substrate
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022509458A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021192854A5 (ja
JPWO2021192854A1 (ja
Inventor
隼斗 田之上
陽平 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JPWO2021192854A1 publication Critical patent/JPWO2021192854A1/ja
Publication of JPWO2021192854A5 publication Critical patent/JPWO2021192854A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7499845B2 publication Critical patent/JP7499845B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
特許文献１には、半導体装置の製造方法が開示されている。かかる半導体装置の製造方法は、半導体基板の裏面よりＣＯ２レーザを照射して剥離酸化膜を局所的に加熱する加熱工程と、剥離酸化膜中、及び／又は剥離酸化膜と半導体基板との界面において剥離を生じさせて、半導体素子を転写先基板に転写させる転写工程と、を含む。
日本国 特開２００７－２２０７４９号公報
本開示にかかる技術は、第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、第２の基板を第１の基板から適切に剥離する。
本開示の一態様は、第１の基板と第２の基板が接合された重合基板を処理する基板処理方法であって、前記第２の基板にはレーザ吸収層が形成され、前記レーザ吸収層に対して、レーザ光をパルス状に照射して剥離改質層を形成することと、前記剥離改質層が相互に重ならないように形成しながら前記レーザ光をパルス状に照射することと、前記レーザ吸収層の内部に応力を蓄積することと、蓄積された前記応力を連鎖的に解放し、前記第２の基板を剥離することと、を含む。
本開示によれば、第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、第２の基板を第１の基板から適切に剥離することができる。
ウェハ処理システムで処理される重合ウェハの一例を示す側面図である。 ウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 界面用レーザ照射装置の構成の概略を示す側面図である。 界面用レーザ照射装置の構成の概略を示す平面図である。 本実施形態にかかる剥離改質層を形成する様子を示す説明図である。 本実施形態にかかる剥離改質層の形成例を示す平面図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の流れを示す説明図である。 本実施形態にかかる剥離改質層の他の形成例を示す平面図である。 本実施形態にかかる第２のウェハの剥離の様子を示す説明図である。 本実施形態にかかる剥離改質層の他の形成例を示す平面図である。 他の実施形態にかかるレーザ照射部の構成の概略を模式的に示す説明図である。 他の実施形態において音響光学変調器でレーザ光の周波数を変更する様子を示す説明図である。 他の実施形態において音響光学変調器でレーザ光の周波数を変更する様子を示す説明図である。 他の実施形態にかかるレーザ照射部の構成の概略を模式的に示す説明図である。 他の実施形態にかかるレーザ照射部の構成の概略を模式的に示す説明図である。 本実施形態において形成された剥離改質層の様子を示す説明図である。 本実施形態にかかる剥離改質層の他の形成例を示す平面図である。 本実施形態にかかる第２のウェハの他の剥離例を示す説明図である。 第２のウェハの押圧の様子を示す説明図である。 第２のウェハの押圧の様子を示す説明図である。 他の実施形態における重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。 本実施形態にかかるエッジトリム処理の流れを示す説明図である。
近年、ＬＥＤの製造プロセスにおいては、レーザ光を用いてサファイア基板からＧａＮ（窒化ガリウム）系化合物結晶層（材料層）を剥離する、いわゆるレーザリフトオフが行われている。このようにレーザリフトオフが行われる背景には、サファイア基板が短波長のレーザ光（例えばＵＶ光）に対して透過性を有するため、吸収層に対して吸収率の高い短波長のレーザ光を使用することができ、レーザ光についても選択の幅が広いことが挙げられる。
一方、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、一の基板（半導体などのシリコン基板）の表面に形成されたデバイス層を他の基板に転写することが行われる。シリコン基板は、一般的にＮＩＲ（近赤外線）の領域のレーザ光に対しては透過性を有するが、吸収層もＮＩＲのレーザ光に対して透過性を有するため、デバイス層が損傷を被るおそれがある。そこで、半導体デバイスの製造プロセスにおいてレーザリフトオフを行うためには、ＦＩＲ（遠赤外線）の領域のレーザ光を使用する。
一般的には、例えばＣＯ２レーザにより、ＦＩＲの波長のレーザ光を使用することができる。上述した特許文献１に記載の方法では、吸収層としての剥離酸化膜にＣＯ２レーザを照射することで、剥離酸化膜と基板の界面において剥離を生じさせている。
ここで、発明者らが鋭意検討したところ、単に吸収層に対してレーザ光（ＣＯ２レーザ）を照射しただけでは、基板と剥離酸化膜（デバイス層）の剥離が生じない、すなわち適切に転写を行えない場合があることが分かった。すなわち、剥離の発生要因が、レーザ光のエネルギー量ではなく、ピークパワー（照射されるレーザ光の最大強度）であることを見出した。ピークパワーは、例えばレーザ光の周波数を低下させることにより高くすることができる。
以上のように、特許文献１に記載される方法のようにレーザ光の照射により基板と吸収層（デバイス層）の剥離を発生させるためには、例えば当該吸収層に照射するレーザ光の周波数を低下させることにより、ピークパワーを高くする必要がある。しかしながら、例えばこのようにレーザ光の周波数を低下させた場合、基板と吸収層の全面を剥離するために要する時間が増加し、デバイス層の転写にかかるスループットが低下する。そして、特許文献１の方法では、レーザ光の周波数については全く考慮されておらず、その示唆もない。したがって、従来のデバイス層の転写方法には改善の余地がある。
本開示にかかる技術は、第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、第２の基板を第１の基板から適切に剥離する。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理システム、及び基板処理方法としてのウェハ処理方法ついて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図１に示すように、本実施形態にかかるウェハ処理において処理される重合基板としての重合ウェハＴは、第１の基板としての第１のウェハＷ１と第２の基板としての第２のウェハＷ２とが接合されて形成されている。以下、第１のウェハＷ１において、第２のウェハＷ２に接合される側の面を表面Ｗ１ａといい、表面Ｗ１ａと反対側の面を裏面Ｗ１ｂという。同様に、第２のウェハＷ２において、第１のウェハＷ１に接合される側の面を表面Ｗ２ａといい、表面Ｗ２ａと反対側の面を裏面Ｗ２ｂという。
第１のウェハＷ１は、例えばシリコン基板等の半導体ウェハである。第１のウェハＷ１の表面Ｗ１ａには、複数のデバイスを含むデバイス層Ｄ１が形成されている。デバイス層Ｄ１にはさらに表面膜Ｆ１が形成され、当該表面膜Ｆ１を介して第２のウェハＷ２と接合されている。表面膜Ｆ１としては、例えば酸化膜（ＳｉＯ２膜、ＴＥＯＳ膜）、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜又は接着剤などが挙げられる。なお、表面Ｗ１ａには、デバイス層Ｄ１と表面膜Ｆ１が形成されていない場合もある。
第２のウェハＷ２も、例えばシリコン基板等の半導体ウェハである。第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａには、レーザ吸収層Ｐ、デバイス層Ｄ２、及び表面膜Ｆ２が表面Ｗ２ａ側からこの順で積層して形成されており、表面膜Ｆ２を介して第１のウェハＷ１と接合されている。デバイス層Ｄ２、表面膜Ｆ２はそれぞれ、第１のウェハＷ１のデバイス層Ｄ１、表面膜Ｆ１と同様である。レーザ吸収層Ｐとしては、後述するようにレーザ光（例えばＣＯ２レーザ）を吸収することができるもの、例えば酸化膜（ＳｉＯ２膜、ＴＥＯＳ膜）などが挙げられる。また、表面Ｗ２ａには、レーザ吸収層Ｐ、デバイス層Ｄ２及び表面膜Ｆ２が形成されていない場合もある。この場合、レーザ吸収層Ｐはデバイス層Ｄ１及び表面膜Ｆ１が形成された第１のウェハＷ１の表面Ｗ１ａに形成され、当該デバイス層Ｄ１が第２のウェハＷ２側に転写される。
第２のウェハＷ２の周縁部Ｗｅは面取り加工がされており、周縁部Ｗｅの断面はその先端に向かって厚みが小さくなっている。半導体デバイスの製造プロセスにおいては、このように形成された第２のウェハＷ２の裏面を除去して薄化する場合があり、この薄化処理においては周縁部Ｗｅに鋭く尖った形状（いわゆるナイフエッジ形状）になるおそれがある。そうすると、第２のウェハＷ２の周縁部Ｗｅでチッピングが発生し、第２のウェハＷ２が損傷を被るおそれがある。そこで、この薄化処理前に予め第２のウェハＷ２の周縁部Ｗｅを除去する、後述のエッジトリムが行われる場合がある。周縁部Ｗｅはこのエッジトリムにおいて除去される部分であり、例えば第２のウェハＷ２の外端部から径方向に０．５ｍｍ～３ｍｍの範囲である。
本実施形態にかかる後述のウェハ処理システム１では、ウェハ処理としての前述のレーザリフトオフ処理、すなわちデバイス層Ｄ２の第１のウェハＷ１側への転写処理、又は、ウェハ処理としての前述のエッジトリム処理、すなわち第２のウェハＷ２の周縁部Ｗｅの除去処理が行われる。
図２に示すようにウェハ処理システム１は、搬入出ブロックＧ１、搬送ブロックＧ２、及び処理ブロックＧ３を一体に接続した構成を有している。搬入出ブロックＧ１、搬送ブロックＧ２及び処理ブロックＧ３は、Ｘ軸負方向側からこの順に並べて配置されている。
搬入出ブロックＧ１は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴ、複数の第１のウェハＷ１、複数の第２のウェハＷ２をそれぞれ収容可能なカセットＣｔ、Ｃｗ１、Ｃｗ２がそれぞれ搬入出される。搬入出ブロックＧ１には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセットＣｔ、Ｃｗ１、Ｃｗ２をＹ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されるカセットＣｔ、Ｃｗ１、Ｃｗ２の個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。
搬送ブロックＧ２には、カセット載置台１０のＸ軸正方向側において、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送装置２０が設けられている。ウェハ搬送装置２０は、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置２０は、重合ウェハＴ、第１のウェハＷ１及び第２のウェハＷ２を保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム２２、２２を有している。各搬送アーム２２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２２の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置２０は、カセット載置台１０のカセットＣｔ、Ｃｗ１、Ｃｗ２、及び後述するトランジション装置３０に対して、重合ウェハＴ、第１のウェハＷ１及び第２のウェハＷ２を搬送可能に構成されている。
搬送ブロックＧ２には、ウェハ搬送装置２０のＸ軸正方向側において、当該ウェハ搬送装置２０に隣接して、重合ウェハＴ、第１のウェハＷ１及び第２のウェハＷ２の受け渡すためのトランジション装置３０が設けられている。
処理ブロックＧ３は、ウェハ搬送装置４０、周縁除去装置５０、洗浄装置６０、内部用レーザ照射装置７０、及び界面用レーザ照射装置８０を有している。
ウェハ搬送装置４０は、Ｘ軸方向に延伸する搬送路４１上を移動自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置４０は、重合ウェハＴ、第１のウェハＷ１及び第２のウェハＷ２を保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム４２、４２を有している。各搬送アーム４２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム４２の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置４０は、トランジション装置３０、周縁除去装置５０、洗浄装置６０、内部用レーザ照射装置７０、及び界面用レーザ照射装置８０に対して、重合ウェハＴ、第１のウェハＷ１及び第２のウェハＷ２を搬送可能に構成されている。
周縁除去装置５０は、ウェハ搬送装置４０のＹ軸正方向側に設けられ、第２のウェハＷ２の周縁部Ｗｅの除去、すなわちエッジトリム処理を行う。洗浄装置６０は、ウェハ搬送装置４０のＹ軸負方向側に設けられ、剥離後、または周縁部Ｗｅの除去後の重合ウェハＴの洗浄を行う。第２のレーザ照射部としての内部用レーザ照射装置７０は、ウェハ搬送装置４０のＹ軸正方向側に設けられ、第２のウェハＷ２の内部にレーザ光（内部用レーザ光、例えばＹＡＧレーザ）を照射し、周縁部Ｗｅの剥離の基点となる後述の周縁改質層Ｍ２を形成する。界面用レーザ照射装置８０は、ウェハ搬送装置４０のＹ軸負方向側に設けられ、第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａに形成されたレーザ吸収層Ｐにレーザ光（界面用レーザ光、例えばＣＯ２レーザ）を照射する。なお、界面用レーザ照射装置８０の構成は後述する。
以上のウェハ処理システム１には、制御部としての制御装置９０が設けられている。制御装置９０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置９０にインストールされたものであってもよい。
ウェハ処理システム１は以上のように構成されており、ウェハ処理システム１においては、上述の重合ウェハＴのレーザリフトオフ処理、すなわち第１のウェハＷ１に対するデバイス層Ｄ２の転写処理と、上述の第２のウェハＷ２のエッジトリム処理をそれぞれ行うことができる。なお、例えばウェハ処理システム１において第２のウェハＷ２のエッジトリム処理を行わない場合には、周縁除去装置５０及び内部用レーザ照射装置７０を省略できる。
次に、上述した界面用レーザ照射装置８０について説明する。
図３及び図４に示すように界面用レーザ照射装置８０は、重合ウェハＴを上面で保持する、チャック１００を有している。チャック１００は、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂの一部、又は全面を吸着保持する。チャック１００には、搬送アーム４２との間で重合ウェハＴの受け渡しを行うための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは、チャック１００を貫通して形成された貫通孔（図示せず）を挿通して昇降自在に構成されており、重合ウェハＴを下方から支持して昇降させる。
チャック１００は、エアベアリング１０１を介して、スライダテーブル１０２に支持されている。スライダテーブル１０２の下面側には、回転機構１０３が設けられている。回転機構１０３は、駆動源として例えばモータを内蔵している。チャック１００は、回転機構１０３によってエアベアリング１０１を介して、θ軸（鉛直軸）回りに回転自在に構成されている。スライダテーブル１０２は、その下面側に設けられた移動機構１０４によって、基台１０６に設けられＹ軸方向に延伸するレール１０５に沿って移動可能に構成されている。なお、移動機構１０４の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。
チャック１００の上方には、レーザ照射部１１０が設けられている。レーザ照射部１１０は、レーザヘッド１１１、光学系１１２、及びレンズ１１３を有している。レーザヘッド１１１は、レーザ光をパルス状に発振する。光学系１１２は、レーザ光の強度や位置を制御し、あるいはレーザ光を減衰させて出力を調整する。レンズ１１３は筒状の部材であり、チャック１００に保持された重合ウェハＴにレーザ光を照射する。本実施形態ではレーザ光はパルス状のＣＯ２レーザ光であり、レーザ照射部１１０から発せられたレーザ光は第２のウェハＷ２を透過し、レーザ吸収層Ｐに照射される。なお、ＣＯ２レーザ光の波長は、例えば８．９μｍ～１１μｍである。また、レンズ１１３は、昇降機構（図示せず）によって昇降自在に構成されている。
また、チャック１００の上方には、下面に第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂを吸着保持するための吸着面を有する搬送パッド１２０が設けられている。搬送パッド１２０は、昇降機構（図示せず）によって昇降自在に構成されている。搬送パッド１２０は、チャック１００と搬送アーム４２との間で第２のウェハＷ２を搬送する。具体的には、チャック１００を搬送パッド１２０の下方（搬送アーム４２との受渡位置）まで移動させた後、搬送パッド１２０を下降させて第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂを吸着保持し、その後、搬送パッド１２０を再度上昇させて第１のウェハＷ１から剥離する。剥離された第２のウェハＷ２は、搬送パッド１２０から搬送アーム４２に受け渡され、界面用レーザ照射装置８０から搬出される。なお、搬送パッド１２０は、反転機構（図示せず）により、ウェハの表裏面を反転させるように構成されていてもよい。
次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。なお、以下の説明では、ウェハ処理システム１においてレーザリフトオフ処理を行う場合、すなわち第２のウェハＷ２のデバイス層Ｄ２を第１のウェハＷ１に転写する場合を説明する。なお、本実施形態では、ウェハ処理システム１の外部の接合装置（図示せず）において、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２が接合され、予め重合ウェハＴが形成されている。
先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣｔが、搬入出ブロックＧ１のカセット載置台１０に載置される。次に、ウェハ搬送装置２０によりカセットＣｔ内の重合ウェハＴが取り出される。カセットＣｔから取り出された重合ウェハＴは、トランジション装置３０を介してウェハ搬送装置４０に受け渡された後、界面用レーザ照射装置８０に搬送される。界面用レーザ照射装置８０では、第２のウェハＷ２が第１のウェハＷ１から剥離（レーザトリムオフ処理）される。
具体的には、搬送アーム４２から昇降ピンを介してチャック１００に吸着保持された重合ウェハＴは、先ず、移動機構１０４によって処理位置に移動される。この処理位置は、レーザ照射部１１０から重合ウェハＴ（レーザ吸収層Ｐ）にレーザ光を照射できる位置である。
次に、図５及び図６に示すようにレーザ照射部１１０から第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂに向けてレーザ光Ｌ（ＣＯ２レーザ光）をパルス状に照射する。この際、レーザ光Ｌは、第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂ側から当該第２のウェハＷ２を透過し、レーザ吸収層Ｐにおいて吸収される。そして、このレーザ光Ｌを吸収したレーザ吸収層Ｐの内部には応力が発生する。以下、このようにレーザ光の照射により形成された、第２のウェハＷ２の剥離の基点（デバイス層Ｄ２の転写の基点）となる応力の蓄積層を「剥離改質層Ｍ１」という場合がある。なお、レーザ吸収層Ｐに照射されたレーザ光Ｌは剥離改質層Ｍ１の形成によりほぼすべてのエネルギーが吸収され、デバイス層Ｄ２に到達することがない。このため、デバイス層Ｄ２がダメージを被るのを抑制することができる。
ここで、レーザ吸収層Ｐに照射されるレーザ光Ｌは、当該レーザ光Ｌの照射により第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐとを剥離させない出力に制御される。換言すれば、例えばレーザ光Ｌの周波数を上げることによりピークパワーを低下させ、当該レーザ光Ｌの照射によっては第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの剥離が発生しないように、剥離改質層Ｍ１を形成する。
このようにレーザ光Ｌの照射により第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの剥離を発生させず、発生した応力の逃げ場をなくすことで、レーザ吸収層Ｐの内部には発生した応力が蓄積され、これにより剥離改質層Ｍ１が形成される。より具体的には、例えばレーザ光の照射によりレーザ吸収層Ｐをガス化し、上述のように発生したガスの逃げ場をなくすことにより、剥離改質層Ｍ１として圧縮応力が蓄積される。また例えば、レーザ光の吸収によりレーザ吸収層Ｐに熱が発生し、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２、またはデバイス層Ｄ２との熱膨張係数の差により、剥離改質層Ｍ１としてせん断応力が蓄積される。なお、このように第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの剥離を発生させずに、レーザ光の照射により発生した応力を蓄積することで、剥離改質層Ｍ１の形成位置においてはレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の接合強度が低下する。
また、レーザ吸収層Ｐにレーザ光Ｌを照射する際、回転機構１０３によってチャック１００（重合ウェハＴ）を回転させるとともに、移動機構１０４によってチャック１００をＹ軸方向に移動させる。そうすると、レーザ光Ｌは、レーザ吸収層Ｐに対して径方向内側から外側に向けて照射され、その結果、内側から外側に螺旋状に照射される。なお、図６に示す黒塗り矢印はチャック１００の回転方向を示している。
ここで、隣接する剥離改質層Ｍ１の形成間隔、換言すればレーザ光Ｌのパルス間隔（周波数）は、当該剥離改質層Ｍ１の形成に際して生じる衝撃により、隣接する剥離改質層Ｍ１において剥離が発生しない間隔に制御する。具体的には、例えば図７（ａ）に示すように、隣接する剥離改質層Ｍ１が、平面視において相互に重ならないように形成されることが好ましい。またこの時、隣接する剥離改質層Ｍ１は相互に近接して形成されることが好ましい。
なお、図８に示すようにレーザ吸収層Ｐにおいて、レーザ光Ｌは同心円状に環状に照射してもよい。但し、この場合、チャック１００の回転とチャック１００のＹ軸方向への移動が交互に行われるため、上述したようにレーザ光Ｌを螺旋状に照射した方が、照射時間を短時間にしてスループットを向上させることができる。
また、本実施形態ではレーザ吸収層Ｐにレーザ光Ｌを照射するにあたり、チャック１００を回転させたが、レンズ１１３を移動させて、チャック１００に対してレンズ１１３を相対的に回転させてもよい。また、チャック１００をＹ軸方向に移動させたが、レンズ１１３をＹ軸方向に移動させてもよい。また更に、剥離改質層Ｍ１の形成方向は、レーザ吸収層Ｐの径方向内側から外側に限られず、径方向外側から内側に向けて形成してもよい。
このようにして複数の剥離改質層Ｍ１を連続的に形成すると、図７（ａ）に示したように、第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの剥離が発生せずに剥離改質層Ｍ１が形成された領域（以下、「未剥離領域Ｒ１」という。）が、レーザ吸収層Ｐの径方向内側から外側に向けて順次形成される。未剥離領域Ｒ１においては、上述のようにそれぞれの剥離改質層Ｍ１の形成において発生した応力が蓄積されている。
未剥離領域Ｒ１の形成を継続していくと、図７（ｂ）に示すように、剥離改質層Ｍ１の形成位置が第２のウェハＷ２の端部近傍、換言すれば、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２とが接合された接合領域Ａｃと、当該接合領域Ａｃの径方向外側の未接合領域Ａｅとの境界Ａｄに到達する。なお、ここで境界Ａｄとは、例えば第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２との接合により形成された接合端部であってもよいし、例えば第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の接合界面の除去等により意図的に形成されたものであってもよい。すなわち未接合領域Ａｅとは、境界Ａｄの径方向外側の領域であって、例えば接合界面の除去等により意図的に第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の接合強度がなくされた領域であってもよいし、例えば単に第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２とが実際に接合された接合領域Ａｃの径方向外側の領域であってもよい。
剥離改質層Ｍ１の形成位置が境界Ａｄに到達すると、当該剥離改質層Ｍ１として蓄積された応力が、未接合領域Ａｅの形成空間、すなわち重合ウェハＴの外部へと解放される。蓄積された応力が解放されると、図７（ｂ）に示したように、境界Ａｄの近傍に形成された剥離改質層Ｍ１の形成位置においてはレーザ吸収層Ｐの厚み方向、すなわちレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離方向に力が作用し、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離が発生する。
続いて、境界Ａｄの近傍においてレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２が剥離されると、かかる剥離によりレーザ吸収層Ｐの厚み方向に作用する力の影響で、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離がレーザ吸収層Ｐの径方向内側へと進行する。そして、径方向内側に進行した剥離は、隣接する剥離改質層Ｍ１へと到達する。すなわち、隣接する剥離改質層Ｍ１の形成位置においてレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離が発生する。
隣接する剥離改質層Ｍ１の形成位置において剥離が発生すると、当該剥離改質層Ｍ１として蓄積された応力が解放される。これにより当該剥離改質層Ｍ１の形成位置においてレーザ吸収層Ｐの厚み方向に力が作用し、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離が、更に径方向内側へと進行する。
そして、このように連鎖的にレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離、応力の解放、径方向内側への剥離の進展、が繰り返されることにより、図７（ｃ）に示すように、剥離領域Ｒ２がレーザ吸収層Ｐの径方向外側から内側に向けて順次形成される。そして、第２のウェハＷ２の全面が、レーザ吸収層Ｐ（第１のウェハＷ１）から剥離されることで、第２のウェハＷ２のデバイス層Ｄ２が第１のウェハＷ１側へと転写される。
本実施形態によれば、未剥離領域Ｒ１の形成、すなわち剥離改質層Ｍ１の連続的な形成においては、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離を発生させないようにレーザ光Ｌのピークパワー（周波数）が制御される。そして、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２は、境界Ａｄの近傍に剥離の起点となる剥離改質層Ｍ１（以下、「起点改質層Ｍ１ｓ」という。）が形成されることにより、未剥離領域Ｒ１の剥離改質層Ｍ１を基点として剥離が自然進行する。これにより、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離においてレーザ光Ｌの周波数を低下させる必要がないため、デバイス層Ｄ２の転写処理にかかる時間を短縮され、すなわちスループットの低下が抑制される。また、このようにレーザ光Ｌのピークパワーを上昇させる必要がないため、デバイス層Ｄ２の転写処理にかかるエネルギー効率を向上させることができる。
第２のウェハＷ２の全面がレーザ吸収層Ｐから剥離されると、次に、移動機構１０４によってチャック１００を受渡位置に移動させる。受渡位置においては、図９（ａ）に示すように搬送パッド１２０で第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂを吸着保持し、その後、図９（ｂ）に示すように搬送パッド１２０を上昇させることで、レーザ吸収層Ｐ（第１のウェハＷ１）から第２のウェハＷ２を剥離する。この際、上述したようにレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の界面には剥離が生じているので、大きな荷重をかけることなく、レーザ吸収層Ｐから第２のウェハＷ２を剥離することができる。
剥離された第２のウェハＷ２は、搬送パッド１２０からウェハ搬送装置４０の搬送アーム４２に受け渡され、カセット載置台１０のカセットＣｗ２に搬送される。なお、界面用レーザ照射装置８０から搬出された第２のウェハＷ２は、カセットＣｗ２に搬送される前に洗浄装置６０において表面Ｗ２ａが洗浄されてもよい。
一方、チャック１００に保持されている第１のウェハＷ１は、昇降ピンを介してウェハ搬送装置４０の搬送アーム４２に受け渡され、洗浄装置６０に搬送される。洗浄装置６０では、剥離面であるレーザ吸収層Ｐの表面がスクラブ洗浄される。なお、洗浄装置６０では、レーザ吸収層Ｐの表面と共に、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂが洗浄されてもよい。
その後、デバイス層Ｄ２の第１のウェハＷ１への転写にかかるすべての処理が施された第１のウェハＷ１は、トランジション装置３０を介してウェハ搬送装置２０によりカセット載置台１０のカセットＣｗ１に搬送される。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。
以上の実施形態によれば、界面用レーザ照射装置８０において照射されるレーザ光Ｌの出力が、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離を発生させないピークパワーに制御される。すなわち、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離に際してレーザ光Ｌの周波数を低下させる必要がないため、デバイス層Ｄ２の第１のウェハＷ１への転写にかかるスループットの低下が抑制される。また、このようにレーザ光Ｌのピークパワーを低下させた場合であっても、剥離改質層Ｍ１の形成により蓄積された応力を解放することで、適切にレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離を発生させることができる。
なお、以上の実施形態においては、起点改質層Ｍ１ｓとして境界Ａｄの近傍に剥離改質層Ｍ１を形成することにより応力を解放し、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の連鎖的な剥離を開始したが、剥離の開始方法はこれに限定されるものではない。
具体的には、例えばレーザ吸収層Ｐに形成された未剥離領域Ｒ１の外側において、剥離の基点となる起点改質層Ｍ１ｓを形成することにより、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の連鎖的な剥離を開始してもよい。この時、起点改質層Ｍ１ｓは、レーザ光Ｌの照射によりレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離が発生する高ピークパワー（低周波数）で形成する。このようにレーザ光Ｌの照射により剥離を発生させることで圧縮応力が解放され、その後、連鎖的にレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離が進行する。そして、このように起点改質層Ｍ１ｓの形成にかかるピークパワーを上昇させるために周波数を低下させた場合であっても、未剥離領域Ｒ１は上記実施形態と同様の方法により形成することができるため、デバイス層Ｄ２の第１のウェハＷ１への転写にかかるスループットの低下を抑制することができる。
なおこの場合、未剥離領域Ｒ１の形成に先立って起点改質層Ｍ１ｓを形成することができる。すなわち、起点改質層Ｍ１ｓの形成によりレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２を予め剥離させることにより、その後、未剥離領域Ｒ１としての剥離改質層Ｍ１の形成位置が起点改質層Ｍ１ｓの形成位置に到達することで、当該起点改質層Ｍ１ｓにおいて圧縮応力が解放され、連鎖的な剥離の進行を開始することができる。
ここで、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離を面内で均一にするためには、レーザ光Ｌを照射する間隔、すなわちパルスの間隔を一定にするのが好ましい。しかしながら、上述のようにレーザ光Ｌの照射に際してチャック１００（重合ウェハＴ）を回転させた場合、チャック１００のレーザ照射部１１０（レンズ１１３）に対する相対的な回転速度は、径方向外側よりも径方向内側の方が大きくなる。すなわち、チャック１００の回転速度が一定である場合であっても、レーザ光Ｌの照射位置が径方向内側である場合には、レーザ光Ｌの間隔が小さくなり、レーザ吸収層Ｐの中心部ではレーザ光Ｌが重なる場合があり得る。そして、このようにレーザ光Ｌが重なると、中心部においてレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離を適切にできなくなったり、レーザ光Ｌの抜け光が発生してデバイス層Ｄ２に影響を与えたりするおそれがある。
そこで本実施形態では、第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの剥離に際して、図１０に示すように、レーザ吸収層Ｐの中心部Ｐｃにおいては、応力の解放により剥離領域Ｒ２が自然に伸展して形成される範囲で剥離改質層Ｍ１の形成を省略してもよい。このようにレーザ吸収層Ｐの中心部に剥離改質層Ｍ１を形成しない場合であっても、径方向外側から進行する剥離（応力解放）の作用により剥離が伸展し、当該中心部においてもレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２を剥離することができる。
また本実施形態では、チャック１００のレーザ照射部１１０（レンズ１１３）に対する相対的な回転速度が大きくなる径方向内側においてはレーザ光Ｌの周波数を小さくし、径方向外側においてはレーザ光Ｌの周波数を大きくすることで、レーザ吸収層Ｐへのレーザ光Ｌの相対的な照射間隔を略一定に制御してもよい。ただし、このように周波数を変化させる場合において、レーザヘッド１１１のレーザ発振器においてレーザ光Ｌの周波数を変更すると、当該レーザ光Ｌのパルス波形も変わる。したがって、レーザ光Ｌの出力やパルス波形を考慮した複雑な調整が必要となり、レーザ処理のプロセス制御が難しい。
そこで本実施形態においては、音響光学変調器を用いてレーザ光Ｌの周波数を制御する。上述したようにレーザ照射部１１０は、レーザヘッド１１１、光学系１１２、及びレンズ１１３を有している。
図１１に示すようにレーザヘッド１１１は、レーザ光をパルス状に発振するレーザ発振器１３０を有している。レーザ発振器１３０から発振されるレーザ光の周波数は、後述する音響光学変調器１３１が制御できる最高周波数である。なお、レーザヘッド１１１は、レーザ発振器１３０の他の機器、例えば増幅器などを有していてもよい。
光学系１１２は、レーザ発振器１３０からのレーザ光を異なる方向に変向させる光学素子としての音響光学変調器（ＡＯＭ）１３１と、レーザ発振器１３０からのレーザ光を減衰させ、レーザ光の出力を調整する減衰器としてのアッテネータ１３２とを有している。音響光学変調器１３１とアッテネータ１３２は、レーザ発振器１３０側からこの順で設けられている。
音響光学変調器１３１は、レーザ光の強度や位置を電気的に高速で制御する光学変調器である。図１２に示すように音響光学変調器１３１は、レーザ発振器１３０からのレーザ光Ｌ１が入射した際、電圧を印加してレーザ光Ｌ１の屈折率を変化させることで、当該レーザ光Ｌ１を異なる方向に変向させる。具体的には電圧を調整することで、レーザ光Ｌ１の変更角度を制御することができる。本実施形態では、例えばレーザ光Ｌ１を２つの異なる方向に変向させ、一方向のレーザ光Ｌ２はレーザ吸収層Ｐに照射され、他方向のレーザ光Ｌ３はレーザ吸収層Ｐに照射されない。このレーザ光Ｌ２、Ｌ３の変向を制御することで、レーザ吸収層Ｐに照射されるレーザ光Ｌ２の周波数を調整することができる。
かかる場合、音響光学変調器１３１を用いてレーザ光Ｌ１のパルスを間引くことによって、レーザ吸収層Ｐに照射されるレーザ光Ｌ２の周波数を調整することができる。例えば、あるタイミングにおいて、レーザ光Ｌ１に対するレーザ光Ｌ２とレーザ光Ｌ３の変向率を１００：０にすれば、レーザ光Ｌ１がそのままレーザ光Ｌ２となってレーザ吸収層Ｐに照射される。一方、別のタイミングにおいて、レーザ光Ｌ１に対するレーザ光Ｌ２とレーザ光Ｌ３の変向率を０：１００にすれば、レーザ光Ｌ２は０（ゼロ）となり、レーザ吸収層Ｐにレーザ光Ｌ２は照射されない。かかる場合、図１３（ａ）に示すレーザ発振器１３０からのレーザ光Ｌ１の周波数に対して、図１３（ｂ）に示す音響光学変調器１３１で変向したレーザ光Ｌ２の周波数を調整することができる。また、上述したようにレーザ光Ｌ１の周波数は、音響光学変調器１３１が制御できる最高周波数であるため、レーザ光Ｌ２の周波数を任意に調整することができる。なお、図１３の横軸は時間を示し、縦軸はレーザ光Ｌ２の強度を示す。すなわち、図１３のグラフ中の密度がレーザ光Ｌ２の周波数を示す。
しかもこの場合、レーザ発振器１３０から発振されるレーザ光Ｌ１の周波数を変更しないので、レーザ光Ｌ１のパルス波形は変わらず、レーザ光Ｌ２のパルス波形もレーザ光Ｌ１のパルス波形と同じにできる。したがって、レーザ光Ｌ２の周波数を容易に調整することができ、上述したような従来の複雑な調整は不要となり、レーザ処理のプロセス制御が容易となる。
なお、本実施形態では光学素子として音響光学変調器１３１を用いたが、これに限定されない。例えば光学素子として、電気光学変調器（ＥＯＭ）を用いてもよい。また、音響光学偏向器（ＡＯＤ）や電気光学偏向器（ＥＯＤ）などの光学偏向器を用いてもよい。
次に、レーザ照射部１１０からレーザ吸収層Ｐにレーザ光Ｌ２を照射する際の、当該レーザ光Ｌ２の制御方法について説明する。上述したように、レーザ光Ｌ２の照射位置がレーザ吸収層Ｐの径方向外側にある場合には周波数を大きくし、レーザ光Ｌ２の照射位置が内側にある場合に周波数を小さくする。
以下、具体例を用いて説明する。なお、この具体例における数値は一例であって、本開示がこの数値に限定されるものではない。例えば、レーザ吸収層Ｐの径方向外側と内側のそれぞれにおいて、剥離に必要なエネルギーを４００μＪとする。レーザ吸収層Ｐの径方向外側におけるレーザ光Ｌ２の必要周波数を１００ｋＨｚとし、内側におけるレーザ光の必要周波数を５０ｋＨｚとする。レーザ発振器１３０からのレーザ光Ｌ１の周波数は１００ｋＨｚ、出力は４０Ｗとする。
かかる場合、レーザ吸収層Ｐの径方向外側に対しては、音響光学変調器１３１においてレーザ発振器１３０からのレーザ光Ｌ１のパルスを間引かない。そうすると、レーザ吸収層Ｐに照射されるレーザ光Ｌ２の周波数は、レーザ光Ｌ１の周波数と同じ１００ｋＨｚにすることができる。また、レーザ光Ｌ２の出力もレーザ光Ｌ１の出力と同じ４０Ｗになる。そして、レーザ光Ｌ２のエネルギーは４００μＪ（＝４０Ｗ／１００ｋＨｚ）となり、剥離を適切に行うことができる。
一方、レーザ吸収層Ｐの径方向内側に対しては、音響光学変調器１３１においてレーザ発振器１３０からのレーザ光Ｌ１のパルスを半分間引く。そうすると、レーザ吸収層Ｐに照射されるレーザ光Ｌ２の周波数は、レーザ光Ｌ１の周波数の半分である５０ｋＨｚにすることができる。また、このレーザ光Ｌ１の間引きにより、レーザ光Ｌ２の出力もレーザ光Ｌ１の出力の半分である２０Ｗになる。そして、レーザ光Ｌ２のエネルギーは４００μＪ（＝２０Ｗ／５０ｋＨｚ）となり、剥離を適切に行うことができる。
このようにレーザ光Ｌ２の周波数と照射位置に応じて、パルスの間隔が一定になるように、チャック１００の回転速度を制御する。そして、レーザ吸収層Ｐの中心部では、チャック１００の最高回転速度を維持し、音響光学変調器１３１が当該最高回転速度にかわせて、レーザ光Ｌ２の周波数を調整する。これにより、チャック１００の高回転速度、レーザ光Ｌ２の高周波数を最大限維持したレーザ処理を行うことができ、高スループットのレーザ処理を実現することができる。
しかもこの場合、レーザ発振器１３０からのレーザ光Ｌ１の周波数を変更しないので、レーザ光Ｌ１のパルス波形は変わらず、レーザ光Ｌ２のパルス波形もレーザ光Ｌ１のパルス波形と同じにできる。したがって、レーザ光Ｌ２の周波数を容易に調整することができ、連続したシームレスな加工が可能となる。その結果、レーザ処理のプロセス制御が容易となり、安定したプロセスを実現することができる。
なお、本実施形態では、レーザ発振器１３０からのレーザ光Ｌ１の出力が４０Ｗであったため、剥離に必要なエネルギー４００μＪに対して出力の調整は不要であった。この点、例えばレーザ光Ｌ１の出力が５０Ｗであった場合には、アッテネータ１３２においてレーザ光Ｌ１の出力を２０％減衰させて出力を調整すればよい。
以上の実施形態のレーザ照射部１１０では、音響光学変調器１３１は光学系１１２の内部においてアッテネータ１３２の上流側に設けられていたが、設置場所はこれに限定されない。例えば、図１４に示すように音響光学変調器１３１は光学系１１２の内部においてアッテネータ１３２の下流側に設けられていてもよい。あるいは例えば、図１５に示すように音響光学変調器１３１はレーザヘッド１１１の内部においてレーザ発振器１３０の下流側に設けられていてもよい。さらに、音響光学変調器１３１は上記設置位置に２箇所以上に設けられていてもよい。
なお、レーザ照射部１１０では、音響光学変調器１３１でレーザ光Ｌ２の周波数と出力を調整した後、アッテネータ１３２で出力を微調整することが可能である。ここで、レーザ発振器１３０から発振されるレーザ光Ｌ１の出力は、レーザ発振器１３０の個体差によってばらつく場合がある。アッテネータ１３２では、このような出力のばらつきを調整することができる。また、レーザ発振器１３０からのレーザ光Ｌ１の出力を経時的にモニターする場合、アッテネータ１３２をフィードバック制御して出力を調整することができる。そして、このようにアッテネータ１３２でレーザ光Ｌ２の出力を微調整するという観点からは、音響光学変調器１３１は、図１１に示したようにアッテネータ１３２の上流側に設けられるのが好ましい。
以上の実施形態のレーザ照射部１１０において、アッテネータ１３２を省略してもよい。例えばレーザ光Ｌ２の出力調整は、アッテネータ１３２に代えて、音響光学変調器１３１で調整することができる。例えばレーザ光Ｌ１の出力が５０Ｗであって、剥離に必要なレーザ光Ｌ２の出力が４０Ｗである場合、音響光学変調器１３１において、レーザ光Ｌ１に対するレーザ光Ｌ２とレーザ光Ｌ３の変向率を８０：２０にすれば、レーザ光Ｌ２の出力を４０Ｗにすることができる。
なお、以上の実施形態においてはレーザ吸収層Ｐに第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの接合強度が低下された剥離改質層Ｍ１を形成し、当該剥離改質層Ｍ１を基点として第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの剥離を行った。しかしながら、例えば図１６（ａ）に示すようにレーザ吸収層Ｐの面内においてレーザ光が照射されず、接合強度が低下されていない領域（以下、「未形成領域Ｒ３」という。）が形成されてしまった場合、第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの剥離を適切に行えない場合がある。具体的には、例えば図１６（ｂ）に示すように接合強度が低下されていない未形成領域Ｒ３において、剥離後のレーザ吸収層Ｐの表面に第２のウェハＷ２の一部（シリコン片）が残ってしまうおそれがある。
そこで本実施形態では、レーザ吸収層Ｐの面内において未形成領域Ｒ３の形成面積を減少させるように、剥離改質層Ｍ１（未剥離領域Ｒ１）を形成することが望ましい。具体的には、例えば図１７（ａ）に示すように剥離改質層Ｍ１の形成位置を制御し、１つの剥離改質層Ｍ１に隣接する他の剥離改質層Ｍ１の数を増やすことにより、未形成領域Ｒ３を減少できる。また例えば、図１７（ｂ）に示すようにレーザ吸収層Ｐに対するレーザ照射形を制御して、未形成領域Ｒ３を減少してもよい。すなわち、レーザ照射形は例えば四角形であってもよい。そして、このように未形成領域Ｒ３の面積を減少させることにより、レーザ吸収層Ｐの面内における第２のウェハＷ２との接合強度が低下された領域が増加し、その結果、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離を適切に行うことができる。
なお、以上の実施形態において第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａにはレーザ吸収層Ｐ、デバイス層Ｄ２、及び表面膜Ｆ２がこの順に積層されていたが、第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの間には、図１８（ａ）に示すように剥離促進層Ｐ２が更に形成されていてもよい。剥離促進層Ｐ２としては、レーザ光（ＣＯ２レーザ）に対して透過性を有し、第２のウェハＷ２（シリコン）との密着性が、少なくともレーザ吸収層Ｐ（ＳｉＯ２）との密着性よりも小さいもの、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）が選択される。
図１８（ｂ）に示すように、剥離促進層Ｐ２が形成された重合ウェハＴにおけるデバイス層Ｄ２の転写に際しては、先ず、第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂに向けてレーザ光Ｌ（ＣＯ２レーザ光）をパルス状に照射する。この際、レーザ光Ｌは、第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂ側から当該第２のウェハＷ２、及び剥離促進層Ｐ２を透過し、レーザ吸収層Ｐにおいて吸収される。そして、このレーザ光Ｌを吸収したレーザ吸収層Ｐの内部に剥離改質層Ｍ１が形成される。
ここで、レーザ光Ｌの照射により発生した応力は、通常、上記実施形態に示したようにレーザ光Ｌの照射位置（レーザ吸収層の内部）に留まり、剥離改質層Ｍ１を形成する。しかしながら、本実施形態のように剥離促進層Ｐ２が形成されている場合、剥離促進層Ｐ２と第２のウェハＷ２との密着性が剥離促進層Ｐ２とレーザ吸収層Ｐとの密着性よりも小さいため、図１８（ｃ）に示すように、発生した応力が剥離促進層Ｐ２を透過して剥離促進層Ｐ２と第２のウェハＷ２の界面に蓄積される。換言すれば、レーザ光Ｌを照射することで発生した応力は、より安定して滞留することができる剥離促進層Ｐ２と第２のウェハＷ２の界面に移動して蓄積され、これにより剥離促進層Ｐ２と第２のウェハＷ２接合強度が低下する。
そして、このように剥離促進層Ｐ２と第２のウェハＷ２の接合強度が低下するため、その後、剥離促進層Ｐ２と第２のウェハＷ２の剥離を適切に行うことができる。またこの時、剥離促進層Ｐ２と第２のウェハＷ２の密着性が低いため、図１６に示したように剥離後の剥離促進層Ｐ２の表面に第２のウェハＷ２の一部が残ることが、適切に抑制される。また更に、本実施形態においてはレーザ光Ｌが吸収されるのはレーザ吸収層Ｐであるため、剥離後の露出表面、すなわち第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａや剥離促進層Ｐ２の表面にダメージが残ることがより適切に抑制される。
なお、このように剥離促進層Ｐ２と第２のウェハＷ２の界面で適切に剥離を行う場合、レーザ光の照射により発生したガスが剥離促進層Ｐ２を透過する必要がある。しかしながら、剥離促進層Ｐ２の膜厚が大きい場合、発生したガスが適切に剥離促進層Ｐ２を透過せず、剥離促進層Ｐ２とレーザ吸収層Ｐの界面で剥離が発生する場合がある。そこで、剥離促進層Ｐ２と第２のウェハＷ２の界面で適切に剥離を行うため、剥離促進層Ｐ２の膜厚はレーザ吸収層Ｐに対して薄く、具体的には、例えばレーザ吸収層Ｐの膜厚の１０分の１程度であることが好ましい。このように剥離促進層Ｐ２の膜厚を小さくすることにより、発生したガスが適切に剥離促進層Ｐ２を透過し、第２のウェハＷ２を剥離促進層Ｐ２から剥離することができる。
ただし、剥離促進層Ｐ２の膜厚が大きく、剥離促進層Ｐ２とレーザ吸収層Ｐの界面で剥離が発生する場合であっても、第２のウェハＷ２は剥離促進層Ｐ２を介してレーザ吸収層Ｐから剥離されるため、図１６に示したように第２のウェハＷ２の一部が、剥離後のレーザ吸収層Ｐの表面に残ることはない。すなわち、これにより第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａを保護し、剥離面の荒れを抑制することができる。
なお、上記例においては剥離促進層Ｐ２として第２のウェハＷ２（シリコン）との密着性が低いものを使用したが、剥離促進層Ｐ２に使用されるものはこれに限定されず、例えば第２のウェハＷ２（シリコン）と熱膨張係数の異なるものを使用してもよい。かかる場合、レーザ吸収層Ｐに対するレーザ光Ｌの照射で生じる熱による変形量が、第２のウェハＷ２と剥離促進層Ｐ２で異なり、これにより、第２のウェハＷ２と剥離促進層Ｐ２の界面にせん断力が生じ、第２のウェハＷ２と剥離促進層Ｐ２を剥離することができる。
なお、以上の実施形態においては、レーザ光の照射により発生し、剥離改質層Ｍ１として蓄積された圧縮応力の解放により第２のウェハＷ２と剥離促進層Ｐ２の剥離を進行させたが、このように発生した応力により、重合ウェハＴに反りが生じるおそれがある。このように重合ウェハＴに反りが生じた場合、ウェハ処理を適切に行うことができなくなる場合がある。そこで、この重合ウェハＴの反りを抑制するため、レーザ吸収層Ｐに対するレーザ光Ｌの照射が行われる際に、重合ウェハＴを上方から押圧するようにしてもよい。
例えば、重合ウェハＴが上凸形状に変形するように反りが生じる場合、図１９に示すように、重合ウェハＴの中心部を押圧部材２００により押圧するようにしてもよい。具体的には、第２のウェハＷ２の剥離に際しては、先ず、押圧部材２００による押圧範囲であるレーザ吸収層Ｐの中心部に、予めレーザ照射加工、すなわち未剥離領域Ｒ１を形成する。未剥離領域Ｒ１を形成すると、次に、当該未剥離領域Ｒ１を押圧部材２００により押圧する。そしてその後、押圧部材２００により未剥離領域Ｒ１が押圧された状態で、当該未剥離領域Ｒ１の形成位置がレーザ吸収層Ｐの外周側端部に到達すると、これにより第２のウェハＷ２の連鎖的な剥離が開始される。この時、重合ウェハＴの中心部が押圧部材２００により抑えられているため、重合ウェハＴに反りが生じるのが抑制される。
なお、未剥離領域Ｒ１は径方向外側から内側に向けて形成されてもよい。すなわち、先ず、レーザ吸収層Ｐの外周部から中心部に向けて未剥離領域Ｒ１を形成する。この時、未剥離領域Ｒ１の形成開始位置である外周側端部はレーザ吸収層Ｐの外周側端部から若干径方向内側に決定し、応力の解放は行わない。未剥離領域Ｒ１を形成すると、次に、当該未剥離領域Ｒ１を押圧部材２００により押圧する。そしてその後、押圧部材２００により未剥離領域Ｒ１が押圧された状態で、未剥離領域Ｒ１の形成位置がレーザ吸収層Ｐの外周側端部に到達する。その後、第２のウェハＷ２の径方向外側に起点改質層Ｍ１ｓを形成することで連鎖的な剥離が開始される。この時、重合ウェハＴの中心部が押圧部材２００により抑えられているため、重合ウェハＴに反りが生じるのが抑制される。
なお、レーザ光Ｌの照射に際しては重合ウェハＴを回転させるため、押圧部材２００の端部は重合ウェハＴと共に回転可能に構成されることが望ましい。
また例えば、重合ウェハＴが下凸形状に変形するように反りが生じる場合、図２０に示すように、重合ウェハＴの周縁部Ｗｅを押圧部材２００により押圧するようにしてもよい。具体的には、第２のウェハＷ２の剥離に際しては、先ず、押圧部材２００による押圧範囲であるレーザ吸収層Ｐの外周部に、予めレーザ照射加工、すなわち剥離領域Ｒ２を形成する。剥離領域Ｒ２を形成すると、次に、当該剥離領域Ｒ２を押圧部材２００により押圧する。そしてその後、押圧部材２００により剥離領域Ｒ２が押圧された状態で、レーザ吸収層Ｐの中心部において未剥離領域Ｒ１の形成を径方向内側から外側に向けて開始する。そして、未剥離領域Ｒ１の形成領域が剥離領域Ｒ２に到達すると、これにより第２のウェハＷ２の連鎖的な剥離が開始される。この時、重合ウェハＴの外周部分が押圧部材２００により抑えられているため、重合ウェハＴに反りが生じるのが抑制される。
なお、以上の実施形態で処理される重合ウェハＴにおいて、図２１に示すようにレーザ吸収層Ｐとデバイス層Ｄ２の間には、反射膜Ｒが設けられていてもよい。すなわち反射膜Ｒは、レーザ吸収層Ｐにおいて、レーザ光Ｌの入射面と反対側の面に形成されている。反射膜Ｒには、レーザ光Ｌに対する反射率が高く、融点が高い材料、例えば金属膜が用いられる。なお、デバイス層Ｄ２は機能を有する層であり、反射膜Ｒとは異なるものである。
かかる場合、レーザ照射部１１０から発せられたレーザ光Ｌは、第２のウェハＷ２を透過し、レーザ吸収層Ｐにおいてほぼすべて吸収されるが、吸収しきれなかったレーザ光Ｌが存在したとしても、反射膜Ｒで反射される。その結果、レーザ光Ｌがデバイス層Ｄ２に到達することがなく、デバイス層Ｄ２がダメージを被るのを確実に抑制することができる。
また、反射膜Ｒで反射したレーザ光Ｌは、レーザ吸収層Ｐに吸収される。したがって、第２のウェハＷ２の剥離効率を向上させることができる。
なお、以上の実施形態においてはウェハ処理システム１において重合ウェハＴのレーザリフトオフ処理、すなわち第１のウェハＷ１に対するデバイス層Ｄ２の転写処理を行う場合について説明したが、上述のように、ウェハ処理システム１においては第２のウェハＷ２のエッジトリム処理を行うことができる。以下、ウェハ処理システム１において第２のウェハＷ２のエッジトリムを行う場合について説明する。
先ず、搬入出ブロックＧ１のカセット載置台１０に載置されたカセットＣｔから重合ウェハＴがウェハ搬送装置２０により取り出され、トランジション装置３０を介してウェハ搬送装置４０に受け渡された後、内部用レーザ照射装置７０に搬送される。
内部用レーザ照射装置７０では、図２２（ａ）に示すように第２のウェハＷ２の内部にレーザ光Ｌ２（ＹＡＧレーザ光）を照射し、後述のエッジトリムにおいて周縁部Ｗｅを除去する際の基点となる周縁改質層Ｍ２を形成する。周縁改質層Ｍ２からは、第２のウェハＷ２の厚み方向にクラックＣ２が伸展する。クラックＣ２の上端部、及び下端部は、それぞれ例えば第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂ、及び表面Ｗ２ａに到達させる。第２のウェハＷ２の内部に周縁改質層Ｍ２が形成された重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置４０により界面用レーザ照射装置８０に搬送される。
界面用レーザ照射装置８０において重合ウェハＴは、第２のウェハＷ２の除去対象としての周縁部Ｗｅにおけるレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の接合強度が低下される。具体的には、図２２（ｂ）に示すようにレーザ吸収層Ｐにレーザ光Ｌ（ＣＯ２レーザ）を照射し、内部用レーザ照射装置７０で形成された周縁改質層Ｍ２よりも径方向外側において剥離改質層Ｍ１（未剥離領域Ｒ１）を形成する。
なお、剥離改質層Ｍ１（未剥離領域Ｒ１）の形成に際しては、回転機構１０３によってチャック１００（重合ウェハＴ）を回転させるとともに、移動機構１０４によってチャック１００をＹ軸方向に移動させる。そうすると、レーザ光Ｌは、レーザ吸収層Ｐに対して径方向内側から外側に向けて照射され、その結果、内側から外側に螺旋状に照射される。
剥離改質層Ｍ１の形成を継続し、当該剥離改質層Ｍ１の形成位置が第２のウェハＷ２の端部近傍、すなわち境界Ａｄに到達すると、図２２（ｃ）に示すように、レーザ吸収層Ｐの径方向外側から内側に向けての連鎖的な剥離が開始する。ここで、本実施形態においては剥離改質層Ｍ１が周縁改質層Ｍ２（クラックＣ２）よりも径方向外側のみに形成されているため、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離は周縁部Ｗｅのみにおいて、すなわち、周縁改質層Ｍ２よりも径方向外側のみにおいて進行する。
周縁部Ｗｅにおけるレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離が完了した重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置４０によって周縁除去装置５０に搬送される。
周縁除去装置５０において重合ウェハＴは、図２２（ｄ）に示すように、周縁改質層Ｍ２、及びクラックＣ２を基点に、第２のウェハＷ２の周縁部Ｗｅが除去される（エッジトリム）。なお、周縁除去装置５０におけるエッジトリム方法は任意に選択することができる。この時、周縁部Ｗｅの除去に際しては剥離改質層Ｍ１の形成により第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの接合強度が低下しているため、周縁部Ｗｅの除去を容易に行うことができる。
第２のウェハＷ２の周縁部Ｗｅが除去された重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置４０により洗浄装置６０に搬送される。洗浄装置６０では、重合ウェハＴのスクラブ洗浄が行われる。その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置４０により洗浄装置６０から搬出され、トランジション装置３０を介してウェハ搬送装置２０によりカセット載置台１０のカセットＣｔに搬送される。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。
以上のように、本開示にかかる技術によれば、界面用レーザ照射装置８０において周縁部Ｗｅにおける第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの接合強度を低下させることができ、これにより、周縁除去装置５０において適切に周縁部Ｗｅの除去、すなわちエッジトリムを行うことができる。
なお、内部用レーザ照射装置７０、及び界面用レーザ照射装置８０による重合ウェハＴの処理順序は上記実施形態に限定されるものではなく、界面用レーザ照射装置８０において周縁部Ｗｅの剥離が行われた後、内部用レーザ照射装置７０において周縁改質層Ｍ２が形成されてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｄ２ デバイス層
Ｌ レーザ光
Ｍ１ 剥離改質層
Ｍ１ｓ 起点改質層
Ｐ レーザ吸収層
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ１ 第１のウェハ
Ｗ２ 第２のウェハ
Ｗ２ａ 表面
Ｗ２ｂ 裏面

Claims (26)

  1. 第１の基板と第２の基板が接合された重合基板を処理する基板処理方法であって、
    前記第２の基板にはレーザ吸収層が形成され、
    前記レーザ吸収層に対して、レーザ光をパルス状に照射して剥離改質層を形成することと、
    前記剥離改質層を相互に重ならないように形成しながら前記レーザ光をパルス状に照射することと、
    前記レーザ吸収層の内部に応力を蓄積することと、
    蓄積された前記応力を連鎖的に解放し、前記第２の基板を剥離することと、を含む、基板処理方法。
  2. 前記剥離改質層の形成時においては前記レーザ吸収層と前記第２の基板の剥離を発生させない、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記応力の連鎖的な解放の起点となる起点改質層を形成することを含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 前記起点改質層は、前記第１の基板と前記第２の基板が接合された接合領域の端部において前記レーザ吸収層の内部に形成され、
    前記起点改質層の形成時においては、当該起点改質層の形成により生じる応力を、前記接合領域の径方向外側の領域である未接合領域に解放することで、前記レーザ吸収層と前記第２の基板に剥離を発生させ、
    前記連鎖的な応力の解放は、前記剥離改質層の形成により蓄積された前記応力を、前記起点改質層の形成による剥離領域に解放することで開始する、請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 起点改質層の形成時においては、レーザ光の照射により前記レーザ吸収層と前記第２の基板の剥離を発生させ、
    前記連鎖的な応力の解放は、前記剥離改質層の形成により蓄積された前記応力を、前記起点改質層の形成による剥離領域に解放することで開始する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  6. 前記起点改質層を、前記剥離改質層よりも径方向外側に形成する、請求項４または５に記載の基板処理方法。
  7. 前記第２の基板の除去対象の周縁部と、前記第２の基板の中央部の境界に沿って周縁改質層を形成することを含み、
    前記剥離改質層を、前記周縁改質層よりも径方向外側に形成する、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  8. 前記剥離改質層を前記レーザ吸収層の中心部においては形成しない、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  9. 前記剥離改質層の形成位置、及び／又は、前記剥離改質層の形成時における前記レーザ光の照射形を制御することにより、前記レーザ吸収層に対する前記剥離改質層の形成面積を増加させる、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  10. 前記第２の基板と前記レーザ吸収層の間には前記第２の基板の剥離を促進する剥離促進層が更に形成されている、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  11. 前記レーザ吸収層に前記レーザ光を照射する際、レーザ発振器から光学素子に向けてパルス状のレーザ光を発振し、前記光学素子においてレーザ光の周波数を調整する、請求項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  12. 前記レーザ発振器からのレーザ光の周波数は、前記光学素子が制御できる最高周波数である、請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 前記レーザ吸収層に前記レーザ光を照射する際、減衰器において前記レーザ発振器からのレーザ光を減衰させる、請求項１１又は１２に記載の基板処理方法。
  14. 第１の基板と第２の基板が接合された重合基板を処理する基板処理装置であって、
    前記第２の基板にはレーザ吸収層が形成され、
    前記第２の基板の前記レーザ吸収層に対してレーザ光をパルス状に照射するレーザ照射部と、
    前記レーザ照射部の動作を制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記レーザ光の照射により剥離改質層を形成し、
    前記剥離改質層を相互に重ならないように形成しながら前記レーザ光をパルス状に照射し、
    前記レーザ吸収層の内部に応力を蓄積した後、
    蓄積された前記応力の連鎖的な解放により前記第２の基板を剥離するように、前記レーザ照射部の動作を制御する、基板処理装置。
  15. 前記制御部は、前記剥離改質層の形成時においては前記レーザ吸収層と前記第２の基板の剥離を発生させないように、前記レーザ光の出力を制御する、請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記制御部は、前記応力の連鎖的な解放の起点となる起点改質層を形成するように、前記レーザ照射部の動作を制御する、請求項１４または１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記制御部は、
    前記起点改質層を、前記第１の基板と前記第２の基板が接合された接合領域の端部において前記レーザ吸収層の内部に形成し、
    当該起点改質層の形成時においては、当該起点改質層の形成により生じる応力を、前記接合領域の径方向外側の領域である未接合領域に解放することで、前記レーザ吸収層と前記第２の基板に剥離を発生させ、
    前記連鎖的な応力の解放を、前記剥離改質層の形成により蓄積された前記応力を、前記起点改質層の形成による剥離領域に解放することで開始するように、前記レーザ照射部の動作を制御する、請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記制御部は、
    前記起点改質層の形成時においては、レーザ光の照射により前記レーザ吸収層と前記第２の基板の剥離が発生するように、前記レーザ光の出力を制御するとともに、
    前記連鎖的な応力の解放を、前記剥離改質層の形成により蓄積された前記応力を、前記起点改質層の形成による剥離領域に解放することで開始するように、前記レーザ照射部の動作を制御する、請求項１６に記載の基板処理装置。
  19. 前記制御部は、
    前記起点改質層を、前記剥離改質層よりも径方向外側に形成するように、前記レーザ照射部の動作を制御する請求項１７または１８に記載の基板処理装置。
  20. 前記第２の基板の除去対象の周縁部と、前記第２の基板の中央部の境界に沿って周縁改質層を形成する第２のレーザ照射部を有し、
    前記制御部は、前記剥離改質層を、前記周縁改質層よりも径方向外側に形成するように、前記レーザ照射部の動作を制御する請求項１４～１９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  21. 前記制御部は、前記剥離改質層を前記レーザ吸収層の中心部においては形成しないように、前記レーザ照射部の動作を制御する、請求項１４～２０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  22. 前記制御部は、前記レーザ吸収層に対する前記剥離改質層の形成面積を増加させるように、前記剥離改質層の形成位置、及び／又は、前記剥離改質層の形成時における前記レーザ光の照射形を制御する、請求項１４～２１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  23. 前記第２の基板と前記レーザ吸収層の間には前記第２の基板の剥離を促進する剥離促進層が更に形成されている、請求項１４～２２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  24. 前記レーザ照射部を制御する制御部を有し、
    前記レーザ照射部は、
    レーザ光をパルス状に発振するレーザ発振器と、
    前記レーザ発振器からのレーザ光を異なる方向に変向させる光学素子と、を有し、
    前記制御部は、前記光学素子を制御して、前記レーザ吸収層に照射されるレーザ光の周波数を調整する、請求項１４～２３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  25. 前記レーザ発振器からのレーザ光の周波数は、前記光学素子が制御できる最高周波数である、請求項２４に記載の基板処理装置。
  26. 前記レーザ照射部は、前記レーザ発振器からのレーザ光を減衰させる減衰器を有する、請求項２４又は２５に記載の基板処理装置。
JP2022509458A 2020-03-24 2021-03-02 基板処理方法及び基板処理装置 Active JP7499845B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020053183 2020-03-24
JP2020053183 2020-03-24
PCT/JP2021/007940 WO2021192854A1 (ja) 2020-03-24 2021-03-02 基板処理方法及び基板処理装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2021192854A1 JPWO2021192854A1 (ja) 2021-09-30
JPWO2021192854A5 JPWO2021192854A5 (ja) 2022-11-18
JP7499845B2 true JP7499845B2 (ja) 2024-06-14

Family

ID=77892476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022509458A Active JP7499845B2 (ja) 2020-03-24 2021-03-02 基板処理方法及び基板処理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20240087900A1 (ja)
JP (1) JP7499845B2 (ja)
KR (1) KR20220158024A (ja)
CN (1) CN115335965A (ja)
TW (1) TW202205398A (ja)
WO (1) WO2021192854A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024024191A1 (ja) * 2022-07-27 2024-02-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びデバイス構造
WO2024034197A1 (ja) * 2022-08-09 2024-02-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165848A (ja) 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp 半導体チップの製造方法
JP2008503877A (ja) 2004-06-18 2008-02-07 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工
JP2018117060A (ja) 2017-01-19 2018-07-26 株式会社ブイ・テクノロジー 剥離基板及びレーザリフトオフ方法
JP2018207009A (ja) 2017-06-07 2018-12-27 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
WO2019208298A1 (ja) 2018-04-27 2019-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
WO2020017599A1 (ja) 2018-07-19 2020-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3809681B2 (ja) * 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
JP2007220749A (ja) 2006-02-14 2007-08-30 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008503877A (ja) 2004-06-18 2008-02-07 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工
JP2007165848A (ja) 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp 半導体チップの製造方法
JP2018117060A (ja) 2017-01-19 2018-07-26 株式会社ブイ・テクノロジー 剥離基板及びレーザリフトオフ方法
JP2018207009A (ja) 2017-06-07 2018-12-27 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
WO2019208298A1 (ja) 2018-04-27 2019-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
WO2020017599A1 (ja) 2018-07-19 2020-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220158024A (ko) 2022-11-29
TW202205398A (zh) 2022-02-01
CN115335965A (zh) 2022-11-11
US20240087900A1 (en) 2024-03-14
JPWO2021192854A1 (ja) 2021-09-30
WO2021192854A1 (ja) 2021-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7304433B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
WO2021192853A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP7499845B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP7386077B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH10116801A (ja) 基板分割方法及びその基板分割を用いた発光素子製造 方法
JPWO2021192853A5 (ja)
JP7178491B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2023171405A (ja) 基板処理方法
WO2023021952A1 (ja) 処理方法及び処理システム
JP2022091504A (ja) レーザ照射システム、基板処理装置及び基板処理方法
JP7308292B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2024024191A1 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びデバイス構造
WO2024034197A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2022153894A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2022153895A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7499599B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
WO2022153886A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び基板製造方法
WO2023145425A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP7285151B2 (ja) 支持体剥離方法及び支持体剥離システム
JP2023180066A (ja) 基板処理装置及び位置調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220912

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240604