JP7490543B2 - 光電変換装置およびカメラ - Google Patents
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Description
1 表面
2 裏面
3 平面
10 素子分離部
20 画素分離部
30 画素分離部
Claims (12)
- 複数の光電変換素子を含む画素領域を有する光電変換装置であって、
第1面および前記第1面とは反対側の第2面を有し、前記第1面と前記第2面との間に前記複数の光電変換素子が配され、前記第1面側に配されたゲート電極を有するMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタのソース領域もしくはドレイン領域である第1導電型の第1半導体領域と、前記画素領域のウェル領域と、前記第1面の上に配され、前記ウェル領域の電位を制御するためのウェルコンタクトと、を有する半導体層と、
前記半導体層の前記画素領域に配され、前記第2面から前記第1面に向かって延在し、前記第1面に対する平面視において第1方向と前記第1方向に交差する第2方向に沿って配された格子形状の溝を有し、
前記第1方向に沿った前記第1面に対する断面視において、前記溝は第1領域と第2領域とを有し、前記第1領域と前記第1面の間に前記半導体層が延在し、前記第2領域は前記第1領域よりも前記第2面からの長さが長く、
前記第1面に対する平面視において、前記第1領域の一部は前記ウェルコンタクトと重なり、
前記第1面に対する断面視において、前記第1領域の前記第1面側の端部と前記ウェルコンタクトとの間に前記ウェル領域が位置し、
前記画素領域において、前記半導体層の前記第1面の側に配され、絶縁体を含む素子分離部を有し、
前記絶縁体の一部は、前記半導体層と前記MOSトランジスタのゲート電極の間に位置し、
前記第1面に対する平面視において、前記第2領域は前記素子分離部と重なる
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記平面視において、前記第1領域のその他の一部は前記素子分離部と重なることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記平面視において、前記第1領域の一部は前記素子分離部と重ならないことを特徴する請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記素子分離部はシャロートレンチアイソレーションであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記半導体層の一部は、前記絶縁体の少なくとも一部と前記第2領域の少なくとも一部の間に配されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2領域の一部は前記絶縁体に接続していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記複数の光電変換素子は、第1光電変換素子と第2光電変換素子と第3光電変換素子を有し、
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とは前記第2方向に沿って配され、
前記第2光電変換素子と前記第3光電変換素子とは前記第1方向に沿って配され、
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子との間には前記第1領域が配され、
前記第2光電変換素子と前記第3光電変換素子との間には前記第2領域が配されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記平面視において、前記第1領域は前記MOSトランジスタに重なることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記溝に絶縁体が配されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第1領域の前記第2面からの長さをD1とし、前記第1面と前記第2面との距離をTとしたときに、T×1/4≦D1≦T×3/4を満たすことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2領域は、前記平面視において、少なくとも前記格子形状の角に位置することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理する信号処理装置、前記光電変換装置から出力された信号に基づく情報を記憶する記憶装置、前記光電変換装置から出力された信号に基づく情報を表示する表示装置、および、前記光電変換装置へ光を導く光学装置の少なくともいずれかと、
を備えるカメラ。
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