JP7489171B2 - プラズマ発生装置 - Google Patents
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- Plasma Technology (AREA)
Description
(実施形態1)
図1は実施形態1に係るプラズマ発生装置の構成を示すブロック図である。実施形態1に係るプラズマ発生装置は、誘導結合プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)型のプラズマ発生装置である。プラズマ発生装置は、プラズマ管1とコイル2とを備える。プラズマ管1は、例えば石英等の非導電性材料製の管であり、長さ方向の一端部に材料ガスの導入口1aを、他端部にプラズマ化したガスを送り出す送出口1bを備えている。コイル2は、例えば銅等の導電性材料製の導線を、プラズマ管1の長さ方向中央部に適長に亘って巻回して構成されており、インピーダンス整合回路4を介して高周波電源3に接続されている。
実施形態2に係るプラズマ発生装置は、実施形態1と伝熱膜8の形成態様が異なる。図5は実施形態2に係るプラズマ発生装置が備えるプラズマ管1の端部の構成を示す側断面図である。実施形態1と同様な構成については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
実施形態3に係るプラズマ発生装置は、実施形態1と伝熱膜8の形成態様が異なる。図6は実施形態3に係るプラズマ発生装置が備えるプラズマ管1の構成を示す側断面図である。実施形態1と同様な構成については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
実施形態4に係るプラズマ発生装置は、実施形態1と伝熱膜8の形成態様が異なる。図7は、実施形態4に係るプラズマ発生装置が備えるプラズマ管1の構成を示す側断面図である。実施形態1と同様な構成については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
実施形態5に係るプラズマ発生装置は、伝熱膜8の一部にスリット83が形成されている。図8は実施形態5に係るプラズマ発生装置が備えるプラズマ管1の構成を示す斜視図である。実施形態1と同様な構成については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
実施形態6に係るプラズマ発生装置は、伝熱膜8の一部にさらに保護膜10が形成されている。図9は、実施形態6に係るプラズマ発生装置が備えるプラズマ管1の端部の構成を示す側断面図である。実施形態1と同様な構成については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
2 コイル
5 冷却器
7 シール部材
8 伝熱膜
9 絶縁膜
10 保護膜
81 第1伝熱膜
82 第2伝熱膜
83 スリット
Claims (6)
- 材料ガスが導入され、内部にプラズマを発生するプラズマ管を備えるプラズマ発生装置であって、
前記プラズマ管は、外周に巻回され、該プラズマ管の内部に磁界を形成するコイルを備え、
前記プラズマ管には、外周面の全周に該プラズマ管の材料よりも熱伝導率の高い材料を含む伝熱膜が形成されており、
前記伝熱膜は、導電性を有する第1伝熱膜と、非導電性を有する第2伝熱膜とを備え、前記プラズマ管の外周面の全長に形成されており、
前記第2伝熱膜は、前記プラズマ管の前記コイルが巻回される部分に形成されている
プラズマ発生装置。 - 材料ガスが導入され、内部にプラズマを発生するプラズマ管を備えるプラズマ発生装置であって、
前記プラズマ管は、外周に巻回され、該プラズマ管の内部に磁界を形成するコイルを備え、
前記プラズマ管の端部の先端から前記コイルが巻回される部分までの間のみには、外周面の全周に前記プラズマ管の材料よりも熱伝導率の高い材料を含む伝熱膜が形成されている
プラズマ発生装置。 - 前記プラズマ管は、前記伝熱膜の外周に配設されたシール部材を備え、
前記伝熱膜は、前記シール部材の配設位置を含んで形成されている
請求項1又は請求項2に記載のプラズマ発生装置。 - 前記プラズマ管の端部には冷却器が周設され、
前記伝熱膜は、前記冷却器の周設位置の少なくとも一部を含んで形成されている
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のプラズマ発生装置。 - 前記第1伝熱膜には、周方向の一部に、長手方向に延びるスリットが形成されている
請求項1に記載のプラズマ発生装置。 - 前記プラズマ管の端部の先端には、耐熱性および絶縁性を有する保護膜が、前記伝熱膜を周方向に覆うように形成されている
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019059157A JP7489171B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019059157A JP7489171B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | プラズマ発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020161319A JP2020161319A (ja) | 2020-10-01 |
JP7489171B2 true JP7489171B2 (ja) | 2024-05-23 |
Family
ID=72643690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019059157A Active JP7489171B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7489171B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114567958B (zh) * | 2022-03-14 | 2023-03-24 | 深圳市普瑞艾尔科技有限公司 | 一种多点式排布梳状放电极的等离子发生器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007129268A (ja) | 2007-02-06 | 2007-05-24 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置 |
JP5217693B2 (ja) | 2008-07-02 | 2013-06-19 | 株式会社ニコン | レンズ系及び光学装置 |
JP2014509044A (ja) | 2011-02-03 | 2014-04-10 | テクナ・プラズマ・システムズ・インコーポレーテッド | 高性能誘導プラズマトーチ |
JP2018530893A (ja) | 2015-07-24 | 2018-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ガス軽減のための方法および装置 |
JP7169592B2 (ja) | 2017-09-27 | 2022-11-11 | 国立大学法人 鹿児島大学 | Pac1受容体拮抗薬を用いた鎮痛薬 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3118300B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2000-12-18 | 電気興業株式会社 | 高周波誘導熱プラズマトーチ |
JP3121486B2 (ja) * | 1993-12-13 | 2000-12-25 | 日本真空技術株式会社 | プラズマ処理装置における放電管冷却機構 |
JP3789863B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2006-06-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2019
- 2019-03-26 JP JP2019059157A patent/JP7489171B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007129268A (ja) | 2007-02-06 | 2007-05-24 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置 |
JP5217693B2 (ja) | 2008-07-02 | 2013-06-19 | 株式会社ニコン | レンズ系及び光学装置 |
JP2014509044A (ja) | 2011-02-03 | 2014-04-10 | テクナ・プラズマ・システムズ・インコーポレーテッド | 高性能誘導プラズマトーチ |
JP2018530893A (ja) | 2015-07-24 | 2018-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ガス軽減のための方法および装置 |
JP7169592B2 (ja) | 2017-09-27 | 2022-11-11 | 国立大学法人 鹿児島大学 | Pac1受容体拮抗薬を用いた鎮痛薬 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020161319A (ja) | 2020-10-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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