JP7476241B2 - 光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置 - Google Patents

Description

本開示は、光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置に関する。

光半導体装置は、リードフレームを有する半導体装置用パッケージと、半導体装置用パッケージに搭載された光半導体素子とを備える。光半導体装置用パッケージは、例えば、ワイヤなどによって電気的に接続された光半導体素子とリードフレームとが封止樹脂で封止されてなるものである。光半導体装置用パッケージを有する光半導体装置を実装基板に実装する方法としては、半導体装置用パッケージのリードフレームと実装基板とをはんだペースト等のはんだ材料を用いてリフローにより接合する方法が主流である。

なお、本明細書では、発光素子及び受光素子等の光半導体を光半導体素子と記載し、光半導体素子を搭載するためのパッケージ自体を光半導体装置用パッケージと記載し、光半導体素子が搭載された光半導体装置用パッケージ全体（光半導体素子と光半導体装置用パッケージとを合わせたもの）を光半導体装置と記載する。

従来、光半導体装置用パッケージとして、リードフレームと、リードフレームの上に設けられた樹脂枠体とを備えるものが知られている。この場合、この光半導体装置用パッケージを用いた光半導体装置は、光半導体装置用パッケージの樹脂枠体で囲まれた光半導体素子と、光半導体素子を覆うように樹脂枠体内に充填された封止樹脂とを備える。

このような構造の光半導体装置用パッケージでは、リードフレームを構成する金属と樹脂枠体との密着性に課題がある。具体的には、樹脂枠体と金属との密着性が悪くなると、樹脂枠体と金属との界面に隙間が発生することがある。この結果、樹脂枠体と金属との界面の隙間を介して、樹脂枠体内に封止樹脂を充填したときに封止樹脂が漏れ出したり、はんだ接合時のリフロー熱により光半導体装置用パッケージ内（樹脂枠体内）にはんだ材料が浸透したりするなどの不具合が発生する。

そこで、従来、その対策として、リードフレームの金属めっき膜の表面を粗化する方法（特許文献１、２参照）及びリードフレームのプレス加工時に樹脂枠体と接触する部分に溝部を形成する方法（特許文献３参照）が知られている。これらの方法により、樹脂枠体とリードフレームとの接触面積を大きくすることができるので、樹脂枠体とリードフレームとの密着性を向上させることができる。

このように、従来の光半導体装置用パッケージでは、上記対策を施すことで、封止樹脂が樹脂枠体から漏れ出したり、はんだ接合時に光半導体装置用パッケージ内にはんだ材料が浸透したりするという不具合を抑制している。

国際公開第２０１７／０７７９０３号 特開２００８－１２４１１５号公報 特開２００６－２２２３８２号公報

近年、光半導体装置用パッケージの開発は、小型化及び挟ピッチ化が進められている。例えば、１．６ｍｍ×０．８ｍｍといった数ミリ角サイズの光半導体装置用パッケージの開発が進められている。また、光半導体装置用パッケージの品質面に関しても、車載向け製品に関しては信頼性試験の厳格化に伴い、樹脂枠体とリードフレームの金属との密着性については従来よりも高いレベルが要求されている。

光半導体装置用パッケージが小型及び挟ピッチにデザインされると、リードフレームと樹脂枠体との接触面積が小さくなり、リードフレームと樹脂枠体との界面に隙間が生じたときの不具合の影響が大きくなる。具体的には、リードフレームと樹脂枠体との界面に生じた隙間から封止樹脂の漏れ出しが顕在化する。その他にも、リードフレームと実装基板とのはんだ接合で使用するはんだ材料の信頼性試験（リフローを繰り返し行う試験）においてもリフロー熱によりはんだ材料が樹脂枠体の内部へ浸透して信頼性試験の要求項目を満足することができないことも起こっている。また、気密性が要求される気密封止樹脂型の光半導体装置用パッケージでは、リードフレームと樹脂枠体との界面の隙間からガスが侵入して気密性を確保できなくなることもある。

このように、小型化及び挟ピッチ化に伴って、従来の対策ではリードフレームと樹脂枠体との界面に隙間が生じたときの不具合を解消することができなくなることがあり、光半導体装置用パッケージの信頼性を確保することが難しい。

本開示は、このような課題を解決するためになされたものであり、封止樹脂の樹脂漏れを抑制する等して信頼性が高い光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置等を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る光半導体装置用パッケージは、光半導体素子が配置されて封止樹脂で封止するための光半導体装置用パッケージであって、リードフレーム本体と、前記リードフレーム本体の上に位置する第１金属層と、前記第１金属層の上に設けられた樹脂枠体とを備え、前記第１金属層は、ポーラス形状を有し、前記樹脂枠体の一部は、前記ポーラス形状の孔に埋め込まれている。

また、上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る光半導体装置は、上記光半導体装置用パッケージと、前記第１金属層の上に位置し、前記樹脂枠体に囲まれた光半導体素子と、前記樹脂枠体内に設けられ、前記光半導体素子を封止する封止樹脂とを備える。

本開示によれば、信頼性の高い光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置を得ることができる。

図１は、本開示の実施の形態に係る光半導体装置の平面図である。 図２は、本開示の実施の形態に係る光半導体装置の断面図である。 図３は、本開示の実施の形態に係る光半導体装置の部分断面図である。 図４は、本開示の変形例に係る光半導体装置の断面図である。 図５Ａは、本開示の実施の形態に係る光半導体装置用パッケージの第１金属層の表面のＳＥＭ像である。 図５Ｂは、本開示の実施の形態に係る光半導体装置用パッケージにおける第１金属層と樹脂枠体との境界付近の断面のＳＥＭ像である。 図６は、本開示の実施の形態に係る光半導体装置用パッケージにおける部分めっき工法（ストライプめっき）を説明するための図である。 図７は、本開示の実施の形態に係る光半導体装置用パッケージにおける部分めっき工法（スポットめっき）を説明するための図である。 図８は、本開示の実施の形態に係る光半導体装置用パッケージにおける樹脂漏れ出し評価の判定基準を説明するための図である。 図９は、本開示の実施の形態に係る光半導体装置用パッケージにおける樹脂漏れ出し評価の実験結果を示す図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、工程、工程の順序等は、一例であり、本開示を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺等は必ずしも一致していない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

（実施の形態）
［光半導体装置及び光半導体装置用パッケージの構成］
まず、実施の形態に係る光半導体装置１及び光半導体装置用パッケージ２の構成について、図１～図３を用いて説明する。図１は、本開示の実施の形態に係る光半導体装置１の平面図であり、図２は、図１のII－II線における同光半導体装置１の断面図である。図３は、同光半導体装置１の部分断面図であり、図２の破線で囲まれる領域IIIの拡大図である。なお、図２及び図３において、第１金属層１２のポーラス形状の孔は模式的に示しており、図２と図３とにおいて、第１金属層１２のポーラス形状の孔の数及び形状は一致していない。

本実施の形態に係る光半導体装置用パッケージ２は、光半導体素子を搭載するのに適したパッケージであるが、光半導体装置用パッケージ２に搭載される素子としては、光半導体素子に限定されず、光半導体素子以外の通常の半導体素子であってもよい。つまり、本実施の形態に係る光半導体装置用パッケージ２は、「半導体装置用パッケージ」と呼ぶこともできるパッケージである。また、光半導体装置用パッケージ２は、全体として、直方体状の構造を有するが、これに限らない。

図１及び図２に示すように、本実施の形態に係る光半導体装置１は、光半導体装置用パッケージ２と、光半導体装置用パッケージ２に搭載された光半導体素子３０と、光半導体素子３０を覆うように光半導体装置用パッケージ２の凹部に充填された封止樹脂４０とを備える。

光半導体装置用パッケージ２は、光半導体素子３０を搭載するためのパッケージである。本実施の形態において、光半導体装置用パッケージ２は、光半導体素子３０を封止樹脂４０で封止するためのパッケージであって、リードフレーム１０と、樹脂枠体２０とを備える。樹脂枠体２０は、リードフレーム１０に設けられている。リードフレーム１０のうち樹脂枠体２０の外側の部分は、アウターリード部であって、はんだ付け部１０ａとなる。はんだ付け部１０ａは、光半導体装置１を実装基板等に実装する際にはんだ材料が付与されて実装基板の配線とはんだ接合される部分である。一方、リードフレーム１０のうち樹脂枠体２０の内側の部分は、インナーリード部であって、光半導体素子３０が搭載される光半導体素子搭載部１０ｂである。つまり、樹脂枠体２０は、リードフレーム１０の光半導体素子搭載部１０ｂを囲っている。

本実施の形態に係る光半導体装置用パッケージ２では、銅、鉄、ニッケル、又は、それらの少なくとも二つを含む合金からなる金属基材であるリードフレーム１０をプレス又はエッチングなどの成型技術により所望の形状に加工し、所定の表面処理及び樹脂枠体２０の樹脂成形を施すことで構成されている。

リードフレーム１０は、リードフレーム本体１１と、第１金属層１２と、第２金属層１３とを有する。

第１金属層１２と第２金属層１３とは、リードフレーム本体１１を覆うように形成される。具体的には、第１金属層１２は、リードフレーム本体１１を覆うように形成され、第２金属層１３は、第１金属層１２を覆うように形成されている。

本実施の形態において、第１金属層１２は、リードフレーム本体１１の全面を覆うように形成されている。したがって、図２に示すように、第１金属層１２は、リードフレーム本体１１の上面と下面との各々に形成されている。

また、第２金属層１３は、第１金属層１２の全面を覆うように形成されている。したがって、図２に示すように、第２金属層１３は、上側の第１金属層１２の上面と下側の第１金属層１２の下面との各々に形成されている。

このように、リードフレーム１０は、リードフレーム本体１１から離れる方向に、第１金属層１２、第２金属層１３の順に積層された構造になっている。したがって、第１金属層１２は、リードフレーム本体１１側の金属層である。また、上側の第２金属層１３は、樹脂枠体２０側の金属層である。つまり、上側の第２金属層１３は、第１金属層１２と樹脂枠体２０との間に位置している。

そして、リードフレーム本体１１側の第１金属層１２は、ポーラス形状（多孔質形状）を有する。第１金属層１２のポーラス形状の詳細については後述する。

樹脂枠体２０は、リードフレーム１０の上に設けられている。具体的には、樹脂枠体２０は、リードフレーム１０の第１金属層１２の上に設けられている。図１に示すように、樹脂枠体２０は、上面視において、矩形環状の枠体である。つまり、上面視において、樹脂枠体２０は、光半導体素子３０を矩形状に囲っている。

本実施の形態において、光半導体素子３０は光を出射する発光素子であるので、樹脂枠体２０は、光半導体素子３０から出射する光を外部（図２の上方）に向けて反射するリフレクターを構成している。具体的には、樹脂枠体２０は、椀状の壁部である。図２に示すように、樹脂枠体２０は、樹脂枠体２０の内面は傾斜面になっており、樹脂枠体２０の開口幅は上側ほど大きくなっている。これにより、光半導体素子３０から出射する光を樹脂枠体２０の内面で反射させて上方に出射させることができる。

樹脂枠体２０は、表面で光を反射させるために白色樹脂材料によって構成されている。具体的には、樹脂枠体２０は、白色顔料を含む。本実施の形態において、樹脂枠体２０は、強化材としてミネラルフィラー又はガラス繊維を含有するとともに、白色顔料として酸化チタン（ＴｉＯ_２）を含有している。ミネラルフィラーとしては、フィラー径が２μｍ～２０μｍのシリカ系無機材料を用いることができるが、特に限定されるのではない。また、ガラス繊維としては、５０μｍ～１００μｍのシリカ系無機材料を用いることができるが、特に限定されるものではない。

また、樹脂枠体２０を構成するベースレジンは、種々のものを用いることができる。一例として、樹脂枠体２０を構成するベースレジンとしては、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシルジメチレンテレフタレート）、ＵＰ（不飽和ポリエステル）又はＰＰ（ポリプロピレン）、等の熱可塑性樹脂を用いてもよいし、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂又はアクリル樹脂等の熱硬化性樹脂を用いてもよい。

光半導体装置用パッケージ２では、リードフレーム１０の一部として第１金属層１２が形成されている。そして、リードフレーム１０の樹脂枠体２０側では、樹脂枠体２０と第１金属層１２とが接触しており、リードフレーム１０における樹脂枠体２０が設けられた部分以外の部分は、第２金属層１３が露出している。

そして、本実施の形態に係る光半導体装置用パッケージ２では、図２及び図３に示すように、樹脂枠体２０の一部が第１金属層１２のポーラス形状の孔（ポーラス孔）に埋め込まれている。つまり、樹脂枠体２０は、第１金属層１２のポーラス形状の孔に埋め込まれた一部として埋め込み部２０ａを有する。

本実施の形態では、第２金属層１３には開口部１３ｂが形成されており、樹脂枠体２０の埋め込み部２０ａは、第２金属層１３の開口部１３ｂを介して、第１金属層１２のポーラス形状の孔に埋め込まれている。樹脂枠体２０は、樹脂成型により、第２金属層１３の開口部１３ｂを介して第１金属層１２の直上に形成されるとともに、第２金属層１３の直上に形成される。

このように、樹脂枠体２０の一部が第１金属層１２のポーラス形状の孔に入り込むことで、アンカー効果によって、樹脂枠体２０と第１金属層１２との密着性を向上させることができる。つまり、樹脂枠体２０と第１金属層１２との間に隙間が生じることを抑制することができる。

また、リードフレーム１０の樹脂枠体２０が設けられた部分以外の他の部分では、第１金属層１２の上に第２金属層１３が積層されているので、この部分では、第２金属層１３の一部が第１金属層１２のポーラス形状の孔に埋め込まれている。つまり、第２金属層１３は、第１金属層１２のポーラス形状の孔に埋め込まれた一部として埋め込み部１３ａを有する。このように、第２金属層１３の一部が第１金属層１２のポーラス形状の孔に入り込むことで、アンカー効果によって、第２金属層１３と第１金属層１２との密着性を向上させることができる。

光半導体装置用パッケージ２における樹脂枠体２０とリードフレーム１０とで構成される凹部には、光半導体素子３０が配置される。光半導体素子３０は、光半導体装置用パッケージ２の第１金属層１２の上に位置し、樹脂枠体２０に囲まれている。本実施の形態において、光半導体素子３０は、発光素子である。具体的には、光半導体素子３０は、ＬＥＤ（ＬＥＤ；Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップである。ＬＥＤチップは、所定の直流電力により発光する半導体発光素子の一例であって、単色の可視光を発するベアチップである。

光半導体素子３０は、樹脂枠体２０内におけるリードフレーム１０に実装される。具体的には、光半導体素子３０は、リードフレーム１０の光半導体素子搭載部１０ｂの所定の位置にダイボンディング材３１を介してダイボンディングされる。光半導体素子３０は、金ワイヤ等のワイヤ３２によってワイヤボンディングされている。本実施の形態において、光半導体素子３０は、両面電極タイプのＬＥＤチップであるので、光半導体素子３０の上面電極には、１本のワイヤ３２が接続されている。つまり、光半導体素子３０の上面電極は、ワイヤ３２を介して第２金属層１３と電気的に接続されている。一方、光半導体素子３０の裏面電極は、導電性のダイボンディング材３１を介して第２金属層１３と電気的に接続されている。なお、光半導体素子３０の上面電極が電気的に接続される第２金属層１３と、光半導体素子３０の裏面電極が電気的に接続される第２金属層１３とは、絶縁層５０によって絶縁分離されている。絶縁層５０は、分離されたリードフレーム１０の隙間に埋め込まれている。本実施の形態において、絶縁層５０は、樹脂枠体２０を成形する際に同時に形成される。したがって、絶縁層５０は、樹脂枠体２０と同じ材料である。

封止樹脂４０は、光半導体装置用パッケージ２の樹脂枠体２０内に設けられており、光半導体素子３０を封止している。封止樹脂４０は、光半導体素子３０を被覆して封止するための封止部材である。封止樹脂４０は、樹脂枠体２０の内側に実装された光半導体素子３０を覆うようにして樹脂枠体２０内に充填される。

封止樹脂４０は、シリコーン樹脂等の透光性樹脂材料によって構成されている。また、光半導体素子３０が青色光を発光する青色ＬＥＤチップである場合、光半導体装置１から白色光を出射させるために、封止樹脂４０には、青色ＬＥＤチップからの青色光を励起光として蛍光発光するＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）等の黄色蛍光体が含有されていてもよい。なお、封止樹脂４０に蛍光体が含まれておらず、封止樹脂４０は透明なままであってもよい。

このように構成される光半導体装置１は、クリームはんだ等のはんだ材料を用いてリードフレーム１０のはんだ付け部１０ａと実装基板の配線とをはんだ接合することで、実装基板に実装することができる。

以下、本実施の形態に係る光半導体装置用パッケージ２の各構成要素について、さらに詳細に説明する。

［リードフレーム本体］
リードフレーム本体１１は、導電性を有する剛体である。リードフレーム本体１１は、例えば、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム又はそれらの少なくとも二つを含む合金からなる金属材料によって構成される。本実施の形態において、リードフレーム本体１１は、銅によって構成されている。リードフレーム本体１１の厚さは、一例として、０．１ｍｍ～０．３ｍｍであるが、これに限定されるものではない。

［第１金属層（リードフレーム側の金属層）］
上記のように、第１金属層１２は、ポーラス形状（多孔質形状）を有する。つまり、第１金属層１２は、表面が平滑な平滑金属層ではなく、無数の細孔を有するポーラス金属層である。

本実施の形態において、ポーラス形状を有する第１金属層１２は、ニッケルによって構成されたニッケル金属層である。具体的には、第１金属層１２は、ニッケル金属をポーラス状に形成したものである。つまり、第１金属層１２及は、層全体がポーラス状となったニッケル金属層である。

また、ポーラス形状を有する第１金属層１２は、めっき法により形成された金属めっき膜であるとよい。したがって、ポーラス形状を有するニッケル金属層（第１金属層１２）は、ニッケルめっきによって構成されたニッケルめっき膜であるとよい。具体的には、第１金属層１２は、層全体がポーラス状となったニッケルめっき膜である。このニッケルめっき膜は、ニッケル純度が９９％以上であるとよい。

ポーラス形状を有するニッケルめっき膜は、電気ニッケルめっき法で形成することができる。ポーラス形状を有するニッケルめっき膜を電気ニッケルめっき法によって形成する方法の具体例については後述する。

なお、平坦なニッケルめっき膜は、無電解ニッケルめっき法で形成することも可能ではあるが、ポーラス形状を有するニッケルめっき膜は、無電解ニッケルめっき法で形成することは難しい。無電解ニッケルめっき法は、酸化還元による化学反応でめっきする方法であることから、めっき浴中の還元剤成分としてリンやホウ素等が含まれている。このため、無電解ニッケルめっき法でニッケルめっき膜を形成すると、それらの還元剤成分の作用で析出が開始され、析出時にはニッケル被膜中にリンやホウ素が１％以上含有されることになる。つまり、リンやホウ素が析出されなければ化学反応が開始しない。そのため、無電解ニッケルめっき法では、リンやホウ素等が優先的にニッケル金属中に析出されることとなり、ポーラス形状を有するニッケルめっき膜を形成することが難しい。

また、図４に示される光半導体装置１Ａ及び光半導体装置用パッケージ２Ａのように、リードフレーム１０Ａは、さらに、リードフレーム本体１１と第１金属層１２との間に位置する平滑金属層１４を備えていてもよい。つまり、リードフレーム本体１１側の上側の第１金属層１２よりも下に平滑金属層１４が形成されていてもよい。この場合、平滑金属層１４がリードフレーム本体１１の上面に形成され、平滑金属層１４の上面に第１金属層１２が形成されている。また、下側の第１金属層１２とリードフレーム本体１１との間にも平滑金属層１４が形成されていてもよい。

平滑金属層１４は、ポーラス形状を有さない表面が平滑な金属層である。平滑金属層１４としては、例えば、ニッケルによって構成されたニッケル金属層を用いることができる。この場合、平滑金属層１４とは、ポーラス形状が形成されていない平滑なニッケル被膜である。平滑なニッケル被膜は、例えば、電気ニッケルめっき法又は無電解ニッケルめっき法により形成することができるが、平滑金属層１４の形成方法は、これらの方法に限定されるものではない。また、平滑金属層１４は、めっき膜に限るものでもない。

このように、リードフレーム本体１１と第１金属層１２との間に平滑金属層１４を介在させることで、リードフレーム本体１１の金属成分が第１金属層１２側に熱拡散すること抑制することができる。例えば、リードフレーム本体１１が銅又は銅合金によって構成されている場合に、リードフレーム本体１１の銅成分が第１金属層１２側に熱拡散することを抑制することができる。

平滑金属層１４の膜厚は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下であるとよい。特に、リードフレーム本体１１が銅又は銅合金である場合、銅成分の拡散を防止するとの観点では、平滑金属層１４の膜厚は、０．２μｍ以上であることが好ましい。一方、平滑金属層１４の膜厚が１０μｍを超えると、リードフレーム１０を曲げ加工するときの応力により、平滑金属層１４が剥がれるおそれがある。したがって、平滑金属層１４が剥がれることを抑制するとの観点では、平滑金属層１４の膜厚は、１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０μｍ以下である。

［ポーラス形状］
第１金属層１２のポーラス形状は、第１金属層１２を構成する金属膜に複数の孔が形成された形状である。図５Ａに示すように、第１金属層１２のポーラス形状の複数の孔は、上面視したときに、二次元にランダムに分布している。図５Ａは、本開示の実施の形態に係る光半導体装置用パッケージ２の第１金属層１２の表面のＳＥＭ像である。なお、図５Ｂは、同光半導体装置用パッケージ２における第１金属層１２と樹脂枠体２０との境界付近の断面のＳＥＭ像である。

図２及び図５Ｂに示すように、本実施の形態において、第１金属層１２のポーラス形状の各孔は、金属膜を貫通する貫通孔である。したがって、第１金属層１２のポーラス形状の各孔の底面は、第１金属層１２の下地層の表面となる。例えば、図２の形態では、第１金属層１２のポーラス形状の各孔の底面は、リードフレーム本体１１の表面である。また、図４の形態では、第１金属層１２のポーラス形状の各孔の底面は、平滑金属層１４の表面である。このように、第１金属層１２のポーラス形状の各孔が金属膜を貫通する貫通孔である場合、第１金属層１２の深さは、第１金属層１２の膜厚となる。

なお、第１金属層１２におけるポーラス形状の各孔は、金属膜を貫通せずに金属膜の途中に底を有する穴であってもよい。この場合、第１金属層１２の深さは、第１金属層１２の膜厚よりも小さくなる。

第１金属層１２のポーラス形状の各孔は、上部よりも底部のほうが広くなっている。つまり、ポーラス形状の孔が、入口が狭くて奥に向かって空間が広くなる形状になっている。具体的には、第１金属層１２を平面視したときにポーラス形状の孔の面積が第１金属層１２の平面状の表面から下方に向かうにしたがって大きくなる形状である。なお、ポーラス形状の孔において、下部とは、リードフレーム本体１１側の部分であり、上部とは、リードフレーム本体１１側とは反対側の部分である。

図３に示すように、第１金属層１２のポーラス形状の各孔において、第１金属層１２を断面視したときに、孔の上部の幅をａとし、孔の底部の幅をｂとすると、１．３≦ｂ／ａ≦４．０であるとよい。ｂ／ａの比率が４．０を超えると、第１金属層１２の強度の観点において、ポーラス形状の側壁の強度が低下し、ポーラス形状を維持することができなくなるおそれがある。一方、ｂ／ａの比率が１．３を下回ると、樹脂枠体２０の一部がポーラス形状の孔に入り込むことによるアンカー効果を十分に得ることができず、第１金属層１２と樹脂枠体２０との密着性が低下するおそれがある。さらに、第１金属層１２のポーラス形状の各孔において、第１金属層１２を平面視したときに、孔の上部の面積に対する孔の底部の面積が１．３以上４．０以下であるとよい。

［ポーラス径］
ポーラス形状を有する第１金属層１２は、樹脂枠体２０との密着性を高めるとの観点から、ポーラス形状の孔の上部の幅であるポーラス径（図３のａ）は、０．０５μｍ以上２．０μｍ以下であることが望ましい。樹脂枠体２０に含有するミネラルフィラーは、通常２μｍ以上２０μｍ以下のフィラー径のものを使用することが多いので、ポーラス径が２．０μｍを超えると、ミネラルフィラーがポーラス形状の孔に入り込みやすくなって第１金属層１２と樹脂枠体２０との密着性を阻害してしまう。一方、ポーラス径が０．０５μｍ未満になると、樹脂枠体２０のベースレジンの成型時の流動性から、ポーラス形状の孔へのベースレジンの入り込みが少なくなり、十分なアンカー効果が得られず、第１金属層１２と樹脂枠体２０との密着性が低下するおそれがある。

［ポーラス深さ］
図３に示すように、第１金属層１２のポーラス形状の各孔の深さ（本実施の形態では第１金属層１２の膜厚）であるポーラス深さｄは、０．２μｍ以上２μｍ以下であることが望ましい。ポーラス深さｄが０．２μｍ未満になると、樹脂枠体２０のポーラス形状の孔へのベースレジンの入り込みが少なくなり、十分なアンカー効果が得られず、第１金属層１２と樹脂枠体２０との密着性が低下するおそれがある。一方、ポーラス深さｄが２μｍを超えると、第１金属層１２を電気ニッケルめっき法で形成したときに、ニッケルめっきの被膜中に応力が大きくなってポーラス形状が形成されにくくなったり、ニッケル析出途中にポーラス径を維持することができずに上記の比率（ｂ／ａ）が１．３を下回るおそれがあったりする。この結果、アンカー効果を確保するためのポーラス形状を形成することができないおそれがある。

［ポーラス孔の個数］
第１金属層１２のポーラス形状の孔（ポーラス孔）の個数は、第１金属層１２を平面視したときに任意に指定された１０μｍ×１０μｍの矩形領域に、５個以上有するとよい。１０μｍ×１０μｍの矩形領域にポーラス孔の個数が５個未満であると、十分なアンカー効果が得られず、第１金属層１２と樹脂枠体２０との密着性が低下するおそれがある。

一方、ポーラス孔の個数の上限については、上記の比率（ｂ／ａ）が４．０以下であれば、特に限定するものではないが、ポーラス形状の孔の個数は、例えば、第１金属層１２を平面視したときに任意に指定された１０μｍ×１０μｍの矩形領域に、５０個以下である。

図３に示すように、第１金属層１２のポーラス形状において、隣り合う２つの孔（ポーラス孔）の距離ｃは、１．２μｍ以上３．０μｍであることが望ましい。隣り合う２つの孔の距離（２つの孔の中心間距離）ｃが３．０μｍを超えると、ポーラス孔の個数が少なくなり、１０μｍ×１０μｍの矩形領域の範囲で５個を下回るおそれがあり、アンカー効果が十分に得られず、第１金属層１２と樹脂枠体２０との密着性が得られなくなるおそれがある。一方、隣り合う２つの孔の距離ｃが１．２μｍ未満になると、隣り合う２つの孔がつながってしまってポーラス径を維持することができず、上記の比率（ｂ／ａ）が１．３未満になるおそれがあり、十分なアンカー効果が得られず、第１金属層１２と樹脂枠体２０との密着性が低下するおそれがある。

［ポーラス表面積］
図５Ｂから見てとれるように、ポーラス形状を有する第１金属層１２の表面積（ポーラス表面積）は、多孔質形状を有さない場合の平滑な第１金属層１２（つまり、平滑なめっき金属）に対して、１．１倍以上であることが望ましい。このポーラス表面積が１．１倍未満になると、アンカー効果が十分に得られず、第１金属層１２と樹脂枠体２０との密着性が低下するおそれがある。なお、ポーラス表面積の上限は、上記の比率（ｂ／ａ）が４．０以下であれば、特に限定されるものではない。

［第２金属層（樹脂枠体側の金属層）］
第２金属層１３は、単一の金属膜によって構成された単層であってもよいが、複数の金属膜によって構成され金属層群であってもよい。

第２金属層１３が金属層群である場合、第２金属層１３を構成する金属膜の各々は、ニッケル、パラジウム、金、銀、又は、それらを含む合金によって構成されているとよい。この場合、第２金属層１３を構成する金属膜の各々は、めっき膜によって構成されているとよい。

例えば、第２金属層１３を構成する単層又は複数層の場合の金属の種類及び膜厚の一例を、第１金属層１２を構成する金属の種類及び膜厚とともに、以下の表１に示す。なお、第２金属層１３が複数の層で構成されている場合、リードフレーム本体１１から離れていく順に、第一層、第二層、第三層とする。

このように構成される第２金属層１３は、部分めっき工法で形成することができる。これにより、第２金属層１３に開口部１３ｂを形成することができる。以下に、この部分めっき工法について説明する。

部分めっき工法とは、リードフレーム本体１１を部分的にマスキングすることで、めっきを析出させる析出エリアとめっきを析出させない非析出エリアとを形成する工法である。マスキングの方法としては、フォトレジスト材料を用いることが一般的であるが、特に限定されるものではない。

本実施の形態では、まず、第２金属層１３を部分めっき工法で形成する前に、リードフレーム本体１１の全体に第１金属層１２としてポーラス形状を有するニッケルめっき膜を電気ニッケルめっき法で形成する。その後、第１金属層１２が形成されたリードフレーム本体１１における樹脂枠体２０の直下部分をマスキングし、第１金属層１２の表面に部分めっき工法により第２金属層１３を部分的に形成する。これにより、図２に示すように、マスキングした樹脂枠体２０の直下部分では、第２金属層１３が形成されずに開口部１３ｂとなり、第１金属層１２となるポーラス形状を有するニッケルめっき膜が露出する。一方、マスキングしていない部分では、第１金属層１２の表面に第２金属層１３が形成されて、第２金属層１３として金属めっき膜がと露出する。

部分めっき工法としては、ストライプ状にマスキングすることで、図６に示すように、第１金属層１２の表面に第２金属層１３としてストライプ状のストライプめっきを形成する方法、又は、四角形状にマスキングすることで、図７に示すように、第１金属層１２の表面に第２金属層１３として四角形状のスポットめっきを形成する方法がある。なお、スポットめっきを形成する場合、四角形状ではなく、リング状に形成してもよい。

部分めっき工法で第２金属層１３として表１に示される金属層群を形成することで、リードフレーム１０におけるはんだ付け部１０ａ及び光半導体素子搭載部１０ｂにおいて、光半導体装置用パッケージ２として、はんだ付け性能、ワイヤボンディング性能、ダイボンディング性能及び反射率性能といった性能が向上する効果も付与される。

［樹脂枠体と第１金属層との接触面］
次に、樹脂枠体２０とポーラス形状を有する第１金属層１２との接触面について説明する。リードフレーム１０における樹脂枠体２０と接触する面は、第１金属層１２の表面である。具体的には、第１金属層１２として形成されたポーラス形状を有するニッケルめっき膜のポーラス孔を構成する凹凸面が樹脂枠体２０の一部と接触していればよい。

樹脂枠体２０におけるリードフレーム１０との接触面の全体に、ポーラス形状を有する第１金属層１２であるニッケルめっき膜が存在することが最も好ましいが、第２金属層１３の部分めっき工法のマスキング精度も考慮すると、第１金属層１２と樹脂枠体２０との密着性を向上させるには、樹脂枠体２０における第１金属層１２との接触面積は、樹脂枠体２０におけるリードフレーム１０と接触面積のうちの５０％以上であることが望ましい。樹脂枠体２０における第１金属層１２との接触面積が５０％未満になると、樹脂枠体２０の一部が第１金属層１２のポーラス形状の孔に埋め込まれることによりアンカー効果を十分に得られることができず、密着性が低下するおそれがある。

なお、リードフレーム１０に関しては、プレス加工により溝部が形成されていてもよいし、溝部形成されていなくてもよい。つまり、リードフレーム１０の溝部の形成については、特に限定されるものではない。

［光半導体装置用パッケージの製造方法］
次に、本実施の形態に係る光半導体装置用パッケージ２の製造方法について、図２を参照しながら説明する。

［第１金属の形成工程］
まず、リードフレーム本体１１として、例えば、銅又は銅合金からなる基材を準備する。その後、リードフレーム本体１１の表面全体に、ポーラス形状を有する第１金属層１２を形成する。具体的には、第１金属層１２として、層全体がポーラス状になっているニッケル金属膜を形成する。

なお、リードフレーム本体１１の成分である銅又は銅合金が熱拡散することを防止するために、図４に示すように、第１金属層１２の下層に平滑金属層１４を形成してもよい。つまり、第１金属層１２を形成する前にリードフレーム本体１１に平滑金属層１４を形成し、その平滑金属層１４の全面にポーラス形状を有する第１金属層１２を形成してもよい。

本実施の形態において、ポーラス形状を有する第１金属層１２は、ニッケルめっき膜であり、電気ニッケルめっき法で形成される。この場合、電気ニッケルめっき法で用いられる電気ニッケル液中には添加剤が配合されている。この添加剤は、有機系添加剤であり、電気ニッケル液中に０．１％～２％の割合で配合するとよい。このように、電気ニッケル液中に添加剤を添加することで、ニッケルめっきの析出反応途中でニッケル金属の表面上に添加剤が吸着してニッケルめっきの析出反応が阻害される箇所ができる。一方、添加剤が吸着していないニッケルめっき部分は、ニッケルめっきの析出反応が阻害されない箇所となり、正常な析出反応が起こる。そして、析出反応が阻害される箇所と析出反応が阻害されない箇所とでニッケルめっきの析出反応が繰り返し行われることで、ポーラス状のニッケルめっき膜が形成される。具体的には、ニッケルめっき膜中に吸着した添加剤が気化して空洞の細孔となり、ポーラス状のニッケルめっき膜となる。

［第２金属層の形成工程］
ポーラス形状を有する第１金属層１２を形成した後は、第１金属層１２を部分的に覆うように第２金属層１３を形成する。具体的には、少なくとも樹脂枠体２０を形成する部分では第１金属層１２が露出するように第２金属層１３を形成する。つまり、樹脂枠体２０を形成する部分では第２金属層１３が存在しないように（開口部１３ｂが存在するように形）第２金属層１３を形成する。

このように第２金属層１３を部分的に形成する方法としては、上記の部分めっき法を用いることができる。この場合、第２金属層１３は、図６に示されるようにストライプめっき又は図７に示されるスポットめっきのいずれの方法で形成してもよい。なお、第１金属層１２及び第２金属層１３の材料としては、表１に示されるＮｏ１～Ｎｏ６のいずれの仕様であってもよい。

リードフレーム本体１１に形成された第１金属層１２に部分的に第２金属層１３を形成することで、リードフレーム本体１１、第１金属層１２及び第２金属層１３を有するリードフレーム１０が完成する。なお、その後、必要に応じて、溝部等を形成するためにリードフレーム１０にプレス加工を施してもよい。

［樹脂枠体の形成工程］
第２金属層１３を形成した後は、樹脂枠体２０を形成する。樹脂枠体２０は、リードフレーム１０の光半導体素子搭載部１０ｂを囲うように樹脂成型することで形成することができる。このとき、第２金属層１３が形成されておらず第１金属層１２が露出する部分に接するように樹脂枠体２０を形成する。これにより、樹脂枠体２０の一部が、第１金属層１２のポーラス形状の孔に入り込むので、アンカー効果によって樹脂枠体２０と第１金属層１２との密着性を向上させることができる。

なお、樹脂枠体２０を設けることで、リードフレーム１０の光半導体素子搭載部１０ｂと光半導体素子３０のワイヤボンディング部とを絶縁する機能が発揮されるとともに、発光素子である光半導体素子３０から発せられる光を反射するリフレクターとしての機能も発揮される。

以上の上記各工程を経ることで、リードフレーム１０に樹脂枠体２０が形成された光半導体装置用パッケージ２が完成する。

なお、この光半導体装置用パッケージ２の光半導体素子搭載部１０ｂにダイボンディング材３１を介して光半導体素子３０をダイボンディングし、光半導体素子３０と第２金属層１３とをワイヤ３２でワイヤボンディングした後に、光半導体装置用パッケージ２の内部空間（つまり樹脂枠体２０の内部空間）を封止樹脂４０で充填し、封止樹脂４０を硬化することで、光半導体装置１が完成する。

以上説明したように、本実施の形態に係る光半導体装置１及び光半導体装置用パッケージ２によれば、リードフレーム１０における第１金属層１２のポーラス形状の孔に樹脂枠体２０の一部が埋め込まれているので、樹脂枠体２０と第１金属層１２との界面に隙間が生じることを抑制することができるとともに、樹脂枠体２０の一部が第１金属層１２のポーラス形状の孔に埋め込まれることによるアンカー効果によって樹脂枠体２０とリードフレーム１０との密着性を向上させることができる。

これにより、樹脂枠体２０内に液状の封止樹脂４０を充填したときに、樹脂枠体２０と第１金属層１２との界面から封止樹脂４０が漏れ出すことを抑制できるとともに、はんだ接合時のリフロー熱により光半導体装置用パッケージ２内（樹脂枠体２０内）にはんだ材料が浸透することを抑制することができる。しかも、樹脂枠体２０と第１金属層１２との界面の隙間をほぼ無くすことができるので、気密性の高い光半導体装置用パッケージ２を実現することができる。

特に、本実施の形態に係る光半導体装置１及び光半導体装置用パッケージ２によれば、光半導体装置１及び光半導体装置用パッケージ２が小型化及び挟ピッチ化されたとしても、封止樹脂４０が漏れ出すことを効果的に抑制できるとともに、はんだが光半導体装置用パッケージ２内に浸透することを効果的に抑制することができる。

（実施例）
ここで、上記実施の形態に係る光半導体装置用パッケージ２の実施例について、封止樹脂４０の漏れ出し抑制の効果とはんだ浸透抑制の効果とを検証する実験を行ったので、以下、この実験結果について説明する。なお、本開示は、以下の実施例に限定されるものではない。

［実施例のサンプル］
上記実施の形態に係る光半導体装置用パッケージ２の実施例のサンプルとして、次のものを作製した。

まず、銅合金からなるリードフレーム本体１１の表面全面に平滑金属層１４として膜厚が０．２μｍのニッケルめっき膜をめっき法により形成し、このニッケルめっき膜の表面全面に第１金属層１２としてポーラス状のニッケルめっき膜を電気めっき法により形成した。このとき、第１金属層１２を形成する際のニッケルめっき液中に０．５％の濃度の添加剤を配合した。

次に、この第１金属層１２の表面に第２金属層１３として金属層群を形成した。具体的には、第２金属層１３として、第一層がニッケル金属層（膜厚０．５μｍ）で、第二層がパラジウム金属層（膜厚０．０４μｍ）で、第三層が金めっき金属層（膜厚０、０１μｍ）の金属層群を電気めっき法で形成した。なお、金属層群からなる第２金属層１３は、ストライプめっき法で形成した。その後、熱可塑性樹脂を用いて樹脂枠体２０を成型し、光半導体装置用パッケージ２を作製した。

このような光半導体装置用パッケージ２について、第１金属層１２として形成したポーラス状のニッケルめっき膜のポーラス深さ（膜厚）を、それぞれ０．１μｍ、０．２μｍ、０．５μｍ、１μｍ、２μｍ、３μｍ、４μｍとした計７水準の条件のサンプル（実施例１～７）を作製した。

［従来例のサンプル］
次に、実施例と比較するための従来例の光半導体装置用パッケージのサンプルとして、次のものを作製した。

まず、プレス加工により溝部を形成したリードフレーム本体を準備し、このリードフレーム本体の表面全面に膜厚が０．８μｍの平滑なニッケルめっき膜を電気めっき法で形成し、このニッケルめっき膜の表面に、第一層がパラジウム金属層（膜厚０．０４μｍ）で、第二層が金めっき金属層（膜厚０．０１μｍ）の金属層群を電気めっき法で形成した。その後、熱可塑性樹脂を用いて樹脂枠体を成型、光半導体装置用パッケージを作製した。

［封止樹脂の漏れ出し評価］
次に、実施例１～７のサンプルと従来例のサンプルについて、封止樹脂の漏れ出しの評価を行うために実験を行ったので、その実験結果について説明する。

この実験では、実施例１～７のサンプルと従来例のサンプルとの合計８つのサンプルの光半導体装置用パッケージの各々について、樹脂枠体内に封止樹脂を充填して硬化した後に樹脂枠体から封止樹脂の漏れ出しの状態を目視にて確認した。なお、８つのサンプルの各々について、２４個（ｎ＝２４）の実験を行った。

封止樹脂の漏れ出しに関する判定は、リードフレーム１０のはんだ付け部１０ａにはんだフィレットが適切に形成されてリードフレームのはんだ接合を実用において行えるか否かを基準にして行った。

具体的には、図８に示すように、複数のレベルで分類された基準で判定した。図８に示すように、封止樹脂の漏れ出しがない場合を［０］のレベルとし、リードフレーム１０のはんだ付け部１０ａに形成されている半円形状部位を基準として樹脂枠体から半円形状部位までの封止樹脂の漏れ出し量が少ない場合を［１］のレベル、封止樹脂の漏れ出し量がやや多い場合を［２］のレベル、半円形状部位よりも封止樹脂の漏れ出し量が多い場合を［３］のレベルとした。そして、［０］、［１］、［２］のレベルは、リードフレーム１０のはんだ付け部１０ａにはんだフィレットが適切に形成されたので良品判定とし、［３］のレベルは、樹脂枠体から漏れ出した封止樹脂によってリードフレーム１０のはんだ付け部１０ａにはんだフィレットが適切に形成されていないので不良判定とした。

次に、上記の封止樹脂の漏れ出し評価の実験結果について、図９を用いて説明する。図９は、実施例１～７のサンプルと従来例のサンプルとの各サンプルについて、封止樹脂の漏れ出しのレベルの個数を積算してグラフに示したものである。つまり、図９は、ポーラス状のニッケルめっき膜のポーラス深さ（膜厚）と封止樹脂の漏れ出し量の個数との関係を示している。

まず、良品判定について説明する。図９に示すように、ポーラス状のニッケルめっき膜のポーラス深さが０．２μｍ～３μｍの範囲では、封止樹脂の漏れ出し量が良品判定（レベル［０］、［１］、［２］）であり、封止樹脂の漏れ出し抑制の効果があることを確認することができた。特に、ポーラス深さが０．２μｍ～２μｍの範囲では、良品レベル[０]のみとなる水準であった。

次に、不良品判定について説明する。不良品判定となるレベル［３］の水準のものが１つでも含まれるサンプルは、従来例のサンプルとポーラス深さが０．１μｍ及び４μｍのサンプルであった。このように、従来例のサンプルではプレス加工時に溝部を形成していたが、それだけでは封止樹脂の漏れ出しの対策には有効でないことが確認された。また、ポーラス状のニッケルめっき膜についても、ポーラス深さが０．１μｍになると不良品判定となるレベル［３］が発生したが、これは、図３におけるポーラス形状の孔の上部の幅ａと底部の幅ｂとの比率ｂ／ａが１．３倍以下になり、ポーラス状のニッケルめっき膜を十分に形成することができなかったからである。また、ポーラス深さが４μｍなると不良品判定となるレベル［３］が発生したが、これは、図３におけるポーラス形状の孔の上部の幅ａの大きさが１μｍ以下になり、またポーラス孔の個数が１０μｍ×１０μｍの範囲で５個未満になり、十分なポーラス状のニッケルめっき膜を十分に形成することができなかったからである。

［はんだ浸透評価］
次に、はんだ浸透の評価を行うための実験を行ったので、その実験結果について説明する。この実験では、上記の封止樹脂の漏れ出し評価で作製した実施例１～７のサンプル及び従来例サンプルの光半導体装置用パッケージを用いて行った。

具体的には、各サンプルの光半導体装置用パッケージに封止樹脂を充填して硬化し、リードフレーム１０のはんだ付け部１０ａと実装基板にクリームはんだではんだ接合してリフローを繰り返して行ったときに、光半導体装置用パッケージ内へのはんだ浸透の状態を確認した。はんだ浸透の評価の判定は、リフローを繰り返し回数毎に光半導体装置用パッケージ内にはんだが浸透しているか否かを基準にして行った。なお、光半導体装置用パッケージ内にはんだが浸透しているか否かは目視で確認した。そして、実用面を考慮して、リフローの繰り返し回数が４回以上で光半導体装置用パッケージ内にはんだの浸透が確認された場合は良品とし、リフローの繰り返し回数が３回までに光半導体装置用パッケージ内にはんだの浸透が確認された場合は不良と判定した。

次に、上記のはんだ浸透評価の実験結果について説明する。上記のはんだ浸透評価の実験結果を表２に示す。表２は、ポーラス状のニッケルめっき膜のポーラス深さとはんだ浸透が確認されたリフローの繰り返し回数とをまとめたものである。

表２に示すように、従来例のサンプルでは、リフローの繰り返し回数が２回で光半導体装置用パッケージ内にはんだが浸透することが確認された。したがって、上記の判定基準により不良判定となる。これに対して、実施例１～７のサンプルでは、リフローの繰り返し回数が５回においても光半導体装置用パッケージ内にはんだが浸透することが確認されなかったので、はんだ浸透を抑制できる効果があると判断し、リフローの繰り返し回数を５回となった時点でこの評価を終了した。なお、表２において、この表記は「＞５」とした。

このように、実施例１～７のサンプルによれば、光半導体装置用パッケージ内にはんだが浸透することを抑制できることが分かる。これは、第２金属層１３の部分めっきにより樹脂枠体２０と第１金属層１２との接触面におけるポーラス状のニッケルめっき膜の表面がリフロー熱履歴によってそのニッケルめっき膜のニッケルが酸化することではんだとの反応を阻害し、はんだ結合ができなくなったからである。

（変形例）
以上、本開示に係る光半導体装置１及び光半導体装置用パッケージについて、実施の形態及び実施例に基づいて説明したが、本開示は、上記実施の形態及び実施例に限定されるものではない。

例えば、上記実施の形態において、第１金属層１２は、ニッケルによって構成されていたが、これに限るものではない。第１金属層１２は、ポーラス形状を有するものであれば、ニッケル以外の金属材料によって構成されていてもよい。

また、上記実施の形態において、第１金属層１２は、めっき法により形成されためっき膜であったが、これに限るものではない。第１金属層１２は、ポーラス形状を有するものであれば、めっき法以外の方法で形成されていてもよい。

また、上記実施の形態に係る光半導体装置１では、光半導体装置用パッケージ２に光半導体素子３０としてＬＥＤチップが搭載されたが、これに限られない。光半導体装置用パッケージ２に搭載される光半導体素子３０は、例えば、受光素子であってもよいし、発光素子と受光素子との両方であってもよい。つまり、光半導体装置用パッケージ２には発光素子と受光素子とが混在していてもよい。

また、上記実施の形態において、光半導体素子３０は、両面電極タイプのＬＥＤチップであったが、これに限らない。例えば、光半導体素子３０は、片面電極タイプのＬＥＤチップであってもよい。

その他に、上記実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の主旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態における一部の構成要素及び機能を組み合わせて構築される形態も本開示の範囲内に含まれる。

本開示の技術は、光半導体素子を配置するための光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置をはじめとして、半導体素子を配置するためのパッケージ及びこれを備える半導体装置として有用である。

１、１Ａ 光半導体装置
２、２Ａ 光半導体装置用パッケージ
１０、１０Ａ リードフレーム
１０ａ はんだ付け部
１０ｂ 光半導体素子搭載部
１１ リードフレーム本体
１２ 第１金属層
１３ 第２金属層
１３ａ 埋め込み部
１３ｂ 開口部
１４ 平滑金属層
２０ 樹脂枠体
２０ａ 埋め込み部
３０ 光半導体素子
３１ ダイボンディング材
３２ ワイヤ
４０ 封止樹脂
５０ 絶縁層

Claims (16)

1. 光半導体素子を封止樹脂で封止するための光半導体装置用パッケージであって、
   リードフレーム本体と、
   前記リードフレーム本体を覆う第１金属層と、
   前記第１金属層の上に設けられた樹脂枠体と、
   前記第１金属層と前記樹脂枠体との間に位置する第２金属層と、を備え、
   前記第１金属層は、ポーラス形状を有し、
   前記樹脂枠体の一部は、前記第２金属層に形成された開口部を介して、前記ポーラス形状の孔に埋め込まれている、
   光半導体装置用パッケージ。
2. 前記第１金属層は、ニッケルによって構成されている、
   請求項１に記載の光半導体装置用パッケージ。
3. 前記第１金属層は、純度９９％以上のニッケルによって構成されている、
   請求項２記載の光半導体装置用パッケージ。
4. 前記第２金属層の一部は、前記ポーラス形状の孔に埋め込まれている、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
5. 前記第２金属層は、複数の金属膜によって構成されており、
   前記複数の金属膜の各々は、ニッケル、パラジウム、金、銀、又は、それらを含む合金によって構成されている、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
6. さらに、前記リードフレーム本体と前記第１金属層との間に位置する平滑金属層を備える、
   請求項１～５のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
7. 前記平滑金属層の膜厚は、０．２μｍ以上１．０μｍ以下である、
   請求項６に記載の光半導体装置用パッケージ。
8. 前記ポーラス形状の孔のポーラス径は、０．０５μｍ以上２．０μｍ以下である、
   請求項１～７のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
9. 前記ポーラス形状の孔は、上部よりも底部のほうが広い、
   請求項１～８のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
10. 前記第１金属層を断面視したときに、前記上部の幅をａとし、前記底部の幅をｂとすると、１．３≦ｂ／ａ≦４．０である、
    請求項９に記載の光半導体装置用パッケージ。
11. 前記ポーラス形状の孔は、前記第１金属層を平面視したときに前記孔の面積が前記第１金属層の平面状の表面から下方に向かうにしたがって大きくなる形状である、
    請求項１～１０のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
12. 前記ポーラス形状の孔の深さは、０．２μｍ以上２μｍ以下である、
    請求項１～１１のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
13. 前記ポーラス形状の孔の個数は、前記第１金属層を平面視したときに任意に指定された１０μｍ×１０μｍの矩形領域に、５個以上５０個以下である、
    請求項１～１２のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
14. 前記ポーラス形状において、隣り合う２つの孔の距離は、１．２μｍ以上３．０μｍ以下である、
    請求項１～１３のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
15. 前記ポーラス形状を有する前記第１金属層の表面積は、前記ポーラス形状を有さない場合の平面状の前記第１金属層の表面の表面積に対して、１．１倍以上である、
    請求項１～１４のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージ。
16. 請求項１～１５のいずれか１項に記載の光半導体装置用パッケージと、
    前記第１金属層の上に位置し、前記樹脂枠体に囲まれた光半導体素子と、
    前記樹脂枠体内に設けられ、前記光半導体素子を封止する封止樹脂と、を備える、
    光半導体装置。

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