JP7470071B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1~図3は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
図1は、斜視図である。図2は、半導体装置に含まれる一部の要素を除去した状態の斜視図である。図3は、断面図である。
図4は、第2導電部52を含む領域の拡大図である。
図5は、第3部分領域11cを含む領域における不純物のプロファイルを例示している。図5の横軸は、Y軸方向における位置pYである。縦軸は、第1導電形の不純物の濃度Cn1である。
図6は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式的斜視図である。
図7(a)~図7(d)は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
図8に示すように、実施形態に係る半導体装置110aにおいては、第4導電部54のX軸方向に沿う長さ(幅)が変化する。半導体装置110aにおけるこれ以外の構成は、半導体装置110の構成と同様である。以下、半導体装置110aにおける第4導電部54の例について説明する。
図9(a)及び図9(b)は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
図9(a)に示すように、図7(a)及び図7(b)に関して説明した方法により、半導体層11uの一部に、第3導電部53と、導電部54u(例えばポリシリコン)と、を形成する。
図10に示すように、実施形態に係る半導体装置110Aにおいては、第3部分領域11cとショットキー接触する第2導電部52となる金属膜が、第2絶縁部42と第5導電部55との間に延びている。半導体装置110Aにおけるこれ以外の構成は、半導体装置110の構成と同様である。
図11(a)~図11(d)は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
図12(a)に示すように、半導体装置110Bにおいては、第4導電部54のX軸方向の幅は、実質的に一定である。
図13に示すように、実施形態に係る半導体装置111においては、第1半導体領域11の構成が、半導体装置110における第1半導体領域11の構成と異なる。半導体装置111におけるこれ以外の構成は、半導体装置110と同様である。
図14に示すように、実施形態に係る半導体装置112においては、第2絶縁部42は、複数の第3導電部53のそれぞれに設けられる。例えば、第5導電部55は、2つの第2絶縁部42の間を通過して、第4導電部54と接する。半導体装置112におけるこれ以外の構成は、半導体装置110と同様である。半導体装置112においても、特性を向上できる半導体装置が提供できる。
図15に示すように、実施形態に係る半導体装置113においては、図3に例示した複数の構造が、X軸方向に並ぶ。この例では、複数の第4導電部54のピッチよりも、複数の第2導電部52のピッチが小さい。このような構造を用いることにより、例えば、ショットキー接触を含む部分のオン時の抵抗を下げつつ、ドリフト部(例えば、第1半導体領域11)のオン抵抗を下げることができる。
図16に示すように、実施形態に係る半導体装置114は、第2半導体領域12を含む。半導体装置114におけるこれ以外の構成は、半導体装置110と同様で良い。
図17に示すように、実施形態に係る半導体装置115においては、Y軸方向において、1つの第3導電部53は、第1絶縁部41の2つの領域、及び、第4導電部54と重なる。第4導電部54と第3導電部53との間に、第3絶縁部43が設けられる。半導体装置115におけるこれ以外の構成は、半導体装置110と同様で良い。半導体装置115においても、特性を向上できる半導体装置が提供できる。
図18に示すように、実施形態に係る半導体装置116は、第1導電部51、第2導電部52、第3導電部53、第1半導体領域11及び第1絶縁部41に加えて、第1部材61を含む。半導体装置116におけるこれ以外の構成は、半導体装置110と同様で良い。
図19は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図19に示すように、実施形態に係る半導体装置120は、支持体50S(図1参照)、第1導電部51、第2導電部52、第1半導体領域11、第2半導体領域12、第3導電部53及び第1絶縁部41を含む。図19においては、支持体50Sは省略されている。
以下、第3実施形態に係る半導体装置の例について説明する。第3実施形態においても、第1半導体領域11、ドレイン電極DE(第1導電部51)、ソース電極SE(第2導電部52及び第5導電部55)、及び、ゲート電極GE(第3導電部53)は、支持体50Sの上に設けられる(図1及び図2などを参照)。以下の図では、支持体50Sが省略される場合がある。
図20に示すように、実施形態に係る半導体装置130においては、X-Y平面内において、ソース電極SEの周りに、環状のドレイン電極DEが設けられる。ソース電極SEと、環状のドレイン電極DEと、の間に、複数のセル10Cが設けられる。複数のセル10Cの1つは、第2導電部52を含む。複数のセル10Cの1つは、複数の第3導電部53の1つ、及び、複数の第4導電部54の1つを含むと見なしても良い。
図21に示すように、実施形態に係る半導体装置131においても、X-Y平面内において、ソース電極SEの周りに、複数のドレイン電極DEが設けられる。複数のドレイン電極DEの2つを結ぶ方向は、複数のドレイン電極DEの別の2つを結ぶ方向と交差する。半導体装置131においても、高い密度の複数のセル10Cが得られる。半導体装置131において、複数のドレイン電極DEは、互いに連続しても良い。
図22に示すように、実施形態に係る半導体装置132においては、複数のセルグループ(第1セルグループ71及び第2セルグループ72)が設けられる。この例では、第1セルグループ71から第2セルグループ72への向きは、Y軸方向である。第1セルグループ71及び第2セルグループ72のそれぞれは、複数のセル10Cを含む。複数のセル10Cは、X軸方向に並ぶ。例えば、第1セルグループ71の第5導電部55は、第2セルグループ72の第1導電部51と連続する。例えば、第1セルグループ71に含まれる第1半導体領域11と、第2セルグループ72に含まれる第1半導体領域11と、の間に設けられる導電部SE/DEが、第1セルグループ71の第5導電部55、及び、第2セルグループ72の第1導電部51と見なされても良い。
図23に示すように、実施形態に係る半導体装置133において、図22に例示した半導体装置132の構成が、複数設けられる。複数の半導体装置132の構成は、X軸方向に並ぶ。
図24に示すように、実施形態に係る半導体装置134において、複数のセルグループ(第1~第4セルグループ71~74)が設けられる。第1セルグループ71と第4セルグループ74との間に第2セルグループ72がある。第2セルグループ72と第4セルグループ74との間に第3セルグループ73がある。
図25に示すように、実施形態に係る半導体装置135は、半導体装置110の構成に加えて、基体68をさらに含む。例えば、基体68の上に半導体装置110の構成が設けられる。基体68の下に、ソース用電極68S、及び、ドレイン用電極68Dが設けられる。例えば、ソース用接続部材68Sv及びドレイン用接続部材68Dvが設けられる。ソース用接続部材68Sv及びドレイン用接続部材68Dvは、基体68中をZ軸方向に延びる。ソース用接続部材68Svは、ソース用電極68Sと、ソース電極SEと、を電気的に接続する。ドレイン用接続部材68Dvは、ドレイン用電極68Dと、ドレイン電極DEと、を電気的に接続する。
図26に示すように、実施形態に係る半導体装置135aにおいて、ドレイン用接続部材68Dvの接続位置が、半導体装置135におけるその接続位置とは異なる。半導体装置135aにおいては、ドレイン電極DEのZ軸方向における位置は、ソース用接続部材68SvのZ軸方向における位置と、ドレイン用接続部材68DvのZ軸方向における位置と、の間にある。
図27に示すように、実施形態に係る半導体装置136は、半導体装置134の構成に加えて、制御部70をさらに含む。制御部70は、例えば、配線70Aにより、ドレイン電極DEと電気的に接続される。制御部70は、例えば、配線70Bにより、ソース電極SEと電気的に接続される。制御部70は、例えば、配線70Cにより、ゲート電極GEと電気的に接続される。
図28及び図29に示すように、実施形態に係る半導体装置141及び141aにおいては、第2導電部52は、第1導電部分52p及び第2導電部分52qを含む。第2導電部分52qは、第3部分領域11cと、第1導電部分52pと、の間にある。第2導電部分52qから第3部分領域11cの一部への方向は、X軸方向に沿う。第2導電部分52qから第3導電部53の少なくとも一部への方向は、X軸方向に沿う。この例では、第2導電部分52qは、X軸方向において第3部分領域11cの2つの部分の間にある。半導体装置141aのように、第2導電部分52qの側面は、Y軸方向に対して傾斜しても良い。このような構成においても、特性を向上できる半導体装置が得られる。半導体装置141に関して説明した第2導電部52の構成は、第1実施形態及び第2実施形態に係る任意の半導体装置に適用されて良い。
図30に示すように、実施形態に係る半導体装置142においては、支持体50Sは、基板部50u及び絶縁層50xに加えて、基体半導体領域50pを含む。基体半導体領域50pは、例えば、第2導電形(p形)である。基板部50uと基体半導体領域50pとの間に、絶縁層50xがある。この例では、第1面50Fは、基体半導体領域50pの上面に対応する。基体半導体領域50pは、例えば終端領域として機能する。第1導電部51は、第1面50Fに到達していなくても良い。半導体装置142に関して説明した支持体50Sの構成は、第1実施形態及び第2実施形態に係る任意の半導体装置に適用されて良い。
Claims (20)
- 第1面を含む支持体と、
第1導電部と、
第2導電部であって、前記第1導電部から前記第2導電部への第1方向は、前記第1面に沿う、前記第2導電部と、
第1導電形の第1半導体領域であって、前記第1半導体領域は、第1部分領域、第2部分領域及び第3部分領域を含み、前記第1部分領域から前記第2部分領域への第2方向は、前記第1面に沿い前記第1方向と交差し、前記第3部分領域は前記第1方向において前記第1部分領域と前記第2導電部と、の間にあり、前記第3部分領域は前記第2導電部と対向する対向面を含み、前記第3部分領域と前記第2導電部はショットキー接触する、前記第1半導体領域と、
第3導電部であって、前記対向面から前記第3導電部への方向は、前記第2方向に沿う、前記第3導電部と、
第1絶縁領域を含む第1絶縁部であって、前記第1絶縁領域の少なくとも一部は、前記対向面と前記第3導電部と、の間にある、前記第1絶縁部と、
を備え、
前記第1絶縁領域は、前記対向面と接する、半導体装置。 - 前記第3部分領域の一部から前記第3導電部への方向は、前記第2方向に沿い、
前記第2導電部の少なくとも一部から前記第3導電部への方向は、前記第2方向に沿う、請求項1記載の半導体装置。 - 前記第3部分領域は、第1領域及び第2領域を含み、
前記第1領域は、前記第1方向において、前記第2領域と前記第2導電部との間にあり、
前記第1領域における前記第1導電形の不純物の濃度は、前記第2領域における前記第1導電形の不純物の濃度よりも高い、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第2導電部は、第1導電領域及び第2導電領域を含み、
前記第1導電領域は、前記第1方向において、前記第1部分領域と前記第2導電領域との間にあり、
前記第2導電領域は、第1元素を含み、
前記第3部分領域は、第2元素を含み、
前記第1導電領域は、前記第1元素と前記第2元素とを含む化合物を含む、請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第2導電部は、第1導電領域及び第2導電領域を含み、
前記第1導電領域は、前記第1方向において、前記第3部分領域と前記第2導電領域との間にあり、
前記第2導電領域は、第1金属元素を含み、
前記第3部分領域は、シリコンを含み、
前記第1導電領域は、前記第1金属元素を含むシリサイドを含む、請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 第4導電部をさらに備え、
前記第1半導体領域は、第4部分領域をさらに含み、
前記第2方向において、前記第2部分領域は、前記第1部分領域と前記第4部分領域との間にあり、
前記第4部分領域から前記第4導電部への方向は、前記第1方向に沿い、
前記第3部分領域の少なくとも一部から前記第4導電部への方向は、前記第2方向に沿い、
前記第1絶縁部は、第2絶縁領域を含み、
前記第2絶縁領域は、前記第2方向において前記第3部分領域の前記少なくとも一部と、前記第4導電部との間にある、請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第4導電部は、前記第2導電部と電気的に接続された、請求項6記載の半導体装置。
- 第5導電部をさらに備え、
前記第1方向において、前記第3部分領域と前記第5導電部の少なくとも一部との間に前記第2導電部があり、
前記第5導電部は、前記第2導電部及び前記第4導電部と電気的に接続された、請求項6または7に記載の半導体装置。 - 第2絶縁部をさらに備え、
前記第3導電部は、前記第1方向において、前記第2部分領域と前記第5導電部との間にあり、
前記第2絶縁部の少なくとも一部は、前記第1方向において、前記第3導電部と、前記第5導電部の少なくとも一部と、の間にある、請求項8記載の半導体装置。 - 複数の前記第2導電部と、
複数の前記第4導電部と、
を備え、
前記複数の前記第2導電部の1つの前記第2方向における位置、及び、前記複数の第2導電部の別の1つの前記第2方向における位置は、前記複数の第4導電部の1つの前記第2方向における位置と、前記複数の第4導電部の別の1つの前記第2方向における位置と、の間にあり、前記複数の第4導電部の前記別の1つは、前記複数の第4導電部の前記1つの隣である、請求項6~9のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第4部分領域における前記第1導電形の不純物濃度は、前記第3部分領域における前記第1導電形の不純物濃度よりも高い、請求項6~10のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1半導体領域は、第5部分領域を含み、
前記第5部分領域は、前記第1導電部と前記第1部分領域との間に設けられ、
前記第5部分領域における前記第1導電形の不純物濃度は、前記第1部分領域における前記第1導電形の不純物濃度よりも高い、請求項1~11のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 第2導電形の第2半導体領域をさらに備え、
前記第2半導体領域は、前記第1方向において、前記第3部分領域の一部と前記第2導電部との間にあり、
前記第3部分領域の別の一部は、前記第2方向において前記第2半導体領域と前記第1絶縁領域との間にある、請求項1~12のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 第1部材をさらに備え、
前記第1半導体領域は、第4部分領域をさらに含み、
前記第2方向において、前記第2部分領域は、前記第1部分領域と前記第4部分領域との間にあり、
前記第4部分領域から前記第1部材への方向は、前記第1方向に沿い、
前記第3部分領域の少なくとも一部から前記第1部材への方向は、前記第2方向に沿い、
前記第1絶縁部は、第2絶縁領域を含み、
前記第2絶縁領域は、前記第2方向において前記第3部分領域の前記少なくとも一部と、前記第1部材と、の間にあり、
前記第1部材は、前記第4部分領域と電気的に接続され、
前記第1部材は、前記第2導電部と電気的に接続された、または、前記第2導電部と電気的に接続されることが可能であり、
前記第1部材の抵抗率は、前記第4部分領域の抵抗率よりも高く、前記第2絶縁領域の抵抗率よりも低い、請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 第1部材をさらに備え、
前記第1半導体領域は、第4部分領域をさらに含み、
前記第2方向において、前記第2部分領域は、前記第1部分領域と前記第4部分領域との間にあり、
前記第4部分領域から前記第1部材への方向は、前記第1方向に沿い、
前記第3部分領域の少なくとも一部から前記第1部材への方向は、前記第2方向に沿い、
前記第1絶縁部は、第2絶縁領域を含み、
前記第2絶縁領域は、前記第2方向において前記第3部分領域の前記少なくとも一部と、前記第1部材との間にあり、
前記第1部材は、前記第4部分領域と電気的に接続され、
前記第1部材は、前記第2導電部と電気的に接続された、または、前記第2導電部と電気的に接続されることが可能であり、
前記第1部材は、第1材料、第2材料、第3材料、第4材料、第5材料及び第6材料よりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
前記第1材料は、Si、N及びOを含み、
前記第2材料は、Si-Nの結合、N-Oの結合、及び、N-Nの結合を含み、
前記第3材料は、Si-Nの結合、N-Hの結合、及び、N-Nの結合を含み、
前記第4材料は、Siと、Cと、第1元素と、を含み、前記第1元素は、B及びNよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
前記第5材料は、Siと、Oと、第2元素と、を含み、前記第2元素は、Fe、Au、Ni、Ta、W及びTiよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
前記第6材料は、第3元素及び第4元素を含み、前記第3元素は、In、Al及びGaよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、前記第4元素は、P、As、B、Fe、Au、Ni、Ta、W及びTiよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 第1面を含む支持体と、
第1導電部と、
第2導電部であって、前記第1導電部から前記第2導電部へ第1方向は、前記第1面に沿う、前記第2導電部と、
第1導電形の第1半導体領域であって、前記第1半導体領域は、第1部分領域、第2部分領域及び第3部分領域を含み、前記第1部分領域から前記第2部分領域への第2方向は、前記第1面に沿い前記第1方向と交差し、前記第3部分領域は前記第1方向において前記第1部分領域と前記第2導電部と、の間にある、前記第1半導体領域と、
前記第3部分領域と前記第2導電部との間に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
第3導電部であって、前記第2半導体領域の少なくとも一部から前記第3導電部への方向は、前記第2方向に沿う、前記第3導電部と、
第1絶縁領域を含む第1絶縁部であって、前記第1絶縁領域の少なくとも一部は、前記第2半導体領域の前記少なくとも一部と、前記第3導電部と、の間にある、前記第1絶縁部と、
を備えた半導体装置。 - 前記第1導電部及び前記第2導電部は、前記第1面に対して垂直な第3方向に沿って延びる、請求項1~16のいずれか1つの記載の半導体装置。
- 前記第1方向及び前記第2方向を含む平面において、前記第5導電部の周りに前記第1導電部が設けられ、
前記第5導電部と前記第1導電部との間に、複数のセルが設けられ、
前記複数のセルの1つは、前記第2導電部及び前記第3導電部を含む、請求項8記載の半導体装置。 - 第1セルグループと第2セルグループとが設けられ、
第1セルグループ及び前記第2セルグループのそれぞれは、前記第2導電部を含み、
前記第1セルグループから前記第2セルグループへの方向は、前記第1方向に沿う、請求項1~17のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 第1~第4セルグループが設けられ、
前記第1~前記第4セルグループのそれぞれは、前記第1導電部及び前記第2導電部を含み、
前記第1セルグループと前記第4セルグループとの間に、前記第2セルグループがあり、
前記第2セルグループと前記第4セルグループとの間に前記第3セルグループがあり、
前記第1セルグループの前記第1導電部から前記第1セルグループの前記第2導電部へのへの向きは、前記第2セルグループの前記第1導電部から前記第2セルグループの前記第2導電部への向きと逆であり、
前記第3セルグループの前記第1導電部から前記第3セルグループの前記第2導電部への向きは、前記第4セルグループの前記第1導電部から前記第4セルグループの前記第2導電部への向きと逆であり、
前記第1セルグループの前記第1導電部から前記第1セルグループの前記第2導電部への前記向きは、前記第3セルグループの前記第1導電部から前記第3セルグループの前記第2導電部への前記向きと同じである、請求項1~17のいずれか1つに記載の半導体装置。
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