JP7464335B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents
表示装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7464335B2 JP7464335B2 JP2020557838A JP2020557838A JP7464335B2 JP 7464335 B2 JP7464335 B2 JP 7464335B2 JP 2020557838 A JP2020557838 A JP 2020557838A JP 2020557838 A JP2020557838 A JP 2020557838A JP 7464335 B2 JP7464335 B2 JP 7464335B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- display device
- interface
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 667
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 154
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 61
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 36
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 4
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 19
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 16
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Chemical group 0.000 description 8
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 8
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[5-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CC=1OC(=NN=1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 6-[(E)-C-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-N-hydroxycarbonimidoyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C/C(=N/O)/C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 6-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]acetyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001151 AlNi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005430 electron energy loss spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
1 第1の実施形態
1-1 表示装置の構成
1-2 表示装置の製造方法
1-3 効果
1-4 変形例
2 第2の実施形態
2-1 表示装置の構成
2-2 表示装置の製造方法
2-3 効果
2-4 変形例
3 第3の実施形態
3-1 表示装置の構成
3-2 表示装置の製造方法
3-3 効果
4 第4の実施形態
4-1 表示装置の構成
4-2 効果
5 各実施形態に適用される共振器構造の例
6 応用例
図1は、本開示の第1の実施形態に係る有機EL(Electro-Luminescence)表示装置10(以下、単に「表示装置10」という。)の全体構成の一例を示す。表示装置10は、各種の電子機器に用いて好適なものであり、基板11上には表示領域110Aおよび表示領域110Aの周縁に周辺領域110Bが設けられている。表示領域110A内には、複数のサブ画素100R、100G、100Bがマトリクス状に配置されている。サブ画素100Rは赤色を表示し、サブ画素100Gは緑色を表示し、サブ画素100Bは青色を表示する。なお、以下の説明において、サブ画素100R、100G、100Bを特に区別しない場合には、サブ画素100という。
第1の電極12Aは、サブ画素100R、100G、100B毎に電気的に分離して設けられている。第1の電極12Aは、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ反射率が高く、かつ仕事関数が大きい金属層によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。金属層の構成材料としては、例えば、クロム(Cr)、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、鉄(Fe)、タングステン(W)、銀(Ag)等の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも1種を用いることができる。合金の具体例としては、AlNi合金、AlCu合金等が挙げられる。第1の電極12Aが、上記の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも1種を含む複数の金属層の積層膜により構成されていてもよい。
第2の電極12Cは、表示領域110A内においてすべてのサブ画素100R、100G、100Bに共通の電極として設けられている。第2の電極12Cは、有機層12Bで発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射膜も含まれるものとする。第2の電極12Cは、例えば、金属または金属酸化物により構成される。金属としては、例えば、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ナトリウム(Na)等の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも1種を用いることができる。合金としては、例えば、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)との合金(MgAg合金)、またはアルミニウム(Al)とリチウム(Li)との合金(AlLi合金)が好適である。金属酸化物としては、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体(ITO)、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体(IZO)または酸化亜鉛(ZnO)等の金属酸化物を用いることができる。
絶縁層13は、第1の電極12Aをサブ画素100R、100G、100B毎に電気的に分離するためのものである。絶縁層13は、第1の電極12Aの間に設けられると共に、第1の電極12Aの周縁部を覆っている。より具体的には、絶縁層13は、各第1の電極12Aに対応する部分に開口を有しており、第1の電極12Aの上面(第2の電極12Cとの対向面)の周縁部から第1の電極12Aの側面(端面)にかけて覆っている。第1の電極12Aと絶縁層13の界面には、第1の界面層14が設けられている。
バルク層13Aは、正に帯電していることが好ましい。バルク層13Aが正に帯電していることで、隣接する発光素子12間で生じる正孔電流のリークを抑制することができる。
第2の界面層13Bは、隣接する発光素子12間で生じる正孔電流のリークおよび電子電流のリークを抑制するためのものである。第2の界面層13Bは、格子歪みを有しており、これにより、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能が発現する。ここで、“格子歪み”とは、第2の界面層13B中に含まれる微小な結晶粒の格子歪みも含まれるものとする。本明細書において、“正孔電流のリーク”とは、アノードである第1の電極12Aから注入された正孔が絶縁層13と有機層12Bの界面を伝って、隣接する第1の電極12Aに流れる現象のことをいう。また、“電子電流のリーク”とは、カソードである第2の電極12Cからから注入された電子が有機層12Bを伝って、隣接する第1の電極12Aに流れる現象、または有機層12Bが含む電荷生成層(例えば正孔注入層)で形成された電子が、有機層12Bを伝って流れる現象のことをいう。
第1の界面層14は、第1の電極12Aと絶縁層13との膜を構成する要素のやり取り、例えば酸素のやり取りを抑制し、絶縁層13の特性の劣化を抑制するためのものである。具体的には例えば、バルク層13Aの固定電荷の減少を抑制し、絶縁層13(具体的にはバルク層13A)が正に帯電した状態を保持するためのものである。
有機層12Bは、表示領域110A内においてすべてのサブ画素100R、100G、100Bに共通の有機層として設けられている。図4は、図2に示した有機層12Bを拡大して表す。有機層12Bは、第1の電極12Aの側から正孔注入層12B1、正孔輸送層12B2、発光層12B3、電子輸送層12B4がこの順序で積層された構成を有する。なお、有機層12Bの構成はこれに限定されるものではなく、発光層12B3以外の層は必要に応じて設けられるものである。
保護層15は、発光素子12を外気と遮断し、外部環境から発光素子12内部への水分浸入を抑制するためのものである。また、第2の電極12Cが金属層により構成されている場合には、保護層15は、この金属層の酸化を抑制する機能も有している。
カラーフィルタ16は、いわゆるオンチップカラーフィルタ(On Chip Color Filter:OCCF)である。カラーフィルタ16は、例えば、赤色フィルタ16R、緑色フィルタ16Gおよび青色フィルタ16Bを備える。赤色フィルタ16R、緑色フィルタ16G、青色フィルタ16Bはそれぞれ、サブ画素100Rの発光素子12、サブ画素100Gの発光素子12、サブ画素100Bの発光素子12に対向して設けられている。これにより、サブ画素100R、サブ画素100G、サブ画素100B内の各発光素子12から発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ16R、緑色フィルタ16Gおよび青色フィルタ16Bを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色のカラーフィルタ間、すなわちサブ画素100間の領域には、遮光層16BMが設けられている。
充填樹脂層17は、保護層15とカラーフィルタ16との間の空間に充填されている。充填樹脂層17は、カラーフィルタ16と対向基板18とを接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層17は、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂のうちの少なくとも1種の樹脂材料により構成される。
対向基板18は、対向基板18の一主面と、複数の発光素子12が設けられた基板11の一主面とが対向するように設けられている。対向基板18は、充填樹脂層17と共に、発光素子12およびカラーフィルタ16等を封止するものである。対向基板18は、カラーフィルタ16からから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成される。
以下、上述の構成を有する表示装置10の製造方法について説明する。
まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、基板11の一主面に駆動回路等を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、金属層を駆動回路等の上に形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層をパターニングすることにより、発光素子12毎(すなわちサブ画素100毎)に分離された複数の第1の電極12Aを形成する。
上述したように、第1の実施形態に係る表示装置10は、サブ画素100毎に設けられた複数の第1の電極12Aと、第1の電極12A間に設けられると共に第1の電極12Aの周縁部を覆う、ケイ素化合物を含む絶縁層13と、第1の電極12Aと絶縁層13の界面に設けられ、酸化ケイ素を含む第1の界面層14と、第1の電極12Aおよび絶縁層13上に全画素に共通して設けられ、発光層12B3を含む有機層12Bと、有機層12B上に設けられた第2の電極12Cとを備える。また、絶縁層13は、ケイ素化合物を主成分として含むバルク層13Aと、バルク層13Aと有機層12Bの界面に設けられ、酸化ケイ素を含む第2の界面層13Bとを備える。これにより、有機層12Bおよび絶縁層13の界面を伝う正孔電流および電子電流を抑制することができる。したがって、表示装置10の電流発光効率の低下および発光色異常等を抑制することができる。
(変形例1)
図5は、本開示の第1の実施形態の変形例1に係る表示装置101の構成の一例を示す。表示装置101は、絶縁層13に代えて、絶縁層131を備える点において、第1の実施形態に係る表示装置10と異なっている。絶縁層131は、バルク層13Aと、第2の界面層13Bと、バルク層13Aおよび第2の界面層13Bの間に設けられた中間層13Cとを備える。
図6は、本開示の第1の実施形態の変形例2に係る表示装置102の構成の一例を示す。表示装置102は、絶縁層13に代えて、絶縁層132を備える点において、第1の実施形態に係る表示装置10と異なっている。絶縁層132は、バルク層13Aと、バルク層13A上に設けられた2層構造の第2の界面層13Dを備える。
図7は、本開示の第1の実施形態の変形例3に係る表示装置103の構成の一例を示す。表示装置103は、絶縁層13に代えて、絶縁層133を備える点において、第1の実施形態に係る表示装置10と異なっている。
図8は、本開示の第1の実施形態の変形例4に係る表示装置104の構成の一例を示す。表示装置104は、バルク層13Aと第2の界面層13Bとを備える絶縁層13に代えて、単層の絶縁層134を備える点において、第1の実施形態に係る表示装置10と異なっている。
図9は、本開示の第1の実施形態の変形例5に係る表示装置105の構成の一例を示す。表示装置105は、単層構造の第1の電極12Aに代えて、積層構造の第1の電極12Dを備える点において、第1の実施形態に係る表示装置10と異なっている。
[2-1 表示装置の構成]
図10は、本開示の第2の実施形態に係る表示装置20の構成の一例を示す断面図である。図11は、図10に示した表示装置20の一部を拡大して表す断面図である。表示装置20は、絶縁層13および第1の界面層14に代えて、絶縁層23および第1の界面層24を備える点において、第1の実施形態に係る表示装置10とは異なっている。
絶縁層23は、第1の電極12Aをサブ画素100R、100G、100B毎に電気的に分離するためのものである。絶縁層23は、基板11の面内方向に隣接する第1の電極12Aの側面間に設けられている。絶縁層23の上面は、平坦になっている。本明細書において、“上面”とは、表示装置20の表示面側となる面のことをいう。
第1の界面層24は、絶縁層23の側面と第1の電極12Aの側面の間に設けられている。第1の界面層24の上面は、平坦になっている。第1の界面層24において、上記以外のことは、第1の実施形態における第1の界面層14と同様である。
第1の電極12A上における有機層12Bの厚みが、ほぼ一定である。すなわち、第1の電極12A上における有機層12Bの上面が、ほぼ平坦となっている。これにより、第1の電極12Aと第2の電極12C(具体的には、第2の電極12Cのうち第1の電極12A上に対応する部分)との間の縦方向リーク(図11中の矢印I1参照)を抑制することができる。これに対して、図12に示すように、有機層12Bの上面のうち第1の電極12Aの周縁部に対応する部分に凹部12BAが形成され、第1の電極12A上における有機層12Bの厚みが、ほぼ一定でない表示装置(すなわち、第1の電極12A上における有機層12Bの上面が、ほぼ平坦でない表示装置)20Aでは、第1の電極12Aと第2の電極12Cの間の一部に電界が集中する。これにより、第1の電極12Aと第2の電極12C(具体的には、第2の電極12Cのうち第1の電極12A上に対応する部分)との間の縦方向リーク(図11中の矢印I1参照)が大きくなる。本明細書において、“縦方向リーク”とは、有機層12Bの厚み方向における、第1の電極12Aと第2の電極12Cとの間の正孔電流リークおよび電子電流リークのことをいう。
第1の電極12A上における有機層12Bの高さH1、および第1の電極12Aの周囲の部分における有機層12Bの高さH2が、H1≦H2の関係を満たす。これにより、第1の電極12Aと第2の電極12Cの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、第1の電極12Aと第2の電極12C(具体的には、第2の電極12Cのうち、第1の電極12Aの周囲の部分に対応する部分)の間の縦方向リーク(図11中の矢印I2参照)を抑制することができる。これに対して、図13に示すように、第1の電極12A上における有機層12Bの高さH1、および第1の電極12Aの周囲の部分における有機層12Bの高さH2が、H1≦H2の関係を満たさない表示装置20Bでは、第1の電極12Aと第2の電極12Cの間の一部に電界が集中する。これにより、第1の電極12Aと第2の電極12C(具体的には、第2の電極12Cのうち、第1の電極12Aの周囲の部分に対応する部分)との間の縦方向リーク(図13中の矢印I2参照)が大きくなる。本明細書において、“第1の電極12Aの周囲の部分”とは、第1の電極12Aの側面から50nm以下の範囲を意味する。
以下、上述の構成を有する表示装置20の製造方法について説明する。
まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図15Aに示すように、駆動回路等を含む基板11を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、図15Bに示すように、金属層または金属酸化物層等の電極層12A1を基板11上に形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて電極層12A1をパターニングすることにより、図15Cに示すように、発光素子12毎(すなわちサブ画素100毎)に分離された複数の第1の電極12Aを形成する。
上述したように、第2の実施形態に係る表示装置20では、第1の電極12A上における有機層12Bの厚みが、ほぼ一定であり、かつ、第1の電極12A上における有機層12Bの高さh1、および第1の電極12Aの周囲の部分における有機層12Bの高さh2が、h1≦h2の関係を満たす。これにより、第1の電極12Aと第2の電極12Cの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、電界集中により縦方向リークの発生(図11中の矢印I1、I2参照)を抑制することができる。
上述の第2の実施形態では、第1の界面層24が第1の電極24Aの上面の周縁部を覆っていない場合について説明したが、図17に示しように、第1の界面層24が第1の電極12Aの上面の周縁部を覆っていてもよい。
[3-1 表示装置の構成]
図18は、本開示の第3の実施形態に係る表示装置30の一部を拡大して表す断面図である。有機層12Bは、複数の凸部12CAを上面に有している。複数の凸部12CAは、複数の第1の電極12Aそれぞれの周縁部に対応する部分に設けられている。凸部12CAの内側の領域における有機層12Bの厚みが、ほぼ一定である。
まず、基板11の形成工程から第1の界面層14の形成工程までを第2の実施形態と同様に行い、図20Aに示すように、複数の第1の電極12Aが形成された基板11の一主面上に第1の界面層14を形成する。
上述したように、第3の実施形態に係る表示装置20では、凸部12CAの内側の領域における有機層12Bの厚みが、ほぼ一定である。これにより、第1の電極12Aと第2の電極12Cの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、第1の電極12Aと第2の電極12Cとの間の縦方向リーク(図18中の矢印I3参照)を抑制することができる。
上述の第3の実施形態では、突出部14Aの厚みがほぼ一様である場合について説明したが、突出部14Aは、図22に示すように、突出部14Aの厚みが開口14Hから離れるに従って増加するテーパー形状を有していてもよい。
[4-1 表示装置の構成]
図23は、本開示の第2の実施形態に係る表示装置40の構成の一例を示す断面図である。図24Aは、図23に示した表示装置40の一部を拡大して表す断面図である。絶縁層43は、第1の電極12Aの上面に対して突出し、複数の第1の電極12Aをそれぞれ取り囲む複数の傾斜面43Cを有している。絶縁層43は、傾斜面43Cの底部に対応する部分に開口43Hを有している。絶縁層43の底部は、第1の電極12Aの上面の周縁部から第1の電極12Aの側面(端面)にかけて覆っている。
第4の実施形態では、第1の電極12A上における有機層12Bの厚みが、ほぼ一定である。これにより、第1の電極12Aと第2の電極12Cの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、第1の電極12Aと第2の電極12Cとの間の縦方向リークを抑制することができる。
上述の第4の実施形態では、絶縁層43の底部が第1の電極12Aの上面の周縁部を覆っている場合について説明したが、図24Bに示すように、絶縁層43の底部が第1の電極12Aの側面間に設けられ、絶縁層43の底部が第1の電極12Aの上面の周縁部を覆わないようにしてもよい。
上述した本開示に係る表示装置に用いられる画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図を参照して、共振器構造について説明する。
図25Aは、共振器構造の第1例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素100R、100G、100Bにそれぞれに対応して設けられた発光素子12を、発光素子12R、12G、12Bということがある。また、有機層12Bのうちサブ画素100R、100G、100Bにそれぞれに対応する部分を、有機層40R、40G、40Bということがある。
図25Bは、共振器構造の第2例を説明するための模式的な断面図である。
図26Aは、共振器構造の第3例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素100R、100G、100Bにそれぞれに対応して設けられた反射板71を、反射板71R、71G、71Bということがある。
図26Bは、共振器構造の第4例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素100R、100G、100Bにそれぞれに対応して設けられた第1の電極12Aを、第1の電極12AR、12AG、12ABということがある。
図27Aは、共振器構造の第5例を説明するための模式的な断面図である。
図27Bは、共振器構造の第6例を説明するための模式的な断面図である。
図28は、共振器構造の第7例を説明するための模式的な断面図である。
(電子機器)
上述の第1の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置は、例えば、図29に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれる。同様に、上述の第2~第4の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置が、例えば、図29に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、基板11の一方の短辺側に、対向基板18および充填樹脂層17に覆われず露出した領域210を有し、この領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)が形成されている。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が接続されていてもよい。
図30A、図30Bは、デジタルスチルカメラ310の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ310は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部(カメラボディ)311の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)312を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部313を有している。
図31は、ヘッドマウントディスプレイ320の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ320は、例えば、眼鏡形の表示部321の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部322を有している。表示部321としては、上述の第1の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置を用いることができる。また、表示部321としては、述の第2~第4の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置を用いることもできる。
図32は、テレビジョン装置330の外観の一例を示す。このテレビジョン装置330は、例えば、フロントパネル332およびフィルターガラス333を含む映像表示画面部331を有しており、この映像表示画面部331は、上述の第1の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置により構成される。また、映像表示画面部331は、上述の第2~第4の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置により構成されていてもよい。
上述の第1~第4の実施形態では、表示装置に本開示を適用した例について説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、照明装置に本開示を適用するようにしてもよい。
i バルク層のピーク強度比(IN-H/ISi-H)と画素間リーク電流との関係についての検討(1)
ii バルク層のピーク強度比(IN-H/ISi-H)と画素間リーク電流との関係についての検討(2)
iii 第1の界面層の平均厚みと画素間リーク電流との関係についての検討
iv 第2の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合と画素間リーク電流との関係についての検討
v 第1の電極上における有機層の厚みの均一性と縦方向リークの関係についての検討
vi 電磁界シミュレーションによる電流密度分布についての検討
[実施例1-1、1-2]
まず、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、シリコン基板の一主面に駆動回路等を形成した。次に、スパッタリング法により、金属層を駆動回路等の上に形成したのち、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層をパターニングすることにより、発光素子毎(すなわちサブ画素毎)に分離された複数の第1の電極を形成した。
バルク層の成膜後に測定した吸収スペクトルを用いて、N-Hに由来するピーク強度IN-HとSi-Hに由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比(IN-H/ISi-H)を求めた。その結果を表1に示す。
上述のようにして得られた実施例1-1、1-2の表示装置の画素間リーク電流を測定した。画素間リーク電流の測定は、RGBのサブ画素のうち、Bのサブ画素に印加した電圧に対し、RとGのサブ画素に流れる電流値を計測することにより行った。なお、これ以降に説明する画素間リーク量の評価も、これと同様の計測により行った。上記測定の結果、画素間リーク電流がバルク層のピーク強度比(IN-H/ISi-H)に依存していることがわかった。具体的には、ピーク強度比(IN-H/ISi-H)が0.45である実施例1-1では、ピーク強度比(IN-H/ISi-H)が4.96である実施例1-2に比べて画素間も流れるリーク電流が抑制されていることがわかった。
[実施例2-1~2-5]
バルク層の成膜条件を調整することにより、バルク層のピーク強度比(IN-H/ISi-H)を0.5(実施例2-1)、1(実施例2-2)、2(実施例2-3)、3(実施例2-4)、4(実施例2-5)としたこと以外は実施例1-1と同様にして表示装置を得た。
上述のようにして得られた実施例2-1~2-5の表示装置の画素間リーク電流を測定した。その結果を図35に示す。
画素間リーク電流がバルク層のピーク強度比(IN-H/ISi-H)に依存しており、ピーク強度比(IN-H/ISi-H)が小さくなるほど、画素間リーク電流が抑制される。
画素間リーク電流の抑制の観点からすると、ピーク強度比(IN-H/ISi-H)が、好ましくは4未満、より好ましくは3以下である。
[実施例3-1~3-6]
第1の界面層の平均厚みを1nm(実施例3-1)、3nm(実施例3-2)、7nm(実施例3-3)、9nm(実施例3-4)、11nm(実施例3-5)、13nm(実施例3-6)、15nm(実施例3-7)としたこと以外は実施例1-1(第1の界面層の平均厚み:5nm)と同様にして表示装置を得た。
第1の界面層の形成しなかったこと以外は実施例1-1と同様にして表示装置を得た。
上述のようにして得られた実施例1-1、3-1~3-6、比較例3-1の表示装置の画素間リーク電流を測定した。その結果を図36に示す。
画素間リーク電流が第1の界面の平均厚みに依存している。画素間リーク電流の抑制の観点からすると、第1の界面層の平均厚みは、好ましくは1nm以上15nm未満、より好ましくは1nm以上13nm以下、さらにより好ましくは1nm以上9nm以下、特に好ましくは1nm以上7nm以下、最も好ましくは1nm以上5nm以下である。
[実施例4-1~4-3]
第2の界面層の成膜条件(プラズマ処理の条件)を調整することにより、第2の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が60%(実施例4-1)、80%(実施例4-2)、100%(実施例4-3)となるようにしたこと以外は実施例1-1と同様にして表示装置を得た。
上述のようにして得られた実施例4-1~4-3の表示装置の画素間リーク電流を測定した。その結果、画素間リーク電流は第2の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合に依存し、画素間リーク電流の抑制の観点からすると、その割合を80%以上とすることが好ましいことがわかった。
[実施例5-1]
実施例5-1では、図11に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
まず、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図15Aに示すように、駆動回路等が一主面に形成されたシリコン基板を得た。次に、スパッタリング法により、図15Bに示すように、電極層(ACX/ITO層)を駆動回路等の上に形成したのち、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて電極層をパターニングすることにより、図15Cに示すように、発光素子毎(すなわちサブ画素毎)に分離された複数の第1の電極を形成した。
実施例5-2では、図14に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。すなわち、プロセス条件を調整することにより、絶縁層の平均厚みを85nmとすること以外は実施例1と同様にして表示装置を作製した。
実施例5-3では、図18に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
まず、基板の形成工程から第1の界面層の形成工程までを実施例5-1と同様に行い、図20Aに示すように、複数の第1の電極が形成された基板の一主面上に第1の界面層(SiO層)を形成した。
実施例5-4では、図19に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
第1の界面層およびバルク層の開口の形成工程において、絶縁層の開口の周縁と第1の界面層の開口の周縁とが重なるように、第1の界面層(SiO)とバルク層(SiN)とのエッチングレートを調整したこと以外は、実施例5-1と同様にして表示装置を得た。
比較例5-1では、図13に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
すなわち、プロセス条件を調整することにより、絶縁層の平均厚みを45nmとすること以外は実施例1と同様にして表示装置を作製した。
上述のようにして得られた実施例5-1~5-4、比較例5-1の表示装置の発光効率を求めた。その結果を図37に示す。
実施例5-1~5-3の表示装置の発光効率は、実施例5-4、比較例5-1の表示装置の発光効率に比べて高い。特に低電流密度域における発光効率が高い。
まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図38Aに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
第2の電極:MgAg合金電極
有機層:厚み100nm、誘電率ε=4.35×10-6[S/m]、比誘電率εr=3
絶縁層:材料SiN、誘電率ε=0[S/m]、比誘電率εr=7
第1の電極:Al電極
次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション(ANSYS Maxwell)により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図40、図41に示す。図41にて直線L(長さ10nm)で示す部分の積分値は、1.29×10-6A/mであった。
まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図38Bに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
第2の電極:MgAg合金電極
有機層:厚み100nm、誘電率ε=4.35×10-6[S/m]、比誘電率εr=3
絶縁層:材料SiN、誘電率ε=0[S/m]、比誘電率εr=7
第1の電極:Al電極
次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション(ANSYS Maxwell)により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図42、図43に示す。図43にて直線L(長さ10nm)で示す部分の積分値は、1.48×10-6A/mであった。
まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図39Aに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
第2の電極:MgAg合金電極
有機層:厚み100nm、誘電率ε=4.35×10-6[S/m]、比誘電率εr=3
第1の電極:Al電極
次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション(ANSYS Maxwell)により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図44に示す。図44にて直線L(長さ10nm)で示す部分の積分値は、1.75×10-6A/mであった。
まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図39Bに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
第2の電極:MgAg合金電極
有機層:厚み100nm、誘電率ε=4.35×10-6[S/m]、比誘電率εr=3
絶縁層:材料SiN、誘電率ε=0[S/m]、比誘電率εr=7
第1の電極:Al電極
次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション(ANSYS Maxwell)により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図45、図46に示す。図46にて直線L(長さ10nm)で示す部分の積分値は、2.50×10-6A/mであった。
(1)
画素毎に設けられた複数の第1の電極と、
前記第1の電極間に設けられると共に前記第1の電極の周縁部を覆う、ケイ素化合物を含む絶縁層と、
前記第1の電極と前記絶縁層の界面に設けられ、第1の酸化ケイ素を含む第1の界面層と、
前記第1の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第2の電極と
を備え、
前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に第2の酸化ケイ素を含む表示装置。
(2)
前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に窒化ケイ素をさらに含む(1)に記載の表示装置。
(3)
前記ケイ素化合物が、窒化ケイ素を含み、
前記有機層側の表面部に含まれる第2の酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する第2の酸化ケイ素の割合が、80%以上である(2)に記載の表示装置。
(4)
前記絶縁層の組成が、バルクから前記有機層側の表面に向けて連続的に変化している(1)から(3)のいずれかに記載の表示装置。
(5)
前記絶縁層は、
前記ケイ素化合物を含むバルク層と、
前記バルク層と前記有機層の界面に設けられ、前記第2の酸化ケイ素を含む第2の界面層と
を備える(1)から(3)のいずれかに記載の表示装置。
(6)
前記第2の界面層の平均厚みが、10nm以下である(5)に記載の表示装置。
(7)
前記第2の界面層は、2以上の層により構成され、
前記2以上の層のうちの少なくとも1層が、前記第2の酸化ケイ素を含む(5)または(6)に記載の表示装置。
(8)
前記第2の界面層は、
前記第2の酸化ケイ素を含む第1の層と、
前記第1の層上に設けられ、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素のうちの少なくとも1種を含む第2の層と
を備える(5)または(6)に記載の表示装置。
(9)
前記第2の界面層と前記バルク層との間に設けられ、フッ化ケイ素を含む中間層をさらに備える(5)から(8)のいずれかに記載の表示装置。
(10)
前記第2の界面層は、前記バルク層の主面および前記バルク層のエッジを覆う(5)から(9)のいずれかに記載の表示装置。
(11)
前記第2の界面層のうち前記バルク層のエッジを覆う部分が、前記第2の界面層のうち前記バルク層の主面を覆う部分とは異なる組成を有する(10)に記載の表示装置。
(12)
前記第2の界面層のうち前記絶縁層のエッジを覆う部分が、正に帯電している(11)に記載の表示装置。
(13)
前記第1の界面層の平均厚みが、15nm未満である(1)から(12)のいずれかに記載の表示装置。
(14)
前記絶縁層は、正に帯電している(1)から(13)のいずれかに記載の表示装置。
(15)
前記ケイ素化合物が、窒化ケイ素を含む(1)から(14)のいずれかに記載の表示装置。
(16)
前記絶縁層が、水素をさらに含み、
X線光電子分光法により前記絶縁層を分析することにより得られる、N-H結合に由来するピーク強度IN-HとSi-H結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比(IN-H/ISi-H)が、4未満である(15)に記載の表示装置。
(17)
前記第1の電極は、酸化物導電層を含む(1)から(16)のいずれかに記載の表示装置。
(18)
前記有機層は、前記第2電極側の面のうち、前記複数の第1の電極それぞれの周縁部に対応する部分に設けられた複数の凸部を有し、
前記凸部の内側の領域における前記有機層の厚みが、ほぼ一定である(1)から(17)のいずれかに記載の表示装置。
(19)
前記第1の界面層は、前記複数の第1の電極上にそれぞれ設けられた複数の第1の開口を有し、
前記絶縁層は、前記複数の第1の電極上にそれぞれ設けられた複数の第2の開口を有し、
前記絶縁層の開口率は、前記第1の界面層の開口率に比べて高い(18)に記載の表示装置。
(20)
前記第1の界面層は、前記複数の第1の電極上にそれぞれ設けられた複数の第1の開口を有し、
前記絶縁層は、前記複数の第1の電極上にそれぞれ設けられた複数の第2の開口を有し、
前記第1の開口の周縁は、前記第2の開口の周縁の内側に位置している(18)または(19)に記載の表示装置。
(21)
前記第1の界面層は、前記第2の開口の周縁に対して突出した突出部を有し、
前記突出部の厚みは、前記第1の開口から離れるに従って増加する(20)に記載の表示装置。
(22)
前記第1の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む(1)から(21)のいずれかに記載の表示装置。
(23)
前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている(1)から(22)のいずれかに記載の表示装置。
(24)
(1)から(23)のいずれかに記載された前記表示装置を備える電子機器。
(25)
画素毎に設けられた複数の第1の電極と、
前記第1の電極間に設けられ、ケイ素化合物を含む絶縁層と、
前記第1の電極の側面と前記絶縁層の側面の間に設けられ、第1の酸化ケイ素を含む第1の界面層と、
前記第1の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第2の電極と
を備え、
前記第1の電極上における前記有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置。
(26)
前記第1の電極上における前記有機層の高さH1、および前記第1の電極の周囲の部分における前記有機層の高さH2が、H1≦H2の関係を満たす(24)に記載の表示装置。
(27)
前記第1の電極の高さh1、前記第1の界面層の高さh2および前記絶縁層の高さh3が、h1≦h2≦h3の関係を満たす(25)または(26)に記載の表示装置。
(28)
前記第1の界面層が、前記第1の電極の周縁部を覆っている(25)から(27)のいずれかに記載の表示装置。
(29)
前記第1の界面層および前記絶縁層が、前記第1の電極の周縁部を覆っている(25)から(27)のいずれかに記載の表示装置。
(30)
前記第1の界面層は、前記複数の第1の電極それぞれに対応して設けられた複数の第1の開口を有し、
前記絶縁層は、前記複数の第1の電極それぞれに対応して設けられた複数の第2の開口を有し、
前記絶縁層の開口率は、前記第1の界面層の開口率に比べて高い(25)から(29)のいずれかに記載の表示装置。
(31)
前記第1の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む(25)から(30)のいずれかに記載の表示装置。
(32)
前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に第2の酸化ケイ素を含む(25)から(31)のいずれかに記載の表示装置。
(33)
前記絶縁層は、前記複数の第1の電極をそれぞれ取り囲む複数の傾斜面を有している(25)から(32)のいずれかに記載の表示装置。
(34)
前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている(25)から(33)のいずれかに記載の表示装置。
(35)
画素毎に設けられた複数の第1の電極と、
前記第1の電極間に設けられた絶縁層と、
前記第1の電極の側面と前記絶縁層の側面の間に設けられた第1の界面層と、
前記第1の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第2の電極と
を備え、
前記第1の電極上において前記有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置。
(36)
(25)から(35)のいずれかに記載された前記表示装置を備える電子機器。
11 基板
12 発光素子
12A、12D 第1の電極
12A1 電極層
12B 有機層
12B1 正孔注入層
12B2 正孔輸送層
12B3 発光層
12B4 電子輸送層
12C 第2の電極
12CA 凸部
12D1 金属層
12D2 酸化物導電層
13、131、132、133、134、23、43 絶縁層
13A、23A、43A バルク層
13A1 フォトレジスト層
13B、13D、13E、23B、43B 第2の界面層
13C 中間層
13D1 第1の層
13D2 第2の層
13H、14H、43H 開口
14、24 第1の界面層
14A 突出部
15 保護層
16 カラーフィルタ
17 充填樹脂層
18 対向基板
23A1 フォトレジスト層
43C 傾斜面
100R、100G、100B サブ画素
110A 表示領域
110B 周辺領域
120 信号線駆動回路
130 走査線駆動回路
120A 信号線
130A 走査線
140 画素駆動回路
310 デジタルスチルカメラ(電子機器)
320 ヘッドマウントディスプレイ(電子機器)
330 テレビジョン装置(電子機器)
400 照明装置
Claims (12)
- 画素毎に設けられた複数の第1の電極と、
前記第1の電極間に設けられると共に前記第1の電極の周縁部を覆う絶縁層と、
前記第1の電極と前記絶縁層の界面に設けられ、酸化ケイ素を含む第1の界面層と、
前記第1の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第2の電極と
を備え、
前記絶縁層は、
窒化ケイ素を主成分として含むバルク層と、
前記バルク層と前記有機層の界面に設けられ、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む第2の界面層と
を備え、
前記第2の界面層は、前記バルク層の主面および前記バルク層のエッジを覆い、
前記第2の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が、80%以上である表示装置。 - 前記第2の界面層の平均厚みが、10nm以下である請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2の界面層と前記バルク層との間に設けられ、フッ化ケイ素を含む中間層をさらに備える請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2の界面層のうち前記バルク層のエッジを覆う部分が、前記第2の界面層のうち前記バルク層の主面を覆う部分とは異なる組成を有する請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2の界面層のうち前記絶縁層のエッジを覆う部分が、正に帯電している請求項4に記載の表示装置。
- 前記第1の界面層の平均厚みが、15nm未満である請求項1に記載の表示装置。
- 前記絶縁層は、正に帯電している請求項1に記載の表示装置。
- 前記絶縁層が、水素をさらに含み、
X線光電子分光法により前記絶縁層を分析することにより得られる、N-H結合に由来するピーク強度IN-HとSi-H結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比(IN-H/ISi-H)が、4未満である請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1の電極は、酸化物導電層を含む請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む請求項1に記載の表示装置。
- 前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている請求項1に記載の表示装置。
- 請求項1に記載された前記表示装置を備える電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018222474 | 2018-11-28 | ||
JP2018222474 | 2018-11-28 | ||
PCT/JP2019/046664 WO2020111202A1 (ja) | 2018-11-28 | 2019-11-28 | 表示装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020111202A1 JPWO2020111202A1 (ja) | 2021-10-07 |
JP7464335B2 true JP7464335B2 (ja) | 2024-04-09 |
Family
ID=70853984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020557838A Active JP7464335B2 (ja) | 2018-11-28 | 2019-11-28 | 表示装置および電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220013593A1 (ja) |
JP (1) | JP7464335B2 (ja) |
KR (1) | KR20210095136A (ja) |
CN (1) | CN113170550A (ja) |
DE (1) | DE112019005931T5 (ja) |
WO (1) | WO2020111202A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111651088B (zh) * | 2020-06-16 | 2022-08-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 触控显示面板及其制作方法 |
KR20220030361A (ko) * | 2020-08-28 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
TW202223862A (zh) * | 2020-11-17 | 2022-06-16 | 日商索尼集團公司 | 顯示裝置及電子機器 |
CN116670745A (zh) * | 2020-12-22 | 2023-08-29 | 索尼集团公司 | 显示装置及电子设备 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002333862A (ja) | 2001-02-21 | 2002-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2004127933A (ja) | 2002-09-11 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2007242592A (ja) | 2006-02-02 | 2007-09-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器 |
JP2010045050A (ja) | 2009-11-24 | 2010-02-25 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法 |
JP2010182668A (ja) | 2009-01-08 | 2010-08-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2012114073A5 (ja) | 2011-06-27 | 2014-07-17 | ||
WO2017051606A1 (ja) | 2015-09-24 | 2017-03-30 | ソニー株式会社 | 表示装置及び発光装置 |
JP2018063910A (ja) | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2018147050A1 (ja) | 2017-02-13 | 2018-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置、および電子機器 |
WO2018173465A1 (ja) | 2017-03-21 | 2018-09-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子、表示装置、および電子機器 |
JP2018181578A (ja) | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100563046B1 (ko) * | 2003-03-06 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US20050057154A1 (en) * | 2003-07-30 | 2005-03-17 | Optrex Corporation | Organic EL display device and method for fabricating the same |
US7259110B2 (en) * | 2004-04-28 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device and semiconductor device |
EP1863324A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
JP2012114073A (ja) | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
JP5708152B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
JP6136578B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-05-31 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器 |
JP2017091946A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
US11730017B2 (en) * | 2018-11-13 | 2023-08-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
-
2019
- 2019-11-28 WO PCT/JP2019/046664 patent/WO2020111202A1/ja active Application Filing
- 2019-11-28 KR KR1020217014196A patent/KR20210095136A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-11-28 DE DE112019005931.9T patent/DE112019005931T5/de active Pending
- 2019-11-28 JP JP2020557838A patent/JP7464335B2/ja active Active
- 2019-11-28 CN CN201980076056.6A patent/CN113170550A/zh active Pending
- 2019-11-28 US US17/294,654 patent/US20220013593A1/en active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002333862A (ja) | 2001-02-21 | 2002-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2004127933A (ja) | 2002-09-11 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2007242592A (ja) | 2006-02-02 | 2007-09-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器 |
JP2010182668A (ja) | 2009-01-08 | 2010-08-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2010045050A (ja) | 2009-11-24 | 2010-02-25 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法 |
JP2012114073A5 (ja) | 2011-06-27 | 2014-07-17 | ||
WO2017051606A1 (ja) | 2015-09-24 | 2017-03-30 | ソニー株式会社 | 表示装置及び発光装置 |
JP2018063910A (ja) | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2018147050A1 (ja) | 2017-02-13 | 2018-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置、および電子機器 |
WO2018173465A1 (ja) | 2017-03-21 | 2018-09-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子、表示装置、および電子機器 |
JP2018181578A (ja) | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2020111202A1 (ja) | 2021-10-07 |
WO2020111202A1 (ja) | 2020-06-04 |
CN113170550A (zh) | 2021-07-23 |
KR20210095136A (ko) | 2021-07-30 |
DE112019005931T5 (de) | 2021-08-12 |
US20220013593A1 (en) | 2022-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7464335B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US8164253B2 (en) | Optically-functional film and method of manufacturing the same, display and method of manufacturing the same | |
KR101386766B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR101454752B1 (ko) | 유기발광다이오드표시장치 및 그 제조 방법 | |
US20210399264A1 (en) | Display device | |
CN116114005A (zh) | 显示设备、制造显示设备的方法及使用显示设备的电子装置 | |
JP7459886B2 (ja) | 発光素子、表示装置及び電子機器 | |
KR20150011868A (ko) | 유기발광다이오드소자 및 이의 제조방법 | |
US11539028B2 (en) | Organic electroluminescence device including multi-layered protective layer | |
US20230422561A1 (en) | Flexible Display Device and Method of Manufacturing the Same | |
US20230309359A1 (en) | Display device, light-emitting device, and electronic apparatus | |
WO2022009803A1 (ja) | 表示装置、発光装置および電子機器 | |
US20240032392A1 (en) | Display device and electronic device | |
WO2021246127A1 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US8927970B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
US20230413609A1 (en) | Display device and electronic device | |
WO2021201026A1 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US11315981B2 (en) | Light-emitting device, and electronic apparatus | |
US20230320173A1 (en) | Display device, light-emitting device and electronic apparatus | |
US20240040844A1 (en) | Display device and electronic device | |
KR20150033406A (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230804 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231226 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20240109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7464335 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |