JP7446084B2 - Grinding device and grinding method - Google Patents
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Description
本開示は、研削装置、及び研削方法に関する。 The present disclosure relates to a grinding device and a grinding method.
特許文献1に記載の研削装置は、保持テーブルに保持された被加工物の表面に研削砥石の研削面を接触させ、被加工物を研削する。また、この研削装置は、研削砥石に供給される研削液を研削工具の外側に飛散させて、研削室内を洗浄する。研削工具は、リング状の基台と、その下面にリング状に配置される複数の研削砥石とを含む。研削液の一部は、研削工具の遠心力によって、基台の複数の貫通穴を通り、複数の方向に排出され、研削室を洗浄する洗浄水として利用される。
The grinding device described in
本開示の一態様は、研削屑の堆積を抑制できる、技術を提供する。 One aspect of the present disclosure provides a technique that can suppress the accumulation of grinding debris.
本開示の一態様に係る研削装置は、
基板を保持するチャックと、
前記基板の上面を研削する研削工具が装着される可動部と、前記可動部を昇降させる昇降部とを有し、前記可動部は前記研削工具を回転させる、研削ユニットと、
前記チャック及び前記研削工具を収容する研削室を内部に形成する筐体と、
前記研削室にて、前記基板と前記研削工具の間に研削液を供給する第1液供給部と、
前記研削液とは異なる物質を含むことで前記研削液に比べて前記基板の研削で生じた研削屑の堆積を抑制する洗浄液を、前記研削ユニットの前記可動部又は前記筐体の内壁面に供給する第2液供給部と、
を有する。
A grinding device according to one aspect of the present disclosure includes:
A chuck that holds the substrate;
A grinding unit comprising: a movable part to which a grinding tool for grinding the upper surface of the substrate is attached ; and an elevating part for raising and lowering the movable part, the movable part rotating the grinding tool ;
a casing forming a grinding chamber therein for accommodating the chuck and the grinding tool;
a first liquid supply unit that supplies a grinding liquid between the substrate and the grinding tool in the grinding chamber;
A cleaning liquid that contains a substance different from the grinding liquid and suppresses the accumulation of grinding debris generated by grinding the substrate compared to the grinding liquid is applied to the movable part of the grinding unit or the inner wall surface of the casing. a second liquid supply section that supplies;
has.
本開示の一態様によれば、研削屑の堆積を抑制できる。 According to one aspect of the present disclosure, accumulation of grinding debris can be suppressed.
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向は互いに垂直な方向である。X軸方向およびY軸方向は水平方向、Z軸方向は鉛直方向である。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. Note that in each drawing, the same or corresponding configurations are denoted by the same reference numerals, and explanations may be omitted. In this specification, the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction are directions perpendicular to each other. The X-axis direction and the Y-axis direction are horizontal, and the Z-axis direction is vertical.
図1は、一実施形態に係る研削装置を示す平面図である。研削装置1は、基板Wを研削する。研削は、研磨を含む。研削に用いる砥粒は、固定砥粒、及び遊離砥粒のいずれでもよい。基板Wは、例えば、シリコンウェハ、又は化合物半導体ウェハ等の半導体基板である。研削装置1は、回転テーブル11と、4つのチャック12と、3つの研削ユニット20とを有する。
FIG. 1 is a plan view showing a grinding device according to one embodiment. The
なお、研削ユニット20の数は、1つ以上であればよい。また、チャック12の数は、研削ユニット20の数よりも多ければよい。但し、回転テーブル11が無くてもよい。回転テーブル11が無い場合、チャック12の数は、研削ユニット20の数と同数であってもよく、1つであってもよい。
Note that the number of
回転テーブル11は、回転中心線Z1の周りに4つのチャック12を等間隔で保持し、回転中心線Z1を中心に回転する。4つのチャック12のそれぞれは、回転テーブル11と共に回転し、搬入出位置A0と、1次研削位置A1と、2次研削位置A2と、3次研削位置A3と、搬入出位置A0とにこの順番で移動する。
The rotary table 11 holds four
搬入出位置A0は、基板Wの搬入が行われる搬入位置と、基板Wの搬出が行われる搬出位置とを兼ねる。基板Wの搬入および基板Wの搬出は、搬送ロボット13によって実行される。なお、本実施形態では搬入位置と搬出位置とは同じ位置であるが、搬入位置と搬出位置とは異なる位置であってもよい。
The carry-in/out position A0 serves as both the carry-in position where the substrate W is carried in and the carry-out position where the substrate W is carried out. The loading of the substrate W and the unloading of the substrate W are executed by the
搬送ロボット13が基板Wを搬入すると、チャック12が基板Wを保持する。搬送ロボット13は、保護テープで保護された基板Wを搬入出する。
When the
1次研削位置A1は、1次研削を行う位置である。2次研削位置A2は、2次研削を行う位置である。3次研削位置A3は、3次研削を行う位置である。 The primary grinding position A1 is a position where primary grinding is performed. The secondary grinding position A2 is a position where secondary grinding is performed. The tertiary grinding position A3 is a position where tertiary grinding is performed.
4つのチャック12は、それぞれの回転中心線を中心に回転自在に、回転テーブル11に取り付けられる。1次研削位置A1、2次研削位置A2および3次研削位置A3において、チャック12はそれぞれの回転中心線を中心に回転する。
The four
次に、図3及び図4を参照して、1次研削用の研削ユニット20Aについて説明する。なお、2次研削用の研削ユニット20B、及び3次研削用の研削ユニット20Cは、1次研削用の研削ユニット20Aと同様に構成されるので、図示及び説明を省略する。
Next, the
図3及び図4に示すように、研削ユニット20Aは、研削工具Dが装着される可動部30を含む。研削工具Dは、基板Wに接触させられ、基板Wを研削する。研削工具Dは、例えば円盤状の研削ホイールD1と、研削ホイールD1の下面にリング状に配列される複数の砥石D2とを含む。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
可動部30は、研削工具Dが装着されるフランジ31と、フランジ31が下端に設けられるスピンドル軸32と、スピンドル軸32を回転させるスピンドルモータ33とを有する。フランジ31は水平に配置され、その下面に研削工具Dが装着される。スピンドル軸32は鉛直に配置される。スピンドルモータ33は、スピンドル軸32を回転し、フランジ31に装着された研削工具Dを回転させる。
The
また、可動部30は、スピンドルカバー35を更に含んでもよい。スピンドルカバー35は、スピンドル軸32を囲み、スピンドル軸32に対する研削屑の付着を抑制する。スピンドルカバー35は、スピンドル軸32を囲む円筒部36と、その上端に形成される上フランジ部37とを含む。上フランジ部37は、例えばモータホルダ38に対して固定される。モータホルダ38は、スピンドルモータ33を保持する。
Moreover, the
研削ユニット20Aは、更に、可動部30を昇降させる昇降部40を有する。昇降部40は、例えば、鉛直なZ軸ガイド41と、Z軸ガイド41に沿って移動するZ軸スライダ42と、Z軸スライダ42を移動させるZ軸モータ43とを有する。Z軸スライダ42にはモータホルダ38が固定され、Z軸スライダ42と共に可動部30及び研削工具Dが昇降する。昇降部40は、研削工具Dの位置を検出する位置検出器45を更に有する。位置検出器45は、例えばZ軸モータ43の回転を検出し、研削工具Dの位置を検出する。
The
昇降部40は、研削工具Dを待機位置から下降させる。研削工具Dは、下降しながら回転し、回転する基板Wの上面と接触し、基板Wの上面全体を研削する。基板Wの研削中、基板Wの上面には、研削液が供給される。基板Wの厚みが設定値に達すると、昇降部40は研削工具Dの下降を停止する。その後、昇降部40は、研削工具Dを待機位置まで上昇させる。
The
研削ユニット20Aは、更に、基板Wの厚みを検出する厚み検出器21を有してもよい。厚み検出器21は、接触式でもよいし、非接触式でもよい。
The grinding
また、研削装置1は、筐体50を有する。筐体50は、内部に研削室Rを形成する。研削室Rは、チャック12及び研削工具Dを収容する。研削室Rは、更に回転テーブル11を収容する。筐体50は、研削で生じた研削屑、及び研削液が外部に飛散するのを抑制する。研削室Rの下方には、研削液、及び研削屑を回収する不図示の回収パンが設置される。
Further, the grinding
筐体50は、上面パネル51と側面パネル52とを含む。上面パネル51は、水平に配置され、研削室Rの上方を覆う。側面パネル52は、上面パネル51の周縁から下方に延び、研削室Rの側方を覆う。
The
上面パネル51は、1次研削位置A1、2次研削位置A2、及び3次研削位置A3のそれぞれに、研削工具Dの挿入口54(図3及び図4参照)を形成する。
The
筐体50の内壁面には、親水性又は疎水性のコーティング膜56が形成されてもよい。親水性のコーティング剤としては、例えばガラスコーティング剤が用いられる。疎水性のコーティング剤としては、例えばフッ素系樹脂が用いられる。コーティング膜56は、研削液、及び研削屑の付着を抑制する。あるいは、コーティング膜56は、後述の洗浄液による研削屑の除去効率を向上する。なお、コーティング膜56は、スピンドルカバー35の表面に形成されてもよい。また、コーティング膜56は、スピンドル軸32の表面に形成されてもよい。
A hydrophilic or
図1に示すように、研削装置1は、固定壁61を有する。固定壁61は、回転テーブル11の回転中心線Z1の周りに、研削室Rを複数の部屋R1、R2、R3に仕切る。部屋R1は1次研削用の研削工具Dを収容し、部屋R2は2次研削用の研削工具Dを収容し、部屋R3は3次研削用の研削工具Dを収容する。
As shown in FIG. 1, the grinding
図2に示すように、固定壁61は、チャック12及び基板Wを通過させる開口部62を形成する。チャック12及び基板Wは、回転テーブル11と共に回転し、固定壁61の開口部62を通過し、複数の部屋R1、R2、R3に順番に送られる。複数の部屋R1、R2、R3では、平均粒径の異なる砥粒を用いて基板Wを研削する。
As shown in FIG. 2, the fixed
固定壁61は、例えば、上面部63と、側面部64とを含む。上面部63は、上面パネル51の下面に取り付けられ、回転テーブル11との間に開口部62を形成する。上面部63の下縁には、基板Wとの間を塞ぐ短冊状の可撓性シート65が設けられる。側面部64は、側面パネル52の内壁面に取り付けられる。側面部64は、上面部63よりも下方に突出し、回転テーブル11の側面と側面パネル52との間を塞ぐ。
The fixed
また、研削装置1は、可動壁66を有する。可動壁66は、回転テーブル11と共に回転し、固定壁61の開口部62を開閉する。回転テーブル11が停止され、搬入出位置A0、1次研削位置A1、2次研削位置A2、及び3次研削位置A3のそれぞれにチャック12が配置されると、可動壁66が固定壁61の開口部62を塞ぐ。一方、回転テーブル11の回転中には、可動壁66が固定壁61の開口部を開放する。
Further, the grinding
図3及び図4に示すように、研削装置1は、第1液供給部70を有する。第1液供給部70は、研削室Rにて、基板Wと研削工具Dの間に研削液を供給する。研削液は、例えば、DIW(Deionized Water)等の純水である。研削液は、基板Wと研削工具Dの間に入り込み、研削抵抗を減らし、熱の発生を抑制する。
As shown in FIGS. 3 and 4, the grinding
第1液供給部70は、ノズル71を含む。ノズル71は、例えば、研削工具Dの真下、且つ基板Wの径方向外方に配置され、基板Wの上方に向けて研削液を吐出する。研削液は、基板Wの上面の中心付近に着地し、回転する基板Wの遠心力によって基板Wの径方向全体に濡れ広がる。なお、ノズル71の配置は、図3及び図4に示す配置には限定されない。研削液が基板Wと研削工具Dとの間に入り込めばよい。
The first
ノズル71は、配管72を介して液供給源73と接続される。配管72の途中には、開閉弁74と流量制御器75が設けられる。開閉弁74が配管72の流路を開放すると、液供給源73からノズル71に研削液が供給され、研削液がノズル71から吐出される。その吐出量は、流量制御器75によって制御される。一方、開閉弁74が配管72の流路を閉塞すると、液供給源73からノズル71への研削液の供給が停止され、研削液の吐出が停止される。
また、研削装置1は、第2液供給部80を有する。第2液供給部80は、研削液とは異なる物質を含む洗浄液を研削室Rに供給し、研削屑の堆積を抑制する。洗浄液は、研削屑の付着を抑制してもよいし、付着した研削屑の除去効率を向上してもよい。研削装置1のメンテナンス時に、研削室Rを開放した際に、研削屑の飛散を抑制できる。また、研削屑が剥がれ落ち、基板Wに落下するのを抑制できる。
Furthermore, the grinding
洗浄液は、研削液とは異なる物質として、例えば、二酸化炭素、マイクロバブル、及びオゾンから選ばれる少なくとも1つを含む。二酸化炭素は、純水に溶解され、研削屑の帯電を抑制し、電気的な付着を抑制する。マイクロバブルは、直径が50μmよりも小さい気泡であり、この気泡が弾ける時の爆発力で研削屑が凝集することを抑制し、付着を防止する。オゾンは、純水に溶解され、分解反応により生成された水酸基ラジカルを含み、酸化電位が上がることで洗浄効果が期待できる。これらの物質は、DIW等の純水と共に用いられる。 The cleaning liquid contains, for example, at least one selected from carbon dioxide, microbubbles, and ozone as a substance different from the grinding liquid. Carbon dioxide is dissolved in pure water, suppresses charging of grinding debris, and suppresses electrical adhesion. Microbubbles are bubbles with a diameter smaller than 50 μm, and the explosive force when these bubbles burst suppresses agglomeration of grinding debris and prevents adhesion. Ozone is dissolved in pure water and contains hydroxyl radicals generated by a decomposition reaction, and can be expected to have a cleaning effect by increasing the oxidation potential. These substances are used together with pure water such as DIW.
第2液供給部80は、ノズル81を含む。ノズル81は、図4に矢印で示すように、スピンドル軸32の径方向外側から径方向内側に向けて洗浄液を供給する。洗浄液は、スピンドルカバー35に径方向外側から吹き付けられ、スピンドルカバー35における研削屑の堆積を抑制する。洗浄液は、スピンドルカバー35に当たった後、回転中のフランジ31まで流れ落ち、遠心力によってフランジ31から側面パネル52の内壁面に飛び散り、その内壁面における研削屑の堆積を抑制する。ノズル81は、スピンドルカバー35の全周に洗浄液を供給できるように複数配置されるのが望ましい。例えば、ノズル81は、扇状スプレーノズルであって、スピンドルカバー35の周方向に等間隔で4本配置される。
The second
なお、可動部30は、スピンドルカバー35を有しなくてもよい。この場合、洗浄液は、スピンドル軸32に径方向外側から吹き付けられ、スピンドル軸32における研削屑の堆積を抑制する。洗浄液は、回転中のスピンドル軸32に当たった後、遠心力によってスピンドル軸32から側面パネル52の内壁面に飛び散り、その内壁面における研削屑の堆積を抑制する。但し、洗浄液は、スピンドル軸32に当たった後、回転中のフランジ31まで流れ落ち、遠心力によってフランジ31から側面パネル52の内壁面に飛び散り、その内壁面における研削屑の堆積を抑制してもよい。
Note that the
ノズル81は、配管82を介して液供給源83と接続される。配管82の途中には、開閉弁84と流量制御器85が設けられる。開閉弁84が配管82の流路を開放すると、液供給源83からノズル81に洗浄液が供給され、洗浄液がノズル81から吐出される。その吐出量は、流量制御器85によって制御される。一方、開閉弁84が配管82の流路を閉塞すると、液供給源83からノズル81への洗浄液の供給が停止され、洗浄液の吐出が停止される。
第2液供給部80は、更に別のノズル86を含む。ノズル86は、図4に矢印で示すように、上面パネル51の下面に洗浄液を供給する。洗浄液は、上面パネル51の下面に吹き付けられ、上面パネル51における研削屑の堆積を抑制する。ノズル86は、配管87を介して液供給源83と接続される。配管87の途中には、開閉弁88と流量制御器89が設けられる。
The second
なお、洗浄液のノズルの配置及び数は、図3及び図4に示す配置及び数には限定されない。例えば、側面パネル52の内壁面に、直接、洗浄液を吹き付けるノズルが設けられてもよい。
Note that the arrangement and number of cleaning liquid nozzles are not limited to the arrangement and number shown in FIGS. 3 and 4. For example, a nozzle that directly sprays the cleaning liquid may be provided on the inner wall surface of the
図1に示すように、研削装置1は制御部90を有する。制御部90は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)91と、メモリなどの記憶媒体92とを備える。記憶媒体92には、研削装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部90は、記憶媒体92に記憶されたプログラムをCPU91に実行させることにより、研削装置1の動作を制御する。また、制御部90は、入力インターフェース93と、出力インターフェース94とを備える。制御部90は、入力インターフェース93で外部からの信号を受信し、出力インターフェース94で外部に信号を送信する。
As shown in FIG. 1, the grinding
上記プログラムは、例えばコンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶され、その記憶媒体から制御部90の記憶媒体92にインストールされる。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどが挙げられる。なお、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、制御部90の記憶媒体92にインストールされてもよい。
The program is stored, for example, in a computer-readable storage medium, and is installed from the storage medium into the
次に、図5を参照して、研削装置1の動作について説明する。図5に示す動作は、制御部90による制御下で実施される。図5の時刻t0の直前に、図1に示すように、搬入出位置A0、1次研削位置A1、2次研削位置A2、及び3次研削位置A3のそれぞれに、チャック12が配置される。
Next, the operation of the grinding
先ず、研削工具Dの動作を中心に説明する。ここでは、1次研削位置A1で行われる動作を説明する。2次研削位置A2で行われる動作、及び3次研削位置A3で行われる動作は、1次研削位置A1で行われる動作と同様であるので、説明を省略する。 First, the operation of the grinding tool D will be mainly explained. Here, the operation performed at the primary grinding position A1 will be explained. The operations performed at the secondary grinding position A2 and the operations performed at the tertiary grinding position A3 are the same as the operations performed at the primary grinding position A1, so their explanations will be omitted.
図5の時刻t0で、昇降部40が、研削工具Dの下降を開始する。研削工具Dは、待機位置から下降を始める。また、時刻t0では、研削工具Dの回転と、チャック12の回転とが開始されてもよい。
At time t0 in FIG. 5, the lifting
なお、研削工具Dの回転開始と、チャック12の回転開始とは、研削工具Dと基板Wとが接触する前に実施されればよい。一方、研削工具Dの回転停止と、チャック12の回転停止とは、基板Wの研削後であって、且つ、回転テーブル11の回転前に実施される。
Note that the rotation of the grinding tool D and the rotation of the
次いで、時刻t1で、位置検出器45が研削工具Dが速度切換位置に達したことを検出すると、昇降部40が研削工具Dの下降速度を第1速度V1から第2速度V2に減速する(V2<V1)。待機位置から速度切換位置までは研削工具Dを高速で下降させるので、スループットを向上できる。
Next, at time t1, when the
続いて、時刻t2で、研削工具Dが基板Wに接触し、基板Wの研削を開始する。その後、昇降部40が研削工具Dを下降させ続け、基板Wの厚みが薄くなる。
Subsequently, at time t2, the grinding tool D contacts the substrate W and starts grinding the substrate W. Thereafter, the lifting
その後、時刻t3で、厚み検出器21が基板Wの厚みが設定厚みに達したことを検出すると、昇降部40が研削工具Dの下降を停止する。
Thereafter, at time t3, when the
続いて、時刻t4で、昇降部40が研削工具Dの上昇を開始し、基板Wの研削を終了する。時刻t2から時刻t4までの期間が、基板Wの研削期間である。基板Wの研削中、第1液供給部70が研削液を供給し続ける。研削液は、基板Wと研削工具Dの間に入り込み、研削抵抗を減らし、熱の発生を抑制する。
Subsequently, at time t4, the lifting
なお、研削液の供給は、基板Wの研削期間中には限定されず、例えば、時刻t0から時刻t1までの間、又は時刻t4から時刻t5の直前までの間に実施されてもよい。 Note that the supply of the grinding liquid is not limited to the period of grinding the substrate W, and may be performed, for example, between time t0 and time t1, or between time t4 and immediately before time t5.
その後、昇降部40は、研削工具Dを待機位置まで上昇させ、待機位置で停止させる。
Thereafter, the elevating
次いで、時刻t5で、回転モータ15が回転テーブル11を回転させる。4つのチャック12のうち、1つは搬入出位置A0から1次研削位置A1まで、別の1つは1次研削位置A1から2次研削位置A2まで、更に別の1つは2次研削位置A2から3次研削位置A3まで、残りの1つは3次研削位置A3から搬入出位置A0まで移動する。
Next, at time t5, the
続いて、時刻t6で、回転モータ15が回転テーブル11の回転を停止する。
Subsequently, at time t6, the
次に、第2液供給部80の動作を中心に説明する。ここでは、再び、1次研削位置A1で行われる動作を説明する。2次研削位置A2で行われる動作、及び3次研削位置A3で行われる動作は、1次研削位置A1で行われる動作と同様であるので、説明を省略する。
Next, the operation of the second
制御部90は、例えば時刻t0から時刻t1まで、スピンドル軸32の下降中に、スピンドル軸32の径方向外側から径方向内側に向けて洗浄液を供給し、スピンドルカバー35に洗浄液を供給する。洗浄液のスピンドルカバー35に当たる位置を鉛直方向に変位でき、スピンドルカバー35の広い範囲を洗浄できる。なお、スピンドルカバー35が存在しない場合も同様である。洗浄液のスピンドル軸32に当たる位置を鉛直方向に変位でき、スピンドル軸32の広い範囲を洗浄できる。
The
また、制御部90は、例えば時刻t0から時刻t1まで、スピンドル軸32の回転中に、スピンドル軸32の径方向外側から径方向内側に向けて洗浄液を供給し、スピンドルカバー35に洗浄液を供給する。洗浄液は、スピンドルカバー35に当たった後、回転中のフランジ31まで流れ落ち、遠心力によってフランジ31から側面パネル52の内壁面に飛び散り、その内壁面における研削屑の堆積を抑制する。なお、スピンドルカバー35が存在しない場合、スピンドル軸32に洗浄液を供給する。
Further, the
なお、ノズル81は、時刻t0から時刻t1までの少なくとも一部で、スピンドル軸32の径方向外側から径方向内側に向けて洗浄液を供給すればよい。また、時刻t0から時刻t1までの少なくとも一部で、別のノズル86が、上面パネル51の下面に洗浄液を供給してもよい。
Note that the
制御部90は、時刻t1以降、研削工具Dが基板Wに当たる可能性があるので、研削室Rへの洗浄液の供給を禁止する。洗浄液は、研削液とは異なる物質を含むので、基板Wと研削工具Dとの間に入り込むと、研削性が変化し、基板Wの表面粗さや残留歪みなどの加工品質が変化する恐れがある。
Since the grinding tool D may hit the substrate W after time t1, the
本実施形態によれば、基板Wの研削中に、研削室Rへの洗浄液の供給を禁止するので、研削性の変化を抑制でき、加工品質の変化を抑制できる。なお、基板Wの研削中に、洗浄液が基板Wと研削工具Dの間に入り込まない限り、制御部90は研削室Rへの洗浄液の供給を実施してもよい。
According to the present embodiment, supply of cleaning liquid to the grinding chamber R is prohibited during grinding of the substrate W, so that changes in grindability and processing quality can be suppressed. Note that, as long as the cleaning liquid does not enter between the substrate W and the grinding tool D during grinding of the substrate W, the
なお、制御部90は、基板Wの研削中に、ノズル81、86からの洗浄液の吐出を禁止すればよく、洗浄液の吐出の代わりに、研削液(例えば純水)の吐出を実施してもよい。この場合、ノズル81、86は、洗浄液だけではなく、研削液も吐出できるように、開閉弁及び流量制御器が途中に設けられた配管を介して、研削液の液供給源73と接続される。
Note that the
制御部90は、例えば時刻t4の後、スピンドル軸32の上昇中に、スピンドル軸32の径方向外側から径方向内側に向けて洗浄液を供給し、スピンドルカバー35に洗浄液を供給する。洗浄液のスピンドルカバー35に当たる位置を鉛直方向に変位でき、スピンドルカバー35の広い範囲を洗浄できる。なお、スピンドルカバー35が存在しない場合、洗浄液のスピンドル軸32に当たる位置を鉛直方向に変位できる。
For example, after time t4, while the
また、制御部90は、例えば時刻t4の後、スピンドル軸32の回転中に、スピンドル軸32の径方向外側から径方向内側に向けて洗浄液を供給し、スピンドルカバー35に洗浄液を供給する。洗浄液は、スピンドルカバー35に当たった後、回転中のフランジ31まで流れ落ち、遠心力によってフランジ31から側面パネル52の内壁面に飛び散り、その内壁面における研削屑の堆積を抑制する。なお、スピンドルカバー35が存在しない場合、スピンドル軸32に洗浄液を供給する。
Further, for example, after time t4, the
なお、ノズル81は、時刻t4の後、時刻t5の前に、スピンドル軸32の径方向外側から径方向内側に向けて洗浄液を供給し、スピンドルカバー35に洗浄液を供給すればよい。また、時刻t4の後、時刻t5の前に、別のノズル86が、上面パネル51の下面に洗浄液を供給してもよい。
Note that the
制御部90は、時刻t5から時刻t6まで、回転テーブル11の回転中に、研削室Rへの洗浄液の供給を禁止する。回転テーブル11の回転中に堆積物が剥がれるのを抑制し、隣り合う部屋(例えばR1、R2)間での堆積物の移動を抑制する。回転テーブル11の回転中には、可動壁66が固定壁61の開口部62を開放するので、隣り合う部屋(例えばR1、R2)間での物質の移動が可能になるからである。また、隣り合う部屋で、粒度の異なる砥粒が使用されている場合、研削屑の粒径も異なる。本実施形態によれば、隣り合う部屋間での堆積物の移動を抑制できるので、堆積物である研削屑の粒径の違いによる研削傷の発生を抑制できる。
The
また、制御部90は、回転テーブル11の回転中に、洗浄液の供給だけではなく、研削液の供給をも禁止する。隣り合う部屋間での堆積物の移動を抑制できるので、堆積物の粒径の違いによる研削傷の発生を抑制できる。
Further, the
なお、制御部90は、一の基板Wの研削後、別の基板Wの研削前に、研削室Rへの洗浄液の供給を実施してもよい。例えば、制御部90は、研削装置1のアイドリング時に、研削室Rへの洗浄液の供給を実施してもよい。研削装置1のアイドリング時には、基板Wが研削室Rの内部に存在しないので、研削性や加工品質が変化する虞が無い。
Note that the
以上、本開示に係る研削装置、及び研削方法について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。 Although the grinding device and the grinding method according to the present disclosure have been described above, the present disclosure is not limited to the above embodiments. Various changes, modifications, substitutions, additions, deletions, and combinations are possible within the scope of the claims. These naturally fall within the technical scope of the present disclosure.
1 研削装置
12 チャック
20 研削ユニット
50 筐体
70 第1液供給部
80 第2液供給部
1 Grinding
Claims (14)
前記基板の上面を研削する研削工具が装着される可動部と、前記可動部を昇降させる昇降部とを有し、前記可動部は前記研削工具を回転させる、研削ユニットと、
前記チャック及び前記研削工具を収容する研削室を内部に形成する筐体と、
前記研削室にて、前記基板と前記研削工具の間に研削液を供給する第1液供給部と、
前記研削液とは異なる物質を含むことで前記研削液に比べて前記基板の研削で生じた研削屑の堆積を抑制する洗浄液を、前記研削ユニットの前記可動部又は前記筐体の内壁面に供給する第2液供給部と、
を有する、研削装置。 A chuck that holds the substrate;
A grinding unit comprising a movable part to which a grinding tool for grinding the upper surface of the substrate is attached , and an elevating part for raising and lowering the movable part, the movable part rotating the grinding tool ;
a casing forming therein a grinding chamber that accommodates the chuck and the grinding tool;
a first liquid supply unit that supplies a grinding liquid between the substrate and the grinding tool in the grinding chamber;
A cleaning liquid that contains a substance different from the grinding liquid and suppresses the accumulation of grinding debris generated by grinding the substrate compared to the grinding liquid is applied to the movable part of the grinding unit or the inner wall surface of the casing. a second liquid supply section that supplies;
A grinding device with.
前記回転テーブルの前記回転中心線の周りに前記研削室を複数の部屋に仕切る固定壁と、
前記回転テーブルと共に回転し、前記固定壁の前記チャックを通過させる開口部を開閉する可動壁と、
を有し、
前記制御部は、複数の前記部屋で平均粒径の異なる砥粒を用いて前記基板を研削し、前記回転テーブルの回転中に、前記研削ユニットの前記可動部又は前記筐体の内壁面への前記洗浄液の供給を禁止する、請求項3~5のいずれか1項に記載の研削装置。 a rotary table that holds a plurality of chucks at equal intervals around a rotation center line and rotates around the rotation center line;
a fixed wall partitioning the grinding chamber into a plurality of rooms around the rotation center line of the rotary table;
a movable wall that rotates together with the rotary table and opens and closes an opening in the fixed wall that allows the chuck to pass through;
has
The control unit grinds the substrate using abrasive grains having different average particle sizes in the plurality of rooms, and controls the movable part of the grinding unit or the inner wall surface of the casing while the rotary table is rotating. The grinding device according to any one of claims 3 to 5, wherein supply of the cleaning liquid is prohibited.
前記第2液供給部は、前記スピンドル軸の径方向外側から径方向内側に向けて前記洗浄液を供給するノズルを含む、請求項3~6のいずれか1項に記載の研削装置。 The movable part includes a flange on which the grinding tool is attached, a spindle shaft on which the flange is provided at a lower end, and a spindle motor that rotates the spindle shaft,
The grinding device according to any one of claims 3 to 6, wherein the second liquid supply section includes a nozzle that supplies the cleaning liquid from a radially outer side to a radially inner side of the spindle shaft.
前記第2液供給部は、前記スピンドルカバーに前記洗浄液を供給するノズルを含む、請求項7に記載の研削装置。 The movable part further includes a spindle cover surrounding the spindle axis,
The grinding apparatus according to claim 7, wherein the second liquid supply section includes a nozzle that supplies the cleaning liquid to the spindle cover.
前記第2液供給部は、前記上面パネルの下面に前記洗浄液を供給するノズルを含む、請求項1~11のいずれか1項に記載の研削装置。 The casing includes a top panel in which an insertion opening for the grinding tool is formed, and a side panel extending downward from a periphery of the top panel,
The grinding device according to any one of claims 1 to 11, wherein the second liquid supply section includes a nozzle that supplies the cleaning liquid to the lower surface of the upper panel.
A grinding method comprising grinding the upper surface of the substrate using the grinding device according to any one of claims 1 to 13 .
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