JP7438990B2 - Expanding method and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an expanding method and a method for manufacturing a semiconductor device.
近年、電子機器の小型化、軽量化、及び高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、及び高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、ウエハに外部電極等を形成し、最終的にはウエハをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ－Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ－Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、「ＦＯ－ＷＬＰ」と略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。 In recent years, electronic devices have become smaller, lighter, and more sophisticated. Semiconductor devices installed in electronic equipment are also required to be smaller, thinner, and more dense. Semiconductor chips are sometimes packaged in packages close to their size. Such a package is sometimes referred to as a chip scale package (CSP). One example of CSP is a wafer level package (WLP). In WLP, external electrodes and the like are formed on the wafer before the wafer is diced into individual pieces, and finally the wafer is diced into individual pieces. WLP includes a fan-in type and a fan-out type. In fan-out type WLP (hereinafter sometimes abbreviated as "FO-WLP"), the semiconductor chip is covered with a sealing material in an area larger than the chip size to form a semiconductor chip encapsulation body. A rewiring layer and an external electrode are formed not only on the circuit surface of the semiconductor chip but also on the surface region of the sealing member.
例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップについて、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。 For example, in Patent Document 1, for a plurality of semiconductor chips cut into individual pieces from a semiconductor wafer, the circuit forming surface is left and the surroundings are surrounded using a molding member to form an expanded wafer, and the area outside the semiconductor chips is A method of manufacturing a semiconductor package is described in which a rewiring pattern is extended and formed. In the manufacturing method described in Patent Document 1, before surrounding a plurality of singulated semiconductor chips with a mold member, a wafer mount tape for expansion is pasted, and the wafer mount tape is expanded to form a plurality of semiconductor chips. expanding the distance between them.
また、特許文献２には、第二基材層と、第一基材層と、第一粘着剤層と、をこの順に備え、第二基材層の破断伸度が４００％以上である粘着シートが記載されている。特許文献２に記載の半導体装置の製造方法は、この粘着シートの第一粘着剤層に半導体ウエハを貼着する工程と、半導体ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、粘着シートを引き延ばして、半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える。 Further, Patent Document 2 discloses an adhesive comprising a second base material layer, a first base material layer, and a first adhesive layer in this order, and the second base material layer has a breaking elongation of 400% or more. The sheet is listed. The method for manufacturing a semiconductor device described in Patent Document 2 includes a step of adhering a semiconductor wafer to a first adhesive layer of this adhesive sheet, and a step of dividing the semiconductor wafer into pieces by dicing to form a plurality of semiconductor chips. , a step of stretching the adhesive sheet to increase the distance between the semiconductor chips.
エキスパンド工程に用いられるテープは、通常、テープ上の半導体チップを固定するために粘着剤層と、粘着剤層を支持するための基材と、を有する。特許文献１に記載のようにエキスパンド用のウエハマウントテープを引き延ばすと、テープの基材だけでなく、粘着剤層も引き延ばされる。エキスパンド工程後、半導体チップを粘着剤層から剥離すると、粘着剤層と接していた半導体チップの表面に粘着剤層が残る不具合が生じる場合がある。このような不具合を、本明細書においては、糊残りと称する場合がある。
なお、特許文献２に記載の粘着シートを用いてエキスパンド工程を実施すると、半導体チップと接している粘着剤層は引き延ばされないため、糊残りが生じ難いと考えられる。しかしながら、特許文献２に記載の粘着シートは、第二基材層と、第一基材層と、第一粘着剤層と、を積層させたテープ構成であるため、より簡略なテープ構成を用いて糊残りを防止できるエキスパンド方法に対する要望がある。また、特許文献２に記載のプロセスでは、粘着シート上の半導体ウエハをダイシングし、他の粘着シートに転写することなく、そのまま粘着シートを引き延ばしてエキスパンド工程を実施する。そのため、ダイシングの際のダイシングブレードが第二基材層に到達しないように、ダイシングブレードの切込み深さを慎重に制御する必要があり、より簡略な方法によって糊残りを防止できるエキスパンド方法に対する要望もある。
なお、エキスパンド方法において粘着シートの上に支持する被着体としては、半導体チップだけでなく、例えば、ウエハ、半導体装置パッケージ、及びマイクロＬＥＤ等の半導体装置が挙げられる。これら半導体装置についても、半導体チップと同様、半導体装置同士の間隔を拡張させることがある。
The tape used in the expansion process usually has an adhesive layer for fixing the semiconductor chip on the tape and a base material for supporting the adhesive layer. When a wafer mount tape for expansion is stretched as described in Patent Document 1, not only the base material of the tape but also the adhesive layer is stretched. When the semiconductor chip is peeled off from the adhesive layer after the expanding process, there may be a problem that the adhesive layer remains on the surface of the semiconductor chip that was in contact with the adhesive layer. Such a problem may be referred to as adhesive residue in this specification.
Note that when the expanding process is performed using the adhesive sheet described in Patent Document 2, the adhesive layer in contact with the semiconductor chip is not stretched, so it is thought that adhesive residue is less likely to occur. However, since the adhesive sheet described in Patent Document 2 has a tape configuration in which a second base layer, a first base layer, and a first adhesive layer are laminated, a simpler tape configuration is used. There is a need for an expanding method that can prevent adhesive residue. Furthermore, in the process described in Patent Document 2, a semiconductor wafer on an adhesive sheet is diced, and the adhesive sheet is stretched as it is to carry out an expanding process without transferring to another adhesive sheet. Therefore, it is necessary to carefully control the cutting depth of the dicing blade so that it does not reach the second base material layer during dicing, and there is also a demand for an expanding method that can prevent adhesive residue by a simpler method. be.
In addition, examples of adherends supported on the adhesive sheet in the expanding method include not only semiconductor chips but also semiconductor devices such as wafers, semiconductor device packages, and micro LEDs. Regarding these semiconductor devices as well, the distance between the semiconductor devices may be expanded as in the case of semiconductor chips.
本発明の目的は、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化しつつ、かつ、糊残りを抑制できるエキスパンド方法を提供すること、並びに当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an expanding method that can simplify the tape structure and process compared to conventional methods and suppress adhesive residue, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device that includes the expanding method. .
本発明の一態様によれば、第１ウエハ面と前記第１ウエハ面の反対側の第２ウエハ面とを有するウエハの前記第２ウエハ面に、第１粘着剤層と第１基材とを有する第１粘着シートが貼付され、前記第１ウエハ面側から切込みを入れて、前記ウエハを複数のチップに個片化し、さらに前記第１粘着剤層を切断し、前記第１基材を前記第１粘着剤層から剥離し、前記第１粘着剤層に、第２シートを貼付し、前記第２シートを伸張させて、前記複数のチップの間隔を拡げる、エキスパンド方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, a first adhesive layer and a first base material are provided on the second wafer surface of a wafer having a first wafer surface and a second wafer surface opposite to the first wafer surface. A first adhesive sheet having the following properties is attached, cuts are made from the first wafer surface side to separate the wafer into a plurality of chips, the first adhesive layer is cut, and the first base material is cut into pieces. An expanding method is provided in which the chips are peeled off from the first adhesive layer, a second sheet is attached to the first adhesive layer, and the second sheet is stretched to widen the spacing between the plurality of chips.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記切込みは、前記第１基材に到達するまでの深さで形成することが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, the cut is preferably formed to a depth that reaches the first base material.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１粘着剤層は、第１エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, the first adhesive layer preferably contains a first energy ray-curable resin.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第２シートは、エキスパンドシートであることが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, the second sheet is preferably an expanded sheet.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第２シートは、第２粘着剤層と第２基材とを有し、前記第２粘着剤層は、第２エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, the second sheet has a second adhesive layer and a second base material, and the second adhesive layer contains a second energy ray-curable resin. It is preferable.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１基材を前記第１粘着剤層から剥離する際の剥離力は、１０ｍＮ／２５ｍｍ以上、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, the peeling force when peeling the first base material from the first adhesive layer is preferably 10 mN/25 mm or more and 2000 mN/25 mm or less.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１粘着シートは、前記第１基材と前記第１粘着剤層との間に剥離層を有することが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, it is preferable that the first adhesive sheet has a release layer between the first base material and the first adhesive layer.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１基材を前記第１粘着剤層から剥離した後に、前記第１粘着剤層が貼着された前記複数のチップを、保持部材で保持し、前記保持部材で保持された前記複数のチップに貼着されている前記第１粘着剤層に、前記第２シートを貼付することが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, after the first base material is peeled from the first adhesive layer, the plurality of chips to which the first adhesive layer is attached are held by a holding member. Preferably, the second sheet is attached to the first adhesive layer attached to the plurality of chips held by the holding member.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記ウエハを複数のチップに個片化した後に、前記第１粘着シートを伸張させて、前記複数のチップの間隔を拡げることが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, it is preferable that after the wafer is diced into a plurality of chips, the first adhesive sheet is stretched to widen the interval between the plurality of chips.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記ウエハは、半導体ウエハであることが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, the wafer is preferably a semiconductor wafer.
本発明の一態様に係るエキスパンド方法において、前記第１ウエハ面は、回路を有することが好ましい。 In the expanding method according to one aspect of the present invention, it is preferable that the first wafer surface has a circuit.
本発明の一態様によれば、エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, a method for manufacturing a semiconductor device including an expanding method is provided.
本発明の一態様によれば、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化しつつ、かつ、糊残りを抑制できるエキスパンド方法を提供できる。本発明の別の一態様によれば、糊残りを抑制できるエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to provide an expanding method that simplifies the tape structure and process compared to conventional methods and can suppress adhesive residue. According to another aspect of the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device that includes an expanding method that can suppress adhesive residue.
〔第１実施形態〕
以下、本実施形態に係るエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法について説明する。
[First embodiment]
Hereinafter, an expanding method according to this embodiment and a method for manufacturing a semiconductor device including the expanding method will be described.
図１（図１Ａ及び図１Ｂ）、図２（図２Ａ及び図２Ｂ）、図３及び図４（図４Ａ及び図４Ｂ）は、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を説明する断面概略図である。 1 (FIGS. 1A and 1B), FIG. 2 (FIGS. 2A and 2B), FIGS. 3 and 4 (FIGS. 4A and 4B) illustrate a method for manufacturing a semiconductor device including an expanding method according to this embodiment. FIG.
本実施形態に係るエキスパンド方法は、次の工程（Ｐ１）～（Ｐ５）を備える。（Ｐ１）第１ウエハ面及び第２ウエハ面を有するウエハの第２ウエハ面に第１粘着シートが貼付されたウエハを準備する工程。第１粘着シートは、第１粘着剤層と第１基材とを有する。
（Ｐ２）第１ウエハ面側から切込みを入れて、ウエハを切断し、さらに、少なくとも第１粘着剤層を切断して複数のチップに個片化する工程。第１ウエハ面がチップの回路面になり、第２ウエハ面がチップ裏面となる。
（Ｐ３）第１粘着剤層をチップ裏面に残したまま、第１基材を剥離する工程。
（Ｐ４）チップ裏面側の第１粘着剤層に第２シートを貼付する工程。
（Ｐ５）第２シートを伸張させて、複数のチップの間隔を拡げる工程。
The expanding method according to this embodiment includes the following steps (P1) to (P5). (P1) A step of preparing a wafer having a first wafer surface and a second wafer surface with a first adhesive sheet attached to the second wafer surface. The first adhesive sheet has a first adhesive layer and a first base material.
(P2) Step of making incisions from the first wafer surface side to cut the wafer, and further cutting at least the first adhesive layer to separate into a plurality of chips. The first wafer surface becomes the circuit surface of the chip, and the second wafer surface becomes the back surface of the chip.
(P3) Step of peeling off the first base material while leaving the first adhesive layer on the back surface of the chip.
(P4) Step of attaching the second sheet to the first adhesive layer on the back side of the chip.
(P5) Step of stretching the second sheet to widen the interval between the plurality of chips.
図１Ａは、工程（Ｐ１）を説明するための図である。図１Ａには、第１粘着シート１０が貼着されたウエハＷが記載されている。
半導体ウエハＷは、第１ウエハ面としての回路面Ｗ１と、第２ウエハ面としての裏面Ｗ３と、を有する。回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。
FIG. 1A is a diagram for explaining the step (P1). FIG. 1A shows a wafer W to which a first
The semiconductor wafer W has a circuit surface W1 as a first wafer surface and a back surface W3 as a second wafer surface. A circuit W2 is formed on the circuit surface W1.
裏面Ｗ３には、第１粘着シート１０が貼着されている。本実施形態では、回路面Ｗ１が露出した状態でプロセスを進める態様を例に挙げて説明するが、その他の態様の例としては、例えば、回路面Ｗ１に保護シート又は保護膜等の保護部材が貼着された状態でプロセスを進める態様が挙げられる。
第１粘着シート１０は、第１粘着剤層１２と第１基材１１とを有する。第１粘着シート１０の詳細は、後述する。
The
The
半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素等の化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法及びリフトオフ法等が挙げられる。 The semiconductor wafer W may be, for example, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium/arsenic. Methods for forming the circuit W2 on the circuit surface W1 of the semiconductor wafer W include commonly used methods, such as an etching method and a lift-off method.
［バックグラインド工程］
工程（Ｐ１）で準備する半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経ることにより得られたウエハであることが好ましい。
バックグラインド工程においては、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の面を、ウエハが所定の厚さになるまで、研削する。裏面Ｗ３は、半導体ウエハＷを裏面研削して形成した面であることが好ましい。半導体ウエハＷを研削した後に露出する面を裏面Ｗ３とする。
[Back grinding process]
The semiconductor wafer W prepared in step (P1) is preferably a wafer obtained through a back grinding step.
In the backgrinding step, the surface of the semiconductor wafer W opposite to the circuit surface W1 is ground until the wafer reaches a predetermined thickness. The back surface W3 is preferably a surface formed by back grinding the semiconductor wafer W. The surface exposed after grinding the semiconductor wafer W is referred to as a back surface W3.
半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダー等を用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、バックグラインドシートと呼ばれる粘着シートを回路面Ｗ１に貼着することが好ましい。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわちバックグラインドシート側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。 The method for grinding the semiconductor wafer W is not particularly limited, and examples thereof include known methods using a grinder or the like. When grinding the semiconductor wafer W, it is preferable to attach an adhesive sheet called a backgrind sheet to the circuit surface W1 in order to protect the circuit W2. To grind the back surface of the wafer, the circuit surface W1 side of the semiconductor wafer W, that is, the back grind sheet side, is fixed with a chuck table or the like, and the back surface side, on which no circuit is formed, is ground with a grinder.
研削前の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定されず、通常、５００μｍ以上、１０００μｍ以下である。
研削後の半導体ウエハＷの厚さは、特に限定されず、通常、２０μｍ以上、５００μｍ以下である。
The thickness of the semiconductor wafer W before grinding is not particularly limited, and is usually 500 μm or more and 1000 μm or less.
The thickness of the semiconductor wafer W after grinding is not particularly limited, and is usually 20 μm or more and 500 μm or less.
［第１粘着シートの貼着工程］
工程（Ｐ１）で準備する半導体ウエハＷは、バックグラインド工程を経て、さらに、裏面Ｗ３に第１粘着シート１０を貼着する貼着工程を経て得られたウエハであることが好ましい。この貼着工程を第１粘着シートの貼着工程と称する場合がある。
後述するように、工程（Ｐ２）において、半導体ウエハＷは、ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化される。本実施形態では、半導体ウエハＷをダイシングする際に、半導体ウエハＷを保持するために、裏面Ｗ３に第１粘着シート１０を貼着する。半導体ウエハＷは、裏面Ｗ３を第１粘着シート１０の第１粘着剤層１２に向けて貼着される。
[First adhesive sheet pasting process]
The semiconductor wafer W prepared in step (P1) is preferably a wafer obtained through a backgrinding step and further through an adhesion step of adhering the
As will be described later, in step (P2), the semiconductor wafer W is diced into a plurality of semiconductor chips CP. In this embodiment, in order to hold the semiconductor wafer W when dicing the semiconductor wafer W, the
［ダイシング工程］
図１Ｂは、工程（Ｐ２）を説明するための図である。工程（Ｐ２）をダイシング工程と称する場合がある。図１Ｂには、第１粘着シート１０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
裏面Ｗ３に第１粘着シート１０が貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。第１ウエハ面としての回路面Ｗ１は、チップの回路面に相当する。第２ウエハ面としての裏面Ｗ３がチップ裏面に相当する。
本実施形態では、回路面Ｗ１側から切込みを入れて、半導体ウエハＷを切断し、さらに第１粘着シート１０の少なくとも第１粘着剤層１２を切断する。第１粘着剤層１２も半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。
ダイシングには、ダイシングソー又はレーザ等の切断手段が用いられる。
ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷ及び第１粘着剤層１２を個片化できる深さであれば特に限定されない。本実施形態では、第１基材１１まで切込みを入れない態様を例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、別の実施形態においては、半導体ウエハＷ及び第１粘着剤層１２を確実に切断するという観点から、ダイシングによって、第１基材１１に到達するまでの深さで切込みを形成してもよい。
なお、本実施形態のダイシング工程では、半導体ウエハＷの端面に沿ってダイシングして、図１Ｂに示すように第１粘着剤層１２に切込みを形成する。
[Dicing process]
FIG. 1B is a diagram for explaining the step (P2). The process (P2) may be referred to as a dicing process. FIG. 1B shows a plurality of semiconductor chips CP held on the
The semiconductor wafer W with the
In this embodiment, the semiconductor wafer W is cut by cutting from the circuit surface W1 side, and at least the first
For dicing, a cutting means such as a dicing saw or a laser is used.
The cutting depth during dicing is not particularly limited as long as it is deep enough to separate the semiconductor wafer W and the first
In the dicing process of this embodiment, dicing is performed along the end surface of the semiconductor wafer W to form cuts in the first
［第１基材の剥離工程］
図２Ａは、工程（Ｐ３）を説明するための図である。工程（Ｐ３）を第１基材の剥離工程と称する場合がある。図２Ａには、ダイシング工程後に個片化された半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に第１粘着剤層１２を残したまま、第１基材１１を剥離する工程が示されている。
第１粘着シート１０の一態様として、第１基材１１の上に、直接、第１粘着剤層１２が積層されている場合には、第１基材の剥離工程においては、第１粘着剤層１２と第１基材１１との界面で剥離することが好ましい。第１基材１１を剥離すると、裏面Ｗ３に第１粘着剤層１２が貼着された複数の半導体チップＣＰが得られる。
なお、本実施形態の第１基材の剥離工程では、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に貼着していない第１粘着剤層１２は、図２Ａに示すように第１基材１１に貼着したまま除去される。
[Peeling step of first base material]
FIG. 2A is a diagram for explaining the step (P3). The step (P3) may be referred to as a first base material peeling step. FIG. 2A shows a step of peeling off the
As one aspect of the
In addition, in the first base material peeling step of the present embodiment, the first
第１基材１１を第１粘着剤層１２から剥離する際の剥離力は、１０ｍＮ／２５ｍｍ以上、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。第１基材１１を第１粘着剤層１２から剥離する際の剥離力が１０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることにより、ダイシング時の半導体チップ保持性に優れるという効果が得られる。第１基材１１を第１粘着剤層１２から剥離する際の剥離力が２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることにより、ダイシング後の半導体チップのピックアップ性に優れるという効果が得られる。第１基材１１を第１粘着剤層１２から剥離する際の剥離力は、３０ｍＮ／２５ｍｍ以上、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、５０ｍＮ／２５ｍｍ以上、５００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。精密万能試験機（島津製作所製「オートグラフＡＧ－ＩＳ」）を用いて、剥離角度１８０°、測定温度２３℃、引張速度３００ｍｍ／分の条件で、第１基材１１を第１粘着剤層１２から剥がす引張試験を行い、引張試験時に測定した荷重を剥離力とする。
The peeling force when peeling the
［第２シートの貼着工程］
図２Ｂは、工程（Ｐ４）を説明するための図である。工程（Ｐ４）を第２シートの貼着工程と称する場合がある。図２Ｂには、ダイシング工程によって得た複数の半導体チップＣＰに第２シート２０が貼付された状態が示されている。本実施形態に係る第２シート２０は、第２粘着剤層２２と第２基材２１とを有する。第２シート２０の詳細は、後述する。
本実施形態では、第２シート２０が複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３側に貼着されると、複数の半導体チップＣＰと第２シート２０の第２粘着剤層２２との間に個片化された第１粘着剤層１２が介在した積層構造が得られる。
[Second sheet pasting process]
FIG. 2B is a diagram for explaining the step (P4). The step (P4) may be referred to as a second sheet pasting step. FIG. 2B shows a state in which the
In this embodiment, when the
［エキスパンド工程］
図３は、工程（Ｐ５）を説明するための図である。工程（Ｐ５）をエキスパンド工程と称する場合がある。図３には、第２シート２０を貼着後に、第２シート２０を伸張させて、複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げた状態が示されている。
複数の半導体チップＣＰの間隔を拡げる際には、エキスパンドシートと呼ばれる粘着シートにより複数の半導体チップＣＰを保持した状態で、エキスパンドシートを伸張することが好ましい。本実施形態においては、第２シート２０がエキスパンドシートであることが好ましい。
エキスパンド工程において第２シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第２シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、環状もしくは円状のエキスパンダを押し当てて第２シート２０を引き延ばす方法、及び把持部材等を用いて第２シート２０の外周部を掴んで引き延ばす方法等が挙げられる。本実施形態では、複数の半導体チップＣＰの間隔Ｄ１は、半導体チップＣＰのサイズに依存するため、特に制限されない。特に、粘着シートの片面に貼着された複数の半導体チップＣＰにおける、隣り合う半導体チップＣＰの相互の間隔Ｄ１は、２００μｍ以上であることが好ましい。なお、当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、特に制限されない。当該半導体チップＣＰの相互の間隔の上限は、例えば、６０００μｍであってもよい。
[Expanding process]
FIG. 3 is a diagram for explaining the step (P5). The step (P5) may be referred to as an expanding step. FIG. 3 shows a state in which the
When increasing the distance between the plurality of semiconductor chips CP, it is preferable to stretch the expandable sheet while holding the plurality of semiconductor chips CP with an adhesive sheet called an expandable sheet. In this embodiment, it is preferable that the
The method of stretching the
［第１転写工程］
本実施形態においては、エキスパンド工程の後、第２シート２０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、別の粘着シート（例えば、第３粘着シート）に転写する工程（以下「第１転写工程」という場合がある。）を実施してもよい。
図４Ａには、第２シート２０に貼着されていた複数の半導体チップＣＰを、第３粘着シート３０に転写する工程（「第１転写工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
第３粘着シート３０は、複数の半導体チップＣＰを保持できれば特に限定されない。第３粘着シート３０は、第３基材３１と、第３粘着剤層３２とを有する。第３粘着シート３０上の複数の半導体チップＣＰを封止したい場合には、第３粘着シート３０として、封止工程用の粘着シートを用いることが好ましく、耐熱性を有する粘着シートを用いることがより好ましい。また、第３粘着シート３０として耐熱性を有する粘着シートを用いる場合は、第３基材３１及び第３粘着剤層３２は、それぞれ、封止工程で課される温度に耐え得る耐熱性を有する材料で形成されていることが好ましい。
[First transfer step]
In this embodiment, after the expanding process, a process (hereinafter referred to as "first transfer process") of transferring the plurality of semiconductor chips CP stuck to the
FIG. 4A shows a diagram illustrating a step (sometimes referred to as a "first transfer step") of transferring the plurality of semiconductor chips CP attached to the
The third
本実施形態において転写工程を実施する場合は、例えば、エキスパンド工程の後、複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第３粘着シート３０を貼着し、その後、第２シート２０及び第１粘着剤層１２を裏面Ｗ３から剥離することが好ましい。第２シート２０及び第１粘着剤層１２をまとめて裏面Ｗ３から剥離してもよいし、第２シート２０を先に剥離して後に第１粘着剤層１２を裏面Ｗ３から剥離してもよい。第１粘着剤層１２を裏面Ｗ３から剥離する工程を、第１粘着剤層の剥離工程と称する場合がある。
第１粘着剤層の剥離工程の後も、エキスパンド工程において拡張させた複数の半導体チップＣＰ間の間隔Ｄ１が維持されていることが好ましい。
When carrying out the transfer process in this embodiment, for example, after the expanding process, the third
Even after the step of peeling off the first adhesive layer, it is preferable that the distance D1 between the plurality of semiconductor chips CP expanded in the expanding step is maintained.
第１粘着剤層１２を裏面Ｗ３から剥離する際に、裏面Ｗ３への糊残りを抑制するという一つの観点から、第１粘着剤層１２は、第１エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。第１粘着剤層１２が第１エネルギー線硬化性樹脂を含有している場合には、第１粘着剤層１２にエネルギー線を照射し、第１エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。第１エネルギー線硬化性樹脂を硬化させると、第１粘着剤層１２の凝集力が高まり、第１粘着剤層１２と半導体チップＣＰの裏面Ｗ３との間の粘着力を低下又は消失させることができる。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。したがって、第１エネルギー線硬化性樹脂は、紫外線硬化型の樹脂であることが好ましい。
From the viewpoint of suppressing adhesive residue on the back surface W3 when the first
第２シート２０を第１粘着剤層１２とまとめて裏面Ｗ３から剥離するという一つの観点から、第２シート２０が第２粘着剤層２２を備える場合、第２粘着剤層２２は、第２エネルギー線硬化性樹脂を含有することが好ましい。第１粘着剤層１２が第１エネルギー線硬化性樹脂を含有し、かつ、第２粘着剤層２２は、第２エネルギー線硬化性樹脂を含有している場合には、第２基材２１側から第２粘着剤層２２及び第１粘着剤層１２にエネルギー線を照射し、第２エネルギー線硬化性樹脂及び第１エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。第２エネルギー線硬化性樹脂を硬化させるためのエネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。したがって、第２エネルギー線硬化性樹脂は、紫外線硬化型の樹脂であることが好ましい。第２基材２１は、エネルギー線の透過性を有することが好ましい。
From the perspective of peeling the
なお、本実施形態とは異なる態様としては、第１粘着剤層１２を半導体チップＣＰの裏面Ｗ３から剥離せずに、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保護するための保護膜として用いてもよい。第１粘着剤層１２を裏面Ｗ３の保護膜として用いる場合は、第１粘着剤層１２は、硬化性の粘着剤組成物を含有することが好ましい。
In addition, as a different aspect from this embodiment, the first
第３粘着シート３０は、複数の半導体チップＣＰとともに、リングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第３粘着シート３０の第３粘着剤層３２の上に、リングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、リングフレームの環形状の内側にて露出する第３粘着剤層３２を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に押し当てて、複数の半導体チップＣＰを第３粘着シート３０に固定する。または、リングフレームの環形状の内側にて露出する第３粘着剤層３２を半導体チップＣＰの裏面Ｗ３の第１粘着剤層１２に押し当てて、複数の半導体チップＣＰを第３粘着シート３０に固定する。このとき、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３と第３粘着剤層３２との間には、第１粘着剤層１２が介在している。
The third
［封止工程］
図４Ｂには、封止部材３００を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（以下「封止工程」という場合がある。）を説明する図が示されている。
[Sealing process]
FIG. 4B shows a diagram illustrating a process of sealing a plurality of semiconductor chips CP using the sealing member 300 (hereinafter sometimes referred to as a "sealing process").
本実施形態において、封止工程は、複数の半導体チップＣＰが第３粘着シート３０に転写された後に実施される。
封止工程において、回路面Ｗ１が第３粘着シート３０に保護された状態で、複数の半導体チップＣＰを封止部材３００によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３００が充填されている。第３粘着シート３０により回路面Ｗ１及び回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３００で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。
In this embodiment, the sealing process is performed after the plurality of semiconductor chips CP are transferred to the third
In the sealing process, the sealing body 3 is formed by covering the plurality of semiconductor chips CP with the sealing
封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材３００に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、エキスパンド工程を実施後の間隔Ｄ１が維持された状態で、封止部材３００により覆われることが好ましい。
Through the sealing process, a sealed body 3 in which a plurality of semiconductor chips CP spaced apart by a predetermined distance are embedded in a sealing
封止工程の後、第３粘着シート３０を剥離する。第３粘着シート３０を剥離すると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１及び封止体３の第３粘着シート３０と接触していた面３Ａが露出する。
After the sealing process, the third
前述のエキスパンド工程の後、転写工程及びエキスパンド工程を任意の回数繰り返すことで、半導体チップＣＰ間の距離を所望の距離とし、半導体チップＣＰを封止する際の回路面の向きを所望の向きとすることができる。 After the above-mentioned expanding step, by repeating the transfer step and the expanding step an arbitrary number of times, the distance between the semiconductor chips CP is set to a desired distance, and the direction of the circuit surface when sealing the semiconductor chips CP is set to the desired direction. can do.
［その他の工程］
封止体３から粘着シートを剥離した後、この封止体３に対して、半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線層を形成する再配線層形成工程と、再配線層と外部端子電極とを電気的に接続する接続工程とが順に行われる。再配線層形成工程及び外部端子電極との接続工程によって、半導体チップＣＰの回路と外部端子電極とが電気的に接続される。
外部端子電極が接続された封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージが製造される。半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極を接続させた半導体パッケージは、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ－ＷＬＰ）として製造される。
[Other processes]
After peeling off the adhesive sheet from the sealing body 3, a rewiring layer forming step is performed to form a rewiring layer electrically connected to the semiconductor chip CP, and a rewiring layer and external terminal electrodes are formed on the sealing body 3. A connection step of electrically connecting the two is sequentially performed. The circuit of the semiconductor chip CP and the external terminal electrode are electrically connected through the rewiring layer forming step and the connecting step with the external terminal electrode.
The sealed body 3 to which external terminal electrodes are connected is separated into individual semiconductor chips CP. The method of dividing the sealed body 3 into pieces is not particularly limited. By dividing the sealing body 3 into individual pieces, a semiconductor package for each semiconductor chip CP is manufactured. A semiconductor package in which external electrodes fanned out outside the area of the semiconductor chip CP are connected is manufactured as a fan-out type wafer level package (FO-WLP).
（第１粘着シート）
第１粘着シート１０は、第１基材１１と、第１粘着剤層１２とを有する。第１粘着剤層１２は、第１基材１１に積層されている。
(First adhesive sheet)
The
・第１基材
本実施形態に係る第１基材１１は、所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。第１基材１１は、第１粘着剤層１２を支持する部材である。
第１基材１１は、例えば、樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、及びフッ素樹脂フィルムからなる群から選択される少なくともいずれかのフィルムが用いられる。また、第１基材１１として、これらの架橋フィルムも用いられる。さらに、第１基材１１は、これらの積層フィルムであってもよい。
- First base material The constituent material of the
The
また、第１基材１１は、例えば、硬質支持体であってもよい。硬質支持体の材質は、機械的強度、及び耐熱性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体の材質は、例えば、ＳＵＳ等の金属材料；ガラス、シリコンウエハ等の非金属無機材料；エポキシ、ＡＢＳ、アクリル、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチック、ポリイミド、ポリアミドイミド等の樹脂材料；ガラスエポキシ樹脂等の複合材料等が挙げられ、これらの中でも、ＳＵＳ、ガラス、及びシリコンウエハ等が好ましい。エンジニアリングプラスチックとしては、ナイロン、ポリカーボネート（ＰＣ）、及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が挙げられる。スーパーエンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が挙げられる。
Further, the
第１基材１１の厚さは特に限定されない。第１基材１１の厚さは、好ましくは２０μｍ以上、５０ｍｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以上、２０ｍｍ以下である。第１基材１１の厚さを上記範囲とすることで、第１基材１１が樹脂フィルムである場合は、第１粘着シート１０が十分な可撓性を有するため、加工対象物（ワーク）に対して良好な貼付性を示す。加工対象物（ワーク）としては、例えば、ウエハ又は半導体素子であり、より具体的な例としては、半導体ウエハ又は半導体チップ等である。第１基材１１が硬質支持体である場合、硬質支持体の厚さは、機械的強度、及び取り扱い性等を考慮して適宜決定すればよい。硬質支持体の厚さは、例えば、１００μｍ以上、５０ｍｍ以下である。
The thickness of the
・第１粘着剤層
第１粘着剤層１２は、所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
第１粘着剤層１２の一態様においては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ゴム系粘着剤及びシリコーン系粘着剤からなる群から選択される少なくとも一種の粘着剤で構成されることが好ましく、アクリル系粘着剤で構成されることがより好ましい。
- First Adhesive Layer The constituent material of the first
In one embodiment of the first
第１粘着剤層１２の一態様においては、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化性の粘着剤組成物を含有することが好ましい。外部から供給されるエネルギーとしては、例えば、紫外線、電子線、及び熱などが挙げられる。第１粘着剤層１２は、紫外線硬化型粘着剤、及び熱硬化型粘着剤の少なくともいずれか一種を含有していることが好ましい。第１基材１１が、耐熱性を備えている場合は、熱硬化時の残存応力の発生を抑制できることから、粘着剤層は、熱硬化型粘着剤を含有する熱硬化性の粘着剤層であることが好ましい。
One embodiment of the first
第１粘着剤層１２は、例えば、第一の接着剤組成物を含有する。第一の接着剤組成物は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）を含有する。
The first
（Ａ）バインダーポリマー成分
第１粘着剤層１２に十分な粘着性及び造膜性（シート形成性）を付与するためにバインダーポリマー成分（Ａ）が用いられる。バインダーポリマー成分（Ａ）としては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。
(A) Binder Polymer Component The binder polymer component (A) is used to provide the first
バインダーポリマー成分（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上、２００万以下であることが好ましく、１０万以上、１２０万以下であることがより好ましい。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ；ＧＰＣ）法により測定される標準ポリスチレン換算値である。 The weight average molecular weight (Mw) of the binder polymer component (A) is preferably 10,000 or more and 2,000,000 or less, more preferably 100,000 or more and 1,200,000 or less. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) is a standard polystyrene equivalent value measured by gel permeation chromatography (GPC) method.
バインダーポリマー成分（Ａ）として、アクリルポリマーが好ましく用いられる。アクリルポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは－６０℃以上、５０℃以下、より好ましくは－５０℃以上、４０℃以下、さらに好ましくは－４０℃以上、３０℃以下の範囲にある。 Acrylic polymers are preferably used as the binder polymer component (A). The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer is preferably in the range of -60°C or more and 50°C or less, more preferably -50°C or more and 40°C or less, even more preferably -40°C or more and 30°C or less.
上記アクリルポリマーを構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１～１８であるアルキル（メタ）アクリレート、具体的にはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する（メタ）アクリレート、具体的にはシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどが挙げられる。さらに官能基を有するモノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；その他、エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。アクリルポリマーは、水酸基を有しているモノマーを含有しているアクリルポリマーが、後述する硬化性成分（Ｂ）との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリルポリマーは、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、及びスチレンからなる群から選択される少なくとも１種が共重合されていてもよい。 Examples of monomers constituting the acrylic polymer include (meth)acrylic acid ester monomers or derivatives thereof. For example, alkyl (meth)acrylates in which the alkyl group has 1 to 18 carbon atoms, specifically methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl Examples include (meth)acrylate. In addition, (meth)acrylates having a cyclic skeleton, specifically cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, Examples include dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate and imido (meth)acrylate. Furthermore, examples of monomers having a functional group include hydroxymethyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, and 2-hydroxypropyl (meth)acrylate having a hydroxyl group; in addition, glycidyl (meth)acrylate having an epoxy group. Examples include acrylate. As for the acrylic polymer, an acrylic polymer containing a monomer having a hydroxyl group is preferable because it has good compatibility with the curable component (B) described below. Further, the acrylic polymer may be copolymerized with at least one selected from the group consisting of acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
さらに、バインダーポリマー成分（Ａ）として、硬化後の第１粘着剤層１２の膜の可とう性を保持するための熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が１０００以上、１０万以下の樹脂が好ましく、３０００以上、８万以下の樹脂がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは－３０℃以上、１２０℃以下、さらに好ましくは－２０℃以上、１２０℃以下であることが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、又はポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
Furthermore, a thermoplastic resin for maintaining the flexibility of the first
（Ｂ）硬化性成分
硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分のうち少なくともいずれかの成分が用いられる。硬化性成分（Ｂ）として熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分を用いてもよい。
(B) Curable Component As the curable component (B), at least one of a thermosetting component and an energy ray curable component is used. A thermosetting component and an energy beam curable component may be used as the curable component (B).
熱硬化性成分としては、熱硬化樹脂及び熱硬化剤が用いられる。熱硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂が好ましい。 As the thermosetting component, a thermosetting resin and a thermosetting agent are used. As the thermosetting resin, for example, epoxy resin is preferable.
エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。 As the epoxy resin, conventionally known epoxy resins can be used. Specifically, the epoxy resins include polyfunctional epoxy resins, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrogenated products, orthocresol novolac epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and bisphenol A type epoxy resins. Examples include epoxy compounds having two or more functionalities in the molecule, such as resin, bisphenol F type epoxy resin, and phenylene skeleton type epoxy resin. These can be used alone or in combination of two or more.
第１粘着剤層１２には、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、熱硬化樹脂が、好ましくは１質量部以上、１０００質量部以下含まれ、より好ましくは１０質量部以上、５００質量部以下含まれ、さらに好ましくは２０質量部以上、２００質量部以下含まれる。熱硬化樹脂の含有量が１質量部以上であれば、十分な硬化性が得られないという不具合を抑制できる。熱硬化樹脂の含有量が１０００質量部以下であれば、第１粘着剤層１２と第１基材１１との剥離力が高くなりすぎることを防止できる。当該剥離力が高くなりすぎることを防止すれば、第１粘着剤層１２の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に対する転写不良を防止できる。
The first
熱硬化剤は、熱硬化樹脂、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、エポキシ基と反応し得る官能基を１分子中に２個以上有する化合物が挙げられる。エポキシ基と反応し得る官能基としては、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、及び酸無水物基などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、及び酸無水物基などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、及びアミノ基が挙げられる。 Thermosetting agents function as hardening agents for thermosetting resins, especially epoxy resins. Preferred thermosetting agents include compounds having two or more functional groups in one molecule that can react with epoxy groups. Examples of functional groups that can react with epoxy groups include phenolic hydroxyl groups, alcoholic hydroxyl groups, amino groups, carboxyl groups, and acid anhydride groups. Among these, preferred are phenolic hydroxyl groups, amino groups, and acid anhydride groups, and more preferred are phenolic hydroxyl groups and amino groups.
フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、及びアラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）が挙げられる。これら熱硬化剤は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Specific examples of the phenolic curing agent include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolak phenolic resins, dicyclopentadiene phenolic resins, Zylock phenolic resins, and aralkyl phenolic resins. A specific example of the amine curing agent is DICY (dicyandiamide). These thermosetting agents can be used alone or in a mixture of two or more.
熱硬化剤の含有量は、熱硬化樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上、５００質量部以下であることが好ましく、１質量部以上、２００質量部以下であることがより好ましい。 The content of the thermosetting agent is preferably 0.1 parts by mass or more and 500 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 200 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the thermosetting resin. .
第１粘着剤層１２が、硬化性成分（Ｂ）として、熱硬化性成分を含有する場合、第１粘着剤層１２は熱硬化性を有する。この場合、第１粘着剤層１２を加熱により硬化することが可能となるが、本実施形態の第１粘着シート１０において、第１基材１１が耐熱性を有している場合には、第１粘着剤層１２の熱硬化の際に、基材に残存応力が発生して不具合を生じることが起こりにくい。
When the first
エネルギー線硬化性成分としては、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する低分子化合物（エネルギー線重合性化合物）を用いることができる。このようなエネルギー線硬化性成分として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、あるいは１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート及びイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００以上、３００００以下、好ましくは３００以上、１００００以下である。エネルギー線重合性化合物の配合量は、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上、１５００質量部以下であり、より好ましくは１０質量部以上、５００質量部以下であり、さらに好ましくは２０質量部以上、２００質量部以下である。 As the energy ray curable component, a low molecular compound (energy ray polymerizable compound) that contains an energy ray polymerizable group and polymerizes and cures when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams can be used. Specifically, such energy ray-curable components include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, or 1,4-butylene. Examples include acrylate compounds such as glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy-modified acrylate, polyether acrylate, and itaconic acid oligomer. Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule, and usually has a weight average molecular weight of 100 or more and 30,000 or less, preferably 300 or more and 10,000 or less. The amount of the energy beam polymerizable compound is preferably 1 part by mass or more and 1500 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or more and 500 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the binder polymer component (A). It is more preferably 20 parts by mass or more and 200 parts by mass or less.
また、エネルギー線硬化性成分として、バインダーポリマー成分（Ａ）の主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型重合体を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型重合体は、バインダーポリマー成分（Ａ）としての機能と、硬化性成分（Ｂ）としての機能を兼ね備える。 Furthermore, as the energy ray curable component, an energy ray curable polymer in which an energy ray polymerizable group is bonded to the main chain or side chain of the binder polymer component (A) may be used. Such an energy ray-curable polymer has both a function as a binder polymer component (A) and a function as a curable component (B).
エネルギー線硬化型重合体の主骨格は、特に限定はされず、バインダーポリマー成分（Ａ）として汎用されているアクリルポリマーであってもよく、またポリエステル、ポリエーテル等であっても良いが、合成及び物性の制御が容易であることから、アクリルポリマーを主骨格とすることが好ましい。 The main skeleton of the energy beam-curable polymer is not particularly limited, and may be an acrylic polymer commonly used as the binder polymer component (A), or may be polyester, polyether, etc. It is preferable to use an acrylic polymer as the main skeleton because the physical properties can be easily controlled.
エネルギー線硬化型重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、例えば、エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合を含む基であり、具体的には（メタ）アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型重合体に結合していてもよい。 The energy beam polymerizable group bonded to the main chain or side chain of the energy beam curable polymer is, for example, a group containing an energy beam polymerizable carbon-carbon double bond, specifically a (meth)acryloyl group. etc. can be exemplified. The energy ray polymerizable group may be bonded to the energy ray curable polymer via an alkylene group, an alkyleneoxy group, or a polyalkyleneoxy group.
エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上、２００万以下であることが好ましく、１０万以上、１５０万以下であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－６０℃以上、５０℃以下であることが好ましく、－５０℃以上、４０℃以下であることがより好ましく、－４０℃以上、３０℃以下であることがさらに好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray curable polymer to which the energy ray polymerizable group is bonded is preferably 10,000 or more and 2,000,000 or less, more preferably 100,000 or more and 1,500,000 or less. . Furthermore, the glass transition temperature (Tg) of the energy beam-curable polymer is preferably -60°C or higher and 50°C or lower, more preferably -50°C or higher and 40°C or lower, and -40°C or higher. , more preferably 30°C or less.
エネルギー線硬化型重合体は、例えば、官能基を含有するアクリルポリマーと、重合性基含有化合物とを反応させて得られる。この官能基を含有するアクリルポリマーが有する官能基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等が挙げられる。この重合性基含有化合物は、アクリルポリマーが有する当該置換基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素－炭素二重結合を１分子毎に１～５個有する重合性基含有化合物である。該官能基と反応する置換基としては、イソシアネート基、グリシジル基、及びカルボキシル基等が挙げられる。 The energy ray-curable polymer is obtained, for example, by reacting an acrylic polymer containing a functional group with a polymerizable group-containing compound. Examples of the functional group contained in the acrylic polymer containing this functional group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group. This polymerizable group-containing compound has a substituent that reacts with the substituent of the acrylic polymer and 1 to 5 energy ray polymerizable carbon-carbon double bonds per molecule. Examples of the substituent that reacts with the functional group include an isocyanate group, a glycidyl group, and a carboxyl group.
重合性基含有化合物としては、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート、及び（メタ）アクリル酸等が挙げられる。 Examples of polymerizable group-containing compounds include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl (meth)acrylate, and (meth)acrylic acid. etc.
アクリルポリマーは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体と、これと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とからなる共重合体であることが好ましい。 Acrylic polymers consist of (meth)acrylic monomers or derivatives thereof having functional groups such as hydroxyl groups, carboxyl groups, amino groups, substituted amino groups, and epoxy groups, and other (meth)acrylic acid esters that can be copolymerized with this monomer. A copolymer comprising a monomer or a derivative thereof is preferable.
ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、ヒドロキシル基を有する２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート；カルボキシル基を有するアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸；エポキシ基を有するグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。 Examples of (meth)acrylic monomers or derivatives thereof having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, or an epoxy group include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate having a hydroxyl group, 2-hydroxy Propyl (meth)acrylate; acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid having a carboxyl group; glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate having an epoxy group, and the like.
上記（メタ）アクリルモノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、アルキル基の炭素数が１～１８であるアルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、及び２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
上記（メタ）アクリルモノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、環状骨格を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、及びイミドアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリルポリマーには、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、及びスチレンからなる群から選択される少なくともいずれかが共重合されていてもよい。
Other (meth)acrylic acid ester monomers or derivatives thereof that can be copolymerized with the above (meth)acrylic monomer include, for example, alkyl (meth)acrylates in which the alkyl group has 1 to 18 carbon atoms. Examples include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, and 2-ethylhexyl (meth)acrylate.
Examples of other (meth)acrylic acid ester monomers or derivatives thereof that can be copolymerized with the above (meth)acrylic monomer include (meth)acrylates having a cyclic skeleton, specifically, cyclohexyl (meth)acrylate , benzyl (meth)acrylate, isobornyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl acrylate, and imide acrylate. Furthermore, the acrylic polymer may be copolymerized with at least one selected from the group consisting of vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
エネルギー線硬化型重合体を使用する場合であっても、前記したエネルギー線重合性化合物を併用してもよく、またバインダーポリマー成分（Ａ）を併用してもよい。本実施形態における第１粘着剤層１２中のこれら三者の配合量の関係は、エネルギー線硬化型重合体及びバインダーポリマー成分（Ａ）の質量の合計１００質量部に対して、エネルギー線重合性化合物が好ましくは１質量部以上、１５００質量部以下含まれ、より好ましくは１０質量部以上、５００質量部以下含まれ、さらに好ましくは２０質量部以上、２００質量部以下含まれる。
Even when an energy ray curable polymer is used, the energy ray polymerizable compound described above may be used in combination, or the binder polymer component (A) may be used in combination. In this embodiment, the relationship between the amounts of these three components in the first
第１粘着剤層１２にエネルギー線硬化性を付与することで、第１粘着剤層１２を簡便かつ短時間で硬化でき、硬化膜付チップの生産効率が向上する。硬化膜は、半導体素子を保護するための保護膜としても機能し得る。従来、チップ等の半導体素子用の保護膜は、一般にエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂により形成されていたが、熱硬化樹脂の硬化温度は２００℃を超え、また硬化時間は２時間程度を要しているため、生産効率向上の障害となっていた。しかし、エネルギー線硬化性の粘着剤層は、エネルギー線照射により短時間で硬化するため、簡便に保護膜を形成でき、生産効率の向上に寄与し得る。
By imparting energy ray curability to the first
・その他の成分
第１粘着剤層１２は、上記バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）に加えて下記成分を含むことができる。
-Other components The first
（Ｃ）着色剤
第１粘着剤層１２は、一態様において、着色剤（Ｃ）を含有する。第１粘着剤層１２に着色剤を配合することで、第１粘着剤層１２を硬化させて半導体チップＣＰの保護膜とする場合に、半導体装置を機器に組み込んだ際に、保護膜は、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それら赤外線等による半導体装置の誤作動を防止することができる。また、着色剤（Ｃ）を含有する第１粘着剤層１２を硬化して得た硬化膜（保護膜）に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜が形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が、通常、レーザーマーキング法（レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字される。保護膜が着色剤（Ｃ）を含有することで、保護膜のレーザー光により削り取られた部分と、削り取られていない部分のコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤（Ｃ）としては、有機顔料、無機顔料、有機染料、及び無機染料の少なくともいずれかが用いられる。着色剤（Ｃ）としては、電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、及び活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、着色剤（Ｃ）としては、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本実施形態における第１粘着剤層１２の高い硬化性は、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光及び赤外線の少なくともいずれかと紫外線との両方の波長領域で吸収性または反射性を有する着色剤であれば特に限定されない。
(C) Colorant In one embodiment, the first
着色剤（Ｃ）の配合量は、第１粘着剤層１２を構成する全固形分１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上、３５質量部以下、より好ましくは０．５質量部以上、２５質量部以下、さらに好ましくは１質量部以上、１５質量部以下である。
The blending amount of the colorant (C) is preferably 0.1 parts by mass or more and 35 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total solids constituting the first
（Ｄ）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｄ）は、第１粘着剤層１２の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤（Ｄ）は、特に、硬化性成分（Ｂ）において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。
(D) Curing Accelerator The curing accelerator (D) is used to adjust the curing speed of the first
好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン類；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これら硬化促進剤は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Preferred curing accelerators include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris(dimethylaminomethyl)phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Imidazoles such as 4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine; Examples include tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate. These curing accelerators can be used alone or in combination of two or more.
硬化促進剤（Ｄ）は、硬化性成分（Ｂ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上、１０質量部以下、さらに好ましくは０．１質量部以上、１質量部以下の量で含まれる。 The curing accelerator (D) is preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 0.1 parts by mass or more and 1 part by mass or less, based on 100 parts by mass of the curable component (B). Included in quantity.
（Ｅ）カップリング剤
カップリング剤（Ｅ）は、第１粘着剤層１２の半導体素子に対する粘着性、密着性及び硬化膜（保護膜）の凝集性の少なくともいずれかを向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（Ｅ）を使用することで、第１粘着剤層１２を硬化して得られる硬化膜（保護膜）の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
(E) Coupling agent The coupling agent (E) is used to improve at least one of the adhesiveness and adhesion of the first
カップリング剤（Ｅ）としては、バインダーポリマー成分（Ａ）、硬化性成分（Ｂ）などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤（Ｅ）としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらカップリング剤（Ｅ）は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 As the coupling agent (E), a compound having a group that reacts with a functional group contained in the binder polymer component (A), the curable component (B), etc. is preferably used. As the coupling agent (E), a silane coupling agent is desirable. Such coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-(methacryloxypropyl) ) trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N- Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane, methyltrimethoxy Examples include silane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and imidazolesilane. These coupling agents (E) can be used alone or in combination of two or more.
カップリング剤（Ｅ）は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して、通常、０．１質量部以上、２０質量部以下含まれ、好ましくは０．２質量部以上、１０質量部以下含まれ、より好ましくは０．３質量部以上、５質量部以下の割合で含まれる。 The coupling agent (E) is usually contained in an amount of 0.1 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, preferably 0.1 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, based on a total of 100 parts by mass of the binder polymer component (A) and the curable component (B). It is contained in a proportion of 2 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 0.3 parts by mass or more and 5 parts by mass or less.
（Ｆ）無機充填材
無機充填材（Ｆ）を第１粘着剤層１２に配合することにより、硬化後の硬化膜（保護膜）における熱膨張係数を調整することが可能となる。
(F) Inorganic filler By blending the inorganic filler (F) into the first
好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、及び窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維並びにガラス繊維等が挙げられる。これら無機充填材のなかでも、シリカフィラー及びアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材（Ｆ）は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。無機充填材（Ｆ）の含有量は、接着剤層を構成する全固形分１００質量部に対して、通常、１質量部以上、８０質量部以下の範囲で調整が可能である。 Preferred inorganic fillers include powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride, and the like, beads obtained by spheroidizing these, single crystal fibers, and glass fibers. Among these inorganic fillers, silica filler and alumina filler are preferred. The above inorganic filler (F) can be used alone or in combination of two or more. The content of the inorganic filler (F) can be usually adjusted within a range of 1 part by mass or more and 80 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the total solid content constituting the adhesive layer.
（Ｇ）光重合開始剤
第１粘着剤層１２が、前述した硬化性成分（Ｂ）としてエネルギー線硬化性成分を含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性成分を硬化させる。この際、第１粘着剤層１２を構成する組成物中に光重合開始剤（Ｇ）を含有させることで、重合硬化時間を短くすることができ、さらに、光線照射量を少なくすることができる。
(G) Photopolymerization initiator When the first
このような光重合開始剤（Ｇ）として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４－ジエチルチオキサンソン、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、１，２－ジフェニルメタン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド及びβ－クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｇ）は１種類単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。 Specifically, such photopolymerization initiators (G) include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, and benzoin dimethyl ketal. , 2,4-diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 1,2-diphenylmethane, 2-hydroxy- Examples include 2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, and β-chloranthraquinone. The photopolymerization initiator (G) can be used alone or in combination of two or more.
光重合開始剤（Ｇ）の配合割合は、エネルギー線硬化性成分１００質量部に対して０．１質量部以上、１０質量部以下含まれることが好ましく、１質量部以上、５質量部以下含まれることがより好ましい。光重合開始剤（Ｇ）の配合割合が０．１質量部以上であれば、光重合の不足で満足な転写性が得られないという不具合を防止できる。光重合開始剤（Ｇ）の配合割合が１０質量部以下であれば、光重合に寄与しない残留物が生成して第１粘着剤層１２の硬化性が不十分となるという不具合を防止できる。
The blending ratio of the photopolymerization initiator (G) is preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, and 1 part by mass or more and 5 parts by mass or less per 100 parts by mass of the energy beam curable component. It is more preferable that When the blending ratio of the photopolymerization initiator (G) is 0.1 part by mass or more, it is possible to prevent the problem that satisfactory transferability cannot be obtained due to insufficient photopolymerization. If the blending ratio of the photopolymerization initiator (G) is 10 parts by mass or less, it is possible to prevent the problem of insufficient curability of the first
（Ｈ）架橋剤
第１粘着剤層１２の初期粘着力及び凝集力を調節するために、第１粘着剤層１２に架橋剤を添加することもできる。架橋剤（Ｈ）としては、有機多価イソシアネート化合物、及び有機多価イミン化合物などが挙げられる。
(H) Crosslinking agent A crosslinking agent may be added to the first
上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物及びこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、並びにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。 The organic polyvalent isocyanate compounds include aromatic polyvalent isocyanate compounds, aliphatic polyvalent isocyanate compounds, alicyclic polyvalent isocyanate compounds, trimers of these organic polyvalent isocyanate compounds, and these organic polyvalent isocyanate compounds. Examples include terminal isocyanate urethane prepolymers obtained by reacting polyol compounds with
有機多価イソシアネート化合物としては、例えば２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネート及びリジンイソシアネートが挙げられる。 Examples of organic polyvalent isocyanate compounds include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, and diphenylmethane. -2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, trimethylolpropane adduct tolylene diisocyanate and lysine Examples include isocyanates.
上記有機多価イミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルメタン－４，４’－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート及びＮ，Ｎ’－トルエン－２，４－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。 Examples of the organic polyvalent imine compounds include N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, and tetramethylolmethane-tri -β-aziridinylpropionate, N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide)triethylenemelamine, and the like.
架橋剤（Ｈ）はバインダーポリマー成分（Ａ）及びエネルギー線硬化型重合体の合計量１００質量部に対して、通常、０．０１質量部以上、２０質量部以下の比率で用いられ、好ましくは０．１質量部以上、１０質量部以下の比率で用いられ、より好ましくは０．５質量部以上、５質量部以下の比率で用いられる。 The crosslinking agent (H) is usually used in a ratio of 0.01 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the binder polymer component (A) and the energy ray curable polymer. It is used in a ratio of 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or more and 5 parts by mass or less.
（Ｉ）汎用添加剤
第１粘着剤層１２には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、及び連鎖移動剤などが挙げられる。
(I) General-purpose additives In addition to the above, various additives may be blended into the first
上記のような各成分からなる第１粘着剤層は、粘着性と硬化性とを有し、未硬化状態ではワーク（半導体ウエハ又はチップ等）を押圧することで容易に接着する。なお、第１粘着剤層１２は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を１層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。
The first adhesive layer made of the above-mentioned components has adhesiveness and curability, and in an uncured state easily adheres to a workpiece (semiconductor wafer, chip, etc.) by pressing it. Note that the first
第１粘着剤層１２の厚さは、特に限定されない。第１粘着剤層１２の厚さは、好ましくは３μｍ以上、３００μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以上、２５０μｍ以下であり、さらに好ましくは７μｍ以上、２００μｍ以下である。
The thickness of the first
以上が第１粘着剤層１２に関する説明である。
The above is the explanation regarding the first
・剥離シート
第１粘着シート１０の表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、第１粘着シート１０の第１粘着剤層１２の表面に貼付される。剥離シートは、第１粘着剤層１２の表面に貼付されることで輸送時及び保管時に第１粘着剤層１２を保護する。剥離シートは、剥離可能に第１粘着シート１０に貼付されており、第１粘着シート１０が使用される前には、第１粘着シート１０から剥離されて取り除かれる。
- Release sheet A release sheet may be attached to the surface of the
剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられる。具体的には、例えば、剥離シート用基材と、この基材の表面上に剥離剤を塗布して形成した剥離剤層とを備える剥離シートが挙げられる。 As the release sheet, a release sheet whose at least one surface has been subjected to a release treatment is used. Specifically, for example, a release sheet includes a release sheet base material and a release agent layer formed by applying a release agent onto the surface of this base material.
剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましい。剥離シート用基材としての樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂及びポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、並びにポリプロピレン樹脂及びポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。
剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂及びフッ素系樹脂が挙げられる。
As the base material for the release sheet, a resin film is preferable. Examples of the resin constituting the resin film as the base material for the release sheet include polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and polyethylene naphthalate resin, and polyolefin resins such as polypropylene resin and polyethylene resin. It will be done.
Examples of the release agent include rubber elastomers such as silicone resins, olefin resins, isoprene resins, and butadiene resins, long chain alkyl resins, alkyd resins, and fluororesins.
剥離シートの厚さは、特に制限はないが、１０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、１５０μｍ以下であることがより好ましい。 The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 200 μm or less, more preferably 20 μm or more and 150 μm or less.
第１粘着シートは、図１Ａに示すシート構成に限定されないが、第１粘着剤層の種類によって、第１基材と第１粘着剤層との好ましい組合せがある。
例えば、第１粘着剤層が非硬化性の粘着剤層である場合、第１基材は、樹脂フィルム単体であるか、前述の剥離シートであることが好ましい。第１基材として前述の剥離シートを用いる場合、第１粘着剤層は、剥離剤層の上に積層されていることが好ましい。
Although the first adhesive sheet is not limited to the sheet configuration shown in FIG. 1A, there are preferable combinations of the first base material and the first adhesive layer depending on the type of the first adhesive layer.
For example, when the first adhesive layer is a non-curing adhesive layer, the first base material is preferably a resin film alone or the above-mentioned release sheet. When using the above-mentioned release sheet as the first base material, the first adhesive layer is preferably laminated on the release agent layer.
例えば、第１粘着剤層が硬化性の粘着剤層である場合、第１基材は、樹脂フィルム単体であるか、前述の剥離シートであることが好ましい。第１基材として前述の剥離シートを用いる場合、第１粘着剤層は、剥離剤層の上に積層されていることが好ましい。
また、第１粘着剤層が硬化性の粘着剤層である場合、第１粘着シートは、第１基材と、硬化性の第１粘着剤層との間に、さらに、硬化性の別の粘着剤層（第４粘着剤層と称する場合がある。）を有することが好ましい。硬化性の第４粘着剤層は、従来公知の硬化性の粘着剤、又は本明細書に記載の硬化性の粘着剤を含有することが好ましい。第１粘着剤層と、第４粘着剤層とは、異なる組成であることが好ましい。第１粘着剤層の硬化膜を半導体チップの裏面を保護するための保護膜として用いる場合は、第１粘着剤層及び第４粘着剤層を硬化させて、第１粘着剤層の硬化膜と第４粘着剤層の硬化膜との界面で容易に剥離できる。
For example, when the first adhesive layer is a curable adhesive layer, the first base material is preferably a resin film alone or the above-mentioned release sheet. When using the above-mentioned release sheet as the first base material, the first adhesive layer is preferably laminated on the release agent layer.
Further, when the first adhesive layer is a curable adhesive layer, the first adhesive sheet further includes another curable adhesive layer between the first base material and the curable first adhesive layer. It is preferable to have an adhesive layer (sometimes referred to as a fourth adhesive layer). The fourth curable adhesive layer preferably contains a conventionally known curable adhesive or a curable adhesive described herein. It is preferable that the first adhesive layer and the fourth adhesive layer have different compositions. When the cured film of the first adhesive layer is used as a protective film for protecting the back side of a semiconductor chip, the first adhesive layer and the fourth adhesive layer are cured, and the cured film of the first adhesive layer is combined with the cured film of the first adhesive layer. The fourth adhesive layer can be easily peeled off at the interface with the cured film.
・粘着シートの製造方法
第１粘着シート１０及びその他の本明細書に記載の粘着シートの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造できる。
-Method for manufacturing adhesive sheets There is no particular restriction on the method for manufacturing the
例えば、剥離シート上に設けた粘着剤層を、基材の片面に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着シートを製造できる。また、剥離シート上に設けた緩衝層と、基材とを貼り合わせ、剥離シートを除去することで、緩衝層と基材との積層体が得られる。そして、剥離シート上に設けた粘着剤層を、積層体の基材側に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着シートを製造できる。なお、緩衝層を基材の両面に設けた場合には、粘着剤層は緩衝層の上に形成される。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着シートの使用前に適宜剥離して除去すればよい。 For example, a pressure-sensitive adhesive layer provided on a release sheet can be bonded to one side of a base material to produce a pressure-sensitive adhesive sheet with the release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. Further, a laminate of the buffer layer and the base material can be obtained by bonding the buffer layer provided on the release sheet and the base material and removing the release sheet. Then, the adhesive layer provided on the release sheet is bonded to the base material side of the laminate to produce a pressure-sensitive adhesive sheet in which the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer. Note that when the buffer layer is provided on both sides of the base material, the adhesive layer is formed on the buffer layer. The release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer may be peeled off and removed as appropriate before use of the pressure-sensitive adhesive sheet.
粘着シートの製造方法のより具体的な一例としては、次のような方法が挙げられる。まず、粘着剤層を構成する粘着性組成物、及び所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製する。次に、塗工液を、基材の一の面上に、塗布手段により塗布して塗膜を形成する。塗布手段としては、例えば、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、及びナイフコーター等が挙げられる。次に、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層を形成できる。塗工液は、塗布を行うことが可能であれば、その性状は特に限定されない。塗工液は、粘着剤層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、粘着剤層を形成するための成分を分散質として含有する場合もある。同様に、基材の片面または緩衝層の上に、粘着剤組成物を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。 A more specific example of a method for producing a pressure-sensitive adhesive sheet includes the following method. First, a coating liquid containing the adhesive composition constituting the adhesive layer and optionally a solvent or dispersion medium is prepared. Next, a coating liquid is applied onto one surface of the base material using a coating means to form a coating film. Examples of the coating means include a die coater, curtain coater, spray coater, slit coater, and knife coater. Next, an adhesive layer can be formed by drying the coating film. The properties of the coating liquid are not particularly limited as long as it can be applied. The coating liquid may contain a component for forming an adhesive layer as a solute, or may contain a component for forming an adhesive layer as a dispersoid. Similarly, the adhesive layer may be formed by directly applying the adhesive composition to one side of the base material or onto the buffer layer.
また、粘着シートの製造方法のより具体的な別の一例としては、次のような方法が挙げられる。まず、前述の剥離シートの剥離面上に塗工液を塗布して塗膜を形成する。次に、塗膜を乾燥させて粘着剤層と剥離シートとからなる積層体を形成する。次に、この積層体の粘着剤層における剥離シート側の面と反対側の面に、基材を貼付して、粘着シートと剥離シートとの積層体を得てもよい。この積層体における剥離シートは、工程材料として剥離してもよいし、粘着剤層に被着体（例えば、半導体チップ、及び半導体ウエハ等）が貼付されるまで、粘着剤層を保護していてもよい。 Further, as another more specific example of the method for manufacturing the pressure-sensitive adhesive sheet, the following method may be mentioned. First, a coating liquid is applied onto the release surface of the above-mentioned release sheet to form a coating film. Next, the coating film is dried to form a laminate consisting of an adhesive layer and a release sheet. Next, a base material may be attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of this laminate on the side opposite to the release sheet side, thereby obtaining a laminate of the pressure-sensitive adhesive sheet and the release sheet. The release sheet in this laminate may be peeled off as a process material, or it may protect the adhesive layer until an adherend (for example, a semiconductor chip, a semiconductor wafer, etc.) is attached to the adhesive layer. Good too.
塗工液が架橋剤を含有する場合には、塗膜の乾燥の条件（例えば、温度、及び時間等）を変えることにより、または加熱処理を、別途、行うことにより、例えば、塗膜内の（メタ）アクリル系共重合体と架橋剤との架橋反応を進行させ、粘着剤層内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上述の方法等によって基材に粘着剤層を積層させた後、得られた粘着シートを、例えば、２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。 When the coating solution contains a crosslinking agent, for example, by changing the drying conditions of the coating film (e.g. temperature, time, etc.) or by separately performing a heat treatment, A crosslinking reaction between the (meth)acrylic copolymer and the crosslinking agent may proceed to form a crosslinked structure at a desired density within the adhesive layer. In order to allow this crosslinking reaction to proceed sufficiently, after laminating the adhesive layer on the base material by the method described above, the resulting adhesive sheet is placed in an environment of, for example, 23°C and 50% relative humidity for several days. You may also perform curing such as leaving it for a while.
第１粘着シート１０の厚さは、４０μｍ以上であることが好ましく、６０μｍ以上であることがより好ましい。第１粘着シート１０の厚さは、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましい。
The thickness of the
（第２シート）
第２シート２０は、第２基材２１と、第２粘着剤層２２とを有する。第２粘着剤層２２は、第２基材２１に積層されている。
(2nd sheet)
The
・第２基材
第２基材２１は、エキスパンド工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。
前記第２基材２１は、第一の基材面と、第一の基材面とは反対側の第二の基材面とを有することが好ましい。
第２シート２０において、第一の基材面及び第二の基材面の一方の面に第２粘着剤層２２が設けられていることが好ましく、他方の面には粘着剤層が設けられていないことが好ましい。
-Second base material The constituent material of the
It is preferable that the
In the
第２基材２１の材料は、大きく延伸させ易いという観点から、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料であることが好ましく、熱可塑性エラストマーであることがより好ましい。
The material of the
また、第２基材２１の材料としては、大きく延伸させ易いという観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂を使用することが好ましい。このような樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、９０℃以下であることが好ましく、８０℃以下であることがより好ましく、７０℃以下であることがさらに好ましい。
Further, as the material for the
熱可塑性エラストマーとしては、ウレタン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びアミド系エラストマー等が挙げられる。熱可塑性エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。熱可塑性エラストマーとしては、大きく延伸させ易いという観点から、ウレタン系エラストマーを使用することが好ましい。 Examples of the thermoplastic elastomer include urethane elastomer, olefin elastomer, vinyl chloride elastomer, polyester elastomer, styrene elastomer, acrylic elastomer, and amide elastomer. Thermoplastic elastomers can be used singly or in combination of two or more. As the thermoplastic elastomer, it is preferable to use a urethane-based elastomer because it can be easily stretched to a large extent.
ウレタン系エラストマーは、一般に、長鎖ポリオール、鎖延長剤、及びジイソシアネートを反応させて得られる。ウレタン系エラストマーは、長鎖ポリオールから誘導される構成単位を有するソフトセグメントと、鎖延長剤とジイソシアネートとの反応から得られるポリウレタン構造を有するハードセグメントとからなる。 Urethane elastomers are generally obtained by reacting a long chain polyol, a chain extender, and a diisocyanate. Urethane-based elastomers consist of soft segments having structural units derived from long-chain polyols and hard segments having a polyurethane structure obtained from the reaction of a chain extender and a diisocyanate.
ウレタン系エラストマーを、長鎖ポリオールの種類によって分類すると、ポリエステル系ポリウレタンエラストマー、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマー、及びポリカーボネート系ポリウレタンエラストマー等に分けられる。本実施形態では、ウレタン系エラストマーは、大きく延伸させ易いという観点から、ポリエーテル系ポリウレタンエラストマーであることが好ましい。 When urethane elastomers are classified according to the type of long-chain polyol, they are divided into polyester-based polyurethane elastomers, polyether-based polyurethane elastomers, polycarbonate-based polyurethane elastomers, and the like. In this embodiment, the urethane-based elastomer is preferably a polyether-based polyurethane elastomer because it can be easily stretched to a large extent.
長鎖ポリオールの例としては、ラクトン系ポリエステルポリオール、及びアジペート系ポリエステルポリオール等のポリエステルポリオール；ポリプロピレン（エチレン）ポリオール、及びポリテトラメチレンエーテルグリコール等のポリエーテルポリオール；ポリカーボネートポリオール等が挙げられる。本実施形態では、長鎖ポリオールは、大きく延伸させ易いという観点から、アジペート系ポリエステルポリオールであることが好ましい。 Examples of long-chain polyols include polyester polyols such as lactone-based polyester polyols and adipate-based polyester polyols; polyether polyols such as polypropylene (ethylene) polyols and polytetramethylene ether glycol; polycarbonate polyols, and the like. In this embodiment, the long chain polyol is preferably an adipate polyester polyol from the viewpoint of ease of large stretching.
ジイソシアネートの例としては、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、及びヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。本実施形態では、ジイソシアネートは、大きく延伸させ易いという観点から、ヘキサメチレンジイソシアネートであることが好ましい。 Examples of diisocyanates include 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, and hexamethylene diisocyanate. In this embodiment, the diisocyanate is preferably hexamethylene diisocyanate from the viewpoint of easy stretching.
鎖延長剤としては、低分子多価アルコール（例えば、１，４－ブタンジオール、及び１，６－ヘキサンジオール等）、及び芳香族ジアミン等が挙げられる。これらのうち、大きく延伸させ易いという観点から、１，６－ヘキサンジオールを使用することが好ましい。 Examples of chain extenders include low-molecular polyhydric alcohols (eg, 1,4-butanediol and 1,6-hexanediol), aromatic diamines, and the like. Among these, it is preferable to use 1,6-hexanediol from the viewpoint that it can be easily stretched to a large extent.
オレフィン系エラストマーとしては、エチレン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・α－オレフィン共重合体、ブテン・α－オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α－オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン－αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン－α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体、及びスチレン・エチレン・ブチレン共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むエラストマーが挙げられる。オレフィン系エラストマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。 Examples of olefin elastomers include ethylene/α-olefin copolymer, propylene/α-olefin copolymer, butene/α-olefin copolymer, ethylene/propylene/α-olefin copolymer, ethylene/butene/α- selected from the group consisting of olefin copolymer, propylene/butene-α-olefin copolymer, ethylene/propylene/butene-α/olefin copolymer, styrene/isoprene copolymer, and styrene/ethylene/butylene copolymer Mention may be made of elastomers containing at least one resin. The olefin elastomers can be used singly or in combination of two or more.
オレフィン系エラストマーの密度は、特に限定されない。例えば、オレフィン系エラストマーの密度は、０．８６０ｇ／ｃｍ３以上、０．９０５ｇ／ｃｍ３未満であることが好ましく、０．８６２ｇ／ｃｍ３以上、０．９００ｇ／ｃｍ３未満であることがより好ましく、０．８６４ｇ／ｃｍ３以上、０．８９５ｇ／ｃｍ３未満であることが特に好ましい。オレフィン系エラストマーの密度が上記範囲を満たすことで、基材は、被着体としての半導体ウエハ等の半導体装置を粘着シートに貼付する時の凹凸追従性等に優れる。 The density of the olefin elastomer is not particularly limited. For example, the density of the olefin elastomer is preferably 0.860 g/cm 3 or more and less than 0.905 g/cm 3 , more preferably 0.862 g/cm 3 or more and less than 0.900 g/cm 3 . It is preferably 0.864 g/cm 3 or more and particularly preferably less than 0.895 g/cm 3 . When the density of the olefin elastomer satisfies the above range, the base material has excellent ability to follow irregularities when attaching a semiconductor device such as a semiconductor wafer as an adherend to an adhesive sheet.
オレフィン系エラストマーは、このエラストマーを形成するために用いた全単量体のうち、オレフィン系化合物からなる単量体の質量比率（本明細書において「オレフィン含有率」ともいう。）が５０質量％以上、１００質量％以下であることが好ましい。
オレフィン含有率が過度に低い場合には、オレフィンに由来する構造単位を含むエラストマーとしての性質が現れにくくなり、基材は、柔軟性及びゴム弾性を示し難くなる。
柔軟性及びゴム弾性を安定的に得る観点から、オレフィン含有率は５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましい。
The olefin elastomer has a mass ratio of monomers consisting of olefin compounds (herein also referred to as "olefin content") of 50% by mass among all the monomers used to form the elastomer. The above content is preferably 100% by mass or less.
If the olefin content is too low, the properties of an elastomer containing structural units derived from olefins will be difficult to exhibit, and the base material will be difficult to exhibit flexibility and rubber elasticity.
From the viewpoint of stably obtaining flexibility and rubber elasticity, the olefin content is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more.
スチレン系エラストマーとしては、スチレン－共役ジエン共重合体、及びスチレン－オレフィン共重合体等が挙げられる。スチレン－共役ジエン共重合体の具体例としては、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレン共重合体、スチレン－イソプレン共重合体、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体（ＳＩＳ）、スチレン－エチレン－イソプレン－スチレン共重合体等の未水添スチレン－共役ジエン共重合体、スチレン－エチレン／プロピレン－スチレン共重合体（ＳＥＰＳ、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体の水添加物）、及びスチレン－エチレン－ブチレン－スチレン共重合体（ＳＥＢＳ、スチレン－ブタジエン共重合体の水素添加物）等の水添スチレン－共役ジエン共重合体等を挙げることができる。また、工業的には、スチレン系エラストマーとしては、タフプレン（旭化成株式会社製）、クレイトン（クレイトンポリマージャパン株式会社製）、住友ＴＰＥ－ＳＢ（住友化学株式会社製）、エポフレンド（株式会社ダイセル製）、ラバロン（三菱ケミカル株式会社製）、セプトン（株式会社クラレ製）、及びタフテック（旭化成株式会社製）等の商品名が挙げられる。スチレン系エラストマーは、水素添加物でも未水添物であってもよい。 Examples of the styrene elastomer include styrene-conjugated diene copolymers, styrene-olefin copolymers, and the like. Specific examples of the styrene-conjugated diene copolymer include styrene-butadiene copolymer, styrene-butadiene-styrene copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene copolymer, styrene-isoprene copolymer, Unhydrogenated styrene-conjugated diene copolymers such as styrene-isoprene-styrene copolymer (SIS), styrene-ethylene-isoprene-styrene copolymer, styrene-ethylene/propylene-styrene copolymer (SEPS, styrene- Hydrogenated styrene-conjugated diene copolymers such as styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer (SEBS, hydrogenated styrene-butadiene copolymer), etc. can be mentioned. In addition, industrially, styrenic elastomers include Tuffprene (manufactured by Asahi Kasei Corporation), Kraton (manufactured by Kraton Polymer Japan Ltd.), Sumitomo TPE-SB (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), and Epofriend (manufactured by Daicel Corporation). ), Lavalon (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), Septon (manufactured by Kuraray Corporation), and Tuftec (manufactured by Asahi Kasei Corporation). The styrenic elastomer may be hydrogenated or unhydrogenated.
ゴム系材料としては、例えば、天然ゴム、合成イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレン－ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリル－ブタジエン共重合ゴム（ＮＢＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、及び多硫化ゴム等が挙げられる。ゴム系材料は、これらの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。 Examples of rubber-based materials include natural rubber, synthetic isoprene rubber (IR), butadiene rubber (BR), styrene-butadiene rubber (SBR), chloroprene rubber (CR), acrylonitrile-butadiene copolymer rubber (NBR), butyl rubber ( IIR), halogenated butyl rubber, acrylic rubber, urethane rubber, and polysulfide rubber. These rubber materials can be used alone or in combination of two or more.
第２基材２１は、上記のような材料（例えば、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料）からなるフィルムが、複数、積層された積層フィルムではなく、単層フィルムであることが好ましい。また、第２基材２１は、上記のような材料（例えば、熱可塑性エラストマー、またはゴム系材料）からなるフィルムと、その他のフィルムとが積層された積層フィルムではなく、単層フィルムであることが好ましい。
The
第２基材２１は、上記の樹脂系材料を主材料とするフィルム内に、添加剤を含んでいてもよい。添加剤の具体例としては、第１基材１１の説明で挙げた添加剤と同様である。添加剤としては、例えば、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、及びフィラー等が挙げられる。顔料としては、例えば、二酸化チタン、及びカーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとしては、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料、及びニッケル粒子のような金属系材料が例示される。フィルム内に含有させてもよい添加剤の含有量は、特に限定されないが、第２基材２１が所望の機能を発揮し得る範囲に留めることが好ましい。
The
第２基材２１は、第１基材１１と同様、第２基材２１の片面または両面に、第２基材２１の表面に積層される第２粘着剤層２２との密着性を向上させるための処理が施されていてもよい。
Like the
第２粘着剤層２２がエネルギー線硬化性粘着剤を含有する場合、第２基材２１は、エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。エネルギー線として紫外線を用いる場合には、第２基材２１は、紫外線に対して透過性を有することが好ましい。エネルギー線として電子線を用いる場合には、第２基材２１は、電子線の透過性を有することが好ましい。
When the second
第２基材２１の厚さは、第２シート２０が所望の工程において適切に機能できる限り、限定されない。第２基材２１の厚さは、２０μｍ以上であることが好ましく、４０μｍ以上であることがより好ましい。また、第２基材２１の厚さは、２５０μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以下であることがより好ましい。
The thickness of the
また、第２基材２１の第一の基材面または第二の基材面の面内方向において２ｃｍ間隔で複数箇所の厚さを測定した際の、第２基材２１の厚さの標準偏差は、２μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下であることがさらに好ましい。当該標準偏差が２μｍ以下であることで、第２シート２０は、精度の高い厚さを有しており、第２シート２０を均一に延伸することが可能となる。
Also, the standard thickness of the
２３℃において第２基材２１のＭＤ方向及びＣＤ方向の引張弾性率が、それぞれ１０ＭＰａ以上、３５０ＭＰａ以下であり、２３℃において第２基材２１のＭＤ方向及びＣＤ方向の１００％応力が、それぞれ３ＭＰa以上、２０ＭＰa以下であることが好ましい。
引張弾性率及び１００％応力が上記範囲であることで、第２シート２０を大きく延伸することが可能となる。
第２基材２１の１００％応力は、次のようにして得られる値である。１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）の大きさの試験片を第２基材２１から切り出す。切り出した試験片の長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかむ。つかみ具で試験片をつかんだ後、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの引張力の測定値を読み取る。第２基材２１の１００％応力は、読み取った引張力の測定値を、基材の断面積で除算することで得られる値である。第２基材２１の断面積は、幅方向長さ１５ｍｍ×第２基材２１（試験片）の厚みで算出される。当該切り出しは、基材の製造時における流れ方向（ＭＤ方向）またはＭＤ方向に直交する方向（ＣＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする基材の厚さと同じであってよい。
The tensile modulus of the
When the tensile modulus and 100% stress are within the above ranges, the
The 100% stress of the
２３℃において第２基材２１のＭＤ方向及びＣＤ方向の破断伸度が、それぞれ１００％以上であることが好ましい。
第２基材２１のＭＤ方向及びＣＤ方向の破断伸度が、それぞれ１００％以上であることで、破断が生じることなく、第２シート２０を大きく延伸することが可能となる。
It is preferable that the elongation at break in the MD direction and the CD direction of the
When the elongation at break in the MD direction and the CD direction of the
基材の引張弾性率（ＭＰａ）及び基材の破断伸度（％）は、次のようにして測定できる。基材を１５ｍｍ×１４０ｍｍに裁断して試験片を得る。当該試験片について、ＪＩＳ Ｋ７１６１：２０１４およびＪＩＳ Ｋ７１２７：１９９９に準拠して、２３℃における破断伸度および引張弾性率を測定する。具体的には、上記試験片を、引張試験機（株式会社島津製作所製，製品名「オートグラフＡＧ－ＩＳ ５００Ｎ」）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行い、破断伸度（％）および引張弾性率（ＭＰａ）を測定する。なお、測定は、基材の製造時の流れ方向（ＭＤ）およびこれに直角の方向（ＣＤ）の双方で行う。 The tensile modulus (MPa) of the base material and the elongation at break (%) of the base material can be measured as follows. A test piece is obtained by cutting the base material into a size of 15 mm x 140 mm. The elongation at break and tensile modulus of the test piece at 23° C. are measured in accordance with JIS K7161:2014 and JIS K7127:1999. Specifically, the above test piece was tensile tested at a speed of 200 mm/min after setting the distance between the chucks to 100 mm using a tensile testing machine (manufactured by Shimadzu Corporation, product name "Autograph AG-IS 500N"). A test is conducted to measure the elongation at break (%) and tensile modulus (MPa). Note that the measurements are performed both in the machine direction (MD) during manufacturing of the base material and in the direction perpendicular thereto (CD).
・第２粘着剤層
第２粘着剤層２２は、エキスパンド工程等の所望の工程において適切に機能できる限り、その構成材料は特に限定されない。第２粘着剤層２２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤及びウレタン系粘着剤が挙げられる。
-Second Adhesive Layer The constituent material of the second
・エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）
第２粘着剤層２２は、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を含有することが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、分子内に、エネルギー線硬化性の二重結合を有する。
エネルギー線硬化性樹脂を含有する粘着剤層は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下する。被着体と粘着シートとを分離したい場合、エネルギー線を粘着剤層に照射することにより、容易に分離できる。
・Energy ray curable resin (ax1)
It is preferable that the second
The adhesive layer containing the energy ray curable resin is cured by energy ray irradiation and its adhesive strength decreases. When it is desired to separate the adherend from the adhesive sheet, the adhesive layer can be easily separated by irradiating the adhesive layer with energy rays.
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、（メタ）アクリル系樹脂であることが好ましい。 It is preferable that the energy ray curable resin (ax1) is a (meth)acrylic resin.
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、紫外線硬化性樹脂であることが好ましく、紫外線硬化性の（メタ）アクリル系樹脂であることがより好ましい。 The energy ray curable resin (ax1) is preferably an ultraviolet curable resin, more preferably an ultraviolet curable (meth)acrylic resin.
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、エネルギー線の照射を受けると重合硬化する樹脂である。エネルギー線としては、例えば、紫外線、及び電子線等が挙げられる。
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物（単官能のモノマー、多官能のモノマー、単官能のオリゴマー、及び多官能のオリゴマー）が挙げられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）は、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、及び１，６－ヘキサンジオールジアクリレート等のアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、及びイソボルニルアクリレート等の環状脂肪族骨格含有アクリレート、並びにポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、及びイタコン酸オリゴマー等のアクリレート系化合物が用いられる。エネルギー線硬化性樹脂（ａ１）は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
The energy ray curable resin (ax1) is a resin that polymerizes and hardens when irradiated with energy rays. Examples of energy rays include ultraviolet rays and electron beams.
Examples of the energy ray curable resin (ax1) include low molecular weight compounds (monofunctional monomers, polyfunctional monomers, monofunctional oligomers, and polyfunctional oligomers) having energy ray polymerizable groups. Specifically, the energy ray curable resin (ax1) includes trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4- Acrylates such as butylene glycol diacrylate and 1,6-hexanediol diacrylate, cycloaliphatic skeleton-containing acrylates such as dicyclopentadiene dimethoxy diacrylate and isobornyl acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and urethane Acrylate compounds such as acrylate oligomers, epoxy-modified acrylates, polyether acrylates, and itaconic acid oligomers are used. The energy ray curable resin (a1) may be used alone or in combination of two or more.
エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）の分子量は、通常、１００以上、３００００以下であり、３００以上、１００００以下程度であることが好ましい。 The molecular weight of the energy ray curable resin (ax1) is usually 100 or more and 30,000 or less, preferably about 300 or more and 10,000 or less.
・（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）
第２粘着剤層２２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）をさらに含んでいることが好ましい。（メタ）アクリル系共重合体は、前述したエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）とは異なる。
・(Meth)acrylic copolymer (b1)
It is preferable that the second
（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）は、エネルギー線硬化性の炭素－炭素二重結合を有することが好ましい。すなわち、本実施形態において、第２粘着剤層２２は、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）と、エネルギー線硬化性の（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）とを含有することが好ましい。
The (meth)acrylic copolymer (b1) preferably has an energy ray-curable carbon-carbon double bond. That is, in the present embodiment, the second
第２粘着剤層２２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を１０質量部以上の割合で含有することが好ましく、２０質量部以上の割合で含有することがより好ましく、２５質量部以上の割合で含有することがさらに好ましい。
第２粘着剤層２２は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対し、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）を８０質量部以下の割合で含有することが好ましく、７０質量部以下の割合で含有することがより好ましく、６０質量部以下の割合で含有することがさらに好ましい。
The second
The second
（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であることが好ましく、１５万以上であることがより好ましく、２０万以上であることがさらに好ましい。
また、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。
なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
The weight average molecular weight (Mw) of the (meth)acrylic copolymer (b1) is preferably 10,000 or more, more preferably 150,000 or more, and even more preferably 200,000 or more.
Further, the weight average molecular weight (Mw) of the (meth)acrylic copolymer (b1) is preferably 1.5 million or less, more preferably 1 million or less.
Note that the weight average molecular weight (Mw) in this specification is a value measured by gel permeation chromatography (GPC method) in terms of standard polystyrene.
（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）は、側鎖にエネルギー線硬化性を有する官能基（エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル重合体（ｂ２）（以下「エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）」という場合がある。）であることが好ましい。 The (meth)acrylic copolymer (b1) is a (meth)acrylic acid ester polymer (b2) (hereinafter referred to as “energy It is preferably a linearly curable polymer (b2).
・エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）
エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ｂ２１）と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ｂ２２）とを反応させて得られる共重合体であることが好ましい。
・Energy ray curable polymer (b2)
The energy ray-curable polymer (b2) is produced by reacting an acrylic copolymer (b21) having a functional group-containing monomer unit with an unsaturated group-containing compound (b22) having a functional group that binds to the functional group. Preferably, it is a copolymer obtained by
本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの両方を意味する。他の類似用語も同様である。 In this specification, (meth)acrylic ester means both acrylic ester and methacrylic ester. The same applies to other similar terms.
アクリル系共重合体（ｂ２１）は、官能基含有モノマーから導かれる構成単位と、（メタ）アクリル酸エステルモノマー、または（メタ）アクリル酸エステルモノマーの誘導体から導かれる構成単位とを含むことが好ましい。 The acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from a functional group-containing monomer and a structural unit derived from a (meth)acrylic ester monomer or a derivative of a (meth)acrylic ester monomer. .
アクリル系共重合体（ｂ２１）の構成単位としての官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、官能基と、を分子内に有するモノマーであることが好ましい。官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基等からなる群から選択される少なくともいずれかの官能基であることが好ましい。 The functional group-containing monomer as a structural unit of the acrylic copolymer (b21) is preferably a monomer having a polymerizable double bond and a functional group in the molecule. The functional group is preferably at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, an amino group, a substituted amino group, an epoxy group, and the like.
ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、及び４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 Examples of hydroxy group-containing monomers include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 3-hydroxybutyl (meth)acrylate. Examples include meth)acrylate and 4-hydroxybutyl(meth)acrylate. The hydroxy group-containing monomers may be used alone or in combination of two or more.
カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、及びシトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。カルボキシ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 Examples of the carboxy group-containing monomer include ethylenically unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, and citraconic acid. Carboxy group-containing monomers may be used alone or in combination of two or more.
アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーとしては、例えば、アミノエチル（メタ）アクリレート、及びｎ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 Examples of the amino group-containing monomer or substituted amino group-containing monomer include aminoethyl (meth)acrylate and n-butylaminoethyl (meth)acrylate. The amino group-containing monomer or the substituted amino group-containing monomer may be used alone or in combination of two or more.
アクリル系共重合体（ｂ２１）を構成する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１以上２０以下であるアルキル（メタ）アクリレートの他、例えば、分子内に脂環式構造を有するモノマー（脂環式構造含有モノマー）が好ましく用いられる。 As the (meth)acrylic acid ester monomer constituting the acrylic copolymer (b21), in addition to alkyl (meth)acrylates in which the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 or more and 20 or less, for example, an alicyclic structure in the molecule is used. A monomer having the following (alicyclic structure-containing monomer) is preferably used.
アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１以上１８以下であるアルキル（メタ）アクリレートが好ましい。アルキル（メタ）アクリレートは、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、及び２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート等がより好ましい。アルキル（メタ）アクリレートは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 As the alkyl (meth)acrylate, an alkyl (meth)acrylate in which the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 or more and 18 or less is preferable. More preferable examples of the alkyl (meth)acrylate include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, and 2-ethylhexyl (meth)acrylate. Alkyl (meth)acrylates may be used alone or in combination of two or more.
脂環式構造含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、及び（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチル等が好ましく用いられる。脂環式構造含有モノマーは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。 Examples of alicyclic structure-containing monomers include cyclohexyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, adamantyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, and dicyclopentenyl (meth)acrylate. , dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate, and the like are preferably used. The alicyclic structure-containing monomers may be used alone or in combination of two or more.
アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、１質量％以上の割合で含有することが好ましく、５質量％以上の割合で含有することがより好ましく、１０質量％以上の割合で含有することがさらに好ましい。
また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、３５質量％以下の割合で含有することが好ましく、３０質量％以下の割合で含有することがより好ましく、２５質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。
The acrylic copolymer (b21) preferably contains the structural unit derived from the functional group-containing monomer in a proportion of 1% by mass or more, more preferably in a proportion of 5% by mass or more, and 10% by mass or more. It is further preferable that the content is at least % by mass.
Further, the acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from the functional group-containing monomer in a proportion of 35% by mass or less, more preferably 30% by mass or less. It is more preferable that the content be 25% by mass or less.
さらに、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、５０質量％以上の割合で含有することが好ましく、６０質量％以上の割合で含有することがより好ましく、７０質量％以上の割合で含有することがさらに好ましい。
また、アクリル系共重合体（ｂ２１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、９９質量％以下の割合で含有することが好ましく、９５質量％以下の割合で含有することがより好ましく、９０質量％以下の割合で含有することがさらに好ましい。
Furthermore, the acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative thereof in a proportion of 50% by mass or more, and preferably in a proportion of 60% by mass or more. It is more preferable that the content is 70% by mass or more.
Further, the acrylic copolymer (b21) preferably contains a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester monomer or its derivative in a proportion of 99% by mass or less, and preferably contains a constituent unit derived from a (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative thereof in a proportion of 95% by mass or less. It is more preferable that the content be 90% by mass or less.
アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上記のような官能基含有モノマーと、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とを常法で共重合することにより得られる。
アクリル系共重合体（ｂ２１）は、上述のモノマーの他にも、ジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、及びスチレン等からなる群から選択される少なくともいずれかの構成単位を含有していてもよい。
The acrylic copolymer (b21) can be obtained by copolymerizing a functional group-containing monomer as described above and a (meth)acrylic acid ester monomer or a derivative thereof in a conventional manner.
In addition to the above-mentioned monomers, the acrylic copolymer (b21) may contain at least one structural unit selected from the group consisting of dimethylacrylamide, vinyl formate, vinyl acetate, styrene, etc. .
上記官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ｂ２１）を、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ｂ２２）と反応させることにより、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）が得られる。 By reacting the acrylic copolymer (b21) having the functional group-containing monomer unit with the unsaturated group-containing compound (b22) having a functional group bonded to the functional group, an energy ray-curable polymer (b2 ) is obtained.
不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基は、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基含有モノマー単位の官能基の種類に応じて、適宜選択することができる。例えば、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基がヒドロキシ基、アミノ基又は置換アミノ基の場合、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基としてはイソシアネート基又はエポキシ基が好ましく、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基がエポキシ基の場合、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基としてはアミノ基、カルボキシ基またはアジリジニル基が好ましい。 The functional group that the unsaturated group-containing compound (b22) has can be appropriately selected depending on the type of functional group of the functional group-containing monomer unit that the acrylic copolymer (b21) has. For example, when the functional group possessed by the acrylic copolymer (b21) is a hydroxy group, an amino group, or a substituted amino group, the functional group possessed by the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably an isocyanate group or an epoxy group; When the functional group contained in the copolymer (b21) is an epoxy group, the functional group contained in the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably an amino group, a carboxy group, or an aziridinyl group.
不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合を、１分子中に少なくとも１個含み、１個以上、６個以下含むことが好ましく、１個以上、４個以下含むことがより好ましい。 The unsaturated group-containing compound (b22) contains at least one energy beam polymerizable carbon-carbon double bond in one molecule, preferably one or more and six or less, and one or more and four. It is more preferable to include the following.
不飽和基含有化合物（ｂ２２）としては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（２－イソシアナトエチルメタクリレート）、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸、２－（１－アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート、２－ビニル－２－オキサゾリン、２－イソプロペニル－２－オキサゾリン等が挙げられる。 Examples of the unsaturated group-containing compound (b22) include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (2-isocyanatoethyl methacrylate), meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1 - (bisacryloyloxymethyl)ethyl isocyanate; an acryloyl monoisocyanate compound obtained by the reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound and hydroxyethyl (meth)acrylate; a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound, a polyol compound, and a hydroxyethyl ( Acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction with meth)acrylate; glycidyl (meth)acrylate; (meth)acrylic acid, 2-(1-aziridinyl)ethyl (meth)acrylate, 2-vinyl-2-oxazoline, 2-iso Examples include propenyl-2-oxazoline.
不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、アクリル系共重合体（ｂ２１）の官能基含有モノマーのモル数に対して、５０モル％以上の割合（付加率）で用いられることが好ましく、６０モル％以上の割合で用いられることがより好ましく、７０モル％以上の割合で用いられることが更に好ましい。
また、不飽和基含有化合物（ｂ２２）は、アクリル系共重合体（ｂ２１）の官能基含有モノマーモル数に対して、９５モル％以下の割合で用いられることが好ましく、９３モル％以下の割合で用いられることがより好ましく、９０モル％以下の割合で用いられることがさらに好ましい。
The unsaturated group-containing compound (b22) is preferably used in a proportion (addition rate) of 50 mol% or more, and 60 mol% based on the number of moles of the functional group-containing monomer of the acrylic copolymer (b21). It is more preferable to use the above proportion, and even more preferably to use it in a proportion of 70 mol% or more.
Further, the unsaturated group-containing compound (b22) is preferably used in a proportion of 95 mol% or less, and preferably 93 mol% or less, based on the number of moles of the functional group-containing monomer in the acrylic copolymer (b21). It is more preferable to use it, and it is even more preferable to use it in a proportion of 90 mol% or less.
アクリル系共重合体（ｂ２１）と不飽和基含有化合物（ｂ２２）との反応においては、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基と不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基との組合せに応じて、反応の温度、圧力、溶媒、時間、触媒の有無、及び触媒の種類を適宜選択することができる。これにより、アクリル系共重合体（ｂ２１）が有する官能基と、不飽和基含有化合物（ｂ２２）が有する官能基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重合体（ｂ２１）の側鎖に導入され、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）が得られる。 In the reaction between the acrylic copolymer (b21) and the unsaturated group-containing compound (b22), the reaction between the functional group of the acrylic copolymer (b21) and the functional group of the unsaturated group-containing compound (b22) is performed. Depending on the combination, reaction temperature, pressure, solvent, time, presence or absence of a catalyst, and type of catalyst can be appropriately selected. As a result, the functional group possessed by the acrylic copolymer (b21) and the functional group possessed by the unsaturated group-containing compound (b22) react, and the unsaturated group becomes the side chain of the acrylic copolymer (b21). The energy ray curable polymer (b2) is obtained.
エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であることが好ましく、１５万以上であることがより好ましく、２０万以上であることがさらに好ましい。
また、エネルギー線硬化性重合体（ｂ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であることが好ましく、１００万以下であることがより好ましい。
The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray curable polymer (b2) is preferably 10,000 or more, more preferably 150,000 or more, and even more preferably 200,000 or more.
Further, the weight average molecular weight (Mw) of the energy ray curable polymer (b2) is preferably 1,500,000 or less, more preferably 1,000,000 or less.
・光重合開始剤（ＣＸ）
第２粘着剤層２２が紫外線硬化性の化合物（例えば、紫外線硬化性樹脂）を含有する場合、第２粘着剤層２２は、光重合開始剤（ＣＸ）を含有することが好ましい。
第２粘着剤層２２が光重合開始剤（ＣＸ）を含有することにより、重合硬化時間及び光線照射量を少なくすることができる。
・Photopolymerization initiator (CX)
When the second
By containing the photopolymerization initiator (CX) in the second
光重合開始剤（ＣＸ）の具体例は、第１粘着シート１０の説明における光重合開始剤（Ｇ）の具体例と同様である。第２シート２０においても、光重合開始剤（ＣＸ）を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
The specific example of the photopolymerization initiator (CX) is the same as the specific example of the photopolymerization initiator (G) in the description of the first pressure-
光重合開始剤（ＣＸ）は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の合計量１００質量部に対して０．１質量部以上の量で用いられることが好ましく、０．５質量部以上の量で用いられることがより好ましい。
また、光重合開始剤（ＣＸ）は、粘着剤層にエネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）を配合する場合には、エネルギー線硬化性樹脂（ａｘ１）、及び（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）の合計量１００質量部に対して１０質量部以下の量で用いられることが好ましく、６質量部以下の量で用いられることがより好ましい。
When the energy ray curable resin (ax1) and the (meth)acrylic copolymer (b1) are blended into the adhesive layer, the photopolymerization initiator (CX) is the energy ray curable resin (ax1), It is preferably used in an amount of 0.1 part by mass or more, more preferably 0.5 part by mass or more, based on 100 parts by mass of the total amount of (meth)acrylic copolymer (b1). preferable.
In addition, when the energy ray curable resin (ax1) and the (meth)acrylic copolymer (b1) are blended into the adhesive layer, the photopolymerization initiator (CX) is used as the energy ray curable resin (ax1). ), and the (meth)acrylic copolymer (b1) in an amount of preferably 10 parts by mass or less, and more preferably 6 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the total amount.
第２粘着剤層２２は、上記成分以外にも、適宜他の成分を配合してもよい。他の成分としては、例えば、架橋剤（ＥＸ）等が挙げられる。
In addition to the above-mentioned components, the second
・架橋剤（ＥＸ）
架橋剤（ＥＸ）としては、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。第２シート２０における多官能性化合物の例としては、イソシアナート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩及び反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。
・Crosslinking agent (EX)
As the crosslinking agent (EX), a polyfunctional compound that is reactive with the functional groups of the (meth)acrylic copolymer (b1) and the like can be used. Examples of the polyfunctional compound in the
架橋剤（ＥＸ）の配合量は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対して、０．０１質量部以上であることが好ましく、０．０３質量部以上であることがより好ましく、０．０４質量部以上であることがさらに好ましい。
また、架橋剤（Ｅ）の配合量は、（メタ）アクリル系共重合体（ｂ１）１００質量部に対して、８質量部以下であることが好ましく、５質量部以下であることがより好ましく、３．５質量部以下であることがさらに好ましい。
The blending amount of the crosslinking agent (EX) is preferably 0.01 parts by mass or more, and preferably 0.03 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1). More preferably, the amount is 0.04 parts by mass or more.
Further, the amount of the crosslinking agent (E) is preferably 8 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the (meth)acrylic copolymer (b1). , more preferably 3.5 parts by mass or less.
第２粘着剤層２２の厚さは、特に限定されない。第２粘着剤層２２の厚さは、例えば、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。また、第２粘着剤層２２の厚さは、１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましい。
The thickness of the second
第２シート２０の復元率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。第２シート２０の復元率は、１００％以下であることが好ましい。復元率が上記範囲であることで、粘着シートを大きく延伸することができる。
復元率は、粘着シートを１５０ｍｍ（長さ方向）×１５ｍｍ（幅方向）に切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張力の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを示した時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、下記数式（数２）で算出される。
復元率（％）＝｛１－（Ｌ２÷Ｌ１）｝×１００ ・・・ （数２）
The recovery rate of the
The recovery rate was determined by using a test piece cut out from the adhesive sheet to 150 mm (lengthwise) x 15mm (widthwise), gripping both lengthwise ends with grips so that the length between the grips was 100mm. Then, pull at a speed of 200 mm/min until the length between the grips becomes 200 mm, hold for 1 minute with the length between the grips expanded to 200 mm, and then increase the length between the grips to 100 mm. Return the grip lengthwise at a speed of 200mm/min until Measure the length between the grips when the measured value of shows 0.1N/15mm, and take the length obtained by subtracting the initial length between the grips, 100 mm, from this length as L2 (mm), and When L1 (mm) is the length obtained by subtracting 100 mm of the initial length between the grips from the length of 200 mm between the grips in the expanded state, it is calculated using the following formula (Equation 2).
Restoration rate (%) = {1-(L2÷L1)}×100... (Math. 2)
復元率が上記範囲である場合、粘着シートは大きく延伸された後においても復元し易いことを意味する。一般に、降伏点を有するシートを降伏点以上に延伸すると、シートは塑性変形を起こし、塑性変形を起こした部分、即ち極端に延伸された部分が偏在した状態となる。そのような状態のシートをさらに延伸すると、上記の極端に延伸された部分から破断が生じたり、破断が生じなくても、エキスパンドが不均一になる。また、ひずみをｘ軸、伸びをｙ軸にそれぞれプロットした応力－ひずみ線図において、傾きｄｘ／ｄｙが、正の値から０または負の値に変化する応力値をとらず、明確な降伏点を示さないシートであっても、引張量が大きくなるにつれてシートは塑性変形を起こし、同様に破断が生じたり、エキスパンドが不均一になる。一方、塑性変形ではなく弾性変形が生じる場合には、応力を取り除くことでシートが元の形状に復元し易い。そこで、十分大きい引張量である１００％伸長後にどの程度復元するかを表す指標である復元率が、上記範囲であることにより、粘着シートを大きく延伸する際に、フィルムの塑性変形が最小限に抑えられ、破断が生じ難く、且つ均一なエキスパンドが可能となる。 When the recovery rate is within the above range, it means that the pressure-sensitive adhesive sheet is easy to recover even after being stretched to a large extent. Generally, when a sheet having a yield point is stretched beyond the yield point, the sheet undergoes plastic deformation, and the plastically deformed portions, that is, the extremely stretched portions become unevenly distributed. If the sheet in such a state is further stretched, breaks may occur at the extremely stretched portions, or even if no breaks occur, the expansion may become non-uniform. In addition, in a stress-strain diagram in which strain is plotted on the x-axis and elongation is plotted on the y-axis, the slope dx/dy does not take a stress value that changes from a positive value to 0 or a negative value, and there is a clear yield point. Even if the sheet does not exhibit this, as the amount of tension increases, the sheet will undergo plastic deformation, causing breakage and non-uniform expansion. On the other hand, when elastic deformation occurs instead of plastic deformation, the sheet easily returns to its original shape by removing the stress. Therefore, by setting the recovery rate, which is an index showing the degree of recovery after 100% elongation, which is a sufficiently large amount of tension, within the above range, plastic deformation of the film can be minimized when the adhesive sheet is stretched to a large extent. This makes it possible to suppress the expansion, make it difficult for breakage to occur, and achieve uniform expansion.
・剥離シート
第２シート２０は、その粘着面を被着体（例えば、半導体チップ等）に貼付するまでの間、粘着面を保護する目的で、粘着面に剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートの構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。剥離シートとしては、第１粘着シート１０に用い得る剥離シートでもよい。
・Release sheet The
第２シート２０の厚さは、３０μｍ以上であることが好ましく、５０μｍ以上であることがより好ましい。第２シート２０の厚さは、４００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましい。
The thickness of the
［本実施形態に係る効果］
本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第２シート２０を伸張させる際に、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３は、第２シート２０の第２粘着剤層２２と接していない。半導体チップＣＰのそれぞれにおいては、裏面Ｗ３と第２粘着剤層２２との間にダイシング工程で個片化された第１粘着シート１０の第１粘着剤層１２が介在しているため、第２シート２０を伸張させても裏面Ｗ３に接している第１粘着剤層１２は、引き延ばされない。その結果、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、糊残りを抑制できる。
また、本実施形態においては、ダイシング工程の際に、半導体ウエハＷをダイシングシートで支持するのではなく、第１粘着シート１０で支持する。そのため、ダイシング後の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を保護するための層（本実施形態では第１粘着剤層１２）を形成するために、ダイシング工程で用いる粘着シートから、別の粘着シートへと貼り変える工程を実施しなくても、第１基材１１と第１粘着剤層１２との間で剥離すれば、裏面Ｗ３を保護するための層を形成できる。
さらに、エキスパンド工程を実施する前に、ダイシング工程を実施した際に用いた粘着シートから、エキスパンド工程用の粘着シートへと貼り替えるため、ダイシング工程においてダイシングブレードがダイシングシートの基材に到達しないように、切込み深さを慎重に制御する必要がない。
したがって、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化し、かつ、糊残りを抑制できる。
さらには、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
[Effects related to this embodiment]
According to the expanding method according to the present embodiment, when the
Further, in this embodiment, during the dicing process, the semiconductor wafer W is supported not by a dicing sheet but by the
Furthermore, before performing the expanding process, the adhesive sheet used in the dicing process is replaced with the adhesive sheet for the expanding process, so that the dicing blade does not reach the base material of the dicing sheet during the dicing process. Therefore, there is no need to carefully control the depth of cut.
Therefore, according to the expanding method according to the present embodiment, the tape structure and process can be simplified compared to the conventional method, and adhesive residue can be suppressed.
Furthermore, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device that includes the expanding method according to this embodiment.
〔第２実施形態〕
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
第１実施形態と第２実施形態とは主に次の点で相違する。第１実施形態においてはエキスパンド工程で用いる第２シート２０が第２基材２１及び第２粘着剤層２２を有する積層構造であるのに対し、第２実施形態においてエキスパンド工程で用いる第２シート２０Ａは、第２基材２１Ａで構成される単層構造である。
以下の説明では、第１実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。
[Second embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
The first embodiment and the second embodiment differ mainly in the following points. In the first embodiment, the
In the following explanation, parts related to differences from the first embodiment will be mainly explained, and overlapping explanations will be omitted or simplified. Components similar to those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.
図５には、第２実施形態における「第２シートの貼着工程」を説明するための図が示されている。
本実施形態では、「第１基材の剥離工程」の後、図５に示されているように、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に貼着されている第１粘着剤層１２に、第２シート２０Ａが貼着される。
本実施形態に係る第２シート２０Ａは、前述のとおり、第２基材２１Ａで構成される単層構造である。第２シート２０Ａは、第２シート２０とは異なり粘着剤層等を有さないが、第１粘着剤層１２が粘着性を有することから、半導体チップＣＰを第１粘着剤層１２を介して第２基材２１Ａの上で支持できる。
第２基材２１Ａの具体例としては、第１実施形態で説明した第２基材２１と同様の基材を用いることができる。
FIG. 5 shows a diagram for explaining the "second sheet pasting process" in the second embodiment.
In the present embodiment, after the "first base material peeling process", as shown in FIG. 20A is pasted.
As described above, the
As a specific example of the
図６には、第２実施形態における「エキスパンド工程」を説明するための図が示されている。
図６に示されているように、第１粘着剤層１２を介して第２シート２０Ａの上で支持されている複数の半導体チップＣＰは、第２シート２０Ａをエキスパンドすることにより、相互の間隔が拡張される。エキスパンドにより、第１粘着剤層１２の厚さ方向において、第１粘着剤層１２の第２基材２１Ａ側が優先的に引っ張られるため、第１粘着剤層１２の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３側が変形し難い。
FIG. 6 shows a diagram for explaining the "expanding step" in the second embodiment.
As shown in FIG. 6, the plurality of semiconductor chips CP supported on the
第２実施形態に係るエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法については、その他の点は、第１実施形態と同様にして実施できる。 The expanding method according to the second embodiment and the method of manufacturing a semiconductor device including the expanding method can be implemented in the same manner as the first embodiment in other respects.
［本実施形態に係る効果］
本実施形態に係るエキスパンド方法によっても、第１実施形態と同様、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化しつつ、かつ、糊残りを抑制できる。さらに、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
[Effects related to this embodiment]
Similarly to the first embodiment, the expanding method according to the present embodiment can simplify the tape structure and process compared to the conventional method, and can also suppress adhesive residue. Furthermore, a method for manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to this embodiment can be provided.
また、本実施形態によれば、エキスパンドシートとして、粘着剤層と基材とが積層された粘着シートではなく、より簡略なシート構成である第２基材２１Ａからなる単層構造の第２シート２０Ａによって、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を拡張できる。
Further, according to the present embodiment, the expandable sheet is not an adhesive sheet in which an adhesive layer and a base material are laminated, but a second sheet with a single layer structure consisting of the
〔第３実施形態〕
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
第１実施形態と第３実施形態とは主に次の点で相違する。第１実施形態においては、第１基材１１及び第１粘着剤層１２を有する第１粘着シート１０に半導体ウエハＷを貼着するのに対し、第３実施形態においては、第１基材１１と第１粘着剤層１２との間に中間粘着剤層１３を含む第１粘着シート１０Ａに半導体ウエハＷを貼着する。
以下の説明では、第１実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。
[Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
The first embodiment and the third embodiment differ mainly in the following points. In the first embodiment, the semiconductor wafer W is attached to the
In the following explanation, parts related to differences from the first embodiment will be mainly explained, and overlapping explanations will be omitted or simplified. Components similar to those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.
図７Ａは、第３実施形態における工程（Ｐ１）（裏面Ｗ３に第１粘着シート１０Ａが貼着されたウエハＷを準備する工程）を説明するための図である。図７Ａには、第１粘着シート１０Ａが貼着されたウエハＷが記載されている。
第１粘着シート１０Ａは、第１基材１１と、第１粘着剤層１２と、中間粘着剤層１３と、を有する。第１粘着シート１０Ａは、第１基材１１と第１粘着剤層１２との間に中間粘着剤層１３を含む。
FIG. 7A is a diagram for explaining a step (P1) (a step of preparing a wafer W with a first
The first
第１粘着シート１０Ａにおける第１基材１１は、第１実施形態で説明した第１基材と同様の基材を用いることができる。
As the
第１粘着シート１０Ａにおける第１粘着剤層１２は、第１実施形態で説明した第１粘着剤層１２と同様の粘着剤層を用いることができる。本実施形態における第１粘着剤層１２は、外部からエネルギーを受けて硬化する硬化性の粘着剤接着剤組成物を含有することが好ましい。
第１粘着シート１０Ａにおいて、第１粘着剤層１２は、第１基材１１に設けられた中間粘着剤層１３の上に積層されている。
The same adhesive layer as the first
In the first
中間粘着剤層１３は、第１粘着剤層１２から剥離できる程度の粘着力を有する弱粘着性の粘着剤で形成されていてもよいし、エネルギー線照射により粘着力が低下するエネルギー線硬化性の粘着剤で形成されていてもよい。また、中間粘着剤層１３としてエネルギー線硬化性の粘着剤で形成した粘着剤層を用いる場合、第１粘着剤層１２が積層される領域（例えば、第１基材１１の内周部）に予めエネルギー線照射を行い、粘着性を低減させておく一方、他の領域（例えば、第１基材１１の外周部）はエネルギー線照射を行わず、例えば治具への貼着を目的として、粘着力を高いまま維持しておいてもよい。他の領域のみにエネルギー線照射を行わないようにするには、例えば、第１基材１１の他の領域に対応する領域に印刷等によりエネルギー線遮蔽層を設け、第１基材１１側からエネルギー線照射を行えばよい。
The
中間粘着剤層１３は、従来公知の種々の粘着剤により形成できる。中間粘着剤層１３は、例えば、汎用粘着剤、エネルギー線硬化型粘着剤、及び熱膨張成分含有粘着剤からなる群から選択される少なくともいずれかの粘着剤により形成できる。汎用粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、及びビニルエーテル系粘着剤からなる群から選択される少なくともいずれかの粘着剤であることが好ましい。また、中間粘着剤層１３の形態としては、芯材と、芯材の両面に設けられた粘着剤層とを有する形態も含まれる。
The
また、中間粘着剤層１３は、熱膨張性粘着剤層であることも好ましい。熱膨張性粘着剤層は、熱膨張性粘着剤で形成される。熱膨張性粘着剤は、粘着剤と熱膨張性成分とを含有する。中間粘着剤層１３が熱膨張性粘着剤層である場合、加熱により、熱膨張性粘着剤層と被着体との接触面積を減少させて、粘着力を低下させることができる。熱膨張性成分としては、熱膨張性微粒子を用いることができる。熱膨張性微粒子は、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微粒子である。ガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、及びペンタン等が挙げられる。特に、熱膨張性微粒子は、加熱膨張後に粘着剤層の表面形状を制御しやすく、これによって粘着剤層を強粘着性の状態から加熱によって剥離容易な状態に変化させやすいため、好ましい。また、熱膨張性成分としては、発泡剤を用いてもよい。発泡剤は、例えば、熱分解して、ガスを発生させる能力を有する化学物質である。発生させるガスとしては、例えば、水、炭酸ガス、及び窒素等が挙げられる。発泡剤を粘着剤中に分散させることにより、熱膨張性微粒子と類似の効果を奏する。
Moreover, it is also preferable that the
中間粘着剤層１３の厚さは、特に限定されない。中間粘着剤層１３の厚さは、通常、１μｍ以上、５０μｍ以下であり、５μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましい。
The thickness of the
［ダイシング工程］
図７Ｂは、本実施形態におけるダイシング工程を説明するための図である。図７Ｂには、第１粘着シート１０Ａに保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
裏面Ｗ３に第１粘着シート１０Ａが貼着された状態の半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。
本実施形態では、回路面Ｗ１側から切込みを入れて、半導体ウエハＷを切断し、さらに第１粘着シート１０Ａの少なくとも第１粘着剤層１２を切断する。第１粘着剤層１２も半導体チップＣＰと同じサイズに切断される。ダイシングには、ダイシングソー等の切断手段が用いられる。
ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷ及び第１粘着剤層１２を個片化できる深さであれば特に限定されない。本実施形態では、中間粘着剤層１３及び第１基材１１まで切込みを入れない態様を例に挙げて説明するが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、別の実施形態においては、半導体ウエハＷ及び第１粘着剤層１２を確実に切断するという観点から、ダイシングによって、中間粘着剤層１３まで到達するまでの深さ、又は第１基材１１に到達するまでの深さで切込みを形成してもよい。
なお、本実施形態のダイシング工程では、半導体ウエハＷの端面に沿ってダイシングして、図７Ｂに示すように第１粘着剤層１２に切込みを形成する。
[Dicing process]
FIG. 7B is a diagram for explaining the dicing process in this embodiment. FIG. 7B shows a plurality of semiconductor chips CP held on the first
The semiconductor wafer W with the first
In this embodiment, an incision is made from the circuit surface W1 side to cut the semiconductor wafer W and further cut at least the first
The cutting depth during dicing is not particularly limited as long as it is deep enough to separate the semiconductor wafer W and the first
In the dicing process of this embodiment, dicing is performed along the end surface of the semiconductor wafer W to form cuts in the first
［第１基材及び中間粘着剤層の剥離工程］
図７Ｃは、本実施形態における工程（Ｐ３）を説明するための図である。本実施形態では、ダイシング工程の後に、第１基材１１及び中間粘着剤層１３を第１粘着剤層１２から剥離する。この工程を第１基材及び中間粘着剤層の剥離工程と称する場合がある。図７Ｃには、ダイシング工程後に個片化された半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に第１粘着剤層１２を残したまま、第１基材１１及び中間粘着剤層１３を剥離する工程が示されている。
剥離工程においては、第１粘着剤層１２と中間粘着剤層１３との界面で剥離する。第１基材１１及び中間粘着剤層１３を剥離すると、裏面Ｗ３に第１粘着剤層１２が貼着された複数の半導体チップＣＰが得られる。
なお、本実施形態の第１基材の剥離工程では、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に貼着していない第１粘着剤層１２は、図７Ｃに示すように中間粘着剤層１３に貼着したまま除去される。
[Peeling step of first base material and intermediate adhesive layer]
FIG. 7C is a diagram for explaining the step (P3) in this embodiment. In this embodiment, the
In the peeling process, the first
In addition, in the peeling process of the first base material of this embodiment, the first
第１基材１１及び中間粘着剤層１３を第１粘着剤層１２から剥離する際の剥離力は、５０ｍＮ／２５ｍｍ以上、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。第１基材１１及び中間粘着剤層１３を第１粘着剤層１２から剥離する際の剥離力が５０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることにより、ダイシング時のチップ保持性が優れるという効果が得られる。第１基材１１及び中間粘着剤層１３を第１粘着剤層１２から剥離する際の剥離力が２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることにより、易剥離性が優れるという効果が得られる。第１基材１１及び中間粘着剤層１３を第１粘着剤層１２から剥離する際の剥離力は、５０ｍＮ／２５ｍｍ以上、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、１００ｍＮ／２５ｍｍ以上、１５００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。本実施形態においても、第１基材１１を第１粘着剤層１２から剥離する際の剥離力と同様に、第１基材１１及び中間粘着剤層１３を第１粘着剤層１２から剥がす引張試験を行い、引張試験時に測定した荷重を剥離力とする。
The peeling force when peeling the
第３実施形態に係るエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法については、その他の点は、第１実施形態と同様にして実施できる。 The expansion method according to the third embodiment and the semiconductor device manufacturing method including the expansion method can be implemented in the same manner as in the first embodiment in other respects.
［本実施形態に係る効果］
本実施形態に係るエキスパンド方法によっても、第１実施形態と同様、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化しつつ、かつ、糊残りを抑制できる。また、本実施形態に係るエキスパンド方法によれば、第２実施形態に比べて第１粘着剤層１２の変形を抑制できる。さらに、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
[Effects related to this embodiment]
Similarly to the first embodiment, the expanding method according to the present embodiment can simplify the tape structure and process compared to the conventional method, and can also suppress adhesive residue. Moreover, according to the expanding method according to the present embodiment, deformation of the first
〔第４実施形態〕
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
第１実施形態と第４実施形態とは主に次の点で相違する。第４実施形態においては、第１基材１１を剥離する工程（工程（Ｐ３））を実施する前であって、ダイシング工程後に複数の半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に保持部材としての第４粘着シート４０を貼着する。保持部材は、粘着シートに限定されず、第１基材１１を剥離する際に、複数の半導体チップＣＰを保持することのできる部材（例えば、吸着保持テーブル等）であればよい。
以下の説明では、第１実施形態との相違に係る部分を主に説明し、重複する説明については省略又は簡略化する。第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略又は簡略化する。
[Fourth embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
The first embodiment and the fourth embodiment differ mainly in the following points. In the fourth embodiment, a fourth adhesive as a holding member is applied to the circuit surface W1 of the plurality of semiconductor chips CP before the step of peeling off the first base material 11 (step (P3)) and after the dicing step. Paste the
In the following explanation, parts related to differences from the first embodiment will be mainly explained, and overlapping explanations will be omitted or simplified. Components similar to those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.
［第４粘着シートの貼着工程］
図８Ａには、ダイシング工程（工程（Ｐ２））の後に半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第４粘着シート４０を貼着する工程を説明するための図が示されている。この工程を第４粘着シートの貼着工程と称する場合がある。
第４粘着シート４０は、第４基材４１と、第４粘着剤層４２とを有する。
[Fourth adhesive sheet pasting process]
FIG. 8A shows a diagram for explaining the process of attaching the
The
第４基材４１の材質は、特に限定されない。第４基材４１の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、及びポリスチレン樹脂などが挙げられる。
The material of the
第４粘着剤層４２に含まれる粘着剤は、特に限定されない。第４粘着剤層４２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、及びウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途及び貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
The adhesive included in the fourth
第４粘着シート４０は、複数の半導体チップＣＰとともに、第二のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第４粘着シート４０の第４粘着剤層４２の上に、第二のリングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、第二のリングフレームの環形状の内側にて露出する第４粘着剤層４２を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に押し当てて、第４粘着シート４０に複数の半導体チップＣＰを固定する。
The
［第１基材の剥離工程］
図８Ｂには、第４粘着シート４０の貼着後、第１粘着シート１０の第１基材１１を剥離する工程を説明する図が示されている。
本実施形態においても、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に第１粘着剤層１２を残したまま、第１基材１１を剥離する。第１粘着シート１０の一態様として、第１基材１１の上に、直接、第１粘着剤層１２が積層されている場合には、第１基材の剥離工程においては、第１粘着剤層１２と第１基材１１との界面で剥離することが好ましい。第１基材１１を剥離すると、裏面Ｗ３に第１粘着剤層１２が貼着された複数の半導体チップＣＰが得られる。
なお、本実施形態の第１基材の剥離工程では、半導体チップＣＰの裏面Ｗ３に貼着していない第１粘着剤層１２は、図８Ｂに示すように第１基材１１に貼着したまま除去される。
[Peeling step of first base material]
FIG. 8B shows a diagram illustrating a step of peeling off the
Also in this embodiment, the
In addition, in the peeling process of the first base material of this embodiment, the first
［第２シートの貼着工程］
図８Ｃは、工程（Ｐ４）を説明するための図である。図８Ｃには、ダイシング工程によって得た複数の半導体チップＣＰに第２シート２０が貼付された状態が示されている。本実施形態に係る第２シート２０は、第１実施形態で説明した第２シート２０と同様のシートを用いることができる。なお、本発明の一態様においては、本実施形態に係る第２シート２０に代えて、第２実施形態で説明した第２シート２０Ａと同様のシートを用いてもよい。
本実施形態では、第２シート２０が複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３側に貼着されると、複数の半導体チップＣＰと第２シート２０の第２粘着剤層２２との間に個片化された第１粘着剤層１２が介在した積層構造が得られる。
[Second sheet pasting process]
FIG. 8C is a diagram for explaining the step (P4). FIG. 8C shows a state in which the
In this embodiment, when the
［第４粘着シートの剥離工程］
第２シート２０の貼着工程の後、第４粘着シート４０を回路面Ｗ１から剥離する。この工程を第４粘着シートの剥離工程と称する場合がある。
第４粘着剤層４２にエネルギー線重合性化合物が配合されていることが好ましい。第４粘着剤層４２にエネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、第４粘着剤層４２に第４基材４１側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物を硬化させる。エネルギー線重合性化合物を硬化させると、第４粘着剤層４２の凝集力が高まり、第４粘着剤層４２と半導体チップＣＰとの間の粘着力を低下または消失させることができる。そのため、第４粘着シート４０を剥離し易い。エネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられ、紫外線が好ましい。
[Peeling process of fourth adhesive sheet]
After the step of attaching the
It is preferable that the fourth
第４粘着シート４０を剥離すると、第２シート２０に支持された複数の半導体チップＣＰが得られるので、続いて、第１実施形態等と同様にエキスパンド工程を実施することが好ましい。
When the
第４実施形態に係るエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法については、その他の点は、第１実施形態と同様にして実施できる。 The expansion method according to the fourth embodiment and the semiconductor device manufacturing method including the expansion method can be implemented in the same manner as in the first embodiment in other respects.
［本実施形態に係る効果］
本実施形態に係るエキスパンド方法によっても、第１実施形態と同様、従来に比べてテープ構成及びプロセスを簡略化しつつ、かつ、糊残りを抑制できる。さらに、本実施形態に係るエキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を提供できる。
[Effects related to this embodiment]
Similarly to the first embodiment, the expanding method according to the present embodiment can simplify the tape structure and process compared to the conventional method, and can also suppress adhesive residue. Furthermore, a method for manufacturing a semiconductor device including the expanding method according to this embodiment can be provided.
また、本実施形態によれば、複数の半導体チップＣＰを第４粘着シート４０で支持した状態で第１基材１１を剥離することができる。そのため、第１基材１１を剥離し易く、複数の半導体チップＣＰが散ばることも防止できる。
Further, according to the present embodiment, the
［実施形態の変形］
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様等を含む。
[Modification of embodiment]
The present invention is in no way limited to the embodiments described above. The present invention includes aspects that are modified from the above-described embodiments within a range that can achieve the object of the present invention.
例えば、半導体ウエハや半導体チップにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージにおける外部端子電極との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。前述の実施形態では、ＦＯ－ＷＬＰタイプの半導体パッケージを製造する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、ファンイン型のＷＬＰ等のその他の半導体パッケージを製造する態様にも適用できる。 For example, the circuits and the like on semiconductor wafers and semiconductor chips are not limited to the arrangement and shape shown in the figures. The connection structure with external terminal electrodes in the semiconductor package is also not limited to the aspects described in the above embodiments. In the above-described embodiments, an example of manufacturing a FO-WLP type semiconductor package has been described, but the present invention can also be applied to manufacturing other semiconductor packages such as a fan-in type WLP.
上述したＦＯ－ＷＬＰの製造方法は、一部の工程を変更したり、一部の工程を省略したりしてもよい。 In the FO-WLP manufacturing method described above, some steps may be changed or some steps may be omitted.
第１粘着シートは、一態様においては、前記実施形態のように第１基材と第１粘着剤層とを、直接、積層させたシートであり、一態様においては、第１基材と第１粘着剤層との間に中間粘着剤層を有する粘着シートであるが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、第１粘着シートは、第１基材と第１粘着剤層との間に剥離層を有する粘着シートであってもよい。剥離層は、第１実施形態の説明中の剥離シートと同様の材料を用いて構成されることが好ましい。 In one aspect, the first adhesive sheet is a sheet in which the first base material and the first adhesive layer are directly laminated as in the above embodiment; Although this is a pressure-sensitive adhesive sheet having an intermediate pressure-sensitive adhesive layer between two pressure-sensitive adhesive layers, the present invention is not limited to this embodiment. For example, the first adhesive sheet may be an adhesive sheet having a release layer between the first base material and the first adhesive layer. The release layer is preferably constructed using the same material as the release sheet described in the first embodiment.
ダイシング工程におけるダイシングは、上述の切断手段を用いる代わりに、半導体ウエハに対してレーザ光を照射して行ってもよい。例えば、レーザ光の照射により、半導体ウエハを完全に分断し、複数の半導体チップに個片化してもよい。これらの方法においては、レーザ光の照射は、半導体ウエハのいずれの側から行ってもよい。 Dicing in the dicing process may be performed by irradiating the semiconductor wafer with laser light instead of using the above-mentioned cutting means. For example, a semiconductor wafer may be completely divided into a plurality of semiconductor chips by irradiation with laser light. In these methods, laser light irradiation may be performed from either side of the semiconductor wafer.
第１実施形態においては、第２ウエハ面としての裏面Ｗ３に第１粘着シート１０を貼着してエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を実施する例を挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。
例えば、第１ウエハ面としての回路面Ｗ１に第１粘着シート１０を貼着して、前記実施形態と同様にしてエキスパンド方法及び当該エキスパンド方法を含む半導体装置の製造方法を実施してもよい。
In the first embodiment, an example has been described in which the
For example, the
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。 Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. The present invention is not limited to these examples in any way.
（粘着シートの作製）
［実施例１］
ブチルアクリレート（ＢＡ）６２質量部、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）１０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合してアクリル系共重合体を得た。このアクリル系共重合体に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレート（昭和電工株式会社製、製品名「カレンズＭＯＩ」（登録商標））を付加した樹脂（アクリルＡ）の溶液（粘着剤主剤、固形分３５．０質量％）を調製した。付加率は、アクリル系共重合体の２ＨＥＡ１００モル％に対して、２－イソシアナートエチルメタクリレートを９０モル％とした。
得られた樹脂（アクリルＡ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、６０万、Ｍｗ／Ｍｎは４．５であった。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗ、及び数平均分子量Ｍｎを測定し、それぞれの測定値から分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
この粘着剤主剤に、ＵＶ樹脂Ａ（１０官能ウレタンアクリレート、三菱ケミカル株式会社製、製品名「ＵＶ－５８０６」、Ｍｗ＝１７４０、光重合開始剤を含む。）、及び架橋剤としてのトリレンジイソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、製品名「コロネートＬ」）を添加した。粘着剤主剤中の固形分１００質量部に対して、ＵＶ樹脂Ａを５０質量部添加し、架橋剤を０．２質量部添加した。添加後、３０分間攪拌して、粘着剤組成物Ａ１を調製した。
次いで、調製した粘着剤組成物Ａ１の溶液をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系剥離フィルム（リンテック株式会社製、製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）に塗布して乾燥させ、厚さ４０μｍの粘着剤層を剥離フィルム上に形成した。この粘着剤層について、本実施例では、前記実施形態中での説明と対応させて、第２粘着剤層と称する場合がある。
当該第２粘着剤層に、基材としてのポリエステル系ポリウレタンエラストマーシート（シーダム株式会社製，製品名「ハイグレスＤＵＳ２０２」，厚さ１００μｍ）を貼り合わせた後、幅方向における端部の不要部分を裁断除去して粘着シートＳＡ１を作製した。この基材については、本実施例では、前記実施形態中での説明と対応させて、第２基材と称する場合がある。
(Preparation of adhesive sheet)
[Example 1]
An acrylic copolymer was obtained by copolymerizing 62 parts by mass of butyl acrylate (BA), 10 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA). A solution of a resin (acrylic A) to which 2-isocyanatoethyl methacrylate (manufactured by Showa Denko K.K., product name "Karens MOI" (registered trademark)) is added to this acrylic copolymer (adhesive base material, solid 35.0% by mass) was prepared. The addition rate was 90 mol% of 2-isocyanatoethyl methacrylate to 100 mol% of 2HEA of the acrylic copolymer.
The weight average molecular weight (Mw) of the obtained resin (acrylic A) was 600,000, and Mw/Mn was 4.5. The weight average molecular weight Mw and number average molecular weight Mn in terms of standard polystyrene were measured by gel permeation chromatography (GPC), and the molecular weight distribution (Mw/Mn) was determined from each measurement value.
This adhesive main ingredient includes UV resin A (10-functional urethane acrylate, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name "UV-5806", Mw = 1740, contains a photopolymerization initiator), and tolylene diisocyanate as a crosslinking agent. A system crosslinking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Industries Co., Ltd., product name "Coronate L") was added. 50 parts by mass of UV resin A and 0.2 parts by mass of crosslinking agent were added to 100 parts by mass of solid content in the adhesive main ingredient. After the addition, the mixture was stirred for 30 minutes to prepare adhesive composition A1.
Next, a solution of the prepared adhesive composition A1 was applied to a polyethylene terephthalate (PET) release film (manufactured by Lintec Corporation, product name "SP-PET381031", thickness 38 μm) and dried to form a 40 μm thick adhesive. A layer of agent was formed on the release film. In this example, this adhesive layer may be referred to as a second adhesive layer, corresponding to the explanation in the above embodiment.
After laminating a polyester-based polyurethane elastomer sheet (manufactured by Seedam Co., Ltd., product name "Higress DUS202",
（チップ間隔の測定方法）
実施例１で得られた粘着シートＳＡ１を２１０ｍｍ×２１０ｍｍに切断し試験用シートを得た。このとき、裁断後のシートの各辺が、粘着シートにおける第２基材のＭＤ方向と平行または垂直となるように裁断した。
粘着シートに貼着する半導体チップを次に示す手順により準備した。第１粘着シート（リンテック株式会社製、製品名「ＬＣ２８５０（２５）」）を６インチシリコンウエハに貼着した。第１粘着シート（ＬＣ２８５０（２５））は、熱硬化型であるため、第１粘着シートをシリコンウエハに貼着後、加熱して、第１粘着シートの第１粘着剤層を硬化させて硬化膜を得た。次に、６インチシリコンウエハ側から、当該シリコンウエハ及び硬化膜をダイシングして、３ｍｍ×３ｍｍのサイズのチップがＸ軸方向に５列、及びＹ軸方向に５列となるように、計２５個のチップを切り出した。チップのそれぞれには、ダイシングされた硬化膜が貼着していた。
試験用シートの剥離フィルムを剥離し、露出した第２粘着剤層の中心部に、上述の通り切り出した計２５個のチップの硬化膜側を貼付した。このとき、チップがＸ軸方向に５列、及びＹ軸方向に５列で並んでいた。
(Measurement method of chip spacing)
The adhesive sheet SA1 obtained in Example 1 was cut into 210 mm x 210 mm to obtain a test sheet. At this time, the sheet was cut so that each side of the cut sheet was parallel or perpendicular to the MD direction of the second base material in the adhesive sheet.
A semiconductor chip to be attached to an adhesive sheet was prepared according to the following procedure. A first adhesive sheet (manufactured by Lintec Corporation, product name "LC2850 (25)") was attached to a 6-inch silicon wafer. The first adhesive sheet (LC2850 (25)) is a thermosetting type, so after attaching the first adhesive sheet to a silicon wafer, it is heated to harden the first adhesive layer of the first adhesive sheet. A membrane was obtained. Next, the silicon wafer and the cured film are diced from the 6-inch silicon wafer side so that there are 5 rows of 3 mm x 3 mm chips in the X-axis direction and 5 rows in the Y-axis direction, for a total of 25 chips. I cut out the chips. A diced cured film was attached to each chip.
The release film of the test sheet was peeled off, and the cured film side of a total of 25 chips cut out as described above was attached to the exposed center of the second adhesive layer. At this time, the chips were arranged in five rows in the X-axis direction and five rows in the Y-axis direction.
次に、チップが貼付された試験用シートを、２軸延伸可能なエキスパンド装置（離間装置）に設置した。図９には、当該エキスパンド装置１００を説明する平面図が示される。図９中、Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交する関係にあり、当該Ｘ軸の正の方向を＋Ｘ軸方向、当該Ｘ軸の負の方向を－Ｘ軸方向、当該Ｙ軸の正の方向を＋Ｙ軸方向、当該Ｙ軸の負の方向を－Ｙ軸方向とする。試験用シート２００は、各辺がＸ軸またはＹ軸と平行となるように、エキスパンド装置１００に設置した。その結果、試験用シート２００における基材のＭＤ方向は、Ｘ軸またはＹ軸と平行となる。なお、図９中、チップは省略されている。
Next, the test sheet to which the chip was attached was placed in an expanding device (separating device) capable of biaxial stretching. FIG. 9 shows a plan view illustrating the expanding
図９に示されるように、エキスパンド装置１００は、＋Ｘ軸方向、－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向及び－Ｙ軸方向のそれぞれに５つの保持手段１０１（計２０個の保持手段１０１）を備える。各方向における５つの保持手段１０１のうち、保持手段１０１Ａは、両端に位置し、保持手段１０１Ｃは、中央に位置し、保持手段１０１Ｂは、保持手段１０１Ａと保持手段１０１Ｃとの間に位置する。試験用シート２００の各辺を、これらの保持手段１０１によって把持させた。
As shown in FIG. 9, the expanding
ここで、図９に示されるように、試験用シート２００の一辺は２１０ｍｍである。また、各辺における保持手段１０１同士の間隔は４０ｍｍである。また、試験用シート２００の一辺における端部（シートの頂点）と、当該辺に存在し、当該端部に最も近い保持手段１０１Ａとの間隔は２５ｍｍである。
Here, as shown in FIG. 9, one side of the
続いて、保持手段１０１のそれぞれに対応する、図示されていない複数の張力付与手段を駆動させて、保持手段１０１をそれぞれ独立に移動させた。試験用シートの四辺をつかみ治具で固定し、Ｘ軸方向、及びＹ軸方向にそれぞれ５ｍｍ／ｓの速度で、２００ｍｍの拡張量で試験用シートをエキスパンドした。その後、リングフレームにより試験用シート２００の拡張状態を保持した。
拡張状態を保持した状態で、各チップ間の距離をデジタル顕微鏡で測定し、各チップ間の距離の平均値をチップ間隔とした。
チップ間隔が１８００μｍ以上であれば合格「Ａ」と判定し、チップ間隔が１８００μｍ未満であれば不合格「Ｂ」と判定した。
Subsequently, a plurality of tension applying means (not shown) corresponding to each of the holding means 101 were driven to move the holding means 101 independently. The four sides of the test sheet were gripped and fixed with a jig, and the test sheet was expanded by an expansion amount of 200 mm at a speed of 5 mm/s in each of the X-axis direction and the Y-axis direction. Thereafter, the expanded state of the
While maintaining the expanded state, the distance between each chip was measured using a digital microscope, and the average value of the distance between each chip was defined as the chip spacing.
If the chip spacing was 1800 μm or more, it was determined to be a pass “A”, and if the chip spacing was less than 1800 μm, it was determined to be a fail “B”.
（チップ整列性の測定方法）
上記チップ間隔を測定したワークのＸ軸及びＹ軸方向の隣り合うチップの中心線からのズレ率を測定した。
図１０に具体的な測定方法の概略図を示す。
Ｘ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最上端と、チップの最下端との距離Ｄｙをデジタル顕微鏡で測定した。Ｙ軸方向のズレ率は、下記数式（数３）に基づいて算出した。Ｓｙは、Ｙ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
Ｙ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｙ－Ｓｙ）／２]／Ｓｙ×１００…（数３）
Ｘ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＹ軸方向のズレ率を算出した。
Ｙ軸方向に５個のチップが並んだ一つの列を選び、当該列の中で、チップの最左端と、チップの最右端との距離Ｄｘをデジタル顕微鏡で測定した。Ｘ軸方向のズレ率は、下記数式（数４）に基づいて算出した。Ｓｘは、Ｘ軸方向のチップサイズであり、本実施例では、３ｍｍとした。
Ｘ軸方向のズレ率［％］＝[（Ｄｘ－Ｓｘ）／２]／Ｓｘ×１００…（数４）
Ｙ軸方向に５個のチップが並んだその他の４列についても、同様にしてＸ軸方向のズレ率を算出した。
数式（数３）及び（数４）において、２で除するのは、拡張後におけるチップの所定位置からずれた最大距離を絶対値にて表現するためである。
Ｘ軸方向及びＹ軸方向のすべての列（計１０列）において、ズレ率が±１０％未満の場合を合格「Ａ」と判定し、１つ以上の列において±１０％以上であれば不合格「Ｂ」と判定した。
(Measurement method of chip alignment)
The deviation rate from the center line of adjacent chips in the X-axis and Y-axis directions of the workpiece whose chip spacing was measured was measured.
FIG. 10 shows a schematic diagram of a specific measurement method.
One row in which five chips were lined up in the X-axis direction was selected, and the distance Dy between the top end of the chip and the bottom end of the chip in the row was measured using a digital microscope. The deviation rate in the Y-axis direction was calculated based on the following formula (Equation 3). Sy is the chip size in the Y-axis direction, and in this example, it is 3 mm.
Misalignment rate in the Y-axis direction [%] = [(Dy-Sy)/2]/Sy×100...(Equation 3)
The deviation rates in the Y-axis direction were calculated in the same manner for the other four rows of five chips arranged in the X-axis direction.
One row in which five chips were lined up in the Y-axis direction was selected, and the distance Dx between the leftmost end of the chip and the rightmost end of the chip in the row was measured using a digital microscope. The deviation rate in the X-axis direction was calculated based on the following formula (Equation 4). Sx is the chip size in the X-axis direction, and in this example, it was set to 3 mm.
Misalignment rate in the X-axis direction [%] = [(Dx-Sx)/2]/Sx×100...(Equation 4)
The deviation rates in the X-axis direction were similarly calculated for the other four rows of five chips arranged in the Y-axis direction.
In the equations (3) and (4), the purpose of dividing by 2 is to express the maximum distance of the chip from the predetermined position after expansion as an absolute value.
If the deviation rate is less than ±10% in all columns in the X-axis direction and Y-axis direction (10 columns in total), it is judged as passing "A", and if it is ±10% or more in one or more columns, it is judged as failure. It was judged as passing "B".
（糊残りの評価方法）
前述のチップ間隔の測定方法に記載の条件でエキスパンド後、紫外線照射装置（リンテック株式会社製「ＲＡＤ－２０００ ｍ／１２」）を用いて、実施例１に係る粘着シートのチップが搭載されている面とは反対側の面から照度２２０ｍＷ／ｃｍ２、光量４６０ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線照射した。紫外線照射の後、チップを吸着テーブルに保持し、粘着シートを剥離した。粘着シートを剥離した後、粘着シートが貼着されていたチップの硬化膜表面を光学顕微鏡で観察した。チップの硬化膜表面に糊残りが観察されなかった場合を合格「Ａ」と判定し、糊残りが観察された場合を不合格「Ｂ」と判定した。
(Evaluation method for adhesive residue)
After expanding under the conditions described in the above-mentioned chip spacing measurement method, the chips of the adhesive sheet according to Example 1 were mounted using an ultraviolet irradiation device ("RAD-2000 m/12" manufactured by Lintec Corporation). Ultraviolet rays were irradiated from the opposite side to the surface under conditions of an illuminance of 220 mW/cm 2 and a light amount of 460 mJ/cm 2 . After UV irradiation, the chip was held on a suction table and the adhesive sheet was peeled off. After peeling off the adhesive sheet, the surface of the cured film of the chip to which the adhesive sheet had been attached was observed using an optical microscope. The case where no adhesive residue was observed on the surface of the cured film of the chip was determined to be a pass "A", and the case where an adhesive residue was observed was determined to be a failure "B".
実施例１に係る粘着シートを用いてエキスパンドしたところ、チップ間隔の評価結果が合格「Ａ」判定であり、チップ整列性の評価結果が合格「Ａ」判定であった。
チップと実施例に係る粘着シートとの間に第１粘着剤層（硬化膜）を介在させて粘着シートをエキスパンドしたところ、チップの硬化膜表面の糊残り評価結果が合格「Ａ」判定であった。
When the adhesive sheet according to Example 1 was expanded, the evaluation result of the chip spacing was judged as passing "A", and the evaluation result of chip alignment was judged as passing "A".
When the first adhesive layer (cured film) was interposed between the chip and the adhesive sheet according to the example and the adhesive sheet was expanded, the adhesive residue evaluation result on the surface of the cured film of the chip was judged as passing "A". Ta.
１０…第１粘着シート、１０Ａ…第１粘着シート、１１…第１基材、１２…第１粘着剤層、１３…中間粘着剤層、２０…第２シート、２０Ａ…第２シート、２１…第２基材、２１Ａ…第２基材、２２…第２粘着剤層、ＣＰ…半導体チップ、Ｗ…半導体ウエハ、Ｗ１…回路面、Ｗ２…回路、Ｗ３…裏面。
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記第１ウエハ面側から切込みを入れて、前記ウエハを複数のチップに個片化し、さらに前記第１粘着剤層を切断し、
前記第１基材を前記第１粘着剤層から剥離し、
前記第１粘着剤層に、第２シートを貼付し、
前記第２シートを伸張させて、前記複数のチップの間隔を拡げる、
エキスパンド方法。 A first adhesive sheet having a first adhesive layer and a first base material is attached to the second wafer surface of a wafer having a first wafer surface and a second wafer surface opposite to the first wafer surface. ,
making incisions from the first wafer surface side to separate the wafer into a plurality of chips, and further cutting the first adhesive layer;
Peeling the first base material from the first adhesive layer,
A second sheet is attached to the first adhesive layer,
stretching the second sheet to widen the spacing between the plurality of chips;
Expanding method.
前記切込みは、前記第１基材に到達するまでの深さで形成する、
エキスパンド方法。 The expanding method according to claim 1,
The cut is formed to a depth that reaches the first base material.
Expanding method.
前記第１粘着剤層は、第１エネルギー線硬化性樹脂を含有する、
エキスパンド方法。 In the expanding method according to claim 1 or claim 2,
The first adhesive layer contains a first energy ray curable resin,
Expanding method.
前記第２シートは、エキスパンドシートである、
エキスパンド方法。 In the expanding method according to any one of claims 1 to 3,
the second sheet is an expandable sheet;
Expanding method.
前記第２シートは、第２粘着剤層と第２基材とを有し、
前記第２粘着剤層は、第２エネルギー線硬化性樹脂を含有する、
エキスパンド方法。 In the expanding method according to any one of claims 1 to 4,
The second sheet has a second adhesive layer and a second base material,
The second adhesive layer contains a second energy ray curable resin,
Expanding method.
前記第１基材を前記第１粘着剤層から剥離する際の剥離力は、１０ｍＮ／２５ｍｍ以上、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下である、
エキスパンド方法。 In the expanding method according to any one of claims 1 to 5,
The peeling force when peeling the first base material from the first adhesive layer is 10 mN/25 mm or more and 2000 mN/25 mm or less,
Expanding method.
前記第１粘着シートは、前記第１基材と前記第１粘着剤層との間に剥離層を有する、
エキスパンド方法。 In the expanding method according to any one of claims 1 to 6,
The first adhesive sheet has a release layer between the first base material and the first adhesive layer,
Expanding method.
前記第１基材を前記第１粘着剤層から剥離した後に、前記第１粘着剤層が貼着された前記複数のチップを、保持部材で保持し、
前記保持部材で保持された前記複数のチップに貼着されている前記第１粘着剤層に、前記第２シートを貼付する、
エキスパンド方法。 In the expanding method according to any one of claims 1 to 7,
After peeling the first base material from the first adhesive layer, holding the plurality of chips to which the first adhesive layer is attached with a holding member,
attaching the second sheet to the first adhesive layer attached to the plurality of chips held by the holding member;
Expanding method.
前記ウエハを複数のチップに個片化した後に、前記第１粘着シートを伸張させて、前記複数のチップの間隔を拡げる、
エキスパンド方法。 In the expanding method according to any one of claims 1 to 8,
After dividing the wafer into a plurality of chips, stretching the first adhesive sheet to increase the distance between the plurality of chips;
Expanding method.
前記ウエハは、半導体ウエハである、
エキスパンド方法。 In the expanding method according to any one of claims 1 to 9,
the wafer is a semiconductor wafer;
Expanding method.
前記第１ウエハ面は、回路を有する、
エキスパンド方法。 In the expanding method according to any one of claims 1 to 10,
the first wafer surface has a circuit;
Expanding method.
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