JP7423527B2 - 固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Description
1.固体撮像装置1の概略構成について
2.固体撮像素子100の等価回路について
3.固体撮像素子100の積層構造について
4.本発明の実施形態をなすに至った経緯
5.第1の実施形態
5.1 貫通電極600の詳細構成について
5.2 固体撮像素子100の製造方法について
5.3 変形例
6.第2の実施形態
7.第3の実施形態
8.第4の実施形態
9.第5の実施形態
10.まとめ
11.内視鏡手術システムへの応用例
12.移動体への応用例
13.補足
まずは、本開示に係る各実施形態の説明に先立ち、図1を参照して、本開示の各実施形態に係る固体撮像装置1の概略構成について説明する。図1は、本実施形態に係る固体撮像装置1の模式的平面図である。図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置1は、例えばシリコンからなる半導体基板500上に、複数の固体撮像素子(画素)100がマトリック状に配置されている画素アレイ部10を含む。さらに、当該固体撮像装置1は、図1に示すように、垂直駆動回路部32、カラム信号処理回路部34、水平駆動回路部36、出力回路部38、及び制御回路部40等を含む。以下に、本実施形態に係る固体撮像装置1の各ブロックの詳細について説明する。
画素アレイ部10は、半導体基板500上にマトリックス状(行列状)に2次元配置された複数の固体撮像素子100を有する。なお、ここで固体撮像素子100とは、各色の光を検出し、検出結果を出力する際に、色ごとに1つの結果を出力する1つのユニットとしてとらえることができる固体撮像素子(単位画素)のことを意味する。各固体撮像素子100は、入射された各色の光の光量に応じた電荷を生成することができる複数の光電変換素子(Photo Diode;PD)(光電変換部)(例えば、固体撮像素子100は、図4に示すように、積層された3つのPD200、300、400を含むことができる)と、複数の画素トランジスタ(例えばMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタ)(図示省略)とを有している。さらに詳細には、当該画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、選択トランジスタ、リセットトランジスタ、及び、増幅トランジスタ等を含むことができる。
垂直駆動回路部32は、例えばシフトレジスタによって形成され、画素駆動配線42を選択し、選択された画素駆動配線42に固体撮像素子100を駆動するためのパルスを供給し、行単位で固体撮像素子100を駆動する。すなわち、垂直駆動回路部32は、画素アレイ部10の各固体撮像素子100を行単位で順次垂直方向(図1中の上下方向)に選択走査し、各固体撮像素子100のPDの受光量に応じて生成された電荷に基づく画素信号を、垂直信号線44を通して後述するカラム信号処理回路部34に供給する。
カラム信号処理回路部34は、固体撮像素子100の列ごとに配置されており、1行分の固体撮像素子100から出力される画素信号に対して画素列ごとにノイズ除去等の信号処理を行う。例えば、カラム信号処理回路部34は、画素固有の固定パターンノイズを除去するためにCDS(Correlated Double Sampling:相関2重サンプリング)及びAD(Analog-Degital)変換等の信号処理を行う。
水平駆動回路部36は、例えばシフトレジスタによって形成され、水平走査パルスを順次出力することによって、上述したカラム信号処理回路部34の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路部34の各々から画素信号を水平信号線46に出力させることができる。
出力回路部38は、上述したカラム信号処理回路部34の各々から水平信号線46を通して順次に供給される画素信号に対し、信号処理を行い出力することができる。出力回路部38は、例えば、バッファリング(buffering)を行う機能部として機能してもよく、もしくは、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理等の処理を行ってもよい。なお、バッファリングとは、画素信号のやり取りの際に、処理速度や転送速度の差を補うために、一時的に画素信号を保存することをいう。また、入出力端子48は、外部装置との間で信号のやり取りを行うための端子である。
制御回路部40は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像素子100の内部情報等のデータを出力することができる。すなわち、制御回路部40は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路部32、カラム信号処理回路部34及び水平駆動回路部36等の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路部40は、生成したクロック信号や制御信号を、垂直駆動回路部32、カラム信号処理回路部34及び水平駆動回路部36等に出力する。
以上、本実施形態に係る固体撮像装置1の概略構成について説明した。次に、本開示の実施形態に係る固体撮像素子100に含まれるPD200、300、400の等価回路について、図2及び図3を参照して説明する。図2は、本実施形態に係る固体撮像素子100に含まれるPD200の等価回路図であり、図3は、本実施形態に係る固体撮像素子100に含まれるPD300の等価回路図である。
以上、本実施形態に係る固体撮像素子100に含まれるPD200、300、400の等価回路について説明した。次に、図4を参照して、本開示の実施形態に係る固体撮像素子100の積層構造について説明する。図4は、本実施形態に係る固体撮像素子100の断面図であり、詳細には、貫通電極600の貫通方向に沿って固体撮像素子100を切断した場合の断面図であり、図4においては、固体撮像素子100に対して光が入射する入射面が上となるように固体撮像素子100が図示されている。以下の説明においては、固体撮像素子100の下側に位置する半導体基板500から、半導体基板500の上方に位置するPD200に向かう順に従って、固体撮像素子100における積層構造を説明する。
さらに、本開示に係る実施形態の詳細な説明に先立ち、本発明者らが本開示の実施形態をなすに至った経緯について、図5を用いて説明する。図5は、本開示の実施形態を創作するに至った経緯を説明するための説明図であって、詳細には、図5の左側には、比較例に係る貫通電極800の断面が模式的に示されており、図5の右側には、本開示の実施形態に係る貫通電極600の断面が模式的に示されている。なお、ここで、比較例とは、本発明者らが本開示の実施形態をなす前に、検討を重ねていた貫通電極800のことを意味するものとする。
<5.1 貫通電極600の詳細構成について>
まずは、図6から図8を参照して、本開示の第1の実施形態に係る貫通電極600の詳細構成を説明する。図6は、本実施形態に係る固体撮像素子100の断面(図4)の部分拡大図であり、詳細には、貫通電極600及び当該貫通電極600の周囲を拡大した拡大図である。また、図7は、図6のA-A´線及びB-B´線に沿って貫通電極600を切断した際の断面図である。詳細には、図7の上段には、図6のA-A´線に沿って貫通電極600を切断した際の断面図が示され、図7の下段には、図6のB-B´線に沿って貫通電極600を切断した際の断面図が示されている。さらに、図8は、本実施形態に係る貫通電極600の上部の模式図であり、詳細には、貫通電極600を当該貫通電極600の貫通方向に沿って切断した場合の断面の一部を拡大した図である。なお、図8においては、わかりやすくするために固定電荷膜650の図示は省略されている。
以上、本実施形態に係る貫通電極600の詳細構成を説明した。次に、本実施形態に係る貫通電極600を含む固体撮像素子100の製造方法について、図9から図13を参照して説明する。図9から図13は、本実施形態に係る固体撮像素子100の製造方法を説明するための説明図であって、図4の断面図に対応する、当該製造方法の各工程における固体撮像素子100の断面を示す。
本実施形態に係る固体撮像素子100は、導電体602の上部(PD200側の端部)が、透明導電体からなる配線に電気的に接続してもよい。言い換えると、本実施形態においては、図4の金属配線570が透明導電体によって形成されていてもよい。
本開示の実施形態においては、上述した第1の実施形態に係る貫通電極600をさらに変形することが可能である。以下に、図14及び図15を参照して、本開示の第2の実施形態に係る貫通電極600aを説明する。図14は、本実施形態に係る固体撮像素子100aの断面図であり、詳細には、貫通電極600aの貫通方向に沿って固体撮像素子100aを切断した場合の断面図である。また、図15は、本実施形態に係る貫通電極600aの上部の模式図であり、詳細には、貫通電極600aを当該貫通電極600aの貫通方向に沿って切断した場合の断面の一部を拡大した図である。なお、図15においては、わかりやすくするために固定電荷膜650の図示は省略されている。
また、本開示の実施形態においては、上述した第1の実施形態に係る貫通電極600をさらに変形することが可能である。以下に、図16を参照して、本開示の第3の実施形態に係る貫通電極600bを説明する。図16は、本実施形態に係る貫通電極600bの上部の模式図であり、詳細には、貫通電極600bを当該貫通電極600bの貫通方向に沿って切断した場合の断面の一部を拡大した図である。なお、図16においては、わかりやすくするために固定電荷膜650の図示は省略されている。
さらに、本開示の実施形態においては、上述した第1の実施形態に係る固体撮像素子100のPD200をさらに変形することが可能である。以下に、図17を参照して、本開示の第4の実施形態に係る固体撮像素子100bを説明する。図17は、本実施形態に係る固体撮像素子100bの断面図であり、詳細には、詳細には、貫通電極600の貫通方向に沿って固体撮像素子100bを切断した場合の断面図であり、図17においては、固体撮像素子100bに対して光が入射する入射面が上となるように固体撮像素子100bが図示されている。
上述した本開示の実施形態に係る固体撮像装置1は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機等、画像取込部に撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。さらに、本開示の実施形態は、上述の固体撮像装置1を含むロボット、ドローン、自動車、医療機器(内視鏡)等にも適用可能である。なお、本実施形態に係る固体撮像装置1は、ワンチップとして形成された形態であってもよく、撮像部と信号処理部又は光学系とが1つにパッケージングされた撮像機能を有するモジュールの形態であってもよい。以下に、上述した固体撮像装置1を有する撮像装置902を含む電子機器900の一例を、本開示の第5の実施形態として、図18を参照して説明する。図18は、本実施形態に係る電子機器900の一例を示す説明図である。
以上説明したように本開示の各実施形態及び変形例によれば、貫通電極600の抵抗値を低く抑えることができる。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
(1)
半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられた、電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する光電変換部と、
前記半導体基板を貫き、前記電荷蓄積部と前記光電変換部とを電気的に接続する貫通電極と、
を備え、
前記貫通電極の前記光電変換部側の端部において、
前記貫通電極の中心に位置する導電体は、当該貫通電極の貫通方向と直交する切断面の断面積は、前記貫通方向に沿って前記光電変換部に向かって漸増している、
固体撮像素子。
(2)
前記貫通電極は、前記光電変換部と、前記半導体基板内に設けられた少なくとも1つ以上の画素トランジスタとを電気的に接続する、上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記貫通電極の前記導電体の外周を覆う絶縁膜をさらに備える、
上記(1)又は(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記導電体の、前記光電変換部側の前記端部における外周面の勾配は、
前記導電体の、前記貫通方向に延伸する中心軸に対して1°以上、60°以下の角度を持つ、
上記(1)~(3)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(5)
前記導電体は略円柱状の形状を持つ、上記(1)~(3)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(6)
前記光電変換部側の前記切断面における前記導電体の直径は、前記電荷蓄積部側の前記切断面における前記導電体の直径の1.2倍以上である、上記(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記貫通電極を、前記貫通方向に沿って切断した際の断面において、
前記導電体の前記光電変換部側の前記端部は、前記導電体の中心軸から分岐する2つの第1の分岐部を有する、
上記(1)~(3)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(8)
前記導電体の前記光電変換部側の前記端部は、前記2つの第1の分岐部の間に位置する凹部をさらに有する、上記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
前記各第1の分岐部は、前記中心軸から円弧を描くように屈曲する、上記(7)又は(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記各第1の分岐部は、10nm以上、1000nm以下の曲率半径を持って屈曲する、上記(9)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記貫通電極を前記貫通方向に沿って切断した際の断面において、前記導電体の前記電荷蓄積部側の端部は、前記中心軸から分岐する2つの第2の分岐部を有する、上記(7)に記載の固体撮像素子。
(12)
前記各第1の分岐部と、前記各第2の分岐部とは、前記中心軸から円弧を描くように屈曲する、上記(11)に記載の固体撮像素子。
(13)
前記第1の分岐部の曲率半径は、前記第2の分岐部の曲率半径よりも大きい、上記(12)に記載の固体撮像素子。
(14)
前記導電体の前記光電変換部側の前記端部は、透明導電体からなる配線に電気的に接続する、上記(1)~(13)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(15)
前記光電変換部は、
隣り合う前記固体撮像素子同士で共有する共通電極と、
前記貫通電極に電気的に接続される読み出し電極と、
前記共通電極と前記読み出し電極とに挟まれるように設けられ、光を電荷に変換する光電変換膜と、
を有する、
上記(1)~(14)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(16)
前記光電変換膜は有機系材料からなる、上記(15)に記載の固体撮像素子。
(17)
前記光電変換部は、前記共通電極と、前記光電変換膜及び絶縁膜を介して対向する蓄積電極をさらに有する、上記(15)又は(16)に記載の固体撮像素子。
(18)
前記半導体基板内に設けられた、光を電荷に変換する他の光電変換部をさらに備える、上記(1)~(17)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(19)
マトリックス状に配置された複数の固体撮像素子を備える固体撮像装置であって、
前記各固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられた、電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する光電変換部と、
前記半導体基板を貫き、前記電荷蓄積部と前記光電変換部とを電気的に接続する貫通電極と、
を備え、
前記貫通電極の前記光電変換部側の端部において、
前記貫通電極の中心に位置する導電体は、当該貫通電極の貫通方向と直交する切断面の断面積は、前記貫通方向に沿って前記光電変換部に向かって漸増している、
固体撮像装置。
(20)
半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられた、電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する光電変換部と、
前記半導体基板を貫き、前記電荷蓄積部と前記光電変換部とを電気的に接続する貫通電極と、
を備え、
前記貫通電極の前記光電変換部側の端部において、
前記貫通電極の中心に位置する導電体は、当該貫通電極の貫通方向と直交する切断面の断面積は、前記貫通方向に沿って前記光電変換部に向かって漸増している、
固体撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板を貫く貫通孔を形成し、
前記貫通孔の内壁を覆うように絶縁膜を成膜し、
前記貫通孔の前記光電変換部側の端部の前記絶縁膜をエッチングし、
前記貫通孔を金属膜で埋め込む
ことを含む、固体撮像素子の製造方法。
10 画素アレイ部
32 垂直駆動回路部
34 カラム信号処理回路部
36 水平駆動回路部
38 出力回路部
40 制御回路部
42 画素駆動配線
44 垂直信号線
46 水平信号線
48 入出力端子
100、100a、100b 固体撮像素子
200、200a、300、400 光電変換素子
202 上部電極
204 光電変換膜
206 下部電極
208 蓄積電極
500 半導体基板
502、510、512、516 半導体領域
514 フローティングディフュージョン部
520 配線層
522 配線
524 ゲート電極
530 層間絶縁膜
540、552、560、604、804 絶縁膜
550、650 固定電荷膜
570 金属配線
580 高屈折率層
582 平坦化膜
590 オンチップレンズ
600、600a、600b、800 貫通電極
602、602a、602c、802 導電体
602b、602d 分岐部
606、606a、606b、806 貫通孔
606c 開口端
610 中心軸
620 凹部
808 空洞
900 電子機器
902 撮像装置
910 光学レンズ
912 シャッタ機構
914 駆動回路ユニット
916 信号処理回路ユニット
Claims (16)
- 半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられた、電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する光電変換部と、
前記半導体基板を貫き、前記電荷蓄積部と前記光電変換部とを電気的に接続する貫通電極と、
を備え、
前記貫通電極の前記光電変換部側の端部において、
前記貫通電極の中心に位置する導電体は、当該貫通電極の貫通方向と直交する切断面の断面積は、前記貫通方向に沿って前記光電変換部に向かって漸増しており、
前記貫通電極を、前記貫通方向に沿って切断した際の断面において、
前記導電体の前記光電変換部側の前記端部は、前記導電体の中心軸から分岐する2つの第1の分岐部を有する、
固体撮像素子。 - 前記貫通電極は、前記光電変換部と、前記半導体基板内に設けられた少なくとも1つ以上の画素トランジスタとを電気的に接続する、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記貫通電極の前記導電体の外周を覆う絶縁膜をさらに備える、
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記導電体の前記光電変換部側の前記端部は、前記2つの第1の分岐部の間に位置する凹部をさらに有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記各第1の分岐部は、前記中心軸から円弧を描くように屈曲する、請求項1~4のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記各第1の分岐部は、10nm以上、1000nm以下の曲率半径を持って屈曲する、請求項5に記載の固体撮像素子。
- 前記貫通電極を前記貫通方向に沿って切断した際の断面において、前記導電体の前記電荷蓄積部側の端部は、前記中心軸から分岐する2つの第2の分岐部を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記各第1の分岐部と、前記各第2の分岐部とは、前記中心軸から円弧を描くように屈曲する、請求項7に記載の固体撮像素子。
- 前記第1の分岐部の曲率半径は、前記第2の分岐部の曲率半径よりも大きい、請求項8に記載の固体撮像素子。
- 前記導電体の前記光電変換部側の前記端部は、透明導電体からなる配線に電気的に接続する、請求項1~9のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記光電変換部は、
隣り合う前記固体撮像素子同士で共有する共通電極と、
前記貫通電極に電気的に接続される読み出し電極と、
前記共通電極と前記読み出し電極とに挟まれるように設けられ、光を電荷に変換する光電変換膜と、
を有する、
請求項1~10のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜は有機系材料からなる、請求項11に記載の固体撮像素子。
- 前記光電変換部は、前記共通電極と、前記光電変換膜及び絶縁膜を介して対向する蓄積電極をさらに有する、請求項11又は12に記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板内に設けられた、光を電荷に変換する他の光電変換部をさらに備える、請求項1~13のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- マトリックス状に配置された複数の固体撮像素子を備える固体撮像装置であって、
前記各固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられた、電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する光電変換部と、
前記半導体基板を貫き、前記電荷蓄積部と前記光電変換部とを電気的に接続する貫通電極と、
を備え、
前記貫通電極の前記光電変換部側の端部において、
前記貫通電極の中心に位置する導電体は、当該貫通電極の貫通方向と直交する切断面の断面積は、前記貫通方向に沿って前記光電変換部に向かって漸増しており、
前記貫通電極を、前記貫通方向に沿って切断した際の断面において、
前記導電体の前記光電変換部側の前記端部は、前記導電体の中心軸から分岐する2つの第1の分岐部を有する、
固体撮像装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられた、電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する光電変換部と、
前記半導体基板を貫き、前記電荷蓄積部と前記光電変換部とを電気的に接続する貫通電極と、
を備え、
前記貫通電極の前記光電変換部側の端部において、
前記貫通電極の中心に位置する導電体は、当該貫通電極の貫通方向と直交する切断面の断面積は、前記貫通方向に沿って前記光電変換部に向かって漸増しており、
前記貫通電極を、前記貫通方向に沿って切断した際の断面において、
前記導電体の前記光電変換部側の前記端部は、前記導電体の中心軸から分岐する2つの第1の分岐部を有する、
固体撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板を貫く貫通孔を形成し、
前記貫通孔の内壁を覆うように絶縁膜を成膜し、
前記貫通孔の前記光電変換部側の端部の前記絶縁膜をエッチングして、前記貫通孔の前記光電変換部側の端部の開口を拡径し、
前記貫通孔から金属膜の一部が突出するように、前記貫通孔を当該金属膜で埋め込み、
前記金属膜の一部をエッチングする、
ことを含む、固体撮像素子の製造方法。
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