JP7420378B2 - プローブのティルト角度の調整方法及び高周波特性検査システム - Google Patents
プローブのティルト角度の調整方法及び高周波特性検査システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7420378B2 JP7420378B2 JP2020026493A JP2020026493A JP7420378B2 JP 7420378 B2 JP7420378 B2 JP 7420378B2 JP 2020026493 A JP2020026493 A JP 2020026493A JP 2020026493 A JP2020026493 A JP 2020026493A JP 7420378 B2 JP7420378 B2 JP 7420378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- tilt angle
- parameter
- reference position
- under test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 48
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
まず、プローブのティルト角度の調整を非接触で行えるかについて、電磁界シミュレーションを行って検討した。
なお、ΔSmeasは、以下のように表される。
上で述べたシミュレーション及び実験の結果に基づく、本発明の実施の形態について以下に説明する。
特許文献1の技術を用いて導電体面上でプローブのティルト角度を調整した後、Thru基準器上に移動させて上で述べた処理フローを5回実行した。図9に、上で述べた処理フローにおけるN=1からN=21までのティルト角度の遷移を示す。図9の横軸は試行回数Nを表しており、縦軸はティルト角度を表す。N=21におけるティルト角度の平均値は0.066°であり、標準偏差は0.206°である。
2 ステージ
3 VNA
7 制御装置
Claims (5)
- シグナル端子とグランド端子とを有するプローブと、
前記プローブへの信号と前記プローブからの信号とに基づきSパラメータを算出する分析部と、
載置面に載置された被試験デバイスに対する前記プローブの位置及びティルト角度を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部が、
前記プローブを、前記被試験デバイスの上方にあり且つ前記被試験デバイスと前記プローブとが非接触である第1の基準位置に配置し、
前記第1の基準位置おける第1のSパラメータとの複素平面上の距離が第1の閾値を超えることとなる第2のSパラメータが算出され、前記第1の基準位置より前記被試験デバイスに近く且つ前記プローブが前記被試験デバイスと非接触である第2の基準位置を探索し、
前記第1のSパラメータとの前記複素平面上の距離が前記第1の閾値より大きい第2の閾値を超える第3のSパラメータが算出され且つ前記第1の基準位置及び前記第2の基準位置より前記被試験デバイスに近い位置を探索し、前記第2の基準位置から、探索された前記位置までの長さを測定し、
測定された前記長さが、直前に測定された長さより長い場合には、ティルト角度の増加方向を変化させた上でティルト角度を変化させ、
測定された前記長さが、直前に測定された長さより短い場合には、ティルト角度を同じ増加方向で変化させる
処理を複数回実行することで、複数のティルト角度の中で前記長さがより短いティルト角度を探索する
高周波特性検査システム。 - 前記制御部は、
前記処理を、第1の所定回数実施するか、又は、
同一ティルト角度で同一の長さが第2の所定回数以上連続して得られるまで実施する
請求項1記載の高周波特性検査システム。 - シグナル端子とグランド端子とを有するプローブと、前記プローブへの信号と前記プローブからの信号とに基づきSパラメータを算出する分析部と、載置面に載置された被試験デバイスに対する前記プローブの位置及びティルト角度を制御する制御部とを有する高周波特性検査システムにおける前記プローブのティルト角度調整方法であって、
前記制御部が、
前記プローブを、前記被試験デバイスの上方にあり且つ前記被試験デバイスと前記プローブとが非接触である第1の基準位置に配置し、
前記第1の基準位置おける第1のSパラメータとの複素平面上の距離が第1の閾値を超えることとなる第2のSパラメータが算出され、前記第1の基準位置より前記被試験デバイスに近く且つ前記プローブが前記被試験デバイスと非接触である第2の基準位置を探索し、
前記第1のSパラメータとの前記複素平面上の距離が前記第1の閾値より大きい第2の閾値を超える第3のSパラメータが算出され且つ前記第1の基準位置及び前記第2の基準位置より前記被試験デバイスに近い位置を探索し、前記第2の基準位置から、探索された前記位置までの長さを測定し、
測定された前記長さが、直前に測定された長さより長い場合には、ティルト角度の増加方向を変化させた上でティルト角度を変化させ、
測定された前記長さが、直前に測定された長さより短い場合には、ティルト角度を同じ増加方向で変化させる
処理を複数回実行することで、複数のティルト角度の中で前記長さがより短いティルト角度を探索する
ティルト角度調整方法。 - シグナル端子とグランド端子とを有するプローブと、前記プローブへの信号と前記プローブからの信号とに基づきSパラメータを算出する分析部と、載置面に載置された被試験デバイスに対する前記プローブの位置及びティルト角度を制御する制御装置とを有する高周波特性検査システムにおける制御装置に、
前記プローブを、前記被試験デバイスの上方にあり且つ前記被試験デバイスと前記プローブとが非接触である第1の基準位置に配置し、
前記第1の基準位置おける第1のSパラメータとの複素平面上の距離が第1の閾値を超えることとなる第2のSパラメータが算出され、前記第1の基準位置より前記被試験デバイスに近く且つ前記プローブが前記被試験デバイスと非接触である第2の基準位置を探索し、
前記第1のSパラメータとの前記複素平面上の距離が前記第1の閾値より大きい第2の閾値を超える第3のSパラメータが算出され且つ前記第1の基準位置及び前記第2の基準位置より前記被試験デバイスに近い位置を探索し、前記第2の基準位置から、探索された前記位置までの長さを測定し、
測定された前記長さが、直前に測定された長さより長い場合には、ティルト角度の増加方向を変化させた上でティルト角度を変化させ、
測定された前記長さが、直前に測定された長さより短い場合には、ティルト角度を同じ増加方向で変化させる
処理を複数回実行させることで、複数のティルト角度の中で前記長さがより短いティルト角度を探索させるためのプログラム。 - シグナル端子とグランド端子とを有するプローブと、前記プローブへの信号と前記プローブからの信号とに基づきSパラメータを算出する分析部とを有する高周波特性検査システムにおいて、載置面に載置された被試験デバイスに対する前記プローブの位置及びティルト角度を制御するための制御装置であって、
前記プローブを、前記被試験デバイスの上方にあり且つ前記被試験デバイスと前記プローブとが非接触である第1の基準位置に配置し、
前記第1の基準位置おける第1のSパラメータとの複素平面上の距離が第1の閾値を超えることとなる第2のSパラメータが算出され、前記第1の基準位置より前記被試験デバイスに近く且つ前記プローブが前記被試験デバイスと非接触である第2の基準位置を探索し、
前記第1のSパラメータとの前記複素平面上の距離が前記第1の閾値より大きい第2の閾値を超える第3のSパラメータが算出され且つ前記第1の基準位置及び前記第2の基準位置より前記被試験デバイスに近い位置を探索し、前記第2の基準位置から、探索された前記位置までの長さを測定し、
測定された前記長さが、直前に測定された長さより長い場合には、ティルト角度の増加方向を変化させた上でティルト角度を変化させ、
測定された前記長さが、直前に測定された長さより短い場合には、ティルト角度を同じ増加方向で変化させる
処理を複数回実行することで、複数のティルト角度の中で前記長さがより短いティルト角度を探索する
制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020026493A JP7420378B2 (ja) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | プローブのティルト角度の調整方法及び高周波特性検査システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020026493A JP7420378B2 (ja) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | プローブのティルト角度の調整方法及び高周波特性検査システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021131305A JP2021131305A (ja) | 2021-09-09 |
JP7420378B2 true JP7420378B2 (ja) | 2024-01-23 |
Family
ID=77552154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020026493A Active JP7420378B2 (ja) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | プローブのティルト角度の調整方法及び高周波特性検査システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7420378B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019050001A1 (ja) | 2017-09-07 | 2019-03-14 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | プローブの角度を決定する方法、高周波特性検査装置、プログラム及び記憶媒体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7028430B2 (ja) * | 2017-08-28 | 2022-03-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 高周波プローブ位置補正技術 |
-
2020
- 2020-02-19 JP JP2020026493A patent/JP7420378B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019050001A1 (ja) | 2017-09-07 | 2019-03-14 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | プローブの角度を決定する方法、高周波特性検査装置、プログラム及び記憶媒体 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
CAGLAYAN, Cosan ; TRICHOPOULOS, Georgios C. ; SERTEL, Kubilay,"Non-Contact Probes for On-Wafer Characterization of Sub-Millimeter-Wave Devices and Integrated Circuits",IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2014年11月,Vol. 62,No. 11,pp. 2791-2801,DOI: 10.1109/TMTT.2014.2356176 |
SAKAMAKI, R.,"Contactless in-situ probe planarity adjustment on co-planar devices",2022 98th ARFTG Microwave Measurement Conference (ARFTG),2022年01月17日,DOI: 10.1109/ARFTG52954.2022.9844092 |
坂巻亮;堀部雅弘,"高周波プローブのティルト角度の自動調整技術の実デバイスへの適用",電子情報通信学会2020年総合大会講演論文集 エレクトロニクス1,2020年03月03日,p. 69 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021131305A (ja) | 2021-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11047879B2 (en) | Probe systems and methods | |
US20040051538A1 (en) | Method and system for calibrating a measurement device path and for measuring a device under test in the calibrated measurement device path | |
WO2009036331A1 (en) | Link analysis compliance and calibration verification for automated printed wiring board test systems | |
US8290736B2 (en) | Calibration standards and methods of their fabrication and use | |
JP6255439B2 (ja) | プローブシステムのインピーダンスキャリブレーションのための試験規格及び方法、並びに、この試験規格を含むプローブシステム、又はこの方法を用いるプローブシステム | |
US8860431B2 (en) | Application of open and/or short structures to bisect de-embedding | |
JP7028430B2 (ja) | 高周波プローブ位置補正技術 | |
US11092651B2 (en) | High-frequency probe position correction technology | |
US7643957B2 (en) | Bisect de-embedding for network analyzer measurement | |
JP7420378B2 (ja) | プローブのティルト角度の調整方法及び高周波特性検査システム | |
US20050091015A1 (en) | Method and apparatus for modeling a uniform transmission line | |
EP3680674B1 (en) | Method for determining angle of probe, high-frequency characteristic inspecting device, program and storage medium | |
JP6765104B2 (ja) | 電気的中点におけるrfプローブシステムの校正技術 | |
JP2006317156A (ja) | ベクトルネットワークアナライザ、ベクトルネットワークアナライザの校正方法、計算機及び標準器基板 | |
TWI431296B (zh) | 應用於射頻量測之高頻校正裝置 | |
US6255827B1 (en) | Search routine for 2-point electrical tester | |
WO2022130845A1 (ja) | 接触又は接続状態の判定方法及び情報処理装置 | |
JP2010281639A (ja) | 校正用基板および校正方法 | |
JP2018146455A (ja) | Rfデバイスの不具合解析法および等価回路 | |
Seiler et al. | A novel method for measuring the dielectric properties of solid materials in the microwave range | |
CN117272884A (zh) | 一种毛纽扣连接器退化对传输通道高频性能影响的预测方法 | |
CN116338549A (zh) | 非对称共面波导校准件 | |
Breed | On-wafer testing verifies IC performance and process yield |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200717 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221014 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20230614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20230614 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7420378 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |