JP7415827B2 - シリコンエピタキシャルウエーハ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
さらに、特許文献2でもエピタキシャル層に炭素イオンを注入することに言及しているが、多層にエピタキシャル層を積層させる構造となっており、やはり注入した領域がデバイス活性層になるわけではない。また、特許文献2に記載のドーズ量は1×1014atoms/cm2以上であり、仮にこのドーズ量でデバイス活性層に炭素を注入すると、イオン注入による残留欠陥が発生してしまい、電気特性が悪化してしまうと考えられる。
回復熱処理をRTA処理とすれば、炭素イオンの注入によるダメージを短時間で回復することができ、作業時間を短縮することができる。
まず、エピタキシャル厚が9μmのn/n-エピタキシャルウエーハ(以下、単にウエーハとも言う)を複数枚用意した。それぞれのウエーハに対して、加速エネルギーを300keV(飛程:約0.7μm)としてドーズ量を1×1011~1×1014atoms/cm2の範囲で振った炭素イオン注入を行った後、炭素イオン注入によるダメージを回復させる1150℃/10sec/Arの回復熱処理を施した。
Ig-r=qniW/τg (1)
ここで、Ig-rは発生電流で、qは素電荷量、niは真正キャリア濃度、Wは空乏層幅である(Semiconductor material and device characterization p.431)。発生ライフタイムτgが短いほど、電気特性が悪化していることを表している。
図3に、炭素イオン注入のドーズ量と発生ライフタイムの関係を示す。発生ライフタイムは、ドーズ量が1×1011atoms/cm2以上1×1013atoms/cm2以下の範囲では、リファレンスの場合と同程度となったが、1×1013atoms/cm2を超えると急激に発生ライフタイムが短くなり、ドーズ量が高くなるに従って発生ライフタイムが短くなること、すなわち電気特性が悪化することがわかった。この結果から、エピタキシャル層の表層にドーズ量1×1011atoms/cm2以上1×1013atoms/cm2以下の炭素イオン注入を行ったウエーハであれば、エピタキシャル層に炭素が存在しても電気特性が悪化しないと言える。
図4に、炭素イオン注入のドーズ量とローゼット長さの関係を示す。ローゼット長さは、炭素イオン注入なしの場合を1.00とした場合、ドーズ量が1×1010atoms/cm3の場合は1.00、1×1011atoms/cm3の場合は0.98、1×1012atoms/cm3の場合は0.93、1×1013atoms/cm3の場合は0.49、1×1014atoms/cm3の場合は検出下限以下(転位の伝播が確認できなかった)となった。この結果から、ドーズ量が1×1012atoms/cm3以上であれば、炭素イオン注入なしの場合と比較してローゼット長さが短くなっている、すなわち、表層の強度が向上されていると言える。
シリコンエピタキシャルウエーハ10は、シリコン単結晶基板11と、シリコン単結晶基板11上に設けられたエピタキシャル層12とを有している。ここで、エピタキシャル層12の表層13は、デバイス活性層となる領域であり、1×1012atoms/cm2以上1×1013atoms/cm2以下のドーズ量で炭素イオンが注入されたものである。炭素イオンのドーズ量が1×1012atoms/cm2以上であるため、表層の強度が向上されたシリコンエピタキシャルウエーハとなる。かつ、ドーズ量が1×1013atoms/cm2以下であるため、電気特性の悪化が抑制されたシリコンエピタキシャルウエーハとなる。
まず、図2の工程1のように、シリコン単結晶基板11の表面にエピタキシャル層12を形成する。シリコン単結晶基板11は特に限定されず、例えば、CZ法で育成したシリコン単結晶棒からスライスして作製したものを用いることができる。また、エピタキシャル層12の形成の条件も特に限定されず、例えば、従来のエピタキシャル層形成装置を用いて、H2をキャリアガスとしてSiHCl3等のソースガスをチャンバー内に導入し、サセプタ上に配置した基板の主表面上に、1050~1250℃程度でCVD法により、エピタキシャル層を形成することができる。
また、回復熱処理をRTA処理とすることもできる。RTA処理とすれば、炭素イオンの注入によるダメージを短時間で回復することができ、作業時間を短縮することができる。RTA処理の条件は特に限定されないが、例えば、1150℃/10sec/Ar雰囲気とすることができる。
シリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を形成し、直径200mmのn/n-エピタキシャルウエーハ(エピタキシャル層の厚さは5μm)を用意した。このエピタキシャル層の表面から、デバイス活性層となる表層に、炭素イオンをドーズ量1×1013atoms/cm2、加速エネルギー300keVの条件でイオン注入を行った後、1150℃/10sec/Arの回復熱処理を施した。
このエピタキシャルウエーハに対して、PN接合を形成した後、リーク電流を測定し、さらに、印加電圧依存性から式(1)を基にして発生ライフタイムを求めた。
一方で、ローゼット試験により、エピタキシャル表層の強度を評価した。試験条件は、表面から約1μm程度の領域を評価できる程度の押し込み圧力にして評価した。
炭素イオンのドーズ量を1×1012atoms/cm2としたこと以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャル層形成、イオン注入、回復熱処理を行い、発生ライフタイムを求めた。また、ローゼット試験を実施例1と同じ試験条件で行った。
炭素イオンのドーズ量を2×1013atoms/cm2(比較例1-1)、1×1014atoms/cm2(比較例1-2)としたこと以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャル層形成、イオン注入、回復熱処理を行い、発生ライフタイムを求めた。また、ローゼット試験を実施例1と同じ試験条件で行った。
炭素イオンに替えて、酸素イオンをドーズ量1×1012atoms/cm2(比較例2-1)、1×1013atoms/cm2(比較例2-2)、1×1014atoms/cm2(比較例2-3)でイオン注入を行った以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャル層形成、イオン注入、回復熱処理を行い、発生ライフタイムを求めた。また、ローゼット試験を実施例1と同じ試験条件で行った。
12…エピタキシャル層、 13…表層。
Claims (3)
- シリコン単結晶基板の表面にエピタキシャル層を有するシリコンエピタキシャルウエーハであって、
前記エピタキシャル層のデバイス活性層となる表層が、1×1012atoms/cm2以上1×1013atoms/cm2以下のドーズ量で炭素イオンが注入されたものであることを特徴とするシリコンエピタキシャルウエーハ。 - シリコン単結晶基板の表面にエピタキシャル層を有するシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、
前記シリコン単結晶基板の表面に前記エピタキシャル層を形成し、
該形成したエピタキシャル層のデバイス活性層となる表層に1×1012atoms/cm2以上1×1013atoms/cm2以下のドーズ量で炭素イオンを注入し、
該炭素イオンの注入後、前記炭素イオンの注入によるダメージを回復させる回復熱処理を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 前記回復熱処理を、RTA処理とすることを特徴とする請求項2に記載のシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。
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