JP7412659B2 - スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立品、及び成膜方法 - Google Patents
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Description
当該文献には、磁気記録媒体のヘッドスペーシングの拡大を抑制し、記録密度を向上させることを可能にするために、
(1)非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、前記磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、
(2)前記保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程と
を含み、前記炭化水素系イオンは前記保護層前駆体に到達する際に300eV以上のエネルギーを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法が記載されている。
Coを10~70mol%、Ptを5~30mol%、炭化物を1.5~10mol%、且つ、炭素、酸化物、窒化物及び炭窒化物から選択される一種又は二種以上の非磁性材料を合計で0~30mol%含有する磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
[2]
炭素と炭化物の合計に対する炭化物のモル比が0.25以上である[1]に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
[3]
炭化物として、B4C、Cr3C2及びTiCから選択される一種又は二種以上を含有する[1]又は[2]に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
[4]
B4C、Cr3C2及びTiCから選択される一種又は二種以上を合計で1.5~10mol%含有する[3]に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
[5]
Cr、Ru、B、Ti、Si及びMnから選択される一種又は二種以上の金属元素を合計で30mol%以下含有する[1]~[4]の何れか一項に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
[6]
相対密度が90%以上である[1]~[5]の何れか一項に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
[7]
[1]~[6]の何れか一項に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材と、当該スパッタリングターゲット部材に接合されたバッキングチューブ又はバッキングプレートとを備えたスパッタリングターゲット組立品。
[8]
[1]~[6]の何れか一項に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材をスパッタリングすることを含む成膜方法。
(1-1.組成)
本発明に係るスパッタリングターゲット部材は一実施形態において、Coを10~70mol%、Ptを5~30mol%、炭化物を1.5~10mol%、且つ、炭素、酸化物、窒化物及び炭窒化物から選択される一種又は二種以上の非磁性材料を合計で0~30mol%含有する。当該組成は、スパッタリングターゲット部材全体に占める炭化物の比率が高く、これがスパッタ時のパーティクルの抑制に寄与する。
上記スパッタリングターゲット部材はより好適な実施形態において、B4C及びCr3C2から選択される一種又は二種を合計で1.5~10mol%含有し、好ましくは1.8~8.0mol%含有し、より好ましくは2.0~6.0mol%含有する。
上記スパッタリングターゲット部材は更により好適な実施形態において、B4Cを1.5~10mol%含有し、好ましくは1.8~8.0mol%含有し、より好ましくは2.0~6.0mol%含有する。
酸化物の例としては、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Co、Cr、Dy、Er、Eu、Ga、Gd、Ho、Li、Mg、Mn、Nb、Nd、Pr、Sc、Si、Sm、Sr、Ta、Tb、Ti、V、Y、Zn及びZrから選択される元素の一種又は二種以上の酸化物が挙げられる。酸化物の中では、B、Co、Cr、Si及びTiから選択される元素の一種又は二種以上の酸化物が好ましい。
窒化物の例としては、Al、B、Ca、Nb、Si、Ta、Ti及びZrから選択される元素の一種又は二種以上の窒化物が挙げられる。
炭窒化物の例としては、Ti、Cr、V及びZrから選択される元素の一種又は二種以上の炭窒化物が挙げられる。
本発明に係るスパッタリングターゲット部材は一実施形態において、相対密度が90%以上であることが好ましく、95%以上であることがより好ましい。相対密度は例えば90%~100%とすることができる。これにより、成膜時の異常放電(アーキング)の発生が少なく、均一な薄膜を作製することができる。本明細書において、相対密度は、スパッタリングターゲット部材の実測密度を計算密度(理論密度ともいう)で割り返して求めた値である。実測密度はアルキメデス法により測定される。計算密度は、ターゲット部材の原料粉末の構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度であり、次式で計算される。
式:計算密度=Σ(原料粉末の構成成分の分子量×原料粉末の構成成分のモル濃度)/Σ(原料粉末の構成成分の分子量×原料粉末の構成成分のモル濃度/原料粉末の構成成分の文献値密度)
ここで、Σは、ターゲット部材の不純物以外の構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
本発明に係るスパッタリングターゲット部材は、粉末焼結法を用いて、例えば、以下の方法によって作製することができる。
本発明は一実施形態において、上記スパッタリングターゲット部材を用いてスパッタリングする工程を含む成膜方法を提供する。スパッタ条件は適宜設定することができる。
原料粉末として、以下の粉末を用意した。何れも99.9質量%以上の高純度品であり、表示成分及び不可避的不純物以外は含まない。これらの粉末のメジアン径は篩別して適宜調整した。
Co粉末:メジアン径(D50)=3.3μm
Pt粉末:メジアン径(D50)=21.8μm
Cr粉末:メジアン径(D50)=2.7μm
B粉末:メジアン径(D50)=3.9μm
C粉末:メジアン径(D50)=25.5μm
B4C粉末:メジアン径(D50)=0.5μm
Cr3C2粉末:メジアン径(D50)=1.2μm
TiC粉末:メジアン径(D50)=5.1μm
B2O3粉末:メジアン径(D50)=0.5μm
TiO2粉末:メジアン径(D50)=0.9μm
CoO粉末:メジアン径(D50)=2.1μm
上記手順により得られた各スパッタリングターゲット部材について、先述した方法(相対密度=実測密度/理論密度×100%)に従って、相対密度を測定した。結果を表1に示す。
上記手順により得られた各スパッタリングターゲット部材をマグネトロンスパッタ装置(株式会社キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、合計2時間のプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒子径が0.07μm以上のパーティクルの個数を表面異物検査装置(KLA-Tencor社製Candela CS920)で測定した。結果を表2に示す。
Claims (8)
- Coを10~70mol%、Ptを5~30mol%、炭化物を1.5~10mol%、且つ、炭素、酸化物、窒化物及び炭窒化物から選択される一種又は二種以上の非磁性材料を合計で0~30mol%含有し、炭素と炭化物の合計に対する炭化物のモル比が0.25以上である磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
- 炭素と炭化物の合計に対する炭化物のモル比が0.4以上である請求項1に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
- 炭化物として、B4C、Cr3C2及びTiCから選択される一種又は二種以上を含有する請求項1に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
- B4C、Cr3C2及びTiCから選択される一種又は二種以上を合計で1.5~10mol%含有する請求項3に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
- Cr、Ru、B、Ti、Si及びMnから選択される一種又は二種以上の金属元素を合計で30mol%以下含有する請求項1に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
- 相対密度が90%以上である請求項1に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材。
- 請求項1~6の何れか一項に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材と、当該スパッタリングターゲット部材に接合されたバッキングチューブ又はバッキングプレートとを備えたスパッタリングターゲット組立品。
- 請求項1~6の何れか一項に記載の磁気記録層用スパッタリングターゲット部材をスパッタリングすることを含む成膜方法。
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