JP7397238B1 - 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 - Google Patents
電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7397238B1 JP7397238B1 JP2023524165A JP2023524165A JP7397238B1 JP 7397238 B1 JP7397238 B1 JP 7397238B1 JP 2023524165 A JP2023524165 A JP 2023524165A JP 2023524165 A JP2023524165 A JP 2023524165A JP 7397238 B1 JP7397238 B1 JP 7397238B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electron beam
- potential
- regulating member
- positional deviation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 61
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 106
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 81
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 180
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 138
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 31
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 69
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 63
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 55
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 45
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 22
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 21
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 18
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 10
- 238000005316 response function Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 4
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 231100000628 reference dose Toxicity 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004556 laser interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2061—Electron scattering (proximity) correction or prevention methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
- H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
- H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
- H01J2237/0045—Neutralising arrangements of objects being observed or treated using secondary electrons
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
- H01J2237/30461—Correction during exposure pre-calculated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
電子ビームを放出する放出源と、
電子ビームを用いてパターンが描画される試料を載置するステージと、
ステージに試料が載置されたときに試料の上流となるように配置され、試料に対して正の固定電位に設定される電位規定部材と、
電位規定部材が上述した固定電位となるように試料若しくは電位規定部材に電圧を印加する電位印加回路と、
電位規定部材が上述した固定電位の状態で、試料が電子ビームで照射された場合に生じる試料面上での電子ビームの位置ずれを補正する補正回路と、
を備えたことを特徴とする。
ステージに載置された試料の上流に配置された電位規定部材が、試料に対して正の固定電位となるように、試料若しくは電位規定部材に定電圧を印加し、
電位規定部材が上述した固定電位の状態で、試料が電子ビームで照射された場合に生じる試料面上での電子ビームの位置ずれを補正し、
電子ビームを用いて試料にパターンを描画する、
ことを特徴とする
図1は、実施の形態1における描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画機構150および制御系回路160を備えている。描画装置100は、電子ビーム描画装置の一例である。図1の例では、描画装置100として、シングルビームを用いた可変成形型の描画装置の一例を示している。描画機構150は、電子鏡筒1と描画室14を有している。電子鏡筒1内には、電子銃5、照明レンズ7、第1の成形アパーチャ基板8、投影レンズ9、偏向器10、第2の成形アパーチャ基板11、対物レンズ12、偏向器13、電極基板20(電位規定部材の一例)、及び検出器19が配置される。
図12は、実施の形態1の変形例における電位規定部材の他の一例と試料とを示す断面図である。図11及び図12の例では、電極基板20の代わりに、導電性の反射電子防止板20b(電位規定部材の他の一例)を配置する。反射電子防止板20bは、例えば試料2表面を覆うサイズ程度の外径寸法に形成され、中央部に電子ビームが通過する開口部が形成される。また、かかる中央部の開口部の周囲には、反射電子或いは2次電子の一部を上流に導くために、反射電子或いは2次電子の螺旋軌道に沿った複数の孔が形成される。かかる複数の孔は、上面から見る場合に例えば正6角形に形成されると好適である。これにより、ハニカム構造を構成でき、多くの孔を形成できる。これにより、試料2から放出された2次電子等を複数の孔に侵入させ易くでき、試料2に戻る2次電子等を低減させる効果を高めることができる。よって、中心の電子ビームが通過する開口部の開口面積を小さくできる。
図14は、実施の形態1の変形例における電位規定部材の他の一例と試料とを示す正面断面図である。図13及び図14の例では、電極基板20の代わりに、熱シールド機構20c(電位規定部材の他の一例)を用いても好適である。熱シールド機構20cは、導電性の均熱板27と導電性の冷却管28とを有する。均熱板27は、例えば試料2表面を覆うサイズ程度の外径寸法に形成され、中央に電子ビームが通過する開口部が形成される。冷却管28は、均熱板27上に配置され、均熱板27の周に沿って配置される。冷却管28は上下の部分に分割し、例えば下部分の上面側から外周部に沿って略一周し、略一周流れた位置で折り返し、外周部に沿って戻る流路17a~17hを彫り込み、それから上下の部分を貼り合わせることで形成できる。冷却管28には、流入口16から冷媒が流入し、均熱板27の外周部に沿って流れ、略一周流れた位置で折り返し、外周部に沿って流れ、流出口15から排出される。冷媒として、冷却水が用いられる。熱シールド機構20cを配置することにより、対物レンズ12の励磁により発熱した熱が試料2に伝熱することを抑制できる。
実施の形態2では、放出された2次電子等の試料への戻りを抑制しながら、電子ビームの偏向感度を補正する構成について説明する。以下、特に説明する点以外の内容は実施の形態1と同様である。
実施の形態3では、電子ビームの照射により試料2上のレジスト表面に帯電した帯電量に起因する位置ずれを補正する構成について説明する。以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態1と同様である。
図24は、実施の形態3における描画方法の要部工程の一例の一部を示すフローチャート図である。図23及び図24において、実施の形態3における描画方法は、固定電位印加工程(S90)と、評価パターン描画工程(S92)と、位置ずれ分布測定工程(S94)と、帯電パラメータ取得工程(S96)と、パターン面積密度分布ρ(x,y)演算工程(S100)と、ドーズ量分布D(x,y)算出工程(S102)と、照射強度分布E(x,y)算出工程(S104)と、かぶり電子量分布F(x,y,σ)算出工程(S106)と、帯電量分布C(x,y)算出工程(S109)と、位置ずれ量分布p(x,y)演算工程(S110)と、偏向位置補正工程(S112)と、固定電位印加工程(S114)と、描画工程(S116)と、いう一連の工程を実施する。
(1) D=D0×{(1+2×η)/(1+2×η×ρ)}
式(1)において、D0は基準ドーズ量であり、ηは後方散乱率である。
(2) E(x,y)=ρ(x,y)D(x,y)
(3) g(x,y)=(1/πσ2)×exp{-(x2+y2)/σ2}
(4) F(x,y,σ)
=∫∫g(x-x’,y-y’)E(x’,y’)dx’dy’
(5) C(x,y)=C(E,F)
=CE(E)+CF(F)
=d0+d1×ρ+d2×D+d3×E
+e1×F+e2×F2+e3×F3
上述した各実施の形態では、シングルビームを用いた描画装置に位置ずれ補正を適用した場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態4では、マルチビームを用いた描画装置に位置ずれ補正を適用した場合について説明する。例えば、実施の形態1の描画装置としてマルチビームを用いた描画装置を適用しても好適である。実施の形態4では、例えば、帯電効果補正を適用する場合について説明する。
実施の形態5では、放出された2次電子等の試料への戻りを抑制しながら、マルチ電子ビームのアレイ形状を補正する構成について説明する。以下、特に説明する点以外の内容は実施の形態4と同様である。
2 試料
3 XYステージ
4 ミラー
5 電子銃
6 電子ビーム
7 照明レンズ
8 第1の成形アパーチャ基板
9 投影レンズ
10 偏向器
11 第2の成形アパーチャ基板
12 対物レンズ
13 偏向器
14 描画室
15 流出口
16 流入口
17 流路
18 マーク
19 検出器
20 電極基板
21 マルチビーム
22 基板カバー
20b 反射電子防止板
20c 熱シールド機構
20d 対物レンズ保持部材
20e 筒状電極
27 均熱板
28 冷却管
29 電極基板
30 描画制御部
31 パターン面積密度分布演算部
32 ドーズ量分布算出部
33 照射強度算出部
34 かぶり電子量分布算出部
35 帯電量分布算出部
36 位置ずれ量分布演算部
37 帯電パラメータ取得部
39 アレイパラメータ取得部
40 位置ずれ補正マップ作成部
41 ショットデータ生成部
42 位置ずれ補正部
43 成形偏向器制御部
44 対物偏向器制御部
45 ステージ位置検出機構
46 ステージ制御機構
47 照射量変調部
48 電位印加回路
49 静電レンズ制御回路
50 偏向感度測定部
52 偏向感度パラメータ取得部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
132,134 DACアンプユニット
138 ステージ制御機構
139 ステージ位置測定器
140,142 記憶装置
141 メモリ
146 外部I/F回路
150 描画機構
160 制御系回路
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ基板
204 ブランキングアパーチャアレイ機構
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208,209 偏向器
210 ミラー
212 4極子レンズ
220 電極基板
222 基板カバー
224 マーク
226 検出器
300 描画装置
350 描画機構
360 制御系回路
Claims (12)
- 電子ビームを放出する放出源と、
前記電子ビームを用いてパターンが描画される試料を載置するステージと、
前記ステージに前記試料が載置されたときに、前記試料との間に描画中に可変する電位が印加される電極が配置されない状態で、前記試料の上流となるように配置され、前記試料に対して正の固定電位に設定される電位規定部材と、
前記電位規定部材が前記固定電位となるように前記試料若しくは前記電位規定部材に電圧を印加する電位印加回路と、
前記電位規定部材が前記固定電位の状態で、前記試料が電子ビームで照射された場合に生じる前記試料面上での前記電子ビームの位置ずれを補正する補正回路と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記電位規定部材の上流にのみ、描画中に可変する電位が印加される電極が配置されることを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。
- 前記補正回路は、前記電位規定部材が前記固定電位の状態で前記試料面に形成される電位分布に起因する前記位置ずれを補正することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。
- 前記電位分布を生じさせる構造物をさらに備えたことを特徴とする請求項3記載の電子ビーム描画装置。
- 前記試料の表面にはレジストが塗布されており、
前記補正回路は、前記レジストの帯電に起因する前記位置ずれを補正することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 - 前記試料は、マルチ電子ビームで照射され、
前記補正回路は、前記マルチ電子ビームのビームアレイ形状のずれを補正することにより前記位置ずれを補正することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 - 前記電子ビームを前記試料上へと偏向する偏向器をさらに備え、
前記補正回路は、前記電子ビームの偏向感度を補正することにより前記位置ずれを補正することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 - 前記試料と前記電位規定部材との間に配置され、前記試料と同電位に制御される他の電位規定部材をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。
- 磁場を生じさせ、前記電子ビームを前記試料面に結像する対物レンズをさらに備え、
前記電位規定部材は、前記対物レンズの内周側において、前記対物レンズよりも前記試料側の高さ位置から前記対物レンズの磁場の強度が閾値以下となる高さ位置まで延びる面を有することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 - 前記電位規定部材として、中央部に前記電子ビームが通過する開口部が形成された電極基板が用いられることを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。
- 前記電子ビームを前記試料面に結像する対物レンズをさらに備え、
前記電位規定部材として、前記対物レンズのポールピースが用いられることを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 - ステージに載置された試料との間に描画中に可変する電位が印加される電極が配置されない状態で、前記試料の上流に配置された電位規定部材が、前記試料に対して正の固定電位となるように、前記試料若しくは前記電位規定部材に定電圧を印加し、
前記電位規定部材が前記固定電位の状態で、前記試料が電子ビームで照射された場合に生じる前記試料面上での前記電子ビームの位置ずれを補正し、
前記電子ビームを用いて前記試料にパターンを描画する、
ことを特徴とする電子ビーム描画方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2022/034317 WO2024057429A1 (ja) | 2022-09-14 | 2022-09-14 | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7397238B1 true JP7397238B1 (ja) | 2023-12-12 |
Family
ID=89117188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023524165A Active JP7397238B1 (ja) | 2022-09-14 | 2022-09-14 | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240087845A1 (ja) |
JP (1) | JP7397238B1 (ja) |
KR (1) | KR20240038644A (ja) |
CN (1) | CN118043943A (ja) |
TW (1) | TW202412048A (ja) |
WO (1) | WO2024057429A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013120634A (ja) | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査イオン顕微鏡および二次粒子制御方法 |
JP2018170435A (ja) | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム照射装置及び電子ビームのダイナミックフォーカス調整方法 |
JP2021180224A (ja) | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5480496B2 (ja) | 2008-03-25 | 2014-04-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5480555B2 (ja) | 2009-08-07 | 2014-04-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
2022
- 2022-09-14 JP JP2023524165A patent/JP7397238B1/ja active Active
- 2022-09-14 KR KR1020237028836A patent/KR20240038644A/ko unknown
- 2022-09-14 CN CN202280021402.2A patent/CN118043943A/zh active Pending
- 2022-09-14 WO PCT/JP2022/034317 patent/WO2024057429A1/ja unknown
-
2023
- 2023-03-24 TW TW112111107A patent/TW202412048A/zh unknown
- 2023-07-20 US US18/355,681 patent/US20240087845A1/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013120634A (ja) | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査イオン顕微鏡および二次粒子制御方法 |
JP2018170435A (ja) | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム照射装置及び電子ビームのダイナミックフォーカス調整方法 |
JP2021180224A (ja) | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240038644A (ko) | 2024-03-25 |
WO2024057429A1 (ja) | 2024-03-21 |
US20240087845A1 (en) | 2024-03-14 |
TW202412048A (zh) | 2024-03-16 |
CN118043943A (zh) | 2024-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9343268B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method | |
TWI485745B (zh) | Multi - charged particle beam rendering method and multi - charged particle beam rendering device | |
JP6951922B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームの位置ずれ補正方法 | |
JP6951174B2 (ja) | 電子ビーム装置及び電子ビームの位置ずれ補正方法 | |
US8129698B2 (en) | Charged-particle beam writing method and charged-particle beam writing apparatus | |
US9852876B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method | |
US10916406B2 (en) | Multiple charged particle beam writing apparatus and multiple charged particle beam writing method | |
TWI712067B (zh) | 資料處理方法、資料處理裝置以及多帶電粒子束描繪裝置 | |
JP7183315B2 (ja) | マルチビーム描画機におけるブラー変化の補正 | |
US20200258716A1 (en) | Multi-charged-particle beam writing apparatus and multi-charged-particle beam writing method | |
JP2016207815A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
EP2509099B1 (en) | Electron beam exposure method | |
JP7397238B1 (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
US10283314B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus, and charged particle beam writing method | |
US11024485B2 (en) | Multi-charged-particle-beam writing apparatus and beam evaluating method for the same | |
JP2008311311A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 | |
US10586682B2 (en) | Method of obtaining beam deflection shape and method of obtaining arrangement angle of blanking aperture array plate | |
JP2018026516A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 | |
JP7176480B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
US10157723B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus and method of adjusting the same | |
JP2023056384A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527 Effective date: 20230419 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7397238 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |