JP7367681B2 - フッ素ガス含有ガスの供給方法及び供給設備 - Google Patents
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Description
特許文献1、2に開示のガス供給方法によれば、シール材の熱変形等を防ぐことはできるものの、衝撃波減衰機構が必要であるため、クリーニングガスの供給設備における装置構成が複雑となるだけでなく、十分な流量のクリーニングガスを消費設備へ供給できないおそれがあった。
特許文献3に開示のガス供給方法によれば、クリーニングガスの供給設備の装置構成が複雑となることがないことに加えて、十分な流量のクリーニングガスを消費設備へ供給することが可能である。
[1] フッ素ガス含有ガスの供給設備から、前記フッ素ガス含有ガスを消費する消費設備へ、前記フッ素ガス含有ガスを供給する方法であって、
前記供給設備は、第1のフッ素ガス含有ガスが充填されている充填容器と、前記充填容器の容器弁と前記消費設備とを連通する配管と、前記配管に設けられガス圧力を調整しつつ上流側から下流側へガスを通す圧力調整器と、前記配管のうち前記圧力調整器よりも上流側の部分に接続されたバッファタンクと、を備え、
前記圧力調整器を閉状態とした上で、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分に、前記第1のフッ素ガス含有ガスのフッ素ガス濃度に対して±10%の範囲内のフッ素ガス濃度を有する第2のフッ素ガス含有ガスを、前記充填容器内のガス圧力よりも低い圧力になるように導入する封入工程を行ない、
該封入工程の後に、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分に前記第2のフッ素ガス含有ガスが封入されたままの状態で、且つ、前記バッファタンクを開状態として、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分へ、前記充填容器から前記第1のフッ素ガス含有ガスを導入し、その後に、前記圧力調整器を開状態として、前記圧力調整器によって圧力を調整しつつ前記第1のフッ素ガス含有ガスを前記消費設備へ供給するフッ素ガス含有ガスの供給方法。
[3] 前記第2のフッ素ガス含有ガスとして、圧力及びフッ素ガス濃度が前記第1のフッ素ガス含有ガスと同一のフッ素ガス含有ガスを用いる[1]に記載のフッ素ガス含有ガスの供給方法。
[4] 前記供給設備において使用されている仕切弁がダイヤフラム弁である[1]~[3]のいずれか一項に記載のフッ素ガス含有ガスの供給方法。
[6] 前記圧力調整器の構成部品であるシートの材質が三フッ化塩化エチレン樹脂である[1]~[5]のいずれか一項に記載のフッ素ガス含有ガスの供給方法。
[7] 前記消費設備が半導体製造装置である[1]~[6]のいずれか一項に記載のフッ素ガス含有ガスの供給方法。
第1のフッ素ガス含有ガスが充填されている充填容器と、前記充填容器の容器弁と前記消費設備とを連通する配管と、前記配管に設けられガス圧力を調整しつつ上流側から下流側へガスを通す圧力調整器と、前記配管のうち前記圧力調整器よりも上流側の部分に接続されたバッファタンクと、を備え、
該バッファタンクの容積が、前記充填容器の容積に対して0.1%以上10%以下であるフッ素ガス含有ガスの供給設備。
〔実施例1〕
図1の供給設備1と同様の設備を用いて、上記と同様にしてフッ素ガス含有ガスを消費設備に供給した。図1を参照しながら詳細に説明する。
フッ素ガス含有ガス(第1のフッ素ガス含有ガス)をガス圧力14MPaで充填した容積5Lの充填容器2を用意した。この第1のフッ素ガス含有ガスは、フッ素ガス濃度が20体積%となるようにフッ素ガスを窒素ガスで希釈したものである。また、第1のフッ素ガス含有ガスと同一組成のフッ素ガス含有ガスを第2のフッ素ガス含有ガスとして備える第2のフッ素ガス含有ガス供給源16を用意した。
パージ処理工程後の封入工程における第2のフッ素ガス含有ガスの配管4への充填圧力を、充填容器2内のガス圧力の50%の7MPaとした。バッファタンク9の容積を、充填容器2の容積の1%の50mLとした。
パージ処理工程までは実施例1と同様の操作を行った。その後、第3仕切弁11を閉状態、第1仕切弁8、第2仕切弁10、及び容器弁3を開状態として、充填容器2内の第1のフッ素ガス含有ガスを配管4の上流側部分及びバッファタンク9に導入した。その際には、第2圧力計6の測定値が7MPaになるまで10秒かけて第1のフッ素ガス含有ガスを導入し、続けて、第2圧力計6の測定値が14MPaになるまで10秒かけて第1のフッ素ガス含有ガスをさらに導入した。これにより、封入工程と、その後の充填容器2からの配管4の上流側部分への第1のフッ素ガス含有ガスの導入とを、連続的に行った。
以上の操作を繰り返し100回実施した後に、圧力14MPaのヘリウムガスを用いて(第2圧力計6の測定値が14MPaとなるようにして)、第1仕切弁8及び圧力調整器7のシートリーク検査を実施した。その結果、第1仕切弁8及び圧力調整器7のシートリークは認められなかった。
バッファタンク9を取り外し、第2仕切弁10を常時閉状態とした点以外は、実施例1と同様の操作を行って、消費設備20への供給圧力を充填容器2内のガス圧力の10%(1.4MPa)に調整しつつ、第1のフッ素ガス含有ガスを消費設備20へ供給した。実施例1と同様にして第1仕切弁8及び圧力調整器7のシートリーク検査を実施したところ、圧力調整器7のシートリークが認められた。
バッファタンク9が無かったため、充填容器2内のガス圧力がほとんど緩衝されることなく圧力調整器7に加えられたことで、圧力調整器7にダメージが発生したものと考えられる。
2・・・充填容器
3・・・容器弁
4・・・配管
5・・・第1圧力計
6・・・第2圧力計
7・・・圧力調整器
8・・・第1仕切弁
9・・・バッファタンク
10・・・第2仕切弁
11・・・第3仕切弁
12・・・第4仕切弁
13・・・第5仕切弁
14・・・第6仕切弁
15・・・不活性ガス供給源
16・・・第2のフッ素ガス含有ガス供給源
17・・・真空ポンプ
18・・・第1分岐管
18A、18B、18C・・・枝管
19・・・第2分岐管
20・・・消費設備
Claims (7)
- フッ素ガス含有ガスの供給設備から、前記フッ素ガス含有ガスを消費する消費設備へ、前記フッ素ガス含有ガスを供給する方法であって、
前記供給設備は、第1のフッ素ガス含有ガスが充填されている充填容器と、前記充填容器の容器弁と前記消費設備とを連通する配管と、前記配管に設けられガス圧力を調整しつつ上流側から下流側へガスを通す圧力調整器と、前記配管のうち前記圧力調整器よりも上流側の部分から分岐している分岐管の下流側端部に仕切弁を介して接続されたバッファタンクと、を備え、
前記圧力調整器を閉状態とした上で、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分に、前記第1のフッ素ガス含有ガスのフッ素ガス濃度に対して±10%の範囲内のフッ素ガス濃度を有する第2のフッ素ガス含有ガスを、前記充填容器内のガス圧力よりも低い圧力になるように導入する封入工程を行ない、
該封入工程の後に、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分に前記第2のフッ素ガス含有ガスが封入されたままの状態で、且つ、前記バッファタンクを開状態として、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分へ、前記充填容器から前記第1のフッ素ガス含有ガスを導入して、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分に封入されていた前記第2のフッ素ガス含有ガスを前記バッファタンクへ送り、その後に、前記圧力調整器を開状態として、前記圧力調整器によって圧力を調整しつつ、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分に導入された前記第1のフッ素ガス含有ガスを前記消費設備へ供給するフッ素ガス含有ガスの供給方法。 - 前記第2のフッ素ガス含有ガスの圧力が、前記充填容器内のガス圧力の45%以上54%以下である請求項1に記載のフッ素ガス含有ガスの供給方法。
- 前記供給設備において使用されている仕切弁がダイヤフラム弁である請求項1又は請求項2に記載のフッ素ガス含有ガスの供給方法。
- 前記封入工程の前に、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分を不活性ガスで置換するパージ処理工程を行なう請求項1~3のいずれか一項に記載のフッ素ガス含有ガスの供給方法。
- 前記圧力調整器の構成部品であるシートの材質が三フッ化塩化エチレン樹脂である請求項1~4のいずれか一項に記載のフッ素ガス含有ガスの供給方法。
- 前記消費設備が半導体製造装置である請求項1~5のいずれか一項に記載のフッ素ガス含有ガスの供給方法。
- フッ素ガス含有ガスを消費する消費設備へ前記フッ素ガス含有ガスを供給する供給設備であって、
第1のフッ素ガス含有ガスが充填されている充填容器と、前記充填容器の容器弁と前記消費設備とを連通する配管と、前記配管に設けられガス圧力を調整しつつ上流側から下流側へガスを通す圧力調整器と、前記配管のうち前記圧力調整器よりも上流側の部分から分岐している分岐管の下流側端部に仕切弁を介して接続されたバッファタンクと、を備え、
前記バッファタンクは、前記配管のうち前記容器弁と前記圧力調整器の間の部分に封入された第2のフッ素ガス含有ガスが送られるためのものであり、
前記第2のフッ素ガス含有ガスは、前記第1のフッ素ガス含有ガスのフッ素ガス濃度に対して±10%の範囲内のフッ素ガス濃度を有するガスであり、
該バッファタンクの容積が、前記充填容器の容積に対して0.1%以上10%以下であるフッ素ガス含有ガスの供給設備。
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