JP4606396B2 - 処理ガス供給システム及び処理ガス供給方法 - Google Patents

Description

本発明は，処理装置へ処理ガスを供給する処理ガス供給システム及び処理ガス供給方法に関する。

半導体製造工場内には熱処理装置，成膜処理装置，エッチング処理装置等の各種の処理装置が配置される。このような処理装置では各種の処理ガスが用いられるので，半導体製造工場内には処理ガス供給源として例えばガスボンベ（シリンダ）に充填されている処理ガスを配管を介して処理装置まで供給するガス供給装置が設置されている。なお，処理ガス供給源としては，ガスボンベの代わりに電解槽を備えるガス発生装置を用いる場合もある（例えば特許文献１参照）。

ガス供給装置の配管は，各処理装置に設けられたガスボックスに接続されている。ガスボックスは，必要に応じてガス導入バルブを開くことによってガス供給装置の配管からの処理ガスを導入し，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）などの流量調整器により流量を調整して処理室（チャンバ）へ供給するようになっている。

従来は，ガス供給装置の稼働中は，例えばガスボンベの交換時（例えば特許文献２参照）やガス漏れ発生時などの例外時を除いて，常にガス供給装置の配管内に処理ガスを充填して処理ガスの使用が可能な状態にしていた。これにより，処理装置側において処理ガスを使用する場合には，ガスボックスのガス導入バルブを開くことで直ちに処理ガスを処理室内へ導入して例えばウエハに対する処理を実行することができる。

また，処理装置側でのウエハの処理が終了すると，ガスボックスのガス導入バルブを閉じることで処理ガスの供給を停止し，その後はウエハの搬出入や処理室内のコンディションの調整などを行ってから，再びガスボックスのガス導入バルブを開いて処理ガスを処理室内へ導入する。

特開２００４−１６９１２３号公報 特開２００３−１４１９３号公報

しかしながら，従来は，上述したようにガス供給装置の稼働中は常に配管内に処理ガスが充填されていたので，ガス供給装置の配管を構成する金属と処理ガスとが接触する時間が非常に長くなっていた。このため，処理ガスの種類（例えばＨＦガスなどの反応性ガス）によっては配管を構成する金属と反応してその配管の内壁に不所望の堆積物（例えば金属フッ化物）が付着する虞がある。

このような配管内における堆積物の発生状況は，処理装置側での処理ガス使用の有無によって異なる傾向にある。例えば処理室内でウエハ処理を実行している間などのように処理装置側で処理ガスを使用しているときには，ガス供給装置の配管内には常に処理ガスが流れているので堆積物が発生し難い。これに対して，処理室内でのウエハ処理が終了してから次のウエハ処理を開始するまでなどのように処理装置側で処理ガスを使用していないときには，ガス供給装置の配管内は処理ガスが滞留するのでその間に配管の内壁に堆積物が発生し易い。

ところが，従来は，処理装置側で処理ガスを使用していないときにも，ガス供給装置の配管内には処理ガスが充填された状態になるので，その間に配管内壁に堆積物が付着し易かった。このため，例えば処理装置側でガス導入バルブを開いたときにその堆積物が配管内壁から剥がれて処理ガスとともに処理室内へ入り込んでパーティクル発生原因になるなどコンタミネーションの問題やバルブ等の内部リークの問題が生じていた。

なお，上記特許文献１，２には，ガスボンベの交換や電解浴の逆流防止のために，一部の配管内のＨＦガスを排気して不活性ガスを導入する点の記載がある。ところが，その他の配管内には常に処理ガスが充填されている点で，上述した従来の場合と同様にその配管内に処理ガスが滞留するため，配管内壁に堆積物が付着し易い。

例えば上記特許文献１には，フッ素ガスを処理ガスとする場合の処理ガス供給源として，ＨＦガスをガス導入バルブ（第１の自動弁）によって電解槽へ導入することによりフッ素を発生させるフッ素ガス発生装置が記載されている。このフッ素ガス発生装置は，ＨＦガスの供給停止時に電解槽からの電解浴が逆流を防止するために，電解槽側の一部の配管（ガス導入バルブの下流側の配管）内のみの残留ガスを不活性ガスに置換するようになっている。ところが，このフッ素ガス発生装置では，ガス導入バルブの開閉でいつでも電解槽にＨＦガスを導入できるように，ガス導入バルブまでの上流側の配管には常にＨＦが充填されている。このため，従来の場合と同様にその配管内に処理ガスが滞留するため，配管内壁に堆積物が付着し易い。

また，上記特許文献２には，ガスボンベ（シリンダ）交換のためにガスボンベを配管から取り外す必要があるため，そのガスボンベ側に接続される配管（１次側配管）内のみを排気して不活性ガスを導入するものが記載されている。ところが，１次側配管のみに不活性ガスを導入しても，２次側配管を含む下流側の配管には常に処理ガスが充填されている。このため，従来の場合と同様にその配管内に処理ガスが滞留するため，配管内壁に堆積物が付着し易い。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，処理装置で処理ガスを使用しない場合には，処理ガス供給源から処理装置までの配管内を不活性ガス充填状態にしてその間に配管内に堆積物が発生することを防止することによって，処理装置に堆積物が入り込むことを防止することができるガス供給システム及びガス供給方法を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，処理ガス（例えばＨＦガスなどの配管を構成する金属との反応性の高いガス）を処理装置まで供給するガス供給システムであって，前記処理ガスを供給する処理ガス供給源と，前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理装置へ供給するガス供給配管と，前記ガス供給配管に不活性ガス（例えばＮ_２ガスなどの配管を構成する金属と反応しないガス）を供給する不活性ガス供給源と，前記ガス供給配管内を真空引き排気する真空引き排気手段と，前記処理装置からの信号を受信し，受信した信号に応じて前記ガス供給配管内の状態を制御する制御装置とを備え，前記制御装置は，システム稼働中は前記ガス供給配管内に不活性ガスを充填して待機し，前記処理装置から処理ガス使用開始信号を受信すると，前記ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始し，前記処理装置から処理ガス使用終了信号を受信すると，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止して前記ガス供給配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填することを特徴とするガス供給システムが提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理ガス（例えばＨＦガス）を処理装置まで供給するガス供給システムのガス供給方法であって，前記ガス供給システムは，前記処理ガスを供給する処理ガス供給源と，前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理装置へ供給するガス供給配管と，前記ガス供給配管に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を供給する不活性ガス供給源と，前記ガス供給配管内を真空引き排気する真空引き排気手段と，前記処理装置からの信号を受信し，受信した信号に応じて前記ガス供給配管内の状態を制御する制御装置とを備え，システム稼働中は前記ガス供給配管内に不活性ガスを充填して待機する工程と，前記制御装置が前記処理装置から処理ガス使用開始信号を受信すると，前記真空引き排気手段により前記ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気し，前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記ガス供給配管内に充填した上で，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始する工程と，前記制御装置が前記処理装置から処理ガス使用終了信号を受信すると，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止し，前記真空引き排気手段により前記ガス供給配管内の処理ガスを真空引き排気した上で，前記不活性ガス供給源からの不活性ガスを前記ガス供給配管内に充填する工程とを有することを特徴とするガス供給システムのガス供給方法が提供される。

このような本発明によれば，処理装置で処理ガスを使用する場合にのみガス供給配管内に処理ガスを充填し，処理装置で処理ガスを使用していない場合には常にガス供給配管内を不活性ガス充填状態にすることができる。これにより，処理装置で処理ガスを使用していない場合には処理ガスと配管内の金属とが接触しないため，その間に配管内に堆積物が付着することを防止できる。このため，その後再び処理装置側で処理ガスを使用するときに，処理装置に堆積物が入り込むことを防止できる。

また，上記装置又は方法において，前記ガス供給配管は，前記処理ガス供給源側の１次配管と，前記処理装置側の２次配管に分けられ，前記ガス供給配管内に処理ガスを充填する際には，先に前記１次配管を真空引きして不活性ガスを排気してから前記第２次配管を真空引きして不活性ガスを排気した上で，前記１次配管及び前記２次配管に処理ガスを充填し，前記ガス供給配管内に不活性ガスを充填する際には，先に前記２次配管を真空引きして処理ガスを排気してから前記第１次配管を真空引きして処理ガスを排気した上で，前記１次配管及び前記２次配管に不活性ガスを充填することが好ましい。

このように，ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気する際には，処理装置側の２次配管に不活性ガスを充填したまま，先に処理ガス供給源側の１次配管を真空引き排気するので，処理装置内の配管に影響を与えることなく，確実に配管内を真空引き排気することができる。また，ガス供給配管内の処理ガスを真空引き排気する際には，処理装置側の２次配管を先に真空引き排気することによって，処理装置側に近い配管の処理ガスをより早く排気することができる。

また，上記装置又は方法において，前記ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気した後は，処理ガスを充填する前に前記ガス供給配管内の不活性ガス導入と真空引きとをこの順序で複数回繰返すパージを行い，前記ガス供給配管内の処理ガス供給を停止した後は，その配管内の真空引きと不活性ガス導入とをこの順序で複数回繰返すパージを行うことが好ましい。これにより，ガス供給配管内の残留ガスや不純物などを確実に除去することができる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理ガス（例えばＨＦガス）を複数の処理装置までそれぞれ供給するガス供給システムであって，前記処理ガスを供給する処理ガス供給源と，前記処理ガス供給源に接続されたガス供給配管と，前記ガス供給配管からの処理ガスを分岐して前記複数の処理装置にそれぞれ供給する複数の分岐配管と，前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を供給する不活性ガス供給源と，前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管を真空引き排気する真空引き排気手段と，前記処理装置からの信号を受信し，受信した信号に応じて前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管内の状態を制御する制御装置とを備え，前記制御装置は，システム稼働中は前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管内に不活性ガスを充填して待機し，前記処理装置からの処理ガス使用開始信号を受信すると，前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管のうちの使用する配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して処理ガス供給を開始し，前記処理装置からの処理ガス使用終了信号を受信すると，その信号発生元の処理装置への処理ガス供給を停止して前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管のうちの使用しなくなる配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填することを特徴とするガス供給システムが提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理ガス（例えばＨＦガス）を複数の処理装置までそれぞれ供給するガス供給システムのガス供給方法であって，前記ガス供給システムは，前記処理ガスを供給する処理ガス供給源と，前記処理ガス供給源に接続されたガス供給配管と，前記ガス供給配管からの処理ガスを分岐して前記複数の処理装置にそれぞれ供給する複数の分岐配管と，前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を供給する不活性ガス供給源と，前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管を真空引き排気する真空引き排気手段と，前記処理装置からの信号を受信し，受信した信号に応じて前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管内の状態を制御する制御装置とを備え，システム稼働中は前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管内に不活性ガスを充填して待機する工程と，前記制御装置が前記処理装置からの処理ガス使用開始信号を受信すると，前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管のうちの使用する配管内の不活性ガスを真空引き排気した上で，処理ガスを充填して処理ガス供給を開始する工程と，前記処理装置からの処理ガス使用終了信号を受信すると，その信号発生元の処理装置への処理ガス供給を停止して前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管のうちの使用しなくなる配管内の処理ガスを真空引き排気した上で，不活性ガスを充填する工程と，を有することを特徴とするガス供給システムのガス供給方法が提供される。

このような本発明によれば，処理装置で処理ガスを使用する場合にのみガス供給配管内及び各分岐配管のうち処理ガス供給に使用する配管内のみに処理ガスを充填し，処理装置で処理ガスを使用しない場合にはガス供給配管内及び各分岐配管のうち使用しない配管内を不活性ガス充填状態にすることができる。これにより，処理装置で処理ガスを使用しない場合には当該配管内の金属と処理ガスとが接触しないため，その間に当該配管内に堆積物が付着することを防止できる。このため，その後再び処理装置側で処理ガスを使用するときに，処理装置に堆積物が入り込むことを防止できる。

また，上記装置又は方法において，前記制御装置は，前記処理装置から処理ガス使用開始信号を受信すると，その信号発信元の処理装置以外の他の処理装置が処理ガス使用中か否かを判断し，前記他の処理装置が処理ガス使用中であると判断した場合は，信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内のみの不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して，前記ガス供給配管からの処理ガス供給を開始し，前記他の処理装置が処理ガス使用中でないと判断した場合は，前記ガス供給配管内及び信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始することが好ましい。これにより，処理ガス使用開始信号を受信したときは，処理ガス供給に使用する配管のみを真空引き排気して処理ガスを充填することができる。

また，上記装置又は方法において，前記制御装置は，前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に処理ガスを充填する際には，先に前記ガス供給配管内を真空引き排気してから前記分岐配管を真空引き排気した上で前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に処理ガスを充填することが好ましい。このように，ガス供給配管内及び分岐配管内の両方の不活性ガスを真空引き排気する際には，処理装置側の分岐配管に不活性ガスを充填したまま，先に処理ガス供給源側のガス供給配管を真空引き排気するので，処理装置側の配管に影響を与えることなく，確実に配管内を真空引き排気することができる。

また，上記装置又は方法において，前記制御装置は，前記処理装置から処理ガス使用終了信号を受信すると，その信号発信元の処理装置以外の他の処理装置が処理ガス使用中か否かを判断し，前記他の処理装置が処理ガス使用中であると判断した場合は，前記ガス供給配管からの処理ガス供給を停止し，前記信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内のみの処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填し，前記他の処理装置が処理ガス使用中でないと判断した場合は，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止し，前記ガス供給配管内及び信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填することが好ましい。これにより，処理ガス使用終了信号を受信したときは，処理ガス供給で使用しなくなる配管のみを真空引き排気して不活性ガスを充填することができる。

また，上記装置又は方法において，前記制御装置は，前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に不活性ガスを充填する際には，先に前記分岐配管内を真空引き排気してから前記ガス供給配管内を真空引き排気した上で前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に不活性ガスを充填することが好ましい。このように，ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方の処理ガスを真空引き排気する際には，処理ガス供給源側の分岐配管を先に真空引き排気することによって，処理装置側に近い配管の処理ガスをより早く排気することができる。

また，上記装置又は方法において，前記制御装置は，前記使用する配管内の不活性ガスを真空引き排気した後は，処理ガスを充填する前に当該配管内の不活性ガス導入と真空引きとをこの順序で複数回繰返すパージを行い，前記使用しなくなる配管内の処理ガス供給を停止した後は，その配管内の真空引きと不活性ガス導入とをこの順序で複数回繰返すパージを行うことが好ましい。これにより，ガス供給配管内の残留ガスや不純物などを確実に除去することができる。

本発明によれば，処理装置で処理ガス使用の有無に応じて処理ガス供給源から処理装置までの配管内の状態を制御することによって，処理装置で処理ガスを使用しない場合には，上記配管内を不活性ガス充填状態にできるので，その間に配管内に堆積物が発生することを防止することができる。これにより，その後に処理装置側で再び処理ガスを使用するときに，処理装置に堆積物が入り込むことを防止することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（第１実施形態にかかるガス供給システム）
先ず，本発明の第１実施形態にかかるガス供給システムについて説明する。図１は第１実施形態にかかるガス供給システムの概略構成を示すブロック図であり，図２は図１に示すガス供給システムの配管構成例を示す図である。第１実施形態にかかるガス供給システムは，図１に示すように処理装置１００に処理ガスを供給するガス供給装置３００を備える。

ガス供給装置３００は，処理ガス供給源からの処理ガスを処理ガス供給配管（ガス供給配管）２２０を介して処理装置１００へ供給するシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００と，シリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００内の各部（例えばバルブ等）の制御を行う制御装置３１０とを備える。一方，処理装置（Ｍ／Ｃ）１００は，例えば半導体ウエハやＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板などの被処理基板に処理ガスを用いてエッチング処理，成膜処理等を施す処理室（チャンバ）１１０と，処理ガス供給配管２２０からの処理ガスをガス導入バルブを開いて導入し，その流量を調整して処理室１１０に供給するガスボックス１２０と，処理装置１００の各部（ガスボックス１２０のバルブ等や処理室１１０への高周波電力の供給等）を制御するＭ／Ｃ制御部１３０とを備える。

このようなシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００及び処理装置１００の配管構成例について図２を参照しながら説明する。シリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００は，図２に示すように処理ガス（例えばＨＦガス）を充填した処理ガス供給源としてのガスボンベ２１０を備える。ガスボンベ２１０には処理ガス供給配管２２０が接続されている。

処理ガス供給配管２２０には，ガスボンベ２１０側から順にエアバルブＡＶ１，ＡＶ２が設けられている。これらエアバルブＡＶ１，ＡＶ２によって，処理ガス供給配管２２０はガスボンベ２１０側から順に第１配管２２２，第２配管２２４，第３配管２２６に分けられる。なお，第１実施形態における第１，第２配管２２２，２２４はガスボンベ２１０側の１次配管を構成し，第３配管２２６は処理装置１００側の２次配管を構成する。

処理ガス供給配管２２０には，その配管内に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を所定の圧力で供給するための不活性ガス供給源２３０が不活性ガス供給配管２３２を介して接続されている。具体的には図２に示すように，不活性ガス供給配管２３２は例えば第１配管２２２にエアバルブＡＶ３を介して接続されている。また，不活性ガス供給配管２３２には，この不活性ガス供給配管２３２を開閉する元バルブとしてのエアバルブＡＶ−Ｎが設けられている。従って，これらエアバルブＡＶ−Ｎ，ＡＶ３を制御することにより，第１配管２２２から処理ガス供給配管２２０に不活性ガスを供給することができる。

また，処理ガス供給配管２２０には，その配管内の真空引き排気を行うための真空発生器２４０が排気管２４６を介して接続されている。具体的には図２に示すように，排気管２４６は分岐して，第２配管２２４にエアバルブＡＶ５，ＡＶ４を介して接続されるとともに，第３配管２２４，２２６にエアバルブＡＶ７，ＡＶ６を介して接続されている。なお，真空発生器２４０は，例えばこのガス供給システムが設置される工場内の排気設備などに接続されており，排気管２４６からの排気は真空発生器２４０を介して上記排気設備などに排出される。

真空発生器２４０は，上記不活性ガス供給源２３０に配管２４７を介して接続されている。なお，配管２４７には，エアバルブＡＶ−ＶＧが設けられている。このエアバルブＡＶ−ＶＧを開くと，不活性ガス供給源２３０からの不活性ガスは配管２４７を通って真空発生器２４０に流れて排気される。このように，不活性ガスが配管２４７を介して真空発生器２４０に流れることによって，排気管２４６を介して第２配管２２４，第３配管２２６を真空引き排気することができる。

なお，各エアバルブＡＶ１〜ＡＶ７，ＡＶ−Ｎ，ＡＶ−ＶＧ及びガスボンベ２１０のバルブＣＶはそれぞれ，図１に示す制御装置３１０により制御されるようになっている。制御装置３１０は，例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ），ＣＰＵが処理を行うために使用するＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ），ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ），ＣＰＵが行う各種のプログラムを記憶するためのハードディスクやメモリなどの記憶手段を備える。

処理装置（Ｍ／Ｃ）１００のガスボックス１２０は，シリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００からの処理ガスを導入して処理室１１０へ供給するガス導入配管１２２を備える。ガス導入配管１２２にはガス導入バルブとしてのエアバルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓが設けられており，これらエアバルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓの間には，ガス導入配管１２２を流れる処理ガスの流量を調整する流量調整器として例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１２４が設けられている。

なお，各エアバルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓ，ＭＦＣ１２４はそれぞれ，図１に示すＭ／Ｃ制御部１３０によって制御されるようになっている。Ｍ／Ｃ制御部１３０は，例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ），ＣＰＵが処理を行うために使用するＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ），ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ），ＣＰＵが行う各種のプログラムを記憶するためのハードディスクやメモリなどの記憶手段を備える。

本実施形態におけるＭ／Ｃ制御部１３０では，処理室１１０内で処理ガスを用いた処理を行う際に処理ガス使用開始信号（Ｓ）を制御装置３１０に送信し，処理室１１０内で処理ガスを用いた処理が終了すると，処理ガス使用終了信号（Ｆ）を制御装置３１０に送信するようになっている。制御装置３１０はこれらのＭ／Ｃ制御部１３０からの信号に基づいて，各配管内を排気して処理ガス又は不活性ガスを導入するガス供給処理を行う。

（第１実施形態におけるガス供給処理の具体例）
次に，第１実施形態にかかる処理ガス供給システムによって行われるガス供給処理の具体例を図面を参照しながら説明する。図３は，第１実施形態にかかるガス供給処理の具体例を示すフローチャートである。このガス供給処理は，処理ガス供給システムを稼働すると，例えば記憶手段に記憶された所定のプログラムに基づいて制御装置３１０がシリンダキャビネット２００の各部を制御することによって実行される。

ステップＳ１１２にて処理ガス供給配管２２０内を真空発生器２４０により真空引き排気し，ステップＳ１１４にて処理ガス供給配管２２０内を不活性ガス供給源２３０からの不活性ガス（例えばＮ_２ガス）によりパージする。ここでは，例えば真空発生器２４０による真空引きと不活性ガスの供給を複数回繰り返すことにより，処理ガス供給配管２２０内をパージする。処理ガス供給配管２２０内のパージが終了すると，ステップＳ１１６にて処理ガス供給配管２２０内に不活性ガスを所定の圧力で充填する。

この状態で，ステップＳ１１８にて処理ガス使用開始信号（Ｓ）の受信待ち（待機）となる。このとき，処理装置１００において処理ガスの使用を開始する際に，Ｍ／Ｃ制御部１３０から制御装置３１０に処理ガス使用開始信号（Ｓ）を送信する。例えば処理室１１０のコンディションが整って処理室１１０内に半導体ウエハが搬入されるタイミングで処理ガス使用開始信号（Ｓ）を送信するようにしてもよい。

そして，ステップＳ１１８にて制御装置３１０がＭ／Ｃ制御部１３０から処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信すると，ステップＳ２００にて処理ガス供給開始処理を行うようになっている。処理ガス供給開始処理では，例えば処理ガス供給配管２２０内を真空引き排気し，ガスボンベ２１０のバルブＣＶ等必要なバルブを開放状態にして処理ガス供給配管２２０内に処理ガスを所定の圧力で充填する。こうして，処理装置１００側で処理ガスを使用可能な状態にする。

これにより，処理装置１００では，Ｍ／Ｃ制御部１３０の制御によりガスボックス１２０のエアバルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓを開くことによって処理室１１０内に処理ガスを導入することができる。こうして，処理装置１００は処理ガスによる処理（例えば半導体ウエハのエッチング処理）を実行する。なお，上記処理ガス供給開始処理による具体的な配管内状態の制御についての詳細については後述する。

その後，ステップＳ１２０にて処理ガス使用終了信号を受信待ちとなる。このとき，処理装置１００において処理ガスの使用を終了する際に，Ｍ／Ｃ制御部１３０から制御装置３１０に処理ガス使用終了信号を送信する。例えば処理装置１００において処理室１１０内での処理ガスによる処理が終了すると，ガスボックス１２０のエアバルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓを閉じて処理室１１０内への処理ガスの導入を停止するので，このタイミングで処理ガス使用終了信号を送信するようにしてもよい。

そして，ステップＳ１２０にて制御装置３１０がＭ／Ｃ制御部１３０から処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信すると，ステップＳ３００にて処理ガス供給終了処理を行うようになっている。この処理ガス供給終了処理では，例えばガスボンベのバルブＣＶ等必要なバルブを閉じて処理ガスの供給を停止し，処理ガス供給配管２２０内を真空引き排気して不活性ガスを充填する。

これにより，処理装置１００で処理ガスを使用しないときには，処理ガス供給配管２２０内（すなわちガスボンベ２１０から処理装置１００までのすべての配管内）に不活性ガスが封入された状態になるので，その間に処理ガス供給配管２２０内に堆積物が発生することはない。これにより，その後，再び処理ガスを使用するときに，処理室１１０内に堆積物が入り込むことを防止することができる。なお，処理ガス供給終了処理による配管内状態の制御についての詳細は後述する。

次に，ステップＳ１２２にて処理ガス供給システムの稼働を停止するか否かを判断する。ステップＳ１２２にて稼働を停止しないと判断した場合は，ステップＳ１１８の処理に戻り，稼働を停止すると判断した場合はそのまま終了する。このように本実施形態では，処理ガス供給終了処理において，既に処理ガス供給配管２２０内はすでに不活性ガスで封入されているので，そのまま終了しても差支えない。なお，この場合，処理ガス供給配管２２０内を真空引き排気して不活性ガスでパージした上で，不活性ガスで充填し直すようにしてもよい。

（処理ガス供給開始処理の具体例）
ここで，第１実施形態にかかる処理ガス供給開始処理（ステップＳ２００）の具体例を図面を参照しながら説明する。図４は，第１実施形態にかかる処理ガス供給開始処理の具体例を示すフローチャートである。先ずステップＳ２１２〜ステップＳ２１４にて処理ガス供給配管２２０内の真空引き排気を行う。すなわち，先にステップＳ２１２にて処理ガス供給配管２２０の１次配管，すなわち第１，第２配管２２２，２２４を真空引き排気する。具体的には図２に示すエアバルブＡＶ−ＶＧを開いてエアバルブＡＶ５，ＡＶ４，ＡＶ１を順次開くことにより，第１配管２２２，第２配管２２４が排気管２４６と連通され，真空発生器２４０によって第１，第２配管２２２，２２４が真空引き排気される。この状態で一定時間が経過後に，エアバルブＡＶ−ＶＧを開いたまま，エアバルブＡＶ１，ＡＶ４，ＡＶ５を閉じる。こうして，第１，第２配管２２２，２２４内の真空引き排気が完了し，不活性ガスが排気される。

次に，ステップＳ２１４にて処理ガス供給配管２２０の２次配管，すなわち第３配管２２６を真空引する。具体的には図２に示すエアバルブＡＶ７，ＡＶ６を開いて第３配管２２６，排気管２４６を連通する。このとき，エアバルブＡＶ−ＶＧを開いたままなので，真空発生器２４０によって第３配管２２６が真空引きされる。この状態で一定時間が経過後に，エアバルブＡＶ６，ＡＶ７を閉じるとともにエアバルブＡＶ−ＶＧを閉じる。こうして，第３配管２２６の真空引きが完了し，第３配管２２６内の不活性ガスは排気される。

次いで，ステップＳ２１６〜ステップＳ２２２にて処理ガス供給配管２２０内のパージを行う。すなわち，先ずステップＳ２１６にて処理ガス供給配管２２０の１次配管及び２次配管の各配管，すなわち第１〜第３配管２２２，２２４，２２６に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を導入する。具体的には図２に示すエアバルブＡＶ−Ｎを開いて，エアバルブＡＶ３，ＡＶ１，ＡＶ２を順次開くことにより，第１〜第３配管２２２，２２４，２２６が不活性ガス供給配管２３２と連通され，不活性ガス供給源２３０からの不活性ガスが不活性ガス供給配管２３２を介して各第１〜第３配管２２２，２２４，２２６に導入される。この状態で一定時間が経過後にエアバルブＡＶ１，ＡＶ２，ＡＶ３を閉じるとともにエアバルブＡＶ−Ｎを閉じる。これにより，処理ガス供給配管２２０内に不活性ガスが導入される。

続いてステップＳ２１８にて１次配管（第１，第２配管２２２，２２４）を真空引き排気してから，ステップＳ２２０にて２次配管（第３配管２２６）を真空引き排気する。これらステップＳ２１８，ステップＳ２２０の具体的な処理はそれぞれ，上記ステップＳ２１２，ステップＳ２１４の処理と同様である。

そして，ステップＳ２２２にて所定の設定回数だけ繰返したか否かを判断する。所定の設定回数だけ繰返していないと判断した場合には，ステップＳ２１６〜ステップＳ２２０により，パージを繰返す。また，所定の設定回数だけ繰返したと判断した場合には，ステップＳ２２４にて処理ガス供給を開始する。すなわち，Ｃ／Ｃ供給系バルブ（ガスボンベ２１０のバルブＣＶ，エアバルブＡＶ１，ＡＶ２）を開いてガスボンベ２１０からの処理ガスを処理ガス供給配管２２０に充填して処理ガス使用可能状態にする。こうして，一連の処理ガス供給開始処理を終了する。

このように，処理装置１００側からの処理ガス使用開始信号（Ｓ）に基づいて実行される処理ガス供給開始処理によって，処理ガス供給配管２２０内は処理ガスに置換される。これにより，処理装置１００は，ガスボックス１２０のガス導入バルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓを開くことで処理室１１０内に処理ガスを導入することができる。

また，処理ガス供給配管２２０内の不活性ガスを真空引き排気する際には，処理装置１００側の２次配管に不活性ガスを充填したまま，先に処理ガス供給源側の１次配管を真空引き排気するので，処理装置１００内の配管に影響を与えることなく，確実にガス供給配管内を真空引き排気することができる。さらに，処理ガス供給配管２２０内に処理ガスを充填する前に，不活性ガス導入と真空引きとをこの順序で複数回繰返すパージを行うことによって，処理ガス供給配管２２０内の残留ガスや不純物などを確実に除去することができる。

（処理ガス供給終了処理の具体例）
次に，第１実施形態にかかる処理ガス供給終了処理（ステップＳ３００）の具体例を図面を参照しながら説明する。図５は，第１実施形態にかかる処理ガス供給終了処理の具体例を示すフローチャートである。先ずステップＳ３１２にてＣ／Ｃ供給系バルブ（ガスボンベ２１０のバルブＣＶ，エアバルブＡＶ１，ＡＶ２）を閉じてガスボンベ２１０からの処理ガスの供給を停止する。

次いでステップＳ３１４〜ステップＳ３２０にて処理ガス供給配管２２０内のパージを行う。すなわち，先にステップＳ３１４にてシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００と処理装置１００との間の配管（第３配管２２６）を真空引き排気する。具体的には図２に示すエアバルブＡＶ−ＶＧを開いて，エアバルブＡＶ７，ＡＶ６を順次開くことにより，第３配管２２６が排気管２４６と連通され，真空発生器２４０によって第３配管２２６が真空引きされる。この状態で一定時間が経過後に，エアバルブＡＶ−ＶＧを開いたまま，エアバルブＡＶ６，ＡＶ７を閉じる。こうして，第３配管２２６の真空引き排気が完了し，第３配管２２６内の処理ガスは排気される。

次にステップＳ３１６にてシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００の配管（第１，第２配管２２２，２２４）を真空引する。具体的には図２に示すエアバルブＡＶ５，ＡＶ４，ＡＶ１を開いて第１配管２２２，第２配管２２４，排気管２４６を連通する。このとき，エアバルブＡＶ−ＶＧを開いたままなので，真空発生器２４０によって第１，第２配管２２２，２２４が真空引きされる。この状態で一定時間が経過後に，エアバルブＡＶ１，ＡＶ４，ＡＶ５を閉じるとともにエアバルブＡＶ−ＶＧを閉じる。こうして，第１，第２配管２２２，２２４の真空引きが完了し，第１，第２配管２２２，２２４内の処理ガスは排気される。

続いて，ステップＳ３１８にて各第１〜第３配管２２２，２２４，２２６，すなわち処理ガス供給配管２２０の全体に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を導入する。ステップＳ３１８の具体的な処理は，図４に示すステップＳ２１６の処理と同様である。

そして，ステップＳ３２０にて所定の設定回数だけ繰返したか否かを判断する。所定の設定回数だけ繰返していないと判断した場合には，ステップＳ３１４〜ステップＳ３１８により，もう一度パージを繰返す。また，所定の設定回数だけ繰返したと判断した場合には，一連の処理ガス供給終了処理を終了する。

このように，処理装置１００側からの処理ガス使用終了信号（Ｆ）に基づいて実行される処理ガス供給終了処理によって，処理ガス供給配管２２０内は不活性ガスに置換される。これにより，次に処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信するまでは，処理ガス供給配管２２０内は不活性ガスが充填されるので，その間に処理ガス供給配管２２０内に処理ガスと配管を構成する金属との反応による堆積物が発生することはない。

また，処理ガス供給配管２２０内の処理ガスを真空引き排気する際には，処理装置側の２次配管を先に真空引き排気することによって，処理装置側に近い配管の処理ガスをより早く排気することができる。さらに，処理ガス供給配管２２０内に不活性ガスを充填する前に，真空引きと不活性ガス導入とをこの順序で複数回繰返すパージを行うことにより，処理ガス供給配管２２０内の残留ガスや不純物などを確実に除去することができる。

以上説明したような第１実施形態にかかるガス供給方法によれば，配管内の状態は例えば図６に示すようになる。すなわち，通常は処理ガス供給配管２２０内に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）が充填された状態で待機している。そして，処理装置１００からの処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信すると，処理ガス供給配管２２０の１次配管（第１及び第２配管２２２，２２４）内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行ってから２次配管（第３配管２２６）内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行い，ガスボンベ２１０のバルブＣＶを開放状態にして，処理ガス供給配管２２０の１次配管及び２次配管に所定の圧力で処理ガス（例えばＨＦガス）を充填し，処理ガス使用可能状態にする。

その後，処理装置１００からの処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信すると，ガスボンベ２１０のバルブＣＶを閉じて，処理ガス供給配管２２０の２次配管内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行ってから１次配管内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行い，処理ガス供給配管２２０の１次配管及び２次配管に再び所定の圧力で不活性ガスを充填する。

これによれば，処理装置１００で処理ガスを使用するときのみに処理ガス供給配管２２０内に処理ガスを充填させることができる。このため，処理装置１００で処理ガスを使用しないときには処理ガス供給配管２２０内に不活性ガスが充填されている状態にすることができるので，その間に処理ガス供給配管２２０内に堆積物が発生することはない。従って，その後に再び処理ガスを使用するときに，処理室１１０内に堆積物が入り込むことを防止することができる。

さらに，常に処理ガス供給配管２２０の全体に処理ガスを充填させる場合に比して，配管内の金属と処理ガスとの接触時間を大幅に短縮できるので，配管内の金属と処理ガスとの反応を従来に比して大幅に抑制できる。

（第２実施形態にかかるガス供給システム）
次に，本発明の第２実施形態にかかるガス供給システムについて説明する。図７は第２実施形態にかかるガス供給システムの概略構成を示すブロック図であり，図８は図７に示すガス供給システムの配管構成例を示す図である。上記第１実施形態では１つの処理装置に処理ガスを供給するガス供給システムについて説明したが，第２実施形態では複数（例えば４つ）の処理装置に処理ガスを供給するガス供給システムについて説明する。なお，各処理装置（第１〜第４処理装置）１００Ａ〜１００Ｄの配管構成例はそれぞれ，図２に示す処理装置１００と同様であるので，その詳細な説明は省略する。

第２実施形態にかかるガス供給システムでは，図７に示すようにシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００からの処理ガスを分岐ボックス（Ｂ／Ｂ）４００で分岐して各処理装置１００Ａ〜１００Ｄに供給するようになっている。例えば図８に示すようにシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００からの処理ガス供給配管２２０は，分岐ボックス（Ｂ／Ｂ）４００内で４つの分岐配管（第１〜第４分岐配管）４１０Ａ〜４１０Ｄに分岐される。各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄはそれぞれ，各処理装置１００Ａ〜１００Ｄの図示しないガスボックスに接続されている。

各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄにはそれぞれ，ガス導入バルブを構成するエアバルブＡＶ１Ａ〜ＡＶ１Ｄが設けられている。これらエアバルブＡＶ１Ａ〜ＡＶ１Ｄを選択的に開閉制御することにより，所望の分岐配管に処理ガス供給配管２２０からの処理ガスを供給したり，処理ガスの供給を停止したりすることができる。

また，各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄにはそれぞれ，上記エアバルブＡＶ１Ａ〜ＡＶ１Ｄよりも下流側にそれぞれ，エアバルブＡＶ２Ａ〜ＡＶ２Ｄが設けられている。各エアバルブＡＶ２Ａ〜ＡＶ２Ｄには，不活性ガス供給配管４２０が接続されており，不活性ガス供給配管４２０は，不活性ガス供給源２３０に接続されている。これらエアバルブＡＶ２Ａ〜ＡＶ２Ｄを選択的に開閉制御することにより，所望の分岐配管に不活性ガス供給源２３０からの不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を供給したり，不活性ガスの供給を停止したりすることができる。

さらに，各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄにはそれぞれ，各配管内の真空引き排気やパージを行うための真空ポンプ２５０が真空引き用配管４４０を介して接続されている。真空引き用配管４４０は，各分岐配管４１０Ａ〜４１０ＤにエアバルブＡＶ３Ａ〜ＡＶ３Ｄを介して接続される。なお，真空引き用配管４４０には，この真空引き用配管４４０を開閉する元バルブとしてのエアバルブＡＶ−Ｖが設けられている。エアバルブＡＶ−Ｖを開閉制御するとともに，エアバルブＡＶ３Ａ〜ＡＶ３Ｄを選択的に開閉制御することにより，所望の分岐配管への真空引きを行うことができる。

なお，分岐ボックス（Ｂ／Ｂ）４００内には，処理ガス供給配管２２０の第３配管２２６に設けられたエアバルブＡＶ−Ｐを備える。このエアバルブＡＶ−Ｐは通常は開放されており，例えばメンテナンスなどのための分岐ボックス（Ｂ／Ｂ）４００をシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００から切り離すときに閉じられる。

次に，第２実施形態にかかるシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００の構成例について図８を参照しながら説明する。第１実施形態では例えば図２示す真空発生器２４０によって配管内の真空引き排気する場合について説明したが，第２実施形態では真空発生器２４０の代わりに真空ポンプ２５０によって配管内の真空引き排気する場合について説明する。

例えば図８に示すように真空ポンプ２５０は，処理ガス供給配管（第１〜第３配管）２２０に排気管２４６を介して接続されている。ここでの排気管２４６は分岐して，第１配管２２２にエアバルブＡＶ５，ＡＶ４を介して接続され，第２配管２２４にエアバルブＡＶ７，ＡＶ６を介して接続され，第３配管２２６にエアバルブＡＶ９，ＡＶ８を介して接続されている。これらエアバルブＡＶ５，ＡＶ４，エアバルブＡＶ７，ＡＶ６，エアバルブＡＶ９，ＡＶ８を選択的に開閉制御することによって，第１〜第３配管２２２，２２４，２２６を選択的に真空引き排気することができる。

処理ガス供給管２２０には，その配管内に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を供給するための不活性ガス供給源２３０が不活性ガス供給配管２３２を介して接続されている。具体的には図８に示すように，不活性ガス供給配管２３２は途中で分岐して第１配管２２２，第２配管２２４にそれぞれエアバルブＡＶ３，ＡＶ１０を介して接続されている。なお，不活性ガス供給配管２３２には，この不活性ガス供給配管２３２を開閉する元バルブとしてのエアバルブＡＶ−Ｎが設けられている。このエアバルブＡＶ−Ｎを開閉制御するとともに，エアバルブＡＶ３，ＡＶ１０を選択的に開閉制御することにより，第１，第２配管２２２，２２４のいずれかから処理ガス供給管２２０に選択的に不活性ガスを供給することができる。

なお，本実施形態における制御装置３１０は，図７に示すようにシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００，分岐ボックス（Ｂ／Ｂ）４００の各部を制御するようになっている。例えばシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００の各エアバルブＡＶ１〜ＡＶ１０，ＡＶ−Ｎ及びガスボンベ２１０のバルブＣＶの他，分岐ボックス（Ｂ／Ｂ）４００の各エアバルブＡＶ１Ａ〜ＡＶ３Ａ，ＡＶ１Ｂ〜ＡＶ３Ｂ，ＡＶ１Ｃ〜ＡＶ３Ｃ，ＡＶ１Ｄ〜ＡＶ３Ｄ，ＡＶ−Ｐ，ＡＶ−Ｖについてはそれぞれ，制御装置３１０によって制御される。

また，各処理装置（Ｍ／Ｃ）１００Ａ〜１００Ｄはそれぞれ，図７に示すようにＭ／Ｃ制御部１３０Ａ〜１３０Ｄを備える。これら各Ｍ／Ｃ制御部１３０Ａ〜１３０Ｄはそれぞれ，処理ガスを使用する際に処理ガス供給開始信号（Ｓ）を制御装置３１０に送信し，処理ガスによる処理が終了すると処理ガス供給終了信号（Ｆ）を制御装置３１０に送信するようになっている。制御装置３１０はこれらのＭ／Ｃ制御部１３０Ａ〜１３０Ｄからの信号に基づいて，各配管内を真空引き排気して処理ガス又は不活性ガスを導入するガス供給処理を行う。

なお，第２実施形態では，各Ｍ／Ｃ制御部１３０Ａ〜１３０Ｄからそれぞれ処理ガス供給開始信号（Ｓ），処理ガス供給終了信号（Ｆ）が送信されるので，これらを区別するために，上記Ｓ，ＦにそれぞれＡ〜Ｄの添え字を付する。従って，Ｓ_Ａ，Ｓ_Ｂ，Ｓ_Ｃ，Ｓ_Ｄはそれぞれ，Ｍ／Ｃ制御部１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１３０Ｄから送信される処理ガス供給開始信号を表し，Ｆ_Ａ，Ｆ_Ｂ，Ｆ_Ｃ，Ｆ_Ｄはそれぞれ，Ｍ／Ｃ制御部１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１３０Ｄから送信される処理ガス供給終了信号を表す。また，第２実施形態において，単に「Ｓ」という場合は，処理ガス供給開始信号Ｓ_Ａ〜Ｓ_Ｄのうちのいずれかを表しているものとする。また，単に「Ｆ」とする場合は，処理ガス供給終了信号Ｆ_Ａ〜Ｆ_Ｄのいずれかを表しているものとする。

（第２実施形態におけるガス供給処理の具体例）
次に，第２実施形態にかかる処理ガス供給システムによって行われるガス供給処理の具体例を図面を参照しながら説明する。図９は，第２実施形態にかかるガス供給処理の具体例を示すフローチャートである。このガス供給処理は，処理ガス供給システムを稼働すると，例えば記憶手段に記憶された所定のプログラムに基づいて制御装置３１０がシリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）２００，分岐ボックス（Ｂ／Ｂ）４００の各部を制御することによって実行される。

ステップＳ４１２にて処理ガス供給配管２２０内及び各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄ内を真空ポンプ２５０により真空引き排気し，ステップＳ４１４にて処理ガス供給配管２２０内及び各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄ内を不活性ガス供給源２３０からの不活性ガス（例えばＮ_２ガス）によりパージする。ここでは，例えば真空ポンプ２５０による真空引きと不活性ガスの供給を複数回繰り返すことにより，処理ガス供給配管２２０内をパージする。処理ガス供給配管２２０内及び各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄ内のパージが終了すると，ステップＳ４１６にて処理ガス供給配管２２０内及び各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄ内に不活性ガスを所定の圧力で充填する。

この状態で，ステップＳ４１８にて処理装置１００からの信号（処理ガス使用開始信号（Ｓ）又は処理ガス使用終了信号（Ｆ））の受信待ち（待機）となる。このとき，いずれかの処理装置１００において処理ガスを使用を開始する際に，そのＭ／Ｃ制御部１３０から制御装置３１０に処理ガス使用開始信号（Ｓ）を送信する。例えばある処理室１１０のコンディションが整ってその処理室１１０内に半導体ウエハが搬入されるタイミングで処理ガス使用開始信号（Ｓ）を送信するようにしてもよい。

また，いずれかの処理装置１００において処理ガスの使用を終了する際に，そのＭ／Ｃ制御部１３０から制御装置３１０に処理ガス使用終了信号（Ｆ）を送信する。例えばある処理装置１００において処理室１１０内での処理ガスによる処理が終了すると，ガスボックス１２０のガス導入バルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓを閉じて処理室１１０内への処理ガスの導入を停止するので，このタイミングで処理ガス使用終了信号（Ｆ）を送信するようにしてもよい。

そして，ステップＳ４１８にて制御装置３１０がいずれかのＭ／Ｃ制御部１３０から信号を受信すると，ステップＳ４２０にてその信号が処理ガス使用開始信号（Ｓ）であるか，又は処理ガス使用終了信号（Ｆ）であるかを判断する。

ステップＳ４２０にていずれかのＭ／Ｃ制御部１３０から受信した信号が処理ガス使用開始信号（Ｓ）であると判断した場合はステップＳ５００にて処理ガス供給開始処理を行うようになっている。第２実施形態にかかる処理ガス供給開始処理では，処理ガス供給配管２２０及び各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄのうち，今回の処理ガス供給に使用する配管内を真空引き排気し，当該配管内に処理ガスを所定の圧力で充填して，処理ガス使用開始信号（Ｓ）の発信元の処理装置１００側で処理ガスを使用可能な状態にする。

これにより，信号発信元の処理装置１００では，そのＭ／Ｃ制御部１３０の制御によりガスボックス１２０のガス導入バルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓを開くことにより処理室１１０内に処理ガスを導入することができる。そして，信号発信元の処理装置１００は所定時間だけ処理ガスによる処理（例えば半導体ウエハのエッチング処理）を実行する。なお，上記処理ガス供給開始処理における具体的な配管内状態の制御についての詳細については後述する。

そして，処理ガス供給開始処理（ステップＳ５００）が終了すると，ステップＳ４１８の処理に戻って，いずれかの処理装置１００Ａ〜１００Ｄからの信号待ちとなる。これは，本実施形態のように複数の処理装置１００Ａ〜１００Ｄで別々に処理を行う場合には，各処理装置１００における処理状況に応じて，それぞれのＭ／Ｃ制御部１３０Ａ〜１３０Ｄがそれぞれのタイミングで処理ガス使用開始信号（Ｓ）と処理ガス使用終了信号（Ｆ）を制御装置３１０に送信することになるからである。

このため，例えば処理装置１００Ａから処理ガス使用開始信号（Ｓ_Ａ）を受信して処理ガスを供給している間に，別の処理装置１００Ｂから処理ガス使用開始信号（Ｓ_Ｂ）を受信する場合も考えられる。この場合には処理ガス供給開始処理（ステップＳ５００）を続けて実行する。

また，本実施形態にかかる処理ガス供給開始処理を行う場合には，他の処理装置の処理ガス使用状況に応じて各配管内の状態（処理ガス充填状態か，不活性ガス充填状態か）が異なるので，処理装置１００Ａ〜１００Ｄから処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信したときには，そのときの他の処理装置の処理ガス使用状況に応じて処理ガス供給に使用する配管のみに処理ガスを充填することが好ましい。

例えばある処理装置から処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信したときに，他の処理装置で処理ガスを使用していない場合には，処理ガス供給配管２２０には処理ガスは未だ充填されておらず，不活性ガスが充填されている。従って，この場合には信号発信元の処理装置へ接続する分岐配管に加えて，処理ガス供給配管２２０の不活性ガスを排気して処理ガスを充填する必要がある。

これに対して，ある処理装置から処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信したときに，他の処理装置で処理ガスを使用している場合には，処理ガス供給配管２２０には既に処理ガスが充填されている。従って，この場合には，信号発信元の処理装置へ接続する分岐配管のみを排気して処理ガスを充填すれば足りる。こうすることにより，処理ガス供給に使用する配管のみに処理ガスを充填することできるので，処理ガスを節約することができるとともに，それ以外の配管についてはそのまま不活性ガス充填状態にすることができるので，処理ガスと配管を構成する金属との接触を防ぐことができ，付着物の発生を防止できる。

そして，ステップＳ４２０にていずれかのＭ／Ｃ制御部１３０から受信した信号が，処理ガス使用終了信号（Ｆ）であると判断した場合は，ステップＳ６００にて処理ガス供給終了処理を行うようになっている。第２実施形態にかかる処理ガス供給終了処理では，処理ガスの供給を停止し，処理ガス供給配管２２０及び各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄのうち，処理ガス供給で使用しなくなる配管内を真空引き排気し，当該配管内に不活性ガスを所定の圧力で充填する。

本実施形態にかかる処理ガス供給終了処理を行う場合には，他の処理装置の処理ガス使用状況に応じて各配管内の状態（処理ガス充填状態か，不活性ガス充填状態か）が異なるので，処理装置１００Ａ〜１００Ｄから処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信したときには，そのときの他の処理装置の処理ガス使用状況に応じて，処理ガス供給で使用しなくなる配管のみについて不活性ガスの充填を行うことが好ましい。

例えばある処理装置から処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信したときに，他の処理装置で処理ガスを使用している場合には，処理ガス供給配管２２０には既に処理ガスが充填された状態で処理ガスが使用されているので，処理ガス供給配管２２０の処理ガスを排気することはできない。従って，この場合には信号発信元の処理装置へ接続する分岐配管のみを排気して不活性ガスを充填する。こうすることにより，処理ガス供給で使用しなくなる配管のみに不活性ガスを充填することできるので，不活性ガスを節約することができるとともに，その配管については不活性ガス充填状態にすることができるので，処理ガスと配管を構成する金属との接触を防ぐことができ，堆積物の発生を防止できる。

これに対して，ある処理装置から処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信したときに，他の処理装置で処理ガスを使用していない場合には，処理ガス供給配管２２０の処理ガスを排気して不活性ガスを充填しても差し支えない。従って，この場合には信号発信元の処理装置へ接続する分岐配管に加えて，処理ガス供給配管２２０にも不活性ガスを供給することができる。

このような処理ガス使用終了処理（ステップＳ６００）によって，処理装置１００で処理ガスを使用しないときには，処理ガス供給配管２２０内及び各分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄのうちの使用していない配管内には常に不活性ガスが封入された状態になるので，その間にそれらの配管内に堆積物が発生することはない。これにより，その後，再び処理ガスを使用するときに，処理室１１０内に堆積物が入り込むことを防止することができる。なお，処理ガス供給終了処理による配管内状態の制御についての詳細は後述する。

次に，ステップＳ４２２にて処理ガス供給システムの稼働を停止するか否かを判断する。ステップＳ４２２にて稼働を停止しないと判断した場合は，ステップＳ４１８の処理に戻り，稼働を停止すると判断した場合はそのまま終了する。このように本実施形態における処理ガス供給終了処理において，すべての処理装置１００Ａ〜１００Ｄの処理が終了し，処理ガス供給配管２２０内に不活性ガスで充填されている場合には，そのまま終了しても差支えない。なお，この場合，処理ガス供給配管２２０内を真空引き排気して不活性ガスでパージした上で，不活性ガスで充填し直すようにしてもよい。

（処理ガス供給開始処理の具体例）
ここで，第２実施形態にかかる処理ガス供給開始処理（ステップＳ５００）の具体例を図面を参照しながら説明する。図１０は，第２実施形態にかかる処理ガス供給開始処理の具体例を示すフローチャートである。先ずステップＳ５４２にて処理ガス供給開始信号の発信元の処理装置（Ｍ／Ｃ）以外の他の処理装置（Ｍ／Ｃ）で処理ガスを使用しているか否かを判断する。

ステップＳ５４２にて他の処理装置（Ｍ／Ｃ）で処理ガスを使用していると判断した場合は，既に処理ガス供給配管２２０に処理ガスが充填されているので，ステップＳ５４４にて処理ガス供給開始信号（Ｓ）の発信元の処理装置（Ｍ／Ｃ）に接続される分岐配管のみを真空引き排気する。例えば分岐配管４１０Ａのみを真空引き排気する場合には，図８に示すエアバルブＡＶ−Ｖ，ＡＶ３Ａのみを開き，一定時間が経過後にエアバルブＡＶ−Ｖ，ＡＶ３Ａを閉じる。こうして，分岐配管４１０Ａ内の真空ポンプ２５０による真空引き排気が完了し，分岐配管４１０Ａ内の不活性ガスが排気される。

次いで，ステップＳ５４６〜ステップＳ５５０にて真空引き排気を行った当該分岐配管内のみにパージを行う。すなわち，先ずステップＳ５４６にて当該分岐配管内のみに不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を導入する。例えば分岐配管４１０Ａのみに不活性ガスを導入する場合には，図８に示すエアバルブＡＶ２Ａのみを開き，一定時間が経過後にエアバルブＡＶ２Ａを閉じる。これにより，分岐配管４１０Ａ内に不活性ガスが導入される。

続いてステップＳ５４８にて当該分岐配管内のみを真空引き排気する。このステップＳ５４８の具体的な処理は，上記ステップＳ５４４の処理と同様である。そして，ステップＳ５５０にて所定の設定回数だけ繰返したか否かを判断する。所定の設定回数だけ繰返していないと判断した場合には，ステップＳ５４６〜ステップＳ５４８により，パージを繰返す。また，ステップＳ５５０にて所定の設定回数だけ繰返したと判断した場合には，ステップＳ５５２にて当該分岐配管に処理ガス供給を開始して，一連の処理ガス供給開始処理を終了する。この場合には，既にガスボンベ２１０のバルブＣＶが開いていて処理ガス供給配管２２０にも処理ガスが充填されているので，当該分岐配管のエアバルブだけを開くことにより，当該処理装置への処理ガス供給を開始できる。例えば分岐配管４１０Ａのみへ処理ガス供給を開始する場合には，エアバルブＡＶ１Ａを開くだけでよい。これにより，処理装置１００Ａは，ガスボックス１２０のガス導入バルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓを開くことで処理室１１０内に処理ガスを導入することができる。

ステップＳ５４２にて他の処理装置（Ｍ／Ｃ）で処理ガスを使用していないと判断した場合は，図１１に示すフローチャートによる処理を実行する。この場合には，処理ガス供給配管２２０に不活性ガスが充填されている状態なので，分岐配管のみならず処理ガス供給配管２２０も排気して処理ガスを充填し直す必要がある。

ここでは，図１１に示すように先にステップＳ５６２にて処理ガス供給配管２２０，すなわち第１〜第３配管２２２，２２４，２２６内を真空引き排気する。具体的には図８に示すエアバルブＡＶ５，ＡＶ４，エアバルブＡＶ７，ＡＶ６，エアバルブＡＶ９，ＡＶ８を開いて，第１配管２２２，第２配管２２４，第３配管２２６をそれぞれ真空ポンプ２５０によって真空引き排気する。この状態で一定時間が経過後に，エアバルブＡＶ５，ＡＶ４，エアバルブＡＶ７，ＡＶ６，エアバルブＡＶ９，ＡＶ８を閉じる。こうして，第１〜第３配管２２２，２２４，２２６内の真空引き排気が完了し，不活性ガスが排気される。

次いで，ステップＳ５６４〜ステップＳ５６８にて処理ガス供給配管２２０内のパージを行う。すなわち，先ずステップＳ５６４にて処理ガス供給配管２２０の各配管，すなわち第１〜第３配管２２２，２２４，２２６に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を導入する。具体的には図８に示すエアバルブＡＶ−Ｎを開いて，エアバルブＡＶ３，ＡＶ１０，ＡＶ２を順次開くことにより第１〜第３配管２２２，２２４，２２６が不活性ガス供給配管２３２と連通され，不活性ガス供給源２３０からの不活性ガスが不活性ガス供給配管２３２を介して各第１〜第３配管２２２，２２４，２２６に導入される。この状態で一定時間が経過後にエアバルブＡＶ２，ＡＶ３，ＡＶ１０を閉じるとともにエアバルブＡＶ−Ｎを閉じる。これにより，処理ガス供給配管２２０内に不活性ガスが導入される。

続いてステップＳ５６６にて処理ガス供給配管２２０，すなわち第１〜第３配管２２２，２２４，２２６内を真空引き排気する。なお，ステップＳ５６６の具体的な処理はステップＳ５６２の処理と同様である。そして，ステップＳ５６８にて所定の設定回数だけ繰返したか否かを判断する。所定の設定回数だけ繰返していないと判断した場合には，ステップＳ５６４〜ステップＳ５６６により，パージを繰返す。また，所定の設定回数だけ繰返したと判断した場合には，ステップＳ５７０にて処理ガス供給開始信号（Ｓ）の発信元の処理装置（Ｍ／Ｃ）に接続される分岐配管のみを真空引き排気し，ステップＳ５７２〜ステップＳ５７６にて当該分岐配管のみをパージする。なお，ステップＳ５７０〜ステップＳ５７６の処理はそれぞれ，図１０に示すステップＳ５４４〜ステップＳ５５０の処理と同様である。

そして，ステップＳ５７６にて所定の設定回数だけ繰返したと判断した場合には，ステップＳ５７８にて処理ガス供給配管２２０内及び当該分岐配管内のみに処理ガス供給を開始して，一連の処理ガス供給開始処理を終了する。すなわち，Ｃ／Ｃ供給系バルブ（ガスボンベ２１０のバルブＣＶ，エアバルブＡＶ１，ＡＶ２）を開くとともに，Ｂ／Ｂ供給系バルブ（エアバルブＡＶ１Ａ〜ＡＶ１Ｄのうち当該分岐配管のもの）を開いて，ガスボンベ２１０からの処理ガスを処理ガス供給配管２２０内及び当該分岐配管内のみに処理ガスを充填して，処理ガス供給開始信号（Ｓ）の発信元の処理装置（Ｍ／Ｃ）で処理ガス使用可能状態にする。こうして，一連の処理ガス供給開始処理を終了する。

これにより，上記信号発信元の処理装置（Ｍ／Ｃ）は，ガスボックス１２０のガス導入バルブＡＶ１Ｓ，ＡＶ２Ｓを開くことで処理室１１０内に処理ガスを導入することができる。また，図１１に示すような処理によれば，ガス供給配管内及び分岐配管内の両方の不活性ガスを真空引き排気する際に，処理装置側の分岐配管に不活性ガスを充填したまま，先に処理ガス供給源側のガス供給配管を真空引き排気するので，処理装置側の配管に影響を与えることなく，確実に配管内を真空引き排気することができる。また，配管内に処理ガスを充填する前に当該配管内の不活性ガス導入と真空引きとをこの順序で複数回繰返すパージを行うことによって，配管内の残留ガスや不純物などを確実に除去することができる。

（処理ガス供給終了処理の具体例）
次に，第２実施形態にかかる処理ガス供給終了処理（ステップＳ６００）の具体例を図面を参照しながら説明する。図１２は，第２実施形態にかかる処理ガス供給終了処理の具体例を示すフローチャートである。先ずステップＳ６４２にて処理ガス供給終了信号（Ｆ）の発信元の処理装置（Ｍ／Ｃ）以外の他の処理装置（Ｍ／Ｃ）で処理ガスを使用しているか否かを判断する。

ステップＳ６４２にて他の処理装置（Ｍ／Ｃ）で処理ガスを使用していると判断した場合は，既に処理ガス供給配管２２０に処理ガスが充填され他の処理装置で使用しているので，ステップＳ６４４にて処理ガス供給終了信号（Ｆ）の発信元の処理装置（Ｍ／Ｃ）に接続される分岐配管の処理ガス供給のみを停止する。具体的には，エアバルブＡＶ１Ａ〜ＡＶ１Ｄのうち，発信元の処理装置（Ｍ／Ｃ）に接続する分岐配管のものを閉じる。これにより，処理ガス供給配管２２０からの処理ガスの供給を停止することができる。

次いでステップＳ６４６〜ステップＳ６４８にて当該分岐配管内のパージを行って不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を充填する。すなわち，先ずステップＳ６４６にて当該分岐配管内のみを真空引き排気し，ステップＳ６４８にて当該分岐配管内のみに不活性ガスを導入する。これらステップＳ６４６，ステップＳ６４８はそれぞれ，図１０に示すステップＳ５４８，ステップＳ５４６の処理と同様である。

そして，ステップＳ６５０にて所定の設定回数だけ繰返したか否かを判断する。所定の設定回数だけ繰返していないと判断した場合には，ステップＳ６４６〜ステップＳ６４８により，パージを繰返す。また，ステップＳ６５０にて所定の設定回数だけ繰返したと判断した場合にはそのまま，一連の処理ガス供給終了処理を終了する。これにより，当該分岐配管内のみの処理ガスが排気され，代わりに不活性ガスが充填される。

ステップＳ６４２にて他の処理装置（Ｍ／Ｃ）で処理ガスを使用していないと判断した場合は，図１３に示すフローチャートによる処理を実行する。この場合には，処理ガスを使用しているのは，処理ガス供給終了信号（Ｆ）の発信元の処理装置だけなので，その処理装置の分岐配管のみならず，処理ガス供給配管２２０への処理ガスの供給を停止することができる。

ここでは，図１３に示すように先ずステップＳ６６２にてＢ／Ｂ供給系バルブ（エアバルブＡＶ１Ａ〜ＡＶ１Ｄのうち当該分岐配管のもの）を閉じるとともに，Ｃ／Ｃ供給系バルブ（ガスボンベ２１０のバルブＣＶ，エアバルブＡＶ１，ＡＶ２）を閉じてガスボンベ２１０からの処理ガスの供給を停止する。

次いでステップＳ６６４〜ステップＳ６６６にて当該分岐配管内のパージを行って不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を充填する。すなわち，先ずステップＳ６６４にて当該分岐配管内のみを真空引き排気し，ステップＳ６６６にて当該分岐配管内のみに不活性ガスを導入する。これらステップＳ６６４，ステップＳ６６６はそれぞれ，図１２に示すステップＳ６４６，ステップＳ６４８の処理と同様である。

そして，ステップＳ６６８にて所定の設定回数だけ繰返したか否かを判断する。所定の設定回数だけ繰返していないと判断した場合には，ステップＳ６６４〜ステップＳ６６６により，パージを繰返す。これにより，これにより，当該分岐配管内のみの処理ガスが排気され，代わりに不活性ガスが充填される。

また，ステップＳ６６８にて所定の設定回数だけ繰返したと判断した場合には，ステップＳ６７０〜ステップＳ６７２にて処理ガス供給配管２２０，すなわち第１配管〜第３配管２２２，２２４，２２６をパージして不活性ガスを導入する。なお，ステップＳ６７０，ステップＳ６７２の処理はそれぞれ，図１１のステップＳ５６６，ステップＳ５６４と同様である。

そして，ステップＳ６７４にて所定の設定回数だけ繰返したか否かを判断する。所定の設定回数だけ繰返していないと判断した場合には，ステップＳ６７０〜ステップＳ６７２によりパージを繰返し，そのまま一連の処理ガス供給終了処理を終了する。

これにより，処理ガス供給配管２２０内においても処理ガスが排気され，代わりに不活性ガスが充填される。これにより，次に処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信するまでは，処理ガス供給配管２２０内は不活性ガスが充填されるので，その間に処理ガス供給配管２２０内に処理ガスと配管を構成する金属との反応による堆積物が発生することはない。

また，ガス供給配管内及び分岐配管内の両方の処理ガスを真空引き排気する際には，処理装置側の分岐配管を先に真空引き排気することによって，処理装置側に近い配管の処理ガスをより早く排気することができる。また，配管内に不活性ガスを充填する前に当該配管内の真空引きと不活性ガス導入とをこの順序で複数回繰返すパージを行うことによって，当該配管内の残留ガスや不純物などを確実に除去することができる。

以上説明したような第２実施形態にかかるガス供給方法によれば，配管内の状態は例えば図１４に示すようになる。すなわち，通常は処理ガス供給配管２２０及び第１〜第４分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄ内に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）が充填された状態で待機している。そして，例えば処理装置１００Ａからの処理ガス使用開始信号（Ｓ_Ａ）を受信すると，図１１に示すステップＳ５６２〜ステップＳ５７８の処理を実行する。すなわち，処理ガス供給配管２２０（第１〜第３配管２２２，２２４，２２６）内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行ってから第１分岐配管４１０Ａ内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行い，ガスボンベ２１０のバルブＣＶを開放状態にして，処理ガス供給配管２２０及び第１分岐配管４１０Ａ内に所定の圧力で処理ガス（例えばＨＦガス）を充填し，処理ガス使用可能状態にする。

この状態で，処理装置１００Ｂからの処理ガス使用開始信号（Ｓ_Ｂ）を受信すると，図１０に示すステップＳ５４４〜ステップＳ５５２の処理を実行する。すなわち，第２分岐配管４１０Ｂ内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行い，第２分岐配管４１０ＢのエアバルブＡＶ１Ｂを開いて処理ガス供給配管２２０に連通させることによって，第２分岐配管４１０Ｂ内に所定の圧力で処理ガス（例えばＨＦガス）を充填し，処理ガス使用可能状態にする。

続いて，処理装置１００Ａからの処理ガス使用終了信号（Ｆ_Ａ）を受信すると，図１２に示すステップＳ６４４〜ステップＳ６５０の処理を実行する。すなわち，第１分岐配管４１０ＡのエアバルブＡＶ１Ａを閉じて処理ガス供給配管２２０からの処理ガス供給を停止し，第１分岐配管４１０Ａ内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行い，第１分岐配管４１０Ａ内に所定の圧力で不活性ガスを充填する。

その後は，処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信するごとに図１０に示すステップＳ５４４〜ステップＳ５５２の処理を実行し，処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信するごとに図１２に示すステップＳ６４４〜ステップＳ６５０の処理を実行する。こうして，他の処理装置が処理ガスを使用している間は，信号発信元の処理装置の分岐配管のみに処理ガス又は不活性ガスを充填する。

そして，他の処理装置１００Ａ〜１００Ｃが処理ガスを使用しておらず，処理装置１００Ｄのみが処理ガスを使用している状態で，その処理装置１００Ｄから処理ガス使用終了信号（Ｆ_Ａ）を受信すると，図１３に示すステップＳ６６２〜ステップＳ６７２の処理を実行する。すなわち，ガスボンベ２１０のバルブＣＶを閉じて処理ガスの供給を停止し，
第４分岐配管４１０Ｄ内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行ってから処理ガス供給配管２２０（第１〜第３配管２２２，２２４，２２６）内の真空引き排気及びパージ（Ｐ）を行い，処理ガス供給配管２２０及び第４分岐配管４１０Ｄ内に所定の圧力で不活性ガスを充填する。

これによれば，処理装置１００で処理ガスを使用するときのみに処理ガス供給配管２２０及び第１〜第４分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄのうち，処理ガス供給に使用する配管内に処理ガスを充填させることができる。このため，処理装置１００で処理ガスを使用しないときには処理ガス供給配管２２０内及び使用していない分岐配管内に不活性ガスが充填されている状態にすることができるので，その間に処理ガス供給配管２２０内に堆積物が発生することはない。従って，その後に再び処理ガスを使用するときに，各処理装置１００Ａ〜１００Ｄの処理室１１０内に堆積物が入り込むことを防止することができる。

さらに，常に処理ガス供給配管２２０及び第１〜第４分岐配管４１０Ａ〜４１０Ｄの全体に処理ガスを充填させる場合に比して，配管内の金属と処理ガスとの接触時間を大幅に短縮できるので，配管内の金属と処理ガスとの反応を従来に比して大幅に抑制できる。

なお，処理ガスとしては，配管内を構成する金属との反応性の高い処理ガス（反応性ガス）が使用される場合に，本発明を適用する効果が大きい。この点，上記第１及び第２実施形態では，処理ガスとして，例えば特に配管を構成する金属と反応性が高いＨＦガスを例に挙げて説明したが，必ずしもこれに限定されるものではない。また，不活性ガスについては，Ｎ_２ガスを例に挙げて説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，例えばＡｒガスなどを使用してもよい。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は，処理ガス供給システム及び処理ガス供給方法に適用可能である。

本発明の第１実施形態にかかるガス供給システムの概略構成を示すブロック図である。 図１に示すガス供給システムの配管構成例を示す図である。 同実施形態にかかるガス供給処理の具体例を示すフローチャートである。 図３に示す処理ガス供給開始処理の具体例を示すフローチャートである。 図３に示す処理ガス供給終了処理の具体例を示すフローチャートである。 同実施形態における各配管内の状態を説明する図である。 本発明の第２実施形態にかかるガス供給システムの概略構成を示すブロック図である。 図７に示すガス供給システムの配管構成例を示す図である。 同実施形態にかかるガス供給処理の具体例を示すフローチャートである。 図９に示す処理ガス供給開始処理の具体例を示すフローチャートである。 図１０に示す処理ガス供給開始処理において，他の処理装置（Ｍ／Ｃ）で処理ガスを使用していない場合の処理の具体例を示すフローチャートである。 図９に示す処理ガス供給終了処理の具体例を示すフローチャートである。 図１２に示す処理ガス供給終了処理において，他の処理装置（Ｍ／Ｃ）で処理ガスを使用していない場合の処理の具体例を示すフローチャートである。 同実施形態における各配管内の状態を説明する図である。

符号の説明

１００ 処理装置（Ｍ／Ｃ）
１００Ａ〜１００Ｄ 処理装置（Ｍ／Ｃ）
１１０ 処理室
１２０ ガスボックス
１２２ ガス導入配管
２００ シリンダキャビネット（Ｃ／Ｃ）
２１０ ガスボンベ
２２０ ガス供給配管
２２０ 処理ガス供給配管
２３０ 不活性ガス供給源
２３２ 不活性ガス供給配管
２４０ 真空発生器
２４６ 排気管
２４７ 配管
２５０ 真空ポンプ
３００ ガス供給装置
３１０ 制御装置
４００ 分岐ボックス（Ｂ／Ｂ）
４１０Ａ〜４１０Ｄ 分岐配管
４２０ 不活性ガス供給配管
４４０ 真空引き用配管
Ｓ（Ｓ_Ａ，Ｓ_Ｂ，Ｓ_Ｃ，Ｓ_Ｄ） 処理ガス供給開始信号
Ｆ（Ｆ_Ａ，Ｆ_Ｂ，Ｆ_Ｃ，Ｆ_Ｄ） 処理ガス使用終了信号

Claims (22)

1. 処理ガスを処理装置まで供給するガス供給システムであって，
   前記処理ガスを供給する処理ガス供給源と，
   前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理装置へ供給するガス供給配管と，
   前記ガス供給配管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と，
   前記ガス供給配管内を真空引き排気する真空引き排気手段と，
   前記処理装置からの信号を受信し，受信した信号に応じて前記ガス供給配管内の状態を制御する制御装置と，を備え，
   前記制御装置は，システム稼働中は前記ガス供給配管内に不活性ガスを充填して待機し，
   前記処理装置から処理ガス使用開始信号を受信すると，前記ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始し，
   前記処理装置から処理ガス使用終了信号を受信すると，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止して前記ガス供給配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填することを特徴とするガス供給システム。
2. 前記ガス供給配管は，前記処理ガス供給源側の１次配管と，前記処理装置側の２次配管に分けられ，
   前記制御装置は，前記ガス供給配管内に処理ガスを充填する際には，先に前記１次配管を真空引きして不活性ガスを排気してから前記第２次配管を真空引きして不活性ガスを排気した上で，前記１次配管及び前記２次配管に処理ガスを充填し，
   前記ガス供給配管内に不活性ガスを充填する際には，先に前記２次配管を真空引きして処理ガスを排気してから前記第１次配管を真空引きして処理ガスを排気した上で，前記１次配管及び前記２次配管に不活性ガスを充填することを特徴とする請求項１に記載のガス供給システム。
3. 前記制御装置は，前記ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気した後は，処理ガスを充填する前に前記ガス供給配管内の不活性ガス導入と真空引きとをこの順序で複数回繰返すパージを行い，
   前記ガス供給配管内の処理ガス供給を停止した後は，その配管内の真空引きと不活性ガス導入とをこの順序で複数回繰返すパージを行うことを特徴とする請求項１に記載のガス供給システム。
4. 前記処理ガスは，ＨＦガスであることを特徴とする請求項１に記載のガス供給システム。
5. 処理ガスを処理装置まで供給するガス供給システムのガス供給方法であって，
   前記ガス供給システムは，前記処理ガスを供給する処理ガス供給源と，前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理装置へ供給するガス供給配管と，前記ガス供給配管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と，前記ガス供給配管内を真空引き排気する真空引き排気手段と，前記処理装置からの信号を受信し，受信した信号に応じて前記ガス供給配管内の状態を制御する制御装置とを備え，
   システム稼働中は前記ガス供給配管内に不活性ガスを充填して待機する工程と，
   前記制御装置が前記処理装置から処理ガス使用開始信号を受信すると，前記真空引き排気手段により前記ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気し，前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記ガス供給配管内に充填した上で，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始する工程と，
   前記制御装置が前記処理装置から処理ガス使用終了信号を受信すると，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止し，前記真空引き排気手段により前記ガス供給配管内の処理ガスを真空引き排気した上で，前記不活性ガス供給源からの不活性ガスを前記ガス供給配管内に充填する工程とを有することを特徴とするガス供給システムのガス供給方法。
6. 前記ガス供給配管は，前記処理ガス供給源側の１次配管と，前記処理装置側の２次配管に分けられ，
   前記ガス供給配管内に処理ガスを充填する際には，先に前記１次配管を真空引き排気してから前記第２次配管を真空引き排気した上で前記１次配管及び前記２次配管に処理ガスを充填し，
   前記ガス供給配管内に不活性ガスを充填する際には，先に前記２次配管を真空引き排気してから前記第１次配管を真空引き排気した上で前記１次配管及び前記２次配管に不活性ガスを充填することを特徴とする請求項５に記載のガス供給システムのガス供給方法。
7. 前記ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気した後は，処理ガスを充填する前に前記ガス供給配管内の不活性ガス導入と真空引きとをこの順序で複数回繰返すパージを行い，
   前記ガス供給配管内の処理ガス供給を停止した後は，その配管内の真空引きと不活性ガス導入とをこの順序で複数回繰返すパージを行うことを特徴とする請求項５に記載のガス供給システムのガス供給方法。
8. 前記処理ガスはＨＦガスであり，前記不活性ガスはＮ_２ガスであることを特徴とする請求項５に記載のガス供給システムのガス供給方法。
9. 処理ガスを複数の処理装置までそれぞれ供給するガス供給システムであって，
   前記処理ガスを供給する処理ガス供給源と，
   前記処理ガス供給源に接続されたガス供給配管と，
   前記ガス供給配管からの処理ガスを分岐して前記複数の処理装置にそれぞれ供給する複数の分岐配管と，
   前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と，
   前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管を真空引き排気する真空引き排気手段と，
   前記処理装置からの信号を受信し，受信した信号に応じて前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管内の状態を制御する制御装置と，を備え，
   前記制御装置は，システム稼働中は前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管内に不活性ガスを充填して待機し，
   前記処理装置からの処理ガス使用開始信号を受信すると，前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管のうちの使用する配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して処理ガス供給を開始し，
   前記処理装置からの処理ガス使用終了信号を受信すると，その信号発生元の処理装置への処理ガス供給を停止して前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管のうちの使用しなくなる配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填することを特徴とするガス供給システム。
10. 前記制御装置は，前記処理装置から処理ガス使用開始信号を受信すると，その信号発信元の処理装置以外の他の処理装置が処理ガス使用中か否かを判断し，
    前記他の処理装置が処理ガス使用中であると判断した場合は，信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内のみの不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して，前記ガス供給配管からの処理ガス供給を開始し，
    前記他の処理装置が処理ガス使用中でないと判断した場合は，前記ガス供給配管内及び信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始することを特徴とする請求項９に記載のガス供給システム。
11. 前記制御装置は，前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に処理ガスを充填する際には，先に前記ガス供給配管内を真空引き排気してから前記分岐配管を真空引き排気した上で前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に処理ガスを充填することを特徴とする請求項１０に記載のガス供給システム。
12. 前記制御装置は，前記処理装置から処理ガス使用終了信号を受信すると，その信号発信元の処理装置以外の他の処理装置が処理ガス使用中か否かを判断し，
    前記他の処理装置が処理ガス使用中であると判断した場合は，前記ガス供給配管からの処理ガス供給を停止し，前記信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内のみの処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填し，
    前記他の処理装置が処理ガス使用中でないと判断した場合は，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止し，前記ガス供給配管内及び前記信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填することを特徴とする請求項９に記載のガス供給システム。
13. 前記制御装置は，前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に不活性ガスを充填する際には，先に前記分岐配管内を真空引き排気してから前記ガス供給配管内を真空引き排気した上で前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に不活性ガスを充填することを特徴とする請求項１２に記載のガス供給システム。
14. 前記制御装置は，前記使用する配管内の不活性ガスを真空引き排気した後は，処理ガスを充填する前に当該配管内の不活性ガス導入と真空引きとをこの順序で複数回繰返すパージを行い，
    前記使用しなくなる配管内の処理ガス供給を停止した後は，その配管内の真空引きと不活性ガス導入とをこの順序で複数回繰返すパージを行うことを特徴とする請求項９に記載のガス供給システム。
15. 前記処理ガスはＨＦガスであり，前記不活性ガスはＮ_２ガスであることを特徴とする請求項９に記載のガス供給システム。
16. 処理ガスを複数の処理装置までそれぞれ供給するガス供給システムのガス供給方法であって，
    前記ガス供給システムは，前記処理ガスを供給する処理ガス供給源と，前記処理ガス供給源に接続されたガス供給配管と，前記ガス供給配管からの処理ガスを分岐して前記複数の処理装置にそれぞれ供給する複数の分岐配管と，前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と，前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管を真空引き排気する真空引き排気手段と，前記処理装置からの信号を受信し，受信した信号に応じて前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管内の状態を制御する制御装置と，を備え，
    システム稼働中は前記ガス供給配管内及び前記複数の分岐配管内に不活性ガスを充填して待機する工程と，
    前記制御装置が前記処理装置からの処理ガス使用開始信号を受信すると，前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管のうちの使用する配管内の不活性ガスを真空引き排気した上で，処理ガスを充填して処理ガス供給を開始する工程と，
    前記処理装置からの処理ガス使用終了信号を受信すると，その信号発生元の処理装置への処理ガス供給を停止して前記ガス供給配管及び前記複数の分岐配管のうちの使用しなくなる配管内の処理ガスを真空引き排気した上で，不活性ガスを充填する工程と，
    を有することを特徴とするガス供給システムのガス供給方法。
17. 前記制御装置が前記処理装置から処理ガス使用開始信号を受信すると，その信号発信元の処理装置以外の他の処理装置が処理ガス使用中か否かを判断する工程と，
    前記他の処理装置が処理ガス使用中であると判断した場合は，信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内のみの不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して，前記ガス供給配管からの処理ガス供給を開始する工程と，
    前記他の処理装置が処理ガス使用中でないと判断した場合は，前記ガス供給配管内及び信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始する工程と，
    を有することを特徴とする請求項１６に記載のガス供給システムのガス供給方法。
18. 前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に処理ガスを充填する際には，先に前記ガス供給配管内を真空引き排気してから前記分岐配管を真空引き排気した上で前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に処理ガスを充填することを特徴とする請求項１７に記載のガス供給システムのガス供給方法。
19. 前記処理装置から処理ガス使用終了信号を受信すると，その信号発信元の処理装置以外の他の処理装置が処理ガス使用中か否かを判断する工程と，
    前記他の処理装置が処理ガス使用中であると判断した場合は，前記ガス供給配管からの処理ガス供給を停止し，前記信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内のみの処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填する工程と，
    前記他の処理装置が処理ガス使用中でないと判断した場合は，前記処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止し，前記ガス供給配管内及び前記信号発信元の処理装置に接続した分岐配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填する工程と，
    を有することを特徴とする請求項１６に記載のガス供給システムのガス供給方法。
20. 前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に不活性ガスを充填する際には，先に前記分岐配管内を真空引き排気してから前記ガス供給配管内を真空引き排気した上で前記ガス供給配管内及び前記分岐配管内の両方に不活性ガスを充填することを特徴とする請求項１９に記載のガス供給システムのガス供給方法。
21. 前記使用する配管内の不活性ガスを真空引き排気した後は，処理ガスを充填する前に当該配管内の不活性ガス導入と真空引きとをこの順序で複数回繰返すパージを行い，
    前記使用しなくなる配管内の処理ガス供給を停止した後は，その配管内の真空引きと不活性ガス導入とをこの順序で複数回繰返すパージを行うことを特徴とする請求項１６に記載のガス供給システムのガス供給方法。
22. 前記処理ガスはＨＦガスであり，前記不活性ガスはＮ_２ガスであることを特徴とする請求項１６に記載のガス供給システムのガス供給方法。

Images