JP7366153B2 - 低クロストークを有する多重荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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Description
[0001] この出願は、2019年5月28日に出願された米国特許出願第62/853,677号の優先権を主張し、同特許は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
1. サンプルからの複数の二次荷電粒子ビームの周辺の荷電粒子をブロックするように構成された第1のアパーチャを含む第1の事前制限アパーチャプレートと、
複数の二次荷電粒子ビームを削減するように構成された第2のアパーチャを含むビーム制限アパーチャアレイと
を含む、電気光学システム。
2. 複数の検出要素を含む荷電粒子検出器をさらに含む、条項1に記載のシステムであって、複数の検出要素の各検出要素が、複数の二次荷電粒子ビームの対応する削減ビームと関連付けられる、システム。
3. 第1の事前制限アパーチャプレートとビーム制限アパーチャアレイとの間の距離が、5mm以下である、条項1又は2に記載のシステム。
4. 第1の事前制限アパーチャプレートが、ビーム制限アパーチャアレイの上流又に位置決めされる、条項1~3のいずれか一項に記載のシステム。
5. 第1の事前制限アパーチャプレートが、ビーム制限アパーチャアレイの下流に位置決めされる、条項2~4のいずれか一項に記載のシステム。
6. 第2の事前制限アパーチャプレートをさらに含む、条項1又は2に記載のシステム。
7. 第1の事前制限アパーチャプレートが、ビーム制限アパーチャアレイの上流に位置決めされ、第2の事前制限アパーチャプレートが、ビーム制限アパーチャアレイの下流に位置決めされる、条項6に記載のシステム。
8. 複数の二次荷電粒子ビームが、複数の一次荷電粒子ビームとサンプルとの間の相互作用に応答してサンプルから発生した二次電子又は後方散乱電子の少なくとも1つを含む、条項1~7のいずれか一項に記載のシステム。
9. ビーム制限アパーチャアレイが、異なるサイズの複数のアパーチャを含む、条項1~8のいずれか一項に記載のシステム。
10. 複数のアパーチャの少なくとも2つが、同様のサイズを有する、条項9に記載のシステム。
11. 複数のアパーチャが、長方形、円形又は螺旋形のパターンに配列される、条項9又は10に記載のシステム。
12. 複数の二次荷電粒子ビームが重複して、電気光学システムの副光軸に垂直なクロスオーバー面上にクロスオーバーエリアが生じる、条項1~11のいずれか一項に記載のシステム。
13. ビーム制限アパーチャアレイが、クロスオーバー面の位置の範囲に又は範囲内に且つ副光軸に垂直に配置される、条項12に記載のシステム。
14. クロスオーバー面の位置の範囲が、サンプル上の複数の一次荷電粒子ビームの着地エネルギーに基づいて決定される、条項12又は13に記載のシステム。
15. 第2のアパーチャが、クロスオーバーエリアに中心を置く、条項12~14のいずれか一項に記載のシステム。
16. 第1及び第2のアパーチャの中心が、副光軸と位置合わせされる、条項12~15のいずれか一項に記載のシステム。
17. ビーム制限アパーチャアレイが、複数のアパーチャの各アパーチャをクロスオーバーエリアと位置合わせするために動かすことができる、条項12~16のいずれか一項に記載のシステム。
18. ビーム制限アパーチャアレイが、クロスオーバー面の位置の範囲に基づいて、副光軸に沿って動かすことができる、条項14~17のいずれか一項に記載のシステム。
19. 第1の事前制限アパーチャプレートの平面が、クロスオーバー面の位置の範囲の外側にある、条項12~18のいずれか一項に記載のシステム。
20. ビーム制限アパーチャアレイ及び第1の事前制限アパーチャプレートの平面が、クロスオーバー面の位置の範囲内にある、条項19に記載のシステム。
21. サンプルから荷電粒子検出器に複数の二次荷電粒子ビームを投影するための電気光学システム
を含む、多重荷電粒子ビーム装置であって、電気光学システムが、
複数の二次荷電粒子ビームの周辺の荷電粒子をブロックするように構成された第1のアパーチャを含む第1の事前制限アパーチャプレートと、
複数の二次荷電粒子ビームを削減するように構成された第2のアパーチャを含むビーム制限アパーチャアレイと
を含み、
荷電粒子検出器が、複数の検出要素を含み、複数の検出要素の各検出要素が、複数の二次荷電粒子ビームの対応する削減ビームと関連付けられる、多重荷電粒子ビーム装置。
22. 第1の事前制限アパーチャプレートとビーム制限アパーチャアレイとの間の距離が、5mm以下である、条項21に記載の装置。
23. 第1の事前制限アパーチャプレートが、ビーム制限アパーチャアレイの上流又に位置決めされる、条項21又は22に記載の装置。
24. 第1の事前制限アパーチャプレートが、ビーム制限アパーチャアレイの下流に位置決めされる、条項21~23のいずれか一項に記載の装置。
25. 第2の事前制限アパーチャプレートをさらに含む、条項21に記載の装置。
26. 第1の事前制限アパーチャプレートが、ビーム制限アパーチャアレイの上流に位置決めされ、第2の事前制限アパーチャプレートが、ビーム制限アパーチャアレイの下流に位置決めされる、条項25に記載の装置。
27. 複数の二次荷電粒子ビームが、複数の一次荷電粒子ビームとサンプルとの間の相互作用に応答してサンプルから発生した二次電子又は後方散乱電子の少なくとも1つを含む、条項21~26のいずれか一項に記載の装置。
28. ビーム制限アパーチャアレイが、異なるサイズの複数のアパーチャを含む、条項21~27のいずれか一項に記載の装置。
29. 複数のアパーチャの少なくとも2つが、同様のサイズを有する、条項28に記載の装置。
30. 複数のアパーチャが、長方形、円形又は螺旋形のパターンに配列される、条項28又は29に記載の装置。
31. 複数の二次荷電粒子ビームが重複して、電気光学システムの副光軸に垂直なクロスオーバー面上にクロスオーバーエリアが生じる、条項21~30のいずれか一項に記載の装置。
32. ビーム制限アパーチャアレイが、クロスオーバー面の位置の範囲に又は範囲内に且つ副光軸に垂直に配置される、条項31に記載の装置。
33. クロスオーバー面の位置の範囲が、サンプル上の複数の一次荷電粒子ビームの着地エネルギーに基づいて決定される、条項31又は32に記載の装置。
34. 第2のアパーチャが、クロスオーバーエリアに中心を置く、条項31~33のいずれか一項に記載の装置。
35. 第1及び第2のアパーチャの中心が、副光軸と位置合わせされる、条項31~34のいずれか一項に記載の装置。
36. ビーム制限アパーチャアレイが、複数のアパーチャの各アパーチャをクロスオーバーエリアと位置合わせするために動かすことができる、条項31~35のいずれか一項に記載の装置。
37. ビーム制限アパーチャアレイが、クロスオーバー面の位置の範囲に基づいて、副光軸に沿って動かすことができる、条項33~36のいずれか一項に記載の装置。
38. 第1の事前制限アパーチャプレートの平面が、クロスオーバー面の位置の範囲の外側にある、条項31~37のいずれか一項に記載の装置。
39. ビーム制限アパーチャアレイ及び第1の事前制限アパーチャプレートの平面が、クロスオーバー面の位置の範囲内にある、条項38に記載の装置。
40. サンプルの画像を形成するために二次結像系によって実行される方法であって、
サンプルから複数の二次荷電粒子ビームを発生させることと、
事前制限アパーチャプレートを使用して複数の二次荷電粒子ビームの周辺の荷電粒子をブロックすることと、
ビーム制限アパーチャアレイのアパーチャを使用して複数の二次荷電粒子ビームを削減することと、
複数の削減された二次荷電粒子ビームを荷電粒子検出器の対応する検出要素に投影することと
を含む、方法。
Claims (15)
- 副光軸に関連する各径路を通る複数の二次荷電粒子ビームの周辺の荷電粒子をブロックするように構成された第1のアパーチャを含む第1の事前制限アパーチャプレートと、
前記副光軸に沿って移動可能とされるとともに、前記複数の二次荷電粒子ビームを削減するように構成された第2のアパーチャを含むビーム制限アパーチャアレイと、
を含む、電気光学システム。 - 複数の検出要素を含む荷電粒子検出器をさらに含み、
前記複数の検出要素の各検出要素が、前記複数の二次荷電粒子ビームの対応する削減ビームと関連付けられる、請求項1に記載のシステム。 - 前記第1の事前制限アパーチャプレートと前記ビーム制限アパーチャアレイとの間の距離が、5mm以下である、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の事前制限アパーチャプレートが、前記ビーム制限アパーチャアレイの上流に位置決めされる、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の事前制限アパーチャプレートが、前記ビーム制限アパーチャアレイの下流に位置決めされる、請求項2に記載のシステム。
- 第2の事前制限アパーチャプレートをさらに含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の事前制限アパーチャプレートが、前記ビーム制限アパーチャアレイの上流に位置決めされ、前記第2の事前制限アパーチャプレートが、前記ビーム制限アパーチャアレイの下流に位置決めされる、請求項6に記載のシステム。
- 前記複数の二次荷電粒子ビームが、複数の一次荷電粒子ビームとサンプルとの間の相互作用に応答して前記サンプルから発生した二次電子又は後方散乱電子の少なくとも1つを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記ビーム制限アパーチャアレイが、異なるサイズの複数のアパーチャを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記複数のアパーチャの少なくとも2つが、同様のサイズを有する、請求項9に記載のシステム。
- 前記複数のアパーチャが、長方形、円形又は螺旋形のパターンに配列される、請求項9に記載のシステム。
- 前記複数の二次荷電粒子ビームが重複して、電気光学システムの前記副光軸に垂直なクロスオーバー面上にクロスオーバーエリアが生じる、請求項1に記載のシステム。
- 前記ビーム制限アパーチャアレイが、前記クロスオーバー面の位置の範囲に又は範囲内に且つ前記副光軸に垂直に配置される、請求項12に記載のシステム。
- 前記クロスオーバー面の位置の前記範囲が、複数の一次荷電粒子ビームの着地エネルギーに基づいて決定される、請求項13に記載のシステム。
- サンプルの画像を形成するために二次結像系によって実行される方法であって、
前記サンプルから複数の二次荷電粒子ビームを発生させることと、
事前制限アパーチャプレートを使用して前記複数の二次荷電粒子ビームの周辺の荷電粒子をブロックすることと、
前記二次結像系の副光軸に沿って移動可能とされるビーム制限アパーチャアレイのアパーチャを使用して、前記複数の二次荷電粒子ビームを削減することと、
前記複数の削減された二次荷電粒子ビームを荷電粒子検出器の対応する検出要素に投影することと、
を含む、方法。
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---|---|---|---|---|
WO2020239505A1 (en) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Multiple charged-particle beam apparatus with low crosstalk |
US11933668B2 (en) * | 2020-02-03 | 2024-03-19 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Sampling assembly and testing instrument |
IL306025A (en) * | 2021-03-30 | 2023-11-01 | Asml Netherlands Bv | Low interference multiple charged particle beam device |
EP4089712A1 (en) * | 2021-05-12 | 2022-11-16 | ASML Netherlands B.V. | Assessment system, method of assessing |
EP4338190A1 (en) * | 2021-05-12 | 2024-03-20 | ASML Netherlands B.V. | Assessment system, method of assessing |
US20230196333A1 (en) | 2021-12-21 | 2023-06-22 | Hee Young Park | Card payment method and system through application linkage |
US20240128051A1 (en) * | 2022-10-14 | 2024-04-18 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Multi-beam charged particle beam system with anisotropic filtering for improved image contrast |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005251440A (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Ebara Corp | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
US20130032729A1 (en) | 2010-04-09 | 2013-02-07 | Rainer Knippelmeyer | Charged Particle Detection System and Multi-Beamlet Inspection System |
US20130270438A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Gmbh | Switchable multi perspective detector, optics therefor and method of operating thereof |
JP2018535525A (ja) | 2015-11-30 | 2018-11-29 | エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. | 複数の荷電粒子ビームの装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3628014A (en) | 1969-12-22 | 1971-12-14 | Boeing Co | Scanning electron microscope with color display means |
JPH07118440B2 (ja) | 1986-07-09 | 1995-12-18 | 東芝機械株式会社 | 電子ビ−ム描画装置 |
US7425703B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-09-16 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus, a device manufacturing method using the same apparatus, a pattern evaluation method, a device manufacturing method using the same method, and a resist pattern or processed wafer evaluation method |
JP4612838B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置およびその露光方法 |
JP2010519698A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 高スループットsemツール |
JP6294130B2 (ja) * | 2014-04-04 | 2018-03-14 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置 |
US20150311031A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Ims Nanofabrication Ag | Multi-Beam Tool for Cutting Patterns |
US10103004B2 (en) * | 2015-07-02 | 2018-10-16 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | System and method for imaging a secondary charged particle beam with adaptive secondary charged particle optics |
US9666405B1 (en) * | 2016-02-18 | 2017-05-30 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | System for imaging a signal charged particle beam, method for imaging a signal charged particle beam, and charged particle beam device |
WO2020239505A1 (en) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Multiple charged-particle beam apparatus with low crosstalk |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005251440A (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Ebara Corp | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
US20130032729A1 (en) | 2010-04-09 | 2013-02-07 | Rainer Knippelmeyer | Charged Particle Detection System and Multi-Beamlet Inspection System |
US20130270438A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Gmbh | Switchable multi perspective detector, optics therefor and method of operating thereof |
JP2018535525A (ja) | 2015-11-30 | 2018-11-29 | エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. | 複数の荷電粒子ビームの装置 |
Also Published As
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---|---|
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