JP7352359B2 - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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Description
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係る撮像素子101の構成例を模式的に示している。
画素アレイ102は、2次元配置された複数の画素や、信号線を有する。本実施形態において画素のそれぞれは、マイクロレンズ、光電変換部、および読み出し回路を有する。ここで、マイクロレンズには、オンチップマイクロレンズとインナーレンズが含まれる。さらに、光電変換部は2つの副光電変換部に分割されている。なお、光電変換部の分割数は2に限定されない。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態で説明した撮像素子を用いた電子機器に関する。図4は、本実施形態に係る電子機器の一例としてのデジタルカメラの機能構成例を示すブロック図である。
図5(a)は、副光電変換部201、202による瞳分割について模式的に示している。線604は、被写体の位置を示し、位置605にある光学系によって被写体像を撮像素子101の撮像面606に形成する。また609は副光電変換部201、202の表面付近の位置を示す。x方向に2分割された副光電変換部201と副光電変換部202は、それぞれ、光学系の射出瞳のうち、瞳部分領域607と瞳部分領域608を通過した光束を受光する。
上述の実施形態では、画素の光電変換部が複数に分割されている撮像素子に本発明を適用した例について説明した。しかし、本発明は画素の光電変換部が分割されていない撮像素子に対しても同様に適用できる。
Claims (9)
- 光電変換部を有する画素が2次元配置された画素アレイを備える撮像素子であって、
前記画素のそれぞれは、前記光電変換部に加え、第1層内レンズと、前記第1層内レンズよりも前記光電変換部からの距離が大きい第2層内レンズと、前記第2層内レンズよりも前記光電変換部からの距離が大きいオンチップマイクロレンズとを有し、
前記第2層内レンズの周囲には、隣接画素との間に遮光壁が設けられ、
前記第1層内レンズの中心位置と前記光電変換部の中心位置との第1のずれ量と、前記第2層内レンズの中心位置と前記光電変換部の中心位置との第2のずれ量と、前記オンチップマイクロレンズの中心位置と前記光電変換部の中心位置との第3のずれ量とが、前記第2のずれ量<前記第1のずれ量<前記第3のずれ量という関係を満たし、
前記第1のずれ量、前記第2のずれ量、および前記第3のずれ量は、前記画素アレイの中心方向へのずれ量であることを特徴とする撮像素子。 - 第1の像高を有する画素における前記第1のずれ量、前記第2のずれ量、および前記第3のずれ量よりも、前記第1の像高よりも大きな第2の像高を有する画素における前記第1のずれ量、前記第2のずれ量、および前記第3のずれ量の方が大きいことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記第2のずれ量が0であることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記第1層内レンズの周囲には遮光壁が設けられないことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記第2層内レンズが、前記オンチップマイクロレンズに最も近い層内レンズであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記第1層内レンズの中心位置が、前記第2層内レンズの中心位置と前記オンチップマイクロレンズの中心位置との中点よりも前記画素アレイの中心に近いことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記光電変換部が複数の副光電変換部に分割されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の撮像素子を用いた撮像装置。
- 請求項7に記載の撮像素子と、
前記撮像素子の前記複数の副光電変換部で得られる信号に基づいて位相差AF用の1対の像信号を生成する画像処理手段と、
前記1対の像信号の位相差に基づいて、レンズユニットの光学系の焦点検出を行う焦点検出手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
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