JP2010245202A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

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昇 国仙谷
Toshihiro Kuriyama
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Abstract

【課題】撮像面内の感度の均一性およびスミア特性が向上した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像面の中心に位置する受光部1上の層内下凸レンズ6は、レンズ最下点を通る軸が遮光膜4の開口部16の中心に一致していて前記軸を中心とした対称な形状をしている。撮像面の中心よりも周辺寄りに位置する受光部1上の層内下凸レンズ6は、レンズ最下点が遮光膜4の開口部16の中心から撮像面の周辺寄りにずれていて、且つ前記軸のずれ量は各受光部1が前記撮像面の中心から離れるにしたがって大きい。
【選択図】図1

Description

本発明は固体撮像装置およびその製造方法に関し、特に感度の面内均一性、低スミアを実現する構造に関する。
近年、固体撮像装置は、デジタルビデオカメラ(ムービー)やデジタルスチルカメラ、たとえば、携帯電話用、監視用、医療用および車載用のカメラなど、その用途に広がりを見せている。用途が拡大するにつれ、光学系を含むシステムの小型化の要望は強くなり、固体撮像装置の小型化の要望も強い。固体撮像装置の代表としてCCD(Charge Coupled Device)を挙げて説明する。
光学系が小型化されると、レンズや絞りからCCDまでの物理的距離が縮まり、入射光はCCDチップの周辺では中心に比べて大きな入射角度を持つことになる。それにより周辺領域では入射光がフォトダイオード上部にある遮光膜により「けられ」が発生し、撮像領域面内で感度の不均一やスミアの悪化が顕在化してきた。
図13は従来の固体撮像装置の撮像領域の概略断面図である。基板S内にフォトダイオードなどの受光部1が形成され、基板S上にゲート絶縁膜2を介して転送ゲート3(その下に図示しない垂直転送路(垂直CCDまたはVCCDとも言う)が形成されている)、受光部1の上方に開口部16を持った遮光膜4、層内上凸レンズ7、図示しないトップレンズなどが形成されている。13は固体撮像装置の上方に設けられた絞りである。
このような固体撮像装置に対して、入射光は絞り13から撮像面の全面に照射されるが、撮像領域中心では層内上凸レンズ7を通じて受光部1に垂直に入射する一方で、撮像領域周辺に行くほど受光部1の中心線となす角が大きくなる。撮像領域内での位置に関わらず開口部16と中心線を合わせて層内上凸レンズ7を設けたのでは、撮像領域周辺の受光部1には光はごく一部しか入射しない。
そこで、たとえば特許文献1において、撮像領域中心からの受光部1の距離が大きいほど、その上に形成する層内上凸レンズ7を撮像領域中心寄りに大きくずらす、いわゆるスケーリングの技術を適用することが提案されている。かかる層内上凸レンズ7を通して各位置の受光部1に入射させることで撮像面内での感度の均一性を改善させるものである。図示しないトップレンズにもスケーリング技術が使用される場合もある。
特開平10−229180
上記した固体撮像装置では、スケーリングの技術の適用によって特に撮像領域周辺のフォトダイオードで入射効果が大きくなるものの、その集光される位置は開口部16の中心よりも外側、すなわち垂直転送路寄りになるため、いわゆるスミアの悪化が問題となる。
本発明は、上記問題に鑑み、撮像面内での感度の均一性およびスミア特性が向上した固体撮像装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、光電変換する複数の受光部と、前記複数の受光部が形成された基板の撮像領域を覆い各受光部の上方で開口した遮光膜と、前記遮光膜の各開口部の上方に形成された下に凸型のレンズとを少なくとも備えた固体撮像装置において、撮像領域の中心に位置する前記受光部上の前記下に凸型のレンズは、レンズ最下点を通る軸が前記遮光膜の開口部の中心に一致していて前記軸を中心とした対称な形状をしており、撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記受光部上の前記下に凸型のレンズは、レンズ最下点が前記遮光膜の開口部の中心から前記撮像領域の周辺寄りにずれていて、且つそのずれ量は各受光部が前記撮像領域の中心から離れるにしたがって大きいことを特徴とする。
また上記の固体撮像装置において、前記下に凸型のレンズの各々の上方に上に凸型のレンズが形成されており、前記上に凸型のレンズはレンズ最上点を通る軸を中心とした対称な形状であることを特徴とする。
また上記の固体撮像装置において、前記下に凸型のレンズの各々の上方に上に凸型のレンズが形成されており、前記上に凸型のレンズはレンズ最上点を通る軸を中心とした対称な形状であり、撮像領域の中心に位置する前記受光部上の前記上に凸型のレンズは、前記レンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心に一致しており、撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記受光部上の前記上に凸型のレンズは、前記レンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心から前記撮像領域の中心寄りにずれていて、そのずれ量は各受光部が前記撮像領域の中心から離れるにしたがって大きいことを特徴とする。
また上記の固体撮像装置において、前記下に凸型のレンズの各々の上方に上に凸型のレンズが形成されており、撮像領域の中心に位置する前記受光部上の前記上に凸型のレンズは、レンズ最上点を通る軸が前記遮光膜の開口部の中心に一致していて前記軸を中心とした対称な形状をしており、撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記受光部上の前記上に凸型のレンズは、レンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心から前記撮像領域の中心寄りにずれていて、且つそのずれ量は各受光部が前記撮像領域の中心から離れるにしたがって大きいことを特徴とする。
さらに、前記下に凸型のレンズの各々の上方にカラーフィルターおよびトップレンズが形成されていることを特徴とする。撮像領域の中心に位置する前記受光部上の前記トップレンズは、そのレンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心に一致しており、撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記受光部上の前記トップレンズは、そのレンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心から前記撮像領域の中心寄りにずれていて、且つそのずれ量は各受光部が前記撮像領域の中心から離れるにしたがって大きいことを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板の撮像領域に複数の受光部を形成する工程と、前記複数の受光部の各々の上方が開口された遮光膜を基板上に形成する形成する工程と、前記複数の受光部の各々の上方が凹形状となる第1の絶縁膜を前記遮光膜上に形成する工程と、前記第1の絶縁膜よりも屈折率の高い第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜上に形成する工程とを有しており、前記第1の絶縁膜を形成する工程は、該第1の絶縁膜を、前記撮像領域の中心では前記凹形状の最下点が前記遮光膜の開口部の中心に位置し、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記凹形状の最下点が前記遮光膜の開口部の中心よりも撮像領域外側にずれるように形成することを特徴とする。
また上記の固体撮像装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜を形成する工程は、前記遮光膜上にその表面形状に沿う凹形状部を持ったフロー性絶縁膜を形成する工程と、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記凹形状部における前記撮像領域の周辺寄りの各一部を除去する工程と、前記フロー性絶縁膜をフローさせる工程とからなることを特徴とする。
前記第1の絶縁膜を形成する工程は、前記遮光膜上にその表面形状に沿う凹形状部を持った第1のフロー性絶縁膜を形成する工程と、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記凹形状部上であって前記撮像領域の中心寄りの箇所に第2のフロー性絶縁膜を形成する工程と、前記第1のフロー性絶縁膜及び第2のフロー性絶縁膜をフローさせる工程とからなることを特徴とする。
前記第1の絶縁膜を形成する工程の前に、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する各受光部について、該受光部よりも前記撮像領域中心側の前記遮光膜上に凸状パターンを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする。
前記遮光膜を形成する工程の前に、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する各受光部について、該受光部よりも前記撮像領域中心側の前記基板上に凸状パターンを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする。
本発明によれば、下に凸型の層内レンズの形状を撮像領域内の位置に応じて最適な形状にしたので、撮像領域の周辺でも入射光を開口部の中心付近に集光することができ、撮像面内での感度の均一性およびスミア特性の向上を実現できる。
本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の断面図 本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の断面図 本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の断面図 本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の断面図 本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置の断面図 本発明の第6の実施形態に係る固体撮像装置の断面図 本発明の固体撮像装置の第1の製造方法を示す工程断面図 図7の製造方法における絶縁膜の一部除去を示す模式図 図7の製造方法の変形例を示す断面図 本発明の固体撮像装置の第2の製造方法を示す工程断面図 本発明の固体撮像装置の第3の製造方法を示す工程断面図 本発明の固体撮像装置の第4の製造方法を示す工程断面図 従来の固体撮像装置の断面図
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。各図において先の図13に示したものと同じ構成要素には図13と同じ符号を付している。
図1は本発明の第1の実施形態の固体撮像装置の概略の断面図である。シリコン基板Sにフォトダイオード(PD)よりなる複数の受光部1が形成されており、互いの間に垂直CCD部(図示せず)が形成され、垂直CCD部に接続した水平CCD部(図示せず)が配置されている。
シリコン基板S上には、ゲート絶縁膜2が形成され、該ゲート絶縁膜2により垂直CCD部から分離して転送ゲート3が形成され、各受光部1の上に開口部16を持った遮光膜4が形成されている。遮光膜4は転送ゲート3を覆ってその下の垂直CCD部へ不要な光が入射することを防止する。
遮光膜4上および開口部16内には光透過性の絶縁膜5が形成されており、絶縁膜5上であって受光部1および開口部16の上方には下に凸型のレンズ6(以下、層内下凸レンズ6という)と層内上凸レンズ7とが形成されている。
他の構成要素および領域については図示を省略しているが、層内上凸レンズ7の上方には、反射率の調整やレンズの位置調整のための中間層、カラーフィルター、マイクロレンズなどが形成されている(後述する図2参照)。この固体撮像装置の上方にカメラシステムのレンズ(図示省略)や絞り13が配置されている。
したがって、外部からの光は絞り13で集光され、マイクロレンズにより取り込まれ、カラーフィルターおよび中間層を透過した後、層内上凸レンズ7および層内下凸レンズ6でさらに集光されて受光部1に到達し、この受光部1で光電変換により電荷が蓄積される。
各受光部1に蓄積された電荷は、転送ゲート3に与えられる電位によって読み出しゲート(図示せず)を通じて垂直CCD部に転送され、さらに転送ゲート3に順次与えられる電位によって水平CCD部へと転送され、この水平CCD部において所定方向に転送されアンプ部より出力されて、画像信号として処理される。
この際に、絞り13を通して入射してくる入射光は固体撮像装置の撮像面の全面に照射されるが、既述したように、撮像領域中心では受光部1の受光面に垂直な方向に入射する一方で、撮像領域中心から離れるほど受光部1の受光面に対する垂線となす角度が大きくなる。
このため、絞り13の中心の直下(通常は撮像領域中心なので以降は撮像領域中心という)に存在する受光部1に対しては、層内上凸レンズ7、層内下凸レンズ6は、半球をはじめとする球の一部の形状などの滑らかで点対称型の形状(以下、半球状という)に、且つ開口部16中心に頂点、最下点を合わせて形成されている。なお撮像領域や開口部16の「中心」は中心もしくは中心付近を意味するものとする。
一方、撮像領域中心よりも周辺寄りの各受光部1に対しては、層内下凸レンズ6はその最下点を通る軸(受光面に垂直な方向の軸)が開口部16中心からずれた形状に形成されている。ずれ量は撮像領域中心から遠いものほど大きい。
たとえば図中の右端の受光部1に対しては、開口部16を幅0.6umとし、層内下凸レンズ6をその最下点を通る軸が開口部16中心より0.2umだけ撮像領域端部寄りにずれた形状に形成してある。このずれ量は50nm〜300nm程度が適当である。層内上凸レンズ7は既述したスケーリング技術を用いてその頂点が開口部16の中心よりも撮像領域中心寄りとなるように位置をずらしてある。
このような構造としたことにより、入射光は層内上凸レンズ7によって開口部16の中心寄りに集光された後に、さらに層内下凸レンズ6によって開口部16の中心寄りに集光されることになり、撮像領域中心だけでなく撮像領域周辺においても開口部16のより中心付近に集光される。よって、撮像面内での感度の均一性を改善し、さらにスミアの面内ばらつきを抑制することができる。
ただし本発明の特徴は、撮像領域中心よりも周辺寄りの受光部1に対しては、層内下凸レンズ6をその最下点が開口部16の中心からずれた形状に形成することで開口部16の中心寄りに集光する点に存するのであり、層内下凸レンズ6のみによって開口部16の中心付近に所望程度に集光できるのであれば、層内上凸レンズ7は必ずしも必要ではない。
図2に示した本発明の第2の実施形態の固体撮像装置では、図1に示した固体撮像装置に比べて、各層内上凸レンズ7の上方にカラーフィルター17と上凸型のトップレンズ18とを中間層19を介して設けており、この上凸型のトップレンズ18をスケーリング技術を用いて形成している。
図3に示した本発明の第3の実施形態の固体撮像装置では、図2に示した固体撮像装置に比べてさらに、トップレンズ18を、撮像領域中心のものについては半球状とし、撮像領域中心よりも周辺寄りのものについては最上点が開口部16の中心からずれるようにレンズ曲率を変えて形成してある。ずれ量は撮像領域中心から遠いものほど大きい。
図4に示した本発明の第4の実施形態の固体撮像装置では、図1に示した固体撮像装置に比べて、撮像領域中心よりも周辺寄りの各受光部1については、層内上凸レンズ7はその最上点が開口部16の中心からずれた形状、すなわち曲率が変化した形状(または曲率がレンズ表面で変化した形状)に形成されている。ずれ量は撮像領域中心から遠いものほど大きい。
図5に示した本発明の第5の実施形態の固体撮像装置では、図4に示した固体撮像装置に比べてさらに、各層内上凸レンズ7の上方にカラーフィルター17と半球状の上凸型のトップレンズ18とを中間層19を介して設けており、この上凸型のトップレンズ18をスケーリング技術を用いて形成している。
図6に示した本発明の第6の実施形態の固体撮像装置では、図5に示した固体撮像装置に比べてさらに、トップレンズ18を、撮像領域中心のものについては半球状とし、撮像領域中心よりも周辺寄りのものについては最上点が開口部16の中心からずれるようにレンズ曲率を変えて形成してある。ずれ量は撮像領域中心から遠いものほど大きい。
以上のような層内上凸レンズ7やトップレンズ18を備えることにより、撮像領域周辺でも開口部16のさらに中心付近に集光される。
カラーフィルター17に関しては、RGBの原色でも補色を用いたものでもよく、そのカメラシステムの用途に応じて選択可能である。
次に、本発明に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。
図7は本発明の固体撮像装置の第1の製造方法を示す。図7(a)に示すように、シリコン基板Sに、イオン注入や場合によっては熱拡散技術等を用いて受光部1や転送路12等の所望の不純物拡散層を形成し、次いで熱酸化やCVD(Chemical Vapor Deposition)法によりゲート絶縁膜2を堆積させる。このゲート絶縁膜2は酸化膜単層でも酸化膜とチッ化膜等からなる2層以上の積層膜でもよい。
その後、転送ゲート3となる膜をCVD法により堆積させ、フォトリソグラフィーとエッチングプロセス等によりパターニングする。次いで転送ゲート3を覆い受光部1の上に開口部16を持つように、W等からなる遮光膜4を熱酸化やCVD法、エッチング技術により形成する。さらに、NSG等の絶縁膜を50nm〜250nm堆積した後、BPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass)等のフロー性のある絶縁膜5を堆積させる。この絶縁膜5は転送ゲート3の厚みに拠って開口部16の上に凹部5aを持つものとなる。
図7(b)に示すように、絶縁膜5の上にレジスト8を塗布し、該レジスト8を受光部1の周辺部に対応する一部を抜いた形状にパターニングし、該レジスト8をマスクとしてエッチング技術により絶縁膜5の内の少なくとも一部を除去する。
図7(c)に示すように、レジスト8を除去したうえで、絶縁膜5を600℃〜800℃でフローさせることにより、凹部5aのなかでも前記除去部分とその周囲部分が特に窪んだ所望の形状、言い換えると最下点が開口部16の中心からずれた形状を得る。
図7(d)に示すように、絶縁膜5の上に、BPSGよりも屈折率の大きい物質、例えば窒素酸化シリコンや窒化シリコン(n=1.5〜2.2程度)からなる第1の屈折率の高い絶縁膜9を堆積させ、その上部をエッチバック技術やCMP技術により平坦化する。この絶縁膜9の凸状部分が上述の層内下凸レンズ6となる。
さらに、図7(e)に示すように、例えば窒素酸化シリコンや窒化シリコン(n=1.5〜2.2程度)等の第2の屈折率の高い絶縁膜10を堆積し、エッチバック技術で上に凸型に形成する。この絶縁膜10の凸状部分が上述の層内上凸レンズ7となる。
図8(a)(b)に、先に図7(b)で説明した絶縁膜5の一部除去を模式的に示す。撮像領域における受光部1の位置に応じてその各々の上方にある層内下凸レンズ6の形状を変えるために、レジスト8の打ち抜き部分、それによる絶縁膜5の除去部分(破線で示す)を、撮像領域中心から遠いものほど開口部16中心からのずれ量が大きくなるように設ける。
図7(d)(e)の工程に代えて、図9(a)に示すように、フローさせた絶縁膜5の上に、BPSGよりも屈折率の大きい物質、例えば窒素酸化シリコンや窒化シリコン(n=1.5〜2)からなる絶縁膜9を、上述の層内上凸レンズ7の最上点と同等以上まで厚く堆積し、これをエッチバック技術で図9(b)に示すような上に凸型に形成してもよい。上述の層内下凸レンズ6と層内上凸レンズ7とが一度に一体に形成されることとなる。
なお、層内下凸レンズ6および層内上凸レンズ7は単層であるとして図示し説明したが、これに限られるものではなく、屈折率の異なる複数の層で構成してもよい。
図10は本発明の固体撮像装置の第2の製造方法を示す。図10(a)に示すように、シリコン基板Sに、受光部1や転送路12等の所望の不純物拡散層を形成し、ゲート絶縁膜2を堆積させた後、転送ゲート3と開口部16を持った遮光膜4とを形成する。さらにその上にフロー性のある絶縁膜5を堆積させる。ここまでは先に図7(a)を用いて説明したのと同様である。
次に、絶縁膜5の上にレジスト14を塗布し、グレースケーリングマスクと呼ばれる一部の領域の光透過率を変化させてあるマスク11を用いて露光し、現像することにより、図示したように厚みが部分的に異なるレジストパターンを形成する。
その後に、このレジスト14と絶縁膜5との選択比が0.7〜1.0になるようにエッチングし、レジスト14を除去したうえで、絶縁膜5を600℃〜800℃でリフローさせる。このことにより、図10(b)に示すような、絶縁膜5の凹部5aのなかでも一部が特に窪み、最下点が開口部16の中心からずれた形状を得る。
その後に、図10(c)に示すような、絶縁膜9からなる層内下凸レンズ6と絶縁膜10からなる層内上凸レンズ7とを、先に図7(d)(e)を用いて説明したのと同様にして順次に形成するか、あるいは、図10(d)に示すような、絶縁膜9からなる層内下凸レンズ6および層内上凸レンズ7を、先に図9(a)(b)を用いて説明したのと同様にして一度に一体に形成する。
図11は本発明の固体撮像装置の第3の製造方法を示す。図11(a)に示すように、シリコン基板Sに、受光部1や転送路12等の所望の不純物拡散層を形成し、ゲート絶縁膜2を堆積させた後、転送ゲート3と開口部16を持った遮光膜4とを形成する。ここまでは先に図7(a)を用いて説明したのと同様である。
次に、図示したように、絶縁膜15を堆積し、該絶縁膜15にレジスト(図示せず)を塗布し、該レジストをマスク11を用いて所望の形状・膜厚にパターニングし、パターニング後のレジストをマスクとして、図11(b)に示すように、絶縁膜15を転送ゲート3上の一部分にのみ残るようにエッチング技術によりパターニングする。
次に、NSG等の絶縁膜を50nm〜250nm堆積し、さらにBPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass)等のフロー性のある絶縁膜5を堆積し、この絶縁膜5を600℃〜800℃でフローさせることにより、図示したような、絶縁膜5の凹部5aの最下点が開口部16の中心からずれた形状を得る。この形状は、開口部16の周囲の絶縁膜5の高さが絶縁膜15により異なることにより形成される。
その後に、図11(c)に示すような、絶縁膜9からなる層内下凸レンズ6と絶縁膜10からなる層内上凸レンズ7とを、先に図7(d)(e)を用いて説明したのと同様にして順次に形成するか、あるいは、図11(d)に示すような、絶縁膜9からなる層内下凸レンズ6および層内上凸レンズ7を、先に図9(a)(b)を用いて説明したのと同様にして一度に一体に形成する。
図12(a)(b)(c)は本発明の固体撮像装置の第4の製造方法を示す。転送ゲート3上の一部分にのみ残す絶縁膜15を、転送ゲート3と遮光膜4の間に形成している。このようにする場合は、絶縁膜15としてHTOや熱酸化膜等を形成してもよく、使用可能な物質の選択肢が増加するので、プロセスが容易になる。
さらには、上述の絶縁膜15の堆積およびパターニングを行わずに、フロー性のある絶縁膜5に先だって堆積するNSG等を上記膜厚よりも厚く(例えば100nm〜800nm)堆積し、このNSG等を転送ゲート3上の一部分のみが厚くなるようにエッチングするなどして、その上に形成する絶縁膜5の開口部16周囲での高さを異ならせてもよい。
以上説明したように、本発明は、固体撮像装置の感度および均一性の向上、スミア特性の向上等に有用である。
1 受光部
2 ゲート絶縁膜
3 転送ゲート
4 遮光膜
5 フロー性のある絶縁膜
6 層内下凸レンズ
7 層内上凸レンズ
9 絶縁膜
10 絶縁膜
11 マスク
12 転送路
13 絞り
14 レジスト
15 絶縁膜
16 開口部
17 カラーフィルター
18 トップレンズ
S シリコン基板

Claims (11)

  1. 光電変換する複数の受光部と、前記複数の受光部が形成された基板の撮像領域を覆い各受光部の上方で開口した遮光膜と、前記遮光膜の各開口部の上方に形成された下に凸型のレンズとを少なくとも備えた固体撮像装置において、
    撮像領域の中心に位置する前記受光部上の前記下に凸型のレンズは、レンズ最下点を通る軸が前記遮光膜の開口部の中心に一致していて前記軸を中心とした対称な形状をしており、撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記受光部上の前記下に凸型のレンズは、レンズ最下点が前記遮光膜の開口部の中心から前記撮像領域の周辺寄りにずれていて、且つそのずれ量は各受光部が前記撮像領域の中心から離れるにしたがって大きいことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記下に凸型のレンズの各々の上方に上に凸型のレンズが形成されており、前記上に凸型のレンズはレンズ最上点を通る軸を中心とした対称な形状であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記下に凸型のレンズの各々の上方に上に凸型のレンズが形成されており、前記上に凸型のレンズはレンズ最上点を通る軸を中心とした対称な形状であり、撮像領域の中心に位置する前記受光部上の前記上に凸型のレンズは、前記レンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心に一致しており、撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記受光部上の前記上に凸型のレンズは、前記レンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心から前記撮像領域の中心寄りにずれていて、そのずれ量は各受光部が前記撮像領域の中心から離れるにしたがって大きいことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  4. 前記下に凸型のレンズの各々の上方に上に凸型のレンズが形成されており、撮像領域の中心に位置する前記受光部上の前記上に凸型のレンズは、レンズ最上点を通る軸が前記遮光膜の開口部の中心に一致していて前記軸を中心とした対称な形状をしており、撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記受光部上の前記上に凸型のレンズは、レンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心から前記撮像領域の中心寄りにずれていて、且つそのずれ量は各受光部が前記撮像領域の中心から離れるにしたがって大きいことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  5. 前記下に凸型のレンズの各々の上方にカラーフィルターおよびトップレンズが形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の固体撮像装置。
  6. 撮像領域の中心に位置する前記受光部上の前記トップレンズは、そのレンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心に一致しており、撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記受光部上の前記トップレンズは、そのレンズ最上点が前記遮光膜の開口部の中心から前記撮像領域の中心寄りにずれていて、且つそのずれ量は各受光部が前記撮像領域の中心から離れるにしたがって大きいことを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置。
  7. 基板の撮像領域に複数の受光部を形成する工程と、前記複数の受光部の各々の上方が開口された遮光膜を基板上に形成する形成する工程と、前記複数の受光部の各々の上方が凹形状となる第1の絶縁膜を前記遮光膜上に形成する工程と、前記第1の絶縁膜よりも屈折率の高い第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜上に形成する工程とを有しており、
    前記第1の絶縁膜を形成する工程は、該第1の絶縁膜を、前記撮像領域の中心では前記凹形状の最下点が前記遮光膜の開口部の中心に位置し、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記凹形状の最下点が前記遮光膜の開口部の中心よりも撮像領域外側にずれるように形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  8. 前記第1の絶縁膜を形成する工程は、前記遮光膜上にその表面形状に沿う凹形状部を持ったフロー性絶縁膜を形成する工程と、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記凹形状部における前記撮像領域の周辺寄りの各一部を除去する工程と、前記フロー性絶縁膜をフローさせる工程とからなることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。
  9. 前記第1の絶縁膜を形成する工程は、前記遮光膜上にその表面形状に沿う凹形状部を持った第1のフロー性絶縁膜を形成する工程と、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する前記凹形状部上であって前記撮像領域の中心寄りの箇所に第2のフロー性絶縁膜を形成する工程と、前記第1のフロー性絶縁膜及び第2のフロー性絶縁膜をフローさせる工程とからなることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。
  10. 前記第1の絶縁膜を形成する工程の前に、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する各受光部について、該受光部よりも前記撮像領域中心側の前記遮光膜上に凸状パターンを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。
  11. 前記遮光膜を形成する工程の前に、前記撮像領域の中心よりも周辺寄りに位置する各受光部について、該受光部よりも前記撮像領域中心側の前記基板上に凸状パターンを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014141991A1 (ja) * 2013-03-15 2014-09-18 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
US9274254B2 (en) 2013-10-09 2016-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Optical element array, photoelectric conversion apparatus, and image pickup system
US9285510B2 (en) 2013-06-28 2016-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Optical element array and solid-state imaging device including the array
JP2016149417A (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 キヤノン株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び撮像システム
JP2020126978A (ja) * 2019-02-06 2020-08-20 キヤノン株式会社 撮像素子および撮像装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014141991A1 (ja) * 2013-03-15 2014-09-18 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
KR20150130974A (ko) * 2013-03-15 2015-11-24 소니 주식회사 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기
CN105308746A (zh) * 2013-03-15 2016-02-03 索尼公司 固态成像器件及其制造方法以及电子设备
JPWO2014141991A1 (ja) * 2013-03-15 2017-02-16 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
US9985066B2 (en) 2013-03-15 2018-05-29 Sony Corporation Solid-state imaging device, method for manufacturing same, and electronic device
KR102210008B1 (ko) * 2013-03-15 2021-01-29 소니 주식회사 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기
US9285510B2 (en) 2013-06-28 2016-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Optical element array and solid-state imaging device including the array
US9274254B2 (en) 2013-10-09 2016-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Optical element array, photoelectric conversion apparatus, and image pickup system
JP2016149417A (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 キヤノン株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び撮像システム
JP2020126978A (ja) * 2019-02-06 2020-08-20 キヤノン株式会社 撮像素子および撮像装置
JP7352359B2 (ja) 2019-02-06 2023-09-28 キヤノン株式会社 撮像素子および撮像装置

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