JP7342679B2 - Ink composition, luminescent layer and electroluminescent device - Google Patents

Description

本発明は、量子ドット及び溶剤を含むインキ組成物、及び、該インキ組成物を用いてなる発光層及び電界発光素子に関する。 The present invention relates to an ink composition containing quantum dots and a solvent, and a light-emitting layer and an electroluminescent device using the ink composition.

軽量・薄型で消費電力が少なく、且つ形状の自由度に優れた面発光型素子として、電界発光素子（ＥＬ、ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が注目されている。電界発光素子は、高輝度発光、高速応答、広視野角、薄型軽量、高解像度等の多くの優れた特徴を有し、フラットパネルディスプレイや照明への応用が検討されており、電界発光素子の１つとして量子ドットの利用が注目されている。 2. Description of the Related Art Electroluminescence (EL) devices are attracting attention as surface-emitting devices that are lightweight, thin, consume little power, and have excellent flexibility in shape. Electroluminescent devices have many excellent features such as high luminance, fast response, wide viewing angle, thinness and light weight, and high resolution. Applications to flat panel displays and lighting are being considered, and electroluminescent devices are becoming more and more popular. One example that is attracting attention is the use of quantum dots.

量子ドットは、電荷キャリア及び励起子が３次元の全ての方向に閉じ込められナノスケールの半導体粒子であり、半導体ナノ粒子とも呼ばれる。量子ドットは、原子又は分子的な挙動と、バルク形態のような巨視的固体の挙動との中間的な挙動を示し、粒子サイズの減少にともない、有効なバンドギャップが増大する。つまり、量子ドットのサイズが小さくなると、その吸収と発光がより短波長側、即ち赤色方向から青色方向へとシフトする。また、量子ドットの組成と粒子サイズとの組み合わせを制御することにより、赤外領域から紫外領域までの広範囲のスペクトルを得ることができ、更に粒子サイズの分布を制御することにより、半値幅が狭く色純度に優れたスペクトルを得ることができる。
近年、これらの特性を生かして、発光材料として量子ドットを用いた、電界発光素子が提案されている。 Quantum dots are nanoscale semiconductor particles in which charge carriers and excitons are confined in all three-dimensional directions, and are also called semiconductor nanoparticles. Quantum dots exhibit behavior intermediate between atomic or molecular behavior and that of macroscopic solids such as bulk morphology, with an effective bandgap increasing as particle size decreases. That is, as the size of the quantum dot decreases, its absorption and emission shift toward shorter wavelengths, that is, from the red direction to the blue direction. In addition, by controlling the combination of quantum dot composition and particle size, it is possible to obtain a wide spectrum from the infrared region to the ultraviolet region, and by controlling the particle size distribution, the half-width is narrow. A spectrum with excellent color purity can be obtained.
In recent years, electroluminescent devices using quantum dots as light-emitting materials have been proposed by taking advantage of these characteristics.

一般的に量子ドットは、水や有機溶剤中に分散した量子ドット含有組成物として扱われ、コーティングや印刷等の湿式方法で製膜加工される。そのため、電界発光素子を構成する多層の層の内、量子ドット含有組成物により形成される発光層の下層は、該組成物に含まれる溶剤等によってダメージを受けるため、下層を構成する材料や有機溶剤の選択には制限がある。
特に、電界発光素子では、発光層の下層に正孔輸送層を有していることが多く、芳香族低分子や芳香族高分子を用いた正孔輸送層上に、芳香族系の有機溶剤を含む量子ドット含有組成物を塗布すると、正孔輸送層に大きなダメージが発生する。 Generally, quantum dots are treated as a quantum dot-containing composition dispersed in water or an organic solvent, and processed to form a film by a wet method such as coating or printing. Therefore, among the multiple layers constituting an electroluminescent device, the lower layer of the light-emitting layer formed from the quantum dot-containing composition is damaged by the solvent, etc. contained in the composition. There are limitations to the choice of solvent.
In particular, electroluminescent devices often have a hole transport layer below the light emitting layer, and aromatic organic solvents are used on the hole transport layer using aromatic low molecules or aromatic polymers. When a quantum dot-containing composition containing .

上記課題に対し、特許文献１には、量子ドット含有組成物中の溶剤により下層が溶解し、混合層となることを利用して特性を改善する技術が開示されている。また、特許文献２には、トリフェニルアミン骨格を有しフォスフィンオキシドを吸着基としたリガンを有する量子ドットをジエチレングリコールジブチルエーテルに分散させたインキが記載されている。 To address the above problem, Patent Document 1 discloses a technique for improving characteristics by utilizing the fact that the lower layer is dissolved by a solvent in a quantum dot-containing composition to form a mixed layer. Further, Patent Document 2 describes an ink in which quantum dots having a triphenylamine skeleton and a ligand having a phosphine oxide as an adsorption group are dispersed in diethylene glycol dibutyl ether.

国際公開第２０１５／１０５０２７号International Publication No. 2015/105027 国際公開第２０１９／０６５３４６号International Publication No. 2019/065346

しかしながら、特許文献１の発明は、下層と有機溶剤との組合せによっては必ずしも改善につながるわけではなく、むしろ悪化する場合が多い。さらに、混合層の再現性が悪く素子特性が安定しないという課題がある。また特許文献２は、吸着基がフォスフィンオキシドのリガンドと、ジエチレングリコールジブチルエーテルとを組み合わせており、素子特性及びインキのインクジェット吐出性が低いという課題がある。
即ち、本発明の課題は、量子ドットへの電気エネルギー注入を阻害することなく駆動電圧の低減が可能であり、かつ、積層による下層へのダメージが抑制された発光効率や耐久性に優れた電界発光素子と、その発光層、さらに、それらを形成するためのインキ組成物を提供することである。 However, the invention of Patent Document 1 does not necessarily lead to improvement depending on the combination of the lower layer and the organic solvent, but rather often leads to deterioration. Furthermore, there is a problem that the reproducibility of the mixed layer is poor and the device characteristics are unstable. Further, Patent Document 2 combines a ligand whose adsorption group is phosphine oxide and diethylene glycol dibutyl ether, and there is a problem that the device characteristics and the inkjet ejectability of the ink are low.
In other words, the object of the present invention is to create an electric field that can reduce the driving voltage without inhibiting the injection of electrical energy into the quantum dots, has excellent luminous efficiency and durability, and suppresses damage to the underlying layers due to stacking. An object of the present invention is to provide a light emitting element, a light emitting layer thereof, and an ink composition for forming the light emitting element.

上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す実施形態により、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies to solve the above problems, it was discovered that the above problems could be solved by the embodiments shown below, and the present invention was completed.

本発明の実施形態は、量子ドット及び溶剤を含むインキ組成物であって、前記量子ドットが、スルファニル基及びカルボキシル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有するキャリア輸送性リガンドを含み、前記溶剤が、下記一般式（１）～（４）で表わされる溶剤を少なくとも１種含み、下記一般式（１）～（４）で表わされる溶剤の合計量が、溶剤全量に対して５０質量％以上である、インキ組成物に関する。
一般式（１）： Ｒ^３６ＣＯ（ＯＲ^３７）_ｐＯＲ^３８
一般式（２）： Ｒ^３９ＣＯ（ＯＲ^４０）_ｑＯＣＯＲ^４１
一般式（３）： Ｒ^４２（ＯＲ^４３）_ｒＯＲ^４４
一般式（４）： Ｒ^４５（ＯＲ^４６）_ｓＯＲ^４７
［一般式（１）～（４）中、
Ｒ^３６、Ｒ^３８、Ｒ^３９、Ｒ^４１、Ｒ^４２及びＲ^４４は、各々独立して、炭素数１～４のアルキル基を表し、Ｒ^３７、Ｒ^４０及びＲ^４３は、各々独立して、炭素数２～４のアルキレン基を表し、Ｒ^４５及びＲ^４７は、各々独立して、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ^４５及びＲ^４７のうち少なくとも１つは水素原子であり、Ｒ^４６は、炭素数１～１０のアルキレン基を表し、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、各々独立して、１～６の整数を表す。］ An embodiment of the present invention is an ink composition comprising quantum dots and a solvent, wherein the quantum dots include a carrier transporting ligand having at least one functional group selected from the group consisting of a sulfanyl group and a carboxyl group. , the solvent contains at least one solvent represented by the following general formulas (1) to (4), and the total amount of the solvents represented by the following general formulas (1) to (4) is 50% of the total amount of the solvent. % by mass or more.
General formula (1): R ³⁶ CO(OR ³⁷ ) _p OR ³⁸
General formula (2): R ³⁹ CO(OR ⁴⁰ ) _q OCOR ⁴¹
General formula (3): R ⁴² (OR ⁴³ ) _r OR ⁴⁴
General formula (4): R ⁴⁵ (OR ⁴⁶ ) _s OR ⁴⁷
[In general formulas (1) to (4),
R ³⁶ , R ³⁸ , R ³⁹ , R ⁴¹ , R ⁴² and R ⁴⁴ each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R ³⁷ , R ⁴⁰ and R ⁴³ each independently represent, represents an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, R ⁴⁵ and R ⁴⁷ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and at least one of R ⁴⁵ and R ⁴⁷ is a hydrogen atom , R ⁴⁶ represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and p, q, r and s each independently represent an integer of 1 to 6. ]

本発明の他の実施形態は、前記キャリア輸送性リガンドが、一般式（５）で表わされる基を有する化合物である、上記記載のインキ組成物に関する。
一般式（５）

［一般式（５）中、Ｌ^１は、直接結合又は炭素数１～５のアルキレン基であり、Ｌ^２は、炭素数１～５のアルキレン基であり、Ｒ^４８は、炭素数１～５のアルキル基であり、ｎは、０～４の整数である。］ Another embodiment of the present invention relates to the ink composition described above, wherein the carrier-transporting ligand is a compound having a group represented by general formula (5).
General formula (5)

[In general formula (5), L ¹ is a direct bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, L ² is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and R ⁴⁸ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms. is an alkyl group, and n is an integer of 0 to 4. ]

本発明の他の実施形態は、インクジェット方式で用いられる、上記記載のインキ組成物に関する。 Another embodiment of the present invention relates to the ink composition described above, which is used in an inkjet system.

本発明の他の実施形態は、上記記載のインキ組成物を用いて形成される発光層に関する。 Another embodiment of the present invention relates to a light emitting layer formed using the ink composition described above.

本発明の他の実施形態は、基板上に、陽極、正孔輸送層、上記記載の発光層及び陰極が、この順に積層されている構成を備えた電界発光素子であって、前記正孔輸送層に接して前記発光層が設けられている、電界発光素子に関する。 Another embodiment of the present invention is an electroluminescent device having a configuration in which an anode, a hole transport layer, the light emitting layer described above, and a cathode are laminated in this order on a substrate, wherein the hole transport The present invention relates to an electroluminescent device, in which the light emitting layer is provided in contact with a layer.

本発明により、量子ドットへの電気エネルギー注入を阻害することなく駆動電圧の低減が可能であり、かつ、積層による下層へのダメージが抑制された発光効率や耐久性に優れた電界発光素子と、その発光層、さらに、それらを形成するためのインキ組成物を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION The present invention provides an electroluminescent element that can reduce driving voltage without inhibiting the injection of electrical energy into quantum dots, has excellent luminous efficiency and durability, and suppresses damage to lower layers due to lamination. The light-emitting layers, as well as ink compositions for forming them, can be provided.

＜インキ組成物＞
本発明のインキ組成物は、量子ドット及び溶剤を含み、前記量子ドットが、スルファニル基及びカルボキシル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有するキャリア輸送性リガンドを含み、前記溶剤が、特定の構造に属する溶剤を含み、特定の構造に属する溶剤の合計量が、溶剤全量に対して５０質量％以上であることを特徴とする。
このようなインキ組成物を用いることで、該組成物を用いて形成される発光層及び電界発光素子は、量子ドットへの電気エネルギー注入が阻害されることなく駆動電圧の低減が可能となり、かつ積層による下層へのダメージが抑制されるため、優れた発光効率や耐久性を示す。
以下に、本発明について詳細に説明する。 <Ink composition>
The ink composition of the present invention includes a quantum dot and a solvent, the quantum dot includes a carrier transporting ligand having at least one functional group selected from the group consisting of a sulfanyl group and a carboxyl group, and the solvent includes: It is characterized in that it contains a solvent belonging to a specific structure, and the total amount of the solvent belonging to the specific structure is 50% by mass or more based on the total amount of the solvent.
By using such an ink composition, the light-emitting layer and electroluminescent device formed using the composition can reduce the driving voltage without inhibiting the injection of electrical energy into the quantum dots, and Since damage to the underlying layers due to lamination is suppressed, it exhibits excellent luminous efficiency and durability.
The present invention will be explained in detail below.

＜量子ドット＞
本発明における量子ドットは、数ｎｍ～十数ｎｍ程度の半導体ナノ粒子と、リガンドと呼ばれる材料から構成されている。リガンドは、主として半導体ナノ粒子の表面に物理的又は化学的に吸着しており、溶剤への分散性を付与することに加え、半導体ナノ粒子表面を保護する役割を担っている。 <Quantum dot>
Quantum dots in the present invention are composed of semiconductor nanoparticles of several nanometers to tens of nanometers and a material called a ligand. The ligand is mainly physically or chemically adsorbed on the surface of the semiconductor nanoparticle, and plays the role of protecting the surface of the semiconductor nanoparticle in addition to providing dispersibility in a solvent.

＜半導体ナノ粒子＞
半導体ナノ粒子の材質としては、炭素（Ｃ）（不定形炭素、グラファイト、グラフェン、カーボンナノチューブ等）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）等の周期表第ＩＶ族元素の単体、リン（Ｐ）（黒リン）等の周期表第Ｖ族元素の単体、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）等の周期表第ＶＩ族元素の単体、酸化錫（ＩＶ）窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化ホウ素（ＢＰ）、砒化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）等の周期表第III族元素と周期表第V族元素との化合物硫化アルミニウム（Ａｌ_２Ｓ_３）、セレン化アルミニウム（Ａｌ_２Ｓｅ_３）、硫化ガリウム（Ｇａ_２Ｓ_３）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ、Ｇａ_２Ｓｅ_３）テルル化ガリウム（ＧａＴｅ、Ｇａ_２Ｔｅ_３）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、硫化インジウム（Ｉｎ_２Ｓ_３、ＩｎＳ）、セレン化インジウム（Ｉｎ_２Ｓｅ_３）、テルル化インジウム（Ｉｎ_２Ｔｅ_３）等の周期表第ＩＩＩ族元素と周期表第ＶＩ族元素との化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）等の周期表第ＩＩ族元素と周期表第ＶＩ族元素との化合物、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）等の周期表第Ｉ族元素と周期表第ＶＩ族元素との化合物、塩化銅（Ｉ）（ＣｕＣｌ）、臭化銅（Ｉ）（ＣｕＢｒ）、ヨウ化銅（Ｉ）（ＣｕＩ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）等の周期表第Ｉ族元素と周期表第ＶＩＩ族元素との化合物等が挙げられ、必要に応じてこれらの２種以上を併用してもよい。
これらの半導体には、構成元素以外の元素が含有されていてもよく、例えばＩＩＩ－Ｖ族を例にとれば、ＩＮＧａＰ、ＩＮＧａＮの様な合金系であってもよい。また上記材料中に、希土類元素あるいは遷移金属元素がドープされた半導体ナノ粒子も使用でき、例えば、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｅ、ＬａＰＯ_４：Ｃｅ等が挙げられる。 <Semiconductor nanoparticles>
Materials for semiconductor nanoparticles include simple elements of group IV of the periodic table, such as carbon (C) (amorphous carbon, graphite, graphene, carbon nanotubes, etc.), silicon (Si), germanium (Ge), and tin (Sn). , simple elements of group V of the periodic table such as phosphorus (P) (black phosphorus), simple elements of group VI of the periodic table such as selenium (Se) and tellurium (Te), tin oxide (IV), boron nitride (BN) , boron phosphide (BP), boron arsenide (BAs), aluminum nitride (AlN), aluminum phosphide (AlP), aluminum arsenide (AlAs), aluminum antimonide (AlSb), gallium nitride (GaN), gallium phosphide ( Group III elements of the periodic table such as GaP), gallium arsenide (GaAs), gallium antimonide (GaSb), indium nitride (InN), indium phosphide (InP), indium arsenide (InAs), and indium antimonide (InSb). Compounds with Group V elements of the periodic table Aluminum sulfide (Al ₂ S ₃ ), Aluminum selenide (Al ₂ Se ₃ ), Gallium sulfide (Ga ₂ S ₃ ), Gallium selenide (GaSe, Ga ₂ Se ₃ ) Telluride Gallium (GaTe, Ga ₂ Te ₃ ), indium oxide (In ₂ O ₃ ), indium sulfide (In ₂ S ₃ , InS), indium selenide (In ₂ Se ₃ ), indium telluride (In ₂ Te ₃ ), etc. Compounds of Group III elements of the periodic table and Group VI elements of the periodic table, zinc oxide (ZnO), zinc sulfide (ZnS), zinc selenide (ZnSe), zinc telluride (ZnTe), cadmium oxide (CdO), Group II elements of the periodic table such as cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdSe), cadmium telluride (CdTe), mercury sulfide (HgS), mercury selenide (HgSe), mercury telluride (HgTe) and the periodic table Compounds of Group VI elements, compounds of Group I elements of the periodic table such as copper (I) oxide (Cu ₂ O) and group VI elements of the periodic table, copper (I) chloride (CuCl), copper bromide ( Compounds of Group I elements of the periodic table and Group VII elements of the periodic table, such as I) (CuBr), copper (I) iodide (CuI), silver chloride (AgCl), and silver bromide (AgBr), etc. , Two or more of these may be used in combination if necessary.
These semiconductors may contain elements other than the constituent elements, and for example, taking the III-V group as an example, they may be alloys such as INGaP and INGaN. Furthermore, semiconductor nanoparticles doped with a rare earth element or a transition metal element can also be used in the above materials, such as ZnS:Mn, ZnS:Tb, ZnS:Ce, LaPO ₄ :Ce, and the like.

この中でも、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ、Ｇａ_２Ｓｅ_３）、硫化インジウム（Ｉｎ_２Ｓ_３、ＩｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ等の合金系が好ましく用いられ、より好ましくは、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）であり、さらに好ましくは、ＩｎＰをコアに、ＺｎＳ、及び／又は、ＺｎＳｅをシェルに有するものである。 Among these, silicon (Si), germanium (Ge), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), gallium arsenide (GaAs), indium nitride (InN), indium phosphide (InP), and indium arsenide (InAs) , gallium selenide (GaSe, Ga ₂ Se ₃ ), indium sulfide (In ₂ S ₃ , InS), zinc oxide (ZnO), zinc sulfide (ZnS), zinc selenide (ZnSe), zinc telluride (ZnTe), Alloy systems such as cadmium oxide (CdO), cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdSe), cadmium telluride (CdTe), InGaP, and InGaN are preferably used, and more preferably, indium phosphide (InP) and selenium are used. These include cadmium oxide (CdSe), zinc sulfide (ZnS), and zinc selenide (ZnSe), and more preferably those having InP in the core and ZnS and/or ZnSe in the shell.

さらに、半導体ナノ粒子の材質としてペロブスカイト結晶を好適に用いることができる。ペロブスカイト結晶は、下記式（Ｉ）で表される組成を有し、３次元結晶構造を持つものである。
式（Ｉ）： ＡＱＸ_３
［式（Ｉ）において、Ａは、メチルアンモニウム（ＣＨ_３ＮＨ_２）及びホルムアミジニウム（ＮＨ_２ＣＨＮＨ）からなる群から選ばれる少なくとも１種であるアミン化合物の１価陽イオン、又は、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｅ）及びフランシウ（Ｆｒ）からなる群から選ばれる少なくとも１種であるアルカリ金属元素の１価陽イオンであり、Ｑは、鉛（Ｐｂ）及び錫（Ｓｎ）からなる群から選ばれる少なくとも１種である金属元素の２価陽イオンであり、Ｘは、ヨウ素（Ｉ）、臭素（Ｂｒ）及び塩素（Ｃｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲン元素の１価陰イオンである。］ Furthermore, perovskite crystals can be suitably used as the material for the semiconductor nanoparticles. A perovskite crystal has a composition represented by the following formula (I) and has a three-dimensional crystal structure.
Formula (I): AQX ₃
[In formula (I), A is a monovalent cation of an amine compound selected from the group consisting of methylammonium (CH ₃ NH ₂ ) and formamidinium (NH ₂ CHNH), or rubidium ( Q is a monovalent cation of at least one alkali metal element selected from the group consisting of Rb), cesium (Ce), and Franc (Fr), and Q is a monovalent cation of an alkali metal element selected from the group consisting of lead (Pb) and tin (Sn). A divalent cation of at least one metal element selected, and X is a monovalent cation of at least one halogen element selected from the group consisting of iodine (I), bromine (Br), and chlorine (Cl). It is an ion. ]

半導体ナノ粒子は、コアシェル構造を有するものであることが好ましい。コアシェル型の半導体ナノ粒子は、コアを形成する材質と異なる成分からなる材質でコア構造を被覆した構造となる。シェルにバントギャップの大きい半導体を選択することで、光励起によって生成された励起子（電子－正孔対）はコア内に閉じ込められる。その結果、粒子表面での無輻射遷移の確率が減少し、発光の量子収率及び蛍光特性の安定性が向上する。また、シェルは複数層あってもよい。更に、コアとシェル、及び、あるシェルと他のシェルの境界は明確であっても濃度勾配を設けて徐々に接合されたグラージェント構造で合ってもよい。更に、シェルはコアの一部だけを被覆している状態でも、全体を被覆していてもよい。 Preferably, the semiconductor nanoparticles have a core-shell structure. Core-shell type semiconductor nanoparticles have a core structure coated with a material having a different component from the material forming the core. By selecting a semiconductor with a large bunt gap for the shell, excitons (electron-hole pairs) generated by photoexcitation are confined within the core. As a result, the probability of non-radiative transitions on the particle surface is reduced, and the quantum yield of light emission and the stability of fluorescence properties are improved. Further, the shell may have multiple layers. Furthermore, the boundaries between the core and the shell, and between one shell and another shell, may be clear or may meet in a gradient structure in which they are gradually joined by providing a concentration gradient. Further, the shell may cover only a portion of the core or the entire core.

コアとシェルとを含めた半導体ナノ粒子の平均粒径は、通常０．５ｎｍ～１００ｎｍであり、好ましくは１～５０ｎｍであり、さらに好ましくは１～１５ｎｍである。 The average particle size of the semiconductor nanoparticles including the core and shell is usually 0.5 nm to 100 nm, preferably 1 to 50 nm, and more preferably 1 to 15 nm.

ここで言う平均粒径とは、半導体ナノ粒子を透過型電子顕微鏡で観察し、無作為に３０個のサイズを計測してその平均値を採用した値を指す。この際、半導体ナノ粒子は後述のリガンドを伴うため、エネルギー分散型Ｘ線分析が付帯した走査型透過電子顕微鏡を用いることで、半導体材質部を特定した上で、透過型電子顕微鏡像において電子密度の違いから後述のリガンドに対し半導体ナノ粒子部分は暗く撮像されることを利用し粒径を計測する。半導体ナノ粒子の形状は、球状に限らず、棒状、円盤状、その他形状であっても良い。 The average particle size herein refers to a value obtained by observing semiconductor nanoparticles with a transmission electron microscope, measuring the sizes of 30 particles at random, and employing the average value. At this time, since semiconductor nanoparticles are accompanied by ligands, which will be described later, by using a scanning transmission electron microscope with energy dispersive The particle size is measured by taking advantage of the fact that the semiconductor nanoparticle part is imaged darkly compared to the ligand described below due to the difference in . The shape of the semiconductor nanoparticles is not limited to a spherical shape, but may be a rod shape, a disk shape, or other shapes.

＜リガンド＞
本発明における量子ドットは、スルファニル基及びカルボキシル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有するキャリア輸送性リガンドを含むことを特徴とする。ここでリガンドとは、半導体ナノ粒子の表面処理に用いられ、前記半導体ナノ粒子表面の少なくとも一部を覆うものであり、アルキルチオール等の従来のリガンドは絶縁物質であるために、量子ドットへの電気エネルギー注入を阻害する課題があるところ、本発明では、キャリアである正孔及び電子の輸送性を有するキャリア輸送性リガンドを含むことで、量子ドットへの電気エネルギー注入を阻害することなく駆動電圧を低減し、優れた発光効率や耐久性を発揮することができる。 <ligand>
The quantum dot in the present invention is characterized by containing a carrier-transporting ligand having at least one functional group selected from the group consisting of a sulfanyl group and a carboxyl group. Here, the ligand is used for surface treatment of semiconductor nanoparticles and covers at least a part of the surface of the semiconductor nanoparticles. Conventional ligands such as alkylthiols are insulating substances, so they do not affect quantum dots. Although there is a problem of inhibiting electrical energy injection, in the present invention, by including a carrier-transporting ligand that has the ability to transport holes and electrons as carriers, the drive voltage can be adjusted without inhibiting electrical energy injection into quantum dots. , and can exhibit excellent luminous efficiency and durability.

表面処理の方法としては、例えば、半導体ナノ粒子の合成の際にリガンドを添加することにより、半導体ナノ粒子に予めリガンドを化学吸着させ表面処理する方法；半導体ナノ粒子、又は、別のリガンドで表面処理された半導体ナノ粒子と、リガンドとを溶剤中で撹拌することで、半導体ナノ粒子の表面にリガンドを化学吸着、物理吸着又は化学結合させて表面処理する方法；半導体ナノ粒子、又は、別のリガンドで表面処理された半導体ナノ粒子を、遠心沈降等で溶剤を除去した後、リガンドを含む溶剤に再分散し、化学吸着、物理吸着又は化学結合させて表面処理する方法；が挙げられる。 Examples of surface treatment methods include, for example, adding a ligand during the synthesis of semiconductor nanoparticles to chemically adsorb the ligand onto the semiconductor nanoparticles and surface treatment; A method of surface treatment by chemically adsorbing, physically adsorbing, or chemically bonding the ligand to the surface of the semiconductor nanoparticle by stirring the treated semiconductor nanoparticle and the ligand in a solvent; Examples include a method of surface treating semiconductor nanoparticles that have been surface-treated with a ligand by removing the solvent by centrifugal sedimentation or the like, then redispersing them in a solvent containing the ligand, and subjecting them to chemical adsorption, physical adsorption, or chemical bonding.

＜キャリア輸送性リガンド＞
本発明におけるキャリア輸送性リガンドは、半導体ナノ粒子への吸着部位である、スルファニル基及びカルボキシル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基と、芳香族骨格部位とを有するものである。芳香族骨格は、σ電子に比べて動きやすいπ電子を共役する形で有しているため、正孔や電子等のキャリアの授受をし易いためキャリア輸送性を有する。キャリア輸送性としては、正孔輸送性及び電子輸送性が挙げられ、キャリア輸送性リガンドは、正孔輸送性を備える正孔輸送性リガンドであってもよく、電子輸送性を備える電子輸送性リガンドであってもよく、正孔輸送性と電子輸送性を兼ね備えるリガンドであってもよい。以下、正孔輸送性と電子輸送性を兼ね備えるリガンドは、正孔輸送性リガンド又は電子輸送性リガンドのいずれにも含まれるものとする。キャリア輸送性が、正孔輸送性又は電子輸送性のいずれかであるかは、芳香族骨格やイオン化ポテンシャルによって決定される。
以下に、正孔輸送性リガンド及び電子輸送性リガンドについて説明する。 <Carrier transporting ligand>
The carrier-transporting ligand in the present invention has at least one functional group selected from the group consisting of a sulfanyl group and a carboxyl group, which is an adsorption site to semiconductor nanoparticles, and an aromatic skeleton site. Since the aromatic skeleton has conjugated π electrons that are more mobile than σ electrons, it has carrier transport properties because it can easily transfer carriers such as holes and electrons. Carrier transport properties include hole transport properties and electron transport properties, and the carrier transport ligand may be a hole transport ligand with hole transport properties, or an electron transport ligand with electron transport properties. It may be a ligand having both hole transporting properties and electron transporting properties. Hereinafter, a ligand having both hole-transporting properties and electron-transporting properties is included in either a hole-transporting ligand or an electron-transporting ligand. Whether the carrier transport property is hole transport property or electron transport property is determined by the aromatic skeleton and ionization potential.
The hole transporting ligand and the electron transporting ligand will be explained below.

［正孔輸送性リガンド］
正孔輸送性リガンドは、前述のとおり、半導体ナノ粒子表面への吸着部位である、スルファニル基及びカルボキシル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基と、正孔輸送する機能を持つ正孔輸送性部位とを有し、吸着部位と正孔輸送性部位とは完全に分離している必要は無く、例えば、正孔輸送性部位の一部が吸着部位となっていてもよい。 [Hole transporting ligand]
As mentioned above, the hole-transporting ligand has at least one functional group selected from the group consisting of a sulfanyl group and a carboxyl group, which is an adsorption site on the surface of the semiconductor nanoparticle, and a hole-transporting ligand. The adsorption site and the hole transport site do not need to be completely separated; for example, a part of the hole transport site may serve as the adsorption site.

正孔輸送性部位は、有機電界発光素子材料として用いられる公知の正孔輸送性化合物及びその誘導体からなる構造を有する部位が挙げられ、特に限定されないが、例えば、第三級芳香族アミン、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、ピロールオリゴマー、ピロールポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ビニルカルバゾールオリゴマー、ビニルカルバゾールポリマー、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンエチンオリゴマー、フェニレンエチンポリマー、フェニレンオリゴマー、フェニレンポリマー、アセチレンオリゴマー、アセチレンポリマー、フタロシアニン、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン、及びポルフィリン誘導体が挙げられる。また、以下に示す化合物及びその誘導体も、正孔輸送性部位として使用できる。 Examples of the hole-transporting moiety include a moiety having a structure made of a known hole-transporting compound used as an organic electroluminescent device material and its derivative, and examples include, but are not limited to, tertiary aromatic amines, thiophene, etc. oligomer, thiophene polymer, pyrrole oligomer, pyrrole polymer, phenylene vinylene oligomer, phenylene vinylene polymer, vinyl carbazole oligomer, vinyl carbazole polymer, fluorene oligomer, fluorene polymer, phenylene ethyne oligomer, phenylene ethyne polymer, phenylene oligomer, phenylene polymer, acetylene oligomer, Included are acetylene polymers, phthalocyanines, phthalocyanine derivatives, porphyrins, and porphyrin derivatives. Moreover, the compounds shown below and their derivatives can also be used as the hole transporting site.

さらに、正孔輸送リガンドの好ましい構造として下記一般式（６）、一般式（７）又は一般式（８）で表されるものが挙げられる。 Further, preferable structures of the hole transporting ligand include those represented by the following general formula (6), general formula (7), or general formula (8).

一般式（６）
General formula (6)

［一般式（６）中、Ｘ^１は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいアシル基であり、Ｒ^１～Ｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよい（ポリ）オルガノシロキサン基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、Ｘ^１及びＲ^１～Ｒ^８の内、少なくとも１つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。］ [In general formula (6), X ¹ is a hydrogen atom, an alkyl group that may have a substituent, an aryl group that may have a substituent, or an acyl group that may have a substituent. , R ¹ to R ⁸ each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, a substituted Aryloxy group which may have a substituent, acyl group which may have a substituent, amino group which may have a substituent, (poly)organosiloxane group which may have a substituent, carboxyl group or a sulfanyl group, in which at least one of X ¹ and R ¹ to R ⁸ is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

一般式（７）
General formula (7)

［一般式（７）中、Ｒ^１１～Ｒ^２５は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよい（ポリ）オルガノシロキサン基、ニトロ基、置換基を有してもよいアミノ基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、Ｒ^１１～Ｒ^２５の内、少なくとも１つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。］ [In general formula (7), R ¹¹ to R ²⁵ are each independently a hydrogen atom, an alkyl group that may have a substituent, an aryl group that may have a substituent, and a an alkoxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, a nitro group, a substituent It is an amino group, a carboxyl group, or a sulfanyl group that may have one, and at least one of R ¹¹ to R ²⁵ is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

一般式（８）
General formula (8)

［一般式（８）中、Ｘ^２は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基（ただしフェニル基を除く）、又は置換基を有してもよいアシル基であり、Ｒ^２６～Ｒ^３５は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよい（ポリ）オルガノシロキサン基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいアシル基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、Ｘ^２及びＲ^２６～Ｒ^３５の内、少なくとも１つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。］
以下に、上記一般式（６）～（８）における置換基について説明する。 [In general formula (8 ⁾ , R ²⁶ to R ³⁵ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group that may have a substituent, an aryl group that may have a substituent, and an acyl group that may have a substituent. an optionally substituted alkoxy group, an optionally substituted aryloxy group, an optionally substituted (poly)organosiloxane group, an optionally substituted amino group, an optionally substituted amino group, an optionally substituted aryloxy group, an optionally substituted aryloxy group, an optionally substituted (poly)organosiloxane group, an optionally substituted amino group, At least one of X ² and R ²⁶ to R ³⁵ is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]
The substituents in the above general formulas (6) to (8) will be explained below.

アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、一部の水素原子が脱落し２重結合や３重結合を形成していてもよい。組成物中における半導体微粒子の含有率を高めることが可能となる点から、処理剤の分子量は小さいことが好ましく、アルキル基の炭素数が１～３０であることが好ましい。
上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ヘキシル基、ドデシル基、エイコシル基等の直鎖アルキル基；２－エチルヘキシル基等の分岐アルキル基；シクロヘキシル基、３－シクロヘキシルプロピル基等の環状アルキル基；エテニル基、ドデセン基等のアルケニル基；プロパ－２－イン－１－基、プロパルギル基等のアルキニル基が挙げられる。 The alkyl group is a linear, branched or cyclic alkyl group, and some hydrogen atoms may be dropped to form a double bond or triple bond. From the viewpoint of increasing the content of semiconductor fine particles in the composition, the molecular weight of the processing agent is preferably small, and the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 30.
Examples of the alkyl group include linear alkyl groups such as methyl, ethyl, hexyl, dodecyl, and eicosyl; branched alkyl groups such as 2-ethylhexyl; and cyclic alkyl groups such as cyclohexyl and 3-cyclohexylpropyl. Alkyl groups; alkenyl groups such as ethenyl and dodecene groups; and alkynyl groups such as prop-2-yn-1- and propargyl groups.

アリール基は、芳香環から形式的に水素原子を１つ取り除いた残基であり、より好ましくは、炭素数６から３０の芳香環から形式的に水素原子を１つ取り除いた残基である。
芳香環としては例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンズイミダゾール環、ベンゾフラン環、プリン環、アクリジン環、フェノチアジン環、ビフェニル基、又はターフェニル基等を挙げることができる。 The aryl group is a residue obtained by formally removing one hydrogen atom from an aromatic ring, and more preferably a residue obtained by formally removing one hydrogen atom from an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms.
Examples of aromatic rings include benzene ring, naphthalene ring, pyrene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, quinoline ring, furan ring, pyrrole ring, thiophene ring, imidazole ring, pyrazole ring, oxazole ring, and thiazole ring. , an indole ring, a benzimidazole ring, a benzofuran ring, a purine ring, an acridine ring, a phenothiazine ring, a biphenyl group, or a terphenyl group.

アルコキシ基は、エーテル結合を介してアルキル基が結合した官能基であり、当該アルキル基としては、前述の一般式（６）～（８）におけるアルキル基と同義である。 The alkoxy group is a functional group to which an alkyl group is bonded via an ether bond, and the alkyl group has the same meaning as the alkyl group in the above-mentioned general formulas (6) to (8).

アリールオキシ基は、エーテル結合を介してアリール基が結合した官能基であり、当該アリール基としては、前述の一般式（６）～（８）におけるアリール基と同義である。 The aryloxy group is a functional group to which an aryl group is bonded via an ether bond, and the aryl group has the same meaning as the aryl group in the aforementioned general formulas (6) to (8).

アシル基は、カルボニル基を介してアルキル基又はアリール基が結合した官能基であり、当該アルキル基及びアリール基としては、前述の一般式（６）～（８）におけるアルキル基及びアリール基と同義である。 An acyl group is a functional group to which an alkyl group or an aryl group is bonded via a carbonyl group, and the alkyl group and aryl group have the same meaning as the alkyl group and aryl group in the general formulas (6) to (8) above It is.

（ポリ）オルガノシロキサン基は、シロキサン化合物から形式的に水素原子を１つ取り除いた残基であり、シロキサン化合物のケイ素には、アルキル基が置換していてもよい。置換してもよいアルキル基は、前述の一般式（６）～（８）におけるアルキル基と同義である。シロキサン化合物の例としては、例えば、ペンタメチルジシロキサン、ヘプタエチルトリシロキサン、ウンデカメチルテトラシロキサン、トリメチルシロキシジメチルシラノール、１，１，３，３，テトラメチル－１，３－ジヒドロキシジシロキサン又は１，１，３，３，５，５－ヘキサメチル－１，５－ジヒドロキシ－トリシロキサンが挙げられる。
インキ組成物中における半導体微粒子の含有率を高めることが可能となる点から、リガンドの分子量は小さいことが好ましく、シロキサン結合の繰り返し数は４回以下であることが好ましい。 The (poly)organosiloxane group is a residue obtained by formally removing one hydrogen atom from a siloxane compound, and the silicon of the siloxane compound may be substituted with an alkyl group. The optionally substituted alkyl group has the same meaning as the alkyl group in the general formulas (6) to (8) above. Examples of siloxane compounds include, for example, pentamethyldisiloxane, heptaethyltrisiloxane, undecamethyltetrasiloxane, trimethylsiloxydimethylsilanol, 1,1,3,3,tetramethyl-1,3-dihydroxydisiloxane or , 1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-dihydroxy-trisiloxane.
From the viewpoint of increasing the content of semiconductor fine particles in the ink composition, the molecular weight of the ligand is preferably small, and the number of repetitions of siloxane bonds is preferably 4 or less.

置換基を有してもよいアミノ基は、アミノ基及び置換アミノ基を含み、置換アミノ基の置換基としては、アルキル基、アリール基又はアシル基が挙げられる。上記アルキル基、アリール基及びアシル基は、前述の一般式（６）～（８）におけるアルキル基、アリール基又はアシル基と同義である。 The amino group which may have a substituent includes an amino group and a substituted amino group, and examples of the substituent of the substituted amino group include an alkyl group, an aryl group, and an acyl group. The alkyl group, aryl group, and acyl group mentioned above have the same meaning as the alkyl group, aryl group, or acyl group in the above-mentioned general formulas (6) to (8).

また、一般式（６）～（８）におけるアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アミノ基、アリールオキシ基及びアシル基は、置換基を有していてもよい。
有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲノ基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、スルファニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、又はシロキサン結合を含む基等が挙げられる。
本発明における有してもよい置換基は、上述の１価の置換基と、必要に応じてアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、エーテル結合、エステル結合、スルフィド結合、カルボニル基、イミノ基又はそれらを組み合わせた２価の連結基と、を組み合わせた１価の基であってもよい。 Further, the alkyl group, aryl group, alkoxy group, amino group, aryloxy group and acyl group in general formulas (6) to (8) may have a substituent.
Examples of substituents that may be present include halogeno groups, cyano groups, hydroxy groups, nitro groups, alkoxy groups, alkyl groups, aralkyl groups, aryl groups, aryloxy groups, silyloxy groups, heterocyclic oxy groups, and acyloxy groups. , carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy, amino group (including anilino group), acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino groups, sulfanyl groups, alkylthio groups, arylthio groups, heterocyclic thio groups, alkyl and arylsulfinyl groups, alkyl and arylsulfonyl groups, acyl groups, aryloxycarbonyl groups, alkoxycarbonyl groups, carbamoyl groups, imido groups, Examples include a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphinyloxy group, a phosphinylamino group, a silyl group, and a group containing a siloxane bond.
The substituents that may be present in the present invention include the above-mentioned monovalent substituents and, if necessary, an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, a heteroarylene group, an ether bond, an ester bond, a sulfide bond, a carbonyl group, It may be a monovalent group that is a combination of an imino group or a divalent linking group that is a combination thereof.

また、カルボキシル基又はスルファニル基を有する基とは、カルボキシル基及びスルファニル基のほか、置換基としてカルボキシル基又はスルファニル基を有する、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、（ポリ）オルガノシロキサン基又はアシル基を含む。ここで、カルボキシル基及びスルファニル基のほか、置換基としてカルボキシル基又はスルファニル基を有する、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、（ポリ）オルガノシロキサン基、アシル基又はニトロ基は、前述の一般式（６）～（８）における基と同義である。 Furthermore, the term "group having a carboxyl group or a sulfanyl group" refers to not only a carboxyl group and a sulfanyl group but also an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group having a carboxyl group or a sulfanyl group as a substituent; ) Contains an organosiloxane group or an acyl group. Here, in addition to the carboxyl group and sulfanyl group, the alkyl group, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, (poly)organosiloxane group, acyl group, or nitro group having a carboxyl group or sulfanyl group as a substituent are the aforementioned It has the same meaning as the group in general formulas (6) to (8).

カルボキシル基を有するアルキル基、又はカルボキシル基を有するアリール基の例としては、例えば、２－カルボシキシルエチル基、２，２－ジカルボキシルエチル基、２－カルボシキシルエテニル基、２－シアノ－２－カルボシキシルエテニル基、２－トリフルオロメチル－２－カルボシキシルエテニル基、２－フルオロ－２－カルボシキシルエテニル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group having a carboxyl group or the aryl group having a carboxyl group include 2-carboxylethyl group, 2,2-dicarboxylethyl group, 2-carboxylethenyl group, 2-cyano- Examples include 2-carbosylethenyl group, 2-trifluoromethyl-2-carbosylethenyl group, and 2-fluoro-2-carbosylethenyl group.

スルファニル基を有するアルキル基、スルファニル基を有するアリール基、又はスルファニル基を有するアシル基としては、例えば、［（３－スルファニルプロパノイル）オキシ］エチル基、［（２－スルファニルアセチル）オキシ］エチル基、４－（スルファニルメチル）フェニル基、［（３－スルファニルプロパノイル）オキシ］プロピル基、３－スルファニル［（３－スルファニルプロパノイル）オキシ］エチル基、又は｛［（２－スルファニルエトキシ）プロパノイル］オキシ｝エチル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group having a sulfanyl group, the aryl group having a sulfanyl group, or the acyl group having a sulfanyl group include a [(3-sulfanylpropanoyl)oxy]ethyl group, a [(2-sulfanylacetyl)oxy]ethyl group , 4-(sulfanylmethyl)phenyl group, [(3-sulfanylpropanoyl)oxy]propyl group, 3-sulfanyl[(3-sulfanylpropanoyl)oxy]ethyl group, or {[(2-sulfanylethoxy)propanoyl] An example is an oxy}ethyl group.

以下に、一般式（６）～（８）で表されるリガンドの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。なお、下記構造式において、シス型及びトランス型の幾何異性体が存在する場合は、シス型であってもよく、トランス型であってもよく、シス型及びトランス型の異性体混合物であってもよい。シン－アンチの幾何異性についても同様である。 Specific examples of the ligands represented by general formulas (6) to (8) are shown below, but the invention is not limited thereto. In addition, in the following structural formula, if cis-type and trans-type geometric isomers exist, it may be cis-type, trans-type, or a mixture of cis-type and trans-type isomers. Good too. The same applies to syn-anti geometric isomerism.

［電子輸送性リガンド］
電子輸送性リガンドは、前述のとおり、半導体ナノ粒子表面への吸着部位である、スルファニル基及びカルボキシル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基と、電子輸送する機能を持つ電子輸送性部位とを有し、吸着部位と電子輸送性部位とは完全に分離している必要は無く、例えば、電子輸送性部位の一部が吸着部位となっていてもよい。 [Electron transporting ligand]
As mentioned above, the electron-transporting ligand has at least one functional group selected from the group consisting of sulfanyl group and carboxyl group, which is an adsorption site on the semiconductor nanoparticle surface, and an electron-transporting site that has the function of transporting electrons. The adsorption site and the electron transporting site do not need to be completely separated; for example, a part of the electron transporting site may serve as the adsorption site.

電子輸送性部位は、有機電界発光素子材料として用いられる公知の電子輸送性化合物及びその誘導体からなる構造を有する部位が挙げられ、特に限定されないが、例えば、オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール、オキサゾール誘導体、イソオキサゾール、イソオキサゾール誘導体、チアゾール、チアゾール誘導体、イソチアゾール、イソチアゾール誘導体、チアジアゾール、チアジアゾール誘導体、１，２，３－トリアゾール、１，２，３－トリアゾール誘導体、１，３，５－トリアジン、１，３，５－トリアジン誘導体、キノキサリン、キノキサリン誘導体、ピロールオリゴマー、ピロールポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ビニルカルバゾールオリゴマー、ビニルカルバゾールポリマー、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンエチンオリゴマー、フェニレンエチンポリマー、フェニレンオリゴマー、フェニレンポリマー、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、アセチレンポリマー、及びアセチレンオリゴマー誘導体が挙げられる。また、以下に示す化合物及びその誘導体も電子輸送性部位として使用できる。 Examples of the electron-transporting moiety include a moiety having a structure composed of a known electron-transporting compound and its derivative used as an organic electroluminescent device material, and examples thereof include, but are not limited to, oxadiazole, oxadiazole derivatives, and oxazole. , oxazole derivative, isoxazole, isoxazole derivative, thiazole, thiazole derivative, isothiazole, isothiazole derivative, thiadiazole, thiadiazole derivative, 1,2,3-triazole, 1,2,3-triazole derivative, 1,3,5 - Triazine, 1,3,5-triazine derivative, quinoxaline, quinoxaline derivative, pyrrole oligomer, pyrrole polymer, phenylene vinylene oligomer, phenylene vinylene polymer, vinylcarbazole oligomer, vinylcarbazole polymer, fluorene oligomer, fluorene polymer, phenylene ethyne oligomer, phenylene Examples include ethyne polymers, phenylene oligomers, phenylene polymers, thiophene oligomers, thiophene polymers, acetylene polymers, and acetylene oligomer derivatives. Further, the following compounds and derivatives thereof can also be used as the electron transporting moiety.

なお、上述の正孔輸送性部位及び電子輸送性部位に、同一の構造が含まれているが、これは、電子輸送性部位と正孔輸送性部位のどちらにもなりえるためである。リガンドが正孔輸送性又は電子輸送性のどちらとして振る舞うかは、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの相対的なＨＯＭＯ－ＬＵＭＯの関係、及び電界発光素子で用いられる他の化合物との相対的なＨＯＭＯ－ＬＵＭＯの関係によって決まり、さらに、特定の構造であっても、電子吸引性や電子供与性の置換基の存在によりＨＯＭＯやＬＵＭＯは変化する。上記理由により、一部の構造は、正孔輸送性部位及び電子輸送性部位のどちらにもなりえるため、双方に記載している。 Note that the above-mentioned hole-transporting site and electron-transporting site include the same structure, but this is because they can serve as either an electron-transporting site or a hole-transporting site. Whether a ligand behaves as a hole-transporting property or an electron-transporting property depends on the relative HOMO-LUMO relationship between the hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand, and the relative relationship with other compounds used in the electroluminescent device. It is determined by the HOMO-LUMO relationship, and even in a specific structure, the HOMO and LUMO change depending on the presence of electron-withdrawing or electron-donating substituents. For the above reasons, some structures can serve as either a hole-transporting site or an electron-transporting site, so they are described as both.

正孔輸送性リガンド及び電子輸送性リガンドは、上述の正孔輸送性部位と吸着部位、又は、電子輸送性部位と吸着部位が、直接結合していてもよいし、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。この場合のアルキレン基としては、分岐又は直鎖のアルキレン基が挙げられ、好ましくは直鎖状アルキレン基である。また、アルキレン基の炭素数は１～５程度が好適であり、具体例としては、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、又はｎ－ペンチレン基等が挙げられる。 In the hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand, the above-mentioned hole-transporting site and adsorption site, or electron-transporting site and adsorption site, may be directly bonded, or a linking group such as an alkylene group may be bonded. They may be coupled via In this case, the alkylene group includes a branched or straight chain alkylene group, and preferably a straight chain alkylene group. Further, the alkylene group preferably has about 1 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an n-butylene group, and an n-pentylene group.

本発明のキャリア輸送性リガンドは、下記一般式（５）に示す置換基を有することが好ましい。 The carrier-transporting ligand of the present invention preferably has a substituent represented by the following general formula (5).

一般式（５）
General formula (5)

［一般式（５）中、Ｌ^１は、直接結合又は炭素数１～５のアルキレン基であり、Ｌ^２は、炭素数１～５のアルキレン基であり、Ｒ^４８は、炭素数１～５のアルキル基であり、ｎは、０～４の整数である。］ [In general formula (5), L ¹ is a direct bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, L ² is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and R ⁴⁸ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms. is an alkyl group, and n is an integer of 0 to 4. ]

一般式（５）のＬ^１～Ｌ^２における、炭素数１～５のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ－ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、ｎ－ペンチレン基が挙げられる。中でも好ましくは炭素数１～３のアルキレン基である。
繰り返し単位に含まれるＬ^２は、繰り返し構造中において、同一であってもよいし、異なるものであってもよい。 Examples of the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in L ¹ to L ² of general formula (5) include methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, sec -butylene group, tert-butylene group, and n-pentylene group. Among these, preferred is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.
^L2 contained in the repeating unit may be the same or different in the repeating structure.

一般式（５）のR^４８における、炭素数１～５のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基が挙げられる。中でも、好ましくは炭素数１～３のアルキル基である。 Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R ⁴⁸ of general formula (5) include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, Examples include tert-butyl group and n-pentyl group. Among these, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferred.

＜溶剤＞
本発明のインキ組成物は、下記一般式（１）～（４）より選ばれる少なくとも１種の溶剤を含み、一般式（１）～（４）の溶剤の合計量が、溶剤全量に対して５０質量％以上であることを特徴とする。
一般式（１）： Ｒ^３６ＣＯ（ＯＲ^３７）_ｐＯＲ^３８
一般式（２）： Ｒ^３９ＣＯ（ＯＲ^４０）_ｑＯＣＯＲ^４１
一般式（３）： Ｒ^４２（ＯＲ^４３）_ｒＯＲ^４４
一般式（４）： Ｒ^４５（ＯＲ^４６）_ｓＯＲ^４７
［一般式（１）～（４）中、
Ｒ^３６、Ｒ^３８、Ｒ^３９、Ｒ^４１、Ｒ^４２及びＲ^４４は、各々独立して、炭素数１～４のアルキル基を表し、Ｒ^３７、Ｒ^４０及びＲ^４３は、各々独立して、炭素数２～４のアルキレン基を表し、Ｒ^４５及びＲ^４７は、各々独立して、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ^４５及びＲ^４７のうち少なくとも１つは水素原子であり、Ｒ^４６は、炭素数１～１０のアルキレン基を表し、ｐ～ｓは、各々独立して、１～６の整数を表す。］ <Solvent>
The ink composition of the present invention contains at least one solvent selected from the following general formulas (1) to (4), and the total amount of the solvents represented by the general formulas (1) to (4) is based on the total amount of the solvent. It is characterized by being 50% by mass or more.
General formula (1): R ³⁶ CO(OR ³⁷ ) _p OR ³⁸
General formula (2): R ³⁹ CO(OR ⁴⁰ ) _q OCOR ⁴¹
General formula (3): R ⁴² (OR ⁴³ ) _r OR ⁴⁴
General formula (4): R ⁴⁵ (OR ⁴⁶ ) _s OR ⁴⁷
[In general formulas (1) to (4),
R ³⁶ , R ³⁸ , R ³⁹ , R ⁴¹ , R ⁴² and R ⁴⁴ each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R ³⁷ , R ⁴⁰ and R ⁴³ each independently represent, represents an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, R ⁴⁵ and R ⁴⁷ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and at least one of R ⁴⁵ and R ⁴⁷ is a hydrogen atom , R ⁴⁶ represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and p to s each independently represent an integer of 1 to 6. ]

上記特定の構造に属する溶剤を所定量以上含有することで、インクジェット印刷性が優れたものとなり、平滑で欠陥の無い発光層が得られる。加えてこれらの溶剤は、芳香族系の低分子化合物や高分子化合物をほとんど溶解せず、さらに、芳香族化合物を含む下層への濡れ性に優れることから、芳香族化合物を含む下層上に発光層を積層する場合においても、下層と発光層との界面が乱されることがなく、下層と密着した発光層を形成することができる。そのため、本発明のインキ組成物を用いて形成される発光層及び電界発光素子は、量子ドットへの電気エネルギー注入が阻害されることなく駆動電圧の低減が可能となり、かつ積層による下層へのダメージが抑制されるため、優れた発光効率や耐久性を示す。 By containing a predetermined amount or more of a solvent belonging to the above-mentioned specific structure, excellent inkjet printability can be obtained, and a smooth and defect-free light-emitting layer can be obtained. In addition, these solvents hardly dissolve aromatic low-molecular compounds or high-molecular compounds, and have excellent wettability to the lower layer containing aromatic compounds, so they do not emit light onto the lower layer containing aromatic compounds. Even when laminating layers, the interface between the lower layer and the light emitting layer is not disturbed, and the light emitting layer can be formed in close contact with the lower layer. Therefore, in the light-emitting layer and electroluminescent device formed using the ink composition of the present invention, the driving voltage can be reduced without inhibiting electrical energy injection into the quantum dots, and damage to the lower layer due to lamination can be reduced. It exhibits excellent luminous efficiency and durability.

一般式（１）に該当する溶剤の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルブチレート、エチレングリコールモノエチルエーテルブチレート、エチレングリコールモノブチルエーテルブチレート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルブチレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルブチレート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルブチレート、プロピレングリコールモノメチルエーテルブチレート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルブチレート、メトキシブチルアセテート等のグリコールモノアセテート類が挙げられる。 Specific examples of solvents corresponding to general formula (1) include ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, Propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether propionate, ethylene glycol monoethyl ether propionate, ethylene glycol monobutyl ether propionate, diethylene glycol monomethyl ether propionate, diethylene glycol monoethyl ether propionate pionate, diethylene glycol monobutyl ether propionate, propylene glycol monomethyl ether propionate, dipropylene glycol monomethyl ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether butyrate, ethylene glycol monoethyl ether butyrate, ethylene glycol monobutyl ether butyrate, diethylene glycol Examples include glycol monoacetates such as monomethyl ether butyrate, diethylene glycol monoethyl ether butyrate, diethylene glycol monobutyl ether butyrate, propylene glycol monomethyl ether butyrate, dipropylene glycol monomethyl ether butyrate, and methoxybutyl acetate.

一般式（２）に該当する溶剤の具体例としては、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、エチレングリコールアセテートプロピオネート、エチレングリコールアセテートブチレート、エチレングリコールプロピオネートブチレート、エチレングリコールジプロピオネート、エチレングリコールアセテートジブチレート、ジエチレングリコールアセテートプロピオネート、ジエチレングリコールアセテートブチレート、ジエチレングリコールプロピオネートブチレート、ジエチレングリコールジプロピオネート、ジエチレングリコールアセテートジブチレート、プロピレングリコールアセテートプロピオネート、プロピレングリコールアセテートブチレート、プロピレングリコールプロピオネートブチレート、プロピレングリコールジプロピオネート、プロピレングリコールアセテートジブチレート、ジプロピレングリコールアセテートプロピオネート、ジプロピレングリコールアセテートブチレート、ジプロピレングリコールプロピオネートブチレート、ジプロピレングリコールジプロピオネート、ジプロピレングリコールアセテートジブチレート等のグリコールジアセテート類が挙げられる。 Specific examples of solvents corresponding to general formula (2) include ethylene glycol diacetate, diethylene glycol diacetate, propylene glycol diacetate, dipropylene glycol diacetate, ethylene glycol acetate propionate, ethylene glycol acetate butyrate, and ethylene glycol diacetate. Propionate butyrate, ethylene glycol dipropionate, ethylene glycol acetate dibutyrate, diethylene glycol acetate propionate, diethylene glycol acetate butyrate, diethylene glycol propionate butyrate, diethylene glycol dipropionate, diethylene glycol acetate dibutyrate, propylene glycol acetate propionate Pionate, propylene glycol acetate butyrate, propylene glycol propionate butyrate, propylene glycol dipropionate, propylene glycol acetate dibutyrate, dipropylene glycol acetate propionate, dipropylene glycol acetate butyrate, dipropylene glycol propionate Examples include glycol diacetates such as butyrate, dipropylene glycol dipropionate, and dipropylene glycol acetate dibutyrate.

一般式（３）に該当する溶剤の具体例としては、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、等のグリコールジアルキルエーテル類が挙げられる。 Specific examples of solvents corresponding to general formula (3) include ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol methyl butyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diethyl ether, Examples include glycol dialkyl ethers such as triethylene glycol methyl butyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, and tripropylene glycol dimethyl ether.

一般式（４）に該当する溶剤の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ２－エチルヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（１－メトキシ－２－プロパノール）、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ２－エチルヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、３－メトキシ－３メチルブタノール、３－メトキシブタノール等のグリコールモノアルキルエーテル類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、１，３－ブチレングリコール、１，２－ヘキサンジオール、２－エチル－１，３－ヘキサンジオール、２，５－ジメチルヘキサンジオール等のアルカンジオール類；が挙げられる。 Specific examples of solvents corresponding to general formula (4) include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, propylene glycol monomethyl ether ( 1-methoxy-2-propanol), propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol n-propyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether , dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol n-propyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol Glycol monoalkyl ethers such as monomethyl ether, tripropylene glycol monobutyl ether, 3-methoxy-3methylbutanol, 3-methoxybutanol; ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, 1,3-butylene Examples include glycol, alkanediols such as 1,2-hexanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, and 2,5-dimethylhexanediol.

本発明では、一般式（１）～（４）で示したもの以外の従来公知の溶剤を含んでもよい。このような溶剤としては、特に限定されないが、例えば、トルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；１，２－ジメトキシベンゼン、１，３－ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２－メトキシトルエン、３－メトキシトルエン、４－メトキシトルエン、２，３－ジメチルアニソール、２，４－ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ－ブチル等の芳香族エステル；シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン；メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール；酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ－ブチル等の脂肪族エステル；ｎ－ヘキサン、２－メチルペンタン、３－メチルペンタン、２，２－ジメチルブタン、２，３－ジメチルブタン、ｎ－ヘプタン、ｎ－デカン、２，２，４－トリメチルペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ミネラルスピリット等の脂肪族炭化水素；が挙げられる。
これら溶剤は、１種を単独で使用してもよく、複数種を混合して用いてもよい。 In the present invention, conventionally known solvents other than those shown in general formulas (1) to (4) may be included. Examples of such solvents include, but are not particularly limited to, aromatic hydrocarbons such as toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, methisylene, cyclohexylbenzene, and tetralin; chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene, etc. Halogenated aromatic hydrocarbon; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetol, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4 - Aromatic ethers such as dimethylanisole; Aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate; Containing alicyclic rings such as cyclohexanone and cyclooctanone Ketones; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; alcohols with alicyclic rings such as methyl ethyl ketone, cyclohexanol, and cyclooctanol; aliphatic alcohols such as butanol and hexanol; ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate, n-lactic acid Aliphatic esters such as butyl; n-hexane, 2-methylpentane, 3-methylpentane, 2,2-dimethylbutane, 2,3-dimethylbutane, n-heptane, n-decane, 2,2,4-trimethyl Examples include aliphatic hydrocarbons such as pentane, cyclohexane, methylcyclohexane, and mineral spirits.
These solvents may be used alone or in combination.

本発明のインキ組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、後述する他の公知の発光材料や公知の添加剤を添加してもよい。公知の添加剤としては、特に限定されないが、例えば、消泡剤、レベリング剤、及び、増粘剤が挙げられる。 The ink composition of the present invention may contain other known luminescent materials and known additives, which will be described later, within a range that does not impair the effects of the present invention. Known additives include, but are not particularly limited to, antifoaming agents, leveling agents, and thickening agents.

また本発明のインキ組成物は、インクジェットインクとして特にインクジェット方式に好適に用いることができる。
本発明のインキ組成物がインクジェットインキとして用いられる場合、インクジェットインキの２５℃での粘度は、好ましくは２～１００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは２～４０ｍＰａ・ｓ、さらに好ましくは４～２０ｍＰａ・ｓである。この粘度領域であれば、通常の４～１０ＫＨｚの周波数を有するヘッドから１０～５０ＫＨｚの高周波数のヘッドにおいても安定した吐出特性を示すことができる。粘度が２ｍＰａ・ｓ以上であると、高周波数のヘッドにおいて吐出の追随性の低下が認められず好ましい。１００ｍＰａ・ｓ以下であると、吐出性が良好であり吐出安定性に優れるため好ましい。 Further, the ink composition of the present invention can be suitably used as an inkjet ink, particularly in an inkjet system.
When the ink composition of the present invention is used as an inkjet ink, the viscosity of the inkjet ink at 25°C is preferably 2 to 100 mPa·s, more preferably 2 to 40 mPa·s, and still more preferably 4 to 20 mPa·s. be. With this viscosity range, stable ejection characteristics can be exhibited from a normal head with a frequency of 4 to 10 KHz to a head with a high frequency of 10 to 50 KHz. When the viscosity is 2 mPa·s or more, a drop in ejection followability is not observed in a high-frequency head, which is preferable. A pressure of 100 mPa·s or less is preferable because the discharge property is good and the discharge stability is excellent.

インキ組成物がインクジェット方式で用いられる場合、インクジェットインクの表面張力は、好ましくは２０～４０ｍＮ／ｍ、より好ましくは２４～３５ｍＮ／ｍである。２０ｍＮ／ｍ以上であるとインクが液滴を形成することができ、４０ｍＮ／ｍ以下であるとヘッドからインクが安定して吐出することができる。 When the ink composition is used in an inkjet method, the surface tension of the inkjet ink is preferably 20 to 40 mN/m, more preferably 24 to 35 mN/m. When it is 20 mN/m or more, the ink can form droplets, and when it is 40 mN/m or less, the ink can be stably ejected from the head.

またインキ組成物は、ピエゾヘッドにおいては、１０μＳ／ｃｍ以下の電気伝導率とし、ヘッド内部での電気的な腐食のないインキとすることが好ましい。またコンティニュアスタイプにおいては、電解質による電気伝導率の調整が必要であり、この場合には０．５ｍＳ／ｃｍ以上の電気伝導率に調整することが好ましい。 Further, in the piezo head, the ink composition preferably has an electrical conductivity of 10 μS/cm or less, and is an ink that does not cause electrical corrosion inside the head. Further, in the continuous type, it is necessary to adjust the electrical conductivity using an electrolyte, and in this case, it is preferable to adjust the electrical conductivity to 0.5 mS/cm or more.

＜発光層＞
本発明の発光層は、上述の本発明のインキ組成物を用いて形成することができる。
発光層の形成方法として好ましくは湿式成膜法であり、例えば、塗布法、インクジェット法、ディップコート法、ダイコート法、スプレーコート法、スピンコート法、ロールコーター法、湿漬塗布法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷、スクリーン印刷法、ＬＢ法が挙げられる。 <Light-emitting layer>
The light-emitting layer of the present invention can be formed using the ink composition of the present invention described above.
Preferably, the method for forming the light emitting layer is a wet film forming method, such as a coating method, an inkjet method, a dip coating method, a die coating method, a spray coating method, a spin coating method, a roll coater method, a wet coating method, or a screen printing method. , flexographic printing, screen printing method, and LB method.

発光層の厚みは、好ましくは１～５００ｎｍ、より好ましくは５～１００ｎｍ、さらに好ましくは５～５０ｎｍである。５００ｎｍ以上であると通電が困難となり、１ｎｍ以下である場合、量子ドットがほとんど無い疎な状態となり、発光層として機能しない。 The thickness of the light emitting layer is preferably 1 to 500 nm, more preferably 5 to 100 nm, even more preferably 5 to 50 nm. If it is 500 nm or more, it becomes difficult to conduct electricity, and if it is 1 nm or less, it becomes sparse with almost no quantum dots and does not function as a light emitting layer.

発光層は、平滑性が高い方が、発光ムラが無く耐久性に優れた電界発光素子が得られるため好ましく、例えば、量子ドットの凝集物等が膜中に無い方が好ましい。平滑性を示すパラメータとしては、表面粗さの指標でもある算術平均粗さＲａが挙げられる。本発明の発光層のＲａは、好ましくは５０ｎｍ以下であり、より好ましくは１０ｎｍ以下である。Ｒａを計測する装置としては、触針式の表面形状測定装置であるＤＥＣＴＡＣ６Ｍ（Ｖｅｅｃｏ社製）等が挙げられる。
また、発光層を形成する量子ドットの粒子は、自己組織化して配列していてもよく、そのような膜はキャリア輸送に優れるために好ましい。
さらに、発光層のイオン化ポテンシャルは、５．０～６．５ｅＶであることが好ましい。この範囲外であると、発光層内で効率よくキャリアを留めて再結合をさせることが難しくなり、発光効率が低下しやすい。イオン化ポテンシャルは、光電子収量分光法などで測定することが可能であり、例えば、住友重機械メカトロニクス社製のＰＹＳ－２０２で測定することができる。 It is preferable that the light-emitting layer has high smoothness, since an electroluminescent device with no unevenness in light emission and excellent durability can be obtained. For example, it is preferable that there are no aggregates of quantum dots or the like in the film. An example of a parameter indicating smoothness is the arithmetic mean roughness Ra, which is also an index of surface roughness. Ra of the light emitting layer of the present invention is preferably 50 nm or less, more preferably 10 nm or less. Examples of the device for measuring Ra include DECTAC6M (manufactured by Veeco), which is a stylus-type surface shape measuring device.
Further, the quantum dot particles forming the light-emitting layer may be arranged in a self-organized manner, and such a film is preferable because it has excellent carrier transport.
Further, the ionization potential of the light emitting layer is preferably 5.0 to 6.5 eV. If it is outside this range, it will be difficult to efficiently retain and recombine carriers within the light-emitting layer, and the light-emitting efficiency will tend to decrease. The ionization potential can be measured by photoelectron yield spectroscopy, for example, using PYS-202 manufactured by Sumitomo Heavy Industries Mechatronics.

＜電界発光素子＞
本発明の電界発光素子は、基板上に、陽極、上述の本発明の発光層及び陰極が、この順に積層されている構成を備えるものであるが、
発光層への正孔や電子の注入を容易にしたり、発光層内での正孔と電子との再結合を円滑に行わせたりすることを目的として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、又は電子注入層等をさらに有していることが好ましい。また、発光層と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光層と陽極、又は発光層と、正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割をもつ層であるインターレイヤー層を挿入してもよい。
したがって、代表的な好ましい素子構成としては、（１）陽極／正孔注入層／発光層／陰極、（２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極、（３）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極、（４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極、（５）陽極／正孔注入層／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（７）陽極／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（８）陽極／発光層／電子注入層／陰極（９）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／陰極、（１０）陽極／正孔注入層／インターレイヤー層／発光層／電子注入層／陰極、（１１）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／電子注入層／陰極、等が挙げられる。 <Electroluminescent device>
The electroluminescent device of the present invention has a structure in which an anode, the above-described light-emitting layer of the present invention, and a cathode are laminated in this order on a substrate.
A hole injection layer, a hole transport layer, It is preferable to further include a hole blocking layer, an electron injection layer, or the like. Also, an interlayer is a layer that exists adjacent to the light emitting layer between the light emitting layer and the anode and has the role of isolating the light emitting layer and the anode, or the light emitting layer and the hole injection layer or the hole transport layer. Layers may be inserted.
Therefore, typical preferred device configurations include (1) anode/hole injection layer/light emitting layer/cathode, (2) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode, (3) anode. / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode, (4) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode, (5) anode / hole injection layer / light emitting Layer/hole blocking layer/electron injection layer/cathode, (6) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron injection layer/cathode, (7) anode/light emitting layer/ Hole blocking layer/electron injection layer/cathode, (8) anode/emitting layer/electron injection layer/cathode (9) anode/hole injection layer/hole transport layer/interlayer layer/emitting layer/cathode, (10 ) anode/hole injection layer/interlayer layer/emissive layer/electron injection layer/cathode, (11) anode/hole injection layer/hole transport layer/interlayer layer/emissive layer/electron injection layer/cathode, etc. can be mentioned.

上述した、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子注入層、及びインターレイヤー層等の各層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよく、いくつかの層が繰り返し積層されていてもよい。そのような例として、近年、光取り出し効率の向上を目的に、上述の多層型電界発光の一部の層を多層化した「マルチ・フォトン・エミッション」と呼ばれる素子構成が挙げられ、例えば、電荷発生層用いて複数の電界発光素子を直列に積層して形成する方法が含まれる。 Each layer such as the hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, hole blocking layer, electron injection layer, and interlayer layer described above may each be formed with a layer structure of two or more layers, and several layers may be formed. The layers may be repeatedly laminated. As an example of this, in recent years there has been a device configuration called "multi-photon emission" in which some of the layers of the above-mentioned multilayer electroluminescence are multilayered for the purpose of improving light extraction efficiency. This includes a method in which a plurality of electroluminescent elements are stacked in series using a generation layer.

本発明の電界発光素子として好ましくは、陽極、正孔輸送層、上述の本発明の発光層及び陰極が、この順に積層されている構成を備え、前記正孔輸送層に接して前記発光層が設けられているものである。 Preferably, the electroluminescent device of the present invention has a structure in which an anode, a hole transport layer, the above-described light emitting layer of the present invention, and a cathode are laminated in this order, and the light emitting layer is in contact with the hole transport layer. It is provided.

［正孔輸送層、及び正孔注入層］
正孔輸送層には、発光層に対する優れた正孔注入効果と正孔輸送効果とを示し、かつ薄膜形成性に優れた材料が用いられ、該材料として、正孔移動度が大きくイオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さいものが好適に用いられる。
正孔輸送層は、陽極と発光層との間に設けられ、複数の正孔輸送材料が積層された多層構造であってもよい。多層構造である場合、陽極に接している正孔輸送層を、特に正孔注入層と呼ぶことがあり、各々の材料を、正孔注入材料や正孔輸送材料と呼ぶことがある。正孔注入層には、特に陽極界面との密着性とに優れた材料が用いられる。
正孔輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、更に正孔の移動度が、例えば１０^４～１０^６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０^－６ｃｍ^２／Ｖ・秒であるものが好ましい。正孔注入材料及び正孔輸送材料としては、上記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔輸送層又は正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。 [Hole transport layer and hole injection layer]
For the hole transport layer, a material is used that exhibits excellent hole injection and hole transport effects for the light emitting layer and has excellent thin film forming properties. Usually, a small voltage of 5.5 eV or less is preferably used.
The hole transport layer may be provided between the anode and the light emitting layer, and may have a multilayer structure in which a plurality of hole transport materials are stacked. In the case of a multilayer structure, the hole transport layer in contact with the anode may be particularly called a hole injection layer, and each material may be called a hole injection material or a hole transport material. For the hole injection layer, a material particularly excellent in adhesion to the anode interface is used.
The hole transport layer is preferably made of a material that transports holes to the light emitting layer at a lower electric field strength, and further has a hole mobility of at least 10 ^-6 when an electric field of 10 ⁴ to 10 ⁶ V/cm is applied, for example. cm ² /V·sec is preferable. The hole injection material and hole transport material are not particularly limited as long as they have the above-mentioned preferable properties, and include materials conventionally used as hole charge transport materials in photoconductive materials and organic EL devices. Any material can be selected from among the known materials used for hole transport layers or hole injection layers.

このような正孔注入材料や正孔輸送材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、芳香族ジメチリデン系化合物、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーが挙げられる。 Examples of such hole injection materials and hole transport materials include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, and amino-substituted chalcones. Examples include derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, polysilane-based, aniline-based copolymers, aromatic dimethylidene-based compounds, conductive polymer oligomers, especially thiophene oligomers.

正孔注入材料や正孔輸送材料として好ましくは、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物等であり、例えば、２個の縮合芳香族環を分子内に有する４，４’－ビス（Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニルや、トリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”－トリス（Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ）トリフェニルアミンをあげることができる。また、好ましい正孔注入材料として、銅フタロシアニンや水素フタロシアニン等のフタロシアニン誘導体が挙げられる。 Preferred hole-injecting materials and hole-transporting materials include porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds, such as 4,4'- Bis(N-(1-naphthyl)-N-phenylamino)biphenyl and 4,4',4''-tris(N-(3-methylphenyl)), which has three triphenylamine units connected in a starburst shape. -N-phenylamino)triphenylamine. Preferred hole injection materials include phthalocyanine derivatives such as copper phthalocyanine and hydrogen phthalocyanine.

正孔輸送層又は正孔注入層に使用できる材料としては、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機半導体化合物や、酸化モリブデン（ＭｎＯ_ｘ）、酸化バナジウム（ＶＯ_ｘ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ_ｘ）、酸化銅（ＣｕＯ_ｘ）、酸化タングステン（ＷＯ_ｘ）、酸化イリジウム（ＩｒＯ_ｘ）等の無機酸化物及びそれらのドープ体が挙げられる。 Materials that can be used for the hole transport layer or hole injection layer include inorganic semiconductor compounds such as p-type Si and p-type SiC, molybdenum oxide (MnO _x ), vanadium oxide (VO _x ), and ruthenium oxide (RuO _x ). , copper oxide (CuO _x ), tungsten oxide (WO _x ), iridium oxide (IrO _x ), and other inorganic oxides and doped forms thereof.

芳香族三級アミン誘導体の具体例としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（３－メチルフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－（４－メチルフェニル）－１，１’－フェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－（４－メチルフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジナフチル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－（メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－（４－ｎ－ブチルフェニル）－フェナントレン－９，１０－ジアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ジ－４－トリルアミノフェニル）－４－フェニル－シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’－ビス（４’－ジフェニルアミノ－４－ビフェニリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス（４’－ジフェニルアミノ－４－フェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス（４’－ジフェニルアミノ－４－フェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス（４’－フェニル（１－ナフチル）アミノ－４－フェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス（４’－フェニル（１－ナフチル）アミノ－４－フェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）ベンジジン等が挙げられ、これらは正孔注入材料、正孔輸送材料いずれにも使用することができる。 Specific examples of aromatic tertiary amine derivatives include N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, ,N',N'-(4-methylphenyl)-1,1'-phenyl-4,4'-diamine, N,N,N',N'-(4-methylphenyl)-1,1'- Biphenyl-4,4'-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-dinaphthyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, N,N'-(methylphenyl)-N,N '-(4-n-butylphenyl)-phenanthrene-9,10-diamine, N,N-bis(4-di-4-tolylaminophenyl)-4-phenyl-cyclohexane, N,N'-bis(4 '-diphenylamino-4-biphenylyl)-N,N'-diphenylbenzidine, N,N'-bis(4'-diphenylamino-4-phenyl)-N,N'-diphenylbenzidine, N,N'-bis (4'-diphenylamino-4-phenyl)-N,N'-di(1-naphthyl)benzidine, N,N'-bis(4'-phenyl(1-naphthyl)amino-4-phenyl)-N, N'-diphenylbenzidine, N,N'-bis(4'-phenyl(1-naphthyl)amino-4-phenyl)-N,N'-di(1-naphthyl)benzidine, etc. It can be used as both an injection material and a hole transport material.

正孔注入材料や正孔輸送材料として、特に好ましい例を表１～２に示す。 Particularly preferable examples of hole injection materials and hole transport materials are shown in Tables 1 and 2.

正孔輸送層又は正孔注入層を形成するには、上述の化合物を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ラングミュア－ブロジェット法（ＬＢ法）等の公知の方法により薄膜化することで形成することができる。正孔輸送層及び正孔注入層の合計の厚みは、特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍである。 To form a hole transport layer or a hole injection layer, the above-mentioned compound is formed into a thin film by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, or a Langmuir-Blodgett method (LB method). can be formed with. The total thickness of the hole transport layer and the hole injection layer is not particularly limited, but is usually 5 nm to 5 μm.

インターレイヤー層に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の芳香族アミンを含むポリマーが例示される。また、インターレイヤー層の成膜方法は、高分子量の材料を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が例示される。 Examples of materials used for the interlayer layer include polymers containing aromatic amines such as polyvinylcarbazole and derivatives thereof, polyarylene derivatives having aromatic amines in their side chains or main chains, arylamine derivatives, and triphenyldiamine derivatives. Further, as a method for forming the interlayer layer, when a high molecular weight material is used, a method of forming the interlayer layer from a solution is exemplified.

溶液からのインターレイヤー層の成膜には、公知の湿式成膜法、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ－コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。 For forming the interlayer layer from a solution, a known wet film forming method such as a spin coating method, a casting method, a microgravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, Coating methods such as dip coating, spray coating, screen printing, flexographic printing, offset printing, inkjet printing, capillary coating, and nozzle coating can be used.

インターレイヤー層の厚みは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２～５００ｎｍであり、より好ましくは５～２００ｎｍである。 The optimum thickness of the interlayer layer varies depending on the material used, and it may be selected so that the driving voltage and luminous efficiency are appropriate values, and it is usually 1 nm to 1 μm, preferably 2 to 500 nm, and more preferably. is 5 to 200 nm.

［電子注入層］
電子注入層には、発光層に対して優れた電子注入効果を示し、かつ陰極界面との密着性と薄膜形成性に優れた電子注入層を形成できる電子注入材料が用いられる。そのような電子注入材料の例としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、カルシウムアセチルアセトナート、酢酸ナトリウム等が挙げられる。また、セシウム等の金属をバソフェナントロリンにドープした無機／有機複合材料（高分子学会予稿集，第５０巻，４号，６６０頁，２００１年発行）や、第５０回応用物理学関連連合講演会講演予稿集、Ｎｏ．３、１４０２頁、２００３年発行記載のＢＣＰ、ＴＰＰ、Ｔ５ＭＰｙＴＺ等も電子注入材料の例として挙げられるが、素子作成に必要な薄膜を形成し、陰極からの電子を注入できて、電子を輸送できる材料であれば、特にこれらに限定されるものではない。 [Electron injection layer]
For the electron injection layer, an electron injection material is used that exhibits an excellent electron injection effect on the light emitting layer and is capable of forming an electron injection layer with excellent adhesion to the cathode interface and excellent thin film formation properties. Examples of such electron-injecting materials include metal complex compounds, nitrogen-containing five-membered ring derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, thiopyrane dioxide derivatives, perylenetetracarboxylic acid derivatives, and fluorenylidenemethane. Examples include derivatives, anthrone derivatives, silole derivatives, triarylphosphine oxide derivatives, polyquinoline and its derivatives, polyquinoxaline and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, calcium acetylacetonate, sodium acetate, and the like. In addition, inorganic/organic composite materials in which bathophenanthroline is doped with metals such as cesium (Proceedings of the Society of Polymer Science and Technology, Vol. 50, No. 4, p. 660, published in 2001), and the 50th Applied Physics Related Conference Lecture proceedings, No. 3, p. 1402, published in 2003, BCP, TPP, T5MPyTZ, etc. are also examples of electron injection materials, but they can form the thin film necessary for device creation, inject electrons from the cathode, and transport electrons. As long as the material is used, it is not particularly limited to these materials.

上記電子注入材料の中で好ましいものとしては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体が挙げられる。好ましい金属錯体化合物としては、８－ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。８－ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（４－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５－フェニル－８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）（１－ナフトラート）アルミニウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）（２－ナフトラート）アルミニウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）（４－シアノ－１－ナフトラート）アルミニウム、ビス（４－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）（１－ナフトラート）アルミニウム、ビス（５－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）（２－ナフトラート）アルミニウム、ビス（５－フェニル－８－ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（５－シアノ－８－ヒドロキシキノリナート）（４－シアノ－１－ナフトラート）アルミニウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）クロロアルミニウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）（ｏ－クレゾラート）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（４－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（５－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２－メチル－５－フェニル－８－ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）（１－ナフトラート）ガリウム、ビス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）（２－ナフトラート）ガリウム、ビス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）（４－シアノ－１－ナフトラート）ガリウム、ビス（２、４－ジメチル－８－ヒドロキシキノリナート）（１－ナフトラート）ガリウム、ビス（２、５－ジメチル－８－ヒドロキシキノリナート）（２－ナフトラート）ガリウム、ビス（２－メチル－５－フェニル－８－ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２－メチル－５－シアノ－８－ヒドロキシキノリナート）（４－シアノ－１－ナフトラート）ガリウム、ビス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）クロロガリウム、ビス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）（ｏ－クレゾラート）ガリウム等のガリウム錯体化合物の他、８－ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）マンガン、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等の金属錯体化合物が挙げられる。 Preferred examples of the electron injection materials include metal complex compounds, nitrogen-containing five-membered ring derivatives, silole derivatives, and triarylphosphine oxide derivatives. A preferred metal complex compound is a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof. Specific examples of metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives include tris(8-hydroxyquinolinate)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinate)aluminum, tris(4-methyl-8- hydroxyquinolinate)aluminum, tris(5-methyl-8-hydroxyquinolinate)aluminum, tris(5-phenyl-8-hydroxyquinolinate)aluminum, bis(8-hydroxyquinolinate)(1-naphtholate) ) Aluminum, bis(8-hydroxyquinolinate)(2-naphthorate)aluminum, bis(8-hydroxyquinolinate)(phenolate)aluminum, bis(8-hydroxyquinolinate)(4-cyano-1-naphtholate) ) Aluminum, bis(4-methyl-8-hydroxyquinolinate)(1-naphthorate)aluminum, bis(5-methyl-8-hydroxyquinolinate)(2-naphthorate)aluminum, bis(5-phenyl-8 -hydroxyquinolinate)(phenolate)aluminum, bis(5-cyano-8-hydroxyquinolinate)(4-cyano-1-naphtholate)aluminum, bis(8-hydroxyquinolinate)chloroaluminum, bis(8-hydroxyquinolinate)(phenolate)aluminum, bis(8-hydroxyquinolinate)(phenolate)aluminum -Hydroxyquinolinate)(o-cresolate)aluminum and other aluminum complex compounds, tris(8-hydroxyquinolinate)gallium, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinate)gallium, tris(4-methyl- 8-hydroxyquinolinate) gallium, tris(5-methyl-8-hydroxyquinolinate) gallium, tris(2-methyl-5-phenyl-8-hydroxyquinolinate) gallium, bis(2-methyl-8 -Hydroxyquinolinate) (1-naphtholate) gallium, bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (2-naphtholate) gallium, bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (phenolate) gallium , bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate)(4-cyano-1-naphtholate) gallium, bis(2,4-dimethyl-8-hydroxyquinolinate)(1-naphthorate) gallium, bis(2 , 5-dimethyl-8-hydroxyquinolinate) (2-naphtholate) gallium, bis(2-methyl-5-phenyl-8-hydroxyquinolinate) (phenolate) gallium, bis(2-methyl-5-cyano) -8-hydroxyquinolinate) (4-cyano-1-naphtholate) gallium, bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate) chlorogallium, bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (o In addition to gallium complex compounds such as gallium (cresolate), lithium 8-hydroxyquinolinate, copper bis(8-hydroxyquinolinate), manganese bis(8-hydroxyquinolinate), bis(10-hydroxybenzo[h] Examples include metal complex compounds such as beryllium (quinolinate), zinc bis(8-hydroxyquinolinate), and zinc bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinate).

また、好ましい含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体が挙げられ、具体的には、２，５－ビス（１－フェニル）－１，３，４－オキサゾール、２，５－ビス（１－フェニル）－１，３，４－チアゾール、２，５－ビス（１－フェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２－（４’－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－(４”－ビフェニル)１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、１，４－ビス［２－(５ －フェニルオキサジアゾリル)］ベンゼン、１，４－ビス［２－(５－フェニルオキサジアゾリル)－４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン］、２－（４’－ｔｅｒｔ－ ブチルフェニル）－５－(４”－ビフェニル)－１，３，４－チアジアゾーｖル、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，４－チアジアゾール、１，４－ビス［２－(５－フェニルチアジアゾリル)］ベンゼン、２－（４’－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－(４”－ビフェニル)－１，３，４－トリアゾール、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，４－トリアゾール、１，４－ビス［２－(５－フェニルトリアゾリル)］ベンゼン等が挙げられる。 Preferred nitrogen-containing five-membered ring derivatives include oxazole derivatives, thiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, and triazole derivatives, and specifically, 2,5-bis(1-phenyl)-1, 3,4-oxazole, 2,5-bis(1-phenyl)-1,3,4-thiazole, 2,5-bis(1-phenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2-(4 '-tert-butylphenyl)-5-(4''-biphenyl)1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis(1-naphthyl)-1,3,4-oxadiazole, 1,4 -bis[2-(5-phenyloxadiazolyl)]benzene, 1,4-bis[2-(5-phenyloxadiazolyl)-4-tert-butylbenzene], 2-(4'-tert-butyl phenyl)-5-(4”-biphenyl)-1,3,4-thiadiazole, 2,5-bis(1-naphthyl)-1,3,4-thiadiazole, 1,4-bis[2-( 5-phenylthiadiazolyl)]benzene, 2-(4'-tert-butylphenyl)-5-(4''-biphenyl)-1,3,4-triazole, 2,5-bis(1-naphthyl)- Examples include 1,3,4-triazole and 1,4-bis[2-(5-phenyltriazolyl)]benzene.

更に、電子注入層に使用できる材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ_ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）、等の無機酸化物及びそれらのドープ体も挙げられる。 Further, materials that can be used for the electron injection layer include inorganic oxides such as zinc oxide (ZnO _x ), titanium oxide (TiO _x ), and doped forms thereof.

特に好ましいオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体及びシロール誘導体の具体例を表３～５に示す。尚、表中のＰｈはフェニル基を表わす。 Specific examples of particularly preferred oxadiazole derivatives, triazole derivatives and silole derivatives are shown in Tables 3 to 5. In addition, Ph in the table represents a phenyl group.

（オキサジアゾール誘導体）
(Oxadiazole derivative)

（トリアゾール誘導体）
(triazole derivative)

（シロール誘導体）
(silole derivative)

更に、電子注入層の１種として、発光層を経由した正孔が電子注入層に達するのを防ぎ、薄膜形成性に優れた正孔阻止層がある。これには、電子輸送性に比べて正孔輸送性が著しく劣る正孔阻止材料が用いられる。そのような正孔阻止材料の例としては、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）（４－フェニルフェノラート）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物や、ビス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）（４－フェニルフェノラート）ガリウム等のガリウム錯体化合物、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）等の含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。 Furthermore, as one type of electron injection layer, there is a hole blocking layer that prevents holes that have passed through the light emitting layer from reaching the electron injection layer and has excellent thin film formation properties. For this purpose, a hole-blocking material whose hole-transporting properties are significantly inferior to its electron-transporting properties is used. Examples of such hole-blocking materials include aluminum complex compounds such as bis(8-hydroxyquinolinate)(4-phenylphenolate)aluminum, and bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate)( Examples include gallium complex compounds such as gallium (4-phenylphenolate), and nitrogen-containing condensed aromatic compounds such as 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).

電界発光素子の発光層としては、以下の機能を併せ持つものが好適である。
注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさには、違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよい。 As the light-emitting layer of the electroluminescent device, one having the following functions is suitable.
Injection function: A function that allows holes to be injected from the anode or hole injection layer when an electric field is applied, and electrons that can be injected from the cathode or electron injection layer.Transport function: The injected charges (electrons and holes) are transferred to the electric field. Light-emitting function: Provides a field for recombination of electrons and holes, and connects this to light emission. However, there is a difference between the ease with which holes are injected and the ease with which electrons are injected. The transport capacity expressed by the mobility of holes and electrons may be large or small.

本発明の電界発光素子を構成する発光層は、発光材料として量子ドットを含む本発明のインキ組成物から形成されるものであるが、さらに、公知の発光材料を含有してもよい。公知の発光材料として、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物を用いることができる。
前記金属キレート化オキシノイド化合物としては、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム等の８－ヒドロキシキノリン系金属錯体や、ジリチウムエピントリジオン等が挙げられる。 The light-emitting layer constituting the electroluminescent device of the present invention is formed from the ink composition of the present invention containing quantum dots as a light-emitting material, but may further contain a known light-emitting material. As known luminescent materials, fluorescent brighteners such as benzothiazole-based, benzimidazole-based, benzoxazole-based, etc., metal chelated oxinoid compounds, and styrylbenzene-based compounds can be used.
Examples of the metal chelated oxinoid compound include 8-hydroxyquinoline metal complexes such as tris(8-quinolinol)aluminum, dilithium epintridione, and the like.

本発明の発光層に公知の発光材料を更に加える、あるいは、本発明の発光層に加えて、さらに公知の発光材料を用いた発光層を追加することで、白色の発光が可能な電界発光素子を得る場合の素子の構成としては特に制限はないが、下記のものを用いることができる。電界発光素子の積層構造体の各層のエネルギー準位を規定し、トンネル注入を利用して発光させるもの（欧州特許第０３９０５５１号公報）。同じくトンネル注入を利用する素子で実施例として白色発光素子が記載されているもの（特開平３－２３０５８４号公報）。二層構造の発光層が記載されているもの（特開平２－２２０３９０号公報及び特開平２－２１６７９０号公報）。発光層を複数に分割してそれぞれ発光波長の異なる材料で構成されたもの（特開平４－５１４９１号公報）。青色発光体（蛍光ピーク３８０～４８０ｎｍ）と緑色発光体（４８０～５８０ｎｍ）とを積層させ、更に赤色蛍光体を含有させた構成のもの（特開平６－２０７１７０号公報）。青色発光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤色蛍光色素を含有した領域を有し、更に緑色蛍光体を含有する構成のもの（特開平７－１４２１６９号公報）。 An electroluminescent element capable of emitting white light by further adding a known luminescent material to the luminescent layer of the present invention, or by adding a luminescent layer using a known luminescent material in addition to the luminescent layer of the present invention. There is no particular restriction on the structure of the element when obtaining the above, but the following can be used. An electroluminescent device that defines the energy level of each layer of a stacked structure and uses tunnel injection to emit light (European Patent No. 0390551). Similarly, a white light emitting device is described as an example of a device using tunnel injection (Japanese Patent Laid-Open No. 3-230584). A light-emitting layer having a two-layer structure is described (JP-A-2-220390 and JP-A-2-216790). The light-emitting layer is divided into a plurality of parts, each of which is made of a material with a different emission wavelength (Japanese Patent Laid-Open No. 4-51491). A structure in which a blue luminescent material (fluorescence peak 380 to 480 nm) and a green luminescent material (480 to 580 nm) are laminated and further contain a red phosphor (Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-207170). A structure in which the blue light-emitting layer contains a blue fluorescent dye, the green light-emitting layer has a region containing a red fluorescent dye, and further contains a green phosphor (Japanese Patent Laid-Open No. 7-142169).

［陽極］
陽極に使用される材料は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下としてあるものが好ましい。陽極の厚みは、材料にもよるが通常１０ｎｍ～１μｍ、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲で選択される。 [anode]
The material used for the anode is preferably a metal with a large work function (4 eV or more), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive materials such as CuI, ITO, SnO ₂ and ZnO. In order to form this anode, these electrode materials can be formed into a thin film by a method such as a vapor deposition method or a sputtering method. This anode desirably has a characteristic such that when the light emitted from the light emitting layer is extracted from the anode, the transmittance of the anode to the light emission is greater than 10%. Further, the sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω/□ or less. The thickness of the anode is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm, although it depends on the material.

［陰極］
陰極に使用される材料は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、陰極の厚みは通常１０ｎｍ～１μｍ、好ましくは５０～２００ｎｍである。 [cathode]
The material used for the cathode is a metal with a small work function (4 eV or less), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium-silver alloy, aluminum/aluminum oxide, aluminum-lithium alloy, indium, rare earth metals, and the like. This cathode can be manufactured by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. Here, when the light emitted from the light emitting layer is extracted from the cathode, it is preferable that the transmittance of the cathode for the light emission is greater than 10%. Further, the sheet resistance of the cathode is preferably several hundred Ω/□ or less, and the thickness of the cathode is usually 10 nm to 1 μm, preferably 50 to 200 nm.

電界発光素子を作製する方法については、上記の材料及び方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で電界発光素子を作製することもできる。 As for the method for producing an electroluminescent device, it is sufficient to form an anode, a light emitting layer, an optional hole injection layer, and an electron injection layer as necessary using the above materials and methods, and finally form a cathode. . Furthermore, an electroluminescent device can also be fabricated in the reverse order from the cathode to the anode.

電界発光素子は、透光性の基板上に作製する。透光性基板は電界発光素子を支持する基板であり、その透光性については、４００～７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上、好ましくは９０％以上であるものが望ましく、更に平滑な基板を用いるのが好ましい。 The electroluminescent device is fabricated on a transparent substrate. The light-transmitting substrate is a substrate that supports the electroluminescent element, and its light-transmitting property preferably has a transmittance of light in the visible range of 400 to 700 nm of 50% or more, preferably 90% or more. Preferably, a smooth substrate is used.

これら基材は、機械的・熱的強度を有し、透明であれば特に限定されるものではなく、屈曲性を有するフィルム又はシート状の基材であってもよい。基材としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板が好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等で成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂等の板が挙げられる。 These base materials are not particularly limited as long as they have mechanical and thermal strength and are transparent, and may be film or sheet-like base materials that have flexibility. As the base material, for example, a glass plate or a synthetic resin plate is suitably used. Glass plates include, in particular, plates made of soda-lime glass, barium-strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz, and the like. Examples of the synthetic resin board include boards made of polycarbonate resin, acrylic resin, polyethylene terephthalate resin, polyether sulfide resin, polysulfone resin, and the like.

電界発光素子の各層の形成方法としては、真空蒸着、電子線ビーム照射、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、若しくはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかの方法を適用することができる。また、ＬＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、レーザー熱転写）法や、印刷（オフセット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷）、インクジェット等の方法を適用することもできる。ただし、発光層は湿式成膜法での成膜が好ましい。 The method for forming each layer of the electroluminescent device is either a dry film formation method such as vacuum evaporation, electron beam irradiation, sputtering, plasma, or ion plating, or a wet film formation method such as spin coating, dipping, or flow coating. method can be applied. Further, methods such as LITI (Laser Induced Thermal Imaging), printing (offset printing, flexo printing, gravure printing, screen printing), inkjet, etc. can also be applied. However, it is preferable to form the light emitting layer by a wet film forming method.

また、正孔注入層、正孔輸送層又は電子注入層といった、陽極、陰極及び発光層以外の有機化合物により形成される有機層は、分子堆積法で形成された膜であることが好ましい。ここで分子堆積法で形成された膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。また、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機層を形成することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、膜厚が厚すぎると一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要となり効率が悪くなり、逆に膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生し、電界を印加しても充分な発光輝度が得にくくなる。したがって、各層の膜厚は、１ｎｍから１μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がより好ましい。 Moreover, it is preferable that the organic layer formed of an organic compound other than the anode, cathode, and light emitting layer, such as a hole injection layer, a hole transport layer, or an electron injection layer, be a film formed by a molecular deposition method. Here, the film formed by the molecular deposition method refers to a thin film deposited from a material compound in a gas phase, or a film formed by solidifying a material compound in a solution or liquid phase. Normally, this molecular deposited film can be distinguished from a thin film (molecular cumulative film) formed by the LB method based on differences in aggregated structure, higher order structure, and functional differences resulting therefrom. The organic layer can also be formed by dissolving a binder such as a resin and a material compound in a solvent to form a solution, and then forming the solution into a thin film using a spin coating method or the like. The film thickness of each layer is not particularly limited, but if the film thickness is too thick, a large applied voltage will be required to obtain a constant optical output, resulting in poor efficiency.On the other hand, if the film thickness is too thin, pinholes may occur. occurs, making it difficult to obtain sufficient luminance even when an electric field is applied. Therefore, the thickness of each layer is suitably in the range of 1 nm to 1 μm, and more preferably in the range of 10 nm to 0.2 μm.

また、電界発光素子の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、樹脂等により素子全体を被覆や封止を施したりしてもよい。特に素子全体を被覆や封止する際には、光によって硬化する光硬化性樹脂が好適に使用される。 Further, in order to improve the stability of the electroluminescent device against temperature, humidity, atmosphere, etc., a protective layer may be provided on the surface of the device, or the entire device may be covered or sealed with a resin or the like. In particular, when covering or sealing the entire element, a photocurable resin that is cured by light is preferably used.

本発明の電界発光素子に印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれば特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。 The current applied to the electroluminescent device of the present invention is usually direct current, but pulsed current or alternating current may also be used. There are no particular restrictions on the current and voltage values as long as they are within a range that does not destroy the element, but in consideration of the power consumption and lifespan of the element, it is desirable to emit light efficiently with as little electrical energy as possible.

本発明の電界発光素子の駆動方法は、パッシブマトリクス法のみならず、アクティブマトリックス法も可能である。また、本発明の電界発光素子から光を取り出す方法としては、陽極側から光を取り出すボトム・エミッションという方法のみならず、陰極側から光を取り出すトップ・エミッションという方法にも適用可能である。 The electroluminescent device of the present invention can be driven by not only a passive matrix method but also an active matrix method. Furthermore, as a method for extracting light from the electroluminescent element of the present invention, it is applicable not only to a bottom emission method in which light is extracted from the anode side, but also to a top emission method in which light is extracted from the cathode side.

本発明の電界発光素子のフルカラー化方式の主な方式としては、３色塗り分け方式、色変換方式、カラーフィルター方式が挙げられる。３色塗り分け方式では、シャドウマスクを使った蒸着法や、インクジェット法や印刷法が挙げられる。レーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ法ともいわれる）も用いることができる。色変換方式では、青色発光の発光層を使って、蛍光色素を分散した色変換（ＣＣＭ）層を通して、青色より長波長の緑色と赤色に変換する方法である。カラーフィルター方式では、白色発光の有機ＥＬ素子を使って、液晶用カラーフィルターを通して３原色の光を取り出す方法であるが、これら３原色に加えて、一部白色光をそのまま取り出して発光に利用することで、素子全体の発光効率をあげることもできる。 The main full-color systems for the electroluminescent device of the present invention include a three-color painting system, a color conversion system, and a color filter system. Examples of the three-color coating method include a vapor deposition method using a shadow mask, an inkjet method, and a printing method. A laser thermal transfer method (also called laser induced thermal imaging, LITI method) can also be used. In the color conversion method, a light-emitting layer that emits blue light is used to convert the light into green and red, which have longer wavelengths than blue, through a color conversion (CCM) layer in which a fluorescent dye is dispersed. The color filter method uses organic EL elements that emit white light to extract three primary colors of light through a liquid crystal color filter, but in addition to these three primary colors, some white light is extracted as is and used for luminescence. This also makes it possible to increase the luminous efficiency of the entire device.

更に、電界発光素子は、マイクロキャビティ構造を採用してもよい。これは、電界発光素子は、発光層が陽極と陰極との間に挟持された構造であり、発光した光は陽極と陰極との間で多重干渉を生じるが、陽極及び陰極の反射率、透過率等の光学的な特性と、これらに挟持された有機層及び又は無機層の膜厚とを適当に選ぶことにより、多重干渉効果を積極的に利用し、素子より取り出される発光波長を制御するという技術である。これにより、発光色度を改善することも可能となる。 Furthermore, the electroluminescent device may employ a microcavity structure. An electroluminescent device has a structure in which a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode, and the emitted light causes multiple interference between the anode and cathode. By appropriately selecting the optical properties such as optical properties and the thickness of the organic layer and/or inorganic layer sandwiched between them, the multiple interference effect can be actively utilized to control the wavelength of light emitted from the device. This is the technology. This also makes it possible to improve the chromaticity of the emitted light.

＜量子ドット分散液の製造＞
（量子ドット分散液：ＱＤ－１）
酢酸インジウム１．３５部、オクタン酸亜鉛１．３０部、ステアリン酸４．６５部、１－オクタデセン９２．７部をフラスコに入れ１００℃に加熱した。その後、その温度で減圧留去した。
次いで、フラスコ内をアルゴンガスで満たし、３００℃に加熱した。別途、水のないグローボックス中で調製した、トリス（トリメチルシリル）フォスフィン１．１６部を添加したヘキサン溶液２３部を注入し、２８０℃で９分間反応した後、急冷して溶液を得た。
得られた溶液１５部、１－オクタデセン４６部、オレイルアミン１１．５部をフラスコに入れ、１５分間撹拌した後、ジベンジルジチオカルバミン酸亜鉛を４．３部加えた。フラスコ内をアルゴンで置換した後、１７０℃まで４５分間かけて昇温し、１７０℃にて２時間保温した。その後冷却し、アセトンを加えて遠心分離法にて沈降ペーストを得た。
得られた沈降ペーストをトルエンで分散し、ドデカンチオール３．７部を加えて、室温で２４時間撹拌し、減圧濃縮した後アセトンを加え、遠心分離法にて沈降ペーストを得た。
次いで、沈降ペーストをトルエンに分散して、固形分濃度１０％に調製し、ドデカンチオールで表面処理された量子ドット分散液ＱＤ－１を得た。量子ドットに含まれる半導体粒子はコアがＩｎＰでシェルがＺｎＳである。 <Manufacture of quantum dot dispersion>
(Quantum dot dispersion: QD-1)
1.35 parts of indium acetate, 1.30 parts of zinc octoate, 4.65 parts of stearic acid, and 92.7 parts of 1-octadecene were placed in a flask and heated to 100°C. Thereafter, it was distilled off under reduced pressure at that temperature.
Next, the inside of the flask was filled with argon gas and heated to 300°C. Separately, 23 parts of a hexane solution to which 1.16 parts of tris(trimethylsilyl)phosphine was added, prepared in a water-free glove box, was injected, reacted at 280° C. for 9 minutes, and then rapidly cooled to obtain a solution.
15 parts of the obtained solution, 46 parts of 1-octadecene, and 11.5 parts of oleylamine were placed in a flask, and after stirring for 15 minutes, 4.3 parts of zinc dibenzyldithiocarbamate was added. After purging the inside of the flask with argon, the temperature was raised to 170°C over 45 minutes and kept at 170°C for 2 hours. Thereafter, the mixture was cooled, acetone was added, and a precipitated paste was obtained by centrifugation.
The resulting precipitated paste was dispersed in toluene, 3.7 parts of dodecanethiol was added, stirred at room temperature for 24 hours, concentrated under reduced pressure, acetone was added, and a precipitated paste was obtained by centrifugation.
Next, the sedimentation paste was dispersed in toluene to adjust the solid content concentration to 10% to obtain a quantum dot dispersion QD-1 surface-treated with dodecanethiol. The semiconductor particles contained in the quantum dots have a core made of InP and a shell made of ZnS.

（量子ドット乾固物：ＱＤＳ－１）
量子ドット分散液ＱＤ－１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５％に希釈した。次いで、正孔輸送性リガンドである表６記載の化合物（ａ）の１．０％トルエン溶液を、量子ドット分散液ＱＤ－１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、減圧乾固して、正孔輸送性リガンドである化合物（ａ）で表面処理された量子ドットの乾固物ＱＤＳ－１を得た。 (Quantum dot dry matter: QDS-1)
Quantum dot dispersion QD-1 was diluted to a solid content concentration of 0.5% using toluene. Next, a 1.0% toluene solution of compound (a) shown in Table 6, which is a hole transporting ligand, was added in an amount of 5 times to quantum dot dispersion QD-1 and stirred for 12 hours. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, the product was dried under reduced pressure to obtain a dried quantum dot QDS-1 whose surface was treated with compound (a), which is a hole-transporting ligand. .

（量子ドット乾固物：ＱＤＳ－２～８）
化合物（ａ）の代わりに、表６記載の化合物（ｂ）～（ｈ）を使用した以外は、ＱＤＳ－１と同様にして、量子ドット乾固物ＱＤＳ－２～８を得た。 (Quantum dot dry matter: QDS-2 to 8)
Dried quantum dots QDS-2 to 8 were obtained in the same manner as QDS-1, except that compounds (b) to (h) listed in Table 6 were used instead of compound (a).

＜インキ組成物の製造＞
［実施例１］：インキ組成物１
量子ドット乾固物ＱＤＳ－１を、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（以下、ＢＧＡｃ）中に固形分濃度０．１％となるように分散し、１μｍのフィルタで濾過して、インキ組成物１を得た。 <Manufacture of ink composition>
[Example 1]: Ink composition 1
Quantum dot dry matter QDS-1 was dispersed in ethylene glycol monobutyl ether acetate (hereinafter referred to as BGAc) to a solid content concentration of 0.1%, and filtered with a 1 μm filter to obtain ink composition 1. Ta.

［実施例２～７］：インキ組成物２～７
量子ドット乾固物ＱＤＳ－１の代わりに、量子ドット乾固物ＱＤＳ－２～７を使用した以外はインキ組成物１と同様にして、インキ組成物２～７を得た。 [Examples 2 to 7]: Ink compositions 2 to 7
Ink compositions 2 to 7 were obtained in the same manner as ink composition 1 except that quantum dots QDS-2 to 7 were used instead of quantum dots QDS-1.

［実施例８］：インキ組成物８
ＢＧＡｃの代わりに、ジエチレングリコールジエチルエーテル（以下、ＤＥＤＧ）を使用した以外はインキ組成物１と同様にして、インキ組成物８を得た。 [Example 8]: Ink composition 8
Ink composition 8 was obtained in the same manner as ink composition 1 except that diethylene glycol diethyl ether (hereinafter referred to as DEDG) was used instead of BGAc.

［実施例９］：インキ組成物９
ＢＧＡｃの代わりに、ＤＥＤＧとトリエチレングリコールモノエチルエーテル（以下、ＥＴＧ）との質量比９：１の混合溶剤を使用した以外はインキ組成物１と同様にして、インキ組成物９を得た。 [Example 9]: Ink composition 9
Ink composition 9 was obtained in the same manner as ink composition 1 except that a mixed solvent of DEDG and triethylene glycol monoethyl ether (hereinafter referred to as ETG) at a mass ratio of 9:1 was used instead of BGAc.

［実施例１０］：インキ組成物１０
ＢＧＡｃの代わりに、ＢＧＡｃとプロピレングリコールジアセテート（以下、ＰＧＤＡ）との質量比８：２の混合溶剤を使用した以外はインキ組成物１と同様にして、インキ組成１０を得た。 [Example 10]: Ink composition 10
Ink composition 10 was obtained in the same manner as ink composition 1 except that a mixed solvent of BGAc and propylene glycol diacetate (hereinafter referred to as PGDA) at a mass ratio of 8:2 was used instead of BGAc.

［実施例１１］：インキ組成物１１
ＢＧＡｃの代わりに、ＢＧＡｃとトルエンとの質量比５：５の混合溶剤を使用した以外はインキ組成物１と同様にして、インキ組成物１１を得た。 [Example 11]: Ink composition 11
Ink composition 11 was obtained in the same manner as ink composition 1 except that a mixed solvent of BGAc and toluene in a mass ratio of 5:5 was used instead of BGAc.

［比較例１］：インキ組成物１２
量子ドット分散液ＱＤ－１をトルエンで固形分濃度０．１％に希釈して、インキ組成物１２を得た。 [Comparative Example 1]: Ink composition 12
Ink composition 12 was obtained by diluting quantum dot dispersion QD-1 with toluene to a solid content concentration of 0.1%.

［比較例２］：インキ組成物１３
ＢＧＡｃの代わりに、トルエンを使用した以外はインキ組成物１と同様にして、インキ組成物１２を得た。 [Comparative Example 2]: Ink composition 13
Ink composition 12 was obtained in the same manner as ink composition 1 except that toluene was used instead of BGAc.

［比較例３］：インキ組成物１４
量子ドット乾固物ＱＤＳ－１の代わりに、量子ドット乾固物ＱＤＳ－８を使用した以外はインキ組成物１と同様にして、インキ組成物１４を得た。 [Comparative Example 3]: Ink composition 14
Ink composition 14 was obtained in the same manner as ink composition 1 except that quantum dot dry matter QDS-8 was used instead of quantum dot dry matter QDS-1.

［比較例４］：インキ組成物１５
ＢＧＡｃの代わりに、ＢＧＡｃとトルエンとの質量比４：6の混合溶剤を使用した以外はインキ組成物１と同様にして、インキ組成物１５を得た。 [Comparative Example 4]: Ink composition 15
Ink composition 15 was obtained in the same manner as ink composition 1 except that a mixed solvent of BGAc and toluene in a mass ratio of 4:6 was used instead of BGAc.

＜インキ組成物の評価＞
得られたインキ組成物について以下の評価を行った。結果を表７に示す。 <Evaluation of ink composition>
The obtained ink composition was evaluated as follows. The results are shown in Table 7.

（電界発光素子性能評価）
以下に電界発光素子の作製と評価について説明する。蒸着は、１０^－６Ｔｏｒｒの真空中にて基板の加熱や冷却等の温度制御は行わない条件下で行った。素子の評価は、発光素子面積２ｍｍ×２ｍｍの電界発光素子を用いて測定した。
まず、洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ(３，４－エチレンジオキシ)－２，５－チオフェン／ポリスチレンスルホン酸、Ｈｅｒａｅｕｓ社製ＣＬＥＶＩＯＵＳ（登録商標） Ｐ ＶＰ ＣＨ８０００）をスピンコート法にて塗工し、１１０℃にて２０分間乾燥させて、厚み３５ｎｍの正孔注入層を得た。正孔注入層上に、下記化合物（ｉ）の固形分濃度０．５％のクロロホルム溶液をスピンコート法で塗工し、減圧乾燥して、厚み５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次いで、正孔輸送層上に、得られたインキ組成物を用いて下記印刷条件でベタパターンのインクジェット印刷を行い、厚み２０ｎｍの発光層を形成した。
次いで、発光層上に、下記化合物（ｊ）を蒸着して、厚み３０ｎｍの電子輸送層を形成した。電子輸送層上に、厚み０．５ｎｍでフッ化リチウムを、厚み２００ｎｍでアルミニウム（以下、Ａｌ）を蒸着して電極を形成し、電界発光素子を得た。 (Electroluminescent device performance evaluation)
The production and evaluation of the electroluminescent device will be described below. The vapor deposition was performed in a vacuum of 10 ⁻⁶ Torr without temperature control such as heating or cooling of the substrate. Evaluation of the device was performed using an electroluminescent device with a light emitting device area of 2 mm×2 mm.
First, PEDOT/PSS (poly(3,4-ethylenedioxy)-2,5-thiophene/polystyrene sulfonic acid, CLEVIOUS (registered trademark) P VP CH8000 manufactured by Heraeus) was placed on a cleaned glass plate with an ITO electrode. It was coated by a spin coating method and dried at 110° C. for 20 minutes to obtain a hole injection layer with a thickness of 35 nm. A chloroform solution of the following compound (i) having a solid content of 0.5% was applied onto the hole injection layer by spin coating and dried under reduced pressure to form a hole transport layer with a thickness of 50 nm.
Next, a solid pattern was inkjet printed on the hole transport layer using the obtained ink composition under the following printing conditions to form a light emitting layer with a thickness of 20 nm.
Next, the following compound (j) was deposited on the light emitting layer to form an electron transport layer with a thickness of 30 nm. On the electron transport layer, electrodes were formed by vapor depositing lithium fluoride to a thickness of 0.5 nm and aluminum (hereinafter referred to as Al) to a thickness of 200 nm, thereby obtaining an electroluminescent device.

得られた電界発光素子について、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ^２）で駆動させた時の駆動電圧（Ｖ）及び外部量子効率（％）を測定した。また、初期輝度５００（ｃｄ／ｍ^２）の条件で１０時間連続駆動した後の輝度を測定し、相対輝度（１０時間後の輝度／初期輝度）を算出した。
なお、実施例１のインキ組成物を用いた電界発光素子は、その発光スペクトルのピーク波長は６０５ｎｍであり、半値全幅は３０ｎｍであった。また、同様の手順にて発光層まで作成したサンプルに関し、Ｖｅｅｃｏ社製ＤＥＣＴＡＣ６Ｍを用いて算術平均粗さＲａを測定した結果、Ｒａは１０ｎｍ以下であった。さらに、ＩＴＯ基板上に発光層のみを形成したサンプルを作成し、住友重機械メカトロニクス社製ＰＹＳ－２０２でイオン化ポテンシャルを測定した結果５．９ｅＶであった。 The driving voltage (V) and external quantum efficiency (%) of the obtained electroluminescent device when driven at a current density of 10 (mA/cm ² ) were measured. Further, the brightness after continuous driving for 10 hours under the condition of an initial brightness of 500 (cd/m ² ) was measured, and the relative brightness (brightness after 10 hours/initial brightness) was calculated.
In addition, in the electroluminescent device using the ink composition of Example 1, the peak wavelength of the emission spectrum was 605 nm, and the full width at half maximum was 30 nm. Further, regarding a sample including the light-emitting layer created by the same procedure, the arithmetic mean roughness Ra was measured using DECTAC6M manufactured by Veeco, and as a result, Ra was 10 nm or less. Furthermore, a sample was prepared in which only a light-emitting layer was formed on an ITO substrate, and the ionization potential was measured with PYS-202 manufactured by Sumitomo Heavy Industries Mechatronics Co., Ltd., and the result was 5.9 eV.

≪インクジェット印刷条件≫
印刷機： Ｄｉｍａｔｉｘ ＭａｔｅｒｉａｌｓＰｒｉｎｔｅｒ
カートリッジ： １０ＤｉｍａｔｉｘＭａｔｅｒｉａｌｓＣａｒｔｒｉｇｅｓ、１０ｐＬ
基板温度： ３０℃
印刷後乾燥： ４０℃２０分間 ≪Inkjet printing conditions≫
Printing machine: Dimatix MaterialsPrinter
Cartridges: 10DimatixMaterialsCartriges, 10pL
Substrate temperature: 30℃
Drying after printing: 40℃ for 20 minutes

表７中の略称を以下に示す。
ＢＧＡｃ：エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（一般式（１）に該当）
The abbreviations in Table 7 are shown below.
BGAc: Ethylene glycol monobutyl ether acetate (corresponds to general formula (1))

ＤＥＤＧ：ジエチレングリコールジエチルエーテル（一般式（３）に該当）
DEDG: diethylene glycol diethyl ether (corresponds to general formula (3))

ＥＴＧ：トリエチレングリコールモノエチルエーテル（一般式（４）に該当）
ETG: triethylene glycol monoethyl ether (corresponds to general formula (4))

ＰＧＤＡ：プロピレングリコールジアセテート（一般式（２）に該当）
PGDA: Propylene glycol diacetate (corresponds to general formula (2))

以上に説明したように、比較例１～４に対し実施例１～１１は優れた電界発光素子特性を示した。比較例２では本発明の溶剤ではくトルエンを使用していたため、正孔輸送層へのダメージが発生したと想定され、電界発光素子の発光面にムラや明点が存在していた。正孔輸送層へのダメージに依るとみられる素子特性の悪化は、比較例４でも確認されていることから、溶剤の比率も重要であることが確認できる。また、比較例３では、インクジェットの吐出性に劣っていたために電界素子特性に影響が生じたとみられる。実際、発光面には無数の明点や暗点が発生していた。これは、本発明のリガンドの吸着基であるカルボキシル基やスルファニル基と比べて、フォスフィンオキシド部位の半導体ナノ粒子に対する吸着が不安定であるために、量子ドットの一部が凝集しているためであると仮説立てている。以上述べたように、本発明の電界発光素子は、駆動電圧の低減が可能であり、かつ優れた発光効率、駆動電流密度で安定した発光効率、及び、高い耐久性を有する。故に、本有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや各種の平面発光体として、更には、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。 As explained above, Examples 1 to 11 exhibited superior electroluminescent device characteristics compared to Comparative Examples 1 to 4. In Comparative Example 2, since toluene was used instead of the solvent of the present invention, it was assumed that damage to the hole transport layer occurred, and unevenness and bright spots were present on the light emitting surface of the electroluminescent device. Deterioration in device characteristics, which appears to be due to damage to the hole transport layer, was also confirmed in Comparative Example 4, which confirms that the ratio of the solvent is also important. Furthermore, in Comparative Example 3, it seems that the electric field element characteristics were affected because the inkjet ejection performance was poor. In fact, countless bright and dark spots were generated on the light emitting surface. This is because the adsorption of the phosphine oxide moiety to the semiconductor nanoparticle is unstable compared to the carboxyl group and sulfanyl group, which are the adsorption groups of the ligand of the present invention, and some of the quantum dots aggregate. It is hypothesized that. As described above, the electroluminescent device of the present invention can reduce driving voltage, has excellent luminous efficiency, stable luminous efficiency at driving current density, and high durability. Therefore, this organic EL element can be used as flat panel displays such as wall-mounted TVs and various flat light emitters, as well as light sources for copying machines and printers, light sources for liquid crystal displays and instruments, display boards, sign lights, etc. Possible applications are:

Claims (4)

量子ドット及び溶剤を含むインキ組成物であって、
前記量子ドットが、スルファニル基及びカルボキシル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有するキャリア輸送性リガンドを含み、
前記キャリア輸送性リガンドが、下記一般式（５）で表わされる基を有する化合物であり、
一般式（５）
［一般式（５）中、Ｌ ^１ は、直接結合又は炭素数１～５のアルキレン基であり、Ｌ ^２ は、炭素数１～５のアルキレン基であり、Ｒ ^４８ は、炭素数１～５のアルキル基であり、ｎは、０～４の整数である。］
前記溶剤が、下記一般式（１）～（４）で表わされる溶剤を少なくとも１種含み、下記一般式（１）～（４）で表わされる溶剤の合計量が、溶剤全量に対して５０質量％以上である、インキ組成物。
一般式（１）： Ｒ^３６ＣＯ（ＯＲ^３７）_ｐＯＲ^３８
一般式（２）： Ｒ^３９ＣＯ（ＯＲ^４０）_ｑＯＣＯＲ^４１
一般式（３）： Ｒ^４２（ＯＲ^４３）_ｒＯＲ^４４
一般式（４）： Ｒ^４５（ＯＲ^４６）_ｓＯＲ^４７
［一般式（１）～（４）中、
Ｒ^３６、Ｒ^３８、Ｒ^３９、Ｒ^４１、Ｒ^４２及びＲ^４４は、各々独立して、炭素数１～４のアルキル基を表し、Ｒ^３７、Ｒ^４０及びＲ^４３は、各々独立して、炭素数２～４のアルキレン基を表し、Ｒ^４５及びＲ^４７は、各々独立して、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ^４５及びＲ^４７のうち少なくとも１つは水素原子であり、Ｒ^４６は、炭素数１～１０のアルキレン基を表し、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、各々独立して、１～６の整数を表す。］ An ink composition comprising quantum dots and a solvent,
The quantum dots include a carrier transporting ligand having at least one functional group selected from the group consisting of a sulfanyl group and a carboxyl group,
The carrier transporting ligand is a compound having a group represented by the following general formula (5),
General formula (5)
[In general formula (5), L ¹ is a direct bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, L ² is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and R ⁴⁸ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms. is an alkyl group, and n is an integer of 0 to 4. ]
The solvent contains at least one solvent represented by the following general formulas (1) to (4), and the total amount of the solvents represented by the following general formulas (1) to (4) is 50% by mass based on the total amount of the solvent. % or more.
General formula (1): R ³⁶ CO(OR ³⁷ ) _p OR ³⁸
General formula (2): R ³⁹ CO(OR ⁴⁰ ) _q OCOR ⁴¹
General formula (3): R ⁴² (OR ⁴³ ) _r OR ⁴⁴
General formula (4): R ⁴⁵ (OR ⁴⁶ ) _s OR ⁴⁷
[In general formulas (1) to (4),
R ³⁶ , R ³⁸ , R ³⁹ , R ⁴¹ , R ⁴² and R ⁴⁴ each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R ³⁷ , R ⁴⁰ and R ⁴³ each independently represent, represents an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, R ⁴⁵ and R ⁴⁷ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and at least one of R ⁴⁵ and R ⁴⁷ is a hydrogen atom , R ⁴⁶ represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and p, q, r and s each independently represent an integer of 1 to 6. ] インクジェット方式で用いられる、請求項１に記載のインキ組成物。 The ink composition according to claim 1 , which is used in an inkjet method. 請求項１又は２に記載のインキ組成物を用いて形成される発光層。 A light-emitting layer formed using the ink composition according to claim 1 or 2 . 基板上に、陽極、正孔輸送層、請求項３に記載の発光層及び陰極が、この順に積層されている構成を備えた電界発光素子であって、
前記正孔輸送層に接して前記発光層が設けられている、電界発光素子。 An electroluminescent device having a structure in which an anode, a hole transport layer, the light emitting layer according to claim 3 , and a cathode are laminated in this order on a substrate,
An electroluminescent device, wherein the light emitting layer is provided in contact with the hole transport layer.