JP2020095936A - Electroluminescence element - Google Patents

Electroluminescence element Download PDF

Info

Publication number
JP2020095936A
JP2020095936A JP2019138800A JP2019138800A JP2020095936A JP 2020095936 A JP2020095936 A JP 2020095936A JP 2019138800 A JP2019138800 A JP 2019138800A JP 2019138800 A JP2019138800 A JP 2019138800A JP 2020095936 A JP2020095936 A JP 2020095936A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
light emitting
quantum dot
ligand
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019138800A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
二郎 千阪
Jiro Chisaka
二郎 千阪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Artience Co Ltd
Original Assignee
Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Ink SC Holdings Co Ltd filed Critical Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
Publication of JP2020095936A publication Critical patent/JP2020095936A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

To provide an electroluminescence element which enables a decrease in driving voltage, and which has a stable, superior light emission efficiency and high durability while not depending on a driving current density.SOLUTION: The above problem is solved by an electroluminescence element having, on a substrate, a positive electrode, a light-emitting part including at least successive two light-emitting layers, and a negative electrode. The light-emitting part includes at least two light-emitting layers selected from a group consisting of a light-emitting layer (EML1) including a quantum dot (A1) which is a semiconductor nanoparticle subjected to surface treatment with a hole-transporting ligand, a light-emitting layer (EML2) including a quantum dot (A2) which is a semiconductor nanoparticle subjected to surface treatment with an electron-transporting ligand, a light-emitting layer (EML3) including a mixture of the quantum dot (A1) and the quantum dot (A2), and a light-emitting layer (ELM4) including a quantum dot (A4) which is a semiconductor nanoparticle subjected to surface treatment with a hole-transporting ligand and an electron-transporting ligand.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、基板上に、陽極と、少なくとも連続した２層の発光層を有する発光部と、陰極と、を有する電界発光素子に関する。 The present invention relates to an electroluminescence device having an anode, a light emitting section having at least two continuous light emitting layers, and a cathode on a substrate.

軽量・薄型で消費電力が少なく、かつ形状の自由度に優れた面発光型素子として、電界発光素子（ＥＬ、ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が注目されている。このような電界発光素子は、高輝度発光、高速応答、広視野角、薄型軽量、高解像度等の多くの優れた特徴を有し、フラットパネルディスプレイや照明への応用が検討されており、電界発光素子の１つとして量子ドットの利用が注目されている。 BACKGROUND ART Electroluminescent devices (EL, ElectroLuminescence) have been attracting attention as surface-emitting devices that are lightweight and thin, consume less power, and have excellent freedom in shape. Such an electroluminescent device has many excellent features such as high-brightness light emission, high-speed response, wide viewing angle, thin and lightweight, and high resolution, and its application to flat panel displays and lighting has been studied. The use of quantum dots has attracted attention as one of light emitting devices.

量子ドットは、ナノスケールの小さな半導体粒子であり、原子又は分子的な挙動と巨視的固体（バルク形態）の挙動との中間的な挙動を示す。電荷キャリア及び励起子が３次元の全ての方向に閉じ込められたナノスケールの材料（半導体ナノ粒子）は、量子ドットと呼ばれ、サイズの減少にともない、有効なバンドギャップが増大する。即ち、量子ドットのサイズが小さくなると、その吸収と発光がより短波長側へ、言い換えれば赤色方向から青色方向へとシフトする。また、量子ドットの組成とサイズとを組み合わせて制御することにより、赤外領域から紫外領域までの広範囲のスペクトルを得ることができ、更にサイズ分布を制御することにより、半値幅の狭い、色純度に優れたスペクトルを得ることができる。そこで、近年、これらの特性を生かして、発光材料として半導体ナノ結晶からなる量子ドットを用いた、量子ドット型の有機ＥＬ素子が提案されている。 Quantum dots are nanoscale small semiconductor particles, and exhibit intermediate behavior between atomic or molecular behavior and macroscopic solid (bulk morphology) behavior. Nanoscale materials (semiconductor nanoparticles) in which charge carriers and excitons are confined in all directions in three dimensions are called quantum dots, and the effective bandgap increases with decreasing size. That is, as the size of the quantum dot decreases, its absorption and emission shift to the shorter wavelength side, in other words, from the red direction to the blue direction. In addition, by controlling the composition and size of the quantum dots in combination, a wide spectrum from the infrared region to the ultraviolet region can be obtained, and by controlling the size distribution, the half-value width can be narrowed and the color purity can be improved. An excellent spectrum can be obtained. Therefore, in recent years, taking advantage of these characteristics, a quantum dot type organic EL element using quantum dots made of semiconductor nanocrystals as a light emitting material has been proposed.

量子ドットは、一般的にリガンドによって保護されている。リガンドの多くは、長鎖アルキル基の末端に吸着基を有する構造であり、量子ドット表面の化学的安定性向上による高耐久化効果や、有機溶剤や水への分散性や分散安定性を高める効果を有する。さらに、近年では、リガンドに対して、電荷注入等の量子ドットへの電気的な特性向上を意図した設計が成されている。
例えば、特許文献１〜３には、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドとを併用して量子ドットを表面処理した量子ドットを電界発光素子の発光層とすることで特性を改善することが示されている。 Quantum dots are generally protected by a ligand. Many of the ligands have a structure that has an adsorption group at the end of a long-chain alkyl group, which enhances the chemical stability of the quantum dot surface for high durability and enhances the dispersibility and dispersion stability in organic solvents and water. Have an effect. Further, in recent years, a design has been made for a ligand in order to improve electric characteristics of a quantum dot such as charge injection.
For example, in Patent Documents 1 to 3, it is possible to improve the characteristics by using a quantum dot surface-treated with a quantum dot in combination with a hole transporting ligand and an electron transporting ligand as a light emitting layer of an electroluminescent device. It is shown.

特表２００５−５０２１７６号公報Japanese Patent Publication No. 2005-502176 特開２００８−２１４３６３号公報JP, 2008-214363, A 国際公開第２０１１／０７４４９２号International Publication No. 2011/074492

しかしながら、特許文献１〜３の発明は、特定のリガンド組成からなる一層の量子ドットの発光層からなるために、発光層へのキャリア注入に必要な電圧が高く、また、発光層内での再結合の効率に劣るため発光効率が十分ではない上に、低電流密度から高電流密度まで安定して高い効率を維持することが出来ておらず、実用上課題となっていた。また、依然として量子ドットを用いた発光素子の耐久性は十分ではない。
即ち、本発明の課題は、駆動電圧の低減が可能であり、かつ駆動電流密度に依存せず安定で優れた発光効率、及び、高い耐久性を有する電界発光素子を提供することにある。 However, the inventions of Patent Documents 1 to 3 are composed of a single light emitting layer of quantum dots having a specific ligand composition, so that the voltage required for carrier injection into the light emitting layer is high, and re-generation in the light emitting layer is high. Luminous efficiency is not sufficient due to inferior coupling efficiency, and high efficiency cannot be stably maintained from low current density to high current density, which is a practical problem. Moreover, the durability of the light emitting device using the quantum dots is still insufficient.
That is, an object of the present invention is to provide an electroluminescent device capable of reducing a driving voltage, stable and excellent in luminous efficiency without depending on a driving current density, and having high durability.

本発明は以下〔１〕〜〔４〕の発明に関する。 The present invention relates to the inventions [1] to [4] below.

〔１〕 基板上に、陽極と、少なくとも連続した２層の発光層を有する発光部と、陰極と、を有する電界発光素子であって、
前記発光部が、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む発光層（ＥＭＬ１）、電子輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ２）を含む発光層（ＥＭＬ２）、前記量子ドット（Ａ１）と前記量子ドット（Ａ２）との混合物を含む発光層（ＥＭＬ３）、及び正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドとで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む発光層（ＥＬＭ４）からなる群から選ばれる少なくとも２種の発光層を有する、電界発光素子。 [1] An electroluminescent device having, on a substrate, an anode, a light emitting portion having at least two continuous light emitting layers, and a cathode,
The light-emitting portion includes a light-emitting layer (EML1) including a quantum dot (A1) that is a semiconductor nanoparticle surface-treated with a hole-transporting ligand, and a quantum dot (a semiconductor nanoparticle surface-treated with an electron-transporting ligand ( A2) including a light emitting layer (EML2), a light emitting layer (EML3) including a mixture of the quantum dots (A1) and the quantum dots (A2), and a surface treatment with a hole transporting ligand and an electron transporting ligand. An electroluminescent device having at least two kinds of light emitting layers selected from the group consisting of light emitting layers (ELM4) containing quantum dots (A4) which are semiconductor nanoparticles.

〔２〕 前記発光部が、陽極側からみて、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ２）、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ３）、（ＥＭＬ３）／（ＥＭＬ２）、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ３）／（ＥＭＬ２）、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ４）、（ＥＭＬ４）／（ＥＭＬ２）、又は（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ４）／（ＥＭＬ２）の順で発光層を有する、〔１〕に記載の電界発光素子。 [2] When viewed from the anode side, the light emitting unit is (EML1)/(EML2), (EML1)/(EML3), (EML3)/(EML2), (EML1)/(EML3)/(EML2), (EML1)/(EML2), The electroluminescent device according to [1], which has a light emitting layer in the order of EML1)/(EML4), (EML4)/(EML2), or (EML1)/(EML4)/(EML2).

〔３〕 隣り合う発光層、又は１つの発光層に含まれる量子ドットの正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドにおいて、前記正孔輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位が、前記電子輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上大きい、〔２〕に記載の電界発光素子。 [3] In the hole transporting ligand and the electron transporting ligand of the quantum dots included in the adjacent light emitting layers or one light emitting layer, the HOMO energy level of the hole transporting ligand is the same as that of the electron transporting ligand. The electroluminescent device according to [2], which is 0.2 eV or more higher than the HOMO energy level.

〔４〕 隣り合う発光層、又は１つの発光層に含まれる量子ドットの正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドにおいて、前記正孔輸送性リガンドのＬＵＭＯエネルギー準位が、前記電子輸送性リガンドのＬＵＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上大きい、〔２〕又は〔３〕に記載の電界発光素子。 [4] In the hole transporting ligand and the electron transporting ligand of the quantum dots included in the adjacent light emitting layers or one light emitting layer, the LUMO energy level of the hole transporting ligand is the same as that of the electron transporting ligand. The electroluminescent device according to [2] or [3], which is larger than the LUMO energy level by 0.2 eV or more.

本発明により、駆動電圧の低減が可能であり、かつ駆動電流密度に依存せず安定で優れた発光効率、及び、高い耐久性を有する電界発光素子を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an electroluminescent device capable of reducing a driving voltage, stable and excellent in luminous efficiency without depending on a driving current density, and having high durability.

本発明の電界発光素子は、基板上に、陽極と、少なくとも連続した２層の発光層を有する発光部と、陰極と、を有する電界発光素子であって、前記発光部が、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む発光層（ＥＭＬ１）、電子輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ２）を含む発光層（ＥＭＬ２）、前記量子ドット（Ａ１）と前記量子ドット（Ａ２）との混合物を含む発光層（ＥＭＬ３）、及び正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドとで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む発光層（ＥＬＭ４）からなる群から選ばれる少なくとも２種の発光層を有する、ことで、駆動電圧の低減、優れた発光効率、駆動電流密度で安定した発光効率、及び、高い耐久性を発揮することが出来る。
以下に、本発明について詳細に説明する。 The electroluminescent element of the present invention is an electroluminescent element having, on a substrate, an anode, a light emitting part having at least two continuous light emitting layers, and a cathode, wherein the light emitting part has a hole transporting property. Light-emitting layer (EML1) containing quantum dots (A1) which are semiconductor nanoparticles surface-treated with a ligand, and light-emitting layer (EML2) containing quantum dots (A2) which are semiconductor nanoparticles surface-treated with an electron-transporting ligand. A light emitting layer (EML3) containing a mixture of the quantum dots (A1) and the quantum dots (A2), and quantum dots (SML) which are surface-treated with a hole transporting ligand and an electron transporting ligand ( By having at least two kinds of light emitting layers selected from the group consisting of the light emitting layer (ELM4) containing A4), the driving voltage is reduced, the light emitting efficiency is excellent, the light emitting efficiency is stable at the driving current density, and the durability is high. You can exercise your sexuality.
The present invention will be described in detail below.

＜半導体ナノ粒子＞
半導体ナノ粒子の材質としては、炭素（Ｃ）（不定形炭素、グラファイト、グラフェン、カーボンナノチューブ等）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）等の周期表第ＩＶ族元素の単体、リン（Ｐ）（黒リン）等の周期表第Ｖ族元素の単体、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）等の周期表第ＶＩ族元素の単体、酸化錫（ＩＶ）窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化ホウ素（ＢＰ）、砒化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）等の周期表第III族元素と周期表第V族元素との化合物硫化アルミニウム（Ａｌ2Ｓ3）、セレン化アルミニウム（Ａｌ2Ｓｅ3）、硫化ガリウム（Ｇａ2Ｓ3）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ、Ｇａ2Ｓｅ3）テルル化ガリウム（ＧａＴｅ、Ｇａ2Ｔｅ3）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、硫化インジウム（Ｉｎ2Ｓ3、ＩｎＳ）、セレン化インジウム（Ｉｎ2Ｓｅ3）、テルル化インジウム（Ｉｎ2Ｔｅ3）等の周期表第ＩＩＩ族元素と周期表第ＶＩ族元素との化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）等の周期表第ＩＩ族元素と周期表第ＶＩ族元素との化合物、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ2Ｏ）等の周期表第Ｉ族元素と周期表第ＶＩ族元素との化合物、塩化銅（Ｉ）（ＣｕＣｌ）、臭化銅（Ｉ）（ＣｕＢｒ）、ヨウ化銅（Ｉ）（ＣｕＩ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）等の周期表第Ｉ族元素と周期表第ＶＩＩ族元素との化合物等が挙げられ、必要によりこれらの２種以上を併用しても良い。これらの半導体には、構成元素以外の元素が含有されていても構わない。例えばＩＩＩ−Ｖ族を例にとれば、ＩＮＧａＰ、ＩＮＧａＮの様な合金系であってもよい。また上記材料中に、希土類元素あるいは遷移金属元素がドープされた半導体ナノ粒子も使われる。例えば、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｅ、ＬａＰＯ4：Ｃｅ等が挙げられる。 <Semiconductor nanoparticles>
The semiconductor nanoparticles are made of carbon (C) (amorphous carbon, graphite, graphene, carbon nanotubes, etc.), silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), etc. , Simple substance of Group V element of the periodic table such as phosphorus (P) (black phosphorus), simple substance of Group VI element of periodic table such as selenium (Se) and tellurium (Te), tin oxide (IV) boron nitride (BN) , Boron phosphide (BP), boron arsenide (BAs), aluminum nitride (AlN), aluminum phosphide (AlP), aluminum arsenide (AlAs), aluminum antimonide (AlSb), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (AlN) GaP), gallium arsenide (GaAs), gallium antimonide (GaSb), indium nitride (InN), indium phosphide (InP), indium arsenide (InAs), indium antimonide (InSb), etc. Compound with Group V element of the periodic table Aluminum sulfide (Al 2 S 3 ), aluminum selenide (Al 2 Se 3 ), gallium sulfide (Ga 2 S 3 ), gallium selenide (GaSe, Ga 2 Se 3 ) telluride gallium (GaTe, Ga 2 Te 3) , indium oxide (In 2 O 3), indium sulfide (In 2 S 3, InS) , indium selenide (In 2 Se 3), telluride, indium (In 2 Te 3) or the like A compound of an element of Group III and an element of Group VI of the periodic table, zinc oxide (ZnO), zinc sulfide (ZnS), zinc selenide (ZnSe), zinc telluride (ZnTe), cadmium oxide (CdO), Periodic Table Group II elements and periodic tables such as cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdSe), cadmium telluride (CdTe), mercury sulfide (HgS), mercury selenide (HgSe), and mercury telluride (HgTe) Compounds with Group VI elements, compounds of Group I elements with Group VI elements of the periodic table such as copper(I) oxide (Cu 2 O), copper(I) chloride (CuCl), copper bromide ( I) (CuBr), copper(I) iodide (CuI), silver chloride (AgCl), silver bromide (AgBr), and other compounds of the periodic table group I elements and the periodic table group VII elements. If necessary, two or more of these may be used in combination. These semiconductors may contain an element other than the constituent elements. For example, when the group III-V is taken as an example, an alloy system such as INGaP or INGaN may be used. Further, semiconductor nanoparticles in which the above materials are doped with a rare earth element or a transition metal element are also used. For example, ZnS:Mn, ZnS:Tb, ZnS:Ce, LaPO 4 :Ce, etc. may be mentioned.

この中でもケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ、Ｇａ2Ｓｅ3）、硫化インジウム（Ｉｎ2Ｓ3、ＩｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ等の合金系が好ましく用いられ、特に、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）が特に好ましく用いられる。とりわけ、ＩｎＰをコアに、ＺｎＳ、及び／又は、ＺｎＳｅをシェルに用いることが好ましい。 Among these, silicon (Si), germanium (Ge), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), gallium arsenide (GaAs), indium nitride (InN), indium phosphide (InP), indium arsenide (InAs), Gallium selenide (GaSe, Ga 2 Se 3 ), indium sulfide (In 2 S 3 , InS), zinc oxide (ZnO), zinc sulfide (ZnS), zinc selenide (ZnSe), zinc telluride (ZnTe), oxidation Alloy systems such as cadmium (CdO), cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdSe), cadmium telluride (CdTe), InGaP and InGaN are preferably used, and in particular, indium phosphide (InP) and cadmium selenide (CdO). CdSe), zinc sulfide (ZnS), and zinc selenide (ZnSe) are particularly preferably used. In particular, it is preferable to use InP for the core and ZnS and/or ZnSe for the shell.

更に、半導体ナノ粒子の材質としては、ペロブスカイト結晶も好適に用いることができる。ペロブスカイト結晶は、下記式（Ｉ）で表される組成を有し、３次元結晶構造を持つものである。
式（Ｉ）： ＡＱＸ3
［式（Ｉ）において、Ａは、メチルアンモニウム（ＣＨ3ＮＨ2）及びホルムアミジニウム（ＮＨ2ＣＨＮＨ）からなる群から選ばれる少なくとも１種であるアミン化合物の１価陽イオン、又は、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｅ）及びフランシウ（Ｆｒ）からなる群から選ばれる少なくとも１種であるアルカリ金属元素の１価陽イオンであり、Ｑは、鉛（Ｐｂ）及び錫（Ｓｎ）からなる群から選ばれる少なくとも１種である金属元素の２価陽イオンであり、Ｘは、ヨウ素（Ｉ）、臭素（Ｂｒ）及び塩素（Ｃｌ）からなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲン元素の１価陰イオンである。］ Furthermore, as a material for the semiconductor nanoparticles, perovskite crystals can also be preferably used. The perovskite crystal has a composition represented by the following formula (I) and has a three-dimensional crystal structure.
Formula (I): AQX 3
[In the formula (I), A is a monovalent cation of an amine compound which is at least one selected from the group consisting of methylammonium (CH 3 NH 2 ) and formamidinium (NH 2 CHNH), or rubidium ( Rb), cesium (Ce), and francium (Fr) are at least one monovalent cation of an alkali metal element selected from the group consisting of, and Q is a group consisting of lead (Pb) and tin (Sn). Is a divalent cation of at least one metal element selected, and X is a monovalent anion of at least one halogen element selected from the group consisting of iodine (I), bromine (Br) and chlorine (Cl). It's Aeon. ]

半導体ナノ粒子は、コアシェル構造を有するものであることが好ましい。コアシェル型の半導体ナノ粒子は、コアを形成する材質と異なる成分からなる材質でコア構造を被覆した構造となる。シェルにバントギャップの大きい半導体を選択することで、光励起によって生成された励起子（電子−正孔対）はコア内に閉じ込められる。その結果、粒子表面での無輻射遷移の確率が減少し、発光の量子収率及び蛍光特性の安定性が向上する。また、シェルは複数層あっても良い。更に、コアとシェル、及び、あるシェルと他のシェルの境界は明確であっても濃度勾配を設けて徐々に接合されたグラージェント構造で合っても良い。更に、シェルはコアの一部だけを被覆している状態でも、全体を被覆していても良い。 The semiconductor nanoparticles preferably have a core-shell structure. The core-shell type semiconductor nanoparticles have a structure in which the core structure is coated with a material having a component different from the material forming the core. By selecting a semiconductor with a large band gap for the shell, excitons (electron-hole pairs) generated by photoexcitation are confined in the core. As a result, the probability of non-radiative transition on the particle surface is reduced, and the quantum yield of emission and the stability of fluorescence characteristics are improved. Further, the shell may have a plurality of layers. Furthermore, the boundary between the core and the shell, and the boundary between the one shell and the other shell may be clear or may have a gradient structure in which a concentration gradient is provided and gradually joined. Furthermore, the shell may cover only a part of the core or may cover the entire core.

コアとシェルとを含めた半導体ナノ粒子の平均粒径は、通常０．５ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは１〜５０ｎｍであり、更に好ましくは１〜１５ｎｍである。 The average particle size of the semiconductor nanoparticles including the core and the shell is usually 0.5 nm to 100 nm, preferably 1 to 50 nm, more preferably 1 to 15 nm.

ここで言う平均粒径とは、半導体ナノ粒子を透過型電子顕微鏡で観察し、無作為に３０個のサイズを計測してその平均値を採用した値を指す。この際、半導体ナノ粒子は後述のリガンドを伴うため、エネルギー分散型Ｘ線分析が付帯した走査型透過電子顕微鏡を用いることで、半導体材質部を特定した上で、透過型電子顕微鏡像において電子密度の違いから後述のリガンドに対し半導体ナノ粒子部分は暗く撮像されることを利用し粒径を計測する。半導体ナノ粒子の形状は、球状に限らず、棒状、円盤状、その他形状であっても良い。 The average particle size referred to here means a value obtained by observing semiconductor nanoparticles with a transmission electron microscope, measuring 30 sizes at random, and adopting the average value. At this time, since the semiconductor nanoparticles accompany the ligands described below, the semiconductor material portion is specified by using a scanning transmission electron microscope accompanied by energy dispersive X-ray analysis, and then the electron density in the transmission electron microscope image is determined. Because of the difference, the particle size is measured by utilizing the fact that the semiconductor nanoparticle portion is imaged dark with respect to the ligand described later. The shape of the semiconductor nanoparticles is not limited to a spherical shape, and may be a rod shape, a disk shape, or any other shape.

＜リガンド＞
リガンドは、半導体ナノ粒子の表面処理に用いられ、前記半導体ナノ粒子表面の少なくとも一部を覆うものである。
表面処理の方法としては、例えば、
半導体ナノ粒子の合成の際にリガンドを添加することにより、半導体ナノ粒子に予めリガンドを化学吸着させ表面処理する方法、
半導体ナノ粒子（又は、別のリガンドで表面処理された無機半導体ナノ粒子）とリガンドとを溶剤中で撹拌することで、半導体ナノ粒子の表面にリガンドを化学吸着、物理吸着又は化学結合させて表面処理する方法、
半導体ナノ粒子（又は、既に別のリガンドで表面処理された無機半導体ナノ粒子）を遠心沈降等で溶剤を除去した後、リガンドを含む溶剤に半導体ナノ粒子を再分散し、化学吸着、物理吸着又は化学結合させて表面処理する方法、等が挙げられる。 <Ligand>
The ligand is used for surface treatment of the semiconductor nanoparticles and covers at least a part of the surface of the semiconductor nanoparticles.
As a method of surface treatment, for example,
A method of chemically adsorbing a ligand to a semiconductor nanoparticle to preliminarily perform surface treatment by adding a ligand during the synthesis of the semiconductor nanoparticle,
By stirring the semiconductor nanoparticles (or inorganic semiconductor nanoparticles surface-treated with another ligand) and the ligand in a solvent, the surface of the semiconductor nanoparticles is chemically adsorbed, physically adsorbed or chemically bonded. How to handle,
After removing the solvent from the semiconductor nanoparticles (or inorganic semiconductor nanoparticles that have already been surface-treated with another ligand) by centrifugal sedimentation, etc., the semiconductor nanoparticles are redispersed in the solvent containing the ligand, and chemical adsorption, physical adsorption or Examples include a method of chemically bonding and surface treatment.

［正孔輸送性リガンド］
正孔輸送性リガンドは、半導体ナノ粒子表面への吸着部位と、正孔輸送する機能を持つ正孔輸送性部位からなる。吸着部位と正孔輸送性部位は完全に分離している必要は無く、例えば、正孔輸送性部位の一部が吸着部位となっていても良い。 [Hole transporting ligand]
The hole transporting ligand is composed of an adsorption site on the surface of the semiconductor nanoparticles and a hole transporting site having a function of transporting holes. The adsorption site and the hole transporting site do not have to be completely separated, and for example, a part of the hole transporting site may be the adsorption site.

吸着部位としては、一価の基としては、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ2）、ホスフィノ基（−ＰＨ2）、及び、チオール基（−ＳＨ）等が挙げられ、また、２価の基としては、カルボニル基（＞（Ｃ＝Ｏ））等があげられ、また、３価の基としては、ホスホロソ基（＞（Ｐ＝Ｏ）−）等が挙げられる。また、２，２’−ビピリジン骨格や８−キノリノール骨格等も吸着部位として使用できる。 The adsorption sites, Examples of the monovalent group, a carboxyl group (-COOH), a amino (-NH 2), phosphino group (-PH 2), and, like the thiol group (-SH) and the like, also, Examples of the divalent group include a carbonyl group (>(C=O)) and the like, and examples of the trivalent group include a phosphoroso group (>(P=O)-) and the like. Further, a 2,2′-bipyridine skeleton, an 8-quinolinol skeleton, or the like can be used as the adsorption site.

正孔輸送性部位は、有機電界発光素子材料として用いられる公知の正孔輸送性化合物及びその誘導体からなる構造を有する部位が挙げられ、特に限定されないが、例えば、第三級芳香族アミン、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、ピロールオリゴマー、ピロールポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ビニルカルバゾールオリゴマー、ビニルカルバゾールポリマー、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンエチンオリゴマー、フェニレンエチンポリマー、フェニレンオリゴマー、フェニレンポリマー、アセチレンオリゴマー、アセチレンポリマー、フタロシアニン、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン、及びポルフィリン誘導体等が挙げられる。また、以下に示す化合物及びその誘導体も、正孔輸送性部位として使用できる。 Examples of the hole-transporting moiety include moieties having a structure composed of a known hole-transporting compound used as an organic electroluminescent element material and derivatives thereof, and are not particularly limited, and examples thereof include a tertiary aromatic amine and thiophene. Oligomers, thiophene polymers, pyrrole oligomers, pyrrole polymers, phenylene vinylene oligomers, phenylene vinylene polymers, vinylcarbazole oligomers, vinylcarbazole polymers, fluorene oligomers, fluorene polymers, phenyleneethyne oligomers, phenyleneethyne polymers, phenylene oligomers, phenylene polymers, acetylene oligomers, Examples include acetylene polymers, phthalocyanines, phthalocyanine derivatives, porphyrins, and porphyrin derivatives. In addition, the compounds and their derivatives shown below can also be used as the hole transporting moiety.

さらに、正孔輸送リガンドの好ましい構造として下記一般式（１）、一般式（２）又は一般式（３）で表されるものが挙げられる。 Further, preferable structures of the hole transporting ligand include those represented by the following general formula (1), general formula (2) or general formula (3).

一般式（１）
General formula (1)

［一般式（１）中、
Ｘ1は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいアシル基であり、
Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよい（ポリ）オルガノシロキサン基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
Ｘ1及びＲ1〜Ｒ8の内、少なくとも１つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。］ [In the general formula (1),
X 1 is a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, or an acyl group which may have a substituent,
R 1 to R 8 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, a substituent An aryloxy group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, a carboxyl group or A sulfanyl group,
At least one of X 1 and R 1 to R 8 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

一般式（２）
General formula (2)

［一般式（２）中、
Ｒ11〜Ｒ25は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよい（ポリ）オルガノシロキサン基、ニトロ基、置換基を有してもよいアミノ基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、Ｒ11〜Ｒ25の内、少なくとも１つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。］ [In the general formula (2),
R 11 to R 25 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, a substituent An aryloxy group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, a nitro group, an amino group which may have a substituent, It is a carboxyl group or a sulfanyl group, and at least one of R 11 to R 25 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

一般式（３）
General formula (3)

［一般式（３）中、
Ｘ2は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基（ただしフェニル基を除く）、又は置換基を有してもよいアシル基であり、
Ｒ26〜Ｒ35は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよい（ポリ）オルガノシロキサン基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいアシル基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
Ｘ2及びＲ26〜Ｒ35の内、少なくとも１つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。］ [In the general formula (3),
X 2 is a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent (excluding a phenyl group), or an acyl group which may have a substituent,
R 26 to R 35 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, or a substituent. An aryloxy group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, a carboxyl group or A sulfanyl group,
At least one of X 2 and R 26 to R 35 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

以下に、上記一般式（１）〜（３）における置換基について説明する。
アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、一部の水素原子が脱落し２重結合や３重結合を形成していてもよい。組成物中における半導体微粒子の含有率を高めることが可能となる点から、処理剤の分子量は小さいことが好ましく、アルキル基の炭素数が１〜３０であることが好ましい。
上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ヘキシル基、ドデシル基、エイコシル基等の直鎖アルキル基；２−エチルヘキシル基等の分岐アルキル基；シクロヘキシル基、３−シクロヘキシルプロピル基等の環状アルキル基；エテニル基、ドデセン基等のアルケニル基；プロパ−２−イン−１−基、プロパルギル基等のアルキニル基が挙げられる。 The substituents in the above general formulas (1) to (3) will be described below.
The alkyl group is a linear, branched or cyclic alkyl group, and some hydrogen atoms may be removed to form a double bond or a triple bond. From the viewpoint of increasing the content of the semiconductor fine particles in the composition, the treating agent preferably has a small molecular weight, and the alkyl group preferably has 1 to 30 carbon atoms.
Examples of the alkyl group include linear alkyl groups such as methyl group, ethyl group, hexyl group, dodecyl group and eicosyl group; branched alkyl groups such as 2-ethylhexyl group; cyclic groups such as cyclohexyl group and 3-cyclohexylpropyl group. Examples thereof include an alkyl group; an alkenyl group such as an ethenyl group and a dodecene group; and an alkynyl group such as a prop-2-yne-1-group and a propargyl group.

アリール基は、芳香環から形式的に水素原子を１つ取り除いた残基であり、より好ましくは、炭素数６から３０の芳香環から形式的に水素原子を１つ取り除いた残基である。
芳香環としては例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンズイミダゾール環、ベンゾフラン環、プリン環、アクリジン環、フェノチアジン環、ビフェニル基、又はターフェニル基等を挙げることができる。 The aryl group is a residue obtained by formally removing one hydrogen atom from an aromatic ring, and more preferably a residue obtained by formally removing one hydrogen atom from an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms.
Examples of the aromatic ring include a benzene ring, a naphthalene ring, a pyrene ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a pyrazine ring, a quinoline ring, a furan ring, a pyrrole ring, a thiophene ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, an oxazole ring and a thiazole ring. , Indole ring, benzimidazole ring, benzofuran ring, purine ring, acridine ring, phenothiazine ring, biphenyl group, terphenyl group and the like.

アルコキシ基は、エーテル結合を介してアルキル基が結合した官能基であり、当該アルキル基としては、前述の一般式（１）〜（３）におけるアルキル基と同義である。 The alkoxy group is a functional group in which an alkyl group is bonded via an ether bond, and the alkyl group has the same meaning as the alkyl group in the above general formulas (1) to (3).

アリールオキシ基は、エーテル結合を介してアリール基が結合した官能基であり、当該アリール基としては、前述の一般式（（１）〜（３）におけるアリール基と同義である。 The aryloxy group is a functional group in which an aryl group is bonded via an ether bond, and the aryl group has the same meaning as the aryl group in the above general formulas ((1) to (3)).

アシル基は、カルボニル基を介してアルキル基又はアリール基が結合した官能基であり、当該アルキル基及びアリール基としては、前述の一般式（１）〜（３）におけるアルキル基及びアリール基と同義である。 The acyl group is a functional group in which an alkyl group or an aryl group is bonded via a carbonyl group, and the alkyl group and the aryl group are synonymous with the alkyl group and the aryl group in the above general formulas (1) to (3). Is.

（ポリ）オルガノシロキサン基は、シロキサン化合物から形式的に水素原子を１つ取り除いた残基であり、シロキサン化合物のケイ素には、アルキル基が置換していてもよい。置換してもよいアルキル基は、前述の一般式（１）〜（３）におけるアルキル基と同義である。シロキサン化合物の例としては、例えば、ペンタメチルジシロキサン、ヘプタエチルトリシロキサン、ウンデカメチルテトラシロキサン、トリメチルシロキシジメチルシラノール、１，１，３，３，テトラメチル−１，３−ジヒドロキシジシロキサン又は１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ジヒドロキシ−トリシロキサン等が挙げられる。
組成物中における半導体微粒子の含有率を高めることが可能となる点から、リガンドの分子量は小さいことが好ましく、シロキサン結合の繰り返し数は４回以下であることが好ましい。 The (poly)organosiloxane group is a residue obtained by formally removing one hydrogen atom from a siloxane compound, and the silicon of the siloxane compound may be substituted with an alkyl group. The alkyl group which may be substituted has the same meaning as the alkyl group in the above general formulas (1) to (3). Examples of siloxane compounds include pentamethyldisiloxane, heptaethyltrisiloxane, undecamethyltetrasiloxane, trimethylsiloxydimethylsilanol, 1,1,3,3,tetramethyl-1,3-dihydroxydisiloxane or 1 , 1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-dihydroxy-trisiloxane and the like.
From the viewpoint that the content of the semiconductor fine particles in the composition can be increased, the molecular weight of the ligand is preferably small, and the number of repeating siloxane bonds is preferably 4 or less.

置換基を有してもよいアミノ基は、アミノ基及び置換アミノ基を含み、置換アミノ基の置換基としては、アルキル基、アリール基又はアシル基が挙げられる。上記アルキル基、アリール基及びアシル基は、前述の一般式（１）〜（３）におけるアルキル基、アリール基又はアシル基と同義である。 The amino group which may have a substituent includes an amino group and a substituted amino group, and examples of the substituent of the substituted amino group include an alkyl group, an aryl group and an acyl group. The alkyl group, aryl group and acyl group have the same meanings as the alkyl group, aryl group or acyl group in the above general formulas (1) to (3).

また、一般式（１）〜（３）におけるアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アミノ基、アリールオキシ基及びアシル基は、置換基を有していてもよい。
有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲノ基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、スルファニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、又はシロキサン結合を含む基等が挙げられる。
本発明における有してもよい置換基は、上述の１価の置換基と、必要に応じてアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、エーテル結合、エステル結合、スルフィド結合、カルボニル基、イミノ基又はそれらを組み合わせた２価の連結基と、を組み合わせた１価の基であってもよい。 Further, the alkyl group, aryl group, alkoxy group, amino group, aryloxy group and acyl group in the general formulas (1) to (3) may have a substituent.
Examples of the substituent that may have include, for example, halogeno group, cyano group, hydroxy group, nitro group, alkoxy group, alkyl group, aralkyl group, aryl group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group. , Carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy, amino group (including anilino group), acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl And arylsulfonylamino groups, sulfanyl groups, alkylthio groups, arylthio groups, heterocyclic thio groups, alkyl and arylsulfinyl groups, alkyl and arylsulfonyl groups, acyl groups, aryloxycarbonyl groups, alkoxycarbonyl groups, carbamoyl groups, imide groups, Examples thereof include a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphinyloxy group, a phosphinylamino group, a silyl group, and a group containing a siloxane bond.
Substituents which may be present in the present invention, the above-mentioned monovalent substituents, and optionally an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, a heteroarylene group, an ether bond, an ester bond, a sulfide bond, a carbonyl group, It may be a monovalent group in which an imino group or a divalent linking group in which they are combined is combined.

また、カルボキシル基又はスルファニル基を有する基とは、カルボキシル基及びスルファニル基のほか、置換基としてカルボキシル基又はスルファニル基を有する、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、（ポリ）オルガノシロキサン基又はアシル基を含む。ここで、カルボキシル基及びスルファニル基のほか、置換基としてカルボキシル基又はスルファニル基を有する、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、（ポリ）オルガノシロキサン基、アシル基又はニトロ基は、前述の一般式（１）〜（３）における基と同義である。 Further, the group having a carboxyl group or a sulfanyl group, in addition to the carboxyl group and the sulfanyl group, having a carboxyl group or a sulfanyl group as a substituent, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group, (poly ) It contains an organosiloxane group or an acyl group. Here, in addition to the carboxyl group and the sulfanyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a (poly)organosiloxane group, an acyl group or a nitro group having a carboxyl group or a sulfanyl group as a substituent is the above-mentioned. Is the same as the group in the general formulas (1) to (3).

カルボキシル基を有するアルキル基、又はカルボキシル基を有するアリール基の例としては、例えば、２−カルボシキシルエチル基、２，２−ジカルボキシルエチル基、２−カルボシキシルエテニル基、２−シアノ−２−カルボシキシルエテニル基、２−トリフルオロメチル−２−カルボシキシルエテニル基、２−フルオロ−２−カルボシキシルエテニル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group having a carboxyl group or the aryl group having a carboxyl group include, for example, 2-carboxyxylethyl group, 2,2-dicarboxylethyl group, 2-carboxyxylethenyl group, 2-cyano- group. Examples thereof include a 2-carboxyxylethenyl group, a 2-trifluoromethyl-2-carboxyxylethenyl group, and a 2-fluoro-2-carboxyxylethenyl group.

スルファニル基を有するアルキル基、スルファニル基を有するアリール基、又はスルファニル基を有するアシル基としては、例えば、［（３−スルファニルプロパノイル）オキシ］エチル基、［（２−スルファニルアセチル）オキシ］エチル基、４−（スルファニルメチル）フェニル基、［（３−スルファニルプロパノイル）オキシ］プロピル基、３−スルファニル［（３−スルファニルプロパノイル）オキシ］エチル基、又は｛［（２−スルファニルエトキシ）プロパノイル］オキシ｝エチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group having a sulfanyl group, the aryl group having a sulfanyl group, or the acyl group having a sulfanyl group include, for example, [(3-sulfanylpropanoyl)oxy]ethyl group and [(2-sulfanylacetyl)oxy]ethyl group. , 4-(sulfanylmethyl)phenyl group, [(3-sulfanylpropanoyl)oxy]propyl group, 3-sulfanyl[(3-sulfanylpropanoyl)oxy]ethyl group, or {[(2-sulfanylethoxy)propanoyl] And an oxy}ethyl group.

以下に、一般式（１）〜（３）で表されるリガンドの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。なお、下記構造式において、シス型及びトランス型の幾何異性体が存在する場合は、シス型であってもよく、トランス型であってもよく、シス型及びトランス型の異性体混合物であってもよい。シン−アンチの幾何異性についても同様である。 Specific examples of the ligands represented by the general formulas (1) to (3) are shown below, but the ligands are not limited to these. In the following structural formula, when cis-type and trans-type geometrical isomers exist, they may be cis-type or trans-type, and a cis- and trans-type isomer mixture. Good. The same applies to the syn-anti geometric isomerism.

［電子輸送性リガンド］
電子輸送性リガンドは、半導体ナノ粒子表面への吸着部位と、電子輸送する機能を持つ電子輸送性部位からなる。吸着部位と電子輸送性部位は完全に分離している必要は無く、例えば、電子輸送性部位の一部が吸着部位となっていても良い。 [Electron transporting ligand]
The electron-transporting ligand is composed of an adsorption site on the surface of the semiconductor nanoparticles and an electron-transporting site having a function of transporting electrons. The adsorption site and the electron transporting site do not have to be completely separated, and for example, a part of the electron transporting site may be the adsorption site.

吸着部位としては、正孔輸送性リガンドの項で説明したものと同じものが挙げられる。 Examples of the adsorption site are the same as those described in the section of the hole transporting ligand.

電子輸送性部位は、有機電界発光素子材料として用いられる公知の電子輸送性化合物及びその誘導体からなる構造を有する部位が挙げられ、特に限定されないが、例えば、オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール、オキサゾール誘導体、イソオキサゾール、イソオキサゾール誘導体、チアゾール、チアゾール誘導体、イソチアゾール、イソチアゾール誘導体、チアジアゾール、チアジアゾール誘導体、１，２，３−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール誘導体、１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリアジン誘導体、キノキサリン、キノキサリン誘導体、ピロールオリゴマー、ピロールポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ビニルカルバゾールオリゴマー、ビニルカルバゾールポリマー、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンエチンオリゴマー、フェニレンエチンポリマー、フェニレンオリゴマー、フェニレンポリマー、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、アセチレンポリマー、及びアセチレンオリゴマー誘導体等が挙げられる。また、以下に示す化合物及びその誘導体も電子輸送性部位として使用できる。 Examples of the electron-transporting moiety include a moiety having a structure composed of a known electron-transporting compound used as an organic electroluminescence device material and a derivative thereof, and are not particularly limited, and examples thereof include oxadiazole, oxadiazole derivative, and oxazole. , Oxazole derivative, isoxazole, isoxazole derivative, thiazole, thiazole derivative, isothiazole, isothiazole derivative, thiadiazole, thiadiazole derivative, 1,2,3-triazole, 1,2,3-triazole derivative, 1,3,5 -Triazine, 1,3,5-triazine derivative, quinoxaline, quinoxaline derivative, pyrrole oligomer, pyrrole polymer, phenylene vinylene oligomer, phenylene vinylene polymer, vinylcarbazole oligomer, vinylcarbazole polymer, fluorene oligomer, fluorene polymer, phenyleneethine oligomer, phenylene Examples include ethyne polymer, phenylene oligomer, phenylene polymer, thiophene oligomer, thiophene polymer, acetylene polymer, and acetylene oligomer derivative. In addition, the following compounds and their derivatives can also be used as the electron transporting moiety.

なお、上述の正孔輸送性部位及び電子輸送性部位に、同一の構造が含まれているが、これは、電子輸送性部位と正孔輸送性部位のどちらにもなりえるためである。
リガンドが正孔輸送性又は電子輸送性のどちらとして振る舞うかは、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの相対的なＨＯＭＯ−ＬＵＭＯの関係、及び電界発光素子で用いられる他の化合物との相対的なＨＯＭＯ−ＬＵＭＯの関係によって決まり、さらに、特定の構造であっても、電子吸引性や電子供与性の置換基の存在によりＨＯＭＯやＬＵＭＯは変化する。上記理由により、一部の構造は、正孔輸送性部位及び電子輸送性部位のどちらにもなりえるため、双方に記載している。 The hole transporting site and the electron transporting site described above include the same structure, but this is because they can be both the electron transporting site and the hole transporting site.
Whether the ligand behaves as a hole-transporting property or an electron-transporting property depends on the relative HOMO-LUMO relationship between the hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand, and the relative relationship with other compounds used in the electroluminescent device. HOMO-LUMO, and even with a specific structure, HOMO and LUMO change due to the presence of an electron-withdrawing or electron-donating substituent. For the above reason, some structures can be both a hole-transporting site and an electron-transporting site, and are therefore described in both.

正孔輸送性リガンド及び電子輸送性リガンドは、上述の正孔輸送性部位と吸着部位、又は、電子輸送性部位と吸着部位が、直接結合していてもよいし、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。この場合のアルキレン基としては、分岐又は直鎖のアルキレン基が挙げられ、好ましくは直鎖状アルキレン基である。また、アルキレン基の炭素数は１〜５程度が好適であり、具体例としては、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、又はｎ−ペンチレン基等が挙げられる。 The hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand may be such that the above-mentioned hole-transporting site and adsorption site, or the electron-transporting site and adsorption site may be directly bonded, or a linking group such as an alkylene group may be formed. It may be bound via. Examples of the alkylene group in this case include a branched or linear alkylene group, and preferably a linear alkylene group. The alkylene group preferably has about 1 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an n-butylene group, and an n-pentylene group.

正孔輸送性リガンド及び電子輸送性リガンドの具体例を下記に示すが、これらに限定されるものではない。 Specific examples of the hole transporting ligand and the electron transporting ligand are shown below, but the ligands are not limited thereto.

＜発光部＞
発光部は、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む発光層（ＥＭＬ１）、電子輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ２）を含む発光層（ＥＭＬ２）、前記量子ドット（Ａ１）と前記量子ドット（Ａ２）との混合物を含む発光層（ＥＭＬ３）、及び正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドとで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む発光層（ＥＬＭ４）からなる群から選ばれる少なくとも２種の発光層を有し、上記少なくとも２種の発光層が連続して存在する。 <Light emitting part>
The light emitting portion includes a light emitting layer (EML1) including a quantum dot (A1) which is a semiconductor nanoparticle surface-treated with a hole transporting ligand, and a quantum dot (A2) which is a semiconductor nanoparticle surface-treated with an electron transporting ligand. ) Containing an emission layer (EML2), an emission layer (EML3) containing a mixture of the quantum dots (A1) and the quantum dots (A2), and a surface treatment with a hole transporting ligand and an electron transporting ligand. It has at least two kinds of light emitting layers selected from the group consisting of light emitting layers (ELM4) containing quantum dots (A4) which are semiconductor nanoparticles, and the above at least two kinds of light emitting layers are continuously present.

前記発光部が、陽極側からみて、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ２）、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ３）、（ＥＭＬ３）／（ＥＭＬ２）、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ３）／（ＥＭＬ２）、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ４）、（ＥＭＬ４）／（ＥＭＬ２）、又は（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ４）／（ＥＭＬ２）の順で発光層が積層されてなる場合に、発光部内を相対的にみて陽極側は正孔輸送性に優れ、陰極側は電子輸送性に優れた状態となって電子と正孔を留める形となるため、特に再結合効率を高めることができる。 The light emitting part is (EML1)/(EML2), (EML1)/(EML3), (EML3)/(EML2), (EML1)/(EML3)/(EML2), (EML1)/ when viewed from the anode side. In the case where the light emitting layers are laminated in the order of (EML4), (EML4)/(EML2), or (EML1)/(EML4)/(EML2), hole transport is carried out on the anode side with respect to the inside of the light emitting part. And the cathode side is in a state of excellent electron transporting property to hold electrons and holes, so that recombination efficiency can be particularly enhanced.

前記量子ドット（Ａ１）と前記量子ドット（Ａ２）の混合物を含む発光層（ＥＭＬ３）における、前記量子ドット（Ａ１）と前記量子ドット（Ａ２）の質量比としては、１０：９０〜９０：１０の範囲を好適に用いることが出来る。 The mass ratio of the quantum dots (A1) to the quantum dots (A2) in the light emitting layer (EML3) containing the mixture of the quantum dots (A1) and the quantum dots (A2) is 10:90 to 90:10. The range can be preferably used.

また、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドで表面処理された量子ドット（Ａ４）を含む発光層（ＥＬＭ４）は、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの質量比が１０：９０〜９０：１０の範囲の存在下で表面処理されたものを好適に用いることが出来る。 Further, in the light emitting layer (ELM4) containing the quantum dots (A4) surface-treated with the hole transporting ligand and the electron transporting ligand, the mass ratio of the hole transporting ligand and the electron transporting ligand is 10:90 to 90. The thing surface-treated in the presence of the range of: 10 can be used conveniently.

分子軌道の中で、特にＨＯＭＯとＬＵＭＯは、反応性や性質発現の観点から重要である。ＨＯＭＯの電子は最も反応性が高く、反応性に関わる。電子を受け取る場合はＬＵＭＯが反応に関わる。即ち、ＨＯＭＯは電子を出す分子軌道であり、ＬＵＭＯは電子を受け入れる分子軌道あり、電界発光素子中、ＨＯＭＯは正孔を受け渡す役割を担い、ＬＵＭＯは電子を受け渡す役割を担う。
本発明の発光材料において、正孔輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位は、−６、５ｅＶ以上−４．６ｅＶ以下であることが好ましく、−６．１ｅＶ以上−５．１ｅＶ以下であることがより好ましい。また、電子輸送性リガンドのＬＵＭＯエネルギー準位は、−４．５ｅＶ以上−２．５ｅＶ以下であることが好ましく、−４．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下であることがより好ましい。 Among the molecular orbitals, HOMO and LUMO are particularly important from the viewpoint of reactivity and property development. The electrons of HOMO have the highest reactivity and are involved in the reactivity. When receiving an electron, LUMO is involved in the reaction. That is, HOMO is a molecular orbital for emitting electrons, LUMO is a molecular orbital for accepting electrons, and in the electroluminescent device, HOMO has a role of transferring holes and LUMO has a role of transferring electrons.
In the light emitting material of the present invention, the HOMO energy level of the hole transporting ligand is preferably −6, 5 eV or more and −4.6 eV or less, and more preferably −6.1 eV or more and −5.1 eV or less. preferable. The LUMO energy level of the electron transporting ligand is preferably -4.5 eV or more and -2.5 eV or less, and more preferably -4.0 eV or more and -3.0 eV or less.

また、隣り合う発光層又は１つの発光層に含まれる量子ドットの正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドにおいて、正孔輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位は、電子輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上大きいことが好ましく、より好ましくは０．５ｅＶ以上大きいことである。また、正孔輸送性リガンドのＬＵＭＯエネルギー準位は、電子輸送性リガンドのＬＵＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上大きいことが好ましく、より好ましくは０．５ｅＶ以上大きいことである。 Further, in the hole transporting ligand and the electron transporting ligand of the quantum dots included in the adjacent light emitting layers or one light emitting layer, the HOMO energy level of the hole transporting ligand is the HOMO energy level of the electron transporting ligand. Is more preferably 0.2 eV or more, more preferably 0.5 eV or more. Further, the LUMO energy level of the hole transporting ligand is preferably 0.2 eV or more, and more preferably 0.5 eV or more higher than the LUMO energy level of the electron transporting ligand.

隣り合う発光層又は１つの発光層に含まれる量子ドットが、複数種の正孔輸送性リガンド及び／又は電子輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である場合、考慮すべき、隣り合う発光層、又は１つの発光層に含まれる量子ドットの正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドとの組合せが複数存在する。このような場合、複数の組合せの内、上述の好ましいエネルギー準位条件を満たす組合せが多いことが好ましく、特に好ましくは全ての組合せが条件を満たすことである。 Adjacent light emission to be considered when adjacent light emitting layers or quantum dots contained in one light emitting layer are semiconductor nanoparticles surface-treated with a plurality of kinds of hole transporting ligands and/or electron transporting ligands There are a plurality of combinations of the hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand of the quantum dots included in the layer or one light emitting layer. In such a case, it is preferable that many of the plurality of combinations satisfy the above-mentioned preferable energy level, and particularly preferable that all the combinations satisfy the above conditions.

正孔輸送性リガンド及び電子輸送性リガンドの、ＨＯＭＯ及び／又はＬＵＭＯが上述の条件を満たす場合、電界発光素子中での電子や正孔の輸送や半導体ナノ粒子への電子や正孔の注入を優れたものとすることができ、高性能な電界発光素子が得られるため好ましい。 When the HOMO and/or LUMO of the hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand satisfy the above-mentioned conditions, the transport of electrons and holes in the electroluminescent device and the injection of electrons and holes into the semiconductor nanoparticles are performed. It is preferable because it can be excellent and a high-performance electroluminescent device can be obtained.

発光部をなす発光層は、前記量子ドット（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ１）と（Ａ２）との混合物、又は（Ａ４）が、溶剤に分散した組成物（以後、発光層形成用インキ組成物ともいう）を塗布・印刷することで形成可能である。 The light emitting layer forming the light emitting portion is a composition in which the quantum dots (A1), (A2), a mixture of (A1) and (A2), or (A4) is dispersed in a solvent (hereinafter, an ink for forming a light emitting layer). It can be formed by applying and printing (also referred to as a composition).

発光層形成用インキ組成物の溶剤としては、従来公知の種々の溶剤が使用でき、特に限定されないが、例えば、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル；シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン；メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル；ｎ−ヘキサン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ｎ−ヘプタン、ｎ−デカン、２，２，４−トリメチルペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ミネラルスピリット等の脂肪族炭化水素；等が挙げられ、単独で使用しても複数混合して用いてもよい。 As the solvent of the light emitting layer forming ink composition, various conventionally known solvents can be used and are not particularly limited, and examples thereof include toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, methicylene, cyclohexylbenzene and tetralin. Aromatic hydrocarbons; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, Aromatic ethers such as 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole and 2,4-dimethylanisole; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, n-butyl benzoate, etc. Aromatic esters; ketones having alicyclic rings such as cyclohexanone and cyclooctanone; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; alcohols having alicyclic rings such as methyl ethyl ketone, cyclohexanol, cyclooctanol; butanols such as butanol and hexanol Aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); Aliphatic esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate, n-butyl lactate; n -Hexane, 2-methylpentane, 3-methylpentane, 2,2-dimethylbutane, 2,3-dimethylbutane, n-heptane, n-decane, 2,2,4-trimethylpentane, cyclohexane, methylcyclohexane, minerals Aliphatic hydrocarbons such as spirit; and the like can be used, and they may be used alone or in combination of two or more.

本発明の発光層形成用インキ組成物は、本発明の目的が損なわれない範囲で、後述する他の公知の発光材料や公知の添加剤を添加してもよい。公知の添加剤としては、特に限定されないが、例えば、消泡剤、レベリング剤、及び、増粘剤等が挙げられる。 The light emitting layer forming ink composition of the present invention may be added with other known light emitting materials and known additives described below within a range not impairing the object of the present invention. Known additives are not particularly limited, and examples thereof include an antifoaming agent, a leveling agent, and a thickening agent.

本発明の発光層形成用インキ組成物から印刷物を得る方法としては、公知の湿式成膜法、例えば、塗布法、インクジェット法、ディップコート法、ダイコート法、スプレーコート法、スピンコート法、ロールコーター法、湿漬塗布法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷、スクリーン印刷法、ＬＢ法等が挙げられる。 As a method for obtaining a printed matter from the light emitting layer-forming ink composition of the present invention, a known wet film forming method, for example, a coating method, an inkjet method, a dip coating method, a die coating method, a spray coating method, a spin coating method, a roll coater is used. Method, wet coating method, screen printing method, flexographic printing, screen printing method, LB method and the like.

＜電界発光素子＞
ここで、本発明の発光膜を有する電界発光素子について詳細に説明する。
電界発光素子は、陽極と陰極間に、少なくとも２層以上の有機層及び又は無機層を形成した素子から構成される。本発明の電界発光素子は陽極と陰極の間に発光部のみを有する構造でもよいが、発光部の他に、発光層への正孔や電子の注入を容易にしたり、発光層内での正孔と電子との再結合を円滑に行わせたりすることを目的として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層等を積層させても良い。また、発光部と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光部と陽極、又は発光部と、正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割をもつ層であるインターレイヤー層を挿入しても良い。
したがって、代表的な素子構成としては、（１）陽極／正孔注入層／発光部／陰極、（２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光部／陰極、（３）陽極／正孔注入層／発光部／電子注入層／陰極、（４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光部／電子注入層／陰極、（５）陽極／正孔注入層／発光部／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光部／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（７）陽極／発光部／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（８）陽極／発光部／電子注入層／陰極（９）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光部／陰極、（１０）陽極／正孔注入層／インターレイヤー層／発光部／電子注入層／陰極、（１１）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光部／電子注入層／陰極、等の多層構成で積層した素子構成が考えられる。 <Electroluminescent element>
Here, the electroluminescent device having the light emitting film of the present invention will be described in detail.
The electroluminescent element is composed of an element in which at least two or more organic layers and/or inorganic layers are formed between an anode and a cathode. The electroluminescent device of the present invention may have a structure having only a light emitting portion between an anode and a cathode, but in addition to the light emitting portion, it facilitates injection of holes and electrons into the light emitting layer, and has a positive electrode in the light emitting layer. A hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole blocking layer, an electron injecting layer, or the like may be stacked for the purpose of smoothly recombining holes and electrons. Further, an interlayer which is present between the light emitting portion and the anode and adjacent to the light emitting layer and has a role of separating the light emitting portion from the anode or the light emitting portion from the hole injection layer or the hole transport layer. Layers may be inserted.
Therefore, as typical device configurations, (1) anode/hole injection layer/light emitting portion/cathode, (2) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting portion/cathode, (3) anode/ Hole injection layer/light emitting part/electron injection layer/cathode, (4) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting part/electron injection layer/cathode, (5) anode/hole injection layer/light emitting part /Hole blocking layer/electron injection layer/cathode, (6) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting part/hole blocking layer/electron injection layer/cathode, (7) anode/light emitting part/positive Hole blocking layer/electron injection layer/cathode, (8) anode/light emitting part/electron injection layer/cathode (9) anode/hole injection layer/hole transport layer/interlayer layer/light emitting part/cathode, (10) Anode/hole injection layer/interlayer layer/light emitting part/electron injection layer/cathode, (11) anode/hole injection layer/hole transport layer/interlayer layer/light emitting part/electron injection layer/cathode, etc. A device structure in which a multilayer structure is used is conceivable.

また、上述した、正孔注入層、正孔輸送層、発光部、正孔阻止層、電子注入層、及び、インターレイヤー層などの各層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良く、いくつかの層が繰り返し積層されていても良い。そのような例として、近年、光取り出し効率の向上を目的に、上述の多層型電界発光の一部の層を多層化する「マルチ・フォトン・エミッション」と呼ばれる素子構成が提案されている。これはたとえば、電荷発生層用いて複数の電界発光素子を直列に積層して形成する方法が挙げられる。 Further, each of the above-mentioned layers such as the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting portion, the hole blocking layer, the electron injection layer, and the interlayer layer may be formed by a layer structure of two or more layers. Alternatively, some layers may be repeatedly laminated. As such an example, in recent years, for the purpose of improving the light extraction efficiency, an element configuration called “multi-photon emission” has been proposed in which a part of the above-mentioned multi-layered electroluminescence is multi-layered. For example, a method of stacking a plurality of electroluminescent elements in series using a charge generation layer can be used.

［正孔注入層］
正孔注入層には、発光層に対して優れた正孔注入効果を示し、かつ陽極界面との密着性と薄膜形成性に優れた正孔注入層を形成できる正孔注入材料が用いられる。また、このような材料を多層積層させ、正孔注入効果の高い材料と正孔輸送効果の高い材料とを多層積層させた場合、それぞれに用いる材料を正孔注入材料、正孔輸送材料と呼ぶことがある。これら正孔注入材料や正孔輸送材料は、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい必要がある。このような正孔注入層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、更に正孔の移動度が、例えば１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2／Ｖ・秒であるものが好ましい。正孔注入材料及び正孔輸送材料としては、上記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。 [Hole injection layer]
For the hole injecting layer, a hole injecting material is used, which has an excellent effect of injecting a hole into the light emitting layer and can form a hole injecting layer having excellent adhesion to the anode interface and excellent thin film formability. In the case where such a material is stacked in multiple layers and a material having a high hole injection effect and a material having a high hole transport effect are stacked in layers, the materials used for each are referred to as a hole injection material and a hole transport material. Sometimes. These hole injecting materials and hole transporting materials are required to have a high hole mobility and a small ionization energy of usually 5.5 eV or less. As such a hole injecting layer, a material that transports holes to the light emitting layer with a lower electric field strength is preferable, and further, the mobility of holes is at least when an electric field of 10 4 to 10 6 V/cm is applied. It is preferably 10 −6 cm 2 /V·sec. The hole injecting material and the hole transporting material are not particularly limited as long as they have the above-mentioned preferable properties, and those conventionally used as a hole charge transporting material in an optical transmission material and an organic EL element are conventionally used. Any known material used for the hole injection layer can be selected and used.

このような正孔注入材料や正孔輸送材料としては、具体的には、例えばトリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、***特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等をあげることができる。 Specific examples of such hole injection materials and hole transport materials include triazole derivatives (see US Pat. No. 3,112,197) and oxadiazole derivatives (US Pat. No. 3,189,447). , Etc.), imidazole derivatives (see Japanese Patent Publication No. 37-16096, etc.), polyarylalkane derivatives (US Pat. Nos. 3,615,402, 3,820,989, and 3). 3,542,544, JP-B-45-555, JP-A-51-10983, JP-A-51-93224, JP-A-55-17105, JP-A-56-4148, and JP-A-55-4. No. 108667, No. 55-156953, No. 56-36656, etc.), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (US Pat. No. 3,180,729, No. 4,278,746, JP-A-55-88064, JP-A-55-88065, JP-A-49-105537, JP-A-55-51086, JP-A-56-80051, JP-A-56-88141, and JP-A-57-45545. , No. 54-112637, No. 55-74546, etc.), phenylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404, Japanese Patent Publication No. 51-10105, No. 46-3712, and the same). 47-25336, JP-A-54-53435, JP-A-54-110536, JP-A-54-119925, etc.), arylamine derivatives (U.S. Pat. No. 3,567,450, the same). No. 3,180,703, No. 3,240,597, No. 3,658,520, No. 4,232,103, No. 4,175,961. Description, No. 4,012,376, Japanese Patent Publication No. 49-35702, No. 39-27577, JP-A No. 55-144250, No. 56-119132, and No. 56-22437. Gazette, West German Patent 1,110,518, etc.), amino-substituted chalcone derivative (see US Pat. No. 3,526,501, etc.), oxazole derivative (US Pat. No. 3,257,203) , Etc.), styrylanthracene derivatives (see JP-A-56-46234, etc.), fluorenone derivatives (see JP-A-54-110837, etc.), hydrazone derivatives (US Pat. No. 3,717,462). Specification, JP-A-54-59143, 55-52063, 55-52064, 55-46760, 55-85495, 57-11350, 57-148749, and JP-A-2-311591. ), stilbene derivatives (Japanese Patent Laid-Open Nos. 61-210363, 61-228451, 61-14642, 61-72255, 62-47646, 62-36674, No. 62-10652, No. 62-30255, No. 60-93455, No. 60-94462, No. 60-174749, No. 60-175052, etc.), silazane derivatives (US patents) No. 4,950,950), polysilane-based (JP-A-2-204996), aniline-based copolymer (JP-A-2-28263), and JP-A-1-211399. Examples thereof include conductive polymer oligomers (particularly thiophene oligomers).

正孔注入材料や正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）を用いることもできる。例えば、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル等や、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン等をあげることができる。また、正孔注入材料として銅フタロシアニンや水素フタロシアニン等のフタロシアニン誘導体も挙げられる。更に、その他、芳香族ジメチリデン系化合物、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料や正孔輸送材料として使用することができる。 As the hole injecting material and the hole transporting material, the above-mentioned materials can be used, but porphyrin compounds (JP-A-63-295965), aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (US Pat. 4,127,412, JP-A-53-27033, JP-A-54-58445, JP-A-54-149634, JP-A-54-64299, JP-A-55-79450, and JP-A-55-144250. No. 56-119132, No. 61-295558, No. 61-98353, No. 63-295695, etc.) can also be used. For example, 4,4′-bis(N-(1-naphthyl)-N-phenylamino)biphenyl having two fused aromatic rings in the molecule described in US Pat. No. 5,061,569, etc. Alternatively, 4,4′,4″-tris(N-(3-methylphenyl)-N-phenyl) in which three triphenylamine units described in JP-A-4-308688 are linked in a star burst type. Amino)triphenylamine, etc. Further, examples of the hole injecting material also include phthalocyanine derivatives such as copper phthalocyanine and hydrogen phthalocyanine, etc. Furthermore, aromatic dimethylidene compounds, p-type Si, p-type SiC, etc. The above inorganic compound can also be used as a hole injection material or a hole transport material.

更に、正孔注入層に使用できる材料としては、酸化モリブデン（ＭｎＯx）、酸化バナジウム（ＶＯx）、酸化ルテニウム（ＲｕＯx）、酸化銅（ＣｕＯx）、酸化タングステン（ＷＯx）、酸化イリジウム（ＩｒＯx）等の無機酸化物及びそれらのドープ体も挙げられる。 Furthermore, examples of materials that can be used for the hole injection layer include molybdenum oxide (MnO x ), vanadium oxide (VO x ), ruthenium oxide (RuO x ), copper oxide (CuO x ), tungsten oxide (WO x ), and iridium oxide. Inorganic oxides such as (IrO x ) and their doped bodies are also included.

芳香族三級アミン誘導体の具体例としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−ビフェニリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−フェニル（１−ナフチル）アミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−フェニル（１−ナフチル）アミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）ベンジジン等があげられ、これらは正孔注入材料、正孔輸送材料いずれにも使用することができる。 Specific examples of the aromatic tertiary amine derivative include, for example, N,N′-diphenyl-N,N′-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, N,N. , N',N'-(4-methylphenyl)-1,1'-phenyl-4,4'-diamine, N,N,N',N'-(4-methylphenyl)-1,1'- Biphenyl-4,4'-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-dinaphthyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, N,N'-(methylphenyl)-N,N '-(4-n-Butylphenyl)-phenanthrene-9,10-diamine, N,N-bis(4-di-4-tolylaminophenyl)-4-phenyl-cyclohexane, N,N'-bis(4 '-Diphenylamino-4-biphenylyl)-N,N'-diphenylbenzidine, N,N'-bis(4'-diphenylamino-4-phenyl)-N,N'-diphenylbenzidine, N,N'-bis (4′-diphenylamino-4-phenyl)-N,N′-di(1-naphthyl)benzidine, N,N′-bis(4′-phenyl(1-naphthyl)amino-4-phenyl)-N, Examples thereof include N'-diphenylbenzidine, N,N'-bis(4'-phenyl(1-naphthyl)amino-4-phenyl)-N,N'-di(1-naphthyl)benzidine, and these are holes. It can be used as both an injection material and a hole transport material.

正孔注入材料として、特に好ましい例を表１〜２に示す。 Particularly preferable examples of the hole injection material are shown in Tables 1 and 2.

正孔注入層を形成するには、上述の化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化する。正孔注入層の膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。 To form the hole injection layer, the above compound is thinned by a known method such as a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. The thickness of the hole injection layer is not particularly limited, but is usually 5 nm to 5 μm.

インターレイヤー層に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の芳香族アミンを含むポリマーが例示される。また、インターレイヤー層の成膜方法は、高分子量の材料を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が例示される。 Examples of materials used for the interlayer layer include polyvinylcarbazole and its derivatives, polymers containing aromatic amines such as polyarylene derivatives having an aromatic amine in the side chain or main chain, arylamine derivatives, and triphenyldiamine derivatives. Further, as a film forming method of the interlayer layer, when a high molecular weight material is used, a method of film forming from a solution is exemplified.

溶液からのインターレイヤー層の成膜には、公知の湿式成膜法、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。 For forming the interlayer layer from the solution, a known wet film forming method, for example, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, A coating method such as a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method, a capillary coating method, a nozzle coating method can be used.

インターレイヤー層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２〜５００ｎｍであり、より好ましくは５〜２００ｎｍである。 The thickness of the interlayer layer varies depending on the material used, and may be selected so that the driving voltage and the luminous efficiency have appropriate values. It is usually 1 nm to 1 μm, preferably 2 to 500 nm, More preferably, it is 5 to 200 nm.

［電子注入層］
電子注入層には、発光層に対して優れた電子注入効果を示し、かつ陰極界面との密着性と薄膜形成性に優れた電子注入層を形成できる電子注入材料が用いられる。そのような電子注入材料の例としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、カルシウムアセチルアセトナート、酢酸ナトリウム等が挙げられる。また、セシウム等の金属をバソフェナントロリンにドープした無機／有機複合材料（高分子学会予稿集，第５０巻，４号，６６０頁，２００１年発行）や、第５０回応用物理学関連連合講演会講演予稿集、Ｎｏ．３、１４０２頁、２００３年発行記載のＢＣＰ、ＴＰＰ、Ｔ５ＭＰｙＴＺ等も電子注入材料の例として挙げられるが、素子作成に必要な薄膜を形成し、陰極からの電子を注入できて、電子を輸送できる材料であれば、特にこれらに限定されるものではない。 [Electron injection layer]
For the electron injection layer, an electron injection material that exhibits an excellent electron injection effect with respect to the light emitting layer and is capable of forming an electron injection layer having excellent adhesion to the cathode interface and excellent thin film formability is used. Examples of such electron injection materials include metal complex compounds, nitrogen-containing five-membered ring derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, perylenetetracarboxylic acid derivatives, fluorenylidenemethane. Examples thereof include derivatives, anthrone derivatives, silole derivatives, triarylphosphine oxide derivatives, polyquinoline and its derivatives, polyquinoxaline and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, calcium acetylacetonate and sodium acetate. In addition, inorganic/organic composite materials in which bathophenanthroline is doped with a metal such as cesium (Proceedings of the Polymer Society of Japan, Volume 50, No. 4, 660, published in 2001) and the 50th Joint Lectures on Applied Physics Lecture Proceedings, No. BCP, TPP, T5MPyTZ, etc., published on page 3, 1402, 2003 are also mentioned as examples of electron injecting materials, but a thin film necessary for element production can be formed, electrons from the cathode can be injected, and electrons can be transported. The material is not particularly limited to these.

上記電子注入材料の中で好ましいものとしては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体が挙げられる。好ましい金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）クロロアルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２、４−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２、５−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム等のガリウム錯体化合物の他、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等の金属錯体化合物が挙げられる。 Among the above-mentioned electron injecting materials, metal complex compounds, nitrogen-containing five-membered ring derivatives, silole derivatives and triarylphosphine oxide derivatives are preferable. As a preferable metal complex compound, a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof is suitable. Specific examples of the metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof include tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(4-methyl-8-). Hydroxyquinolinato)aluminum, tris(5-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(5-phenyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, bis(8-hydroxyquinolinato)(1-naphtholate ) Aluminum, bis(8-hydroxyquinolinate)(2-naphtholato)aluminum, bis(8-hydroxyquinolinato)(phenolato)aluminum, bis(8-hydroxyquinolinato)(4-cyano-1-naphtholate) ) Aluminum, bis(4-methyl-8-hydroxyquinolinate)(1-naphtholate)aluminum, bis(5-methyl-8-hydroxyquinolinato)(2-naphtholate)aluminum, bis(5-phenyl-8) -Hydroxyquinolinate)(phenolate)aluminum, bis(5-cyano-8-hydroxyquinolinate)(4-cyano-1-naphtholate)aluminum, bis(8-hydroxyquinolinato)chloroaluminum, bis(8 -Hydroxyquinolinato)(o-crezolate)aluminum complex compounds, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)gallium, tris(4-methyl-) 8-hydroxyquinolinato)gallium, tris(5-methyl-8-hydroxyquinolinato)gallium, tris(2-methyl-5-phenyl-8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(2-methyl-8) -Hydroxyquinolinate)(1-naphtholate)gallium, bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate)(2-naphtholato)gallium, bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate)(phenolate)gallium , Bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)(4-cyano-1-naphtholate)gallium, bis(2,4-dimethyl-8-hydroxyquinolinato)(1-naphtholate)gallium, bis(2 , 5-dimethyl-8-hydroxyquinolinate)(2-naphtholate)gallium, bis(2-methyl-5-phenyl-8-hydroxyquinolinate)(phenolate)gallium, bis(2-methyl-5-si-) Ano-8-hydroxyquinolinate)(4-cyano-1-naphtholate)gallium, bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate)chlorogallium, bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate)( In addition to gallium complex compounds such as o-cresolato)gallium, lithium 8-hydroxyquinolinato, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, bis(10-hydroxybenzo[h] ] Metal complex compounds such as quinolinato) beryllium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, and bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc.

また、好ましい含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体があげられ、具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−(５ −フェニルオキサジアゾリル)］ベンゼン、１，４−ビス［２−(５−フェニルオキサジアゾリル)−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ− ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−チアジアゾーｖル、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−(５−フェニルチアジアゾリル)］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−(５−フェニルトリアゾリル)］ベンゼン等が挙げられる。 Examples of preferable nitrogen-containing five-membered ring derivatives include oxazole derivatives, thiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives and triazole derivatives, and specifically, 2,5-bis(1-phenyl)-1, 3,4-Oxazole, 2,5-bis(1-phenyl)-1,3,4-thiazole, 2,5-bis(1-phenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2-(4 '-Tert-Butylphenyl)-5-(4"-biphenyl)1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis(1-naphthyl)-1,3,4-oxadiazole, 1,4 -Bis[2-(5-phenyloxadiazolyl)]benzene, 1,4-bis[2-(5-phenyloxadiazolyl)-4-tert-butylbenzene], 2-(4'-tert-butyl) Phenyl)-5-(4"-biphenyl)-1,3,4-thiadiazol, 2,5-bis(1-naphthyl)-1,3,4-thiadiazole, 1,4-bis[2-( 5-phenylthiadiazolyl)]benzene, 2-(4′-tert-butylphenyl)-5-(4″-biphenyl)-1,3,4-triazole, 2,5-bis(1-naphthyl)- 1,3,4-triazole, 1,4-bis[2-(5-phenyltriazolyl)]benzene and the like can be mentioned.

更に、電子注入層に使用できる材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯx）、酸化チタン（ＴｉＯx）、等の無機酸化物及びそれらのドープ体も挙げられる。 Furthermore, examples of materials that can be used for the electron injection layer include inorganic oxides such as zinc oxide (ZnO x ), titanium oxide (TiO x ), and doped materials thereof.

特に好ましいオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体及びシロール誘導体の具体例を表３〜５に示す。尚、表中のＰｈはフェニル基を表わす。 Specific examples of particularly preferable oxadiazole derivatives, triazole derivatives and silole derivatives are shown in Tables 3 to 5. In the table, Ph represents a phenyl group.

（オキサジアゾール誘導体）
(Oxadiazole derivative)

（トリアゾール誘導体）
(Triazole derivative)

（シロール誘導体）
(Silole derivative)

更に、正孔阻止層には、発光層を経由した正孔が電子注入層に達するのを防ぎ、薄膜形成性に優れた層を形成できる正孔阻止材料が用いられる。そのような正孔阻止材料の例としては、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物や、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（４−フェニルフェノラート）ガリウム等のガリウム錯体化合物、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等の含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。 Furthermore, a hole blocking material is used for the hole blocking layer, which can prevent holes from passing through the light emitting layer to reach the electron injection layer and form a layer excellent in thin film forming property. Examples of such hole blocking materials include aluminum complex compounds such as bis(8-hydroxyquinolinate)(4-phenylphenolate)aluminum and bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinate)( Examples thereof include gallium complex compounds such as 4-phenylphenolato)gallium, and nitrogen-containing condensed aromatic compounds such as 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).

電界発光素子の発光層としては、以下の機能を併せ持つものが好適である。
注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさには、違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよい。 As the light emitting layer of the electroluminescent element, a layer having the following functions is suitable.
Injecting function: A function that can inject holes from the anode or the hole injecting layer when an electric field is applied, and an electron can be injected from the cathode or the electron injecting layer; an injecting electric charge (electrons and holes) into the electric field The function of moving by the force of light; the function of providing the field of recombination of electrons and holes and connecting it to light emission. However, there is a difference in the ease of injection of holes and the ease of injection of electrons. In addition, the transport capacity represented by the mobility of holes and electrons may be large or small.

本発明の発光部を成す発光層は、公知の発光材料を更にふくんでいてもよい。そのような発光材料として、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物を用いることができる。これら化合物の具体例としては、例えば特開昭５９−１９４３９３号公報に開示されている化合物をあげることができる。更に他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１）６２８〜６３７頁及び６４０頁に列挙されている。 The light emitting layer forming the light emitting portion of the present invention may further contain a known light emitting material. As such a light emitting material, a fluorescent brightening agent such as benzothiazole-based, benzimidazole-based, benzoxazole-based, a metal chelated oxinoid compound, or a styrylbenzene-based compound can be used. Specific examples of these compounds include the compounds disclosed in JP-A-59-194393. Still other useful compounds are listed in Chemistry of Synthetic Soybean (1971) pages 628-637 and 640.

前記金属キレート化オキシノイド化合物としては、例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報に開示されている化合物を用いることができる。その代表例としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体や、ジリチウムエピントリジオン等が好適な化合物としてあげることができる。 As the metal chelated oxinoid compound, for example, the compounds disclosed in JP-A-63-295695 can be used. Typical examples thereof include 8-hydroxyquinoline-based metal complexes such as tris(8-quinolinol)aluminum, and dilithium epinetridione, which are preferable compounds.

また、前記スチリルベンゼン系化合物としては、例えば、欧州特許第０３１９８８１号明細書や欧州特許第０３７３５８２号明細書に開示されているものを用いることができる。そして、特開平２−２５２７９３号公報に開示されているジスチリルピラジン誘導体も、発光層の材料として用いることができる。このほか、欧州特許第０３８７７１５号明細書に開示されているポリフェニル系化合物も発光層の材料として用いることができる。 In addition, as the styrylbenzene compound, for example, those disclosed in European Patent No. 0319881 and European Patent No. 0373582 can be used. The distyrylpyrazine derivative disclosed in JP-A-2-252793 can also be used as a material for the light emitting layer. In addition, the polyphenyl compound disclosed in European Patent No. 0387715 can also be used as the material of the light emitting layer.

更に、上述した蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物及びスチリルベンゼン系化合物等以外に、例えば１２−フタロペリノン（Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．，第２７巻，Ｌ７１３（１９８８年））、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（以上Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．，第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年））、ナフタルイミド誘導体（特開平２−３０５８８６号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報、又は第３８回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体）、アルダジン誘導体（特開平２−２２０３９３号公報）、ピラジリン誘導体（特開平２−２２０３９４号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ピロロピロール誘導体（特開平２−２９６８９１号公報）、スチリルアミン誘導体（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．， 第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年）、クマリン系化合物（特開平２−１９１６９４号公報）、国際特許公報ＷＯ９０／１３１４８やＡｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、９，９'，１０，１０’−テトラフェニル−２，２’−ビアントラセン、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導体、ポリフルオレン誘導体やそれら共重合体等、例えば、下記一般式（４）〜一般式（６）の構造をもつものが挙げられる。 Further, in addition to the above-mentioned optical brightener, metal chelated oxinoid compound, styrylbenzene compound, and the like, for example, 12-phthaloperinone (J. Appl. Phys., Vol. 27, L713 (1988)), 1,4- Diphenyl-1,3-butadiene, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene (above Appl. Phys. Lett., Volume 56, L799 (1990)), naphthalimide derivative 2-305886), a perylene derivative (JP-A-2-189890), an oxadiazole derivative (JP-A-2-216791, or the 38th Joint Lecture on Applied Physics) by Hamada et al. Oxadiazole derivative), aldazine derivative (JP-A-2-220393), pyrazine derivative (JP-A-2-220394), cyclopentadiene derivative (JP-A-2-289675), pyrrolopyrrole derivative (JP-A-2). -296891), styrylamine derivatives (Appl. Phys. Lett., Volume 56, L799 (1990)), coumarin-based compounds (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-191694), International Patent Publication WO90/13148 and Appl. Phys. Lett., vol58, 18, P1982 (1991), a high molecular compound, 9,9',10,10'-tetraphenyl-2,2'-bianthracene, PPV (polyparaphenylene vinylene). ) Derivatives, polyfluorene derivatives, copolymers thereof, and the like, for example, those having the structures of the following general formulas (4) to (6) can be mentioned.

一般式（４）
General formula (4)

［一般式（４）中、Ｒx1及びＲX2は、各々独立して、１価の脂肪族炭化水素基を表し、ｎ１は、３〜１００の整数を表す。］ [In the general formula (4), R x1 and R X2 each independently represent a monovalent aliphatic hydrocarbon group, and n1 represents an integer of 3 to 100. ]

一般式（５）
General formula (5)

［一般式（５）中、Ｒx3及びＲX4は、各々独立して、１価の脂肪族炭化水素基を表し、ｎ２及びｎ３は、各々独立して、３〜１００の整数を表す。］ [In the general formula (5), R x3 and R X4 each independently represent a monovalent aliphatic hydrocarbon group, and n2 and n3 each independently represent an integer of 3 to 100. ]

一般式（６）
General formula (6)

［一般式（６）中、ＲX5及びＲX6は、各々独立して、１価の脂肪族炭化水素基を表し、ｎ４及びｎ５は、各々独立して、３〜１００の整数を表す。Ｐｈはフェニル基を表す。］ [In the general formula (6), R X5 and R X6 each independently represent a monovalent aliphatic hydrocarbon group, and n4 and n5 each independently represent an integer of 3 to 100. Ph represents a phenyl group. ]

また、特開平５−２５８８６２号公報等に記載されている一般式（Ｒｓ−Ｑ）2 −Ａｌ−Ｏ−Ｌ３［式中、Ｌ３はフェニル部分を含んでなる炭素原子６〜２４個の炭化水素であり、Ｏ−Ｌ３はフェノラート配位子であり、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を示し、Ｒｓはアルミニウム原子に置換８−キノリノラート配位子が２個を上回り結合するのを立体的に妨害するように選ばれた８−キノリノラート環置換基を示す］で表される化合物も挙げられる。具体的には、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（パラ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。 In addition, general formula (Rs-Q) 2- Al-OL3 described in JP-A-5-258862 [wherein, L3 is a hydrocarbon having 6 to 24 carbon atoms and containing a phenyl moiety]. And O-L3 is a phenolate ligand, Q is a substituted 8-quinolinolate ligand, and Rs is a sterically bound two or more substituted 8-quinolinolate ligands to the aluminum atom. [Showing an 8-quinolinolate ring substituent selected to interfere]]. Specific examples include bis(2-methyl-8-quinolinolato)(para-phenylphenolato)aluminum(III) and bis(2-methyl-8-quinolinolato)(1-naphtholate)aluminum(III). ..

本発明の発光層に公知の発光材料を更に加える、あるいは、本発明の発光部に加えて、さらに公知の発光材料を用いた発光層を追加することで、白色の発光が可能な電界発光素子を得る場合の素子の構成としては特に制限はないが、下記のものを用いることができる。有機ＥＬ積層構造体の各層のエネルギー準位を規定し、トンネル注入を利用して発光させるもの（欧州特許第０３９０５５１号公報）。同じくトンネル注入を利用する素子で実施例として白色発光素子が記載されているもの（特開平３−２３０５８４号公報）。二層構造の発光層が記載されているもの（特開平２−２２０３９０号公報及び特開平２−２１６７９０号公報）。発光層を複数に分割してそれぞれ発光波長の異なる材料で構成されたもの（特開平４−５１４９１号公報）。青色発光体（蛍光ピーク３８０〜４８０ｎｍ）と緑色発光体（４８０〜５８０ｎｍ）とを積層させ、更に赤色蛍光体を含有させた構成のもの（特開平６−２０７１７０号公報）。青色発光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤色蛍光色素を含有した領域を有し、更に緑色蛍光体を含有する構成のもの（特開平７−１４２１６９号公報）。 An electroluminescent element capable of emitting white light by further adding a known light emitting material to the light emitting layer of the present invention, or by adding a light emitting layer using a known light emitting material in addition to the light emitting portion of the present invention. There is no particular limitation on the structure of the element for obtaining the above, but the following can be used. One in which the energy level of each layer of the organic EL laminated structure is defined and light is emitted by utilizing tunnel injection (European Patent No. 0390551). Similarly, a white light emitting element is described as an example of an element utilizing tunnel injection (Japanese Patent Laid-Open No. 3-230584). A light-emitting layer having a two-layer structure is described (JP-A-2-220390 and JP-A-2-216790). A structure in which the light emitting layer is divided into a plurality of parts and each of which is made of a material having a different light emission wavelength (JP-A-4-51491). A structure in which a blue luminescent material (fluorescent peak 380 to 480 nm) and a green luminescent material (480 to 580 nm) are laminated and a red fluorescent material is further contained (JP-A-6-207170). A structure in which the blue light emitting layer contains a blue fluorescent dye, the green light emitting layer has a region containing a red fluorescent dye, and further contains a green fluorescent material (JP-A-7-142169).

更に、電界発光素子の陽極に使用される材料は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等の導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下としてあるものが好ましい。更に、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。 Further, as a material used for the anode of the electroluminescent device, a material having a high work function (4 eV or more), an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof as an electrode substance is preferably used. Specific examples of such an electrode material include a metal such as Au and a conductive material such as CuI, ITO, SnO 2 and ZnO. In order to form this anode, these electrode substances can be formed into a thin film by a method such as a vapor deposition method or a sputtering method. It is desirable that this anode has a characteristic that, when the light emitted from the light emitting layer is taken out from the anode, the transmittance of the light emitted from the anode is greater than 10%. The sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω/□ or less. Further, the thickness of the anode depends on the material, but is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.

また、電界発光素子の陰極に使用される材料は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、更に、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。 As a material used for the cathode of the electroluminescent device, a material having a low work function (4 eV or less), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof as an electrode substance is used. Specific examples of such an electrode material include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium-silver alloy, aluminum/aluminum oxide, aluminum-lithium alloy, indium, rare earth metal and the like. This cathode can be produced by forming a thin film of these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering. Here, when the light emitted from the light emitting layer is taken out from the cathode, it is preferable that the cathode has a transmittance of the emitted light of more than 10%. The sheet resistance of the cathode is preferably several hundreds Ω/□ or less, and the film thickness is usually 10 nm to 1 μm, preferably 50 to 200 nm.

電界発光素子を作製する方法については、上記の材料及び方法により陽極、発光部（発光層）、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で電界発光素子を作製することもできる。 Regarding the method for producing an electroluminescent device, an anode, a light emitting portion (a light emitting layer), a hole injection layer if necessary, and an electron injection layer if necessary are formed by the above materials and method, and finally a cathode is formed. It may be formed. Further, the electroluminescent device can be manufactured from the cathode to the anode in the reverse order.

電界発光素子は、透光性の基板上に作製する。透光性基板は電界発光素子を支持する基板であり、その透光性については、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上、好ましくは９０％以上であるものが望ましく、更に平滑な基板を用いるのが好ましい。 The electroluminescent element is manufactured on a transparent substrate. The translucent substrate is a substrate that supports the electroluminescent device, and the translucency thereof is preferably such that the transmittance of light in the visible region of 400 to 700 nm is 50% or more, preferably 90% or more. It is preferable to use a smooth substrate.

これら基板は、機械的、熱的強度を有し、透明であれば特に限定されるものではなく、屈曲性を有するフィルム又はシート状の基材であってもよい。基材としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板等が好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等で成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂等の板が挙げられる。 These substrates are not particularly limited as long as they have mechanical and thermal strength and are transparent, and may be flexible film- or sheet-shaped base materials. As the base material, for example, a glass plate, a synthetic resin plate or the like is preferably used. Examples of the glass plate include plates formed of soda lime glass, barium/strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz and the like. Examples of the synthetic resin plate include plates of polycarbonate resin, acrylic resin, polyethylene terephthalate resin, polyether sulfide resin, polysulfone resin, and the like.

電界発光素子の各層の形成方法としては、真空蒸着、電子線ビーム照射、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、若しくはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかの方法を適用することができる。また、特表２００２−５３４７８２や、Ｓ．Ｔ．Ｌｅｅ， ｅｔ ａｌ．， Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＩＤ’０２， ｐ．７８４（２００２）に記載されているＬＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、レーザー熱転写）法や、印刷（オフセット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷）、インクジェット等の方法を適用することもできる。ただし、発光層は湿式成膜法での成膜に限定される。 As a method for forming each layer of the electroluminescent element, either a vacuum vapor deposition, electron beam irradiation, a dry film forming method such as sputtering, plasma or ion plating, or a wet film forming method such as spin coating, dipping or flow coating is used. The method of can be applied. In addition, special table 2002-534782 and S.I. T. Lee, et al. , Proceedings of SID'02, p. The LITI (Laser Induced Thermal Imaging, laser thermal transfer) method described in 784 (2002), printing (offset printing, flexographic printing, gravure printing, screen printing), inkjet, and the like can also be applied. However, the light emitting layer is limited to film formation by a wet film formation method.

有機層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。また特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機層を形成することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、膜厚が厚すぎると一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要となり効率が悪くなり、逆に膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生し、電界を印加しても充分な発光輝度が得にくくなる。したがって、各層の膜厚は、１ｎｍから１μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がより好ましい。 The organic layer is preferably a molecular deposition film. Here, the molecular deposition film is a thin film formed by depositing a material compound in a vapor phase state, or a film formed by solidifying a material compound in a solution state or a liquid phase state. Can be distinguished from the thin film (molecular cumulative film) formed by the LB method based on the difference in the aggregation structure and the higher order structure and the functional difference caused by the difference. Alternatively, as disclosed in JP-A-57-51781, a binder and a material compound such as a resin are dissolved in a solvent to form a solution, which is then thinned by a spin coating method or the like. , An organic layer can be formed. The film thickness of each layer is not particularly limited, but if the film thickness is too thick, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in poor efficiency. Conversely, if the film thickness is too thin, pinholes, etc. Occurs, and it becomes difficult to obtain sufficient emission brightness even when an electric field is applied. Therefore, the film thickness of each layer is preferably in the range of 1 nm to 1 μm, more preferably in the range of 10 nm to 0.2 μm.

また、電界発光素子の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、樹脂等により素子全体を被覆や封止を施したりしても良い。特に素子全体を被覆や封止する際には、光によって硬化する光硬化性樹脂が好適に使用される。 Further, in order to improve the stability of the electroluminescent element against temperature, humidity, atmosphere, etc., a protective layer may be provided on the surface of the element, or the entire element may be covered or sealed with a resin or the like. In particular, when covering or sealing the entire element, a photocurable resin that is cured by light is preferably used.

本発明の電界発光素子に印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれば特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。 The current applied to the electroluminescent device of the present invention is usually direct current, but pulse current or alternating current may be used. The current value and the voltage value are not particularly limited as long as they are within the range in which the element is not destroyed, but considering the power consumption and life of the element, it is desirable to efficiently emit light with as little electric energy as possible.

本発明の電界発光素子の駆動方法は、パッシブマトリクス法のみならず、アクティブマトリックス法での駆動も可能である。また、本発明の有機ＥＬ素子から光を取り出す方法としては、陽極側から光を取り出すボトム・エミッションという方法のみならず、陰極側から光を取り出すトップ・エミッションという方法にも適用可能である。これらの方法や技術は、城戸淳二著、「有機ＥＬのすべて」、日本実業出版社（２００３年発行）に記載されている。 The electroluminescence element driving method of the present invention can be driven not only by the passive matrix method but also by the active matrix method. Further, as a method of extracting light from the organic EL element of the present invention, not only a method of bottom emission for extracting light from the anode side but also a method of top emission for extracting light from the cathode side can be applied. These methods and techniques are described in Junji Kido, "All About Organic EL", Nihon Jitsugyo Publishing (2003).

本発明の電界発光素子のフルカラー化方式の主な方式としては、３色塗り分け方式、色変換方式、カラーフィルター方式が挙げられる。３色塗り分け方式では、シャドウマスクを使った蒸着法や、インクジェット法や印刷法が挙げられる。また、特表２００２−５３４７８２や、Ｓ．Ｔ．Ｌｅｅ， ｅｔ ａｌ．， Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＩＤ’０２， ｐ．７８４（２００２）に記載されているレーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ法ともいわれる）も用いることができる。色変換方式では、青色発光の発光層を使って、蛍光色素を分散した色変換（ＣＣＭ）層を通して、青色より長波長の緑色と赤色に変換する方法である。カラーフィルター方式では、白色発光の有機ＥＬ素子を使って、液晶用カラーフィルターを通して３原色の光を取り出す方法であるが、これら３原色に加えて、一部白色光をそのまま取り出して発光に利用することで、素子全体の発光効率をあげることもできる。 The main methods of full colorization of the electroluminescent device of the present invention include a three-color coating method, a color conversion method, and a color filter method. Examples of the three-color coating method include a vapor deposition method using a shadow mask, an inkjet method, and a printing method. In addition, special table 2002-534782 and S.I. T. Lee, et al. , Proceedings of SID'02, p. A laser thermal transfer method (also referred to as Laser Induced Thermal Imaging or LITI method) described in 784 (2002) can also be used. The color conversion method is a method in which a light emitting layer that emits blue light is used to convert into a green color and a red color having a wavelength longer than that of blue color through a color conversion (CCM) layer in which a fluorescent dye is dispersed. The color filter method is a method of extracting light of three primary colors through a color filter for liquid crystal using an organic EL element that emits white light. In addition to these three primary colors, a part of white light is directly extracted and used for light emission. Therefore, the luminous efficiency of the entire device can be increased.

更に、電界発光素子は、マイクロキャビティ構造を採用しても構わない。これは、電界発光素子は、発光層が陽極と陰極との間に挟持された構造であり、発光した光は陽極と陰極との間で多重干渉を生じるが、陽極及び陰極の反射率、透過率等の光学的な特性と、これらに挟持された有機層及び又は無機層の膜厚とを適当に選ぶことにより、多重干渉効果を積極的に利用し、素子より取り出される発光波長を制御するという技術である。これにより、発光色度を改善することも可能となる。この多重干渉効果のメカニズムについては、Ｊ．Ｙａｍａｄａ等によるＡＭ−ＬＣＤ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ，ＯＤ−２，ｐ．７７〜８０（２００２）に記載されている。 Furthermore, the electroluminescent device may have a microcavity structure. This is because the electroluminescent device has a structure in which a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode, and emitted light causes multiple interference between the anode and the cathode. By appropriately selecting the optical characteristics such as the ratio and the film thickness of the organic layer and/or the inorganic layer sandwiched therebetween, the multiple interference effect is positively used to control the emission wavelength extracted from the device. Is the technology. This also makes it possible to improve the emission chromaticity. The mechanism of this multiple interference effect is described in J. AM-LCD Digest of Technical Papers, OD-2, p. 77-80 (2002).

以上述べたように、本発明の電界発光素子は、駆動電圧の低減が可能であり、かつ優れた発光効率、駆動電流密度で安定した発光効率、及び、高い耐久性を有する。故に、本有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや各種の平面発光体として、更には、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。 As described above, the electroluminescent device of the present invention can reduce the driving voltage and has excellent luminous efficiency, stable luminous efficiency at a driving current density, and high durability. Therefore, the present organic EL device is used as a flat panel display such as a wall-mounted TV or various flat light emitters, and further as a light source of a copying machine or a printer, a light source of a liquid crystal display or an instrument, a display plate, a sign lamp, and the like. Can be applied.

以下に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、以下の実施例は本発明の権利範囲を何ら制限するものではない。尚、特に断りの無い場合、実施例及び比較例における「部」及び「％」は「質量部」及び「質量％」を表す。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the following examples do not limit the scope of rights of the present invention. Unless otherwise specified, “parts” and “%” in the examples and comparative examples represent “parts by mass” and “mass %”.

＜リガンドのＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギー準位の測定＞
以下の評価方法で、正孔輸送性リガンド及び電子輸送性リガンドの、ＨＯＭＯエネルギー準位及びＬＵＭＯエネルギー準位を測定した。 <Measurement of HOMO and LUMO energy levels of ligand>
The HOMO energy level and the LUMO energy level of the hole transporting ligand and the electron transporting ligand were measured by the following evaluation methods.

（ＨＯＭＯエネルギー準位）
ＨＯＭＯエネルギー準位の測定は、光電子収量分光装置ＰＹＳ−２０２（住友重機械メカトロニクス社製）を用いて行った。ＩＴＯ（酸化インジウム錫）付のカラス基板上に、導電性カーボン両面テープ（不織布基材）（日進ＥＭ社製）を貼り付け、その上に評価対象のリガンド粉末を付着させてサンプルを形成した。ＩＴＯ表面でアースを取り、カーボン両面テープ上の評価対象の化合物粉末に対してプローブ光を照射して測定を行った。測定範囲は：４．０〜７．０（ｅＶ）、測定間隔：０．１（ｅＶ）、測定雰囲気：真空中（１０-2（Ｐａ）台）とした。 (HOMO energy level)
The HOMO energy level was measured using a photoelectron yield spectrometer PYS-202 (manufactured by Sumitomo Heavy Industries Mechatronics). A conductive carbon double-sided tape (nonwoven fabric substrate) (manufactured by Nisshin EM Co., Ltd.) was attached on a glass substrate with ITO (indium tin oxide), and a ligand powder to be evaluated was attached thereon to form a sample. The ITO surface was grounded, and the compound powder to be evaluated on the carbon double-sided tape was irradiated with probe light for measurement. The measurement range was: 4.0 to 7.0 (eV), measurement interval: 0.1 (eV), measurement atmosphere: in vacuum (10 -2 (Pa) level).

（ＬＵＭＯエネルギー準位）
ＬＵＭＯエネルギー準位は、吸収スペクトルの吸収端からバンドギャップを見積り、前述の方法で測定したＨＯＭＯの値とバンドギャップの値より算出を行った。吸収スペクトルは、トルエンを用いて１０-5（ｍｏｌ／Ｌ）の濃度に調整し、光路長１ｃｍの石英セルを用いて測定した。 (LUMO energy level)
The LUMO energy level was calculated from the value of HOMO and the value of band gap measured by the above-mentioned method by estimating the band gap from the absorption edge of the absorption spectrum. The absorption spectrum was adjusted to a concentration of 10 −5 (mol/L) using toluene and measured using a quartz cell having an optical path length of 1 cm.

＜量子ドット分散液の製造＞
（量子ドット分散液：ＱＤ−１）
酢酸インジウム１．３５部、オクタン酸亜鉛１．３０部 ステアリン酸４．６５部、１−オクタデセン９２．７部をフラスコに入れ１００℃に加熱した。その後、その温度で減圧留去した。フラスコ内をアルゴンガスでみたし、３００℃に加熱した。別途、水のないグローボックス中で調製した、トリス（トリメチルシリル）フォスフィン１．１６部を添加したヘキサン溶液２３部を注入し、２８０℃９分反応した後急冷して、溶液を得た。
得られた溶液１５部、１−オクタデセン４６部、オレイルアミン１１．５部をフラスコ入れ、１５分撹拌し、ついで、ジベンジルジチオカルバミン酸亜鉛を４．３部加えた。反応フラスコ内をアルゴンで置換して、１７０℃まで４５分で昇温し、１７０℃にて２時間の間、保温した。冷却し、アセトンを加えて、遠心沈降にて分離し沈降ペーストを得た。
沈降ペーストをトルエン分散し、処理剤としてドデカンチオール３．７部を加えて、室温で２４時間撹拌して減圧濃縮後、アセトンを加えて、遠心沈降にて分離し沈降ペーストを得た。再び、沈降ペーストをトルエンに分散して、固形分濃度１０％に調製し、ドデカンチオールで表面処理された量子ドット分散液ＱＤ−１を得た。この半導体粒子はコアがＩｎＰでシェルがＺｎＳである。 <Production of quantum dot dispersion>
(Quantum dot dispersion: QD-1)
1.35 parts of indium acetate, 1.30 parts of zinc octanoate, 4.65 parts of stearic acid, and 92.7 parts of 1-octadecene were placed in a flask and heated to 100°C. Then, it was distilled off under reduced pressure at that temperature. The inside of the flask was filled with argon gas and heated to 300°C. Separately, 23 parts of a hexane solution prepared by adding 1.16 parts of tris(trimethylsilyl)phosphine prepared in a glow box without water was injected, reacted at 280° C. for 9 minutes and then rapidly cooled to obtain a solution.
15 parts of the resulting solution, 46 parts of 1-octadecene, and 11.5 parts of oleylamine were placed in a flask and stirred for 15 minutes, and then 4.3 parts of zinc dibenzyldithiocarbamate was added. The inside of the reaction flask was replaced with argon, the temperature was raised to 170° C. in 45 minutes, and the temperature was kept at 170° C. for 2 hours. After cooling, acetone was added and the mixture was separated by centrifugal sedimentation to obtain a sedimentary paste.
The precipitated paste was dispersed in toluene, 3.7 parts of dodecanethiol was added as a treating agent, the mixture was stirred at room temperature for 24 hours, concentrated under reduced pressure, added with acetone, and separated by centrifugal precipitation to obtain a precipitated paste. The precipitated paste was again dispersed in toluene to prepare a solid content concentration of 10%, and a quantum dot dispersion liquid QD-1 surface-treated with dodecanethiol was obtained. In the semiconductor particles, the core is InP and the shell is ZnS.

（量子ドット分散液：ＱＤ−２）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、正孔輸送性リガンドである化合物（ａ）をトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む量子ドット分散液ＱＤ−２を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-2)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, the compound (a), which is a hole-transporting ligand, was dissolved in toluene to prepare a 1.0 mass% ligand solution, 5 times the amount of the quantum dot dispersion liquid QD-1 was added, and the mixture was stirred for 12 hours. .. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a quantum dot (A1) which is a semiconductor nanoparticle surface-treated with a hole-transporting ligand was prepared by using toluene to prepare a solid content concentration of 10% by mass. ) Was obtained as a quantum dot dispersion liquid QD-2.

化合物（ａ）
Compound (a)

（量子ドット分散液：ＱＤ−３）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、電子輸送性リガンドである化合物（ｂ）をトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、電子輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ２）を含む量子ドット分散液ＱＤ−３を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-3)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, the compound (b), which is an electron-transporting ligand, was dissolved in toluene to prepare a 1.0 mass% ligand solution, 5 times the amount of the quantum dot dispersion liquid QD-1 was added, and the mixture was stirred for 12 hours. After purification by reprecipitation method using hexane and ethanol, the solid content concentration was adjusted to 10% by mass using toluene, and the quantum dots (A2) were semiconductor nanoparticles surface-treated with an electron transporting ligand. To obtain a quantum dot dispersion liquid QD-3.

化合物（ｂ）
Compound (b)

（量子ドット分散液：ＱＤ−４−１）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、リガンドとして、化合物（ａ）と化合物（ｂ）の質量比が９０：１０となるようにトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−４−１を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-4-1)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, as a ligand, the compound (a) and the compound (b) were dissolved in toluene so that the mass ratio was 90:10 to prepare a 1.0 mass% ligand solution, and the quantum dot dispersion liquid QD-1 was prepared. 5 times the amount was added and stirred for 12 hours. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a solid-state concentration of 10% by mass was prepared using toluene, and the semiconductor nanoparticle was surface-treated with both a hole-transporting ligand and an electron-transporting ligand. A quantum dot dispersion liquid QD-4-1 containing quantum dots (A4) as particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−４−２）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、リガンドとして、化合物（ａ）と化合物（ｂ）の質量比が５０：５０となるようにトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−４−２を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-4-2)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, as a ligand, the compound (a) and the compound (b) were dissolved in toluene so that the mass ratio was 50:50 to prepare a 1.0 mass% ligand solution, and the quantum dot dispersion liquid QD-1 was prepared. 5 times the amount was added and stirred for 12 hours. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a solid-state concentration of 10% by mass was prepared using toluene, and the semiconductor nanoparticle was surface-treated with both a hole-transporting ligand and an electron-transporting ligand. A quantum dot dispersion liquid QD-4-2 containing quantum dots (A4) as particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−４−３）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、リガンドとして、化合物（ａ）と化合物（ｂ）の質量比が１０：９０となるようにトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−４−３を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-4-3)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, as a ligand, the compound (a) and the compound (b) were dissolved in toluene so that the mass ratio was 10:90 to prepare a 1.0 mass% ligand solution, and the quantum dot dispersion liquid QD-1 was prepared. 5 times the amount was added and stirred for 12 hours. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a solid-state concentration of 10% by mass was prepared using toluene, and the semiconductor nanoparticle was surface-treated with both a hole-transporting ligand and an electron-transporting ligand. A quantum dot dispersion liquid QD-4-3 containing quantum dots (A4) as particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−５）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、正孔輸送性リガンドである化合物（ｃ）をトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む量子ドット分散液ＱＤ−５を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-5)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, the compound (c), which is a hole-transporting ligand, was dissolved in toluene to prepare a 1.0 mass% ligand solution, and 5 times the amount of the quantum dot dispersion liquid QD-1 was added and stirred for 12 hours. .. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a quantum dot (A1) which is a semiconductor nanoparticle surface-treated with a hole-transporting ligand was prepared by using toluene to prepare a solid content concentration of 10% by mass. ) Was obtained as a quantum dot dispersion liquid QD-5.

化合物（ｃ）
Compound (c)

（量子ドット分散液：ＱＤ−６）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、電子輸送性リガンドである化合物（ｄ）：Ｂｐｈｅｎをトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、電子輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ２）を含む量子ドット分散液ＱＤ−６を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-6)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, a compound (d): Bphen, which is an electron-transporting ligand, is dissolved in toluene to prepare a 1.0 mass% ligand solution, 5 times the amount is added to the quantum dot dispersion liquid QD-1, and the mixture is stirred for 12 hours. did. After purification by reprecipitation method using hexane and ethanol, the solid content concentration was adjusted to 10% by mass using toluene, and the quantum dots (A2) were semiconductor nanoparticles surface-treated with an electron transporting ligand. To obtain a quantum dot dispersion liquid QD-6.

化合物（ｄ）：
Compound (d):

（量子ドット分散液：ＱＤ−７−１）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、リガンドとして、化合物（ｃ）と化合物（ｄ）の質量比が９０：１０となるようにトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−７−１を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-7-1)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, as a ligand, the compound (c) and the compound (d) were dissolved in toluene so that the mass ratio was 90:10 to prepare a 1.0 mass% ligand solution, and the quantum dot dispersion liquid QD-1 5 times the amount was added and stirred for 12 hours. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a solid-state concentration of 10% by mass was prepared using toluene, and the semiconductor nanoparticle was surface-treated with both a hole-transporting ligand and an electron-transporting ligand. A quantum dot dispersion liquid QD-7-1 containing quantum dots (A4) as particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−７−２）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、リガンドとして、化合物（ｃ）と化合物（ｄ）の質量比が５０：５０となるようにトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−７−２を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-7-2)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, as a ligand, the compound (c) and the compound (d) were dissolved in toluene so that the mass ratio was 50:50 to prepare a 1.0 mass% ligand solution, and the quantum dot dispersion liquid QD-1 was prepared. 5 times the amount was added and stirred for 12 hours. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a solid-state concentration of 10% by mass was prepared using toluene, and the semiconductor nanoparticle was surface-treated with both a hole-transporting ligand and an electron-transporting ligand. A quantum dot dispersion liquid QD-7-2 containing quantum dots (A4) as particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−７−３）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、リガンドとして、化合物（ｃ）と化合物（ｄ）の質量比が１０：９０となるようにトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−７−３を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-7-3)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, as a ligand, the compound (c) and the compound (d) were dissolved in toluene so that the mass ratio was 10:90 to prepare a 1.0 mass% ligand solution, and the quantum dot dispersion liquid QD-1 was prepared. 5 times the amount was added and stirred for 12 hours. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a solid-state concentration of 10% by mass was prepared using toluene, and the semiconductor nanoparticle was surface-treated with both a hole-transporting ligand and an electron-transporting ligand. A quantum dot dispersion liquid QD-7-3 containing quantum dots (A4) as particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−８−１）
量子ドット分散液ＱＤ−２と量子ドット分散液ＱＤ−３とを９０：１０の質量比で混合して、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−８−１を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-8-1)
Quantum dot dispersion liquid QD-2 and quantum dot dispersion liquid QD-3 are mixed at a mass ratio of 90:10 to include quantum dots (A1) and quantum dots (A2). Got 1.

（量子ドット分散液：ＱＤ−８−２）
量子ドット分散液ＱＤ−２と量子ドット分散液ＱＤ−３とを５０：５０の質量比で混合して、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−８−２を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-8-2)
Quantum dot dispersion liquid QD-2 and quantum dot dispersion liquid QD-3 are mixed at a mass ratio of 50:50 to include quantum dots (A1) and quantum dots (A2). Got 2.

（量子ドット分散液：ＱＤ−８−３）
量子ドット分散液ＱＤ−２と量子ドット分散液ＱＤ−３とを１０：９０の質量比で混合して、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−８−３を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-8-3)
The quantum dot dispersion liquid QD-2 and the quantum dot dispersion liquid QD-3 are mixed at a mass ratio of 10:90 to include a quantum dot (A1) and a quantum dot (A2). Got 3.

（量子ドット分散液：ＱＤ−９−１）
量子ドット分散液ＱＤ−５と量子ドット分散液ＱＤ−６とを９０：１０の質量比で混合して、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−９−１を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-9-1)
The quantum dot dispersion liquid QD-5 and the quantum dot dispersion liquid QD-6 are mixed at a mass ratio of 90:10 to include the quantum dots (A1) and the quantum dots (A2). Got 1.

（量子ドット分散液：ＱＤ−９−２）
量子ドット分散液ＱＤ−５と量子ドット分散液ＱＤ−６とを５０：５０の質量比で混合して、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−９−２を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-9-2)
The quantum dot dispersion liquid QD-5 and the quantum dot dispersion liquid QD-6 are mixed at a mass ratio of 50:50 to include quantum dots (A1) and quantum dots (A2). Got 2.

（量子ドット分散液：ＱＤ−９−３）
量子ドット分散液ＱＤ−５と量子ドット分散液ＱＤ−６とを１０：９０の質量比で混合して、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−９−３を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-9-3)
The quantum dot dispersion liquid QD-5 and the quantum dot dispersion liquid QD-6 are mixed at a mass ratio of 10:90 to include a quantum dot (A1) and a quantum dot (A2). Got 3.

用いた正孔輸送性リガンド及び電子輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位及びＬＵＭＯエネルギー準位の測定値を表６に示す。 Table 6 shows the measured values of the HOMO energy level and the LUMO energy level of the used hole transporting ligand and electron transporting ligand.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１０）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、正孔輸送性リガンドである表７記載の化合物（ｅ）をトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む量子ドット分散液ＱＤ−１０を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-10)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, the compound (e) shown in Table 7 that is a hole-transporting ligand is dissolved in toluene to prepare a 1.0 mass% ligand solution, and a 5-fold amount is added to the quantum dot dispersion liquid QD-1. Stir for 12 hours. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a quantum dot (A1) which is a semiconductor nanoparticle surface-treated with a hole-transporting ligand was prepared by using toluene to prepare a solid content concentration of 10% by mass. ) Was obtained as a quantum dot dispersion liquid QD-10.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１１）
正孔輸送性リガンドである化合物（ｅ）を、表７記載の化合物（ｆ）に変更した以外は量子ドット分散液ＱＤ−１０と同様にして、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む量子ドット分散液ＱＤ−１１を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-11)
A semiconductor nanoparticle surface-treated with a hole-transporting ligand in the same manner as in the quantum dot dispersion liquid QD-10 except that the compound (e) which is a hole-transporting ligand was changed to the compound (f) shown in Table 7. A quantum dot dispersion liquid QD-11 containing quantum dots (A1) as particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１２）
正孔輸送性リガンドである化合物（ｅ）を、表７記載の化合物（ｇ）に変更した以外は量子ドット分散液ＱＤ−１０と同様にして、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む量子ドット分散液ＱＤ−１２を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-12)
A semiconductor nanoparticle surface-treated with a hole-transporting ligand in the same manner as in the quantum dot dispersion liquid QD-10 except that the compound (e), which is a hole-transporting ligand, was changed to the compound (g) shown in Table 7. A quantum dot dispersion liquid QD-12 containing quantum dots (A1) as particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１３）
正孔輸送性リガンドである化合物（ｅ）を、表７記載の化合物（ｈ）に変更した以外は量子ドット分散液ＱＤ−１０と同様にして、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む量子ドット分散液ＱＤ−１３を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-13)
A semiconductor nanoparticle surface-treated with a hole-transporting ligand in the same manner as in the quantum dot dispersion liquid QD-10 except that the compound (e), which is a hole-transporting ligand, was changed to the compound (h) shown in Table 7. A quantum dot dispersion liquid QD-13 containing quantum dots (A1) which are particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１４）
量子ドット分散液ＱＤ−１を、トルエンを用いて固形分濃度０．５質量％に希釈した。次に、リガンドとして、表７記載の化合物（ｅ）と化合物（ｂ）との質量比が５０：５０となるようにトルエンに溶解して１．０質量％のリガンド溶液を作成し、量子ドット分散液ＱＤ−１に５倍量を加え、１２時間撹拌した。ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った後、トルエンを用いて、固形分濃度１０質量％に調製し、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−１４を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-14)
The quantum dot dispersion liquid QD-1 was diluted with toluene to a solid content concentration of 0.5% by mass. Next, as a ligand, the compound (e) shown in Table 7 and the compound (b) were dissolved in toluene so that the mass ratio was 50:50 to prepare a 1.0 mass% ligand solution, and the quantum dot A 5-fold amount was added to the dispersion liquid QD-1, and the mixture was stirred for 12 hours. After purification by a reprecipitation method using hexane and ethanol, a solid-state concentration of 10% by mass was prepared using toluene, and the semiconductor nanoparticle was surface-treated with both a hole-transporting ligand and an electron-transporting ligand. A quantum dot dispersion liquid QD-14 containing quantum dots (A4) as particles was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１５）
正孔輸送性リガンドである化合物（ｅ）を表７記載の化合物（ｆ）に変更した以外は、量子ドット分散液ＱＤ−１４と同様にして、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−１５を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-15)
Both the hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand were prepared in the same manner as the quantum dot dispersion liquid QD-14, except that the compound (e) which was the hole-transporting ligand was changed to the compound (f) shown in Table 7. Thus, a quantum dot dispersion liquid QD-15 containing quantum dots (A4) which are semiconductor nanoparticles surface-treated with was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１６）
正孔輸送性リガンドである化合物（ｅ）を表７記載の化合物（ｇ）に変更した以外は、量子ドット分散液ＱＤ−１４と同様にして、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−１６を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-16)
Both the hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand were prepared in the same manner as in the quantum dot dispersion liquid QD-14, except that the compound (e) which was the hole-transporting ligand was changed to the compound (g) shown in Table 7. Thus, a quantum dot dispersion liquid QD-16 containing quantum dots (A4) which are semiconductor nanoparticles surface-treated with was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１７）
正孔輸送性リガンドである化合物（ｅ）を表７記載の化合物（ｈ）に変更した以外は、量子ドット分散液ＱＤ−１４と同様にして、正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドの両方で表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む量子ドット分散液ＱＤ−１７を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-17)
Both the hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand were prepared in the same manner as the quantum dot dispersion liquid QD-14, except that the compound (e) which was the hole-transporting ligand was changed to the compound (h) shown in Table 7. Thus, a quantum dot dispersion liquid QD-17 containing the quantum dots (A4) which are the semiconductor nanoparticles surface-treated with was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１８）
量子ドット分散液ＱＤ−１０と、量子ドット分散液ＱＤ−３と、を５０：５０の質量比で混合して、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−１８を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-18)
The quantum dot dispersion liquid QD-10 and the quantum dot dispersion liquid QD-3 are mixed at a mass ratio of 50:50 to include quantum dots (A1) and quantum dots (A2). I got 18.

（量子ドット分散液：ＱＤ−１９）
量子ドット分散液ＱＤ−１０を量子ドット分散液ＱＤ−１１に変更した以外は、量子ドット分散液ＱＤ−１８と同様にして、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−１９を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-19)
Quantum dot dispersion containing quantum dots (A1) and quantum dots (A2) in the same manner as quantum dot dispersion liquid QD-18, except that quantum dot dispersion liquid QD-10 was changed to quantum dot dispersion liquid QD-11. Liquid QD-19 was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−２０）
量子ドット分散液ＱＤ−１０を量子ドット分散液ＱＤ−１２に変更した以外は、量子ドット分散液ＱＤ−１８と同様にして、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−２０を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-20)
Quantum dot dispersion containing quantum dots (A1) and quantum dots (A2) in the same manner as quantum dot dispersion liquid QD-18, except that quantum dot dispersion liquid QD-10 was changed to quantum dot dispersion liquid QD-12. Liquid QD-20 was obtained.

（量子ドット分散液：ＱＤ−２１）
量子ドット分散液ＱＤ−１０を量子ドット分散液ＱＤ−１３に変更した以外は、量子ドット分散液ＱＤ−１８と同様にして、量子ドット（Ａ１）と量子ドット（Ａ２）とを含む量子ドット分散液ＱＤ−２１を得た。 (Quantum dot dispersion: QD-21)
Quantum dot dispersion containing quantum dots (A1) and quantum dots (A2) in the same manner as quantum dot dispersion liquid QD-18, except that quantum dot dispersion liquid QD-10 was changed to quantum dot dispersion liquid QD-13. Liquid QD-21 was obtained.

上記で使用した正孔輸送性リガンドである化合物のＨＯＭＯエネルギー準位及びＬＵＭＯエネルギー準位の測定値を表７に示す。 Table 7 shows the measured values of the HOMO energy level and the LUMO energy level of the compound that is the hole-transporting ligand used above.

＜電界発光素子の製造＞
［実施例１］
洗浄したＩＴＯ電極（陽極に相当）付きガラス板上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ(３，４−エチレンジオキシ)−２，５−チオフェン／ポリスチレンスルホン酸、Ｈｅｒａｅｕｓ社製ＣＬＥＶＩＯＳ（登録商標）Ｐ ＶＰ ＣＨ８０００）をスピンコート法にて塗工し、１１０℃にて２０分間乾燥させて膜厚３５ｎｍの正孔注入層を得た。
次いで、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）を、１．０質量％の濃度でモノクロロベンゼンに溶解させ、スピンコート法で塗工し、１１０℃にて２０分間乾燥させて、３５ｎｍの膜厚の正孔輸送層を形成した。
次いで、正孔輸送層上に、量子ドット分散液ＱＤ−２を３５倍に希釈して発光層形成用インキ組成物として用い、スピンコート後６０℃で１０分間乾燥させて２０ｎｍの発光層（ＥＭＬ１）を形成した。
次いで、発光層（ＥＭＬ１）上に、量子ドット分散液ＱＤ−３を用いて、量子ドット分散液ＱＤ−２と同様にしてスピンコート後乾燥させて２０ｎｍの発光層（ＥＭＬ２）を形成した。
次いで、発光層（ＥＭＬ２）上に、Ａｖａｎｔａｍａ社製 酸化亜鉛のイソプロパノール分散液 Ｎ−１０を、スピンコート法で塗工し、８０℃のホットプレート上で２０分間の加熱乾燥を行い、８０ｎｍの電子輸送層を形成した。
最後に、電子輸送層上に、アルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ蒸着して電極（陰極に相当）を形成し、電界発光素子を得た。蒸着は１０-6Ｔｏｒｒの真空中にて、基板の加熱や冷却といった温度制御を実施しない条件下で行った。
なお、ＩＴＯ電極とアルミニウム電極はそれぞれ２ｍｍ幅の帯状とし、互いに直行する様に配置することで、２ｍｍ×２ｍｍの面積の電界発光素子とした。
実施例１で得られた電界発光素子は、その発光スペクトルのピーク波長は６１０ｎｍであり、半値全幅は２５ｎｍであった。 <Manufacture of electroluminescent device>
[Example 1]
On a cleaned glass plate with an ITO electrode (corresponding to the anode), PEDOT/PSS (poly(3,4-ethylenedioxy)-2,5-thiophene/polystyrene sulfonic acid, CLEVIOOS (registered trademark) P VP manufactured by Heraeus Co., Ltd. CH8000) was applied by a spin coating method and dried at 110° C. for 20 minutes to obtain a hole injection layer having a film thickness of 35 nm.
Next, poly(N-vinylcarbazole) was dissolved in monochlorobenzene at a concentration of 1.0% by mass, applied by spin coating, dried at 110° C. for 20 minutes, and then a hole having a thickness of 35 nm was formed. A transport layer was formed.
Then, the quantum dot dispersion liquid QD-2 was diluted 35 times on the hole transport layer to be used as an ink composition for forming a light emitting layer, and after spin coating, it was dried at 60° C. for 10 minutes to give a light emitting layer of 20 nm (EML1). ) Was formed.
Then, on the light emitting layer (EML1), the quantum dot dispersion liquid QD-3 was spin-coated and dried in the same manner as the quantum dot dispersion liquid QD-2 to form a 20 nm light emitting layer (EML2).
Then, on the light emitting layer (EML2), an isopropanol dispersion liquid N-10 of Zinc Oxide manufactured by Avantama Co., Ltd. was applied by a spin coating method, followed by heating and drying for 20 minutes on a hot plate at 80° C., and an electron of 80 nm. A transport layer was formed.
Finally, aluminum (Al) was vapor-deposited on the electron transport layer to a thickness of 200 nm to form an electrode (corresponding to the cathode), and an electroluminescence device was obtained. The vapor deposition was performed in a vacuum of 10 −6 Torr under conditions where temperature control such as heating and cooling of the substrate was not performed.
The ITO electrode and the aluminum electrode each had a strip shape with a width of 2 mm, and were arranged so as to be orthogonal to each other to obtain an electroluminescent element having an area of 2 mm×2 mm.
The electroluminescent element obtained in Example 1 had a peak wavelength of its emission spectrum of 610 nm and a full width at half maximum of 25 nm.

［実施例２〜５０、比較例１］
表８に示す量子ドット分散液を用い、表８に示す発光層層構成とした以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜５０、及び比較例１の電界発光素子を得た。発光層は１層〜３層いずれの場合においても、各発光層の厚みが２０ｎｍとなるようにした。 [Examples 2 to 50, Comparative Example 1]
Electroluminescent devices of Examples 2 to 50 and Comparative Example 1 were obtained in the same manner as in Example 1 except that the quantum dot dispersion liquid shown in Table 8 was used and the light emitting layer structure shown in Table 8 was used. The thickness of each light emitting layer was set to be 20 nm in any of the cases of 1 to 3 light emitting layers.

＜電界発光素子の評価＞
得られた面積２ｍｍ×２ｍｍの電界発光素子について、以下の評価を実施した。素子の各種評価は、ＰＣ制御されたアドバンテスト社６２４３ソースメータと、コニカミノルタ社製輝度計ＣＳ−１００Ａ又は分光放射輝度系ＣＳ−１０００を用いた。結果を表８に示す。 <Evaluation of electroluminescent device>
The following evaluation was performed about the obtained electroluminescent element with an area of 2 mm x 2 mm. For various evaluations of the device, a PC-controlled 6243 source meter manufactured by Advantest, and a luminance meter CS-100A manufactured by Konica Minolta or a spectral radiance system CS-1000 were used. The results are shown in Table 8.

［駆動電圧（Ｖ）］
電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ2）で駆動させた時の駆動電圧（Ｖ）を測定した。 [Driving voltage (V)]
The drive voltage (V) when driven at a current density of 10 (mA/cm 2 ) was measured.

［外部量子効率（％）］
電流密度１、１０及び１００（ｍＡ／ｃｍ2）で駆動させた時の外部量子効率（％）を算出した。外部量子効率（％）＝電界発光素子外部に発光した光子数／電界発光素子に流した電子数×１００であり、分光放射輝度系ＣＳ−１０００の測定結果を基に輝度換算法によって算出した。 [External quantum efficiency (%)]
The external quantum efficiency (%) when driven at a current density of 1, 10 and 100 (mA/cm 2 ) was calculated. External quantum efficiency (%)=number of photons emitted outside the electroluminescent device/number of electrons flown into the electroluminescent device×100, and was calculated by a brightness conversion method based on the measurement result of the spectral radiance system CS-1000.

［相対輝度］
８０℃の環境で初期輝度５００（ｃｄ／ｍ2）の条件で１００時間連続駆動させた後の相対輝度（＝（１００時間後の輝度）／（初期輝度））を測定した。 [Relative brightness]
The relative luminance (=(luminance after 100 hours)/(initial luminance)) after continuously driving for 100 hours under the condition of initial luminance of 500 (cd/m 2 ) in an environment of 80° C. was measured.

表８の評価結果から、少なくとも連続した２層の発光層を有する発光部と、陰極と、を有する電界発光素子であって、前記発光部が、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む発光層（ＥＭＬ１）、電子輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ２）を含む発光層（ＥＭＬ２）、前記量子ドット（Ａ１）と前記量子ドット（Ａ２）の混合物を含む発光層（ＥＭＬ３）、及び正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドで表面処理された量子ドット（Ａ４）を含む発光層（ＥＬＭ４）からなる群から選ばれる少なくとも２種の発光層を有する電界発光素子は、駆動電圧の低減が可能であり、かつ、駆動電流密度に依存せず安定で優れた発光効率、及び、高い耐久性を有することが示された。 From the evaluation results of Table 8, an electroluminescent device having a light emitting portion having at least two continuous light emitting layers and a cathode, wherein the light emitting portion is surface-treated with a hole transporting ligand A light emitting layer (EML1) containing quantum dots (A1) which are particles, a light emitting layer (EML2) containing quantum dots (A2) which are semiconductor nanoparticles surface-treated with an electron-transporting ligand, and the quantum dots (A1) It is selected from the group consisting of an emitting layer (EML3) containing the mixture of the quantum dots (A2) and an emitting layer (ELM4) containing the quantum dots (A4) surface-treated with a hole transporting ligand and an electron transporting ligand. It has been shown that the electroluminescent device having at least two types of light emitting layers can reduce the driving voltage, has stable and excellent light emitting efficiency without depending on the driving current density, and has high durability. ..

実施例１〜５０と比較例１とを対比すると、特に実施例は、電流値を変更して評価した外部量子効率が同等であり、安定していた。
これは、本発明の電界発光素子は、リガンドの輸送性が異なる２層以上の発光層を組み合わせていることで、発光部へのキャリア注入が改善され低駆動電圧化されていると考えられる。また、発光部内の発光層界面でキャリア輸送性の界面が生じるため効率よく再結合が可能となり発光効率が向上すると共に、駆動電流に対して安定化されていると推察される。また、発光部内で再結合が安定することで長時間の駆動でも発光効率を維持することができ、耐久性に優れた電界発光素子となっていると考えられる。 When Examples 1 to 50 and Comparative Example 1 are compared with each other, particularly in the Examples, the external quantum efficiencies evaluated by changing the current value are equal and stable.
It is considered that this is because the electroluminescent device of the present invention has a combination of two or more light emitting layers having different ligand transporting properties, thereby improving carrier injection into the light emitting portion and lowering the driving voltage. Further, it is presumed that an interface having a carrier transporting property is generated at the interface of the light emitting layer in the light emitting part, so that recombination can be efficiently performed, the light emitting efficiency is improved, and the light emitting layer is stabilized against a driving current. Further, it is considered that since the recombination is stable in the light emitting portion, the light emitting efficiency can be maintained even after driving for a long time, and the electroluminescent element has excellent durability.

また、正孔輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位が電子輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上高い実施例１〜３６及び４４〜５０は、０．２ｅＶ未満の実施例３７〜４３に比べて、より優れた外部量子効率及び相対輝度を示した。 In addition, Examples 1 to 36 and 44 to 50 in which the HOMO energy level of the hole transporting ligand is higher than the HOMO energy level of the electron transporting ligand by 0.2 eV or more are Examples 37 to 43 of less than 0.2 eV. The external quantum efficiency and the relative brightness are better than those of

以上により、本発明によって、駆動電圧の低減が可能であり、かつ優れた発光効率、駆動電流密度で安定した発光効率、及び、高い耐久性を有する電界発光素子を提供することが可能である。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an electroluminescent device capable of reducing a driving voltage and having excellent luminous efficiency, stable luminous efficiency at a driving current density, and high durability.

Claims (4)

基板上に、陽極と、少なくとも連続した２層の発光層を有する発光部と、陰極と、を有する電界発光素子であって、
前記発光部が、正孔輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ１）を含む発光層（ＥＭＬ１）、電子輸送性リガンドで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ２）を含む発光層（ＥＭＬ２）、前記量子ドット（Ａ１）と前記量子ドット（Ａ２）との混合物を含む発光層（ＥＭＬ３）、及び正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドとで表面処理された半導体ナノ粒子である量子ドット（Ａ４）を含む発光層（ＥＬＭ４）からなる群から選ばれる少なくとも２種の発光層を有する、電界発光素子。 What is claimed is: 1. An electroluminescent device comprising an anode, a light emitting portion having at least two continuous light emitting layers, and a cathode on a substrate,
The light-emitting portion includes a light-emitting layer (EML1) including a quantum dot (A1) that is a semiconductor nanoparticle surface-treated with a hole-transporting ligand, and a quantum dot (a semiconductor nanoparticle surface-treated with an electron-transporting ligand ( A2) including a light emitting layer (EML2), a light emitting layer (EML3) including a mixture of the quantum dots (A1) and the quantum dots (A2), and a surface treatment with a hole transporting ligand and an electron transporting ligand. An electroluminescent device having at least two kinds of light emitting layers selected from the group consisting of light emitting layers (ELM4) containing quantum dots (A4) which are semiconductor nanoparticles. 前記発光部が、陽極側からみて、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ２）、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ３）、（ＥＭＬ３）／（ＥＭＬ２）、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ３）／（ＥＭＬ２）、（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ４）、（ＥＭＬ４）／（ＥＭＬ２）、又は（ＥＭＬ１）／（ＥＭＬ４）／（ＥＭＬ２）の順で発光層を有する、請求項１に記載の電界発光素子。 The light emitting part is (EML1)/(EML2), (EML1)/(EML3), (EML3)/(EML2), (EML1)/(EML3)/(EML2), (EML1)/ when viewed from the anode side. The electroluminescent device according to claim 1, which has a light emitting layer in the order of (EML4), (EML4)/(EML2), or (EML1)/(EML4)/(EML2). 隣り合う発光層、又は１つの発光層に含まれる量子ドットの正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドにおいて、
前記正孔輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位が、前記電子輸送性リガンドのＨＯＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上大きい、請求項２に記載の電界発光素子。 In the hole-transporting ligand and the electron-transporting ligand of the quantum dots included in the adjacent light-emitting layers or one light-emitting layer,
The electroluminescent device according to claim 2, wherein the HOMO energy level of the hole-transporting ligand is 0.2 eV or more higher than the HOMO energy level of the electron-transporting ligand. 隣り合う発光層、又は１つの発光層に含まれる量子ドットの正孔輸送性リガンドと電子輸送性リガンドにおいて、
前記正孔輸送性リガンドのＬＵＭＯエネルギー準位が、前記電子輸送性リガンドのＬＵＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上大きい、請求項２又は３に記載の電界発光素子。 In a hole-transporting ligand and an electron-transporting ligand of quantum dots contained in adjacent light-emitting layers or one light-emitting layer,
The electroluminescent device according to claim 2, wherein the LUMO energy level of the hole transporting ligand is higher than the LUMO energy level of the electron transporting ligand by 0.2 eV or more.
JP2019138800A 2018-11-30 2019-07-29 Electroluminescence element Pending JP2020095936A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018224544 2018-11-30
JP2018224544 2018-11-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020095936A true JP2020095936A (en) 2020-06-18

Family

ID=71085641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019138800A Pending JP2020095936A (en) 2018-11-30 2019-07-29 Electroluminescence element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2020095936A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2760392C1 (en) * 2020-10-12 2021-11-24 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") METHOD FOR PRODUCING InSb NANOTUBES BY ELECTRIC PULSE METHOD
WO2022003948A1 (en) * 2020-07-03 2022-01-06 シャープ株式会社 Quantum dot dispersion solution and production method for electroluminescent element using same
WO2022137319A1 (en) * 2020-12-22 2022-06-30 シャープ株式会社 Light emission element and display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022003948A1 (en) * 2020-07-03 2022-01-06 シャープ株式会社 Quantum dot dispersion solution and production method for electroluminescent element using same
RU2760392C1 (en) * 2020-10-12 2021-11-24 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") METHOD FOR PRODUCING InSb NANOTUBES BY ELECTRIC PULSE METHOD
WO2022137319A1 (en) * 2020-12-22 2022-06-30 シャープ株式会社 Light emission element and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5691192B2 (en) Material for organic electroluminescence device and use thereof
JP5673043B2 (en) Organic electroluminescence device
JP5110198B1 (en) Material for organic electroluminescence device and use thereof
JP7003621B2 (en) Semiconductor nanoparticles, dispersions containing the particles, semiconductor layers, methods for manufacturing laminates, and electroluminescent devices.
US20070216289A1 (en) Organic Electroluminescence Display Device
JP5152210B2 (en) Material for organic electroluminescence device and use thereof
JP2010024149A (en) Compound having seven-membered ring structure and its application
JP2010195708A (en) Compound having carbazolyl group and use thereof
JP2020041080A (en) Composition for forming luminescent film, luminescent film and electroluminescence element
JP2020066733A (en) Luminescence material, and electroluminescence element, ink composition and printed matter using the same
JP2009194042A (en) Charge transporting material for use of organic electroluminescence element containing carbazolyl group and its use
US20090206736A1 (en) Organic electroluminescence element
JP6056367B2 (en) Material for organic electroluminescence device and use thereof
JP2011173972A (en) Material for organic electroluminescent element and application thereof
JP2012190863A (en) Material for organic electroluminescent element and use thereof
JP2020095936A (en) Electroluminescence element
JP5277578B2 (en) Compound having carbazolyl group and use thereof
JP2011001475A (en) Material for organic electroluminescent element and application thereof
JP2011084717A (en) Material for organic electroluminescent element and application thereof
JP5565201B2 (en) Spiro compound and material for organic electroluminescence device
JP2012028711A (en) Material for organic electroluminescent element and use of the same
JP2019114668A (en) Electroluminescent element, method for manufacturing electroluminescent element, and dispersion liquid
JP2011012190A (en) Material for low molecular weight application type organic electroluminescent element, ink composition for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element
JP2009173565A (en) Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element
JP2021005479A (en) Electroluminescent element