JP7334011B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Description
波長 :1030nm
平均出力 :3W
繰り返し周波数:50kHz
パルス幅 :10ps
集光スポット径:φ10μm
送り速度 :500mm/秒
1a 表面
1b 裏面
3 分割予定ライン
3a シールドトンネル
3b 細孔
3c 非晶質領域
5 デバイス
7,7a,7f フレーム
7b,7g 開口部
7c 上面
7d ピン
7e 磁石
7h 下面
7i 貫通孔
9 ポリオレフィン系シート
11 フレームユニット
2 チャックテーブル
2a 保持面
2b,30a 吸引源
2c,30b 切り替え部
4 ヒートガン
4a 熱風
6 レーザー加工装置
8 レーザー加工ユニット
8a 加工ヘッド
8b 集光点
10 レーザービーム
12 ピックアップ装置
14 ドラム
16 フレーム保持ユニット
18 フレーム支持台
20 クランプ
22 ロッド
24 エアシリンダ
26 ベース
28 突き上げ機構
30 コレット
Claims (5)
- 複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの裏面または該表面に糊層を備えないポリオレフィン系シートを配設するポリオレフィン系シート配設工程と、
該ポリオレフィン系シートに熱風を当てて該ポリオレフィン系シートを加熱し、該ウェーハと、該ポリオレフィン系シートと、を一体化させる一体化工程と、
該一体化工程の前または後に、該ウェーハを収容できる大きさの開口部を有し複数の磁石を備える第1のフレームと、該ウェーハを収容できる大きさの開口部を有する第2のフレームと、で構成されるフレームを使用して、該磁石により生じる磁力により該第1のフレームと、該第2のフレームと、の間に該ポリオレフィン系シートの外周部を挟持して該ポリオレフィン系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハの内部に位置付け、該レーザービームを該分割予定ラインに沿って該ウェーハに照射して該ウェーハに連続的にシールドトンネルを形成し、該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
該ポリオレフィン系シートから個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 - 該ピックアップ工程では、該ポリオレフィン系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げ、該ポリオレフィン系シート側から該デバイスチップを突き上げることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該一体化工程において、該ポリオレフィン系シートが該ポリエチレンシートである場合に加熱温度は120℃~140℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリプロピレンシートである場合に加熱温度は160℃~180℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリスチレンシートである場合に加熱温度は220℃~240℃であることを特徴とする請求項3記載のウェーハの加工方法。
- 該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成されることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
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