JP7321189B2 - 酸化ガリウム半導体構造及びその調製方法 - Google Patents
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Description
サイズが10mm×10mmであり、結晶方位が(-201)であるβ型Snドープ酸化ガリウム単結晶ウェハを提供し、注入面から約230nmの箇所に注入欠陥層が形成されるように、注入面からHイオンを注入し、注入エネルギは30keV、注入用量は5×1017ions/cm2であり、注入温度は30℃である。注入面と酸化ケイ素基板とを直接結合する。窒素雰囲気でアニーリング処理し、アニーリング温度は150℃であり、アニーリング時間は30分である。化学的機械的研磨を採用して損傷層を除去し、酸化ガリウム半導体構造が得られる。
結晶方位が(100)であるβ型固有酸化ガリウムウェハ級ウェハを提供する。注入面から約20nmの箇所に注入欠陥層が形成されるように、注入面からHeイオンを注入し、注入エネルギは5keVであり、注入用量は1×1016ions/cm2であり、注入温度は-20℃である。注入面とダイヤモンド基板とを陽極結合する。ヘリウム雰囲気でアニーリング処理し、アニーリング温度は50℃であり、アニーリング時間は1分である。化学エッチングを採用して損傷層を除去し、酸化ガリウム半導体構造が得られる。
結晶方位が(001)であるα型鉄(Fe)ドープ酸化ガリウムウェハ級ウェハを提供する。注入面から約230nmの箇所に注入欠陥層が形成されるように、注入面からHイオン及びHeイオンを注入し、注入エネルギはそれぞれ35keV及び65keVであり、注入用量はそれぞれ1×1017ions/cm2及び2×1016ions/cm2であり、注入温度は300℃である。注入面と窒化アルミニウム基板とを金属結合する。酸素雰囲気でアニーリング処理し、アニーリング温度は700℃であり、アニーリング時間は8時間である。プラズマエッチングを採用して損傷層を除去し、酸化ガリウム半導体構造が得られる。
結晶方位が(-201)であるα型固有酸化ガリウムウェハ級ウェハを提供する。注入面から約20μmの箇所に注入欠陥層が形成されるように、注入面からHイオンを注入し、注入エネルギは1000keVであり、注入用量は6×1017ions/cm2であり、注入温度は-20℃である。注入面と炭化ケイ素/シリコン複合基板とを直接結合する。空気中でアニーリング処理し、アニーリング温度は700℃であり、アニーリング時間は24時間である。化学的機械的研磨を採用して損傷層を除去し、酸化ガリウム半導体構造が得られる。
Claims (5)
- 酸化ガリウム半導体構造の調製方法であって、
注入面を有するSnドープ又はFeドープの酸化ガリウム単結晶ウェハであって、前記注入面の結晶方位が(-201)である酸化ガリウム単結晶ウェハを提供するステップS1と、
注入されたイオンがあらかじめ設定された深さに到達し、あらかじめ設定された深さに第1酸化ガリウム層及び第2酸化ガリウム層が両側に形成される注入欠陥層が形成されるように、前記注入面から酸化ガリウム単結晶ウェハにイオンを注入するステップS2と、
酸化ガリウム単結晶ウェハ及び高熱伝導率基板を含む第1複合構造が得られるように、前記注入面と高熱伝導性基板とを金属結合又は陽極結合によって結合するステップS3と、
第1複合構造における酸化ガリウム単結晶ウェハが第1損傷層及び第2損傷層を形成する注入欠陥層に沿って剥離され、第1損傷層、第1酸化ガリウム層及び高熱伝導率基板を含む第2複合構造並びに第2損傷層及び第2酸化ガリウム層を含む第3複合構造が得られるように、第1複合構造をアニーリング処理するステップS4と、
第1損傷層を除去し、第1酸化ガリウム層及び高熱伝導率基板を含む酸化ガリウム半導体構造を得られるように、第2複合構造を表面処理するステップS5と、を含み、
前記ステップS2において、イオン注入のエネルギは、30keV~1000keVであり、注入用量は、5×10 17 ions/cm 2 ~6×10 17 ions/cm 2 であり、注入温度は、-20℃~30℃であり、
前記ステップS4において、アニーリング処理は、真空環境又は窒素、酸素及び不活性ガスのうちの少なくとも一つによって形成される保護雰囲気で行われ、アニーリング温度は、150℃から700℃であり、アニーリング時間は、30分から24時間であり、
あらかじめ設定された深さは、230nm~20μmである、
ことを特徴とする酸化ガリウム半導体構造の調製方法。 - 前記酸化ガリウム単結晶ウェハは、α型酸化ガリウム単結晶ウェハ又はβ型酸化ガリウム単結晶ウェハである、
ことを特徴とする請求項1に記載の調製方法。 - 前記ステップS2において、前記注入面からHイオン及び/又はHeイオンが注入される、
ことを特徴とする請求項1に記載の調製方法。 - 前記高熱伝導率基板は、シリコン基板、酸化シリコン基板、ダイヤモンド基板、窒化アルミニウム基板及び炭化ケイ素基板のうちの一つの高熱伝導率基板、又はそれらの少なくとも二つを複合して形成される複合基板から選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載の調製方法。 - 前記ステップS5において、前記表面処理は、化学的機械的研磨、化学的エッチング、プラズマエッチング及び低エネルギイオンスパッタリングのうちの少なくとも一つから選択される、 ことを特徴とする請求項1に記載の調製方法。
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CN110854062B (zh) * | 2019-11-26 | 2020-08-11 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 氧化镓半导体结构、mosfet器件及制备方法 |
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CN112071760B (zh) * | 2020-10-16 | 2022-10-28 | 深圳力堃科技有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法 |
CN114628229A (zh) * | 2020-12-11 | 2022-06-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种多层半导体材料结构及制备方法 |
CN113097352B (zh) * | 2021-04-02 | 2022-03-08 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 氮化镓半导体结构、Micro LED器件及制备方法 |
CN114525585A (zh) * | 2022-01-05 | 2022-05-24 | 西安电子科技大学 | 采用预铺Ga层在金刚石上外延β-Ga2O3薄膜的制备方法及结构 |
CN115863149B (zh) * | 2022-12-12 | 2023-07-21 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 氧化镓结构的制备方法 |
CN116377582A (zh) * | 2023-05-30 | 2023-07-04 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种氧化镓薄膜及其生长方法和应用 |
CN116864540A (zh) * | 2023-09-04 | 2023-10-10 | 西安电子科技大学 | 一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管及其制备方法 |
CN117577518A (zh) * | 2023-11-20 | 2024-02-20 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001048825A1 (fr) | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procédé de production de tranche collée |
JP2001274368A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法およびこの方法で製造された貼り合わせウエーハ |
CN107680899A (zh) | 2017-09-14 | 2018-02-09 | 西安电子科技大学 | 基于智能剥离技术制备异质(Ga1‑xAlx)2O3的方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6251754B1 (en) * | 1997-05-09 | 2001-06-26 | Denso Corporation | Semiconductor substrate manufacturing method |
US8507361B2 (en) * | 2000-11-27 | 2013-08-13 | Soitec | Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material |
EP1598450B1 (en) * | 2003-02-24 | 2011-09-21 | Waseda University | Beta-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD |
CN106098756B (zh) * | 2011-09-08 | 2019-12-17 | 株式会社田村制作所 | Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法 |
CN102945795B (zh) | 2012-11-09 | 2015-09-30 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种宽禁带半导体柔性衬底的制备方法 |
CN103021814A (zh) * | 2012-12-25 | 2013-04-03 | 上海新储集成电路有限公司 | 一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法 |
JP6208572B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2017-10-04 | イビデン株式会社 | SiCウェハの製造方法、SiC半導体の製造方法及び黒鉛炭化珪素複合基板 |
KR101591842B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2016-02-04 | 세메스 주식회사 | 배관 어셈블리 및 이를 가지는 기판처리장치 |
JP2014199939A (ja) | 2014-06-10 | 2014-10-23 | 株式会社タムラ製作所 | 結晶積層構造体及び半導体素子 |
JP2016031953A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子及びその製造方法、半導体基板、並びに結晶積層構造体 |
CN105374664A (zh) | 2015-10-23 | 2016-03-02 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种InP薄膜复合衬底的制备方法 |
JP2017114694A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 信越化学工業株式会社 | 化合物半導体積層基板及びその製造方法、並びに半導体素子 |
KR101622892B1 (ko) * | 2015-12-30 | 2016-05-19 | (주)에스 이 티 | 아크챔버의 내벽에 격자패턴을 형성하는 방법 및 이 격자패턴을 포함하는 이온주입장치의 아크챔버 |
CN106992140A (zh) * | 2016-01-20 | 2017-07-28 | 沈阳硅基科技有限公司 | 一种采用激光裂片技术制备soi硅片的方法 |
CN105957831A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-09-21 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法 |
CN105895576B (zh) | 2016-07-06 | 2020-04-03 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法 |
CN107039245B (zh) * | 2017-04-20 | 2020-01-21 | 中国科学院微电子研究所 | 提高氧化镓材料导热性的方法 |
CN109671612B (zh) | 2018-11-15 | 2020-07-03 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种氧化镓半导体结构及其制备方法 |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
WO2001048825A1 (fr) | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procédé de production de tranche collée |
JP2001274368A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法およびこの方法で製造された貼り合わせウエーハ |
CN107680899A (zh) | 2017-09-14 | 2018-02-09 | 西安电子科技大学 | 基于智能剥离技术制备异质(Ga1‑xAlx)2O3的方法 |
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