JP7313968B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
本実施形態を実施するに際し、まず、図1に示すように、ベースウエーハ10のデバイス12が形成された表面10a側に、図示しないボンド層を形成し、該ボンド層を介して剛性のあるハード基板20を貼着する。ハード基板20の材質等は特に限定されないが、ハード基板20は、例えば、ガラス基板により構成され、平面視でベースウエーハ10と略同一の形状をなす基板である。
上記したハード基板貼着工程を実施したならば、ベースウエーハ10の裏面10bを研削してデバイス12に対応して埋設された電極を裏面10bに露出させる電極露出工程を実施する。図2を参照しながら、より具体的に説明する。
上記したように、電極露出工程を実施したならば、ベースウエーハ10の裏面10bの各デバイス12に対応する位置にDRAM等のメモリーチップ18を積層するメモリーチップ積層工程、及びベースウエーハ10の分割予定ライン14を間引いて切断して、その後被覆されるモールド樹脂によって発生させられる応力を緩和させる応力緩和工程を実施する。このメモリーチッップ積層工程と応力緩和工程とを実施する場合、いずれを先に実施してもよく、図3、及び図4を参照しながら、メモリーチッップ積層工程と応力緩和工程とを実施する2つの実施形態について説明する。
上記したように、メモリーチップ積層工程、応力緩和工程を実施したならば、メモリーチップ18が積層された裏面10b側にモールド樹脂を被覆するモールド樹脂被覆工程を実施する。
10a:表面
10b:裏面
12:デバイス
14:分割予定ライン
16:電極
18:メモリーチップ
20:ハード基板
30:研削装置
31:チャックテーブル
32:研削手段
33:ホイールマウント
34:研削ホイール
36:研削砥石
40:切削装置
41:チャックテーブル
42:切削手段
43:回転スピンドル
44:切削ブレード
50:モールド樹脂供給ノズル
52:モールド樹脂
100:切削溝
C:パッケージデバイス
Claims (2)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたベースウエーハにメモリーチップを積層し、樹脂でモールドされたパッケージデバイスを生成するウエーハの加工方法であって、
ベースウエーハの表面にボンド層を介してハード基板を貼着するハード基板貼着工程と、
ベースウエーハの裏面を研削してデバイスに埋設された電極を裏面に露出させる電極露出工程と、
ベースウエーハの裏面の各デバイスに対応する位置にメモリーチップを積層するメモリーチップ積層工程と、
メモリーチップが積層された側にモールド樹脂を被覆するモールド樹脂被覆工程と、
を少なくとも含み、
該モールド樹脂被覆工程を実施する前に、ベースウエーハの分割予定ラインを間引いて切断して該モールド樹脂被覆工程後に生じるモールド樹脂の応力を緩和させる応力緩和工程を実施するウエーハの加工方法。 - 該モールド樹脂被覆工程の後、ベースウエーハの樹脂でモールドされた側をダイシングテープに貼着し、ハード基板を剥離したベースウエーハの表面から分割予定ラインを切断して、樹脂でモールドされたパッケージデバイスを生成する請求項1に記載のウエーハの加工方法。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JP2000124168A (ja) | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001127206A (ja) | 1999-08-13 | 2001-05-11 | Citizen Watch Co Ltd | チップスケールパッケージの製造方法及びicチップの製造方法 |
JP2002141443A (ja) | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014225546A (ja) | 2013-05-16 | 2014-12-04 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置の製造方法 |
JP2016225511A (ja) | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124168A (ja) | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001127206A (ja) | 1999-08-13 | 2001-05-11 | Citizen Watch Co Ltd | チップスケールパッケージの製造方法及びicチップの製造方法 |
JP2002141443A (ja) | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014225546A (ja) | 2013-05-16 | 2014-12-04 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置の製造方法 |
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