JP7305033B2 - 電力変換装置の駆動回路及びその応用装置 - Google Patents
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Description
各前記パワー半導体デバイスの制御端は、それぞれの駆動抵抗を介して、対応する前記分離モジュールの出力端に接続されており、
各前記分離モジュールの電源端は、それぞれ対応する前記分離電源の出力端に接続されており、対応する駆動電圧を受信し、
各前記分離モジュールの入力端は、それぞれ前記電力変換装置におけるコントローラの対応する第1の出力端に接続されており、対応するパワー半導体デバイスのPWM(Pulse-Width Modulation、パルス幅変調)信号を受信し、
前記分離電源の入力端は、前記電源切替回路の出力端に接続されており、
前記電源切替回路の入力端は、電源に接続されており、
前記電源切替回路の制御端は、前記コントローラの第2の出力端に接続されており、駆動電圧制御信号を受信し、前記電源切替回路は、各前記分離モジュールの駆動電圧が、前記電力変換装置が過渡遷移プロセスにある場合、所定電圧に等しく、前記電力変換装置が正常動作状態にある場合、正常電圧に等しくなるように、前記駆動電圧制御信号に基づき、それ自体の出力を変更する。
前記第1のブランチと前記第2のブランチとのうちの少なくとも1つには、前記電源切替回路の制御端として、制御端が設けられ、
前記第1のブランチの入力端は、前記電源切替回路の1つの入力端として、第1の電源に接続されており、
前記第2のブランチの入力端は、前記電源切替回路の他の入力端として、第2の電源に接続されており、
前記第1のブランチの出力端及び前記第2のブランチの出力端はいずれも前記コンデンサの一端に接続され、接続点は前記電源切替回路の出力端正極とされ、
前記コンデンサの他端は接地されており、前記電源切替回路の出力端負極とされる。
前記第1のダイオードの陰極は、前記第1のブランチの出力端とされ、
前記第1のダイオードの陽極は、前記第1の電流制限抵抗の一端に接続されており、
前記第1の電流制限抵抗の他端は、前記第1のブランチの入力端とされ、
前記第2のダイオードの陰極は、前記第2のブランチの出力端とされ、
前記第2のダイオードの陽極は、前記第2の電流制限抵抗を介して前記第1の電子スイッチの出力端に接続されており、
前記第1の電子スイッチの入力端は、前記第2のブランチの入力端とされ、
前記第1の電子スイッチの制御端は、前記電源切替回路の制御端とされる。
前記第1の電子スイッチの制御端は、前記電源切替回路の制御端であり、
前記第1の電子スイッチの制御端はさらに、逆変換器を介して前記第2の電子スイッチの制御端に接続される。
前記駆動電圧制御信号は、前記電力変換装置が正常動作状態にある場合、前記第1の電子スイッチをオンになるように制御し、前記電力変換装置が過渡遷移プロセスにある場合、前記第1の電子スイッチをオフになるように制御する信号である。
または、前記第2の電源の電圧は、前記第1の電源の電圧に等しく、前記第1の電流制限抵抗の抵抗値は、前記第2の電流制限抵抗の抵抗値よりも大きく、
或いは、前記第2の電源の電圧は、前記第1の電源の電圧よりも大きく、前記第1の電流制限抵抗の抵抗値は、前記第2の電流制限抵抗の抵抗値よりも大きい。
各前記パワー半導体デバイスの制御端は、それぞれの駆動抵抗を介して対応する前記増幅回路の出力端に接続されており、
各前記増幅回路の入力端はそれぞれ対応する前記分離モジュールの出力端に接続される。
前記コントローラは、前記駆動回路を介してM個の電力変換モジュールにおける各パワー半導体デバイスの制御端に接続される。
M個の電力変換モジュールは、少なくとも1つのインバータ回路を含み、
前記コントローラは、前記駆動回路を介してM個の電力変換モジュールにおける各パワー半導体デバイスの制御端に接続される。
各パワー半導体デバイスの制御端は、それぞれの駆動抵抗を介して対応する分離モジュール30の出力端に接続される。
各パワー半導体デバイスの制御端は、それぞれの駆動抵抗を介して、対応する増幅回路40の出力端に接続されており、各増幅回路40の入力端はそれぞれ、対応する分離モジュール30の出力端に接続される。
インバータが動作状態にある場合、そのコントローラ430は、駆動回路410における各分離モジュール30に、対応するパワー半導体デバイスのPWM信号を出力することで、対応するパワー半導体デバイスをオン/オフになるように制御する。動作状態は、正常動作状態、低電圧ライドスルー、高電圧ライドスルー、起動プロセス及びシャットダウンなどの過渡遷移プロセスを含む。
Claims (11)
- 電力変換装置の駆動回路であって、少なくとも1つの電源切替回路、N個の分離モジュール及び少なくとも1つの分離電源を含み、Nは、電力変換装置の主回路におけるパワー半導体デバイスの数であり、且つ正の整数であり、
各前記パワー半導体デバイスの制御端は、それぞれの駆動抵抗を介して、対応する前記分離モジュールの出力端に接続されており、
各前記分離モジュールの電源端は、それぞれ対応する前記分離電源の出力端に接続されており、対応する駆動電圧を受信し、
各前記分離モジュールの入力端は、それぞれ前記電力変換装置におけるコントローラの対応する第1の出力端に接続されており、対応するパワー半導体デバイスのパルス幅変調PWM信号を受信し、
前記分離電源の入力端は、前記電源切替回路の出力端に接続されており、
前記電源切替回路の入力端は、電源に接続されており、
前記電源切替回路は、コンデンサ、及び出力電圧が異なる第1のブランチ、第2のブランチを含み、
前記電源切替回路の制御端は、前記コントローラの第2の出力端に接続されており、駆動電圧制御信号を受信し、
前記電源切替回路は、各前記分離モジュールの駆動電圧が、前記電力変換装置が過渡遷移プロセスにある場合、所定電圧に等しく、各パワー半導体デバイスのオン/オフの速度を落とし、前記電力変換装置が正常動作状態にある場合、所定電圧とは異なる正常電圧に等しくなるように、前記駆動電圧制御信号に基づき、それ自体の出力を変更する、ことを特徴とする電力変換装置の駆動回路。 - 前記第1のブランチと前記第2のブランチとのうちの少なくとも1つには、前記電源切替回路の制御端として、制御端が設けられ、
前記第1のブランチの入力端は前記電源切替回路の1つの入力端として、第1の電源に接続されており、
前記第2のブランチの入力端は前記電源切替回路の他の入力端として、第2の電源に接続されており、
前記第1のブランチの出力端及び前記第2のブランチの出力端はいずれも前記コンデンサの一端に接続されており、接続点は前記電源切替回路の出力端正極とされ、
前記コンデンサの他端は接地されており、前記電源切替回路の出力端負極とされる、ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置の駆動回路。 - 前記第1のブランチは、第1の電流制限抵抗と第1のダイオードとを含み、前記第2のブランチは、直列接続された第2の電流制限抵抗と、第1の電子スイッチと、第2のダイオードとを含み、
前記第1のダイオードの陰極は、前記第1のブランチの出力端とされ、
前記第1のダイオードの陽極は、前記第1の電流制限抵抗の一端に接続され、
前記第1の電流制限抵抗の他端は、前記第1のブランチの入力端とされ、
前記第2のダイオードの陰極は、前記第2のブランチの出力端とされ、
前記第2のダイオードの陽極は、前記第2の電流制限抵抗を介して前記第1の電子スイッチの出力端に接続されており、
前記第1の電子スイッチの入力端は、前記第2のブランチの入力端とされ、
前記第1の電子スイッチの制御端は、前記電源切替回路の制御端とされる、ことを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置の駆動回路。 - 前記第1のブランチは、直列接続された第1の電流制限抵抗と第2の電子スイッチとを含み、前記第2のブランチは、直列接続された第2の電流制限抵抗と第1の電子スイッチとを含み、
前記第1の電子スイッチの制御端は、前記電源切替回路の制御端であり、
前記第1の電子スイッチの制御端はさらに、逆変換器を介して前記第2の電子スイッチの制御端に接続される、ことを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置の駆動回路。 - 前記第2の電源の電圧は、前記第1の電源の電圧よりも大きく、前記第1の電流制限抵抗の抵抗値は、前記第2の電流制限抵抗の抵抗値に等しく、
または、前記第2の電源の電圧は、前記第1の電源の電圧に等しく、前記第1の電流制限抵抗の抵抗値は、前記第2の電流制限抵抗の抵抗値よりも大きく、
或いは、前記第2の電源の電圧は、前記第1の電源の電圧よりも大きく、前記第1の電流制限抵抗の抵抗値は、前記第2の電流制限抵抗の抵抗値よりも大きく、することによって、前記第1のブランチの出力電圧が前記第2のブランチの出力電圧よりも小さいようにし、
前記駆動電圧制御信号は、前記電力変換装置が正常動作状態にある場合、前記第1の電子スイッチをオンになるように制御し、前記電力変換装置が過渡遷移プロセスにある場合、前記第1の電子スイッチをオフになるように制御する信号である、ことを特徴とする請求項3または4に記載の電力変換装置の駆動回路。 - 前記第1の電子スイッチは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタMOSFET、トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT、及びMOSFET、トランジスタ、IGBTのうちの少なくとも2つの組み合わせのいずれかである、ことを特徴とする請求項3に記載の電力変換装置の駆動回路。
- さらに増幅回路を含み、
各前記パワー半導体デバイスの制御端は、それぞれの駆動抵抗を介して対応する前記増幅回路の出力端に接続されており、
各前記増幅回路の入力端は、それぞれ対応する前記分離モジュールの出力端に接続される、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電力変換装置の駆動回路。 - 前記分離電源は、開ループ制御を採用する、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電力変換装置の駆動回路。
- 前記分離モジュールは、分離フォトカプラ、分離型容量結合及び分離型磁気結合のいずれかである、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電力変換装置の駆動回路。
- 電力変換装置であって、コントローラ、M個の電力変換モジュール及び請求項1から9のいずれか1項に記載の駆動回路を含み、Mは、正の整数であり、
前記コントローラは、前記駆動回路を介して、M個の電力変換モジュールにおける各パワー半導体デバイスの制御端に接続される、ことを特徴とする電力変換装置。 - インバータであって、コントローラ、M個の電力変換モジュール、及び請求項1から9のいずれか1項に記載の駆動回路を含み、Mは、正の整数であり、
M個の電力変換モジュールは少なくとも1つのインバータ回路を含み、
前記コントローラは、前記駆動回路を介して、M個の電力変換モジュールにおける各パワー半導体デバイスの制御端に接続される、ことを特徴とするインバータ。
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110729880B (zh) * | 2019-11-18 | 2021-06-11 | 阳光电源股份有限公司 | 电力变换装置的驱动电路及其应用装置 |
CN116826687A (zh) * | 2020-11-18 | 2023-09-29 | 华为技术有限公司 | 一种供电***、缓启动电路及控制方法 |
CN112444755B (zh) * | 2020-11-18 | 2023-10-20 | 许继集团有限公司 | 一种继电保护装置电源自检功能检测***及检测方法 |
CN112558674B (zh) * | 2020-12-02 | 2023-02-21 | 浙江中控技术股份有限公司 | 一种模拟量电流输出*** |
CN112234962A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-01-15 | 杭州飞仕得科技有限公司 | 一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路 |
CN113992070B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-06-25 | 东风汽车集团股份有限公司 | 一种电机供电***及其控制方法和控制设备 |
CN114578119B (zh) * | 2022-03-29 | 2024-04-12 | 合肥工业大学 | 基于并联SiC MOSFET动静态参数影响下的电流测量*** |
CN116800246B (zh) * | 2023-06-09 | 2024-04-09 | 陕西星环聚能科技有限公司 | 隔离电路和聚变拍摄装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012249357A (ja) | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電圧制御型スイッチング素子のゲート駆動回路 |
JP2014045562A (ja) | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Panasonic Corp | インバータ装置 |
JP2014175886A (ja) | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Panasonic Corp | ゲート駆動回路およびゲート駆動方法 |
JP2016077057A (ja) | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 日新電機株式会社 | 半導体スイッチング素子の駆動回路 |
CN107027205A (zh) | 2016-02-02 | 2017-08-08 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 电磁加热装置及电磁加热装置中功率开关管的驱动电路 |
CN209001922U (zh) | 2018-07-19 | 2019-06-18 | 西安理工大学 | 一种SiC MOSFET驱动电路*** |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0631390B1 (en) * | 1993-06-22 | 1999-09-01 | Philips Electronics Uk Limited | A power semiconductor circuit |
JP3421507B2 (ja) * | 1996-07-05 | 2003-06-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の駆動回路 |
JP3132648B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2001-02-05 | 富士電機株式会社 | 電力変換器におけるゲート駆動回路 |
JP2009278704A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置 |
US8704409B2 (en) * | 2009-10-28 | 2014-04-22 | Zhiwei Chen | High speed solid-state relay with controller |
JP2012049946A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Toyota Motor Corp | 電圧駆動型素子を駆動する駆動装置 |
US9793889B2 (en) * | 2011-03-15 | 2017-10-17 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including a circuit to compensate for parasitic inductance |
CN102893525B (zh) * | 2011-05-19 | 2013-12-25 | 丰田自动车株式会社 | 对电压驱动型元件进行驱动的驱动装置 |
CN102437803A (zh) * | 2011-12-23 | 2012-05-02 | 东南大学 | 低成本、高隔离特性的开关磁阻电机自举式驱动电路 |
CN102801339B (zh) * | 2012-08-28 | 2014-07-16 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 一种低待机功耗的交直流电压转换电路及其控制方法 |
CN204349777U (zh) * | 2014-12-26 | 2015-05-20 | 深圳青铜剑电力电子科技有限公司 | 一种igbt驱动用的隔离电源 |
WO2016121114A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | デジタル出力回路、プリント配線基板および工業機器 |
CN204465496U (zh) * | 2015-04-09 | 2015-07-08 | 陕西航晶微电子有限公司 | 一种隔离式高端驱动器 |
CN105337478A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-02-17 | 北京机械设备研究所 | 一种用于脉宽调制电压的反并联晶闸管驱动电路 |
CN205544904U (zh) * | 2016-02-02 | 2016-08-31 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 电磁加热装置及其功率开关管的驱动电路 |
CN106026623B (zh) * | 2016-06-23 | 2019-07-19 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种隔离式电子开关 |
CN208015701U (zh) * | 2018-03-09 | 2018-10-26 | 深圳市深图医学影像设备有限公司 | 一种igbt隔离控制驱动电路 |
CN110365197A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-10-22 | 上海地铁电子科技有限公司 | 地铁列车牵引逆变模块驱动板 |
CN110729880B (zh) * | 2019-11-18 | 2021-06-11 | 阳光电源股份有限公司 | 电力变换装置的驱动电路及其应用装置 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012249357A (ja) | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電圧制御型スイッチング素子のゲート駆動回路 |
JP2014045562A (ja) | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Panasonic Corp | インバータ装置 |
JP2014175886A (ja) | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Panasonic Corp | ゲート駆動回路およびゲート駆動方法 |
JP2016077057A (ja) | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 日新電機株式会社 | 半導体スイッチング素子の駆動回路 |
CN107027205A (zh) | 2016-02-02 | 2017-08-08 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 电磁加热装置及电磁加热装置中功率开关管的驱动电路 |
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