JP7303822B2 - 蛍光体及び発光装置 - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 167
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 67
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 claims description 16
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H sodium hexametaphosphate Chemical compound [Na]OP1(=O)OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])O1 GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 5
- 235000019982 sodium hexametaphosphate Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 claims description 5
- 238000004438 BET method Methods 0.000 claims description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 68
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 28
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 19
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 15
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 4
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000995 Spectralon Polymers 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 2
- -1 that is Substances 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
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- Materials Engineering (AREA)
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
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Description
レーザー回折・散乱法で測定して体積頻度を基準とするD10、D50、D90(単位はそれぞれ[μm])に関し、D50が10μm以下であり、D10、D50、D90の値が下記式2の関係を満たす、β型サイアロン蛍光体。
式1:Si12-aAlaObN16-b:Eux
(式中、0<a≦3;0<b≦3;0<x≦0.1)
式2:(D90-D10)/D50<1.6
(ただし、前記レーザー回折・散乱法で測定して体積頻度を基準とするD10、D50、D90(単位は、それぞれ[μm])が、測定する蛍光体0.5gを、ヘキサメタリン酸ナトリウムを0.05wt%混合したイオン交換水溶液100ml中に投入し、これを発振周波数19.5±1kHz、振幅が32±2μmの超音波ホモジナイザーを用い、チップを液の中央部に配置して3分間分散処理した液を用いた測定値である。)
式3:D50/DBET<2.1
本発明の蛍光体は、Si12-aAlaObN16-b:Eux(式中、0<a≦3;0<b≦3;0<x≦0.1)の式で表されるβ型サイアロン蛍光体である。
実施例1のβ型サイアロン蛍光体は、以下に詳述する、出発原料を混合した原料粉末を焼成する焼成工程、焼成工程で得られた焼成物を一旦粉末化した後に実施する低温焼成工程(アニール工程)、低温焼成工程後に得られた低温焼成粉末から不純物を除去する酸処理工程、酸処理工程後の粉末から、さらに超微粉を除去するデカンテーション工程の各工程を経て製造した。
実施例1の蛍光体出発原料として、各元素がモル比としてSi:Al:O:Eu=5.83:0.18:0.18:0.03となるように、窒化ケイ素粉末(宇部興産社製SN-E10グレード)、窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製Eグレード)、酸化アルミニウム粉末(大明化学社製TM-DARグレード)、酸化ユウロピウム(信越化学社製RUグレード)を配合して混合した。なお窒素分は上記モル比に合わせて原料を配合した際に定まる。これら各出発原料は十分分散させて混合させるために、小型ミルミキサーで混合した。その後、目開き150μmの篩を全通させて凝集物を取り除き、これを原料粉末とした。
前記原料粉末を、蓋付き円筒型窒化ホウ素製容器(デンカ社製)に充填し、カーボンヒーターの電気炉で0.9MPaの加圧窒素雰囲気中、1900℃で5時間の焼成を行い、焼成物を得た。
準備段階として前記焼成工程で得た焼成物を、湿式のボールミル(ジルコニアボール)を用いて2時間粉砕した後、ろ過、乾燥を経て、公称目開き45μmの篩に通した。これを円筒型窒化ホウ素製容器中に充填し、さらにカーボンヒーターを備える電気炉中で、大気圧のアルゴンフロー雰囲気下、1500℃で7時間保持を行い、低温焼成粉末を得た。
前記低温焼成粉末を、フッ化水素酸と硝酸との混酸中に浸した。次いで60℃以上で3時間加熱処理した。加熱処理後の低温焼成粉末は、純水で十分洗浄してから乾燥し、さらに45μm篩に通して、酸処理工程後の粉末を得た。なお、焼成工程中に、原料粉末の副反応により生成するSiOのような酸素を含む化合物が揮発することにより、原料粉末に含まれる酸素含有量より、焼成工程で得られる焼成物に含まれる酸素の含有量の方が低下する傾向となるため、焼成後にβ型サイアロン蛍光体中に固溶しなかった酸素やアルミニウム、ユウロピウムを含む、β型サイアロン蛍光体以外の化合物(異相)が生成することがある。異相のほとんど又はその一部は、酸処理工程により溶解され、除去される。
酸処理工程後の粉末から、超微粉を除去するために、酸処理工程後の粉末が沈降しつつある上澄み液の微粉を除去するデカンテーション工程を実施し、得られた沈殿物をろ過、乾燥し、更に目開き45μmの篩を通過させ、最終的に実施例1のβ型サイアロン蛍光体を得た。なおデカンテーションの操作は、ストークスの式より、2μm以下の粒子を除去する設定で蛍光体粒子の沈降時間を計算し、沈降開始から所定時間に達したと同時に、所定高さ以上の上澄み液を除去する方法で実施した。分散媒にはヘキサメタリン酸Naを0.05wt%混合したイオン交換水の水溶液を用い、円筒状容器の所定高さに吸入口を設置した管より上方の液を吸い上げて、上澄み液を除去することができるようにした装置を用いた。デカンテーションの操作は繰り返し実施した。
実施例2の蛍光体の製造では、焼成工程の焼成温度、焼成時間を2000℃、18時間とし、さらに低温熱処理工程(アニール工程)の準備段階であるボールミル粉砕の処理時間は40時間とした。他の工程は実施例1と同じ条件で操作を進め、実施例2のβ型サイアロン蛍光体を得た。
実施例3の蛍光体の製造では、焼成工程の焼成温度を1960℃とした他は、実施例1と同じ条件で操作を進め、実施例3のβ型サイアロン蛍光体を得た。
比較例1の蛍光体の製造では、デカンテーション工程による超微粉の除去、ろ過、乾燥、45μm篩を実施せずに超微粉が残った状態を維持し、他の工程は実施例1と同じ条件で操作を進め、比較例1のβ型サイアロン蛍光体を得た。
比較例2の蛍光体の製造では、低温熱処理工程(アニール工程)の準備段階であるボールミル粉砕の処理時間は2時間とした。他の工程は実施例2と同じ条件で操作を進めたが、デカンテーション工程後、さらに湿式法によるボールミル粉砕を40時間実施し、ろ過、乾燥、45μm篩を経て比較例2のβ型サイアロン蛍光体を得た。
比較例3の蛍光体の製造では、酸処理工程の後のデカンテーション工程による微粉除去、ろ過、乾燥、45μm篩を実施せず、超微粉が残った状態を維持し、他の工程は実施例2と同じ条件で操作を進め、比較例3のβ型サイアロン蛍光体を得た。
実施例4の蛍光体の製造では、デカンテーション工程後、さらに湿式法によるボールミル粉砕を2時間実施した。他の工程は比較例2と同じ条件で操作を進め、実施例4のβ型サイアロン蛍光体を得た。
比較例4の蛍光体の製造では、低温熱処理工程(アニール工程)の準備段階であるボールミル粉砕の処理時間は2時間とした。他の工程は比較例3と同じ条件で操作を進め、比較例4のβ型サイアロン蛍光体を得た。
比較例5の蛍光体の製造では、比較例4の条件で酸処理工程まで実施し、その後のデカンテーション工程では、10μm以下の粒子を除去する設定で実施し、比較例5のβ型サイアロン蛍光体を得た。
実施例5の蛍光体の製造では、実施例1のβ型サイアロン蛍光体を、さらに湿式ボールミルで2時間粉砕処理し、ろ過、乾燥、45μm篩による分級操作を実施後、2μm以下の微粉末を除去する設定でデカンテーション操作、ろ過、乾燥を経て、45μmの篩に通し、実施例5のβ型サイアロン蛍光体を得た。
比較例6の蛍光体の製造では、実施例5と同じ条件で処理を行ったが、最終のデカンテーション操作及びそれ以降の処理を行わず、比較例6のβ型サイアロン蛍光体を得た。
実施例6の蛍光体は、出発原料として、各元素がモル比としてSi:Al:O:Eu=5.97:0.03:0.03:0.013となるように、窒化ケイ素粉末(宇部興産社製SN-E10グレード)、窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製Eグレード)、酸化アルミニウム粉末(大明化学社製TM-DARグレード)、酸化ユウロピウム(信越化学社製RUグレード)を配合して混合し、低温熱処理工程(アニール工程)の準備段階であるボールミル粉砕の処理時間は2時間とし、それ以外は実施例2と同じ条件で処理して、実施例6のβ型サイアロン蛍光体を得た。
比較例7の蛍光体の製造では、酸処理工程後のデカンテーション工程による微粉除去、ろ過、乾燥、45μm篩を通す処理を実施せずに、超微粉が残った状態を維持し、他の工程は実施例6と同じ条件で処理して、比較例7のβ型サイアロン蛍光体を得た。
実施例7の蛍光体は、出発原料として、各元素がモル比としてSi:Al:O:Eu=5.90:0.10:0.10:0.02となるように窒化ケイ素粉末(宇部興産社製SN-E10グレード)、窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製Eグレード)、酸化アルミニウム粉末(大明化学社製TM-DARグレード)、酸化ユウロピウム(信越化学社製RUグレード)を配合し、他の工程は実施例1と同じ条件で処理して、実施例7のβ型サイアロン蛍光体を得た。
比較例8の蛍光体の製造では、酸処理工程後のデカンテーション工程による微粉除去、ろ過、乾燥、45μm篩を通す処理を実施せずに、超微粉が残った状態を維持し、他の工程は実施例7と同じ条件で処理して、比較例8のβ型サイアロン蛍光体を得た。
実施例、比較例の各サンプルについて、X線回折装置(株式会社リガク製UltimaIV)を用い、CuKα線を用いた粉末X線回折パターンによりその結晶構造を確認した。この結果、得られた実施例1~7、比較例1~8の各サンプルの粉末X線回折パターンに、β型サイアロン結晶と同一の回折パターンが認められ、これらはβ型サイアロン蛍光体であることが確認された。
実施例、比較例の各β型サイアロン蛍光体のD10、D50、D90、D99、D100粒子径は、レーザー回折・散乱法の粒子径測定装置であるMicrotrac MT3300EXII(マイクロトラック・ベル株式会社)により測定した。測定手順としては、ヘキサメタリン酸ナトリウムを0.05wt%混合したイオン交換水の水溶液100mlに、測定する蛍光体0.5gを投入し、超音波ホモジナイザー、Ultrasonic Homogenizer US-150E(株式会社日本精機製作所)、Amplitude100%、発振周波数19.5±1kHz、チップサイズ20φ、振幅32±2μmで、チップを液の中央部に配置して3分間分散処理した後、前記MT3300EXIIで粒度測定した。得られた蛍光体の粒度分布から、D50、小粒子径側からの体積の累積で10%の粒子径であるD10、小粒子径側からの体積の累積で90%であるD90、同様に99%であるD99、同様に100%であるD100の各粒子径(単位は[μm])を求めた。
実施例、比較例の各β型サイアロン蛍光体の、BET法で測定した比表面積から算出する平均粒子径DBET[μm]は、空気透過法で測定した比表面積から以下の式に従って算出することができる。
DBET=6/(V×G)
ここでVは、測定対象材料の空気透過法で求めた比表面積[μm2/g]であり、Gは測定対象材料の密度[g/μm3]を示す。
実施例、比較例の各β型サイアロン蛍光体の455nm光吸収率、内部量子効率、外部量子効率、及び色度Xは、以下の手順で算出した。
即ち、測定する実施例、比較例の蛍光体を、凹型セルに表面が平滑になるように充填し、積分球の開口部に取り付けた。この積分球内に、発光光源(Xeランプ)から455nmの波長に分光した単色光を、光ファイバーを用いて蛍光体の励起光として導入した。この単色光を蛍光体試料に照射し、試料の蛍光スペクトルを分光光度計(大塚電子株式会社製MCPD-7000)を用いて測定した。得られたスペクトルデータから、励起反射光フォトン数(Qref)及び蛍光フォトン数(Qem)を算出した。励起反射光フォトン数は、励起光フォトン数と同じ波長範囲で、蛍光フォトン数は、465~800nmの範囲で算出した。
また同じ装置を用い、積分球の開口部に反射率が99%の標準反射板(Labsphere社製スペクトラロン(登録商標))を取り付けて、波長455nmの励起光のスペクトルを測定した。その際、450~465nmの波長範囲のスペクトルから励起光フォトン数(Qex)を算出した。
実施例、比較例のβ型サイアロンの455nm光吸収率、内部量子効率は、次に示す計算式によって、求めた。
455nm光吸収率=((Qex-Qref)/Qex)×100
内部量子効率=(Qem/(Qex-Qref))×100
なお、外部量子効率は、以下に示す計算式により求められた。
外部量子効率=(Qem/Qex)×100
従って、上記式より外部量子効率は以下に示す関係となる。
外部量子効率=455nm光吸収率×内部量子効率
実施例、比較例のβ型サイアロンの拡散反射率は、日本分光社製紫外可視分光光度計(V-550)に積分球装置(ISV-469)を取り付けて測定した。標準反射板(スペクトラロン(登録商標))でベースライン補正を行い、蛍光体粉末を充填した固体試料ホルダーを取り付けて、500~850nmの波長範囲で拡散反射率を測定した。本発明でいう800nm拡散反射率とは、特に800nmにおける拡散反射率の値である。
実施例、比較例のβ型サイアロンの600nm光吸収率は、以下の手順により測定した。即ち積分球の開口部に、反射率が99%の標準反射板(Labsphere社製スペクトラロン(登録商標))をセットし、この積分球内に、発光光源(Xeランプ)から600nmの波長に分光した単色光を光ファイバーにより導入し、反射光スペクトルを分光光度計(大塚電子株式会社製MCPD-7000)により測定した。その際、590~610nmの波長範囲のスペクトルから入射光フォトン数(Qex(600))を算出した。
600nm光吸収率=((Qex(600)-Qref(600))/Qex(600))×100
β型サイアロン蛍光体が3wt%となるようにβ型サイアロン蛍光体とシリコーン樹脂(東レダウコーニング株式会社OE6656)を計量し、一緒に自転公転式の混合機(株式会社シンキー製あわとり練太郎(登録商標)ARE-310)で混合した。また、同様にβ型サイアロン蛍光体が5wt%又は7wt%となるように上記のシリコーン樹脂と上記と同様に自転公転式の混合機で混合した。LEDの搭載は、凹型のパッケージ本体の底部にLEDを置いて、基板上の電極とワイヤボンディングした後、シリコーン樹脂と混合した蛍光体をマイクロシリンジから注入して行なった。搭載後、120℃で硬化させた後、110℃×10時間のポストキュアを施して封止した。LEDは、発光ピーク波長448nmで、チップ1.0mm×0.5mmの大きさのものを用いた。作成したLEDパッケージを全光束測定器で全光束、色度Yの測定を行った。作成条件が異なるβ型サイアロン蛍光体の全光束の比較方法は横軸を色度Y、縦軸を全光束のグラフを作成し、作成条件が異なるβ型サイアロン蛍光体ごとに近似曲線を計算し、近似曲線の関係式から色度Yが同等の時の全光束を計算し、作成条件の異なるβ型サイアロン蛍光体の全光束を相対値として比較を行った。色度Yのバラツキは上記のLEDの色度Yの測定方法でβ型サイアロン蛍光体の濃度を固定してLEDを20個作成し、全光束測定器で測定し、色度Yの標準偏差をとり、相対値として比較を行った。色度Yの標準偏差の相対値の比較として実施例1のβ型サイアロン蛍光体を使用した場合の標準偏差を100%として、標準偏差の相対値が123%以上となったβ型サイアロン蛍光体を、LEDの色度Yのバラツキが大きいと判定し、また123%未満となったβ型サイアロン蛍光体を、LEDの色度Yのバラツキが小さいと判定した。
まず表1-1に関し、実施例1と比較例1とを比べると、比較例1の方がD10の値は小さく、(D90-D10)/D50の値は大きく、D50に対して超微粉が多いと考えられる。また、D50/DBETの値は大きい。比較例1の方は内部量子効率が低く、超微粉を除去した実施例1の内部量子効率が高い。また、比較例1の方は600nm光吸収率が高く、Eu以外の余分な光を吸収する欠陥や異相などの存在が考えられる。800nm拡散反射率も実施例1が高く、Eu以外の余分な光を吸収する欠陥、異相などが少ないことが考えられる。また、455nm光吸収率は実施例1が高く、これは比表面積が大きく光を反射、散乱してしまう超微粉が少ないことが原因と考えられる。
Claims (5)
- 下記式1で示されるβ型サイアロン蛍光体であって、
レーザー回折・散乱法で測定して体積頻度を基準とするD10、D50、D90(単位はそれぞれ[μm])に関し、D50が4.3μm以下であり、D10、D50、D90の値が下記式2の関係を満たす、β型サイアロン蛍光体。
式1:Si12-aAlaObN16-b:Eux
(式中、0<a≦3;0<b≦3;0<x≦0.1)
式2:(D90-D10)/D50<1.6
(ただし、前記レーザー回折・散乱法で測定して体積頻度を基準とするD10、D50、D90(単位は、それぞれ[μm])が、測定する蛍光体0.5gを、ヘキサメタリン酸ナトリウムを0.05wt%混合したイオン交換水溶液100ml中に投入し、これを発振周波数19.5±1kHz、振幅が32±2μmの超音波ホモジナイザーを用い、チップを液の中央部に配置して3分間分散処理した液を用いた測定値である。) - 波長800nmの光に対する拡散反射率が95%以上である、請求項1に記載のβ型サイアロン蛍光体。
- 波長600nmの光に対する光吸収率が6%以下である、請求項1又は2に記載のβ型サイアロン蛍光体。
- β型サイアロン蛍光体の、BET法で測定した比表面積から算出した平均粒子径DBET[μm]と、前記レーザー回折・散乱法で測定したD50[μm]とが、下記式3の関係を満たす、請求項1~3のいずれか一項記載のβ型サイアロン蛍光体。
式3:D50/DBET<2.1 - 請求項1~4のいずれか一項記載のβ型サイアロン蛍光体を含むLED又は蛍光体シート又は蛍光体プレートを有する発光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018170866 | 2018-09-12 | ||
JP2018170866 | 2018-09-12 | ||
PCT/JP2019/032907 WO2020054350A1 (ja) | 2018-09-12 | 2019-08-22 | 蛍光体及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020054350A1 JPWO2020054350A1 (ja) | 2021-08-30 |
JP7303822B2 true JP7303822B2 (ja) | 2023-07-05 |
Family
ID=69777953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020546806A Active JP7303822B2 (ja) | 2018-09-12 | 2019-08-22 | 蛍光体及び発光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11377594B2 (ja) |
JP (1) | JP7303822B2 (ja) |
KR (1) | KR20210057100A (ja) |
CN (1) | CN112739797B (ja) |
TW (1) | TWI821389B (ja) |
WO (1) | WO2020054350A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021193182A1 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | ||
JPWO2021193183A1 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | ||
JP7507018B2 (ja) | 2020-07-03 | 2024-06-27 | デンカ株式会社 | β型サイアロン蛍光体の製造方法、波長変換部材の製造方法、及び発光装置の製造方法 |
KR20230043844A (ko) * | 2020-07-30 | 2023-03-31 | 덴카 주식회사 | 형광체 입자, 복합체, 파장 변환 부재 및 프로젝터 |
US20230407171A1 (en) * | 2020-11-13 | 2023-12-21 | Denka Company Limited | Phosphor powder, light-emitting device, image display device, and illumination device |
WO2024071305A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 蛍光体粉末、蛍光体含有組成物、蛍光体、発光素子、及び発光装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012052127A (ja) | 2006-11-20 | 2012-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 蛍光体及びその製造方法、並びに発光装置 |
JP2012056804A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | β型サイアロン及び発光装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS558817B2 (ja) | 1972-09-11 | 1980-03-06 | ||
JP3837588B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2006-10-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
JP4769132B2 (ja) | 2005-11-30 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
EP2175006B1 (en) | 2007-07-09 | 2013-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Group of phosphor particles, and light-emitting device using the same |
JP5508817B2 (ja) | 2009-11-05 | 2014-06-04 | 電気化学工業株式会社 | β型サイアロン蛍光体の製造方法 |
CN106796976B (zh) * | 2014-10-08 | 2019-04-19 | 首尔半导体株式会社 | 发光装置 |
-
2019
- 2019-08-22 CN CN201980059063.5A patent/CN112739797B/zh active Active
- 2019-08-22 US US17/272,827 patent/US11377594B2/en active Active
- 2019-08-22 JP JP2020546806A patent/JP7303822B2/ja active Active
- 2019-08-22 WO PCT/JP2019/032907 patent/WO2020054350A1/ja active Application Filing
- 2019-08-22 KR KR1020217010309A patent/KR20210057100A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-09-09 TW TW108132372A patent/TWI821389B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012052127A (ja) | 2006-11-20 | 2012-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 蛍光体及びその製造方法、並びに発光装置 |
JP2012056804A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | β型サイアロン及び発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112739797B (zh) | 2023-12-08 |
TW202018061A (zh) | 2020-05-16 |
TWI821389B (zh) | 2023-11-11 |
US11377594B2 (en) | 2022-07-05 |
CN112739797A (zh) | 2021-04-30 |
KR20210057100A (ko) | 2021-05-20 |
WO2020054350A1 (ja) | 2020-03-19 |
JPWO2020054350A1 (ja) | 2021-08-30 |
US20210189234A1 (en) | 2021-06-24 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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