JP7303226B2 - 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents

Description

本開示は、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラムに関する。

半導体装置の製造工程の一工程として、反応阻害ガスを用いて、基板の表面に設けられたトレンチ等の凹部内に膜を形成する工程が行われることがある（例えば特許文献１参照）。

特開２０１７－６９４０７号公報

しかしながら、反応阻害ガスを用いる場合、部分的に成膜反応が阻害され、結果として、トータルでの成膜レートが低下し、また、反応阻害ガスに含まれる成分が、形成される膜中に取り込まれ、膜質が劣化することがある。

本開示の目的は、基板の表面に設けられた凹部内に、高品質な膜を、高い成膜レートで形成することが可能な技術を提供することにある。

本開示の一態様によれば、
（ａ）表面に凹部が設けられた基板に対して、原料の吸着を抑制する吸着抑制剤を供給し、前記凹部内の上部の吸着サイトに前記吸着抑制剤を吸着させて吸着抑制層を形成する工程と、
（ｂ）前記基板に対して、前記原料を供給し、前記吸着抑制層が形成された前記凹部内に存在する吸着サイトに前記原料を吸着させて第１層を形成する工程と、
（ｃ）前記基板に対して、前記吸着抑制層および前記第１層の両方と化学反応する第１反応体を供給し、前記吸着抑制層および前記第１層を第２層へ改質させる工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記凹部内に膜を形成する技術が提供される。

本開示によれば、基板の表面に設けられた凹部内に、高品質な膜を、高い成膜レートで形成することが可能となる。

図１は、本開示の一態様で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を縦断面図で示す図である。 図２は、本開示の一態様で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を図１のＡ－Ａ線断面図で示す図である。 図３は、本開示の一態様で好適に用いられる基板処理装置のコントローラ１２１の概略構成図であり、コントローラ１２１の制御系をブロック図で示す図である。 図４（ａ）～図４（ｇ）は、本開示の一態様における処理シーケンスの各ステップにおいて形成される物質の一例を示す断面部分拡大図である。図４（ａ）は、凹部２００ａ内の上部の吸着サイトに吸着抑制剤が吸着して吸着抑制層３００が形成された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図４（ｂ）は、吸着抑制層３００が形成された後の凹部２００ａ内に存在する吸着サイトに原料が吸着して第１層４００が形成された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図４（ｃ）は、第１反応体により吸着抑制層３００および第１層４００が第２層５００へと改質された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図４（ｄ）は、図４（ｃ）の状態から、表面に第２層５００を有する凹部２００ａ内の上部の吸着サイト（すなわち、第２層５００の表面の吸着サイト）に吸着抑制剤が吸着して吸着抑制層３００が再度形成された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図４（ｅ）は、吸着抑制層３００が再度形成された後の表面に第２層５００を有する凹部２００ａ内に存在する吸着サイト（すなわち、第２層５００の表面の吸着サイト）に原料が吸着して第１層４００が再度形成された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図４（ｆ）は、第２層５００の表面に形成された吸着抑制層３００および第１層４００が第１反応体により第２層５００へと改質された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図４（ｇ）は、図４（ｆ）の状態から、ステップＡ～ステップＣを非同時に行うサイクルを所定回数行い、凹部２００ａ内に更に第２層５００を積層した後であって、凹部２００ａ内の全体が膜６００で埋め込まれた後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。 図５（ａ）～図５（ｉ）は、本開示の変形例１における処理シーケンスの各ステップにおいて形成される物質の一例を示す断面部分拡大図である。図５（ａ）～図５（ｃ）は、それぞれ、図４（ａ）～図４（ｃ）と同様の断面部分拡大図である。図５（ｄ）は、第２反応体により第２層５００が第３層７００へと改質された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図５（ｅ）は、図５（ｄ）の状態から、表面に第３層７００を有する凹部２００ａ内の上部の吸着サイト（すなわち、第３層７００の表面の吸着サイト）に吸着抑制剤が吸着して吸着抑制層３００が再度形成された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図５（ｆ）は、吸着抑制層３００が再度形成された後の表面に第３層７００を有する凹部２００ａ内に存在する吸着サイト（すなわち、第３層７００の表面の吸着サイト）に原料が吸着して第１層４００が再度形成された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図５（ｇ）は、第３層７００の表面に形成された吸着抑制層３００および第１層４００が第１反応体により第２層５００へと改質された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図５（ｈ）は、第３層７００の表面に形成された第２層５００が第２反応体により第３層７００へと改質された後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。図５（ｉ）は、図５（ｈ）の状態から、ステップＡ～ステップＤを非同時に行うサイクルを所定回数行い、凹部２００ａ内に更に第３層７００を積層した後であって、凹部２００ａ内の全体が膜８００で埋め込まれた後のウエハ２００の表面における断面部分拡大図である。 図６は、実施例１および比較例１の評価サンプルのそれぞれの断面ＳＥＭ画像とそれぞれの評価サンプルにおけるステップカバレッジの算出結果を示す図である。

近年、半導体装置（デバイス）の構造の三次元化やパターン微細化などにより、基板上に膜を形成する工程において、膜の形状の制御が困難となりつつある。

成膜手法として一般的に知られているＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法は、三次元的な基板面に対して成膜速度が等方的ではない。三次元的な基板面、すなわち、平面ではない基板面、例えば、トレンチ形状のパターン、ホール形状のパターン、あるいはそれらの両者が形成された基板面に成膜を行う場合、既存のＣＶＤ法ではトレンチやホール等の凹部内部の膜厚制御が困難となることがある。特に凹部内において、底部の膜厚が上部の膜厚に比べて薄くなってしまい膜厚差が生じてしまう（段差被覆性（ステップカバレッジ）が低下してしまう）ことがある。これはＣＶＤ法においては気相反応した分子を凹部内の各所に均一に供給することが困難なためである。また、凹部内の底部と上部の膜厚差は、凹部におけるアスペクト比が大きいパターンほど大きくなる（段差被覆性が悪化する）ことが知られている。さらに、凹部内にて、上部の膜形成が底部よりも速い速度で進み、凹部の開口部が閉塞してしまった場合、閉塞した以後は凹部内部への気相反応した分子もしくは原料ガスの供給が妨げられシームやボイドが発生することもある。

これら課題を有するＣＶＤ法とは別に、三次元的な基板面に対して等方的な成膜速度が得られるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法もあるが、逆テーパー形状のトレンチやホール等の凹部を含む基板面への成膜に対しては、依然として、上述した、凹部の開口部が閉塞するといった課題が生じることがある。結果として、ＡＬＤ法を用いて成膜を行う場合であっても、凹部内に形成された膜の中央部に、凹部の深さ方向（例えば垂直方向）に延びるシームやボイドが発生することがある。

凹部内に形成された膜にシームやボイドが発生した場合、成膜後のウェットエッチング工程等において、薬液が、膜に発生したシームやボイドを通り、凹部の内部へ浸透してしまい、下地に悪影響を与えてしまうことがある。

上述した課題に対し、トレンチ上部に反応阻害ガスを供給し、トレンチ上部のみ成膜レートを低下させつつ成膜する方法がある。しかしながら、反応阻害ガスを用いる場合、部分的に成膜反応が阻害され、結果としてトータルでの成膜レートが低下し、また、反応阻害ガスに含まれる成分が、形成される膜中に取り込まれ、膜質が劣化することがある。

これに対し、（ａ）表面に凹部が設けられた基板に対して、原料の吸着を抑制する吸着抑制剤を供給し、凹部内の上部の吸着サイトに吸着させて吸着抑制層を形成する工程と、（ｂ）基板に対して、原料を供給し、吸着抑制層が形成された凹部内に存在する吸着サイトに吸着させて第１層を形成する工程と、（ｃ）基板に対して、吸着抑制層および第１層の両方と化学反応する第１反応体を供給し、吸着抑制層および第１層を第２層へ改質させる工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、凹部内に、シームレスかつボイドフリーの高品質な膜を、高い成膜レートで形成することが可能となることを本件開示者等は見出した。本開示は、本件開示者等が見出した上記知見に基づくものである。

＜本開示の一態様＞
以下、本開示の一態様について、主に、図１～図３、図４（ａ）～図４（ｇ）を参照しつつ説明する。

なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

（１）基板処理装置の構成
図１に示すように、処理炉２０２は温度調整器（加熱部）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ２０７は、ガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。

ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の下方には、反応管２０３と同心円状に、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属材料により構成され、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９の上端部は、反応管２０３の下端部に係合しており、反応管２０３を支持するように構成されている。マニホールド２０９と反応管２０３との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。反応管２０３はヒータ２０７と同様に垂直に据え付けられている。主に、反応管２０３とマニホールド２０９とにより処理容器（反応容器）が構成される。処理容器の筒中空部には処理室２０１が形成される。処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を収容可能に構成されている。この処理室２０１内でウエハ２００に対する処理が行われる。

処理室２０１内には、第１～第３供給部としてのノズル２４９ａ～２４９ｃが、マニホールド２０９の側壁を貫通するようにそれぞれ設けられている。ノズル２４９ａ～２４９ｃを、それぞれ第１～第３ノズルとも称する。ノズル２４９ａ～２４９ｃは、例えば石英またはＳｉＣ等の耐熱性材料により構成されている。ノズル２４９ａ～２４９ｃには、ガス供給管２３２ａ～２３２ｃがそれぞれ接続されている。ノズル２４９ａ～２４９ｃはそれぞれ異なるノズルであり、ノズル２４９ａ，２４９ｃのそれぞれは、ノズル２４９ｂに隣接して設けられている。

ガス供給管２３２ａ～２３２ｃには、ガス流の上流側から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ～２４１ｃおよび開閉弁であるバルブ２４３ａ～２４３ｃがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａよりも下流側には、ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃのバルブ２４３ｂ，２４３ｃよりも下流側には、ガス供給管２３２ｆ，２３２ｇがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｄ～２３２ｇには、ガス流の上流側から順に、ＭＦＣ２４１ｄ～２４１ｇおよびバルブ２４３ｄ～２４３ｇがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａ～２３２ｇは、例えば、ＳＵＳ等の金属材料により構成されている。

図２に示すように、ノズル２４９ａ～２４９ｃは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における平面視において円環状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の配列方向上方に向かって立ち上がるようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２４９ａ～２４９ｃは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うようにそれぞれ設けられている。平面視において、ノズル２４９ｂは、処理室２０１内に搬入されるウエハ２００の中心を挟んで後述する排気口２３１ａと一直線上に対向するように配置されている。ノズル２４９ａ，２４９ｃは、ノズル２４９ｂと排気口２３１ａの中心とを通る直線Ｌを、反応管２０３の内壁（ウエハ２００の外周部）に沿って両側から挟み込むように配置されている。直線Ｌは、ノズル２４９ｂとウエハ２００の中心とを通る直線でもある。すなわち、ノズル２４９ｃは、直線Ｌを挟んでノズル２４９ａと反対側に設けられているということもできる。ノズル２４９ａ，２４９ｃは、直線Ｌを対称軸として線対称に配置されている。ノズル２４９ａ～２４９ｃの側面には、ガスを供給するガス供給孔２５０ａ～２５０ｃがそれぞれ設けられている。ガス供給孔２５０ａ～２５０ｃは、それぞれが、平面視において排気口２３１ａと対向（対面）するように開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔２５０ａ～２５０ｃは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられている。

ガス供給管２３２ａからは、吸着抑制剤が、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａ、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給される。

ガス供給管２３２ｂからは、第１反応体が、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。

ガス供給管２３２ｃからは、第２反応体が、ＭＦＣ２４１ｃ、バルブ２４３ｃ、ノズル２４９ｃを介して処理室２０１内へ供給される。

ガス供給管２３２ｄからは、原料が、ＭＦＣ２４１ｄ、バルブ２４３ｄ、ガス供給管２３２ａ、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給される。

ガス供給管２３２ｅ～２３２ｇからは、不活性ガスが、それぞれＭＦＣ２４１ｅ～２４１ｇ、バルブ２４３ｅ～２４３ｇ、ガス供給管２３２ａ～２３２ｃ、ノズル２４９ａ～２４９ｃを介して処理室２０１内へ供給される。不活性ガスは、パージガス、キャリアガス、希釈ガス等として作用する。

主に、ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａにより、吸着抑制剤供給系が構成される。主に、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、第１反応体供給系が構成される。主に、ガス供給管２３２ｃ、ＭＦＣ２４１ｃ、バルブ２４３ｃにより、第２反応体供給系が構成される。主に、ガス供給管２３２ｄ、ＭＦＣ２４１ｄ、バルブ２４３ｄにより、原料供給系が構成される。主に、ガス供給管２３２ｅ～２３２ｇ、ＭＦＣ２４１ｅ～２４１ｇ、バルブ２４３ｅ～２４３ｇにより、不活性ガス供給系が構成される。

上述の各種供給系のうち、いずれか、或いは、全ての供給系は、バルブ２４３ａ～２４３ｇやＭＦＣ２４１ａ～２４１ｇ等が集積されてなる集積型供給システム２４８として構成されていてもよい。集積型供給システム２４８は、ガス供給管２３２ａ～２３２ｇのそれぞれに対して接続され、ガス供給管２３２ａ～２３２ｇ内への各種ガスの供給動作、すなわち、バルブ２４３ａ～２４３ｇの開閉動作やＭＦＣ２４１ａ～２４１ｇによる流量調整動作等が、後述するコントローラ１２１によって制御されるように構成されている。集積型供給システム２４８は、一体型、或いは、分割型の集積ユニットとして構成されており、ガス供給管２３２ａ～２３２ｇ等に対して集積ユニット単位で着脱を行うことができ、集積型供給システム２４８のメンテナンス、交換、増設等を、集積ユニット単位で行うことが可能なように構成されている。

反応管２０３の側壁下方には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気口２３１ａが設けられている。図２に示すように、排気口２３１ａは、平面視において、ウエハ２００を挟んでノズル２４９ａ～２４９ｃ（ガス供給孔２５０ａ～２５０ｃ）と対向（対面）する位置に設けられている。排気口２３１ａは、反応管２０３の側壁の下部より上部に沿って、すなわち、ウエハ配列領域に沿って設けられていてもよい。排気口２３１ａには排気管２３１が接続されている。排気管２３１は、例えばＳＵＳ等の金属材料により構成されている。排気管２３１には、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４４を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４４は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されている。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、圧力センサ２４５により、排気系が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、例えばＳＵＳ等の金属材料により構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の下方には、後述するボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、例えばＳＵＳ等の金属材料により構成され、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ウエハ２００を処理室２０１内外に搬入および搬出（搬送）する搬送装置（搬送機構）として構成されている。マニホールド２０９の下方には、シールキャップ２１９を降下させボート２１７を処理室２０１内から搬出した状態で、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシャッタ２１９ｓが設けられている。シャッタ２１９ｓは、例えばＳＵＳ等の金属材料により構成され、円盤状に形成されている。シャッタ２１９ｓの上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｃが設けられている。シャッタ２１９ｓの開閉動作（昇降動作や回動動作等）は、シャッタ開閉機構１１５ｓにより制御される。

基板支持具としてのボート２１７は、複数枚、例えば２５～２００枚のウエハ２００を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により構成される。ボート２１７の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により構成される断熱板２１８が多段に支持されている。

反応管２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となる。温度センサ２６３は、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。

図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理における各手順をコントローラ１２１によって基板処理装置に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、プロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ２４１ａ～２４１ｇ、バルブ２４３ａ～２４３ｇ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、温度センサ２６３、ヒータ２０７、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５、シャッタ開閉機構１１５ｓ等に接続されている。

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピを読み出すことが可能なように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ２４１ａ～２４１ｇによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ～２４３ｇの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作および圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作、シャッタ開閉機構１１５ｓによるシャッタ２１９ｓの開閉動作等を制御することが可能なように構成されている。

コントローラ１２１は、外部記憶装置１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。外部記憶装置１２３は、例えば、ＨＤＤ等の磁気ディスク、ＣＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ、ＳＳＤ等の半導体メモリ等を含む。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

（２）基板処理工程
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハ２００の表面に設けられた凹部２００ａ内に膜を形成するための処理シーケンスの例について、主に、図４（ａ）～図４（ｇ）を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。

図４（ａ）～図４（ｇ）に示すように、本態様における処理シーケンスでは、
（ａ）表面に凹部２００ａが設けられたウエハ２００に対して、原料の吸着を抑制する吸着抑制剤を供給し、凹部２００ａ内の上部の吸着サイトに吸着抑制剤を吸着させて吸着抑制層３００を形成するステップＡと、
（ｂ）ウエハ２００に対して、原料を供給し、吸着抑制層３００が形成された凹部２００ａ内に存在する吸着サイトに原料を吸着させて第１層４００を形成するステップＢと、
（ｃ）ウエハ２００に対して、吸着抑制層３００および第１層４００の両方と化学反応する第１反応体を供給し、吸着抑制層３００および第１層４００を第２層５００へ改質させるステップＣと、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、凹部２００ａ内に膜６００を形成する。なお、図４（ａ）～図４（ｇ）では、凹部２００ａ内を埋め込むように膜６００を形成する例を示している。

本明細書では、上述の本態様における処理シーケンスを、便宜上、以下のように示すこともある。以下の他の態様や変形例等の説明においても、同様の表記を用いる。

（吸着抑制剤→原料→第１反応体）×ｎ

本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」や基板の一部である「凹部」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。

本明細書において「凹部内の上部」とは、凹部の縁を含み、凹部の深さに対して上半分を意味する。一方で、「凹部内の下部」とは、「凹部内の上部」よりも下の部分を意味し、凹部の底面を含む。

（ウエハチャージおよびボートロード）
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、シャッタ開閉機構１１５ｓによりシャッタ２１９ｓが移動させられて、マニホールド２０９の下端開口が開放される（シャッタオープン）。その後、図１に示すように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内へ搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。

なお、ボート２１７に充填されるウエハ２００の表面には、図４（ａ）に示すように、凹部２００ａが設けられている。ウエハ２００の凹部２００ａ内の表面（凹部２００ａの内壁の表面）およびウエハ２００の凹部２００ａ以外の部分である上面２００ｂは、全域（全面）にわたり吸着サイトであるＮＨ基を有している。すなわち、ウエハ２００における凹部２００ａ内の表面およびウエハ２００の上面２００ｂは、全域（全面）にわたりＮＨ基で終端された表面を有している。なお、吸着サイトとしてのＮＨ基を、ＮＨ終端ともいう。

（圧力調整および温度調整）
その後、処理室２０１内、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって真空排気（減圧排気）される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４４がフィードバック制御される。また、処理室２０１内のウエハ２００が所望の処理温度となるように、ヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構２６７によるウエハ２００の回転を開始する。処理室２０１内の排気、ウエハ２００の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。

（ステップＡ）
その後、ステップＡを行う。ステップＡでは、図４（ａ）に示すように、処理室２０１内のウエハ２００、すなわち、表面に凹部２００ａが設けられたウエハ２００に対して、原料の吸着を抑制する吸着抑制剤を供給し、凹部２００ａ内の上部の吸着サイトに吸着抑制剤を吸着させて吸着抑制層３００を形成する。

具体的には、バルブ２４３ａを開き、ガス供給管２３２ａ内へ吸着抑制剤を流す。吸着抑制剤は、ＭＦＣ２４１ａにより流量調整され、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給され、排気口２３１ａより排気される。このとき、ウエハ２００に対して吸着抑制剤が供給される。このとき、バルブ２４３ｅ～２４３ｇを開き、ノズル２４９ａ～２４９ｃのそれぞれを介して処理室２０１内へ不活性ガスを供給するようにしてもよい。

ステップＡにおいて吸着抑制剤を供給する際における処理条件としては、
処理温度：４００～８００℃、好ましくは５００～８００℃、より好ましくは５００～７５０℃、さらに好ましくは６００～７５０℃
処理圧力：１～２６６６Ｐａ、好ましくは１０～２６６Ｐａ
吸着抑制剤供給流量：０．１～１．５ｓｌｍ、好ましくは０．２～０．８ｓｌｍ
吸着抑制剤供給時間：５～６０秒、好ましくは５～５５秒、より好ましくは１０～５０秒、さらに好ましくは１５～４５秒、さらに好ましくは２０～４０秒
不活性ガス供給流量（ガス供給管毎）：０～１０ｓｌｍ、好ましくは１～３ｓｌｍ
が例示される。

ここで、本明細書における「４００～８００℃」のような数値範囲の表記は、下限値および上限値がその範囲に含まれることを意味する。よって、例えば、「４００～８００℃」とは「４００℃以上８００℃以下」を意味する。他の数値範囲についても同様である。なお、処理温度とはウエハ２００の温度のことを意味し、処理圧力とは処理室２０１内の圧力のことを意味する。なお、供給流量として０ｓｃｃｍとの記載がある場合には、その物質を供給しないケースを意味する。これらは、以下の説明においても同様である。

なお、ステップＡにおける処理温度は、吸着抑制剤の熱分解温度よりも低い温度とすることが好ましく、さらには、吸着抑制剤の熱分解温度よりも低く、かつ、原料の熱分解温度よりも高い温度とすることがより好ましい。上述の処理温度範囲（数値範囲）内であれば、処理温度を、吸着抑制剤の熱分解温度よりも低い温度とすることが可能となり、さらには、吸着抑制剤の熱分解温度よりも低く、かつ、原料の熱分解温度よりも高い温度とすることも可能となる。このように処理温度を設定することにより、ステップＡにおける吸着抑制剤の分解率（具体的には、熱分解率）を、ステップＢにおける原料の分解率（具体的には、熱分解率）よりも低くすることができる。また、ステップＡにおける気相反応に対する表面反応の割合を、ステップＢにおける気相反応に対する表面反応の割合よりも高くすることができる。

上述の処理条件下でウエハ２００に対して吸着抑制剤を供給することにより、凹部２００ａ内の上部の吸着サイト（ＮＨ終端）に、選択的に（優先的に）、吸着抑制剤を吸着させることができる。これにより、凹部２００ａ内の上部に、選択的に（優先的に）、吸着抑制層３００を形成することができる。

ここで、凹部２００ａ内の上部に、選択的に吸着抑制剤を吸着させるとは、凹部２００ａ内の上部への吸着抑制剤の吸着量を、凹部２００ａ内の上部以外の部分への吸着抑制剤の吸着量よりも多くすることを意味し、凹部２００ａ内の上部以外の部分への吸着抑制剤の吸着量がゼロとなるケースを含む。また、凹部２００ａ内の上部に、選択的に吸着抑制層３００を形成するとは、凹部２００ａ内の上部に形成される吸着抑制層３００の厚さを、凹部２００ａ内の上部以外の部分に形成される吸着抑制層３００の厚さよりも厚くすることを意味し、凹部２００ａ内の上部以外の部分に形成される吸着抑制層３００の厚さがゼロとなるケースを含む。

上述の処理条件の中でも、特に、吸着抑制剤供給時間を調整することにより、凹部２００ａ内の上部に、選択的に且つ高い均一性をもって吸着抑制剤を吸着させることが可能となる。すなわち、吸着抑制剤供給時間を上述の数値範囲内の所定の時間とすることで、凹部２００ａ内の上部に選択的に吸着抑制剤を吸着させることが可能となる。また、吸着抑制剤供給時間を上述の数値範囲内の所定の時間とすることで、凹部２００ａ内の上部に高い均一性をもって吸着抑制剤を吸着させることが可能となる。なお、吸着抑制剤供給時間を、ステップＢにおける原料供給時間以下とすることで、上述の調整を行うことが容易となる。また、吸着抑制剤供給時間を、ステップＢにおける原料供給時間未満とすることで、上述の調整を行うことがより容易となる。ここでいう、「均一性」とは、凹部２００ａ内の上部への吸着抑制剤の吸着量の、ＷｉＷ（Ｗｉｔｈｉｎ Ｗａｆｅｒ）均一性、および、ＷｔＷ（Ｗａｆｅｒ ｔｏ Ｗａｆｅｒ）均一性の両方を含む。なお、ＷｉＷ均一性とは、ウエハ面内における均一性のことであり、ＷｔＷ均一性とは、ウエハ間における均一性のことである。また、凹部２００ａ内の上部への吸着抑制剤の吸着量の、ＷｉＷ均一性、および、ＷｔＷ均一性は、それぞれ、凹部２００ａ内の上部に形成される吸着抑制層３００の厚さの、ＷｉＷ均一性、および、ＷｔＷ均一性と同義である。

なお、吸着抑制剤供給時間を上述の数値範囲の上限値である６０秒よりも長くすると（６０秒超とすると）、凹部２００ａ内の下部への吸着抑制剤の到達量が多くなり、凹部２００ａ内の下部への吸着抑制剤の吸着量が多くなることがある。その結果、凹部２００ａ内の上部に選択的に吸着抑制剤を吸着させることが難しくなることがある。吸着抑制剤供給時間を６０秒以下とすることで、凹部２００ａ内の下部への吸着抑制剤の到達量が多くなることを抑制することができ、凹部２００ａ内の下部への吸着抑制剤の吸着量が多くなることを抑制することができる。すなわち、凹部２００ａ内の下部への吸着抑制剤の到達量が少ない状態を維持することができ、凹部２００ａ内の下部への吸着抑制剤の吸着量が少ない状態を維持することができる。結果として、凹部２００ａ内の上部に選択的に吸着抑制剤を吸着させることが可能となる。すなわち、凹部２００ａ内の上部に選択的に吸着抑制層３００を形成することが可能となる。吸着抑制剤供給時間を５５秒以下とすることで、この作用を高めることが可能となる。吸着抑制剤供給時間を５０秒以下とすることで、この作用を、より高めることが可能となる。吸着抑制剤供給時間を４５秒以下とすることで、この作用を、よりいっそう高めることが可能となる。吸着抑制剤供給時間を４０秒以下とすることで、この作用を、さらに高めることが可能となる。

また、吸着抑制剤供給時間を上述の数値範囲の下限値である５秒よりも短くすると（５秒未満とすると）、吸着抑制剤の供給量が不足することがある。吸着抑制剤の供給量が不足すると、吸着抑制剤がウエハ２００の面内の全体に届かなくなることがあり、凹部２００ａ内の上部への吸着抑制剤の吸着量のＷｉＷ均一性が低下することがある。また、吸着抑制剤の供給量が不足すると、吸着抑制剤が複数枚のウエハ２００の全体に届かなくなることがあり、凹部２００ａ内の上部への吸着抑制剤の吸着量のＷｔＷ均一性が低下することがある。吸着抑制剤供給時間を５秒以上とすることで、吸着抑制剤のウエハ２００の面内や複数枚のウエハ２００への供給量が不足することを抑制することができる。これにより、吸着抑制剤がウエハ２００の面内の全体に届くようにすることができ、凹部２００ａ内の上部への吸着抑制剤の吸着量のＷｉＷ均一性の低下を抑制することが可能となる。また、吸着抑制剤が複数枚のウエハ２００の全体に届くようにすることができ、凹部２００ａ内の上部への吸着抑制剤の吸着量のＷｔＷ均一性の低下を抑制することが可能となる。すなわち、凹部２００ａ内の上部への吸着抑制剤の吸着量のＷｉＷ均一性およびＷｔＷ均一性の両方を良好な状態に保つことが可能となる。吸着抑制剤供給時間を１０秒以上とすることで、この作用を高めることが可能となる。吸着抑制剤供給時間を１５秒以上とすることで、この作用を、より高めることが可能となる。吸着抑制剤供給時間を２０秒以上とすることで、この作用を、よりいっそう高めることが可能となる。

続いて、凹部２００ａ内の吸着サイトへの吸着抑制剤の吸着形態について説明する。上述の処理条件下では、吸着抑制剤から置換基が例えば１つ解離した母核である「吸着抑制剤の残基」をウエハ２００の表面の吸着サイト（ＮＨ終端）に化学吸着させることができる。また、上述の処理条件下では、母核である「吸着抑制剤の残基」は、吸着サイトに化学吸着する際に、その構造が保持される。すなわち、「吸着抑制剤の残基」のうち、置換基が解離した部分以外の部分の構造がそのまま維持される。このようにして、ウエハ２００の表面に設けられた凹部２００ａ内の吸着サイトに、吸着抑制剤が吸着する。なお、吸着抑制剤から解離した置換基は、置換基同士が結合する、または、置換基と吸着サイトから解離した基とが結合する、ことでガス状物質となる。上述の処理条件下では、これらの反応が、凹部２００ａ内の上部において選択的に生じることとなる。

以上のようにして、ステップＡでは、図４（ａ）に示すように、ウエハ２００の表面に設けられた凹部２００ａ内の上部に、選択的に吸着抑制層３００を形成することができる。なお、ウエハ２００は、上述したように、凹部２００ａ以外の部分（すなわち、上面２００ｂ）にも吸着サイト（ＮＨ終端）を有することから、ステップＡでは、ウエハの凹部２００ａ以外の部分（すなわち、上面２００ｂ）にも吸着抑制剤の残基が化学吸着する。その結果、図４（ａ）に示すように、ウエハ２００の上面２００ｂにも吸着抑制層３００が形成されることとなる。

上述のようにして、ステップＡでは、ウエハ２００の表面に設けられた凹部２００ａ内の上部、および、ウエハ２００の凹部２００ａ以外の部分（すなわち、上面２００ｂ）に、選択的に吸着抑制層３００が形成される。吸着抑制剤およびその残基は、原料の吸着を抑制する機能を有することから、吸着抑制剤の残基が化学吸着してなる吸着抑制層３００も、原料の吸着を抑制する機能を有することとなる。また、ウエハ２００の表面の吸着サイトに化学吸着した吸着抑制剤の残基は、他の吸着抑制剤の残基の吸着をも抑制することから、ウエハ２００の表面に設けられた凹部２００ａ内の上部、および、ウエハ２００の上面２００ｂには、ほぼ均一な厚さの吸着抑制層３００が形成されることとなる。

ウエハ２００の凹部２００ａ内の上部に吸着抑制層３００が形成された後、バルブ２４３ａを閉じ、処理室２０１内への吸着抑制剤の供給を停止する。そして、処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する吸着抑制剤やガス状物質等を処理室２０１内から排除する。このとき、バルブ２４３ｅ～２４３ｇを開き、ノズル２４９ａ～２４９ｃを介して処理室２０１内へ不活性ガスを供給する。ノズル２４９ａ～２４９ｃより供給される不活性ガスは、パージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内がパージされる（パージ）。

ステップＡにおいてパージを行う際における処理条件としては、
処理温度：４００～８００℃、好ましくは５００～８００℃、より好ましくは５００～７５０℃、さらにより好ましくは６００～７５０℃
処理圧力：１～５００Ｐａ、好ましくは２０～１００Ｐａ
不活性ガス供給流量（ガス供給管毎）：０～１０ｓｌｍ、好ましくは１～５ｓｌｍ
不活性ガス供給時間：５～６０秒、好ましくは２０～４０秒
が例示される。

なお、上述のように、上述の処理条件下であれば、ステップＡにて、吸着抑制剤の残基が凹部２００ａ内の上部の表面の吸着サイトやウエハ２００の上面２００ｂの吸着サイトに化学吸着する際に、その構造がそのまま保持される。よって、吸着サイトに化学吸着した後の吸着抑制剤の残基は、基本的には未結合手を含まないこととなる。しかしながら、何らかの要因により、吸着サイトに化学吸着した後の吸着抑制剤の残基のごく一部が、未結合手を含むこともある。この場合、そのごく一部の吸着抑制剤の残基が有する未結合手が新たな吸着サイトとなり、その新たな吸着サイトに、ステップＢにて供給される原料が吸着することもある。つまり、凹部２００ａ内の上部の表面の吸着サイトに化学吸着した吸着抑制剤の残基の構造によっては、吸着抑制剤の残基に原料が吸着することがある。すなわち、本明細書における「吸着抑制剤」は、凹部２００ａ内の上部の表面等が有する吸着サイト（ＮＨ終端）に、直接、原料が吸着することを抑制する機能を有すればよく、吸着抑制剤や吸着抑制剤の残基に、原料が吸着することを許容するものである。よって、吸着抑制剤の残基により構成される吸着抑制層３００も、多少の原料が吸着することを許容するものである。

また、ステップＡにて、ウエハ２００の凹部２００ａ内の上部の一部に、吸着抑制剤の残基が吸着していない領域が形成されることもある。具体的には、ステップＡにおいて、ウエハ２００の凹部２００ａ内の上部に存在する吸着サイト（ＮＨ終端）の全てに、原料の吸着を抑制する部位である吸着抑制剤の残基が吸着しないこともある。この場合、ステップＡを行った後に、ウエハ２００の凹部２００ａ内の上部に吸着サイトが残っている場合は、その吸着サイトに、ステップＢにて供給される原料が吸着することがある。すなわち、ステップＢを行った後において、ウエハ２００の凹部２００ａ内の上部には、ステップＡにて形成される「吸着抑制層３００」とステップＢにて形成される「第１層４００」とが混在することもある。

更に、上述のように、ステップＡでは、ウエハ２００の表面に設けられた凹部２００ａ内の下部（底部も含む）に、吸着抑制剤が僅かに吸着することもある。但し、上述の処理条件下であれば、凹部２００ａ内の上部に比べ、凹部２００ａ内の下部（底部も含む）への吸着抑制剤の吸着量は僅かとなり、凹部２００ａ内の上部への吸着抑制剤の吸着量の方が圧倒的に多くなる。つまり、凹部２００ａ内の下部（底部も含む）に形成された吸着抑制層３００の密度（すなわち、表面の被覆率）は、凹部２００ａ内の上部に形成された吸着抑制層３００の密度（すなわち、表面の被覆率）よりも、遥かに疎になる。このことから、上述のように、本明細書において、「凹部２００ａ内の上部に（選択的に）吸着抑制層３００を形成する」とは、凹部２００ａ内の下部（底部も含む）に吸着抑制層３００が全く形成されず、凹部２００ａ内の上部のみに吸着抑制層３００が形成される場合だけではなく、凹部２００ａ内の下部（底部も含む）のごく僅かな領域に低密度の吸着抑制層３００が形成されるものの、凹部２００ａ内の上部にはそれよりも遥かに広い領域に高密度の吸着抑制層３００が形成される場合をも含むものとする。

－吸着抑制剤－
吸着抑制剤としては、原料の吸着を抑制する部位を含む化合物を用いることができる。吸着抑制剤は、後述する成膜レートを高める観点から、凹部２００ａ内に形成する膜を構成する主元素を含むことが好ましい。主元素としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等の半導体元素や、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）等の金属元素を例示することができる。また、吸着抑制剤は、吸着サイト（ＮＨ終端）への吸着性の観点、および、ステップＢでの原料の吸着を抑制する観点から、ハロゲン元素を含むことが好ましい。中でも、吸着抑制剤は、塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、および、ヨウ素（Ｉ）のうち少なくともいずれかを含むことが好ましく、中でも、Ｃｌを含むことがより好ましい。なお、吸着抑制剤の熱分解温度は、原料の熱分解温度よりも高いことが好ましい。

吸着抑制剤としては、例えば、ハロシランを用いることができる。中でも、吸着抑制剤としては、クロロシランを用いることが好ましい。ここで、ハロシランとは、ハロゲン元素を置換基として有するシランを意味し、クロロシランとは、Ｃｌを置換基として有するシランを意味する。ハロシランに含まれるハロゲン元素としては、例えば、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉが挙げられる。吸着抑制剤としては、特に、１分子中に含まれるＳｉの数が、１つであるハロシランを用いることが好ましく、中でも、１分子中に含まれるＳｉの数が、１つであるクロロシランを用いることが好ましい。

吸着抑制剤としては、例えば、式［ａ１］：ＳｉＸ_３Ｒ（３つのＸは、それぞれ独立に、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、またはＩを表し、Ｒは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、アルキル基、またはアミノ基を表す。）で表される化合物を用いることができる。中でも、吸着抑制剤としては、式［ａ２］：ＳｉＣｌ_３Ｒ（Ｒは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、アルキル基、またはアミノ基を表す。）で表される化合物を用いることが好ましい。ここで、Ｒで表されるアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、炭素数１～４のアルキル基が特に好ましい。Ｒで表されるアルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよい。Ｒで表されるアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等が挙げられる。また、Ｒで表されるアミノ基は、アミノ基（－ＮＨ_２）であってもよいし、置換アミノ基であってもよい。置換アミノ基が有する置換基としては、アルキル基が好ましく、炭素数１～５のアルキル基がより好ましく、炭素数１～４のアルキル基が特に好ましい。置換アミノ基が有するアルキル基は、上記Ｒで表されるアルキル基と同様のものが好ましく、具体例も同様である。置換アミノ基が有する置換基の数は、１又は２であるが、２であることが好ましい。置換アミノ基が有する置換基の数が２である場合、２つの置換基は、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。

吸着抑制剤としては、例えば、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ_４、略称：ＳＴＣ）ガス、トリクロロシラン（ＨＳｉＣｌ_３、略称：ＴＣＳ）ガス、トリクロロメチルシラン（ＣＨ_３ＳｉＣｌ_３）ガス、トリクロロエチルシラン（Ｃ_２Ｈ_５ＳｉＣｌ_３）ガス、トリクロロ（ジメチルアミノ）シラン（（ＣＨ_３）_２ＮＳｉＣｌ_３）ガス、トリクロロ（ジエチルアミノ）シラン（（ＣＨ_３）_２ＮＳｉＣｌ_３）ガス等を用いることができる。吸着抑制剤としては、これらのうち１以上を用いることができる。これらのように、吸着抑制剤がＳｉを含む場合、吸着抑制剤はＳｉソースとしても作用する。

上述のように、ステップＡにて形成される吸着抑制層３００は、吸着抑制剤から置換基が解離した残基（すなわち、上述した母核）により構成される。例えば、上記にて例示の吸着抑制剤を用いる場合、ステップＡにて形成される吸着抑制層３００は、吸着抑制剤の残基として、主元素の原子に３つのハロゲンが結合してなる部分構造を含むことが好ましく、中でも、主元素の原子に３つのＣｌが結合してなる部分構造を含むことが好ましい。ここで、主元素が、例えばＳｉである場合、ステップＡにて形成される吸着抑制層３００は、例えば、ＳｉＣｌ_３で表される部分構造を有することが好ましい。

－不活性ガス－
不活性ガスとしては、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスの他、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスを用いることができる。不活性ガスとしては、これらのうち１以上を用いることができる。この点は、後述する不活性ガスを用いる各ステップにおいても同様である。不活性ガスは、パージガス、キャリアガス、希釈ガス等として作用する。

（ステップＢ）
ステップＡが終了した後、ステップＢを行う。ステップＢでは、図４（ｂ）に示すように、ウエハ２００に対して、原料を供給し、吸着抑制層３００が形成された凹部２００ａ内に存在する吸着サイトに原料を吸着させて第１層４００を形成する。

具体的には、バルブ２４３ｄを開き、ガス供給管２３２ｄ内へ原料を流す。原料は、ＭＦＣ２４１ｄにより流量調整され、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給され、排気口２３１ａより排気される。このとき、ウエハ２００に対して原料が供給される。このとき、バルブ２４３ｅ～２４３ｇを開き、ノズル２４９ａ～２４９ｃのそれぞれを介して処理室２０１内へ不活性ガスを供給するようにしてもよい。

ステップＢにおいて原料を供給する際における処理条件としては、
処理温度：４００～８００℃、好ましくは５００～８００℃、より好ましくは５００～７５０℃、さらに好ましくは６００～７５０℃
処理圧力：１～２６６６Ｐａ、好ましくは１０～２６６Ｐａ
原料供給流量：０．１～１．５ｓｌｍ、好ましくは０．１～０．５ｓｌｍ
原料供給時間：１０～８０秒、好ましくは１５～６０秒、より好ましくは２０～５０秒
不活性ガス供給流量（ガス供給管毎）：０～１０ｓｌｍ、好ましくは３～７ｓｌｍ
が例示される。

なお、ステップＢにおける処理温度は、原料の熱分解温度よりも高い温度とすることが好ましく、さらには、原料の熱分解温度よりも高く、かつ、吸着抑制剤の熱分解温度よりも低い温度とすることがより好ましい。上述の処理温度範囲（数値範囲）内であれば、処理温度を、原料の熱分解温度よりも高い温度とすることが可能となり、さらには、原料の熱分解温度よりも高く、かつ、吸着抑制剤の熱分解温度よりも低い温度とすることも可能となる。このように処理温度を設定することにより、ステップＢにおける原料の分解率（具体的には、熱分解率）を、ステップＡにおける吸着抑制剤の分解率（具体的には、熱分解率）よりも高くすることができる。また、ステップＢにおける表面反応に対する気相反応の割合を、ステップＡにおける表面反応に対する気相反応の割合よりも高くすることができる。

ステップＢにおける処理温度と、ステップＡにおける処理温度とは、実質的に同一の条件とすることが望ましい。これにより、ステップＡ、ステップＢの間で、ウエハ２００の温度変更、すなわち、処理室２０１内の温度変更（ヒータ２０７の設定温度の変更）を行うことが不要となる。結果として、ステップ間でウエハ２００の温度を安定させるまでの待機時間が不要となり、その分、基板処理のスループット、すなわち、成膜処理の生産性を向上させることが可能となる。

上述の処理条件下でウエハ２００に対して原料を供給することにより、吸着抑制層３００が形成された凹部２００ａ内に存在する吸着サイトに、原料を吸着させることができる。これにより、凹部２００ａ内のうち、吸着サイトが存在する部分に、選択的に（優先的に）、第１層４００を形成することができる。

ここで、凹部２００ａ内に存在する吸着サイトとは、主として、凹部２００ａ内のうち、吸着抑制層３００が形成されていない領域に存在する吸着サイト（ＮＨ終端）のことである。凹部２００ａ内に存在する吸着サイトは、その他、吸着抑制層３００の表面に僅かに存在する吸着サイト（吸着抑制剤の残基が有する未結合手による吸着サイト）をも含む。凹部２００ａ内のうち、吸着抑制層３００が形成されていない領域は、その多くが凹部２００ａ内の下部に相当することから、ステップＢでは、主に、凹部２００ａ内の下部に存在する吸着サイト（ＮＨ終端）に、原料を吸着させることとなる。

続いて、凹部２００ａ内に存在する吸着サイトへの原料の吸着形態について説明する。上述の処理条件下では、原料が熱分解し、生成した熱分解物、すなわち、中間体を凹部２００ａ内に存在する吸着サイトに化学吸着させることができる。原料の中間体は、未結合手を複数有することから、未結合手を介して凹部２００ａ内に存在する吸着サイトに化学吸着する他、未結合手を有する中間体同士が結合することもできる。そのため、ステップＢでは、凹部２００ａ内に存在する吸着サイトに、原料の中間体を多重に堆積させることもできる。このようにして、ウエハ２００の凹部２００ａ内に存在する吸着サイトに、原料が吸着する。なお、原料の熱分解により原料から解離した置換基は、置換基同士が結合する、または、置換基と吸着サイトから解離した基とが結合する、ことでガス状物質となる。上述の処理条件下では、これらの反応が、凹部２００ａ内の上部以外の部分において選択的に生じることとなる。

以上のようにして、ステップＢでは、図４（ｂ）に示すように、ウエハ２００の表面に設けられた凹部２００ａ内の下部を中心に、選択的に第１層４００を形成することができる。特に、上述したように、ステップＢでは、ウエハ２００の凹部２００ａ内に存在する吸着サイトに、原料の中間体を多重に堆積させることができ、一方で、ステップＡでは、ウエハ２００の凹部２００ａ内の吸着サイトに、吸着抑制剤の残基を多重に堆積させることができない。これにより、ステップＢにおいて形成する第１層４００の厚さを、ステップＡにおいて形成する吸着抑制層３００の厚さよりも厚くすることができる。

ウエハ２００の凹部２００ａ内に第１層４００が形成された後、バルブ２４３ｄを閉じ、処理室２０１内への原料の供給を停止する。そして、上述のステップＡにおけるパージと同様の処理手順、処理条件により、処理室２０１内に残留する原料やガス状物質等を処理室２０１内から排除する（パージ）。

－原料－
原料としては、凹部２００ａ内に形成する膜を構成する主元素を含む化合物を用いることができる。また、原料は、吸着サイト（ＮＨ終端）への吸着性の観点から、ハロゲン元素を含むことが好ましい。中でも、原料は、吸着サイト（ＮＨ終端）への吸着性の観点から、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、および、Ｉのうち少なくともいずれかを含むことが好ましく、中でも、Ｃｌを含むことがより好ましい。なお、原料の熱分解温度は、吸着抑制剤の熱分解温度よりも低いことが好ましい。

原料としては、吸着抑制剤と同様、例えばハロシランを用いることができる。中でも、原料としては、クロロシランを用いることが好ましい。原料としては、特に、１分子中に含まれるＳｉの数が、２つ以上（好ましくは２つ）であるハロシランを用いることが好ましく、中でも、１分子中に含まれるＳｉの数が、２つ以上（好ましくは２つ）であるクロロシランを用いることが好ましい。さらには、原料としては、分子内にＳｉ－Ｓｉ結合を有するハロシランを用いることがより好ましく、中でも、分子内にＳｉ－Ｓｉ結合を有するクロロシランを用いることがより好ましい。

原料としては、例えば、モノクロロシラン（ＳｉＨ_３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、略称：ＤＣＳ）ガス、モノクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_５Ｃｌ、略称：ＭＣＤＳ）ガス、ジクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_４Ｃｌ_２、略称：ＤＣＤＳ）ガス、ペンタクロロジシラン（Ｓｉ_２ＨＣｌ_５、略称：ＰＣＤＳ）ガス、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６、略称：ＨＣＤＳ）ガス、オクタクロロトリシラン（Ｓｉ_３Ｃｌ_８、略称：ＯＣＴＳ）ガス等を用いることができる。また、原料としては、ビス（トリクロロシリル）メタン（（ＳｉＣｌ_３）_２ＣＨ_２、略称：ＢＴＣＳＭ）ガス、１，２－ビス（トリクロロシリル）エタン（（ＳｉＣｌ_３）_２Ｃ_２Ｈ_４、略称：ＢＴＣＳＥ）ガス等のアルキレンクロロシラン系化合物や、１，１，２，２－テトラクロロ－１，２－ジメチルジシラン（（ＣＨ_３）_２Ｓｉ_２Ｃｌ_４、略称：ＴＣＤＭＤＳ）ガス、１，２－ジクロロ－１，１，２，２－テトラメチルジシラン（（ＣＨ_３）_４Ｓｉ_２Ｃｌ_２、略称：ＤＣＴＭＤＳ）ガス等のアルキルクロロシラン系化合物や、１，１，３，３－テトラクロロ－１，３－ジシラシクロブタン（Ｃ_２Ｈ_４Ｃｌ_４Ｓｉ_２、略称：ＴＣＤＳＣＢ）ガス等のＳｉとＣとで構成される環状構造およびハロゲンを含む化合物を用いることもできる。原料としては、これらのうち１以上を用いることができる。これらのように、原料がＳｉを含む場合、原料はＳｉソースとして作用する。

（ステップＣ）
ステップＢが終了した後、ステップＣを行う。ステップＣでは、図４（ｃ）に示すように、ウエハ２００に対して、吸着抑制層３００および第１層４００の両方と化学反応する第１反応体を供給し、吸着抑制層３００および第１層４００を第２層５００へ改質させる。

具体的には、バルブ２４３ｂを開き、ガス供給管２３２ｂ内へ第１反応体を流す。第１反応体は、ＭＦＣ２４１ｂにより流量調整され、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給され、排気口２３１ａより排気される。このとき、ウエハ２００に対して第１反応体が供給される。このとき、バルブ２４３ｅ～２４３ｇを開き、ノズル２４９ａ～２４９ｃのそれぞれを介して処理室２０１内へ不活性ガスを供給するようにしてもよい。

ステップＣにおいて第１反応体を供給する際における処理条件としては、
処理温度：４００～８００℃、好ましくは５００～８００℃、より好ましくは５００～７５０℃、さらに好ましくは６００～７５０℃
処理圧力：１～４０００Ｐａ、好ましくは６００～１０００Ｐａ
第１反応体供給流量：１～１０ｓｌｍ、好ましくは３～７ｓｌｍ
第１反応体供給時間：３０～９０秒、好ましくは４０～６０秒
が例示される。
他の処理条件は、ステップＡにおける処理条件と同様とすることができる。

なお、ステップＣにおける処理温度と、ステップＡ、ステップＢにおける処理温度とは、実質的に同一の条件とすることが望ましい。これにより、ステップＡ、ステップＢ、ステップＣの間で、ウエハ２００の温度変更、すなわち、処理室２０１内の温度変更を行うことが不要となる。その結果、ステップ間でウエハ２００の温度を安定させるまでの待機時間が不要となり、その分、基板処理のスループット、すなわち、成膜処理の生産性を向上させることが可能となる。

上述の処理条件下でウエハ２００に対して第１反応体を供給することにより、吸着抑制層３００および第１層４００の両方を第２層５００へ改質させることができる。つまり、ステップＣでは、ステップＢにて形成された第１層４００を第１反応体により第２層５００へと改質させると共に、同じ第１反応体により、ステップＡにて形成された吸着抑制層３００をも第２層５００へと改質させることができる。このように、第１層４００だけでなく、吸着抑制層３００をも、第２層５００へと改質させることができることにより、その分、成膜レートを高めることができ、基板処理のスループット、すなわち、成膜処理の生産性を向上させることが可能となる。

また、吸着抑制層３００を第２層５００へと改質させる際、吸着抑制層３００の第１反応体による改質反応（例えば、窒化反応等）の過程において、吸着抑制層３００に含まれていた不純物を、吸着抑制層３００から除去することができる。その際、吸着抑制層３００とウエハ２００との界面に存在していた不純物を除去することもできる。つまり、吸着抑制層３００を第２層５００へと改質させる際に、第２層５００の層質を向上させることができ、さらに、第２層５００とウエハ２００との界面特性をも向上させることができる。結果として、最終的に形成される膜６００の膜質を向上させることが可能となり、さらには、最終的に形成される膜６００とウエハ２００との界面特性をも向上させることが可能となる。

また、第１層４００を第２層５００へと改質させる際、第１層４００の第１反応体による改質反応（例えば、窒化反応等）の過程において、第１層４００に含まれていた不純物を、第１層４００から除去することができる。その際、第１層４００とウエハ２００との界面に存在していた不純物を除去することもできる。つまり、第１層４００を第２層５００へと改質させる際に、第２層５００の層質を向上させることができ、さらに、第２層５００とウエハ２００との界面特性をも向上させることができる。結果として、最終的に形成される膜６００の膜質を向上させることが可能となり、さらには、最終的に形成される膜６００とウエハ２００との界面特性をも向上させることが可能となる。

第１反応体による吸着抑制層３００の第２層５００への改質と、第１反応体による第１層４００の第２層５００への改質は、同時に、すなわち、並行して行われることとなる。すなわち、上述の吸着抑制層３００ベースの改質反応と、上述の第１層４００ベースの改質反応は、同時に、すなわち、並行して進行することとなる。

なお、ステップＣにて吸着抑制層３００および第１層４００を第２層５００へと改質させる際、第１反応体による改質反応が、例えば、窒化反応であれば、その過程において、第２層５００の表面には新たな吸着サイト（例えば、ＮＨ終端）が形成されることとなる。つまり、ステップＣにて吸着抑制層３００が第２層５００へと改質されることで、吸着抑制層３００が有する原料の吸着を抑制する機能は、一旦、リセットされる。言い換えれば、ステップＣにて、吸着抑制層３００が第２層５００へと改質されることで、吸着抑制層３００が有する原料の吸着を抑制する機能が消失（消滅）する。

上述したように、ステップＢにて、第１層４００の厚さを、吸着抑制層３００の厚さよりも厚くすることができることから、ステップＣでは、図４（ｃ）に示すように、第１層４００が改質されることで形成される第２層５００の厚さを、吸着抑制層３００が改質されることで形成される第２層５００の厚さよりも厚くすることができる。

また、ステップＣにおいて、第１層４００が改質されることで形成される第２層５００と、吸着抑制層３００が改質されることで形成される第２層５００とは、成分が同一であることが好ましい。ここで、成分が同一とは、第１層４００が改質されることで形成される第２層５００と、吸着抑制層３００が改質されることで形成される第２層５００とで、含まれる元素が同一であることを意味する。なお、第１層４００が改質されることで形成される第２層５００と、吸着抑制層３００が改質されることで形成される第２層５００とでは、含まれる元素の割合（すなわち、組成）が異なっていてもよい。例えば、第２層５００を積層してなる膜にて凹部２００ａ内を埋め込んだ場合、第１層４００が改質されることで形成される第２層５００と吸着抑制層３００が改質されることで形成される第２層５００とで含まれる元素の割合が異なっていても、埋め込まれた膜全体として、求められる性能（例えば、絶縁性）を有していれば特に問題はない。

吸着抑制層３００および第１層４００を第２層５００へと改質させた後、バルブ２４３ｂを閉じ、処理室２０１内への第１反応体の供給を停止する。そして、上述のステップＡにおけるパージと同様の処理手順、処理条件により、処理室２０１内に残留する第１反応体やガス状物質等を処理室２０１内から排除する（パージ）。

－第１反応体－
第１反応体としては、吸着抑制層３００および第１層４００の両方を第２層５００へと改質させうる化合物を用いることができる。第１反応体としては、吸着抑制層３００および第１層４００の両方を第２層５００へと改質させる改質効果の観点から、例えば、窒素（Ｎ）及び水素（Ｈ）含有ガス、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）含有ガス、炭素（Ｃ）及び水素（Ｈ）含有ガス、酸素（Ｏ）含有ガス、ならびに、ホウ素（Ｂ）含有ガスのうち少なくともいずれかを用いることができる。

第１反応体として用いるガス種を選択することにより、第２層５００の成分が決定される。つまり、ステップＣにて、第１反応体として、上述のガス種のうち少なくともいずれかを用いることで、吸着抑制層３００および第１層４００中に、第１反応体に含まれる成分、すなわち、Ｎ及びＨ含有ガス、Ｃ及びＮ含有ガス、Ｃ及びＨ含有ガス、Ｏ含有ガス、ならびに、Ｂ含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を、それぞれ付加（添加）することができ、それらの層を改質（具体的には、膜の組成を変化）させることが可能となる。

例えば、吸着抑制層３００および第１層４００がＳｉを含有する層である場合に、第１反応体として、Ｎ及びＨ含有ガスを用いることで、第２層５００として、Ｓｉ及びＮを含有する層を形成することができる。また、同様に、吸着抑制層３００および第１層４００がＳｉを含有する層である場合に、第１反応体として、Ｃ及びＮ含有ガスを用いることで、第２層５００として、Ｓｉ、Ｃ及びＮを含有する層を形成することができる。また、同様に、吸着抑制層３００および第１層４００がＳｉを含有する層である場合に、第１反応体として、Ｃ及びＨ含有ガスを用いることで、第２層５００として、Ｓｉ及びＣを含有する層を形成することができる。また、同様に、吸着抑制層３００および第１層４００がＳｉを含有する層である場合に、第１反応体として、Ｏ含有ガスを用いることで、第２層５００として、Ｓｉ及びＯを含有する層を形成することができる。また、同様に、吸着抑制層３００および第１層４００がＳｉを含有する層である場合に、第１反応体として、Ｂ含有ガスを用いることで、第２層５００として、Ｓｉ及びＢを含有する層を形成することができる。

Ｎ及びＨ含有ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ_３）ガス、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）ガス、ジアゼン（Ｎ_２Ｈ_２）ガス、Ｎ_３Ｈ_８ガス等のＮ－Ｈ結合を含む窒化水素系ガスを用いることができる。Ｃ及びＮ含有ガスとしては、例えば、モノエチルアミン（Ｃ_２Ｈ_５ＮＨ_２、略称：ＭＥＡ）ガス、ジエチルアミン（（Ｃ_２Ｈ_５）_２ＮＨ、略称：ＤＥＡ）ガス、トリエチルアミン（（Ｃ_２Ｈ_５）_３Ｎ、略称：ＴＥＡ）ガス、モノメチルアミン（ＣＨ_３ＮＨ_２、略称：ＭＭＡ）ガス、ジメチルアミン（（ＣＨ_３）_２ＮＨ、略称：ＤＭＡ）ガス、トリメチルアミン（（ＣＨ_３）_３Ｎ、略称：ＴＭＡ）ガス等のアミン系ガスや、モノメチルヒドラジン（（ＣＨ_３）ＨＮ_２Ｈ_２、略称：ＭＭＨ）ガス、ジメチルヒドラジン（（ＣＨ_３）_２Ｎ_２Ｈ_２、略称：ＤＭＨ）ガス、トリメチルヒドラジン（（ＣＨ_３）_２Ｎ_２（ＣＨ_３）Ｈ、略称：ＴＭＨ）ガス等の有機ヒドラジン系ガスを用いることができる。これらのガスを、Ｃ、Ｎ及びＨ含有ガスと称することもできる。Ｃ及びＨ含有ガスとしては、例えば、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）ガス、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）ガス、プロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）ガス等の炭化水素系ガスを用いることができる。Ｏ含有ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ_２）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ_２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ_２）ガス、オゾン（Ｏ_３）ガス、水蒸気（Ｈ_２Ｏガス）、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）ガス、Ｏ_２ガス＋Ｈ_２ガス、Ｏ_３ガス＋Ｈ_２ガス等の酸化ガスを用いることができる。Ｂ含有ガスとしては、例えば、トリクロロボラン（ＢＣｌ_３）ガス、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガス、トリエチルボラン（（Ｃ_２Ｈ_５）_３Ｂ）ガス等を用いることができる。

なお、本明細書において「Ｏ_２ガス＋Ｈ_２ガス」というような２つのガスの併記記載は、Ｏ_２ガスとＨ_２ガスとの混合ガスを意味する。混合ガスを供給する場合は、２つのガスを供給管内で混合（プリミックス）した後、処理室２０１内へ供給するようにしてもよいし、２つのガスを異なる供給管より別々に処理室２０１内へ供給し、処理室２０１内で混合（ポストミックス）させるようにしてもよい。

また、第１反応体として、Ｎ及びＨ含有ガス、Ｃ及びＮ含有ガス、Ｃ及びＨ含有ガス、Ｏ含有ガス、ならびに、Ｂ含有ガスの５群のうち、異なる群から選択される２種以上のガスを併用してもよい。その組み合わせとしては、例えば、Ｎ及びＨ含有ガスから１種とＣ及びＮ含有ガスから１種との組み合わせ、Ｎ及びＨ含有ガスから１種とＣ及びＨ含有ガスから１種との組み合わせ、Ｃ及びＮ含有ガスから１種とＣ及びＨ含有ガスから１種との組み合わせ、Ｎ及びＨ含有ガスから１種とＯ含有ガスから１種との組み合わせ、Ｎ及びＨ含有ガスから１種とＢ含有ガスから１種との組み合わせ等が挙げられる。このような場合、２種のガスは、異なるガス供給系より、それぞれ別々に処理室２０１内へ同時に供給することができる。

（所定回数実施）
上述の、ステップＡとステップＢとステップＣとを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数（ｎ回、ｎは１以上の整数）行うことにより、図４（ｇ）に示すように、凹部２００ａ内を埋め込むように、凹部２００ａ内に第２層５００の積層物である膜６００が形成される。すなわち、凹部２００ａ内に第２層５００が積層されることで、凹部２００ａ内の全体が第２層５００の積層物である膜６００で埋め込まれることとなる。

上述のサイクルは、複数回繰り返すことが好ましい。すなわち、１サイクルあたりに形成される第２層５００の厚さを所望の膜厚よりも薄くし、第２層５００を積層することで形成される膜６００の膜厚が所望の膜厚になるまで（すなわち、膜６００が凹部２００ａ内を埋め込むまで）、上述のサイクルを複数回繰り返すことが好ましい。

より具体的に言えば、図４（ａ）～図４（ｃ）に示すようにして、ステップＡとステップＢとステップＣとを非同時に行う１サイクル目を行った後は、ステップＡとステップＢとステップＣとを非同時に行う２サイクル目を行うことが好ましい。具体的には、図４（ｃ）に示されるように、ステップＣにて、ウエハ２００の凹部２００ａ内には、その全面に第２層５００が形成される。その後、２サイクル目を行う場合には、表面に第２層５００を有する凹部２００ａを備えたウエハ２００に対して、ステップＡ、ステップＢ、ステップＣをこの順で、非同時に行う。２サイクル目のステップＡによれば、図４（ｃ）の状態から、図４（ｄ）に示すように、表面に第２層５００を有する凹部２００ａ内の上部の吸着サイト（すなわち、第２層５００の表面の吸着サイト）に吸着抑制剤が吸着して吸着抑制層３００が再度形成される。続いて、ステップＢにより、図４（ｅ）に示すように、吸着抑制層３００が再度形成された凹部２００ａ内に存在する吸着サイト（すなわち、第２層５００の表面の吸着サイト）に原料が吸着して第１層４００が再度形成される。更に続いて、ステップＣにより、図４（ｆ）に示すように、第２層５００の表面に再度形成された吸着抑制層３００および第１層４００が第１反応体により第２層５００へと改質される。このような２サイクル目にて、凹部２００ａ内における１層目の第２層５００の上に、２層目の第２層５００が形成される。このようなサイクルを複数回繰り返すことにより、図４（ｇ）に示すように、凹部２００ａ内の全体が第２層５００の積層物である膜６００で埋め込まれることとなる。なお、ステップＡとステップＢとステップＣとを非同時に行うサイクルを複数回繰り返すことで、ウエハ２００の上面２００ｂの表面においても、凹部２００ａの上部の表面において生じる反応と同様な反応が生じ、ウエハ２００の上面２００ｂにも、膜６００が形成されることとなる。

なお、上述のサイクルを所定回数行う際、各ステップにおける処理時間のバランスを制御することが好ましい。例えば、ステップＡにおける吸着抑制剤の供給時間を、ステップＢにおける原料の供給時間以下とすることが好ましい。また、ステップＡにおける吸着抑制剤の供給時間を、ステップＢにおける原料の供給時間未満とすることがより好ましい。さらに、ステップＡにおける吸着抑制剤の供給時間を、ステップＢにおける原料の供給時間以下とし、ステップＢにおける原料の供給時間を、ステップＣにおける第１反応体の供給時間未満とすることが好ましい。さらには、ステップＡにおける吸着抑制剤の供給時間を、ステップＢにおける原料の供給時間未満とし、ステップＢにおける原料の供給時間を、ステップＣにおける第１反応体の供給時間未満とすることが好ましい。これらのように、ステップＡ、ステップＢ、ステップＣのそれぞれにおいて、供給する吸着抑制剤、原料、第１反応体のそれぞれの供給時間のバランスを制御することにより、各ステップにおいて生じさせる上述の反応を効率的に進行させ、適正化させることが可能となる。

（アフターパージおよび大気圧復帰）
ウエハ２００の凹部２００ａ内に膜６００が形成された後、ノズル２４９ａ～２４９ｃのそれぞれからパージガスとしての不活性ガスを処理室２０１内へ供給し、排気口２３１ａより排気する。これにより、処理室２０１内がパージされ、処理室２０１内に残留するガスや反応副生成物等が処理室２０１内から除去される（アフターパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。

（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降され、マニホールド２０９の下端が開口される。そして、処理済のウエハ２００が、ボート２１７に支持された状態でマニホールド２０９の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。ボートアンロードの後は、シャッタ２１９ｓが移動させられ、マニホールド２０９の下端開口がＯリング２２０ｃを介してシャッタ２１９ｓによりシールされる（シャッタクローズ）。処理済のウエハ２００は、反応管２０３の外部に搬出された後、ボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。

（３）本態様による効果
本態様によれば、以下に示す１つまたは複数の効果が得られる。

ステップＣにおいて、ステップＡにて形成された吸着抑制層３００およびステップＢにて形成された第１層４００の両方と第１反応体とを反応させ、吸着抑制層３００および第１層４００の両方を第２層５００へ改質させることにより、ウエハ２００の表面に設けられた凹部２００ａ内に、高品質な膜を、高い成膜レートで形成することができる。その結果として、ウエハ２００の凹部２００ａに対して、高い成膜レートで、高品質な膜により、ボイドフリーかつシームレスな埋め込みを行うことが可能となる。つまり、本態様によれば、基板処理のスループット、すなわち、成膜処理の生産性を向上させることが可能となり、また、形成される膜の品質を向上させることが可能となり、さらには、凹部への埋め込み特性を向上させることが可能となる。

例えば、凹部２００ａ内の上部に有機系化合物である反応阻害剤を吸着させつつ、凹部２００ａ内に膜を形成する手法がある。しかしながら、この手法の場合、反応阻害剤と第１反応体とが反応して、反応阻害剤が、形成しようとする膜を構成する層へ改質されることはない。また、この手法の場合、反応阻害剤の残渣（残基、残留物）が、形成される膜や、形成される膜とウエハ２００との界面に取り込まれる可能性が高い。これに対し、本態様の場合、吸着抑制層３００と第１反応体とを反応させて、吸着抑制層３００を、形成しようとする膜６００を構成する第２層５００へ改質させることができる。また、その際、吸着抑制層３００に含まれる不純物（例えば、吸着抑制剤の残渣等）を脱離させて除去することができる。その結果、本態様の場合、凹部２００ａ内に形成される膜や、形成される膜とウエハ２００との界面に吸着抑制剤の残渣が取り込まれることを抑制することができる。すなわち、本態様によれば、上述の有機系化合物である反応阻害剤を使用する手法よりも、高品質な膜を、高い成膜レートで形成することができる。また、その結果として、ウエハ２００の凹部２００ａに対して、高い成膜レートで、高品質な膜により、ボイドフリーかつシームレスな埋め込みを行うことが可能となる。つまり、本態様によれば、上述の有機系化合物である反応阻害剤を使用する手法よりも、基板処理のスループット、すなわち、成膜処理の生産性を向上させることが可能となり、また、形成される膜の品質を向上させることが可能となり、さらには、凹部への埋め込み特性を向上させることが可能となる。

ステップＡにおける処理温度を、吸着抑制剤の熱分解温度よりも低い温度とし、ステップＢにおける処理温度を、原料の熱分解温度よりも高い温度とすることで、ステップＡでは、吸着抑制剤を熱分解させることなく、吸着抑制層３００を形成することができ、ステップＢでは、原料を熱分解させつつ、原料の熱分解物、すなわち、原料の中間体が堆積した第１層４００を形成することができる。これにより、ステップＢにて形成される第１層４００の厚さを、ステップＡにて形成される吸着抑制層３００の厚さよりも厚くすることができる。その結果、ステップＣにおいて、凹部２００ａの下部に形成される第２層５００の厚さを、凹部２００ａ内の上部に形成される第２層５００の厚さよりも厚くすることができる。すなわち、第１層４００が改質されることで形成される第２層５００の厚さを、吸着抑制層３００が改質されることで形成される第２層５００の厚さよりも厚くすることができる。これらのことから、第２層５００が積層されてなる膜を、凹部２００ａ内にボトムアップ成長させることが可能となる。結果として、ウエハ２００の凹部２００ａに対して、ボイドフリーかつシームレスな埋め込みを行うことが可能となる。この場合、ステップＡにて用いる吸着抑制剤の熱分解温度は、ステップＢにて用いられる原料の熱分解温度よりも高いことが好ましい。すなわち、ステップＡでは、ステップＢにて用いられる原料の熱分解温度よりも高い熱分解温度を有する吸着抑制剤を選択することが好ましい。これにより、上述の反応を適正に生じさせることが可能となる。

ステップＡにおける吸着抑制剤の分解率（具体的には、熱分解率）を、ステップＢにおける原料の分解率（具体的には、熱分解率）よりも低くすることにより、ステップＢにて形成される第１層４００の厚さを、ステップＡにて形成される吸着抑制層３００の厚さよりも厚くすることができる。その結果、ステップＣにおいて、凹部２００ａの下部に形成される第２層５００の厚さを、凹部２００ａ内の上部に形成される第２層５００の厚さよりも厚くすることができ、第２層５００が積層されてなる膜を、凹部２００ａ内にボトムアップ成長させることが可能となる。結果として、ウエハ２００の凹部２００ａに対して、ボイドフリーかつシームレスな埋め込みを行うことが可能となる。

ステップＡにおける気相反応に対する表面反応の割合を、ステップＢにおける気相反応に対する表面反応の割合よりも高くすることにより、ステップＢにて形成される第１層４００の厚さを、ステップＡにて形成される吸着抑制層３００の厚さよりも厚くすることができる。その結果、ステップＣにおいて、凹部２００ａの下部に形成される第２層５００の厚さを、凹部２００ａ内の上部に形成される第２層５００の厚さよりも厚くすることができ、第２層５００が積層されてなる膜を、凹部２００ａ内にボトムアップ成長させることが可能となる。結果として、ウエハ２００の凹部２００ａに対して、ボイドフリーかつシームレスな埋め込みを行うことが可能となる。

ステップＡにおける吸着抑制剤の供給時間を、ステップＢにおける原料の供給時間以下とすることにより、ステップＡおよびステップＢにおいて生じさせる上述の各反応を効率的に進行させることが可能となる。また、ステップＡにおける吸着抑制剤の供給時間を、ステップＢにおける原料の供給時間未満とすることにより、ステップＡおよびステップＢにおいて生じさせる上述の各反応を、より効率的に進行させることが可能となる。

ステップＡにおける吸着抑制剤の供給時間を、ステップＢにおける原料の供給時間以下とし、ステップＢにおける原料の供給時間を、ステップＣにおける第１反応体の供給時間未満とすることにより、ステップＡ、ステップＢ、およびステップＣにおいて生じさせる上述の各反応を効率的に進行させることが可能となる。また、ステップＡにおける吸着抑制剤の供給時間を、ステップＢにおける原料の供給時間未満とし、ステップＢにおける原料の供給時間を、ステップＣにおける第１反応体の供給時間未満とすることにより、ステップＡ、ステップＢ、およびステップＣにおいて生じさせる上述の各反応を、より効率的に進行させることが可能となる。

これらのように、ステップＡ、ステップＢ、ステップＣのそれぞれにおいて、供給する吸着抑制剤、原料、第１反応体のそれぞれの供給時間のバランスを制御することにより、各ステップにおいて生じさせる上述の反応を効率的に進行させ、適正化させることが可能となる。

ステップＣにおいて、第１層４００が改質されることで形成される第２層５００の成分と、吸着抑制層３００が改質されることで形成される第２層５００の成分とを、同一とすることができる。つまり、ステップＣにおいて、凹部２００ａ内の全体に亘り、成分が同一である第２層５００を形成することができる。その結果、凹部２００ａ内の全体に亘り、成分が同一である第２層５００が積層されてなる膜６００を形成することができる。また、成分が同一である第２層５００が積層されてなる膜６００を、凹部２００ａ内にボトムアップ成長させることができる。

ステップＡにて用いる吸着抑制剤およびステップＢにて用いる原料が、いずれも、凹部２００ａ内に形成される膜６００を構成する主元素を含む場合、吸着抑制層３００および第１層４００の両方に、膜６００を構成する主元素を取り込ませることができる。さらに、ステップＡにて用いる吸着抑制剤およびステップＢにて用いる原料が、いずれも、第１反応体と反応して成分が同一である層を形成し得る物質である場合、ステップＣにおいて、吸着抑制層３００および第１層４００の両方を第１反応体により第２層５００へ改質させることが可能となる。つまり、ステップＣにおいて、吸着抑制剤および原料の両方と反応する第１反応体を用いることで、第１層４００だけでなく、吸着抑制層３００をも、第２層５００へ改質させることが可能となる。そしてその分、成膜レートを高めることが可能となり、基板処理のスループット、すなわち、成膜処理の生産性を向上させることが可能となる。

ステップＡにて用いる吸着抑制剤およびステップＢにて用いる原料が、いずれも、ハロゲン元素（好ましくは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉのうち少なくともいずれか）を含む場合、ステップＡにおける吸着抑制剤の凹部２００ａ内の上部の吸着サイトへの吸着を促し、更には、ステップＢにおける吸着抑制層３００への原料の吸着の抑制効果を高めることができる。また、この場合、ステップＢにおいて、凹部２００ａ内に存在する吸着サイトへの原料の吸着を促すこともできる。

ステップＡにて用いる吸着抑制剤およびステップＢにて用いる原料が、それぞれ、ハロシラン（好ましくは、クロロシラン）である場合、ステップＡにおける吸着抑制剤の凹部２００ａ内の上部の吸着サイトへの吸着反応、および、ステップＢにおける原料の凹部２００ａ内に存在する吸着サイトへの吸着反応を、それぞれ、効率的に生じさせることができる。また、この場合、ステップＢにおける吸着抑制層３００への原料の吸着の抑制効果を更に高めることができる。

ステップＡにて形成される吸着抑制層３００が、主元素の原子に３つのハロゲンが結合してなる部分構造（好ましくは、主元素の原子に３つのＣｌが結合してなる部分構造）を含む場合、ハロゲンの存在とハロゲンの数により、吸着抑制層３００による原料の吸着を抑制する効果を高めることができる。このような部分構造を有する吸着抑制層３００は、吸着抑制剤として、例えば、上述の式［ａ１］で表される化合物（好ましくは、式［ａ２］で表される化合物）を用いることで得ることができる。つまり、ステップＡにて、吸着抑制剤として、例えば、上述の式［ａ１］で表される化合物（好ましくは、式［ａ２］で表される化合物）を用いることで、原料の吸着を抑制する効果の高い吸着抑制層３００を得ることができる。

（４）変形例
上述した本態様における処理シーケンスは、以下に示す変形例のように変更することができる。これらの変形例は、任意に組み合わせることができる。特に説明がない限り、各変形例の各ステップにおける処理手順、処理条件は、上述の処理シーケンスの各ステップにおける処理手順、処理条件と同様とすることができる。

（変形例１）
上述の処理シーケンスのサイクルは、図５（ａ）～図５（ｉ）に示すように、上述の、ステップＡ、ステップＢ、ステップＣに加え、更に、ステップＤを含んでいてもよい。すなわち、図５（ａ）～図５（ｉ）に示すように、変形例１における処理シーケンスでは、上述の、ステップＡと、ステップＢと、ステップＣと、（ｄ）ウエハ２００に対して、第１反応体とは分子構造が異なる第２反応体を供給し、第２層５００を、第３層７００へ改質させるステップＤと、をそれぞれ非同時に行うサイクルを所定回数行う例を示している。なお、図５（ａ）～図５（ｉ）では、凹部２００ａ内を埋め込むように膜８００を形成する例を示している。変形例１における処理シーケンスは、以下のように示すことができる。

（吸着抑制剤→原料→第１反応体→第２反応体）×ｎ

（ステップＤ）
変形例１では、上述のステップＣが終了した後、ステップＤを行う。ステップＤでは、図５（ｄ）に示すように、ウエハ２００に対して、第１反応体とは分子構造が異なる第２反応体を供給し、第２層５００を、第３層７００へ改質させる。

具体的には、バルブ２４３ｃを開き、ガス供給管２３２ｃ内へ第２反応体を流す。第２反応体は、２４１ｃにより流量調整され、ノズル２４９ｃを介して処理室２０１内へ供給され、排気口２３１ａより排気される。このとき、ウエハ２００に対して第２反応体が供給される。このとき、バルブ２４３ｅ～２４３ｇを開き、ノズル２４９ａ～２４９ｃのそれぞれを介して処理室２０１内へ不活性ガスを供給するようにしてもよい。

ステップＤにおいて第２反応体を供給する際における処理条件としては、
処理温度：４００～８００℃、好ましくは５００～８００℃、より好ましくは５００～７５０℃、さらに好ましくは６００～７５０℃
処理圧力：１～４０００Ｐａ、好ましくは６００～１０００Ｐａ
第２反応体供給流量：１～１０ｓｌｍ、好ましくは３～７ｓｌｍ
第２反応体供給時間：３０～９０秒、好ましくは４０～６０秒
が例示される。
他の処理条件は、ステップＡにおける処理条件と同様とすることができる。

ただし、ステップＤにおける処理温度は、成膜処理の生産性の観点からは、ステップＡ、ステップＢ、ステップＣと同一とすることが望ましいが、それぞれ異ならせるようにしてもよい。

上述の処理条件下でウエハ２００に対して第２反応体を供給することにより、第２層５００を第３層７００へ改質させることができる。つまり、ステップＤでは、第２層５００を、第２層５００とは異なる組成の第３層７００へと改質させることができる。なお、第２層５００を第３層７００へと改質させる際、第２反応体により、第２層５００に対して第２層５００に含まれる元素とは異なる元素を添加することができる。これにより、図５（ｄ）に示すように、図５（ｃ）に示す第２層５００よりも厚い第３層７００を得ることができる。

また、ステップＤでは、第２反応体による改質反応（例えば、窒化反応等）の過程において、第３層７００の表面に新たな吸着サイト（例えば、ＮＨ終端）を生成させることが好ましい。

第２層５００を第３層７００へと改質させた後、バルブ２４３ｃを閉じ、処理室２０１内への第２反応体の供給を停止する。そして、上述のステップＡにおけるパージと同様の処理手順、処理条件により、処理室２０１内に残留する第２反応体やガス状物質等を処理室２０１内から排除する（パージ）。

－第２反応体－
第２反応体としては、第２層５００を第３層７００へと改質させうる化合物を用いることができる。第２反応体としては、第２層５００を第３層７００へと改質させる改質効果の観点から、例えば、Ｎ及びＨ含有ガス、Ｃ及びＮ含有ガス、Ｃ及びＨ含有ガス、Ｏ含有ガス、ならびに、Ｂ含有ガスのうち少なくともいずれかを用いることができる。ただし、第２反応体としては、第１反応体とは、分子構造が異なる化合物を用いる。

第２反応体として用いるＮ及びＨ含有ガス、Ｃ及びＮ含有ガス、Ｃ及びＨ含有ガス、Ｏ含有ガス、Ｂ含有ガスとしては、第１反応体として用いるＮ及びＨ含有ガス、Ｃ及びＮ含有ガス、Ｃ及びＨ含有ガス、Ｏ含有ガス、Ｂ含有ガスとして例示した上述のガス種と同様のものを用いることができる。第２反応体としては、これらのガス種のうち１以上を用いることができる。なお、第２反応体が混合ガスの場合の供給の態様、第２反応体が、Ｎ及びＨ含有ガス、Ｃ及びＮ含有ガス、Ｃ及びＨ含有ガス、Ｏ含有ガス、ならびに、Ｂ含有ガスの５群のうち、異なる群から選択される２種以上のガスを併用する場合のガスの供給の態様も、第１反応体と同様の方法を用いることができる。

－第１反応体と第２反応体との組み合わせ－
変形例１における、「第１反応体」－「第２反応体」または「第２反応体」－「第１反応体」の組み合わせの例を以下に示す。
・「Ｎ及びＨ含有ガス」－「Ｃ及びＮ含有ガス」
・「Ｎ及びＨ含有ガス」－「Ｃ及びＨ含有ガス」
・「Ｎ及びＨ含有ガス」－「Ｏ含有ガス」
・「Ｎ及びＨ含有ガス」－「Ｂ含有ガス」
・「Ｃ及びＮ含有ガス」－「Ｃ及びＨ含有ガス」
・「Ｃ及びＮ含有ガス」－「Ｏ含有ガス」
・「Ｃ及びＮ含有ガス」－「Ｂ含有ガス」
・「Ｃ及びＨ含有ガス」－「Ｏ含有ガス」
・「Ｃ及びＨ含有ガス」－「Ｂ含有ガス」
・「Ｏ含有ガス」－「Ｂ含有ガス」

第１反応体と第２反応体との組み合わせにより、第３層７００の成分、すなわち、膜８００の成分、すなわち、膜８００の組成が決定される。例えば、第１層４００がＳｉを含有する層である場合、上述した組み合わせにて、第３層７００として、Ｓｉ、Ｃ及びＮを含有する層、Ｓｉ、Ｏ及びＮを含有する層、Ｓｉ、Ｂ及びＮを含有する層、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＮを含有する層、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ及びＮを含有する層、Ｓｉ、Ｏ及びＣを含有する層、Ｓｉ、Ｂ及びＣを含有する層、Ｓｉ、Ｂ及びＯを含有する層等を形成することができる。これらの場合、膜８００として、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＢＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＢＣ膜、ＳｉＢＯ膜等を形成することができる。

変形例１では、図５（ａ）～図５（ｄ）に示すようにして、ステップＡとステップＢとステップＣとステップＤとを非同時に行う１サイクル目を行った後は、ステップＡとステップＢとステップＣとステップＤとを非同時に行う２サイクル目を行うことが好ましい。具体的には、図５（ｄ）に示されるように、ステップＤにて、ウエハ２００の凹部２００ａ内には、その全面に第３層７００が形成される。その後、２サイクル目を行う場合には、表面に第３層７００を有する凹部２００ａを備えたウエハ２００に対して、ステップＡ、ステップＢ、ステップＣ、ステップＤをこの順で、非同時に行う。２サイクル目のステップＡによれば、図５（ｄ）の状態から、図５（ｅ）に示すように、表面に第３層７００を有する凹部２００ａ内の上部の吸着サイト（すなわち、第３層７００の表面の吸着サイト）に吸着抑制剤が吸着して吸着抑制層３００が再度形成される。続いて、ステップＢにより、図５（ｆ）に示すように、吸着抑制層３００が再度形成された凹部２００ａ内に存在する吸着サイト（すなわち、第３層７００の表面の吸着サイト）に原料が吸着して第１層４００が再度形成される。更に続いて、ステップＣにより、図５（ｇ）に示すように、第３層７００の表面に再度形成された吸着抑制層３００および第１層４００が第１反応体により第２層５００へと改質される。そして、ステップＤにより、図５（ｈ）に示すように、第３層７００の表面に形成された第２層５００が第２反応体により第３層７００へと改質される。このような２サイクル目にて、凹部２００ａ内における１層目の第３層７００の上に、２層目の第３層７００が形成される。このようなサイクルを複数回繰り返すことにより、図５（ｉ）に示すように、凹部２００ａ内の全体が第３層７００の積層物である膜８００で埋め込まれることとなる。なお、ステップＡとステップＢとステップＣとステップＤとを非同時に行うサイクルを複数回繰り返すことで、ウエハ２００の上面２００ｂの表面においても、凹部２００ａの上部の表面において生じる反応と同様な反応が生じ、ウエハ２００の上面２００ｂにも、膜８００が形成されることとなる。

変形例１においても、上述の態様と同様の効果が得られる。また、ステップＤを行うことで、凹部２００ａ内に形成される膜８００中に第２反応体に含まれる成分、すなわち、Ｎ及びＨ含有ガス、Ｃ及びＮ含有ガス、Ｃ及びＨ含有ガス、Ｏ含有ガス、ならびに、Ｂ含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を、それぞれ付加（添加）することができ、膜の組成を変化させることが可能となる。

（変形例２）
ステップＡの前には、以下に示す処理シーケンスのように、ウエハ２００、第２層５００、第３層７００に対して前処理ガスを供給する前処理を行うようにしてもよい。ステップＡの前に前処理を行うことによって、ウエハ２００の最表面における吸着サイトの量を増やす（言い換えれば、吸着サイトの密度を上げる）ことが可能となる。

前処理→（吸着抑制剤→原料→第１反応体）×ｎ
（前処理→吸着抑制剤→原料→第１反応体）×ｎ
前処理→（吸着抑制剤→原料→第１反応体→第２反応体）×ｎ
（前処理→吸着抑制剤→原料→第１反応体→第２反応体）×ｎ

前処理ガスとしては、例えば、窒化剤（窒化ガス）を用いることができる。窒化剤としては、Ｎ及びＨ含有ガスを用いることができる。Ｎ及びＨ含有ガスとしては、上述の第１反応体として用いるＮ及びＨ含有ガスとして例示した上述のガス種と同様のものを用いることができる。

前処理ガスを供給する際の条件としては、
処理温度：４００～８００℃、好ましくは５００～８００℃、より好ましくは５００～７５０℃、さらに好ましくは６００～７５０℃
処理圧力：１～４０００Ｐａ、好ましくは６００～１０００Ｐａ
前処理ガス供給流量：１～１０ｓｌｍ、好ましくは３～７ｓｌｍ
前処理ガス供給時間：３０～３００秒、好ましくは６０～１８０秒
が例示される。
他の処理条件は、ステップＡにおける処理条件と同様とすることができる。

変形例２においても、上述の態様と同様の効果が得られる。また、変形例２によれば、前処理を経たウエハ２００の最表面、すなわち、ウエハ２００、第２層５００、第３層７００のそれぞれの表面における吸着サイトの量を多くすることができる（言い換えれば、吸着サイトの密度を高くすることができる）。これにより、ステップＡでは吸着抑制剤が吸着しやすくなり、吸着抑制層３００の密度を高くすることもでき、更には、ステップＢでは原料が吸着しやすくなり、第１層４００の密度を高くすることもできる。その結果、高品質な膜を、更に高い成膜レートで形成することが可能となる。

（変形例３）
ステップＣまたはステップＤの後には、以下に示す処理シーケンスのように、ウエハ２００に対して後処理（ポストトリートメント）を行うようにしてもよい。後処理としては、例えば、アニール処理を行うことができる。

（吸着抑制剤→原料→第１反応体）×ｎ→後処理
（吸着抑制剤→原料→第１反応体→後処理）×ｎ
（吸着抑制剤→原料→第１反応体→第２反応体）×ｎ→後処理
（吸着抑制剤→原料→第１反応体→第２反応体→後処理）×ｎ

具体的には、ウエハ２００の凹部２００ａ内に膜が形成された後、処理室２０１内の温度、すなわち、凹部２００ａ内に膜が埋め込まれた後のウエハ２００の温度を、ステップＡ～ＣまたはステップＡ～Ｄにおけるウエハ２００の温度以上の温度とするように、ヒータ２０７の出力を調整して、ウエハ２００に対してアニール処理を行う。アニール処理を行う際における処理温度は、アニール効果の観点から、ステップＡ～ＣまたはステップＡ～Ｄにおけるウエハ２００の温度よりも高い温度とすることが好ましい。アニール処理は、処理室２０１内へ、後処理ガスを供給した状態で行うようにしてもよい。後処理ガスとしては、例えば、Ｎ_２ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス等の不活性ガスや、例えば、Ｈ_２ガス、ＮＨ_３ガス、Ｎ_２Ｈ_４ガス、Ｈ_２Ｏガス、Ｈ_２Ｏ_２ガス、Ｏ_２ガス、Ｏ_３ガス等の反応性ガスや、これらのいずれかの混合ガスを用いることができる。

後処理における処理条件としては、
処理温度：５５０～１２００℃
処理圧力：１～１０１３２５Ｐａ
後処理ガス供給流量：０～１０ｓｌｍ
後処理ガス供給時間：１～２４０分
が例示される。
他の処理条件は、ステップＡにおける処理条件と同様とすることができる。

変形例３においても、上述の態様と同様の効果が得られる。また、変形例３によれば、処理室２０１内に、反応性ガス、例えば、ＮＨ_３ガス、Ｎ_２Ｈ_４ガス等のＮ及びＨ含有ガスや、Ｈ_２Ｏガス、Ｈ_２Ｏ_２ガス等のＨ及びＯ含有ガスや、Ｏ_２ガス、Ｏ_３ガス等のＯ含有ガスを供給した状態でアニール処理を行うことにより、凹部２００ａ内に形成された膜を膨張させることができる。これにより、何らかの要因により、ウエハ２００の凹部２００ａ内に形成された膜にシームやボイドが生じた場合であっても、それらを、このアニール処理により、消失させることができる。すなわち、変形例３によれば、ウエハ２００の凹部２００ａ内に形成された膜を補完することができ、ウエハ２００の凹部２００ａに対して、ボイドフリーかつシームレスな埋め込みを行うことが可能となる。

＜本開示の他の態様＞
以上、本開示の態様を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

上述の態様では、主に、ウエハ２００の表面の吸着サイトが、例えばＮＨ終端である場合の例を示したが、ウエハ２００の表面の吸着サイトは、例えばＯＨ終端であってもよい。表面に吸着サイトとしてＯＨ終端を有するウエハ２００に対して、上述の処理シーケンスを行う場合は、ＯＨ終端に吸着可能な吸着抑制剤や原料を用いることができる。第１反応体や第２反応体としては、上述の態様において例示した各種ガスを用いることができる。ただし、第１反応体や第２反応体としては、ＯＨ終端を形成可能なガス種を用いることが好ましく、例えばＯ及びＨ含有ガスを用いることができる。また、この場合において、前処理を行う場合には、前処理ガスとして酸化剤を用いることができる。酸化剤としては、Ｏ及びＨ含有ガスを用いることができる。Ｏ及びＨ含有ガスとしては、例えば、Ｈ_２ＯガスやＨ_２Ｏ_２ガス等を用いることができる。また、Ｏ及びＨ含有ガスとしては、Ｏ_２ガス＋Ｈ_２ガス等のＯ含有ガスおよびＨ含有ガスを用いることもできる。ウエハ２００の表面の吸着サイトがＯＨ終端である場合であっても、上述の態様と同傾向の効果が得られる。ただし、ウエハ２００の表面の吸着サイトは、吸着抑制剤および原料の吸着反応の効率の観点から、ＮＨ終端であることが好ましい。

上述の態様では、ステップＡの実施期間とステップＢの実施期間とを重複させない例、例えば、ステップＡにおいて吸着抑制剤の供給を停止した後、ステップＢを開始する例について説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、ステップＡにおいて吸着抑制剤の供給を継続したままの状態でステップＢを開始して原料を供給する、というようにステップＡの実施期間とステップＢの実施期間との少なくとも一部を重複させるようにしてもよい。このようにすることで、上述の態様の効果に加えて、サイクルタイムを短縮させて基板処理のスループットを向上させることができる。

上述の態様では、凹部２００ａ内を埋め込むように膜６００を形成する例について説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、凹部２００ａ内を埋め込むことなく、凹部２００ａ内の表面に沿うように、ライナー膜のような膜６００を形成するようにしてもよい。また、上述の変形例１では、凹部２００ａ内を埋め込むように膜８００を形成する例について説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、凹部２００ａ内を埋め込むことなく、凹部２００ａ内の表面に沿うように、ライナー膜のような膜８００を形成するようにしてもよい。これらの場合、サイクル数を制御して、凹部２００ａ内が埋め込まれる前に、成膜処理を停止すればよい。これらの場合においても、上述の態様と同様の効果が得られる。また、これらの場合、ステップカバレッジを大幅に向上させることが可能となり、コンフォーマルな膜を形成することが可能となる。特に、凹部におけるアスペクト比が大きいパターンほど、ステップカバレッジが悪化する傾向にあるが、本態様によれば、凹部におけるアスペクト比が大きいパターンに対しても、高いステップカバレッジを有する膜を形成することが可能となる。

各処理に用いられるレシピは、処理内容に応じて個別に用意し、電気通信回線や外部記憶装置１２３を介して記憶装置１２１ｃ内に格納しておくことが好ましい。そして、各処理を開始する際、ＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のレシピの中から、処理内容に応じて適正なレシピを適宜選択することが好ましい。これにより、１台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の膜を、再現性よく形成することができるようになる。また、オペレータの負担を低減でき、操作ミスを回避しつつ、各処理を迅速に開始できるようになる。

上述のレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置１２２を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更してもよい。

上述の態様では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本開示は上述の態様に限定されず、例えば、一度に１枚または数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。また、上述の態様では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本開示は上述の態様に限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。

これらの基板処理装置を用いる場合においても、上述の態様や変形例と同様な処理手順、処理条件にて各処理を行うことができ、上述の態様や変形例と同様の効果が得られる。

上述の態様や変形例は、適宜組み合わせて用いることができる。このときの処理手順、処理条件は、例えば、上述の態様や変形例の処理手順、処理条件と同様とすることができる。

（実施例１）
図１に示す基板処理装置を用い、表面に凹部が設けられたウエハに対して、ステップＡ、ステップＢ、ステップＣを非同時に行うサイクルを複数回繰り返し、ウエハ表面における凹部内にＳｉＮ膜を形成し、第１評価サンプルを作製した。第１評価サンプル作製の際は、図６に示す、深さ３μｍ、幅１００ｎｍ、アスペクト比３０の凹部（トレンチ）を有するウエハを用い、吸着抑制剤としてＳｉＣｌ_４ガスを用い、原料としてＳｉ_２Ｃｌ_６ガスを用い、第１反応体としてＮＨ_３ガスを用いた。なお、第１評価サンプル作製の際の各ステップにおける処理条件は、上述の態様の処理シーケンスの各ステップにおける処理条件範囲内の所定の条件とした。

（比較例１）
ステップＡを行わなかった以外は、実施例１と同様にして、ウエハ表面における凹部内にＳｉＮ膜を形成し、第２評価サンプルを作製した。第２評価サンプル作製の際における、ウエハ、原料、第１反応体、各ステップにおける処理条件は、第１評価サンプル作製の際におけるそれらと同様とした。

得られたそれぞれの評価サンプルにおいて、ステップカバレッジ（Ｓ／Ｃともいう）を測定した。ここで、ステップカバレッジは、図６に示すような、評価サンプルの画像（ＳＥＭ画像）から測定された、凹部の上部（縁）に形成されたＳｉＮ膜の厚みＴ_ＴＯＰと、凹部の下部に形成されたＳｉＮ膜の厚みＴ_ＢＯＴとを用い、これらを下記式Ｘに代入することで求めた。
式Ｘ ： Ｓ／Ｃ（％）＝［Ｔ_ＢＯＴ／Ｔ_ＴＯＰ］×１００

その結果を図６に示す。比較例１（第２評価サンプル）では、ステップカバレッジ（Ｓ／Ｃ）が９９％であったのに対し、実施例１（第１評価サンプル）では、ステップカバレッジ（Ｓ／Ｃ）が１０７％であった。このように、実施例１（第１評価サンプル）におけるステップカバレッジは、比較例１（第２評価サンプル）におけるステップカバレッジに比べて高いことが分かる。これにより、実施例１によれば、第１層が改質されることで形成される第２層の厚さを、吸着抑制層が改質されることで形成される第２層の厚さよりも厚くすることが可能であり、凹部の下部に形成される膜の厚さを、凹部の上部に形成される膜の厚さよりも厚くすることが可能であることが確認された。

＜本開示の好ましい態様＞
以下、本開示の好ましい態様について付記する。

（付記１）
本開示の一態様によれば、
（ａ）表面に凹部が設けられた基板に対して、原料の吸着を抑制する吸着抑制剤を供給し、前記凹部内の上部の吸着サイトに前記吸着抑制剤を吸着させて吸着抑制層を形成する工程と、
（ｂ）前記基板に対して、前記原料を供給し、前記吸着抑制層が形成された前記凹部内に存在する吸着サイトに前記原料を吸着させて第１層を形成する工程と、
（ｃ）前記基板に対して、前記吸着抑制層および前記第１層の両方と化学反応する第１反応体を供給し、前記吸着抑制層および前記第１層を第２層へ改質させる工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記凹部内に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。

（付記２）
付記１に記載の方法であって、
前記第１層の厚さを、前記吸着抑制層の厚さよりも厚くする。

（付記３）
付記１または２に記載の方法であって、
前記第１層が改質されることで形成される前記第２層の厚さを、前記吸着抑制層が改質されることで形成される前記第２層の厚さよりも厚くする。

（付記４）
付記１～３のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第１層が改質されることで形成される前記第２層と、前記吸着抑制層が改質されることで形成される前記第２層とは、成分が同一である。

（付記５）
付記１～４のいずれか１項に記載の方法であって、
前記吸着抑制剤および前記原料は、いずれも、前記膜を構成する主元素を含む。

（付記６）
付記５に記載の方法であって、
前記吸着抑制剤および前記原料は、いずれも、ハロゲン元素を含む。

（付記７）
付記５に記載の方法であって、
前記吸着抑制剤および前記原料は、いずれも、塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、および、ヨウ素（Ｉ）のうち少なくともいずれかを含む。

（付記８）
付記５～７のいずれか１項に記載の方法であって、
前記吸着抑制剤および前記原料は、それぞれ、ハロシランである。

（付記９）
付記５～７のいずれか１項に記載の方法であって、
前記吸着抑制剤および前記原料は、それぞれ、クロロシランである。

（付記１０）
付記１～９のいずれか１項に記載の方法であって、
前記吸着抑制剤の熱分解温度は、前記原料の熱分解温度よりも高い。

（付記１１）
付記１～１０のいずれか１項に記載の方法であって、
（ａ）における前記吸着抑制剤の分解率を、（ｂ）における前記原料の分解率よりも低くする。

（付記１２）
付記１～１１のいずれか１項に記載の方法であって、
（ａ）における気相反応に対する表面反応の割合を、（ｂ）における気相反応に対する表面反応の割合よりも高くする。

（付記１３）
付記１～１２のいずれか１項に記載の方法であって、
前記吸着抑制剤の供給時間を前記原料の供給時間以下とする。好ましくは、前記吸着抑制剤の供給時間を前記原料の供給時間未満とする。

（付記１４）
付記１～１３のいずれか１項に記載の方法であって、
前記吸着抑制剤の供給時間を前記原料の供給時間以下とし、前記原料の供給時間を前記第１反応体の供給時間未満とする。好ましくは、前記吸着抑制剤の供給時間を前記原料の供給時間未満とする。

（付記１５）
付記１～１４のいずれか１項に記載の方法であって、
前記吸着抑制層は、主元素の原子に３つのハロゲンが結合してなる部分構造を含む。好ましくは、前記吸着抑制層は、主元素の原子に３つの塩素が結合してなる部分構造を含む。

（付記１６）
付記１～１５のいずれか１項に記載の方法であって、
前記吸着抑制剤は、ＳｉＸ_３Ｒ（３つのＸは、それぞれ独立に、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、またはＩを表し、Ｒは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、アルキル基、またはアミノ基を表す。）で表される化合物である。好ましくは、前記吸着抑制剤は、ＳｉＣｌ_３Ｒ（Ｒは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、アルキル基、またはアミノ基を表す。）で表される化合物である。

（付記１７）
付記１～１６のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第１反応体は、窒素及び水素含有ガス、炭素及び窒素含有ガス、炭素及び水素含有ガス、酸素含有ガス、ならびに、ホウ素含有ガスのうち少なくともいずれかである。

（付記１８）
付記１～１７のいずれか１項に記載の方法であって、
前記サイクルは、さらに、（ｄ）前記基板に対して、前記第１反応体とは分子構造が異なる第２反応体を供給し、前記第２層を、第３層へ改質させる工程を、（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）のそれぞれと非同時に行うことを含む。

（付記１９）
付記１８に記載の方法であって、
前記第１反応体および前記第２反応体は、それぞれ、窒素及び水素含有ガス、炭素及び窒素含有ガス、炭素及び水素含有ガス、酸素含有ガス、ならびに、ホウ素含有ガスのうち少なくともいずれかである。

（付記２０）
本開示の他の態様によれば、
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して吸着抑制剤を供給する吸着抑制剤供給系と、
前記処理室内の基板に対して第１反応体を供給する第１反応体供給系と、
前記処理室内において、付記１の各処理（各工程）を行わせるように、前記原料供給系、前記吸着抑制剤供給系、および前記第１反応体供給系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。

（付記２１）
本開示の更に他の態様によれば、
付記１の各手順（各工程）をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

２００ ウエハ（基板）
２００ａ 凹部
２００ｂ 上面
３００ 吸着抑制層
４００ 第１層
５００ 第２層
６００ 膜
７００ 第３層
８００ 膜

Claims (22)

1. （ａ）表面に凹部が設けられた基板に対して、原料の吸着を抑制する前記原料よりも熱分解温度が高い吸着抑制剤を供給し、前記凹部内の上部の吸着サイトに前記吸着抑制剤を吸着させて、前記吸着抑制剤から置換基が解離した残基により構成される吸着抑制層を形成する工程と、
   （ｂ）前記基板に対して、前記原料を供給し、前記吸着抑制層が形成された前記凹部内に存在する吸着サイトに前記原料を吸着させて第１層を形成する工程と、
   （ｃ）前記基板に対して、前記吸着抑制層および前記第１層の両方と化学反応する第１反応体を供給し、前記吸着抑制層および前記第１層を第２層へ改質させる工程と、
   を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記凹部内に膜を形成する工程を有する基板処理方法。
2. 前記第１層の厚さを、前記吸着抑制層の厚さよりも厚くする請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記第１層が改質されることで形成される前記第２層の厚さを、前記吸着抑制層が改質されることで形成される前記第２層の厚さよりも厚くする請求項１または２に記載の基板処理方法。
4. 前記第１層が改質されることで形成される前記第２層と、前記吸着抑制層が改質されることで形成される前記第２層とは、成分が同一である請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
5. 前記吸着抑制剤および前記原料は、いずれも、前記膜を構成する主元素を含む請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
6. 前記吸着抑制剤および前記原料は、いずれも、ハロゲン元素を含む請求項５に記載の基板処理方法。
7. 前記吸着抑制剤および前記原料は、いずれも、塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、および、ヨウ素（Ｉ）のうち少なくともいずれかを含む請求項５に記載の基板処理方法。
8. 前記吸着抑制剤および前記原料は、それぞれ、ハロシランである請求項５～７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
9. 前記吸着抑制剤および前記原料は、それぞれ、クロロシランである請求項５～７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
10. （ａ）における気相反応に対する表面反応の割合を、（ｂ）における気相反応に対する表面反応の割合よりも高くする請求項１～９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
11. 前記吸着抑制剤の供給時間を、前記原料の供給時間以下、もしくは、前記原料の供給時間未満とする請求項１～１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
12. 前記吸着抑制剤の供給時間を、前記原料の供給時間以下、もしくは、前記原料の供給時間未満とし、
    前記原料の供給時間を前記第１反応体の供給時間未満とする請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
13. 前記吸着抑制層は、主元素の原子に３つのハロゲンが結合してなる部分構造を含む請求項１～１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
14. 前記吸着抑制層は、主元素の原子に３つの塩素が結合してなる部分構造を含む請求項１～１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
15. 前記吸着抑制剤は、ＳｉＸ_３Ｒ（３つのＸは、それぞれ独立に、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、またはＩを表し、Ｒは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、アルキル基、またはアミノ基を表す。）で表される化合物である請求項１～１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
16. 前記吸着抑制剤は、ＳｉＣｌ_３Ｒ（Ｒは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、アルキル基、またはアミノ基を表す。）で表される化合物である請求項１～１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
17. 前記第１反応体は、窒素及び水素含有ガス、炭素及び窒素含有ガス、炭素及び水素含有ガス、酸素含有ガス、ならびに、ホウ素含有ガスのうち少なくともいずれかである請求項１～１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
18. 前記サイクルは、さらに、（ｄ）前記基板に対して、前記第１反応体とは分子構造が異なる第２反応体を供給し、前記第２層を、第３層へ改質させる工程を、（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）のそれぞれと非同時に行うことを含む請求項１～１７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
19. 前記第１反応体および前記第２反応体は、それぞれ、窒素及び水素含有ガス、炭素及び窒素含有ガス、炭素及び水素含有ガス、酸素含有ガス、ならびに、ホウ素含有ガスのうち少なくともいずれかである請求項１８に記載の基板処理方法。
20. （ａ）表面に凹部が設けられた基板に対して、原料の吸着を抑制する前記原料よりも熱分解温度が高い吸着抑制剤を供給し、前記凹部内の上部の吸着サイトに前記吸着抑制剤を吸着させて、前記吸着抑制剤から置換基が解離した残基により構成される吸着抑制層を形成する工程と、
    （ｂ）前記基板に対して、前記原料を供給し、前記吸着抑制層が形成された前記凹部内に存在する吸着サイトに前記原料を吸着させて第１層を形成する工程と、
    （ｃ）前記基板に対して、前記吸着抑制層および前記第１層の両方と化学反応する第１反応体を供給し、前記吸着抑制層および前記第１層を第２層へ改質させる工程と、
    を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記凹部内に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
21. 基板が処理される処理室と、
    前記処理室内の基板に対して原料を供給する原料供給系と、
    前記処理室内の基板に対して前記原料の吸着を抑制する前記原料よりも熱分解温度が高い吸着抑制剤を供給する吸着抑制剤供給系と、
    前記処理室内の基板に対して第１反応体を供給する第１反応体供給系と、
    前記処理室内において、（ａ）表面に凹部が設けられた基板に対して、前記吸着抑制剤を供給し、前記凹部内の上部の吸着サイトに前記吸着抑制剤を吸着させて、前記吸着抑制剤から置換基が解離した残基により構成される吸着抑制層を形成する処理と、（ｂ）前記基板に対して、前記原料を供給し、前記吸着抑制層が形成された前記凹部内に存在する吸着サイトに前記原料を吸着させて第１層を形成する処理と、（ｃ）前記基板に対して、前記吸着抑制層および前記第１層の両方と化学反応する前記第１反応体を供給し、前記吸着抑制層および前記第１層を第２層へ改質させる処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記凹部内に膜を形成する処理を行わせるように、前記原料供給系、前記吸着抑制剤供給系、および前記第１反応体供給系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
    を有する基板処理装置。
22. （ａ）表面に凹部が設けられた基板に対して、原料の吸着を抑制する前記原料よりも熱分解温度が高い吸着抑制剤を供給し、前記凹部内の上部の吸着サイトに前記吸着抑制剤を吸着させて、前記吸着抑制剤から置換基が解離した残基により構成される吸着抑制層を形成する手順と、
    （ｂ）前記基板に対して、前記原料を供給し、前記吸着抑制層が形成された前記凹部内に存在する吸着サイトに前記原料を吸着させて第１層を形成する手順と、
    （ｃ）前記基板に対して、前記吸着抑制層および前記第１層の両方と化学反応する第１反応体を供給し、前記吸着抑制層および前記第１層を第２層へ改質させる手順と、
    を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記凹部内に膜を形成する手順をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。

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