JP7274039B2 - 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents
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Description
(a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する工程と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する工程と、
を行う技術が提供される。
以下、本開示の第1態様について図1~図4を参照しながら説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200の表面上に膜を形成する処理シーケンス例について、主に図4を用いて説明する。なお、本態様では、ウエハ200として、その表面にトレンチやホール等の凹部が形成されたシリコン基板(シリコンウエハ)を用いる例について説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
表面に凹部が形成されたウエハ200に対して原料ガスを供給するステップ(原料ガス供給)と、ウエハ200に対して第1N及びH含有ガスを供給するステップ(第1N及びH含有ガス供給)と、ウエハ200に対して第2N及びH含有ガスを供給するステップ(第2N及びH含有ガス供給)と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことで、原料ガス、第1N及びH含有ガス、および第2N及びH含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、ウエハ200の表面と凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、ウエハ200の表面と凹部内とにオリゴマー含有層を形成するステップ(オリゴマー含有層形成)と、
ウエハ200の表面と凹部内とにオリゴマー含有層が形成されたウエハ200に対して、第1温度以上の第2温度下でポストトリートメント(以下、PTとも称する)を行うことで、ウエハ200の表面と凹部内とに形成されたオリゴマー含有層を改質させて、凹部内を埋め込むように、オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成するステップ(PT)と、
を行う。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)された後、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
ボートロードが終了した後、処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。また、処理室201内のウエハ200が所望の処理温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される(温度調整)。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次のステップ1~3を順次実行する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対して原料ガスを供給する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対して第1N及びH含有ガスを供給する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対して第2N及びH含有ガスを供給する。
その後、上述したステップ1~3を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行う。
原料ガス供給流量:10~1000sccm
原料ガス供給時間:1~300秒
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):10~10000sccm
処理温度(第1温度):0~150℃、好ましくは10~100℃、より好ましくは20~60℃
処理圧力:10~6000Pa、好ましくは50~2000Pa
が例示される。
第1N及びH含有ガス供給流量:10~5000sccm
第1N及びH含有ガス供給時間:1~300秒
が例示される。他の処理条件は、原料ガス供給における処理条件と同様とすることができる。
第2N及びH含有ガス供給流量:10~5000sccm
第2N及びH含有ガス供給時間:1~300秒
が例示される。他の処理条件は、原料ガス供給における処理条件と同様とすることができる。
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):10~20000sccm
不活性ガス供給時間:1~300秒
処理圧力:10~6000Pa
が例示される。他の処理条件は、原料ガス供給における処理条件と同様とすることができる。
ウエハ200の表面と凹部内とにオリゴマー含有層が形成された後、ウエハ200の温度を、上述の第1温度以上の第2温度へ変更させるように、好ましくは、上述の第1温度よりも高い第2温度へ変更させるように、ヒータ207の出力を調整する。
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):10~20000sccm
処理温度(第2温度):100~1000℃、好ましくは200~600℃
処理圧力:10~80000Pa、好ましくは200~6000Pa
処理時間:300~10800秒
が例示される。
SiCN膜の形成が完了した後、ノズル249a~249cのそれぞれからパージガスとしての不活性ガスを処理室201内へ供給し、排気口231aより排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本態様によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
続いて、本開示の第2態様について、主に図5を参照しながら説明する。
ウエハ200に対して原料ガスを供給するステップと、ウエハ200に対して第1N及びH含有ガスを供給するステップと、を同時に行うステップと、
ウエハ200に対して第2N及びH含有ガスを供給するステップと、
を非同時に行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うようにしてもよい。
続いて、本開示の第3態様について、主に図6を参照しながら説明する。
ウエハ200に対して原料ガスを供給するステップと、ウエハ200に対して第1N及びH含有ガスを供給するステップと、を同時に行うステップと、
ウエハ200に対して第2N及びH含有ガスを供給するステップと、
ウエハ200に対して第1N及びH含有ガスを供給するステップと、
を非同時に行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うようにしてもよい。
以上、本開示の種々の態様を具体的に説明した。但し、本開示は上述の態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
H含有ガス供給流量:10~3000sccm
処理温度(第2温度):100~1000℃、好ましくは200~600℃
処理圧力:10~1000Pa、好ましくは200~800Pa
処理時間:300~10800秒
が例示される。
N及びH含有ガス供給流量:10~10000sccm
処理温度(第2温度):100~1000℃、好ましくは200~600℃
処理圧力:10~6000Pa、好ましくは200~2000Pa
処理時間:300~10800秒
が例示される。
O含有ガス供給流量:10~10000sccm
処理温度(第2温度):100~1000℃、好ましくは100~600℃
処理圧力:10~90000Pa、好ましくは20000~80000Pa
処理時間:300~10800秒
が例示される。
オリゴマー含有層が形成されたウエハ200に対してN2ガス等のN含有ガス、H2ガス等のH含有ガス、および、NH3ガス等のN及びH含有ガスのうち少なくともいずれかを供給するステップと、
オリゴマー含有層が形成されたウエハ200に対してH2Oガス等のO含有ガス(O及びH含有ガス)を供給するステップと、
を非同時に行うようにしてもよい。この場合、上記2つのステップのうち、前段のステップを第1ポストトリートメント、後段のステップを第2ポストトリートメントと称することができる。
ウエハ200に対して原料ガスを供給するステップと、
ウエハ200に対して第1N及びH含有ガスを供給するステップと、
ウエハ200に対して第2N及びH含有ガスを供給するステップと、
ウエハ200に対して第1N及びH含有ガスを供給するステップと、
を非同時に行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うようにしてもよい。
201 処理室
Claims (28)
- (a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、を同時に行う工程と、
前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する工程と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する工程と、
を有する基板処理方法。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、を同時に行う工程と、
前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、
前記基板に対して前記第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する工程と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する工程と、
を有する基板処理方法。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対してシリコンおよびハロゲンを含有する原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する工程と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する工程と、
を有する基板処理方法。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する工程と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する工程と、
を有し、
(b)は、
前記基板に対して窒素含有ガス、水素含有ガス、および、窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、
前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
を含む基板処理方法。 - (a)では、前記原料ガスが単独で存在した場合に、前記原料ガスの化学吸着よりも前記原料ガスの物理吸着の方が支配的に生じる条件下で、前記サイクルを所定回数行う請求項1~4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)では、前記原料ガスが単独で存在した場合に、
前記原料ガスの熱分解および前記原料ガスの化学吸着よりも前記原料ガスの物理吸着の方が支配的に生じる条件下で、もしくは、
前記原料ガスが熱分解することなく前記原料ガスの化学吸着よりも前記原料ガスの物理吸着の方が支配的に生じる条件下で、
前記サイクルを所定回数行う請求項1~5のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - (a)では、前記オリゴマー含有層に流動性を生じさせる条件下で、前記サイクルを所定回数行う請求項1~6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)では、前記オリゴマー含有層を前記凹部内の奥に流動させて流れ込ませ、前記凹部内の奥から前記凹部内を前記オリゴマー含有層により埋め込む条件下で、前記サイクルを所定回数行う請求項1~7のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)における前記サイクルは、
前記基板に対して前記原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して前記第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、
前記基板に対して前記第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、
を非同時に行うことを含む請求項3又は4に記載の基板処理方法。 - (a)における前記サイクルは、更に、前記基板が存在する空間をパージする工程を含み、
前記パージにより、前記オリゴマー含有層の流動を促進させつつ、前記オリゴマー含有層に含まれる余剰成分を排出させる請求項1~9のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - (b)では、前記オリゴマー含有層に流動性を生じさせる条件下で、前記ポストトリートメントを行う請求項1~10のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (b)では、前記オリゴマー含有層の流動を促進させつつ、前記オリゴマー含有層に含まれる余剰成分を排出させ、前記オリゴマー含有層を緻密化させる請求項1~11のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記原料ガスは、シリコン、炭素、およびハロゲンを含有する請求項1~12のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記第1窒素及び水素含有ガスと、前記第2窒素及び水素含有ガスとは、分子構造が異なる請求項1~13のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記第1窒素及び水素含有ガスはアミン系ガスであり、前記第2窒素及び水素含有ガスは窒化水素系ガスである請求項1~14のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (b)では、前記基板に対して窒素含有ガス、水素含有ガス、窒素及び水素含有ガス、および、酸素含有ガスのうち少なくともいずれかを供給する請求項1~15のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、を同時に行う工程と、
前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する工程と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、を同時に行う工程と、
前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、
前記基板に対して前記第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する工程と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対してシリコンおよびハロゲンを含有する原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する工程と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する工程と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する工程と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する工程と、
を有し、
(b)は、
前記基板に対して窒素含有ガス、水素含有ガス、および、窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、
前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 基板に対して原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する第1窒素及び水素含有ガス供給系と、
基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する第2窒素及び水素含有ガス供給系と、
基板を加熱するヒータと、
(a)表面に凹部が形成された基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記基板に対して前記第1窒素及び水素含有ガスを供給する処理と、を同時に行う処理と、
前記基板に対して前記第2窒素及び水素含有ガスを供給する処理と、
を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する処理と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する処理と、
を行わせるように、前記原料ガス供給系、前記第1窒素及び水素含有ガス供給系、前記第2窒素及び水素含有ガス供給系、および前記ヒータを制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板に対して原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する第1窒素及び水素含有ガス供給系と、
基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する第2窒素及び水素含有ガス供給系と、
基板を加熱するヒータと、
(a)表面に凹部が形成された基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記基板に対して前記第1窒素及び水素含有ガスを供給する処理と、を同時に行う処理と、
前記基板に対して前記第2窒素及び水素含有ガスを供給する処理と、
前記基板に対して前記第1窒素及び水素含有ガスを供給する処理と、
を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する処理と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する処理と、
を行わせるように、前記原料ガス供給系、前記第1窒素及び水素含有ガス供給系、前記第2窒素及び水素含有ガス供給系、および前記ヒータを制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板に対してシリコンおよびハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する第1窒素及び水素含有ガス供給系と、
基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する第2窒素及び水素含有ガス供給系と、
基板を加熱するヒータと、
(a)表面に凹部が形成された基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記基板に対して前記第1窒素及び水素含有ガスを供給する処理と、前記基板に対して前記第2窒素及び水素含有ガスを供給する処理と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する処理と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する処理と、
を行わせるように、前記原料ガス供給系、前記第1窒素及び水素含有ガス供給系、前記第2窒素及び水素含有ガス供給系、および前記ヒータを制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板に対して原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する第1窒素及び水素含有ガス供給系と、
基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する第2窒素及び水素含有ガス供給系と、
前記基板に対して窒素含有ガス、水素含有ガス、および、窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかを供給する窒素及び/又は水素含有ガス供給系と、
前記基板に対して酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
基板を加熱するヒータと、
(a)表面に凹部が形成された基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記基板に対して前記第1窒素及び水素含有ガスを供給する処理と、前記基板に対して前記第2窒素及び水素含有ガスを供給する処理と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する処理と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する処理と、
(b)において、
前記基板に対して前記窒素含有ガス、前記水素含有ガス、および、前記窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかを供給する処理と、
前記基板に対して前記酸素含有ガスを供給する処理と、
を行わせるように、前記原料ガス供給系、前記第1窒素及び水素含有ガス供給系、前記第2窒素及び水素含有ガス供給系、前記窒素及び/又は水素含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、および前記ヒータを制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する手順と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する手順と、を同時に行う手順と、
前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する手順と、
を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する手順と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する手順と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する手順と、を同時に行う手順と、
前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する手順と、
前記基板に対して前記第1窒素及び水素含有ガスを供給する手順と、
を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する手順と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対してシリコンおよびハロゲンを含有する原料ガスを供給する手順と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する手順と、前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する手順と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する手順と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 - (a)表面に凹部が形成された基板に対して原料ガスを供給する手順と、前記基板に対して第1窒素及び水素含有ガスを供給する手順と、前記基板に対して第2窒素及び水素含有ガスを供給する手順と、を含むサイクルを、第1温度下で所定回数行うことで、前記原料ガス、前記第1窒素及び水素含有ガス、および前記第2窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかに含まれる元素を含むオリゴマーを、前記基板の表面と前記凹部内とに生成し、成長させて、流動させ、前記基板の表面と前記凹部内とにオリゴマー含有層を形成する手順と、
(b)前記基板の表面と前記凹部内とに前記オリゴマー含有層が形成された前記基板に対して、前記第1温度以上の第2温度下でポストトリートメントを行うことで、前記基板の表面と前記凹部内とに形成された前記オリゴマー含有層を改質させて、前記凹部内を埋め込むように、前記オリゴマー含有層が改質されてなる膜を形成する手順と、
(b)において、
前記基板に対して窒素含有ガス、水素含有ガス、および、窒素及び水素含有ガスのうち少なくともいずれかを供給する手順と、
前記基板に対して酸素含有ガスを供給する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
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