JP7302217B2 - 電子部品 - Google Patents
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Description
T2/T1≧0.26
の関係を満たす。
導電性樹脂層を覆っているめっき層は、導電性樹脂層と密着しやすいものの、素体とは密着しがたい。したがって、めっき層の端縁と素体との間には、間隙が存在する。樹脂に吸収された水分がガス化した場合でも、水分から発生したガスが、めっき層の端縁と素体との間の間隙に至ると、ガスは、間隙を通して外部電極外に放出される。水分から発生したガスが外部電極外に放出されるので、導電性樹脂層に応力が作用しがたい。以下、めっき層の端縁と素体との間の間隙は、単に「間隙」と称される。
導電性樹脂層の第三領域は、間隙に近いので、第三領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙に至りやすい。これに対し、第二領域は、第一領域と第三領域との間に位置しているので、第一領域は、間隙から離れている。したがって、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙に至りがたい。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスを外部電極外に放出するためには、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至る構成の実現が望まれる。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至るのであれば、第三領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙に確実に至る。
T2/T1≧0.26
の関係を満たす場合、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、第二領域を経て、第三領域に確実に至る。
T2/T1≦0.91
の関係を満たしてもよい。
間隙は、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスの出口であると共に、外部電極内への水分の入口である。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路は、水分が第一領域に至る経路となるおそれがある。水分が第一領域に至ると、水分は第一領域に吸収される。この場合、ガスの発生量が増加するおそれがある。したがって、水分が第一領域に吸収されるのを抑制するためには、水分が第一領域に至りがたい構成の実現が望まれる。
T2/T1≦0.91
の関係を満たす場合、水分が間隙から浸入する場合でも、水分が第一領域に至りがたい。したがって、本構成は、導電性樹脂層(第一領域)に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。
T3/T1≧0.49
の関係を満たしてもよい。
第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスを、より一層確実に間隙に至らせるためには、ガスが第三領域をより一層移動しやすい構成の実現が望まれる。
T3/T1≧0.49
の関係を満たす場合、ガスが第三領域をより一層移動しやすい。したがって、本構成では、導電性樹脂層(第一領域)が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。
T3/T1≦1.88
の関係を満たしてもよい。
上述したように、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路は、水分が第一領域に至る経路となるおそれがある。すなわち、第三領域は、水分が通る経路上に位置している。したがって、水分が第一領域に吸収されるのを抑制するためには、水分が、第三領域を経て、第一領域に至りがたい構成の実現が望まれる。
T3/T1≦1.88
の関係を満たす場合、水分が間隙から浸入する場合でも、水分が、第三領域を経て、第一領域に至りがたい。したがって、本構成は、導電性樹脂層(第一領域)に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。
本発明者らは、第二領域の厚み、及び、第三領域の厚みが、所望の関係を満たす場合にも、ガスが第三領域をより一層移動しやすいことを見出した。すなわち、第三領域の最大厚みが、最小厚みT2より大きい場合、ガスが第三領域をより一層移動しやすい。したがって、本構成では、導電性樹脂層(第一領域)が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。
本構成では、第三領域の厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、第三領域でのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、本構成は、ガスが第三領域を移動するのを阻害しない。この結果、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層確実に抑制する。
素体と導電性樹脂層との密着度合いは、焼結金属層と導電性樹脂層との密着度合いより低い。したがって、焼結金属層と導電性樹脂層との界面は、ガスの移動経路に寄与しがたいものの、素体と導電性樹脂層との界面は、ガスの移動経路として寄与しやすい。
本構成では、第三領域の端縁が直線状である構成に比して、第三領域の端縁の長さが大きい。したがって、本構成では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極からより一層放出されやすい。この結果、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。
T2/T1≧0.26
の関係を満たしている。最大厚みT1と、領域E2aの最大厚みT3(μm)とは、
T3/T1≧0.49
の関係を満たしていてもよい。最大厚みT1は、端面3e上での第二電極層E2の最大厚みである。最小厚みT2は、稜線部3g上での第二電極層E2の最小厚みである。最大厚みT3は、主面3a上での第二電極層E2の最大厚みである。最大厚みT3は、最小厚みT2より小さくてもよい。
T2/T1≦0.91
の関係を満たしていてもよい。最大厚みT1と、最大厚みT3とは、
T3/T1≦1.88
の関係を満たしていてもよい。
第二電極層E2を含む積層コンデンサC1の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の側面3cに平行であり、かつ、一対の側面3cから等距離に位置している平面で積層コンデンサC1を切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、第二電極層E2の各厚みT1,T2,T3を算出する。最大厚みT1は、第三方向D3での領域E2eの厚みの最大値である。最小厚みT2は、第一方向D1での領域E2gの厚みの最小値である。領域E2gの厚みは、たとえば、稜線部3gの法線方向での厚みである。最大厚みT3は、領域E2aの厚みの最大値である。
本発明者らは、最大厚みT1の範囲、最小厚みT2の範囲、及び最大厚みT3の範囲を明らかにするために、以下のような試験をおこなった。すなわち、本発明者らは、最大厚みT1、最小厚みT2、及び最大厚みT3が異なる試料1~11を用意し、各試料1~11における、第二電極層E2での剥離の発生率を確認した。その結果を図10に示す。図10は、各試料における第二電極層での剥離の発生率を示す図表である。
試料1の各検体では、最大厚みT1が58μmであり、最小厚みT2が12μmであり、最大厚みT3が13μmである。
試料2の各検体では、最大厚みT1が80μmであり、最小厚みT2が20μmであり、最大厚みT3が40μmである。
試料3の各検体では、最大厚みT1が82μmであり、最小厚みT2が21μmであり、最大厚みT3が49μmである。
試料4の各検体では、最大厚みT1が87μmであり、最小厚みT2が25μmであり、最大厚みT3が54μmである。
試料5の各検体では、最大厚みT1が79μmであり、最小厚みT2が29μmであり、最大厚みT3が39μmである。
試料6の各検体では、最大厚みT1が79μmであり、最小厚みT2が29μmであり、最大厚みT3が42μmである。
試料7の各検体では、最大厚みT1が82μmであり、最小厚みT2が30μmであり、最大厚みT3が49μmである。
試料8の各検体では、最大厚みT1が80μmであり、最小厚みT2が32μmであり、最大厚みT3が86μmである。
試料9の各検体では、最大厚みT1が79μmであり、最小厚みT2が29μmであり、最大厚みT3が119μmである。
試料10の各検体では、最大厚みT1が82μmであり、最小厚みT2が62μmであり、最大厚みT3が124μmである。
試料11の各検体では、最大厚みT1が82μmであり、最小厚みT2が75μmであり、最大厚みT3が154μmである。
試料1~11ごとに、12個の検体を選び、選んだ検体を恒温恒湿槽に5時間放置した。恒温恒湿槽内では、温度が121℃であり、相対湿度が95%である。その後、検体に、窒素雰囲気中でリフロー試験を3回実施した。リフロー試験では、ピーク温度が260℃である。
リフロー試験後に、端面3eに直交する平面に沿って検体を切断し、切断面での第二電極層E2の剥離の有無を目視にて確認した。第二電極層E2に剥離が発生している検体をカウントし、第二電極層E2での剥離の発生率(%)を算出した。
T2/T1≧0.26
の関係を満たしているので、領域E2eが含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、領域E2gを経て、領域E2aに確実に至る。領域E2eから領域E2aに至ったガスは、間隙17に確実に至る。領域E2aは、領域E2eより間隙17に近い。したがって、領域E2eが含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙17に確実に至るのであれば、領域E2aが含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙17に確実に至る。
積層コンデンサC1では、第二電極層E2(領域E2e)が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙17に確実に至る。間隙17に至ったガスは、外部電極5外に放出され、第二電極層E2に応力が作用しがたい。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離を抑制する。
T2/T1≦0.91
の関係を満たしているので、水分が間隙17から浸入する場合でも、水分が領域E2eに至りがたい。したがって、積層コンデンサC1は、第二電極層E2(領域E2e)に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
T3/T1≧0.49
の関係を満たしているので、樹脂に吸収された水分から発生したガスが領域E2aをより一層移動しやすい。したがって、積層コンデンサC1では、第二電極層E2(領域E2e)が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙17に至るので、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
T3/T1≦1.88
の関係を満たしているので、水分が間隙17から浸入する場合でも、水分が、領域E2aを経て、領域E2eに至りがたい。したがって、積層コンデンサC1は、第二電極層E2(領域E2e)に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
領域E2aの表面が、主面3aから離れる方向に凸状に湾曲している構成では、領域E2aの厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、領域E2aでのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、積層コンデンサC1は、ガスが領域E2aを移動するのを阻害しない。この結果、第二電極層E2が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙17に至るので、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
領域E2aの端縁Ee2が湾曲している構成では、領域E2aの端縁Ee2が直線状である構成に比して、領域E2aの端縁Ee2の長さが大きい。したがって、積層コンデンサC1では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極5からより一層放出されやすい。この結果、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。
各長さL1,L2は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第一電極層E1及び第二電極層E2を含む積層コンデンサの断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の側面3cに平行であり、かつ、一対の側面3cから等距離に位置している平面で積層コンデンサを切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、各長さL1,L2を算出する。
長さL1が長さL2より大きい構成では、長さL1が長さL2以下である構成に比して、ガスの移動経路が多い。したがって、本変形例では、第二電極層E2が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、間隙17に向けて移動しやすいので、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。この結果、本変形例は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
本明細書では、ある要素が他の要素上に位置していると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接位置していてもよく、他の要素上に間接的に位置していてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に位置している場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接位置している場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素を覆うと記述されている場合、ある要素は、他の要素を直接覆っていてもよく、他の要素を間接的に覆っていてもよい。ある要素が他の要素を間接的に覆っている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素を直接覆っている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
T2/T1≦0.91
の関係を満たさなくてもよい。最大厚みT1と、最小厚みT2とが、
T2/T1≦0.91
の関係を満たしている場合、上述したように、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
最大厚みT1と、最大厚みT3とは、
T3/T1≧0.49
の関係を満たさなくてもよい。最大厚みT1と、最大厚みT3とが、
T3/T1≧0.49
の関係を満たしている場合、上述したように、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
最大厚みT1と、最大厚みT3とは、
T3/T1≦1.88
の関係を満たさなくてもよい。最大厚みT1と、最大厚みT3とが、
T3/T1≧0.49
の関係を満たしている場合、上述したように、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
最大厚みT3は、最小厚みT2以下であってもよい。最大厚みT3が、最小厚みT2より大きい場合、上述したように、積層コンデンサC1は、第二電極層E2の剥離をより一層抑制する。
第一方向D1から見て、領域E2aの端縁Ee2は、湾曲していなくてもよい。第一方向D1から見て、領域E2aの端縁Ee2は、湾曲している場合、上述したように、第二電極層E2に応力がより一層作用しがたい。
Claims (15)
- 実装面を構成する主面と、前記主面と隣り合う端面とを有している素体と、
前記素体に配置されている外部電極と、を備えており、
前記外部電極は、前記主面の一部と前記端面の一部とを連続して覆うように設けられている導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層を覆っているめっき層と、を有し、
前記導電性樹脂層は、前記端面上に位置している第一領域と、前記端面と前記主面との間の稜線部上に位置している第二領域と、前記主面上に位置している第三領域と、を含み、
前記第一領域の最大厚みがT1(μm)であり、前記第二領域の最小厚みがT2(μm)である場合、前記最大厚みT1と、前記最小厚みT2とは、
0.91≧T2/T1≧0.26
の関係を満たす、電子部品。 - 前記第三領域の最大厚みがT3(μm)である場合、前記最大厚みT1と、前記最大厚みT3とは、
T3/T1≧0.49
の関係を満たす、請求項1に記載の電子部品。 - 前記最大厚みT1と、前記最大厚みT3とは、
T3/T1≦1.88
の関係を満たす、請求項2に記載の電子部品。 - 前記第三領域の最大厚みT3は、前記最小厚みT2より大きい、請求項1~3のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記主面及び前記端面に直交する断面において、前記第三領域の表面は、前記主面から離れる方向に凸状に湾曲している、請求項1~4のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記外部電極は、前記素体と前記導電性樹脂層との間に設けられている焼結金属層を更に有し、
前記焼結金属層は、前記端面上において、前記第一領域で覆われている領域と、前記第一領域から露出する領域と、を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の電子部品。 - 前記焼結金属層は、前記主面と前記端面とにわたって設けられていると共に前記導電性樹脂層に覆われており、
前記端面を含む面を基準面として、前記端面に直交する方向での前記焼結金属層の端縁から前記第三領域の端縁までの長さは、前記端面に直交する前記方向での前記基準面から前記焼結金属層の前記端縁までの長さより大きい、請求項6に記載の電子部品。 - 前記主面に直交する方向から見て、前記第三領域の端縁は、湾曲している、請求項1~7のいずれか一項に記載の電子部品。
- 実装面を構成する主面と、前記主面と隣り合う端面とを有している素体と、
前記素体に配置されている外部電極と、を備えており、
前記外部電極は、前記主面の一部と前記端面の一部とを連続して覆うように設けられている導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層を覆っているめっき層と、を有し、
前記導電性樹脂層は、前記端面上に位置している第一領域と、前記端面と前記主面との間の稜線部上に位置している第二領域と、前記主面上に位置している第三領域と、を含み、
前記第一領域の最大厚みがT1(μm)であり、前記第二領域の最小厚みがT2(μm)であり、前記第三領域の最大厚みがT3(μm)である場合、前記最大厚みT1と、前記最小厚みT2とは、
T2/T1≧0.26
の関係を満たし、
前記最大厚みT3は、前記最小厚みT2より大きい、電子部品。 - 前記最大厚みT1と、前記最大厚みT3とは、
T3/T1≧0.49
の関係を満たす、請求項9に記載の電子部品。 - 前記最大厚みT1と、前記最大厚みT3とは、
T3/T1≦1.88
の関係を満たす、請求項10に記載の電子部品。 - 前記主面及び前記端面に直交する断面において、前記第三領域の表面は、前記主面から離れる方向に凸状に湾曲している、請求項9~11のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記外部電極は、前記素体と前記導電性樹脂層との間に設けられている焼結金属層を更に有し、
前記焼結金属層は、前記端面上において、前記第一領域で覆われている領域と、前記第一領域から露出する領域と、を含む、請求項9~12のいずれか一項に記載の電子部品。 - 前記焼結金属層は、前記主面と前記端面とにわたって設けられていると共に前記導電性樹脂層に覆われており、
前記端面を含む面を基準面として、前記端面に直交する方向での前記焼結金属層の端縁から前記第三領域の端縁までの長さは、前記端面に直交する前記方向での前記基準面から前記焼結金属層の前記端縁までの長さより大きい、請求項13に記載の電子部品。 - 前記主面に直交する方向から見て、前記第三領域の端縁は、湾曲している、請求項9~14のいずれか一項に記載の電子部品。
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