JP7299102B2 - 中間原料、ならびにこれを用いた研磨用組成物および表面処理組成物 - Google Patents
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Description
本発明の中間原料から得られる研磨用組成物は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、およびポリシリコンからなる群より選択される少なくとも1種を含む研磨対象物を研磨するために用いられることが好ましい。酸化ケイ素を含む研磨対象物としては、例えば、オルトケイ酸テトラエチルを前駆体として使用して生成されるTEOSタイプ酸化ケイ素面(以下、単に「TEOS」とも称する)、HDP(High Density Plasma)膜、USG(Undoped Silicate Glass)膜、PSG(Phosphorus Silicate Glass)膜、BPSG(Boron-Phospho Silicate Glass)膜、RTO(Rapid Thermal Oxidation)膜等が挙げられる。
本発明の一形態に係る中間原料は、臨界充填パラメーターが0.6以上である電荷調整剤と、分散媒と、を含む。当該中間原料は、本発明の一形態に係る表面処理組成物および研磨用組成物の原料となりうる。
本発明の一形態に係る中間原料は、臨界充填パラメーターが0.6以上である電荷調整剤(以下、単に「電荷調整剤」とも称する)を必須に含む。当該電荷調整剤は、上述のように、研磨対象物(または研磨後の研磨対象物)表面において、規則的なラメラ構造の被膜(二分子膜)を形成すると考えられる。このような作用により、研磨対象物(または研磨後の研磨対象物)のゼータ電位を十分に下げることができ、本発明の一形態に係る中間原料を含む表面処理組成物または研磨用組成物は、性能が向上する。
平均臨界充填パラメーター=Aの臨界充填パラメーター×Aのモル分率+Bの臨界充填パラメーター×Bのモル分率
により、計算される。
本発明の一形態に係る中間原料は、分散媒(溶媒)を含む。分散媒は、各成分を分散または溶解させる機能を有する。
本発明の一形態に係る中間原料は、研磨後の研磨対象物の表面を処理するために用いられる、表面処理組成物となりうる。すなわち、本発明の他の一形態は、本発明の中間原料を含み、pHが7未満であり、研磨後の研磨対象物の表面を処理するために用いられる、表面処理組成物に関する。換言すれば、当該形態は、臨界充填パラメーターが0.6以上である電荷調整剤と、分散媒(好ましくは水)と、を含み、pHが7未満であり、研磨後の研磨対象物の表面を処理するために用いられる、表面処理組成物に関する。かような本発明に係る表面処理組成物は、研磨後の研磨対象物表面における残渣を十分に低減することができる。
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、イオン性分散剤をさらに含むことが好ましい。イオン性分散剤は、表面処理組成物による異物の除去に寄与する。よって、イオン性分散剤を含む表面処理組成物は、研磨後の研磨対象物の表面処理(洗浄等)において、研磨後の研磨対象物表面の残渣(有機物残渣等を含む不純物)を十分に除去することができる。
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、上記イオン性分散剤がスルホン酸(塩)基を有する高分子化合物であると好ましい。スルホン酸(塩)基を有する高分子化合物(本明細書中、単に「スルホン酸基含有高分子」とも称する)は、表面処理組成物による異物の除去により寄与しやすい。よって、上記スルホン酸基含有高分子を含む表面処理組成物は、研磨済研磨対象物の表面処理(洗浄等)において、研磨済研磨対象物の表面に残留する異物(有機物残渣等を含む不純物)をより除去しやすいという効果を有する。
本発明の一形態に係る表面処理組成物を用いて、研磨後の研磨対象物の処理を行った後において、研磨後の研磨対象物表面における残渣数は、少ないほど好ましい。具体的には、処理後の表面における残渣数は、300個以下であることが好ましく、250個以下であることがより好ましく、200個以下であることがさらに好ましく、150個以下であることが特に好ましい(下限0個)。なお、上記残渣数は、実施例に記載の方法により処理を行った後、実施例に記載の方法により測定された値を採用する。
本発明の一形態に係る中間原料は、砥粒とともに用いられることにより、研磨対象物を研磨するために用いられる、研磨用組成物となりうる。すなわち、本発明の他の一形態は、本発明の中間原料と砥粒とを含み、pHが7未満であり、研磨対象物を研磨するために用いられる、研磨用組成物に関する。換言すれば、当該形態は、臨界充填パラメーターが0.6以上である電荷調整剤と、分散媒と、砥粒と、を含み、pHが7未満であり、研磨対象物を研磨するために用いられる、研磨用組成物である。かような本発明に係る研磨用組成物は、研磨対象物を所望の研磨速度で研磨することができる。以下では、砥粒について説明する。
本発明の一形態に係る研磨用組成物に含まれる砥粒は、研磨対象物を機械的に研磨し、研磨速度を向上させる機能を有する。
本発明の一形態に係る中間原料、本発明の一形態に係る研磨用組成物、および本発明の一形態に係る表面処理組成物は、pH調整剤をさらに含んでもよい。pH調整剤は、主として本発明の一形態に係る中間原料、本発明の一形態に係る表面処理組成物、および本発明の一形態に係る研磨用組成物のpHを調整する目的で添加される。
本発明の一形態に係る中間原料、本発明の一形態に係る研磨用組成物、および本発明の一形態に係る表面処理組成物のpHは、7未満である。これらのpHが7以上である場合、研磨後の研磨対象物(特にはTEOS)表面のゼータ電位が大きくマイナスの値となるため、電荷調整剤の作用が働き難い。ゼータ電位の観点で、研磨対象物(特にはTEOS)表面に電荷調整剤が作用しやすいということから、当該pHは6未満であることが好ましく、4以下であることがより好ましく、3以下であることがさらに好ましく、2.5以下であることが特に好ましい。また、電荷調整剤の安定性を向上させる観点から、当該pHは1以上であることが好ましく、1.5以上であることがより好ましく、2以上であることがさらに好ましい。当該pHは、実施例に記載の方法により測定された値を採用する。
本発明の一形態に係る中間原料、本発明の一形態に係る研磨用組成物、および本発明の一形態に係る表面処理組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲で、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、特に制限されず、例えば、濡れ剤、界面活性剤、キレート剤、防腐剤、防カビ剤、溶存ガス、酸化剤、還元剤等の公知の研磨用組成物や表面処理組成物に用いられる成分を適宜選択しうる。
本発明の他の一形態は、臨界充填パラメーターが0.6以上である電荷調整剤と、分散媒と、を混合することを含む、中間原料の製造方法に関する。
本発明の他の一形態は、上記の研磨用組成物を用いて、または、上記の製造方法によって研磨用組成物を製造した後、得られた研磨用組成物を用いて、研磨対象物を研磨することを含む、研磨方法に関する。
本発明の他の一形態は、上記の表面処理組成物を用いて、または上記の製造方法によって表面処理組成物を製造した後得られた表面処理組成物を用いて、研磨後の研磨対象物(研磨済研磨対象物、表面処理対象物ともいう)を表面処理して、前記研磨後の研磨対象物の表面における残渣を低減する、表面処理方法に関する。
本発明に係る半導体基板の製造方法は、本発明の一形態に係る研磨用組成物を用いる場合、上記の研磨方法によって、研磨対象物を研磨する工程(研磨方法)を含むことが好ましい。なお、当該製造方法において、その他の工程については、公知の半導体基板の製造方法に採用されうる工程を適宜採用することができる。また、本発明にかかる半導体基板の製造方法は、本発明の一形態に係る表面処理組成物を用いる場合、上記の表面処理方法によって、研磨後の研磨対象物表面における残渣を低減する工程(表面処理方法)を含むことが好ましい。なお、当該製造方法において、その他の工程については、公知の半導体基板の製造方法に採用されうる工程を適宜採用することができる。
GPC装置:株式会社島津製作所製
型式:Prominence + ELSD検出器(ELSD-LTII)
カラム:VP-ODS(株式会社島津製作所製)
移動相 A:MeOH
B:酢酸1%水溶液
流量:1mL/分
検出器:ELSD temp.40℃、Gain 8、N2GAS 350kPa
オーブン温度:40℃
注入量:40μL。
[表面処理組成物の調製]
(実施例1:表面処理組成物A-1の調製)
電荷調整剤であるジラウリルハイドロゲンホスファイトと、分散媒である水(脱イオン水)とを、ジラウリルハイドロゲンホスファイトの含有量が、最終的に得られる表面処理組成物の総質量に対して0.1質量%となる量で混合し、中間原料を得た。その後、イオン性分散剤であるスルホン酸/カルボン酸共重合体(重量平均分子量(Mw):10000、スルホン酸基を有する単量体:カルボン酸基を有する単量体=50:50モル比)を、表面処理組成物の総質量に対して0.1質量%となる量で混合し、pH調整剤であるマレイン酸を研磨用組成物のpHが2.0となるように添加し、表面処理組成物A-1を調製した。
pH調整剤の種類、表面処理組成物のpH、電荷調整剤の種類および含有量、ならびにイオン性分散剤の種類を下記表1のように変更したこと以外は、実施例1と同様にして、表面処理組成物A-2~A-19を調製した。なお、表1中、「スルホン酸/カルボン酸 モル比」とは、スルホン酸/カルボン酸共重合体におけるスルホン酸基を有する単量体由来の構成単位とカルボン酸基を有する単量体由来の構成単位とのモル比を表す。また、表1中、「ポリオキシエチレントリアリールアルキルフェニルエーテルリン酸エステル」は、下記構造式で表される化合物を表す。
(CMP工程)
半導体基板であるTEOS基板およびSiN基板について、研磨用組成物M(組成;スルホン酸修飾コロイダルシリカ(“Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”,Chem.Commun.246-247(2003)に記載の方法で作製、平均一次粒子径30nm、平均二次粒子径60nm)4質量%、硫酸アンモニウム1質量%、濃度30質量%のマレイン酸水溶液0.018質量%、溶媒:水)を使用し、それぞれ下記の条件にて研磨を行った。ここで、TEOS基板およびSiN基板は、300mmウェーハを使用した;
-研磨装置および研磨条件-
研磨装置:株式会社荏原製作所製 FREX300E
研磨パッド:ニッタ・ハース株式会社製 硬質ポリウレタンパッド IC1010
研磨圧力:2.0psi(1psi=6894.76Pa、以下同様)
研磨定盤回転数:60rpm
ヘッド回転数:60rpm
研磨用組成物Mの供給:掛け流し
研磨用組成物供給量:300mL/分
研磨時間:60秒間。
上記CMP工程にてTEOS基板表面およびSiN基板表面を研磨した後、研磨済TEOS基板および研磨済SiN基板を研磨定盤(プラテン)上から取り外した。続いて、同じ研磨装置内で、研磨済TEOS基板および研磨済SiN基板を別の研磨定盤(プラテン)上に取り付け、下記のリンス研磨処理を行った;
-リンス研磨装置およびリンス研磨条件-
研磨装置:株式会社荏原製作所製 FREX300E
研磨パッド:ニッタ・ハース株式会社製 硬質ポリウレタンパッド IC1010
研磨圧力:2.0psi(1psi=6894.76Pa、以下同様)
研磨定盤回転数:60rpm
ヘッド回転数:60rpm
表面処理組成物A-1~A-19の供給:掛け流し
表面処理組成物供給量:300mL/分
リンス研磨処理時間:60秒間。
上記得られたリンス研磨処理済の各基板について、洗浄部でポリビニルアルコール製の洗浄ブラシで脱イオン水を用いて60秒間スクラブ洗浄を実施し、その後スピン乾燥を30秒間行った。
上記得られた洗浄工程後のTEOS基板およびSiN基板について、0.10μm以上の残渣数を測定した。残渣数の測定には、KLA TENCOR社製ウェーハ欠陥検査装置SP-2を使用した。測定は、TEOS基板およびSiN基板の片面の外周端部から幅5mmの部分(外周端部を0mmとしたときに、幅0mmから幅5mmまでの部分)を除外した残りの部分について測定を行った。残渣数は少ないほど好ましい。この結果を下記表1に示す。
[研磨用組成物の調製]
(実施例13:研磨用組成物B-1の調製)
電荷調整剤であるジラウリルハイドロゲンホスファイトと、分散媒である水(脱イオン水)とを、ジラウリルハイドロゲンホスファイトの含有量が、最終的に得られる研磨用組成物の総質量に対して0.1質量%となる量で混合し、中間原料を得た。その後、砥粒であるスルホン酸修飾コロイダルシリカ(平均一次粒子径30nm、平均二次粒子径60nm)を、研磨用組成物の総質量に対して1質量%となる量で混合し、pH調整剤であるマレイン酸を研磨用組成物のpHが2.0となるように添加し、研磨用組成物B-1を調製した。
pH調整剤の種類、ならびに電荷調整剤の種類および添加量を下記表2のように変更したこと以外は、実施例13と同様にして、研磨用組成物B-2~B-13を調製した。
(CMP工程)
半導体基板であるTEOS基板について、上記で得られた各研磨用組成物を使用し、それぞれ下記の条件にて研磨を行った。ここで、TEOS基板は、300mmウェーハを使用した;
-研磨装置および研磨条件-
研磨装置:株式会社荏原製作所製 FREX300E
研磨パッド:ニッタ・ハース株式会社製 硬質ポリウレタンパッド IC1010
研磨圧力:2.0psi
研磨定盤回転数:60rpm
ヘッド回転数:60rpm
研磨用組成物B-1~B-14の供給:掛け流し
研磨用組成物供給量:300mL/分
研磨時間:60秒間。
CMP工程前後のTEOS基板の厚み(膜厚)を光学式膜厚測定器(ASET-f5x:ケーエルエー・テンコール社製)によって測定した。CMP工程前後のTEOS基板の厚み(膜厚)の差を求め、研磨時間で除し、単位を整えることによって、研磨速度(Å/min)を算出した。この結果を下記表2に示す。なお、1Å=0.1nmである。
砥粒をアミノ基修飾コロイダルシリカ(平均一次粒子径30nm、平均二次粒子径60nm)に変更したこと以外は、実施例15および比較例8と同様にして、研磨用組成物B-14およびB-15を調製した。
Claims (9)
- 臨界充填パラメーターが0.6以上である電荷調整剤、および分散媒を含み、
pHが7未満であり、砥粒を実質的に含有しない、研磨後の研磨対象物の表面を処理するために用いられる、表面処理組成物。 - 前記電荷調整剤は、疎水性基として、置換または非置換の炭素数8~20の直鎖状または分岐状のアルキル基および置換または非置換の炭素数6~20のアリール基の少なくとも一方を含む、請求項1に記載の表面処理組成物。
- 前記電荷調整剤は、前記疎水性基として置換または非置換の炭素数6~20のアリール基を2個以上含む、請求項2に記載の表面処理組成物。
- 前記電荷調整剤は、親水性基として、硫酸基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、および亜リン酸エステル基からなる群より選択される少なくとも1種を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の表面処理組成物。
- 前記研磨対象物は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびポリシリコンからなる群より選択される少なくとも1種を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の表面処理組成物。
- 臨界充填パラメーターが0.6以上である電荷調整剤と、分散媒と、を混合することを含み、砥粒を実質的に含有しない、研磨後の研磨対象物の表面を処理するために用いられる、表面処理組成物の製造方法。
- 請求項1~5のいずれか1項に記載の表面処理組成物を用いて、または
請求項6に記載の製造方法によって表面処理組成物を製造した後、得られた表面処理組成物を用いて、
研磨後の研磨対象物を表面処理して、前記研磨後の研磨対象物の表面における残渣を低減する、表面処理方法。 - 前記表面処理は、リンス研磨処理または洗浄処理である、請求項7に記載の表面処理方法。
- 前記研磨対象物は半導体基板であり、
請求項7または8に記載の表面処理方法によって、研磨後の研磨対象物の表面における残渣を低減する表面処理工程を含む、半導体基板の製造方法。
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