JP7294022B2 - 漏電検出回路 - Google Patents

Description

本発明は、漏電を検出する漏電検出回路に関する。

漏電検出回路の中には、次のように構成されたものがある。漏電検出回路は、検査抵抗とカップリングコンデンサと絶縁抵抗とを直列に有する検査経路に、所定の電圧パルスを入力信号として入力する。その入力信号の電圧における検査抵抗と絶縁抵抗との共働により分圧された電圧のうちの絶縁抵抗側の電圧を、すなわち絶縁抵抗の端子間電圧を、検出信号として検出する。その検出信号の波高値に基づいて、絶縁抵抗値を求め、その絶縁抵抗値に基づいて、漏電の有無を判定する。

具体的には、検出信号の波高値が充分に大きく正常の範囲内である場合は、絶縁抵抗が充分大きく漏電が無いものと判定する。他方、検出信号の波高値が異常に小さく正常の範囲内でない場合は、絶縁抵抗が異常に小さく漏電が有るものと判定する。そして、そのような技術を示す文献としては、次の特許文献１がある。

特開２０１６－２１７７８５号公報

通常は、絶縁抵抗と並列に浮遊容量が存在する。その浮遊容量は、大きいほど検出信号の立ち上がりが悪くなる。それにより、検出信号の波高値が、浮遊容量が存在しない場合に比べて小さくなり、絶縁抵抗値を実際よりも小さいものと誤認してしまうおそれがある。その結果、実際には漏電が無いのに漏電があると誤判定してしまうおそれがある。

そこで、本発明者は、浮遊容量の大きさを考慮して絶縁抵抗値を求めることを考えた。しかし、その浮遊容量の大きさは、当然一定ではなく、漏電検出の対象となる回路の仕様の違いによって違ってくる。また、同じ回路であっても、経年変化等により、浮遊容量が大きくなったり、小さくなったりすることがある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、浮遊容量の大小に関わらず、精度良く漏電の有無を判定できるようにすることを、主たる目的とする。

本発明の漏電検出回路は、検査経路と信号入力部と信号検出部と浮遊算出部と絶縁算出部と判定部とを有する。前記検査経路は、検査抵抗とカップリングコンデンサと絶縁抵抗とを直列に有する。前記信号入力部は、前記検査経路に所定の電圧変動を入力信号として入力する。前記信号検出部は、前記検査経路から、前記入力信号の電圧における前記検査抵抗と前記絶縁抵抗との共働により分圧された電圧を、検出信号として検出する。

前記浮遊算出部は、前記検出信号の電圧波形に基づいて、前記絶縁抵抗と並列に存在する浮遊容量に関する値である浮遊パラメータを求める。前記絶縁算出部は、前記検出信号と前記浮遊パラメータとに基づいて、前記絶縁抵抗に関する値である絶縁パラメータを求める。前記判定部は、前記絶縁パラメータに基づいて漏電の有無を判定する。

なお、上記の「浮遊パラメータ」は、例えば、浮遊容量の電気容量値であってもよいし、当該電気容量値に相関する値であってもよい。また、上記の「絶縁パラメータ」は、例えば、絶縁抵抗の電気抵抗値であってもよいし、当該電気抵抗値に相関する値であってもよい。

本発明によれば、次の効果が得られる。検出信号の電圧波形は、浮遊容量の大きさによって変化する。本発明では、その点に着目して、検出信号の電圧波形に基づいて浮遊パラメータを求める。その浮遊パラメータと検出信号とに基づいて絶縁パラメータを求める。そのため、浮遊容量を考慮して絶縁パラメータを求めることになる。その絶縁パラメータに基づいて漏電の有無を判定する。そのため、浮遊容量の大小に関わらず、精度良く漏電の有無を判定できるようにすることができる。

第１実施形態の漏電検出回路を示す回路図 検出信号の電圧波形を示すグラフ 検出信号の立上り勾配と浮遊容量値との関係を示すグラフ 検出信号の波高値と絶縁抵抗値との関係を示すグラフ 漏電検出回路による診断制御を示すフローチャート 第２実施形態において、検出信号の電圧波形を示すグラフ 検出信号の立下り勾配と浮遊容量値との関係を示すグラフ 第３実施形態において、検出信号の電圧波形を示すグラフ 検出信号の所定時電圧値と浮遊容量値との関係を示すグラフ

次に発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明は実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更して実施できる。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態の漏電検出回路６０及びその周辺を示す回路図である。車両には所定の第１基準電位Ｖ１を基準電位とする第１回路Ｃ１と、所定の第２基準電位Ｖ２を基準電位とする第２回路Ｃ２と、が設けられている。

第１回路Ｃ１は、補機バッテリ（図示略）を有しており、その補機バッテリ（図示略）のマイナス側の端子の電位が第１基準電位Ｖ１となっている。その補機バッテリ（図示略）は、例えば鉛電池である。第１基準電位Ｖ１は、例えば車体のグランド電位である。

第２回路Ｃ２は、組電池１０を有しており、その組電池１０のマイナス側の端子の電位が第２基準電位Ｖ２となっている。その組電池１０は、例えばリチウム電池であって、直列に接続された複数のセル電池１５を有する。第２基準電位Ｖ２は、例えば車体のグランド電位よりも組電池１０の端子間電圧の約半分の電圧だけ低い電位である。よって、この場合、第２基準電位Ｖ２は第１基準電位Ｖ１よりも低い。

漏電検出回路６０は、第２回路Ｃ２の第１基準電位Ｖ１に対する漏電を検出する回路である。漏電検出回路６０は、検査経路Ｄと信号入力部３２とハードフィルタ３３とマイコン４０とを有する。マイコン４０は、信号検出部４３と浮遊算出部４４と絶縁算出部４５と判定部４６とを有する。信号入力部３２及びマイコン４０は、補機バッテリから給電される。

検査経路Ｄは、第１回路Ｃ１と第２回路Ｃ２との双方を跨いでおり、第１回路Ｃ１内に設けられている検査経路第１部Ｄ１と、第２回路Ｃ２内に設けられている検査経路第２部Ｄ２と、検査経路第３部Ｄ３とを有する。

検査経路第１部Ｄ１の一端は、第１基準電位Ｖ１に所定抵抗２１を介して電気的に接続されている。その検査経路第１部Ｄ１の他端は、カップリングコンデンサ２５を介して、検査経路第２部Ｄ２の一端に電気的に接続されている。すなわち、このカップリングコンデンサ２５により、検査経路第１部Ｄ１と検査経路第２部Ｄ２とが、両者間の電位差を保ちつつも電気的に接続されている。そして、この検査経路第１部Ｄ１における所定抵抗２１とカップリングコンデンサ２５との間には、検査抵抗２２が設けられている。

検査経路第２部Ｄ２の他端は、絶縁抵抗２８を介して、検査経路第３部Ｄ３の一端に電気的に接続されている。その検査経路第３部Ｄ３の他端は、第１基準電位Ｖ１に電気的に接続されている。以上の構成により、検査経路Ｄは、検査抵抗２２とカップリングコンデンサ２５と絶縁抵抗２８とを直列に有する。そして、絶縁抵抗２８と並列に浮遊容量２９が存在している。

信号入力部３２は、検査経路第１部Ｄ１における所定抵抗２１と検査抵抗２２との間に、所定電位のパルスを入力信号Ｓｉとして入力する。

信号検出部４３は、検査経路第１部Ｄ１における検査抵抗２２とカップリングコンデンサ２５との間の電位を、ハードフィルタ３３を介して検出信号Ｓｄとして検出する。ハードフィルタ３３は、例えば、ハイパスフィルタとローパスフィルタとを有するバンドパスフィルタであり、入力信号Ｓｉの周波数帯以外の周波数の電圧変動を除去する。以上の構成により、信号検出部４３は、入力信号Ｓｉの電圧における、検査抵抗２２と絶縁抵抗２８との共働により分圧された両電圧のうちの絶縁抵抗２８側の電圧を、すなわち、入力信号Ｓｉに由来する絶縁抵抗２８の端子間電圧を、検出信号Ｓｄとして検出する。

次に、図２を参照しつつ、本実施形態で解決すべき課題について説明する。図２は、入力信号Ｓｉと検出信号Ｓｄの電圧波形を示すグラフである。以下では、入力信号Ｓｉを構成する複数の各パルスを「入力パルスＳｉＰ」といい、そのパルス電圧を「入力電圧Ｖｉ」という。また、検出信号Ｓｄの電圧波形の波高値を「検出波高値Ｖｈ」という。また、検査抵抗２２の電気抵抗値を「検査抵抗値Ｒｄ」といい、絶縁抵抗２８の電気抵抗値を「絶縁抵抗値Ｒｘ」といい、浮遊容量２９の電気容量値を「浮遊容量値Ｃｆ」という。

図２（ａ）（ｂ）は、横軸に時間を示し、縦軸に入力信号Ｓｉ及び検出信号Ｓｄの電圧を示している。図２（ａ）は、浮遊容量値Ｃｆが相対的に小さい場合を示し、図２（ｂ）は、浮遊容量値Ｃｆが相対的に大きい場合を示している。

図２（ａ）に示すように、浮遊容量値Ｃｆが小さい場合、１回の各入力パルスＳｉＰの途中で、浮遊容量２９に蓄電可能な限界まで蓄電されることにより、それからその入力パルスＳｉＰが終了するまで、検出信号Ｓｄの電圧波形が検出波高値Ｖｈを維持したまま横ばいになる。この場合においては、入力電圧Ｖｉに対する検出波高値Ｖｈの割合（Ｖｈ／Ｖｉ）は、検査抵抗値Ｒｄと絶縁抵抗値Ｒｘとの合計（Ｒｄ＋Ｒｘ）に対する絶縁抵抗値Ｒｘの割合（Ｒｘ／（Ｒｄ＋Ｒｘ））を示すこととなる。そのため、浮遊容量値Ｃｆが分からなくても、検出波高値Ｖｈから絶縁抵抗値Ｒｘを求めることができる。なお、実際には、「Ｖｉ」と「Ｖｈ」との差は僅かであるが、図では分かりやすいようにその差を大げさに大きく示している。

他方、図２（ｂ）に示すように、浮遊容量値Ｃｆが大きい場合、浮遊容量２９に蓄電可能な限界まで蓄電される前に１回の各入力パルスＳｉＰが終了することにより、検出信号Ｓｄの電圧増加途中で、検出信号Ｓｄの電圧が減少に転じる。この場合においては、入力電圧Ｖｉに対する検出波高値Ｖｈの割合（Ｖｈ／Ｖｉ）は、検査抵抗値Ｒｄと絶縁抵抗値Ｒｘとの合計（Ｒｄ＋Ｒｘ）に対する絶縁抵抗値Ｒｘの割合（Ｒｘ／（Ｒｄ＋Ｒｘ））よりも小さくなる。よって、もし仮に、当該検出波高値Ｖｈの割合（Ｖｈ／Ｖｉ）を、当該絶縁抵抗値Ｒｘの割合（Ｒｘ／（Ｒｄ＋Ｒｘ））として、絶縁抵抗値Ｒｘを求めると、絶縁抵抗値Ｒｘが実際のものよりも小さくなってしまう。

そこで、本実施形態では、図２（ａ）に示す場合のみならず、図２（ｂ）に示す場合においても、絶縁抵抗値Ｒｘを正しく求めることができるように、浮遊容量値Ｃｆを考慮して、絶縁抵抗値Ｒｘを求める。以下では、各入力パルスＳｉＰの開始後の検出信号Ｓｄの電圧が増加する時を、「立上り時」という。また、その立上り時における所定期間Δｔでの検出信号Ｓｄの電圧増加量ΔＶａを、「立上り勾配α」という。

図２（ａ）に示すように、浮遊容量値Ｃｆが小さい場合、立上り勾配αが大きくなる。他方、図２（ｂ）に示すように、浮遊容量値Ｃｆが大きい場合、立上り勾配αが小さくなる。本実施形態では、これを利用して、立上り勾配αの大小から、浮遊容量値Ｃｆを求める。

図３は、立上り勾配αと浮遊容量値Ｃｆとの関係を示すグラフである。このように、縦軸に示す立上り勾配αが大きくなるほど、横軸に示す浮遊容量値Ｃｆは小さくなる。浮遊算出部４４は、この関係を記憶した第１マップＭ１を有している。このような第１マップＭ１は、例えば、電気容量の分かっているコンデンサ等の模擬浮遊容量を用いて予め試験を行うことや、シミュレーションにより得られる。浮遊算出部４４は、立上り時における所定時点の検出信号Ｓｄの電圧と、それから所定期間Δｔ経過後の検出信号Ｓｄの電圧との差（ΔＶａ）から、立上り勾配α＝ΔＶａ／Δｔを求める。その立上り勾配αと第１マップＭ１とから、浮遊容量値Ｃｆを求める。

図４は、検出波高値Ｖｈと絶縁抵抗値Ｒｘとの関係を示すグラフである。縦軸に示す検出波高値Ｖｈが大きくなるほど、横軸に示す絶縁抵抗値Ｒｘは大きくなる。それらの検出波高値Ｖｈと絶縁抵抗値Ｒｘとの関係を示す曲線は、浮遊容量値Ｃｆの大小によりシフトする。詳しくは、浮遊容量値Ｃｆが所定値未満の、１回の各入力パルスＳｉＰで浮遊容量２９に限界まで蓄電できる範囲内においては、上記の関係を示す曲線は、左上側の曲線（浮遊容量値Ｃｆ：小）の状態のままであり、浮遊容量値Ｃｆの大小によっても当該曲線はシフトしない。他方、浮遊容量値Ｃｆが上記の所定値以上の、１回の各入力パルスＳｉＰで浮遊容量２９に限界まで蓄電できない範囲内においては、右下側の曲線（浮遊容量値Ｃｆ：大）のように、浮遊容量値Ｃｆの大小により当該曲線がシフトする。具体的には、検出波高値Ｖｈが同じなら、浮遊容量値Ｃｆが大きい程、絶縁抵抗値Ｒｘが大きくなり、当該曲線は右下にシフトする。

絶縁算出部４５は、この関係を記憶した第２マップＭ２を有している。このような第２マップＭ２も、第１マップＭ１の場合と同様に、例えば、試験やシミュレーションにより得られる。絶縁算出部４５は、検出信号Ｓｄから検出波高値Ｖｈを取得すると共に、その検出波高値Ｖｈ及び浮遊容量値Ｃｆと、第２マップＭ２とから、絶縁抵抗値Ｒｘを求める。

判定部４６は、その絶縁抵抗値Ｒｘの大きさから、漏電の有無を判定する。具体的には、絶縁抵抗値Ｒｘが、正常の範囲の下限とされる所定の絶縁閾値Ｒｔｈよりも大きい場合には、漏電がないものと判定し、絶縁抵抗値Ｒｘがその絶縁閾値Ｒｔｈよりも小さい場合には、漏電があるものと判定する。

図５は、以上に示した漏電検出回路６０による診断制御を示すフローチャートである。まず、漏電検出回路６０は、自身の漏電検出機能が正常か否かの自己診断を行う（Ｓ１０１）。具体的には、絶縁閾値Ｒｔｈよりも小さい電気抵抗値の模擬漏電時抵抗（図示略）を介して、検査経路第２部Ｄ２を第１基準電位Ｖ１に電気的に接続する。その状態で、漏電があるかないかを判定する。そのＳ１０１での具体的な手法は、後述する実際の漏電診断（Ｓ１０３～Ｓ１１０）と同様である。その後は、上記の模擬漏電時抵抗を介しての電気的接続を解除する。

次に、自身の漏電検出機能が正常か否かを判定する（Ｓ１０２）。具体的には、Ｓ１０１の自己診断において漏電がないと判定した場合、自身の漏電検出機能が異常であることを意味するので、Ｓ１０２では、自身を異常と判定する（Ｓ１０２：ＮＯ）。そして、実際の漏電診断（Ｓ１０３～Ｓ１１０）を行うことなく、診断制御を終了する。他方、Ｓ１０１の自己診断において漏電があると判定した場合、自身の漏電検出機能が正常であることを意味するので、Ｓ１０２では、自身を正常と判定する（Ｓ１０２：ＹＥＳ）。そして、Ｓ１０３～Ｓ１１０に進んで実際の漏電診断を行う。

実際の漏電診断（Ｓ１０３～Ｓ１１０）では、まず、信号入力部３２が入力信号Ｓｉを検査経路Ｄに入力する（Ｓ１０３）。次に、信号検出部４３が、検査経路Ｄから検出信号Ｓｄを検出する。次に、浮遊算出部４４が、その検出信号Ｓｄの電圧波形から、立上り勾配αを求める（Ｓ１０５）と共に、その立上り勾配αと第１マップＭ１とから、浮遊容量値Ｃｆを求める（Ｓ１０６）。次に、絶縁算出部４５が、その浮遊容量値Ｃｆ及び検出波高値Ｖｈと、第２マップＭ２とから、絶縁抵抗値Ｒｘを求める（Ｓ１０７）。

次に、判定部４６が、その絶縁抵抗値Ｒｘが絶縁閾値Ｒｔｈよりも大きいか否かを判定する（１０８）。絶縁閾値Ｒｔｈよりも大きいと判定した場合（Ｓ１０８：ＹＥＳ）、漏電は無いものと判定して（Ｓ１０９）、診断制御を終了する。他方、Ｓ１０８で、絶縁抵抗値Ｒｘが絶縁閾値Ｒｔｈよりも小さいと判定した場合（Ｓ１０８：ＮＯ）、漏電が有るものと判定して（Ｓ１１０）、診断制御を終了する。

本実施形態によれば、次の効果が得られる。立上り勾配αは、上記のとおり、浮遊容量値Ｃｆが大きい程小さくなり、浮遊容量値Ｃｆが小さい程大きくなる。そのため、これを利用することにより、効率的に浮遊容量値Ｃｆを算出することができる。

その浮遊容量値Ｃｆと検出波高値Ｖｈとに基づいて、絶縁抵抗値Ｒｘを求める。そのため、浮遊容量値Ｃｆを考慮して絶縁抵抗値Ｒｘを求めることになる。その絶縁抵抗値Ｒｘに基づいて漏電の有無を判定する。そのため、浮遊容量値Ｃｆの大小に関わらず、精度良く漏電の有無を判定できる。

具体的には、浮遊算出部４４は、立上り勾配αと第１マップＭ１とから、浮遊容量値Ｃｆを求める。そのため、シンプルな構成で浮遊容量値Ｃｆを求めることができる。そして、絶縁算出部４５は、その浮遊容量値Ｃｆ及び検出波高値Ｖｈと、第２マップＭ２とから、絶縁抵抗値Ｒｘを求める。そのため、シンプルな構成で絶縁抵抗値Ｒｘを求めることができる。以上により、漏電検出回路６０は、立上り勾配α及び検出波高値Ｖｈから、シンプルな構成で、浮遊容量値Ｃｆを考慮しつつ絶縁抵抗値Ｒｘを求めることができる。

［第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明する。以下の実施形態では、それ以前の実施形態のものと同一の又は対応する部材等については同一の符号を付する。本実施形態については、第１実施形態をベースに、これとの違いを中心に説明する。

図６は、入力信号Ｓｉと検出信号Ｓｄとの電圧波形を示すグラフである。これらの電圧波形自体は、図２に示す第１実施形態のものと同様である。以下では、各入力パルスＳｉＰの終了後の検出信号Ｓｄの電圧が減少する時を、「立下り時」という。また、その立下り時における所定期間Δｔでの検出信号Ｓｄの電圧減少量ΔＶｂを、「立下り勾配β」という。

図６（ａ）に示すように、浮遊容量値Ｃｆが小さい場合、立下り勾配βが大きくなる。他方、図６（ｂ）に示すように、浮遊容量値Ｃｆが大きい場合、立下り勾配βが小さくなる。本実施形態では、これを利用して、立下り勾配βの大小から、浮遊容量値Ｃｆを求める。

図７は、立下り勾配βと浮遊容量値Ｃｆとの関係を示すグラフである。このように、縦軸に示す立下り勾配βが大きくなるほど、横軸に示す浮遊容量値Ｃｆは小さくなる。浮遊算出部４４は、この関係を記憶した第１マップＭ１を有している。浮遊算出部４４は、立下り時における所定時点の検出信号Ｓｄの電圧と、それから所定期間Δｔ経過後の検出信号Ｓｄの電圧との差（ΔＶｂ）から、立下り勾配β＝ΔＶｂ／Δｔを求める。その立下り勾配βと第１マップＭ１とから、浮遊容量値Ｃｆを求める。

診断制御を示すフローチャートについては、図５に示す第１実施形態のものとＳ１０５以外は同様である。すなわち、Ｓ１０５では、浮遊算出部４４は、立上り勾配αではなく、立下り勾配βを求める。そして、次のＳ１０６では、その立下り勾配βと第１マップＭ１とから、浮遊容量値Ｃｆを求める。

本実施形態によれば、次の効果が得られる。立下り勾配βは、上記のとおり、浮遊容量値Ｃｆが大きい程小さくなり、浮遊容量値Ｃｆが小さい程大きくなる。そのため、これを利用することにより、効率的に浮遊容量値Ｃｆを算出することができる。

［第３実施形態］
次に第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態をベースにこれとの違いを中心に説明する。

図８は、入力信号Ｓｉと検出信号Ｓｄとの電圧波形を示すグラフである。これらの電圧波形自体は、図２に示す第１実施形態のものと同様である。以下では、立上り時における所定時点を「所定時ｔｐ」という。また、その所定時ｔｐにおける検出信号Ｓｄの電圧値を「所定時電圧値Ｖｐ」という。

図８（ａ）に示すように、浮遊容量値Ｃｆが小さい場合、所定時電圧値Ｖｐが大きくなる。他方、図８（ｂ）に示すように、浮遊容量値Ｃｆが大きい場合、所定時電圧値Ｖｐが小さくなる。本実施形態では、これを利用して、所定時電圧値Ｖｐの大小から、浮遊容量値Ｃｆを求める。

図９は、所定時電圧値Ｖｐと浮遊容量値Ｃｆとの関係を示すグラフである。このように、縦軸に示す所定時電圧値Ｖｐが大きくなるほど、横軸に示す浮遊容量値Ｃｆは小さくなる。浮遊算出部４４は、この関係を記憶した第１マップＭ１を有している。浮遊算出部４４は、検出信号Ｓｄから所定時電圧値Ｖｐを求める。その所定時電圧値Ｖｐと第１マップＭ１とから、浮遊容量値Ｃｆを求める。

診断制御を示すフローチャートについては、図５に示す第１実施形態のものとＳ１０５以外は同様である。すなわち、Ｓ１０５では、浮遊算出部４４は、立上り勾配αではなく、所定時電圧値Ｖｐを求める。そして、次のＳ１０６では、その所定時電圧値Ｖｐと第１マップＭ１とから、浮遊容量値Ｃｆを求める。

なお、上記の所定時ｔｐは、例えば、入力パルスＳｉＰの発信を開始した時点から所定時間経過時や、Ｓ１０３で入力信号Ｓｉの入力を開始した時点から所定時間経過時や、Ｓ１０２で自身を正常と判定した時点から所定時経過時や、Ｓ１０１で自己診断を開始した時点から所定時間経過時にすることにより、立上り時における所望の時になるように調整することができる。

本実施形態によれば、次の効果が得られる。所定時電圧値Ｖｐは、上記のとおり、浮遊容量値Ｃｆが大きい程小さくなり、浮遊容量値Ｃｆが小さい程大きくなる。そのため、これを利用することにより、効率的に浮遊容量値Ｃｆを算出することができる。

［他の実施形態］
以上に示した実施形態は、次のように変更して実施できる。以下では、「立上り勾配α」「立下り勾配β」「所定時電圧値Ｖｐ」を、まとめて「立上り勾配等（α，β，Ｖｐ）」という。

例えば、各実施形態において、浮遊算出部４４は、立上り勾配等（α，β，Ｖｐ）から浮遊容量値Ｃｆを求めるのに代えて、立上り勾配等（α，β，Ｖｐ）のみを求め、浮遊容量値Ｃｆを求めないようにしてもよい。そして、第２マップＭ２は、検出波高値Ｖｈと絶縁抵抗値Ｒｘとの関係が浮遊容量値Ｃｆの大小によりシフトするのに代えて、当該関係が立上り勾配等（α，β，Ｖｐ）の大小により変化するようにしてもよい。この場合、「浮遊容量値Ｃｆ」ではなく、「立上り勾配等（α，β，Ｖｐ）」が、本発明でいう「浮遊パラメータ」に相当する。

また例えば、各実施形態において、絶縁算出部４５は、絶縁抵抗値Ｒｘを求める代わりに、検出波高値Ｖｈを浮遊容量値Ｃｆに基づいて補正するようにしてもよい。そして、判定部４６は、補正された検出波高値Ｖｈの大小に基づいて、漏電の有無を判定するようにしてもよい。この場合、「絶縁抵抗値Ｒｘ」ではなく、「補正された検出波高値Ｖｈ」が、本発明でいう「絶縁パラメータ」に相当する。

また例えば、各実施形態において、第２マップは、検出波高値Ｖｈと絶縁抵抗値Ｒｘとの関係を示すものではなく、検出波高値Ｖｈから算出したパラメータ値と絶縁抵抗値Ｒｘとの関係を示すものにしてもよい。

また例えば、各実施形態において、信号検出部４３は、検査経路Ｄから、検査抵抗２２と絶縁抵抗２８との共働により分圧された電圧のうちの絶縁抵抗２８側の電圧を検出するのに代えて、当該分圧された電圧のうちの検査抵抗２２側の電圧を、すなわち検査抵抗２２の端子間電圧を、検出信号Ｓｄとして検出するようにしてもよい。この場合、第１マップＭ１は、当該検出信号Ｓｄの立上り勾配等（α，β，Ｖｐ）と浮遊容量値Ｃｆとの関係を示すものにする。なお、この場合、各実施形態とは反対に、浮遊容量値Ｃｆが大きい程立上り勾配等（α，β，Ｖｐ）等が大きくなる。そして、第２マップＭ２は、当該検出信号Ｓｄの波高値と絶縁抵抗値Ｒｘとの関係を示すものにする。

また例えば、第３実施形態において、所定時電圧値Ｖｐは、立上り時における所定時ｔｐの電圧値にするのに代えて、立下り時における所定時点の電圧値にしてもよい。この場合、第１マップＭ１は、当該所定時電圧値Ｖｐと浮遊容量値Ｃｆとの関係を示すものにする。

また例えば、各実施形態において、立上り勾配等（α，β，Ｖｐ）と浮遊容量値Ｃｆとの関係を示す第１マップＭ１の代わりに、当該関係を示す第１関係式を用いてもよい。また同様に、各実施形態において、検出波高値Ｖｈ及び浮遊容量値Ｃｆと絶縁抵抗値Ｒｘとの関係を示す第２マップＭ２の代わりに、当該関係を示す第２関係式を用いてもよい。

また例えば、各実施形態において、第２マップＭ２は、検出波高値Ｖｈと絶縁抵抗値Ｒｘとの関係を示すと共に、当該関係が浮遊容量値Ｃｆによりシフトする代わりに、浮遊容量値Ｃｆと絶縁抵抗値Ｒｘとの関係を示すと共に、当該関係が検出波高値Ｖｈによりシフトするものにしてもよい。

また例えば、各実施形態において、ハードフィルタ３３をなくしてもよい。そして、マイコン４０内に、信号検出部４３により検出された電圧波形からノイズと推定される電圧変動を除去した波形を、検出信号Ｓｄとして算出するソフトフィルタを設けてもよい。また例えば、入力信号Ｓｉを、入力パルスＳｉＰのＯＮ，ＯＦＦを繰り返すパルス信号ではなく、電圧波形が正弦波を描いて変動する正弦波信号にしてもよい。

また例えば、各実施形態において、漏電検出回路６０を、車両に搭載されている電気回路以外の電気回路に対して設けてもよい。

２２…検査抵抗、２５…カップリングコンデンサ、２８…絶縁抵抗、２９…浮遊容量、３２…信号入力部、４３…信号検出部、４４…浮遊算出部、４５…絶縁算出部、４６…判定部、６０…漏電検出回路、Ｄ…検査経路、Ｃｆ…浮遊容量値、Ｓｄ…検出信号、Ｓｉ…入力信号、Ｒｘ絶縁抵抗値。

Claims (4)

1. 検査抵抗（２２）とカップリングコンデンサ（２５）と絶縁抵抗（２８）とを直列に有する検査経路（Ｄ）と、
   前記検査経路に所定電位のパルスを入力信号（Ｓｉ）として入力する信号入力部（３２）と、
   前記検査経路における前記検査抵抗と前記カップリングコンデンサとの間に接続され、前記絶縁抵抗の端子間電圧を、検出信号（Ｓｄ）として検出する信号検出部（４３）と、
   前記検出信号の電圧が増加する立上り時における、所定期間（Δｔ）での前記検出信号の電圧増加量（ΔＶａ）である立上り勾配（α）と、前記絶縁抵抗と並列に存在する浮遊容量（２９）の電気容量値である浮遊容量値（Ｃｆ）との関係である第１関係を記憶しており、検出した前記検出信号から前記立上り勾配を求め、求めた前記立上り勾配と前記第１関係とから前記浮遊容量値を求める浮遊算出部（４４）と、
   前記検出信号の電圧波形の波高値である検出波高値（Ｖｈ）と、前記絶縁抵抗の電気抵抗値である絶縁抵抗値（Ｒｘ）と、前記浮遊容量値との関係である第２関係を記憶しており、検出した前記検出信号から前記検出波高値を取得し、取得した前記検出波高値及び求めた前記浮遊容量値と、前記第２関係とから前記絶縁抵抗値を求める絶縁算出部（４５）と、
   求めた前記絶縁抵抗値が、正常範囲の下限とされる所定の絶縁閾値（Ｒｔｈ）よりも大きい場合に漏電がないと判定し、求めた前記絶縁抵抗値が前記所定の絶縁閾値よりも小さい場合に漏電があると判定する判定部（４６）と、
   を有する漏電検出回路（６０）。
2. 検査抵抗（２２）とカップリングコンデンサ（２５）と絶縁抵抗（２８）とを直列に有する検査経路（Ｄ）と、
   前記検査経路に所定電位のパルスを入力信号（Ｓｉ）として入力する信号入力部（３２）と、
   前記検査経路における前記検査抵抗と前記カップリングコンデンサとの間に接続され、前記絶縁抵抗の端子間電圧を、検出信号（Ｓｄ）として検出する信号検出部（４３）と、
   前記検出信号の電圧が減少する立下り時における、所定期間（Δｔ）での前記検出信号の電圧減少量（ΔＶｂ）である立下り勾配（β）と、前記絶縁抵抗と並列に存在する浮遊容量（２９）の電気容量値である浮遊容量値（Ｃｆ）との関係である第１関係を記憶しており、検出した前記検出信号から前記立下り勾配を求め、求めた前記立下り勾配と前記第１関係とから前記浮遊容量値を求める浮遊算出部（４４）と、
   前記検出信号の電圧波形の波高値である検出波高値（Ｖｈ）と、前記絶縁抵抗の電気抵抗値である絶縁抵抗値（Ｒｘ）と、前記浮遊容量値との関係である第２関係を記憶しており、検出した前記検出信号から前記検出波高値を取得し、取得した前記検出波高値及び求めた前記浮遊容量値と、前記第２関係とから前記絶縁抵抗値（Ｒｘ）を求める絶縁算出部（４５）と、
   求めた前記絶縁抵抗値が、正常範囲の下限とされる所定の絶縁閾値（Ｒｔｈ）よりも大きい場合に漏電がないと判定し、求めた前記絶縁抵抗値が前記所定の絶縁閾値よりも小さい場合に漏電があると判定する判定部（４６）と、
   を有する漏電検出回路（６０）。
3. 検査抵抗（２２）とカップリングコンデンサ（２５）と絶縁抵抗（２８）とを直列に有する検査経路（Ｄ）と、
   前記検査経路に所定電位のパルスを入力信号（Ｓｉ）として入力する信号入力部（３２）と、
   前記検査経路における前記検査抵抗と前記カップリングコンデンサとの間に接続され、前記絶縁抵抗の端子間電圧を、検出信号（Ｓｄ）として検出する信号検出部（４３）と、
   前記検出信号の電圧が増加する立上り時における、所定期間（Δｔ）での前記検出信号の電圧増加量（ΔＶａ）である立上り勾配（α）と、前記検出信号の電圧波形の波高値である検出波高値（Ｖｈ）と、前記絶縁抵抗の電気抵抗値である絶縁抵抗値（Ｒｘ）との関係である第２関係を記憶しており、検出した前記検出信号から前記立上り勾配及び前記検出波高値を取得し、取得した前記立上り勾配及び前記検出波高値と、前記第２関係とから前記絶縁抵抗値を求める絶縁算出部（４５）と、
   求めた前記絶縁抵抗値が、正常範囲の下限とされる所定の絶縁閾値（Ｒｔｈ）よりも大きい場合に漏電がないと判定し、求めた前記絶縁抵抗値が前記所定の絶縁閾値よりも小さい場合に漏電があると判定する判定部（４６）と、
   を有する漏電検出回路（６０）。
4. 検査抵抗（２２）とカップリングコンデンサ（２５）と絶縁抵抗（２８）とを直列に有する検査経路（Ｄ）と、
   前記検査経路に所定電位のパルスを入力信号（Ｓｉ）として入力する信号入力部（３２）と、
   前記検査経路における前記検査抵抗と前記カップリングコンデンサとの間に接続され、前記絶縁抵抗の端子間電圧を、検出信号（Ｓｄ）として検出する信号検出部（４３）と、
   前記検出信号の電圧が減少する立下り時における、所定期間（Δｔ）での前記検出信号の電圧減少量（ΔＶｂ）である立下り勾配（β）と、前記検出信号の電圧波形の波高値である検出波高値（Ｖｈ）と、前記絶縁抵抗の電気抵抗値である絶縁抵抗値（Ｒｘ）との関係である第２関係を記憶しており、検出した前記検出信号から前記立下り勾配及び前記検出波高値を取得し、取得した前記立下り勾配及び前記検出波高値と、前記第２関係とから前記絶縁抵抗値を求める絶縁算出部（４５）と、
   求めた前記絶縁抵抗値が、正常範囲の下限とされる所定の絶縁閾値（Ｒｔｈ）よりも大きい場合に漏電がないと判定し、求めた前記絶縁抵抗値が前記所定の絶縁閾値よりも小さい場合に漏電があると判定する判定部（４６）と、
   を有する漏電検出回路（６０）。

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