JP7285412B2 - 磁気センサ - Google Patents

Description

本開示は、磁石を有する回転体の回転角を検出する磁気センサに関する。

この種の磁気センサは、磁界の方向を検出する磁気抵抗素子と、磁気抵抗素子からの検出信号を演算処理する回路素子を備えている。また、近年、磁気センサに対する冗長性を確保する要望がある。個の冗長性を確保する構成として、磁気抵抗素子と回路素子の組み合わせを１つの検出ブロックとした場合、１つの磁気センサに対して２つの検出ブロックを配置する構成が考えられる。

従来の磁気センサは、２つの検出ブロックが、それぞれ支持板の一方の面に実装されていた。

なお、この出願の開示に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。

国際公開第２０１８／０１２２７２号

しかしながら、従来の磁気センサにおいては、２つの検出ブロックが、それぞれ支持板の片面に実装する構成では、回転体の回転中心に対して、２つの検出ブロックの感磁中心が異なる位置となる。この結果、２つの検出ブロックに対する磁界の条件が異なってしまうため、検出結果に差が生じてしまうという問題があった。

そこで、本開示はこのような問題を解決し、磁気センサにおける冗長性を高めることを目的とする。

本開示の一態様における磁気センサは、外装樹脂と支持板と支持板の主面に実装された第１の回路素子と第１の磁気抵抗素子と支持板の裏面に実装された第２の回路素子と第２の磁気抵抗素子と複数の外部端子と複数のワイヤとを備え、第１の磁気抵抗素子は、第１の感磁領域と第１のパッド領域とを有し、第２の磁気抵抗素子は、第２の感磁領域と第２のパッド領域とを有し、第１の回路素子は、第１の実装領域と第３のパッド領域とを有し、第２の回路素子は、第２の実装領域と第４のパッド領域とを有し、支持板の主面と直交する第１の方向において、支持板は、第１のパッド領域と重なる領域および第３のパッド領域と重なる領域には、第２の磁気抵抗素子および第２の回路素子を配置しておらず、第２のパッド領域と重なる領域および第４のパッド領域と重なる領域には、第１の磁気抵抗素子および第１の回路素子を配置していない構造とした。

この構成により、本開示は磁気センサの冗長性を高めることができる。

図１は、本開示の磁気センサの断面図である。 図２は、本開示の磁気センサの内部構造を模式的に示した上面図である。 図３は、本開示の磁気センサにおける一方の磁気抵抗素子と回路素子で構成される検出回路のブロック図である。 図４は、本開示の磁気センサの制御回路における信号処理動作を示す図である。 図５は、磁気抵抗素子の他の形態を示す上面図である。 図６は、磁気センサの変形例を示す断面図である。

以下では、本開示の実施の形態にかかる磁気センサについて図を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される形状、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本開示を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。各図において、実質的に同一の構造については同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化している。

以下、本開示の一態様の磁気センサについて図を用いて説明する。

図１は磁気センサ１００の断面図である。磁気センサ１００は、磁気抵抗素子１０，２０と回路素子３０，４０と外装樹脂５０と支持板６０と外部端子６１とワイヤ６２とを有する。回路素子３０は支持板６０の主面に実装されている。磁気抵抗素子１０は回路素子３０の上面に実装されている。また、支持板６０の主面側に配置される磁気抵抗素子１０と回路素子３０の組み合わせのことを回路ブロックＢ１と称する。回路素子４０は支持板６０の裏面に実装されている。磁気抵抗素子２０は回路素子４０の下面に実装されている。また、支持板６０の裏面側に配置される磁気抵抗素子２０と回路素子４０の組み合わせのことを回路ブロックＢ２と称する。なお、磁気センサ１００において回路素子３０,４０や磁気抵抗素子１０,２０を実装する方向、つまり、支持板６０の主面と垂直な方向を第１の方向Ｄとする。外装樹脂５０は、磁気抵抗素子１０，２０、回路素子３０，４０、支持板６０、外部端子６１の一端側を覆うように構成されている。外部端子６１の他端側は、外装樹脂５０の表面から外側に突出している。

図２は、磁気センサ１００の内部構造を模式的に示す上面図である。なお、磁気センサ１００の内部構造は、下面側から見ても同様である。図２において括弧内の符号は、下面側から見た場合の内部構造を示しており、下面側から見た内部構造の説明を簡略化する。また、図２において破線５１は、外装樹脂５０の外形を示している。

磁気抵抗素子１０（２０）は、表面に感磁領域１１（２１）とパッド領域１２（２２）を有している。パッド領域１２（２２）には、複数の電極パッド１２Ａ（２２Ａ）が配置されている。

回路素子３０（４０）は、磁気抵抗素子１０（２０）から出力された信号の信号処理をおこなう。信号処理の動作については後述する。回路素子３０（４０）は、表面にパッド領域３１（４１）と実装領域３２（４２）を有している。パッド領域３１（４１）には、複数の電極パッド３１Ａ（４１Ａ）が配置されている。実装領域３２は、回路素子３０の上面において磁気抵抗素子１０が実装されている。実装領域４２は、回路素子４０の下面において磁気抵抗素子２０が実装されている。

ワイヤ６２は、電極パッド３１Ａ（４１Ａ）や電極パッド１２Ａ（２２Ａ）や外部端子６１等に適宜接続されている。

感磁領域１１（２１）は磁気抵抗パターン１１Ａ，１１Ｂ（２１Ａ，２１Ｂ）を有している。磁気抵抗パターン１１Ａ（２１Ａ）は、磁気抵抗１１Ａ１～１１Ａ４（２１Ａ１～２１Ａ４）を有している。磁気抵抗パターン１１Ｂ（２１Ｂ）は、磁気抵抗１１Ｂ１～１１Ｂ４（２１Ｂ１～２１Ｂ４）を有している。磁気抵抗パターン１１Ａ（２１Ａ）と磁気抵抗パターン１１Ｂ（２１Ｂ）は同じ形状である。磁気抵抗パターン１１Ａ（２１Ａ）と磁気抵抗パターン１１Ｂ（２１Ｂ）は、上面視で回転方向において４５°傾くように配置されている。

磁気抵抗１１Ａ１～１１Ａ４，１１Ｂ１～１１Ｂ４（２１Ａ１～２１Ａ４，２１Ｂ１～２１Ｂ４）は、それぞれ、並設された直線部の端部を交互に接続されたミアンダ形状である。

図２における矢印は感磁方向を示す。各磁気抵抗１１Ａ１～１１Ａ４，１１Ｂ１～１１Ｂ４（２１Ａ１～２１Ａ４，２１Ｂ１～２１Ｂ４）においては、感磁方向とミアンダ形状の延伸方向が一致している。また、磁気抵抗パターン１１Ａ（２１Ａ）において、磁気抵抗１１Ａ１（２１Ａ１）と磁気抵抗１１Ａ４（２１Ａ４）の感磁方向が一致しており、磁気抵抗１１Ａ２（２１Ａ２）と磁気抵抗１１Ａ３（２１Ａ３）の感磁方向が一致している。磁気抵抗１１Ａ１（２１Ａ１）と磁気抵抗１１Ａ２（２１Ａ２）の感磁方向は、上面視において回転方向に９０°傾いている。磁気抵抗パターン１１Ｂ（２１Ｂ）において、磁気抵抗１１Ｂ１（２１Ｂ１）と磁気抵抗１１Ｂ４（２１Ｂ４）の感磁方向が一致しており、磁気抵抗１１Ｂ２（２１Ｂ２）と磁気抵抗１１Ｂ３（２１Ｂ３）の感磁方向が一致している。磁気抵抗１１Ｂ１（２１Ｂ１）と磁気抵抗１１Ｂ２（２１Ｂ２）の感磁方向は、上面視において回転方向に９０°傾いている。

図３は、磁気センサ１００における磁気抵抗素子１０と回路素子３０で構成される検出回路のブロック図である。なお、磁気抵抗素子２０と回路素子４０で構成される検出回路のブロック図も同様である。図３において括弧内の符号は、磁気抵抗素子２０と回路素子４０で構成される検出回路の構成要素を示している。図４は、検出回路における信号処理の動作を示す図である。

磁気抵抗素子１０（２０）は、ブリッジ回路ＢＲ１とブリッジ回路ＢＲ２を有している。磁気抵抗パターン１１Ａ（２１Ａ）は、ブリッジ回路ＢＲ１を構成する。ブリッジ回路ＢＲ１は、磁気抵抗１１Ａ１（２１Ａ１）と１１Ａ２（２１Ａ２）を直列に接続したハーフブリッジ回路ＢＲ１Ａと、磁気抵抗１１Ａ３（２１Ａ３）と１１Ａ４（２１Ａ４）を直列に接続したハーフブリッジ回路ＢＲ１Ｂを有している。磁気抵抗パターン１１Ｂ（２１Ｂ）は、ブリッジ回路ＢＲ２を構成する。ブリッジ回路ＢＲ２は、磁気抵抗１１Ｂ１（２１Ｂ１）と１１Ｂ２（２１Ｂ２）を直列に接続したハーフブリッジ回路ＢＲ２Ａと、磁気抵抗１１Ｂ３（２１Ｂ３）と１１Ｂ４（２１Ｂ４）を直列に接続したハーフブリッジ回路ＢＲ２Ｂを有している。

ブリッジ回路ＢＲ１は、基準電位ＶｃとグランドＧＮＤの間にハーフブリッジ回路ＢＲ１Ａとハーフブリッジ回路ＢＲ１Ｂが並列に接続されて構成されている。磁気抵抗１１Ａ１（２１Ａ１）と磁気抵抗１１Ａ３（２１Ａ３）は、基準電位Ｖｃに接続される。磁気抵抗１１Ａ２（２１Ａ２）と磁気抵抗１１Ａ４（２１Ａ４）は、グランドＧＮＤに接続される。磁気抵抗１１Ａ１（２１Ａ１）と磁気抵抗１１Ａ２（２１Ａ２）の間から中点電位が信号として出力される。磁気抵抗１１Ａ３（２１Ａ３）と磁気抵抗１１Ａ４（２１Ａ４）の間から中点電位が信号として出力される。

ブリッジ回路ＢＲ２は、基準電位ＶｃとグランドＧＮＤの間にハーフブリッジ回路ＢＲ２Ａとハーフブリッジ回路ＢＲ２Ｂが並列に接続されている。磁気抵抗１１Ｂ１（２１Ｂ１）と磁気抵抗１１Ｂ３（２１Ｂ３）は、基準電位Ｖｃに接続される。磁気抵抗１１Ｂ２（２１Ｂ２）と磁気抵抗１１Ｂ４（２１Ｂ４）は、グランドＧＮＤに接続される。磁気抵抗１１Ｂ１（２１Ｂ１）と磁気抵抗１１Ｂ２（２１Ｂ２）の間から中点電位が信号として出力される。磁気抵抗１１Ｂ３（２１Ｂ３）と磁気抵抗１１Ｂ４（２１Ｂ４）の間から中点電位が信号として出力される。

なお、ブリッジ回路ＢＲ１とブリッジ回路ＢＲ２とは、検出磁界の回転に対して検出信号の位相が４５°ずれるように配置されている。以下では、磁気抵抗１１Ａ１（２１Ａ１）と１１Ａ２（２１Ａ２）の間から出力される信号をｓｉｎ＋とする。磁気抵抗１１Ａ３（２１Ａ３）と１１Ａ４（２１Ａ４）の間から出力される信号をｓｉｎ－とする。磁気抵抗１１Ｂ１（２１Ｂ１）と１１Ｂ２（２１Ｂ２）の間から出力される信号を信号ｓｉｎ＋から９０°位相がずれた信号ｃｏｓ＋とする。磁気抵抗１１Ｂ３（２１Ｂ３）と１１Ｂ４（２１Ｂ４）の間から出力される信号を信号ｓｉｎ－から９０°位相がずれた信号ｃｏｓ－とする。

回路素子３０（４０）は、差動アンプ３３Ａ（４３Ａ）と差動アンプ３３Ｂ（４３Ｂ）と演算処理部３４（４４）を有している。なお、回路素子３０（４０）の説明においては、本開示の説明上必要となる最小構成についてのみ説明するものであり、この構成に限定されない。

ブリッジ回路ＢＲ１から出力された信号ｓｉｎ＋と信号ｓｉｎ－は、差動アンプ３３Ａ（４３Ａ）に入力される。差動アンプ３３Ａ（４３Ａ）は、入力された信号ｓｉｎ＋と信号ｓｉｎ－から増幅信号ｓｉｎを生成して出力する。

ブリッジ回路ＢＲ２から出力された信号ｃｏｓ＋と信号ｃｏｓ－は、差動アンプ３３Ｂ（４３Ｂ）に入力される。差動アンプ３３Ｂ（４３Ｂ）は、入力された信号ｃｏｓ＋と信号ｃｏｓ－から増幅信号ｃｏｓを生成して出力する。

差動アンプ３３Ａ（４３Ａ）から出力された増幅信号ｓｉｎと差動アンプ３３Ｂ（４３Ｂ）から出力された増幅信号ｃｏｓは、演算処理部３４（４４）に入力される。演算処理部３４（４４）は、入力された増幅信号ｓｉｎと増幅信号ｃｏｓに対してａｒｃｔａｎ演算処理を行う。演算処理部３４（４４）は、ａｒｃｔａｎ演算処理された信号ａｒｃｔａｎを出力する。

以上のように、磁気センサ１００は、検出磁界の回転情報を有した信号ａｒｃｔａｎが、磁気抵抗素子１０と回路素子３０とで構成する検出ブロックＢ１と、磁気抵抗素子２０と回路素子４０とで構成する検出ブロックＢ２の２系統から出力されるので、磁気センサ１００の冗長性が確保されている。

なお、図１に示すように、磁気抵抗素子１０と回路素子３０とで構成する検出ブロックＢ１と、磁気抵抗素子２０と回路素子４０とで構成する検出ブロックＢ２は、支持板６０の上側と下側に分けて配置された構成としている。これにより、磁気抵抗素子１０と磁気抵抗素子２０を上面視において重なる位置に配置することができる。つまり、冗長性を確保する上で重要である磁気抵抗素子１０の感磁中心１０Ｃと、磁気抵抗素子２０の感磁中心２０Ｃを上面視で一致させることができる。なお、本開示における感磁中心とは、感磁領域の中心を意味する。例えば、磁気抵抗素子１０であれば、感磁領域１１の中に２つの磁気抵抗パターン１１Ａ，１１Ｂを有している。この場合、図２に示すように磁気抵抗パターン１１Ａの中心１１ＡＣと磁気抵抗パターン１１Ｂの中心１１ＢＣを結ぶ直線の中間点を感磁中心１０Ｃとする。

なお、このように回路ブロックＢ１，Ｂ２を支持板６０の上側と下側に分けて配置した場合、磁気センサ１００の組み立てにおいて課題が生じる。ここで、磁気センサ１００の組み立て方について説明する。

磁気センサ１００は、リードフレームを用いた組み立てが行われる。リードフレームにおけるダイパッドを支持板６０として、ダイパッドの主面側に回路素子３０と磁気抵抗素子１０を順に実装する。次いで、ダイパッドの裏面側に回路素子４０と磁気抵抗素子２０を順に実装する。次いで、ダイパッドの主面側にワイヤボンディングを行う。つまり磁気抵抗素子１０や回路素子３０に設けられ電極パッド１２Ａ，３１Ａにワイヤ６２を適宜接続する。次いで、ダイパッドの裏面側に配置された磁気抵抗素子２０や回路素子４０に設けられた電極パッド１２Ａ，３１Ａにワイヤ６２を適宜接続する。次いで、ワイヤ６２の接続を終えた組立体に対して樹脂モールドして外装樹脂５０を形成する。次いで、リードフレームのリード部分を切断し個片の磁気センサ１００を得る。

そして、パッド領域１２，３１（２２，４１）に対するワイヤボンディングは、ワイヤ６２を接続するパッド領域１２，３１（２２，４１）が固定されていることが好ましい。ワイヤボンディングされるパッド領域１２，３１（２２，４１）の固定が不十分であるとワイヤ６２の接続が不十分となり接続不良の原因となる。

そこで、磁気センサ１００は、一方の回路ブロックに配置されたパッド領域と第１の方向Ｄにおいて重なる領域には、他方の回路ブロックが配置されない構造としている。つまり、図１に示すように、第１の方向Ｄにおいて、パッド領域１２およびパッド領域３１と重なる領域には、磁気抵抗素子２０および回路素子４０が配置されず、かつ、パッド領域２２およびパッド領域４１と重なる領域には磁気抵抗素子１０および回路素子３０が配置されない構造としている。

この構造によれば、外装樹脂５０を設ける前の組立体の状態において、パッド領域１２，３１と重なる領域において支持板６０の裏面が露出した状態となる。また、パッド領域２２，４１と重なる領域において支持板６０の主面も露出した状態となる。これらの露出面は、ワイヤボンディングを行う際に、冶具を当接させ組立体を固定することができる。したがってワイヤ６２の接続不良を抑制することができる。

なお、この磁気センサ１００では、磁気抵抗素子１０（２０）の外周が回路素子３０（４０）の外周より内側に位置している。この構成によれば磁気抵抗素子１０（２０）の全体が回路素子３０（４０）の上面の範囲内（下面の範囲内）に実装されるため、外装樹脂５０の樹脂モールドにおける樹脂の流れの影響を抑制できる。

なお、磁気抵抗素子１０（２０）は、上述した２つの磁気抵抗パターン１１Ａ，１１Ｂ（２１Ａ，２１Ｂ）を並設した構成に限定されない。図５に他の磁気抵抗素子７０の上面図を示す。磁気抵抗素子７０は、パッド領域７１と感磁領域７２を有している。パッド領域７１には、複数の電極パッド７１Ａが配置されている。感磁領域７２は、一つの磁気抵抗パターン７３を有する。磁気抵抗素子７０において感磁領域７２と磁気抵抗パターン７３は一致する。磁気抵抗パターン７３は、８つの磁気抵抗７４Ａ～７４Ｄ、７５Ａ～７５Ｄを有している。磁気抵抗素子７０は、上面視において、円形状を８等分に分割した８つの領域Ｒ１～Ｒ８を有している。各領域には１つの磁気抵抗が配置されている。各磁気抵抗は、それぞれの領域においてミアンダ形状である。ミアンダ形状の延伸方向つまり矢印で示す磁気抵抗の感磁方向は、各領域の二等分線と一致する。領域Ｒ１には磁気抵抗７４Ａが配置されている。領域Ｒ２には磁気抵抗７５Ａが配置されている。領域Ｒ３には磁気抵抗７４Ｂが配置されている。領域Ｒ４には磁気抵抗７５Ｂが配置されている。領域Ｒ５には磁気抵抗７４Ｃが配置されている。領域Ｒ６には磁気抵抗７５Ｃが配置されている。領域Ｒ７には磁気抵抗７４Ｄが配置されている。領域Ｒ８には磁気抵抗７５Ｄが配置されている。

磁気抵抗７４Ａは、図３における磁気抵抗１１Ａ１に相当している。磁気抵抗７４Ｂは、図３における磁気抵抗１１Ａ２に相当している。磁気抵抗７４Ｃは、図３における磁気抵抗１１Ａ３に相当している。磁気抵抗７４Ｄは、図３における磁気抵抗１１Ａ４に相当している。

磁気抵抗７５Ａは、図３における磁気抵抗１１Ｂ１に相当している。磁気抵抗７５Ｂは、図３における磁気抵抗１１Ｂ２に相当している。磁気抵抗７５Ｃは、図４における磁気抵抗１１Ｂ３に相当している。磁気抵抗７５Ｄは、図３における磁気抵抗１１Ｂ４に相当している。

磁気抵抗素子７０では、ブリッジ回路ＢＲ１を構成する磁気抵抗７４Ａ～７４Ｄとブリッジ回路ＢＲ２を構成する磁気抵抗７５Ａ～７５Ｄが、同じ円周上に配置されている。これにより、ブリッジ回路ＢＲ１とブリッジ回路ＢＲ２のパターン中心が一致するので、検出精度が高くなる。

このような磁気抵抗素子７０を、図１および図２に示す磁気抵抗素子１０，２０の代わりに用いることで、より冗長性を高めることができる。

（変形例）
以下に、磁気センサの変形例について説明する。なお、上述した実施の形態と同様の構成については同じ符号を付して説明を簡略化する。

図６に磁気センサ２００の断面図を示す。この磁気センサ２００と上述した磁気センサ１００との違いは、磁気抵抗素子２１０（２２０）の一部が、回路素子２３０（２４０）の外周から外側に突出した構造となっている点である。上面視において、磁気検出素子２１０（２２０）における回路素子２３０（２４０）の外周から突出した部分を凸部２１１（２２１）とし、磁気検出素子２１０（２２０）における回路素子２３０（２４０）の外周より内側の部分を支持部２１２（２２２）と称して説明する。なお、回路素子２３０（２４０）は、上述した回路素子３０（４０）と、回路構成及び信号処理は同じである。

磁気抵抗素子２１０（２２０）はパッド領域１２（２２）と感磁領域１１（２１）を有する。パッド領域１２（２２）は、支持部２１２（２２２）に配置される。感磁領域１１（２１）は、凸部２１１（２２１）に配置される。なお、磁気抵抗素子２１０と磁気抵抗素子２２０は、感磁中心１０Ｃと感磁中心２０Ｃが一致するように配置されている。

この構成によれば、回路素子が小型化された場合においても、磁気抵抗素子を小型化しなくてもよい。磁気抵抗素子の小型化は、磁気センサの感度に直接影響する。したがって、回路素子の小型化による検出感度の劣化を抑制することができる。

なお、磁気センサ２００においても、一方の回路ブロックに配置されたパッド領域と重なる領域には、他方の回路ブロックが配置されない構造としている。つまり、パッド領域１２およびパッド領域３１と重なる領域には磁気抵抗素子２２０および回路素子２４０が配置されず、かつ、パッド領域２２およびパッド領域４１と重なる領域には磁気抵抗素子２１０および回路素子２３０が配置されない構造としている。

また、凸部２１１（２２１）は、上下両面が外装樹脂５０で覆われている。つまり、凸部２１１（２２１）は、上面側と下面側に配置される部材の熱膨張係数が等しくなる。この結果、外装樹脂５０の樹脂モールドにおける凸部２１１（２２１）の反りが抑制されるので、磁気センサ２００の検出精度を高めることができる。

本開示は、磁気センサにおける冗長性を高めることができ、特に車載用途の磁気センサにおいて有効である。

１０，２０，７０，２１０，２２０ 磁気抵抗素子
１１，２１，７２ 感磁領域
１１Ａ，１１Ｂ，２１Ａ，２１Ｂ，７３ 磁気抵抗パターン
１２，２２，３１，４１，７１ パッド領域
１２Ａ，２２Ａ，３１Ａ，４１Ａ，７１Ａ 電極パッド
３０，４０，２３０，２４０ 回路素子
３２，４２ 実装領域
５０ 外装樹脂
６０ 支持板
６１ 外部端子
６２ ワイヤ
１００，２００ 磁気センサ
２１１，２２１ 凸部
Ｄ 第１の方向

Claims (1)

1. 外装樹脂と、前記外装樹脂の内部に配置された支持板と、前記外装樹脂の内部において、前記支持板の主面に実装された第１の回路素子と、前記外装樹脂の内部において、前記第１の回路素子における前記支持板とは反対側の面に実装された第１の磁気抵抗素子と、前記外装樹脂の内部において、前記支持板の前記主面とは反対側の裏面に実装された第２の回路素子と、前記外装樹脂の内部において、前記第２の回路素子における前記支持板とは反対側の面に実装された第２の磁気抵抗素子と、一端が前記外装樹脂に包含されて他端側が前記外装樹脂の外部に配置された複数の外部端子と、前記外装樹脂の内部に配置された複数のワイヤと、を備え、前記第１の磁気抵抗素子は、磁気抵抗パターンが配置される領域を第１の感磁領域とし、前記ワイヤが適宜接続される電極パッドが複数配置される領域を第１のパッド領域とし、前記第２の磁気抵抗素子は、磁気抵抗パターンが配置される領域を第２の感磁領域とし、前記ワイヤが適宜接続される電極パッドが複数配置される領域を第２のパッド領域とし、前記第１の回路素子は、前記第１の磁気抵抗素子が配置される領域を第１の実装領域とし、前記ワイヤが適宜接続される電極パッドが複数配置される領域を第３のパッド領域とし、前記第２の回路素子は、前記第２の磁気抵抗素子が実装される領域を第２の実装領域とし、前記ワイヤが適宜接続される電極パッドが複数配置される領域を第４のパッド領域とし、前記支持板の主面と直交する方向を第１の方向として、前記支持板は、前記第１の方向において、前記第１のパッド領域と重なる領域および前記第３のパッド領域と重なる領域には、前記第２の磁気抵抗素子および前記第２の回路素子を配置しておらず、前記第１の方向において、前記第２のパッド領域と重なる領域および前記第４のパッド領域と重なる領域には、前記第１の磁気抵抗素子および前記第１の回路素子を配置しておらず、さらに、前記第１の方向から見て、前記第１の磁気抵抗素子は、前記第１の磁気抵抗素子の外周端の少なくとも一部が、前記第１の回路素子の外周端より外側に突出した第１の凸部を有しており、前記第１の方向から見て、前記第２の磁気抵抗素子は、前記第２の磁気抵抗素子の外周端の少なくとも一部が、前記第２の回路素子の外周端より外側に突出した第２の凸部を有しており、前記第１の感磁領域は、前記第１の凸部に配置されており、
   前記第２の感磁領域は、前記第２の凸部に配置されている磁気センサ。

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