JP2020112430A - 磁気センサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本開示は、検出磁界の向きを検出するための磁気センサおよびその製造方法に関して、回路素子の回路規模を抑制することを目的とする。【解決手段】本開示の磁気センサ１００は、検出磁界の向きを検出する検出部１１と、検出部１１から出力される検出信号の信号処理を行う回路素子２０と、検出部１１と回路素子２０とを電気的に接続するワイヤ４１と、を備え、検出部１１は、基板１３と、基板１３の主面に配置された第１の磁気抵抗パターン１１Ａと第２の磁気抵抗パターン１１Ｂとを有しており、第１の磁気抵抗パターン１１Ａと第２の磁気抵抗パターン１１Ｂは、それぞれの一端側が直列に接続されたブリッジ回路ＢＲ１ａを構成しており、第１の磁気抵抗パターン１１Ａの他端側もしくは、第２の磁気抵抗パターン１１Ｂの他端側の少なくとも一方には、ワイヤ４１が選択的に接続される複数のパッド１５を有している。【選択図】図２

Description

本開示は、検出磁界の向きを検出するための磁気センサおよびその製造方法に関する。

この種の磁気センサは、磁気抵抗を用いたブリッジ回路とブリッジ回路からの出力信号の信号処理動作を行う回路素子とを有している。磁気センサはブリッジ回路のオフセットドリフトの補正を回路素子で行う構成が知られている。

なお、この出願の開示に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。

特開２０１１−１８０００１号公報

しかしながら、特許文献１に開示された磁気センサは、オフセットドリフトの補正を回路素子だけで行うため、回路素子は補正精度に見合った補正情報を保持しなければならない。この結果、回路素子の回路規模が大きくなってしまうという問題があった。

そこで、本開示はこのような問題を解決し、磁気センサにおける回路素子の回路規模を抑制することを目的とする。

本開示の一態様における磁気センサは、検出磁界の向きを検出する検出部と、検出部から出力される検出信号の信号処理を行う回路素子と、検出部と回路素子とを電気的に接続するワイヤと、を備え、検出部は、基板と、基板の主面に配置された第１の磁気抵抗パターンと第２の磁気抵抗パターンとを有しており、第１の磁気抵抗パターンと第２の磁気抵抗パターンは、それぞれの一端側が直列に接続されたブリッジ回路を構成しており、第１の磁気抵抗パターンの他端側もしくは、第２の磁気抵抗パターンの他端側の少なくとも一方には、ワイヤが選択的に接続される複数のパッドを磁気抵抗パターンの延伸方向に沿って有している。

本開示の一態様における磁気センサの製造方法は、第１の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第１のステップと、第１のステップで測定した磁気抵抗値に応じて第１の磁気抵抗パターンに配置された複数のパッドからワイヤを接続するパッドを選択する第２のステップと、第２の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第３のステップと、第３のステップで測定した磁気抵抗値に応じて第２の磁気抵抗パターンに配置された複数のパッドからワイヤを接続するパッドを選択する第４のステップと、を含んでいる。

本開示の他の態様における磁気センサは、検出磁界の向きを検出する検出部と、検出部から出力される検出信号の信号処理を行う回路素子と、検出部と回路素子とを電気的に接続するワイヤと、を備え、検出部は、基板と、基板の主面に配置された第１の磁気抵抗パターンと第２の磁気抵抗パターンと第３の磁気抵抗パターンと第４の磁気抵抗パターンを有しており、第１の磁気抵抗パターンと第２の磁気抵抗パターンは、それぞれの一端側が直列に接続された第１ブリッジ回路を構成しており、第３の磁気抵抗パターンと第４の磁
気抵抗パターンは、それぞれの一端側が直列に接続された第２のブリッジ回路を構成しており、第１のブリッジ回路と第２のブリッジ回路は、並列に接続されてホイートストンブリッジ回路を構成しており、第１の磁気抵抗パターンの他端側もしくは、第２の磁気抵抗パターンの他端側の少なくとも一方には、ワイヤが選択的に接続される複数のパッドを磁気抵抗パターンの延伸方向に沿って有しており、第３の磁気抵抗パターンの他端側もしくは、第４の磁気抵抗パターンの他端側の少なくとも一方には、ワイヤが選択的に接続される複数のパッドを磁気抵抗パターンの延伸方向に沿って有している。

本開示の他の態様における磁気センサの製造方法は、第１の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第１のステップと、第１のステップで測定した磁気抵抗値に応じて第１の磁気抵抗パターンに配置された複数のパッドからワイヤを接続するパッドを選択する第２のステップと、第２の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第３のステップと、第３のステップで測定した磁気抵抗値に応じて第２の磁気抵抗パターンに配置された複数のパッドからワイヤを接続するパッドを選択する第４のステップと、第３の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第５のステップと、第５のステップで測定した磁気抵抗値に応じて第３の磁気抵抗パターンに配置された複数のパッドからワイヤを接続するパッドを選択する第６のステップと、第４の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第７のステップと、第７のステップで測定した磁気抵抗値に応じて第４の磁気抵抗パターンに配置された複数のパッドからワイヤを接続するパッドを選択する第８のステップと、を含んでいる。

この構成により、本開示は磁気センサにおける回路素子の回路規模を抑制することを目的とする。

図１は、本開示の磁気センサの断面図である。 図２は、本開示の磁気センサにおける回路素子の上に磁気抵抗素子を配置した状態を示す上面図である。 図３は、図２におけるＡ−Ａ断面図である。 図４は、本開示の磁気センサの回路ブロック図である。 図５は、本開示の磁気センサの制御回路における信号処理動作を示す図である。 図６は、ブリッジ回路における磁気抵抗のバラツキとオフセットドリフトの変化を示す図である。 図７は、磁気抵抗素子の変形例を示す上面図である。

以下では、本開示の実施の形態にかかる磁気センサについて図を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される形状、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本開示を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。各図において、実質的に同一の構造については同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化している。

以下、本開示の一態様の磁気センサについて図を用いて説明する。

図１は磁気センサ１００の断面図である。磁気センサ１００は、磁気抵抗素子１０と回路素子２０を有する。この実施の形態においては、磁気抵抗素子１０と回路素子２０が樹脂成形体３０の内部に配置されて一体化した構造を一例をとして示している。樹脂成形体３０の内部において、回路素子２０はダイパッド４０の上に実装されている。磁気抵抗素子１０は回路素子２０の上に実装されている。磁気抵抗素子１０と回路素子２０はワイヤ４１で適宜接続されている。回路素子２０はワイヤ４１でリード４２と適宜接続されている。

図２は、回路素子２０の上に磁気抵抗素子１０を配置した状態の上面図である。磁気抵抗素子１０は、検出部１１と検出部１２を有している。検出部１１は磁気検出パターン１１Ａ〜１１Ｄを有している。検出部１２は磁気抵抗パターン１２Ａ〜１２Ｄを有している。検出部１１と検出部１２の構造は同じである。検出部１１と検出部１２は、上面視において回転方向に４５°傾くように配置されている。

図３は、図２における検出部１１のＡ−Ａ断面図である。なお、検出部１１と検出部１２は同じ構造であるので、ここでは検出部１１について説明し、検出部１２についての説明を省略する。検出部１１は、基板１３と、基板１３の表面に配置された磁気抵抗パターン１１Ｂと、磁気抵抗パターン１１Ｂおよび基板１３を覆う保護膜１４を有している。基板１３は、シリコンで構成することができる。磁気抵抗パターン１１Ｂは、異方性磁気抵抗で形成されている。異方性磁気抵抗は、鉄−ニッケル合金を含む磁気抵抗効果を有する金属パターンで構成することができる。異方性磁気抵抗は、検出磁界の向き及び大きさの変化に応じて電気抵抗が変化する。保護膜１４は、二酸化シリコンやフッ化物系の樹脂などで構成することができる。磁気抵抗パターン（１１Ａ〜１１Ｄ，１２Ａ〜１２Ｄ）は、それぞれ、並設された直線部の端部を交互に接続したミアンダ形状である。以下で、直線部の並設方向をミアンダの延伸方向と称し、直線部の延伸方向を磁気抵抗パターンの延伸方向と称す。保護膜１４は複数の開口部１４Ａを有している。開口部１４Ａには磁気抵抗パターン１１Ｂの表面が露出している。この開口部１４Ａから露出した磁気抵抗パターン１１Ｂは、ワイヤ４１が接続されるパッド１５として使用される。複数のパッド１５は、ワイヤ４１が選択的に接続される。

図２における矢印は感磁方向を示す。各磁気抵抗パターン（１１Ａ〜１１Ｄ，１２Ａ〜１２Ｄ）においては、感磁方向とミアンダ形状の延伸方向が一致している。また、検出部１１において、磁気抵抗パターン１１Ａと磁気抵抗パターン１１Ｄの感磁方向が一致しており、磁気抵抗パターン１１Ｂと磁気抵抗パターン１１Ｃの感磁方向が一致している。磁気抵抗パターン１１Ａと磁気抵抗パターン１１Ｂの感磁方向は、上面視において回転方向に９０°傾いている。検出部１２において、磁気抵抗パターン１２Ａと磁気抵抗パターン１２Ｄの感磁方向が一致しており、磁気抵抗パターン１２Ｂと磁気抵抗パターン１２Ｃの感磁方向が一致している。磁気抵抗パターン１２Ａと磁気抵抗パターン１２Ｂの感磁方向は、上面視において回転方向に９０°傾いている。

図４は、磁気センサ１００の回路ブロック図である。図５は、回路ブロックにおける信号処理の動作を示す図である。磁気抵抗素子１０は、ホイートストンブリッジ回路ＢＲ１とホイートストンブリッジ回路ＢＲ２を有している。検出部１１は、ホイートストンブリッジ回路ＢＲ１を構成する。ホイートストンブリッジ回路ＢＲ１は、磁気抵抗ＭＲ１，ＭＲ２を直列に接続したブリッジ回路ＢＲ１ａと、磁気抵抗ＭＲ３，ＭＲ４を直列に接続したブリッジ回路ＢＲ１ｂを有している。磁気抵抗ＭＲ１は、磁気抵抗パターン１１Ａで構成される。磁気抵抗ＭＲ２は、磁気抵抗パターン１１Ｂで構成される。磁気抵抗ＭＲ３は、磁気抵抗パターン１１Ｃで構成される。磁気抵抗ＭＲ４は、磁気抵抗パターン１１Ｄで構成される。検出部１２は、ホイートストンブリッジ回路ＢＲ２を構成する。ホイートストンブリッジ回路ＢＲ２は、磁気抵抗ＭＲ５，ＭＲ６を直列に接続したブリッジ回路ＢＲ
２ａと、磁気抵抗ＭＲ７，ＭＲ８を直列に接続したブリッジ回路ＢＲ２ｂを有している。磁気抵抗ＭＲ５は、磁気抵抗パターン１２Ａで構成される。磁気抵抗ＭＲ６は、磁気抵抗パターン１２Ｂで構成される。磁気抵抗ＭＲ７は、磁気抵抗パターン１２Ｃで構成される。磁気抵抗ＭＲ８は、磁気抵抗パターン１２Ｄで構成される。

ホイートストンブリッジ回路ＢＲ１は、ブリッジ回路ＢＲ１ａ、ブリッジ回路ＢＲ１ｂが、基準電位ＶｃとグランドＧＮＤの間に並列に接続されている。磁気抵抗ＭＲ１と磁気抵抗ＭＲ３は、基準電位Ｖｃに接続される。磁気抵抗ＭＲ２と磁気抵抗ＭＲ４は、グランドＧＮＤに接続される。磁気抵抗ＭＲ１と磁気抵抗ＭＲ２の間から中点電位が信号として出力される。磁気抵抗ＭＲ３と磁気抵抗ＭＲ４の間から中点電位が信号として出力される。

ホイートストンブリッジ回路ＢＲ２は、ブリッジ回路ＢＲ２ａと、ブリッジ回路ＢＲ２ｂとが、基準電位ＶｃとグランドＧＮＤの間に並列に接続されている。磁気抵抗ＭＲ５と磁気抵抗ＭＲ７は、基準電位Ｖｃに接続される。磁気抵抗ＭＲ６と磁気抵抗ＭＲ８は、グランドＧＮＤに接続される。磁気抵抗ＭＲ５と磁気抵抗ＭＲ６の間から中点電位が信号として出力される。磁気抵抗ＭＲ７と磁気抵抗ＭＲ８の間から中点電位が信号として出力される。

なお、ホイートストンブリッジ回路ＢＲ１とホイートストンブリッジ回路ＢＲ２とは、検出磁界の回転に対して検出信号の位相が４５°ずれるように配置されている。以下では、磁気抵抗ＭＲ１とＭＲ２の間から出力される信号をｓｉｎ＋とする。磁気抵抗ＭＲ３とＭＲ４の間から出力される信号をｓｉｎ−とする。磁気抵抗ＭＲ５とＭＲ６の間から出力される信号を信号ｓｉｎ＋から９０°位相がずれた信号ｃｏｓ＋とする。磁気抵抗ＭＲ７とＭＲ８の間から出力される信号を信号ｓｉｎ−から９０°位相がずれた信号−ｃｏｓとする。

回路素子２０は、差動アンプ２１ａ，２１ｂと演算処理部２２を有している。なお、回路素子２０の説明においては、本開示の説明上必要となる最小構成についてのみ説明するものであり、この構成に限定されない。

ホイートストンブリッジ回路ＢＲ１から出力された信号ｓｉｎ＋と信号ｓｉｎ−は、差動アンプ２１ａに入力される。差動アンプ２１ａは、入力された信号ｓｉｎ＋と信号ｓｉｎ−から増幅信号ｓｉｎを生成して出力する。

ホイートストンブリッジ回路ＢＲ２から出力された信号ｃｏｓ＋と信号ｃｏｓ−は、差動アンプ２１ｂに入力される。差動アンプ２１ｂは、入力された信号ｃｏｓ＋と信号ｃｏｓ−から増幅信号ｃｏｓを生成して出力する。

差動アンプ２１ａから出力された増幅信号ｓｉｎと差動アンプ２１ｂから出力された増幅信号ｃｏｓは、演算処理部２２に入力される。演算処理部２２は、入力された増幅信号ｓｉｎと増幅信号ｃｏｓに対してａｒｃｔａｎ演算処理を行う。演算処理部２２は、ａｒｃｔａｎ演算処理された信号ａｒｃｔａｎを出力する。磁気センサ１００は回路素子２０から検出磁界の回転情報を有した信号ａｒｃｔａｎが出力される。

なお、ホイートストンブリッジ回路ＢＲ１の代わりに、ブリッジ回路ＢＲ１ａとブリッジ回路ＢＲ１ｂのいずれか一方のみを用いてもよい。ホイートストンブリッジ回路ＢＲ２の代わりに、ブリッジ回路ＢＲ２ａとブリッジ回路ＢＲ２ｂのいずれか一方のみを用いてもよい。この場合、ブリッジ回路から出力された信号は、差動アンプを介さず演算処理部２２に入力してもよい。

以上のように磁気センサ１００は、各ブリッジ回路（ＢＲ１ａ、ＢＲ１ｂ、ＢＲ２ａ、ＢＲ２ｂ）の中点電位を基にして演算処理を行う。つまり、中点電位のバラツキ（オフセットドリフト）は磁気センサ１００の検出精度に影響を及ぼす。オフセットドリフトは、検出部１１，１２における磁気抵抗パターン（１１Ａ〜１１Ｄ、１２Ａ〜１２Ｄ）の製膜段階で生じる。磁気抵抗パターン（１１Ａ〜１１Ｄ、１２Ａ〜１２Ｄ）の製膜は、一般的なフォトリソグラフィーを用いることができる。この時の製膜条件の差により磁気抵抗値のバラツキが生じる。

図６に、ブリッジ回路ＢＲ１ａにおける磁気抵抗パターン１１Ａ、１１Ｂの磁気抵抗値のバラツキとオフセットドリフトの関係を示す。信号Ａは、磁気抵抗パターン１１Ａと磁気抵抗パターン１１Ｂの磁気抵抗値が等しい理想状態（ＭＲ１＝ＭＲ２）での出力信号を示している。信号Ｂは、磁気抵抗パターン１１Ａの磁気抵抗値が磁気抵抗パターン１１Ｂの磁気抵抗値より大きい状態（ＭＲ１＞ＭＲ２）での出力信号を示している。この場合、磁気抵抗パターン１１Ａによる電圧降下が大きくなるので、信号Ｂは信号Ａより下側にシフトする。信号Ｃは、磁気抵抗パターン１１Ａの磁気抵抗値が磁気抵抗パターン１１Ｂの磁気抵抗値より小さい状態（ＭＲ１＜ＭＲ２）での出力信号を示している。この場合、磁気抵抗パターン１１Ａによる電圧降下が小さくなるので、信号Ｃは信号Ａより上側にシフトする。

本開示の磁気センサ１００は、図２や図３に示すように、各磁気抵抗パターン（１１Ａ〜１１Ｄ、１２Ａ〜１２Ｄ）は、それぞれ複数のパッド１５を有している。したがって、ワイヤ４１は、磁気抵抗パターン（例えば１１Ｂ）に配置された複数のパッド１５から接続するパッド１５を選択することができる。つまり、磁気抵抗パターン（１１Ｂ）は、製膜した後に磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定し、測定結果に基づきワイヤ４１を接続するパッド１５を選択することで、磁気抵抗パターン（１１Ｂ）の磁気抵抗値を調節することができる。なお、このような磁気抵抗値の調節は、他の磁気抵抗パターン（１１Ａ、１１Ｃ、１１Ｄ、１２Ａ〜１２Ｄ）においても同様に実施することができる。

なお、複数のパッド１５は、磁気抵抗パターン（１１Ａ〜１１Ｄ、１２Ａ〜１２Ｄ）の中点電位の出力側と反対側の端部に配置される。つまり、基準電位Ｖｃに接続される磁気抵抗パターン１１Ａ，１１Ｃ，１２Ａ、１２Ｃは、複数のパッドが磁気抵抗パターン１１Ａ，１１Ｃ，１２Ａ、１２Ｃにおける基準電位Ｖｃ側に配置される。グランドＧＮＤに接続される磁気抵抗パターン１１Ｂ，１１Ｄ，１２Ｂ、１２Ｄは、複数のパッドが磁気抵抗パターン１１Ｂ，１１Ｄ，１２Ｂ、１２ＤにおけるグランドＧＮＤ側に配置される。

また、複数の直線部が並設されたミアンダ形状の各磁気抵抗パターン（１１Ａ〜１１Ｄ，１２Ａ〜１２Ｄ）において、複数のパッド１５は、基板１３の外周側に位置する直線部に配置することが好ましい。この構造によれば、パッドにワイヤ４１を接続した状態において、磁気抵抗パターンとワイヤ４１の対向する領域を抑制でき、検出磁界に対するワイヤ４１の影響を低減することができる。

図３に示すように、磁気抵抗パターン１１Ｂが３つのパッド１５を有する場合、図中左端のパッド１５を選択すると磁気抵抗パターン１１Ｂの磁気抵抗値が最大となる。１つ右隣りのパッド１５を選択すると磁気抵抗値が小さくなる。さらに１つ右隣りのパッド１５を選択すると磁気抵抗値がさらに小さくなる。この作用は、他の磁気抵抗パターン（１１Ａ、１１Ｃ、１１Ｄ、１２Ａ〜１２Ｄ）においても同様である。

したがって、予め磁気抵抗パターン（１１Ａ〜１１Ｄ、１２Ａ〜１２Ｄ）の磁気抵抗値を測定して、ワイヤ４１を接続するパッド１５を選択することで、磁気抵抗パターン（１
１Ａ〜１１Ｄ、１２Ａ〜１２Ｄ）の製膜段階で生じる磁気抵抗値のバラツキを抑制することができる。つまり、ブリッジ回路（ＢＲ１ａ，ＢＲ１ｂ，ＢＲ２ａ，ＢＲ２ｂ）におけるオフセットドリフトを抑制することができる。この結果、磁気センサ１００の回路素子２０における回路規模を小型化することができる。

ただし、複数のパッド１５からワイヤ４１を接続するパッド１５を選択する方法においては、磁気抵抗値の調整幅が隣り合うパッド１５の間隔により決定されるので調整精度が粗くなる。したがって、回路素子２０においても中点電位の微調整を行うことが好ましい。この場合においても従来の回路素子のみで行う中点電位の調整に比べ補正に必要な情報が削減できるので、磁気センサ１００の回路素子２０における回路規模を小型化することができる。

（変形例）
以下に磁気センサの変形例について説明する。変形例と上述した実施の形態の違いは磁気抵抗素子であり、上述した実施の形態と同様の構成については同じ符号を付して説明する。

図７に変形例における磁気抵抗素子５０の上面図を示す。磁気抵抗素子５０は、８つの磁気抵抗パターン５１Ａ〜５１Ｄ、５２Ａ〜５２Ｄを有している。磁気抵抗素子５０は、上面視において、円形状を８等分に分割した８つの領域Ｒ１〜Ｒ８を有している。各領域には１つの磁気抵抗パターンが配置されている。各磁気抵抗パターンは、それぞれの領域においてミアンダ形状である。ミアンダ形状の延伸方向つまり矢印で示す磁気抵抗パターンの感磁方向は、各領域の二等分線と一致する。領域Ｒ１には磁気抵抗パターン５１Ａが配置されている。領域Ｒ２には磁気抵抗パターン５２Ａが配置されている。領域Ｒ３には磁気抵抗パターン５１Ｂが配置されている。領域Ｒ４には磁気抵抗パターン５２Ｂが配置されている。領域Ｒ５には磁気抵抗パターン５１Ｃが配置されている。領域Ｒ６には磁気抵抗パターン５２Ｃが配置されている。領域Ｒ７には磁気抵抗パターン５１Ｄが配置されている。領域Ｒ８には磁気抵抗パターン５２Ｄが配置されている。

磁気抵抗パターン５１Ａは、図４における磁気抵抗ＭＲ１を構成している。磁気抵抗パターン５１Ｂは、図４における磁気抵抗ＭＲ２を構成している。磁気抵抗パターン５１Ｃは、図４における磁気抵抗ＭＲ３を構成している。磁気抵抗パターン５１Ｄは、図４における磁気抵抗ＭＲ４を構成している。

磁気抵抗パターン５２Ａは、図４における磁気抵抗ＭＲ５を構成している。磁気抵抗パターン５２Ｂは、図４における磁気抵抗ＭＲ６を構成している。磁気抵抗パターン５２Ｃは、図４における磁気抵抗ＭＲ７を構成している。磁気抵抗パターン５２Ｄは、図４における磁気抵抗ＭＲ８を構成している。

変形例においては、磁気抵抗素子５０が一つの基板１３で構成される。これにより、ホイートストンブリッジ回路ＢＲ１とホイートストンブリッジ回路ＢＲ２の配置精度が高くなる。また、ホイートストンブリッジ回路ＢＲ１とホイートストンブリッジ回路ＢＲ２の検出中心が一致するので、検出精度が高くなる。

なお、各磁気抵抗パターン（５１Ａ〜５１Ｄ，５２Ａ〜５２Ｄ）は、それぞれ複数のパッド１５を有しており、磁気抵抗値の調節が可能である。したがって、上述した実施の形態と同様の効果を奏する。

本開示は、小型の磁気センサを提供することができるという効果を有し、特に車載用途
の磁気センサユニットにおいて有効である。

１１，１２ 検出部
１１Ａ〜１１Ｄ、１２Ａ〜１２Ｄ、５１Ａ〜５１Ｄ、５２Ａ〜５２Ｄ 磁気抵抗パターン
１３ 基板
１５ パッド
２０ 回路素子
４１ ワイヤ
１００ 磁気センサ
ＢＲ１、ＢＲ２ ホイートストンブリッジ回路
ＢＲ１ａ、ＢＲ１ｂ、ＢＲ２ａ、ＢＲ２ｂ ブリッジ回路

Claims (8)

1. 検出磁界の向きを検出する検出部と、
   前記検出部から出力される検出信号の信号処理を行う回路素子と、
   前記検出部と前記回路素子とを電気的に接続するワイヤと、を備え、
   前記検出部は、基板と、前記基板の主面に配置された第１の磁気抵抗パターンと第２の磁気抵抗パターンとを有しており、
   前記第１の磁気抵抗パターンと前記第２の磁気抵抗パターンは、それぞれの一端側が直列に接続されたブリッジ回路を構成しており、
   前記第１の磁気抵抗パターンの他端側もしくは、前記第２の磁気抵抗パターンの他端側の少なくとも一方には、前記ワイヤが選択的に接続される複数のパッドを磁気抵抗パターンの延伸方向に沿って有している、
   磁気センサ。
2. 前記第１の磁気抵抗パターンに前記複数のパッドを配置する場合は、前記複数のパッドを前記第１の磁気抵抗パターンにおける前記基板の外周側に配置し、
   前記第２の磁気抵抗パターンに前記複数のパッドを配置する場合は、前記複数のパッドを前記第２の磁気抵抗パターンにおける前記基板の外周側に配置する、
   請求項１に記載の磁気センサ。
3. 請求項１または請求項２に記載の磁気センサにおいて、
   前記第１の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第１のステップと、
   前記第１のステップで測定した磁気抵抗値に応じて前記第１の磁気抵抗パターンに配置された複数の前記パッドから前記ワイヤを接続するパッドを選択する第２のステップと、
   前記第２の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第３のステップと、
   前記第３のステップで測定した磁気抵抗値に応じて前記第２の磁気抵抗パターンに配置された複数の前記パッドから前記ワイヤを接続するパッドを選択する第４のステップと、を含む、
   磁気センサの製造方法。
4. さらに、前記回路素子においてオフセットドリフトの演算処理を行う第５のステップを含む請求項３に記載の磁気センサの製造方法。
5. 検出磁界の向きを検出する検出部と、
   前記検出部から出力される検出信号の信号処理を行う回路素子と、
   前記検出部と前記回路素子とを電気的に接続するワイヤと、を備え、
   前記検出部は、基板と、前記基板の主面に配置された第１の磁気抵抗パターンと第２の磁気抵抗パターンと第３の磁気抵抗パターンと第４の磁気抵抗パターンを有しており、
   前記第１の磁気抵抗パターンと前記第２の磁気抵抗パターンは、それぞれの一端側が直列に接続された第１ブリッジ回路を構成しており、
   前記第３の磁気抵抗パターンと前記第４の磁気抵抗パターンは、それぞれの一端側が直列に接続された第２のブリッジ回路を構成しており、
   前記第１のブリッジ回路と前記第２のブリッジ回路は、並列に接続されてホイートストンブリッジ回路を構成しており、
   前記第１の磁気抵抗パターンの他端側もしくは、前記第２の磁気抵抗パターンの他端側の少なくとも一方には、前記ワイヤが選択的に接続される複数のパッドを磁気抵抗パターンの延伸方向に沿って有しており、
   前記第３の磁気抵抗パターンの他端側もしくは、前記第４の磁気抵抗パターンの他端側の少なくとも一方には、前記ワイヤが選択的に接続される複数のパッドを磁気抵抗パターンの延伸方向に沿って有している、
   磁気センサ。
6. 前記第１の磁気抵抗パターンに前記複数のパッドを配置する場合は、前記複数のパッドを前記第１の磁気抵抗パターンにおける前記基板の外周側に配置し、
   前記第２の磁気抵抗パターンに前記複数のパッドを配置する場合は、前記複数のパッドを前記第２の磁気抵抗パターンにおける前記基板の外周側に配置し、
   前記第３の磁気抵抗パターンに前記複数のパッドを配置する場合は、前記複数のパッドを前記第３の磁気抵抗パターンにおける前記基板の外周側に配置し、
   前記第４の磁気抵抗パターンに前記複数のパッドを配置する場合は、前記複数のパッドを前記第４の磁気抵抗パターンにおける前記基板の外周側に配置する、
   請求項５に記載の磁気センサ。
7. 請求項５または請求項６に記載の磁気センサにおいて、
   前記第１の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第１のステップと、
   前記第１のステップで測定した磁気抵抗値に応じて前記第１の磁気抵抗パターンに配置された複数の前記パッドから前記ワイヤを接続するパッドを選択する第２のステップと、
   前記第２の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第３のステップと、
   前記第３のステップで測定した磁気抵抗値に応じて前記第２の磁気抵抗パターンに配置された複数の前記パッドから前記ワイヤを接続するパッドを選択する第４のステップと、
   前記第３の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第５のステップと、
   前記第５のステップで測定した磁気抵抗値に応じて前記第３の磁気抵抗パターンに配置された複数の前記パッドから前記ワイヤを接続するパッドを選択する第６のステップと、
   前記第４の磁気抵抗パターンの磁気抵抗値を測定する第７のステップと、
   前記第７のステップで測定した磁気抵抗値に応じて前記第４の磁気抵抗パターンに配置された複数の前記パッドから前記ワイヤを接続するパッドを選択する第８のステップと、を含む、
   磁気センサの製造方法。
8. さらに、前記回路素子においてオフセットドリフトの演算処理を行う第９のステップを含む請求項７に記載の磁気センサの製造方法。

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