JP7285157B2 - 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 - Google Patents

Description

本願は、基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法に関する。

特許文献１には、ウエハを処理する処理システムが記載されている。この処理システムは、複数の処理装置と、共通搬送室と、中間搬送室と、導入側搬送室とを含む。未処理のウエハは導入側搬送室から中間搬送室を経由して共通搬送室に搬送される。当該ウエハは共通搬送室から各処理装置へと搬送されて、各処理装置において処理を受ける。処理装置において処理された処理済みのウエハは、共通搬送室から中間搬送室を経由して導入側搬送室に搬送される。

中間搬送室には、ウエハを支持する支持機構が設けられる。この支持機構は、複数の第１リフトピンと、複数の第２リフトピンと、第１昇降ベースと、第２昇降ベースと、第１昇降アクチュエータと、第２昇降アクチュエータとを含む。

第１昇降ベースおよび第２昇降ベースは平面視において（つまり、鉛直方向に沿って見て）、互いに重ならない形状を有している。第１昇降ベースの上面には、第１リフトピンが立設される。第１リフトピンは平面視において、ウエハの中心についての周方向に沿って略等間隔で配置される。同様に、第２昇降ベースの上面には、第２リフトピンが立設される。第２リフトピンは平面視において、当該周方向に沿って略等間隔で配置される。

第１昇降アクチュエータは第１昇降ベースを上位置と下位置との間で昇降させることにより、第１リフトピンを昇降させる。第２昇降アクチュエータは第２昇降ベースを上位置と下位置との間で昇降させることにより、第２リフトピンを昇降させる。

特許文献１では、未処理の基板が導入側搬送室から中間搬送室に搬送される際には、第１昇降アクチュエータが第１リフトピンを上昇させて当該基板を第１リフトピンで支持する。その後、この未処理の基板は共通搬送室へと搬送される。一方で、処理済みの基板が共通搬送室から中間搬送室に搬送される際には、第２昇降アクチュエータが第２リフトピンを上昇させて当該基板を第２リフトピンで支持する。その後、この処理済みの基板は導入側搬送室へ搬送される。これにより、未処理の基板が薄膜等の物質またはパーティクルにより汚染することを抑制している。

特開２００３－２４９５３６号公報

しかしながら、特許文献１では、２つの昇降アクチュエータが設けられているので、支持機構の規模が大きくなり、その製造コストが高くなる。また、特許文献１では、中間搬送室に支持機構が設けられているものの、処理装置における支持機構は考慮されていない。

そこで、本願は、低コストで第１リフトピンおよび第２リフトピンを互いに独立して昇降可能な基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法を提供することを目的とする。

基板処理装置の第１の態様は、基板を水平姿勢で保持するチャック部と、前記チャック部に対して昇降可能に設けられて前記基板を支持する３つ以上の第１リフトピンおよび３つ以上の第２リフトピンと、前記第１リフトピンに連結される第１作用部材と、前記基板の周方向において前記第１作用部材と異なる位置に設けられ、前記第２リフトピンに連結される第２作用部材と、を含む基板保持部と、前記基板の中央部を通り鉛直方向に沿う回転軸のまわりで、前記基板保持部を回転させる回転機構と、前記基板保持部よりも鉛直下方において昇降可能に設けられる押し上げ部材と、前記押し上げ部材を前記基板保持部に対して昇降させる昇降機構とを備え、前記押し上げ部材は、前記基板保持部が前記押し上げ部材に対して第１相対回転位置で停止した第１状態で、鉛直方向において前記第１作用部材と対向し、前記基板保持部が前記押し上げ部材に対して第２相対回転位置で停止した第２状態で、鉛直方向において前記第２作用部材と対向し、前記昇降機構は、前記第１状態で前記押し上げ部材を上昇させて前記第１作用部材を押し上げることにより、前記第１リフトピンを上昇させ、前記第２状態で前記押し上げ部材を上昇させて前記第２作用部材を押し上げることにより、前記第２リフトピンを上昇させる。

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部に保持された前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理部を備え、前記昇降機構は、前記第１状態で前記押し上げ部材を上昇させて３つ以上の前記第１リフトピンを上昇させ、未処理の前記基板を外部の搬送装置から３つ以上の前記第１リフトピンで受け取り、前記第１状態で前記押し上げ部材を下降させて未処理の前記基板を前記チャック部に保持させ、前記洗浄処理部によって処理された処理済みの前記基板を、前記第２状態で前記押し上げ部材を上昇させ３つ以上の前記第２リフトピンを上昇させ、前記基板を前記チャック部から３つ以上の前記第２リフトピンで受け取る。

基板処理装置の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記第１作用部材は、前記第１リフトピンの各々の下端部であり、前記第２作用部材は、前記第２リフトピンの各々の下端部であり、前記押し上げ部材は、前記第１リフトピンまたは前記第２リフトピンと同数設けられ、かつ、互いに連結されており、前記押し上げ部材は、前記第１状態で前記第１リフトピンの前記下端部にそれぞれ対向し、前記押し上げ部材は、前記第２状態で前記第２リフトピンの前記下端部にそれぞれ対向し、前記昇降機構は、前記第１状態および前記第２状態の各々において、前記押し上げ部材を一体に昇降させる。

基板処理装置の第４の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記押し上げ部材は、前記第１リフトピンを押し上げた状態で、前記基板保持部と一体に回転可能であり、前記押し上げ部材は、前記第２リフトピンを押し上げた状態でも、前記基板保持部と一体に回転可能である。

基板処理装置の第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理装置であって、前記押し上げ部材が前記第１リフトピンを押し上げた状態、および、前記押し上げ部材が前記第２リフトピンを押し上げた状態の少なくともいずれか一方において前記回転機構が前記基板保持部および前記押し上げ部材を一体に回転させて、前記第１リフトピンが前記搬送装置から未処理の前記基板を受け取るときの前記基板保持部の回転位置、および、前記第２リフトピンが処理済みの前記基板を前記搬送装置に受け渡すときの前記基板保持部の回転位置を互いに近づける。

基板処理装置の第６の態様は、第４または第５の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部は、第１回転位置で停止した状態で前記押し上げ部材に対して前記第１相対回転位置で停止する前記第１状態となり、前記基板保持部は、第２回転位置で停止した状態で前記押し上げ部材に対して前記第２相対回転位置で停止する前記第２状態となり、前記昇降機構は、前記第１状態で前記押し上げ部材の上昇により前記第１リフトピンを上昇させて、未処理の前記基板を前記第１リフトピンで受け取り、前記第１状態で前記押し上げ部材の下降により前記第１リフトピンを下降させて、未処理の前記基板を前記チャック部に保持させ、前記第２状態で前記押し上げ部材の上昇により前記第２リフトピンを上昇させて、処理済みの前記基板を前記チャック部から前記第２リフトピンで受け取り、前記回転機構は、前記第２リフトピンが処理済みの前記基板を持ち上げた状態で、前記基板保持部を前記第１回転位置に回転させる。

基板処理装置の第７の態様は、第６の態様にかかる基板処理装置であって、前記回転機構は、前記第２リフトピンによって持ち上げられた処理済みの前記基板が前記搬送装置によって搬出されたときに、前記基板保持部を前記第２回転位置に回転させ、前記昇降機構は、前記基板保持部が前記第２回転位置で停止した前記第２状態で、前記押し上げ部材を下降させて前記第２リフトピンを下降させる。

基板処理装置の第８の態様は、第４または第５の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部は、第１回転位置で停止した状態で前記押し上げ部材に対して前記第１相対回転位置で停止する前記第１状態となり、前記基板保持部は、第２回転位置で停止した状態で前記押し上げ部材に対して前記第２相対回転位置で停止する前記第１状態となり、前記回転機構は、前記昇降機構が前記第１状態で前記第１リフトピンを上昇させた状態で、前記基板保持部を前記第２回転位置に回転させて、前記第２状態で未処理の前記基板を前記第１リフトピンで受け取り、前記第１リフトピンが未処理の前記基板を持ち上げた状態で、前記基板保持部を前記第１回転位置に回転させ、前記昇降機構は、前記第１状態で前記押し上げ部材の下降により前記第１リフトピンを下降させて、未処理の前記基板を前記チャック部に保持させ、前記第２状態で前記押し上げ部材の上昇により前記第２リフトピンを上昇させて、処理済みの前記基板を前記チャック部から前記第２リフトピンで受け取る。

基板処理装置の第９の態様は、第４から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記押し上げ部材に連結された可動部材と、固定部材と、前記回転軸についての周方向に沿って前記可動部材を前記固定部材に対してスライド可能に固定するガイドとをさらに備える。

基板処理装置の第１０の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記昇降機構は、前記第１状態で前記押し上げ部材を上昇させて前記第１リフトピンを押し上げ、未処理のダミー基板を外部の搬送装置から前記第１リフトピンで受け取り、前記押し上げ部材を下降させて未処理の前記ダミー基板を前記チャック部に保持させ、前記洗浄処理部によって処理された処理済みの前記ダミー基板を、前記第１状態で前記押し上げ部材を上昇させて前記チャック部から前記第１リフトピンで受け取る。

基板処理装置の第１１の態様は、第１から第１０のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部の回転位置を測定する回転センサをさらに備える。

基板処理システムの態様は、第１から第１１のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置と、前記基板を搬入する搬入部と、前記基板を前記搬入部から受け取り、前記基板処理装置に受け渡す基板受渡し部とを含む。

基板処理方法の態様は、基板を水平姿勢で保持するチャック部と、前記チャック部に対して昇降可能に設けられて前記基板を支持する３つ以上の第１リフトピンおよび３つ以上の第２リフトピンと、前記第１リフトピンに連結される第１作用部材と、前記基板の周方向において前記第１作用部材と異なる位置に設けられ、前記第２リフトピンに連結される第２作用部材と、を含む基板保持部を、前記基板の中央部を通り鉛直方向に沿う回転軸について、前記押し上げ部材に対して第１相対回転位置で停止させる第１工程と、前記第１工程の後に、前記基板保持部よりも鉛直下方に設けられ、前記基板保持部が前記第１回転位置で停止した第１状態で前記第１作用部材と鉛直方向において対向する押し上げ部材を、前記基板保持部に対して上昇させて前記第１作用部材を押し上げることにより、前記第１リフトピンを上昇させる第２工程と、前記押し上げ部材に対して第２相対回転位置で前記基板保持部を停止させる第３工程と、前記第３工程の後に、前記基板保持部が前記第２相対回転位置で停止した第２状態で前記第２作用部材と鉛直方向において対向する前記押し上げ部材を、前記基板保持部に対して上昇させて前記第２作用部材を押し上げることにより、前記第２リフトピンを上昇させる第４工程とを備える。

基板処理装置の第１の態様、基板処理システムの態様および基板処理方法の態様によれば、共通の押し上げ部材で第１リフトピンおよび第２リフトピンを独立して昇降させることができる。よって、第１リフトピン用の押し上げ部材と、第２リフトピン用の押し上げ部材を設ける場合に比して、基板処理装置の構成を簡易にすることができる。

基板処理装置の第２の態様によれば、第１リフトピンが未処理の基板を受け取り、第２リフトピンが処理済みの基板を持ち上げる。よって、例えば未処理の基板が汚染していても、第２リフトピンに当該汚染が転写することを回避できる。ひいては、第２リフトピンから処理済みの基板に汚染が転写することも回避できる。

基板処理装置の第３の態様によれば、押し上げ部材は第１状態で第１リフトピンの下端部にそれぞれ対向するので、それぞれ第１リフトピンを押し上げることができる。同様に、押し上げ部材は第２状態で第２リフトピンの下端部にそれぞれ対向するので、それぞれ第２リフトピンを押し上げることができる。しかも、押し上げ部材が互いに連結されて一体に昇降するので、簡易な構成で、第１リフトピンおよび第２リフトピンを独立して昇降させることができる。

基板処理装置の第４の態様によれば、昇降機構が押し上げ部材により第１リフトピンを上昇させて第１リフトピンが基板を持ち上げた状態で、回転機構が基板保持部および押し上げ部材を一体で回転させることができる。これによれば、第１リフトピンが基板を持ち上げた状態で、基板を回転させることができる。つまり、基板の向きを調整することができる。同様に、昇降機構が押し上げ部材により第２リフトピンを上昇させて第２リフトピンが基板を持ち上げた状態で、回転機構が基板保持部および押し上げ部材を一体で回転させることができる。これによれば、第２リフトピンが基板を持ち上げた状態で、基板の向きを調整することもできる。よって、基板の搬出入時における基板の向きを調整することができる。

基板処理装置の第５の態様によれば、基板処理装置への搬出時の基板の向きを、基板処理装置からの搬入時の基板の向きに近づけることができる。

基板処理装置の第６および第８の態様によれば、外部の搬送装置から未処理の基板を第１リフトピンで受け取り、外部の搬送装置が処理済みの基板を第２リフトピンから取り出す場合に、同じ回転位置で基板の搬出入を行うことができる。よって、搬送装置における基板の向きを、処理の前後で維持できる。

基板処理装置の第７の態様によれば、押し上げ部材の回転位置を初期位置に戻すことができる。

基板処理装置の第９の態様によれば、簡易な構成で、押し上げ部材を回転可能に固定できる。

基板処理装置の第１０の態様によれば、ダミー基板を長期間に亘って保管しつつ、ダミー基板に対して繰り返し処理を行う場合、洗浄処理によってもダミー基板の汚染が残留し得る。しかるに、ダミー基板に対しては第２リフトピンを用いていない。つまり、ダミー基板が汚染されたとしても、通常の処理済みの基板用に用いる第２リフトピンの汚染を抑制できる。ひいては、通常の基板の汚染を抑制できる。

基板処理装置の第１１の態様によれば、基板の回転位置を高い精度で調整できる。

本願明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

基板処理システムの構成の一例を概略的に示す平面図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板保持部の構成の一例を概略的に示す図である。 チャックピンの構成の一例を概略的に示す図である。 チャックピンの構成の一例を概略的に示す平面図である。 対向板部の下面の構成の一例を概略的に示す平面図である。 対向板部の下面の構成の一例を概略的に示す平面図である。 ピン昇降機構の構成の一例を概略的に示す平面図である。 ピン昇降機構の構成の一例を概略的に示す平面図である。 リフトピンの構成の一例を概略的に示す図である。 リフトピンの構成の一例を概略的に示す平面図である。 基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 ピン昇降機構の構成の一例を概略的に示す平面図である。 ピン昇降機構の構成の一例を概略的に示す平面図である。 ピン昇降機構の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。 ピン昇降機構の構成の他の一例を概略的に示す断面図である。 基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。 ピン昇降機構の構成の他の一例を概略的に示す断面図である。 基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の動作の他の一例を示すフローチャートである。 基板処理装置の動作の他の一例を示すフローチャートである。 基板処理装置の動作の他の一例を示すフローチャートである。 基板処理装置の動作の他の一例を示すフローチャートである。 リフト部の構成の一例を概略的に示す平面図である。 リフト部の構成の一例を概略的に示す平面図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

第１の実施の形態．
＜基板処理システムの概略構成＞
図１は、基板洗浄装置として機能する基板処理システム１００の構成の一例を概略的に示す平面図である。図１で示されるように、基板処理システム１００は、例えば、基板の一例としての半導体基板（ウエハ）９の表面に付着した有機系のゴミを除去する処理に用いることができる枚葉式の装置である。有機系のゴミとしては、例えば、基板９の表面に不純物を注入するイオン注入処理等の後において基板９の表面に残っている不要になったレジスト、あるいは基板９の表面のうちの外周部の近傍に付着しているレジスト等に由来する有機系のゴミ等、が含まれる。

基板処理システム１００は、収容器としての複数のキャリアＣを保持する収容器保持機構としてのロードポートＬＰと、基板９を処理する複数（この実施の形態では、１２台）の処理ユニット１１０とを含む。具体的には、例えば、平面的に配置されている４台の処理ユニット１１０でそれぞれ構成されている３組の処理ユニット１１０が、鉛直方向に積層するように配置されている。

基板処理システム１００は、さらに、例えば、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御部６とを含む。インデクサロボットＩＲは、例えば、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板９を搬送することができる。センターロボットＣＲは、例えば、インデクサロボットＩＲと各処理ユニット１１０との間で基板９を搬送することができる。制御部６は、例えば、基板処理システム１００に備えられた各部の動作およびバルブの開閉等を制御することができる。

ここでは、図１で示されるように、ロードポートＬＰと各処理ユニット１１０とは、水平方向に間隔を空けて配置されている。ロードポートＬＰにおいて、複数枚の基板９を収容する複数のキャリアＣは、平面視したときに水平な配列方向Ｄに沿って配列されている。ロードポートＬＰは、基板９を搬入する搬入部として機能する。ここで、インデクサロボットＩＲは、例えば、キャリアＣからセンターロボットＣＲに複数枚の基板９を一枚ずつ搬送することができるとともに、センターロボットＣＲからキャリアＣに複数枚の基板９を一枚ずつ搬送することができる。同様に、センターロボットＣＲは、例えば、インデクサロボットＩＲから各処理ユニット１１０に複数枚の基板９を一枚ずつ搬送することができるとともに、各処理ユニット１１０からインデクサロボットＩＲに複数枚の基板９を一枚ずつ搬送することができる。また、例えば、センターロボットＣＲは、必要に応じて複数の処理ユニット１１０の間において基板９を搬送することができる。インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲは、基板９を搬入部（ロードポートＬＰ）から受け取り、処理ユニット１１０に受け渡す基板受渡し部として機能する。

図１の例では、インデクサロボットＩＲは、平面視Ｕ字状のハンドＨを有している。ここでは、インデクサロボットＩＲは２つのハンドＨを有する。２つのハンドＨは、互いに異なる高さに配置される。各ハンドＨは基板９を水平な姿勢で支持することができる。インデクサロボットＩＲはハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、インデクサロボットＩＲは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転（自転）することで、ハンドＨの向きを変更することができる。インデクサロボットＩＲは、受渡位置（図１でインデクサロボットＩＲが描かれている位置）を通る経路において配列方向Ｄに沿って移動する。受渡位置は、平面視したときにインデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとが配列方向Ｄに直交する方向において対向する位置である。インデクサロボットＩＲは、任意のキャリアＣおよびセンターロボットＣＲにそれぞれハンドＨを対向させることができる。ここで、例えば、インデクサロボットＩＲはハンドＨを移動させることにより、キャリアＣに基板９を搬入する搬入動作と、キャリアＣから基板９を搬出する搬出動作とを行うことができる。また、例えば、インデクサロボットＩＲはセンターロボットＣＲと協働して、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲの一方から他方に基板９を移動させる受渡動作を受渡位置で行うことができる。

図１の例では、センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと同様に、平面視Ｕ字状のハンドＨを有している。ここでは、センターロボットＣＲは２つのハンドＨを有する。２つのハンドＨは、互いに異なる高さに配置される。各ハンドＨは基板９を水平な姿勢で支持することができる。センターロボットＣＲは各ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、センターロボットＣＲは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転（自転）することで、ハンドＨの向きを変更することができる。センターロボットＣＲは、平面視したときに、複数台の処理ユニット１１０に取り囲まれている。センターロボットＣＲは、任意の処理ユニット１１０およびインデクサロボットＩＲの何れかにハンドＨを対向させることができる。ここで、例えば、センターロボットＣＲはハンドＨを移動させることにより、各処理ユニット１１０に基板９を搬入する搬入動作と、各処理ユニット１１０から基板９を搬出する搬出動作とを行うことができる。また、例えば、センターロボットＣＲはインデクサロボットＩＲと協働して、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲの一方から他方に基板９を移動させる受渡動作を行うことができる。

＜基板処理装置＞
図２は、上記処理ユニット１１０の一つに相当する基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１は、基板９を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板９は例えば半導体基板であって、略円板形状を有する。基板９は、デバイス形成面である第１主面９１と、デバイス非形成面である第２主面９２とを有する。第１主面９１には、製造途上のデバイスのパターンが形成される。基板処理装置１は、例えば、デバイスのパターンが形成されていない第２主面９２を上方に向けて基板９を保持し、第２主面９２に対して処理液による処理を行う。

基板処理装置１は、基板保持部２と、基板回転機構３と、洗浄処理部の一例である処理液供給部４とを含む。基板保持部２および基板回転機構３は、箱状のチャンバ（図示省略）内に収容される。当該チャンバは、およそ密閉された内部空間を形成する。

基板保持部２は基板９を保持する。図３は、基板保持部２の構成の一例を概略的に示す平面図である。図２および図３に示すように、基板保持部２は、リフト部２２と、チャック部２３とを含んでいる。チャック部２３は基板９を水平姿勢で保持する状態と、基板９の保持を解除する状態とを切り替える。ここでいう水平姿勢とは、基板９の厚み方向が鉛直方向に沿う状態をいう。

リフト部２２は、３つ以上（図３の例では３つ）の第１リフトピン２２１ａと、３つ以上（図３の例では３つ）の第２リフトピン２２１ｂとを含む。第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂは、チャック部２３によって保持された基板９の第１主面９１と鉛直方向において対向する位置に設けられる。例えば、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂは基板９の周縁に沿って並んで設けられる。また、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂはチャック部２３に対して互いに独立に昇降可能に設けられる。第１リフトピン２２１ａが上昇することにより、第１リフトピン２２１ａが基板９を支持することができ、第２リフトピン２２１ｂが上昇することにより、第２リフトピン２２１ｂが基板９を支持することができる。基板保持部２の詳細な一例については後に詳述する。

基板回転機構３は回転軸Ｊ１のまわりで基板保持部２を回転させる。回転軸Ｊ１は、基板保持部２によって保持された基板９の中央部を通り、鉛直方向に沿って延在する軸である。図２の例では、基板回転機構３は、シャフト部３１と、モータ３２とを含んでいる。シャフト部３１は、回転軸Ｊ１を中心とする略円筒状の形状を有しており、その上端が基板保持部２の下面（具体的には、後述の対向板部２１の下面２１２）の中央部に固定される。モータ３２はシャフト部３１を回転させることにより、基板保持部２を回転軸Ｊ１のまわりで回転させる。これにより、基板保持部２によって保持された基板９も回転軸Ｊ１のまわりで回転する。

基板回転機構３は、回転軸Ｊ１を中心とする周方向において基板保持部２を所定の角度位置（以下、「回転位置」という。）にて停止させることが可能である。例えばモータ３２がシャフト部３１を所定の回転位置で停止させることにより、基板保持部２を所定の回転位置で停止させることができる。

処理液供給部４は、基板保持部２によって保持された基板９の第２主面９２に処理液を供給する。図２の例では、処理液供給部４は、液ノズル４１と、処理液供給源４２とを含んでいる。液ノズル４１はチャンバ内においてノズルアーム４１１により支持される。ノズルアーム４１１は図示省略のノズル移動機構に接続される。ノズル移動機構は液ノズル４１を、基板９の第２主面９２の中央部に対向する吐出位置と、鉛直方向に垂直な方向において基板９から離れた待機位置との間で移動させる。液ノズル４１は弁を介して処理液供給源４２に接続される。処理液供給源４２から液ノズル４１に処理液が供給されることにより、液ノズル４１から第２主面９２の中央部に向けて当該処理液が吐出される。図２の処理液供給源４２は、薬液、有機溶剤または純水（脱イオン水（ＤＩＷ））等の処理液を順次切り替えて液ノズル４１に供給可能である。薬液として、オゾン含有フッ酸溶液、希フッ酸（ＤＨＦ）、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）またはＳＣ１（ＮＨ_４ＯＨおよびＨ_２Ｏ_２を含む液）等が例示される。有機溶剤として、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が例示される。

図２の例では、基板処理装置１には、不活性ガス供給部５が設けられている。不活性ガス供給部５は基板９の第１主面９１へと不活性ガスを供給する。図２の例では、不活性ガス供給部５は、ガスノズル５１と、不活性ガス供給源５２とを含む。図２の例では、基板保持部２およびシャフト部３１には、鉛直方向に延びる中空部が回転軸Ｊ１上に設けられており、ガスノズル５１が当該中空部内に配置される。ガスノズル５１は鉛直方向に延びており、ガスノズル５１の上端面は基板９の第１主面９１の中央部に直接的に対向する。

ガスノズル５１は弁を介して不活性ガス供給源５２に接続される。不活性ガス供給源５２からガスノズル５１に不活性ガスが供給されることにより、ガスノズル５１から第１主面９１と基板保持部２（具体的には、後述の対向板部２１）との間の空間に向けて、不活性ガスが噴出される。不活性ガスは、典型的には窒素ガスである。不活性ガスが、アルゴンガス、ヘリウムガスまたは低湿度の清浄空気等であってもよい。

次に、基板保持部２の構成の詳細な一例について説明する。図２および図３の例では、基板保持部２は対向板部２１を含んでいる。対向板部２１は、回転軸Ｊ１を中心とする略円板状の形状を有する。基板保持部２は対向板部２１よりも上方において基板９を保持しており、対向板部２１の上方を向く面は、基板９の下方を向く第１主面９１に対向する対向面２１１である。対向面２１１は回転軸Ｊ１に垂直な方向に広がる。対向面２１１の外周縁は基板９よりも外側に位置している。言い換えれば、対向面２１１の外径は基板９の径よりも大きい。

図２および図３の例では、チャック部２３は、複数のチャックピン２３１と、チャック駆動機構２５とを含んでいる。複数のチャックピン２３１は基板９の周縁部９４に沿って並んで配列される。図３の例では、複数のチャックピン２３１は、基板９よりも僅かに大きな径を有する基準円Ｃ１に沿って略等間隔で配列されている。図３の例では、６つのチャックピン２３１が周方向に６０度間隔で配列されている。

図３に例示するように、対向板部２１の対向面２１１において、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂの各々も周方向に略等間隔で配列される。第１リフトピン２２１ａは第１リフトピン群を構成し、第２リフトピン２２１ｂは第２リフトピン群を構成する。なお、以下では、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂを区別しないときには、これらをリフトピン２２１と総称する。

図３の例では、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂは、チャックピン２３１と同様に、基準円Ｃ１に沿って並んで配列される。より具体的には、６つのリフトピン２２１および６つのチャックピン２３１が基準円Ｃ１において３０度間隔で交互に配列されている。また、図３の例では、３つの第１リフトピン２２１ａは周方向に１２０度間隔で配列され、３つの第２リフトピン２２１ｂも周方向に１２０度間隔で配列されている。つまり、リフトピン２２１のみに着目すると、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂが周方向に６０度間隔で交互に配列されている。

対向面２１１には、複数の穴部２１３および複数の穴部２１５が設けられる。鉛直方向に垂直な穴部２１３および穴部２１５の断面形状は、略円形である。複数のリフトピン２２１は複数の穴部２１５にそれぞれ挿入され、複数のチャックピン２３１は複数の穴部２１３にそれぞれ挿入される。リフトピン２２１の穴部２１５における断面形状も略円形であり、チャックピン２３１の穴部２１３における断面形状も略円形である。図３の例では、リフトピン２２１の直径はチャックピン２３１の直径よりも小さい。各穴部２１５の直径はリフトピン２２１に合わせた値をとり、各穴部２１３の直径はチャックピン２３１に合わせた値をとる。

図２に示すように、穴部２１３にはベアリング２１４が設けられており、穴部２１３の回動軸Ｊ２を中心として、チャックピン２３１がベアリング２１４によって回動可能に支持される。以下の説明では、回動軸Ｊ２を「チャック回動軸Ｊ２」という。基板保持部２の一例では、穴部２１３に設けられる図示省略の係止部材により、チャックピン２３１が回動可能な範囲が、所定の角度範囲（後述の保持位置と開放位置とを含む角度範囲）に制限されている。

図４は、回転軸Ｊ１についての周方向に沿って見たチャックピン２３１の構成の一例を概略的に示す図であり、図５は、チャックピン２３１の構成の一例を概略的に示す平面図である。図４および図５では、角度位置が保持位置となるチャックピン２３１を示している。

図４および図５の例では、各チャックピン２３１は、支持体２３１１と、突出部２３０とを含んでいる。支持体２３１１は穴部２１３の内部においてベアリング２１４に連結される。支持体２３１１の上面には、上方に突出する突出部２３０が設けられている。図５の例では、２つの突出部２３０が設けられる。２つの突出部２３０はチャック回動軸Ｊ２から、回転軸Ｊ１についての周方向にずれた位置に配置される。また、２つの突出部２３０は回転軸Ｊ１についての周方向において互いに離れている。このように、２つの突出部２３０の間に隙間が設けられることにより、後述する基板９の処理の際に、第２主面９２に供給された処理液が当該隙間を介して第２主面９２から排出される。周方向に沿って見た場合に、２つの突出部２３０はほぼ同じ外形を有する。

各突出部２３０はチャック当接面２３２を有する。チャック当接面２３２は、突出部２３０の回転軸Ｊ１側（図４の右側）を向く側面である。既述のように、突出部２３０はチャック回動軸Ｊ２から周方向にずれた位置に配置されており、チャックピン２３１の回動により、チャック当接面２３２は水平方向に移動可能である。図４の例では、チャック当接面２３２は、上側当接面２３３と、湾曲当接面２３４と、下側当接面２３５とを有する。保持位置で停止したチャックピン２３１において、上側当接面２３３は、回転軸Ｊ１側かつ下方を向く平面であり、上方に向かうにしたがって回転軸Ｊ１に近づく。すなわち、上側当接面２３３は回転軸Ｊ１側に向かって上方に傾斜する。例えば、回転軸Ｊ１を含むとともに径方向に沿う面Ｆ２（図５中に一点鎖線で示す。）に対して、上側当接面２３３は直交する。上側当接面２３３の上端は突出部２３０の上端面に連続する。図４は、一方の突出部２３０に対してのみ面Ｆ２を示しているが、他方の突出部２３０についても同様の面が設定可能である。

下側当接面２３５は、回転軸Ｊ１側かつ上方を向く平面であり、上側当接面２３３よりも下方に配置される。下側当接面２３５は回転軸Ｊ１側に向かって下方に傾斜する。例えば、上記面Ｆ２に対して、下側当接面２３５は直交する。面Ｆ２上において、下側当接面２３５の対向面２１１（水平面）に対する傾斜角θ４（図４参照）は、上側当接面２３３と対向面２１１（水平面）とがなす角度とほぼ同じである。

湾曲当接面２３４は、回転軸Ｊ１側を向く曲面であり、上側当接面２３３と下側当接面２３５との間に配置される。湾曲当接面２３４は上側当接面２３３と下側当接面２３５とに直接的に連続する。例えば、上記面Ｆ２に対して、湾曲当接面２３４は直交する。面Ｆ２上における湾曲当接面２３４の形状は、基板９の端面９３の形状にほぼ一致する。チャック当接面２３２では、鉛直方向における湾曲当接面２３４の中央が、回転軸Ｊ１から最も離れた位置となる。図４の例では、保持位置で停止したチャックピン２３１では、湾曲当接面２３４の中央と回転軸Ｊ１との間の距離は、基板９の半径にほぼ一致する。したがって、図４の例では、複数のチャックピン２３１がそれぞれの保持位置で停止した状態において、複数のチャックピン２３１における湾曲当接面２３４が基板９の端面９３に当接する。実際には、基板９の端面９３の上側近傍および下側近傍（後述の上側接続部および下側接続部）もチャック当接面２３２に当接し、基板９の周縁部９４が回転軸Ｊ１に向けて押されるとともに、上方および下方にも押される。これにより、チャック部２３は基板９を強固に保持することが可能である。

ここで、基板９の周縁部９４は、端面９３と第２主面９２とを接続する上側接続部、端面９３と第１主面９１とを接続する下側接続部、並びに、当該端面９３を含むベベル部である。基板９の直径が３００ｍｍである場合、基板９の周縁部９４は、例えば端面９３から回転軸Ｊ１側に向かって２ｍｍの幅の環状領域を含む。

既述のように各チャック当接面２３２は、チャック回動軸Ｊ２からずれた位置に配置されており、図５中に二点鎖線で示すように、開放位置で停止したチャックピン２３１の各突出部２３０では、チャック当接面２３２と回転軸Ｊ１との間の距離が、保持位置で停止した状態での当該距離よりも大きくなる。すなわち、開放位置で停止したチャックピン２３１では、湾曲当接面２３４の中央と回転軸Ｊ１との間の距離が、基板９の半径よりも大きくなる。したがって、複数のチャックピン２３１がそれぞれの開放位置で停止した状態では、複数のチャックピン２３１における湾曲当接面２３４が基板９の端面９３から離れ、基板９の保持が解除される。

チャック駆動機構２５は、チャックピン２３１をチャック回動軸Ｊ２のまわりで回動させることにより、突出部２３０を保持位置と開放位置との間で移動させる。チャック駆動機構２５が全てのチャックピン２３１の突出部３０をそれぞれの保持位置に移動させることにより、複数のチャックピン２３１が基板９を保持する。チャック駆動機構２５が全てのチャックピン２３１の突出部３０をそれぞれの開放位置に移動させることにより、複数のチャックピン２３１による基板９の保持が解除される。

ここでは一例として、チャック駆動機構２５は磁力を利用してチャックピン２３１を駆動する。図６は、対向板部２１の下面２１２の一例を概略的に示す図である。図２および図６に示すように、チャック駆動機構２５は、複数の回動磁石２５１と、複数の閉塞磁石２５２とを含む。回動磁石２５１および閉塞磁石２５２は例えば永久磁石である。実際には、回動磁石２５１および閉塞磁石２５２は専用の保持部材内に収容されるが、図２および図６では、保持部材の図示を省略している。後述の開放磁石２５３においても同様である。

複数のチャックピン２３１（より具体的には支持体２３１１）の下端部は、対向板部２１の下面２１２よりも下方に突出しており、回動磁石２５１は複数のチャックピン２３１の下端部にそれぞれ取り付けられる。回動磁石２５１の磁極の向き（磁化方向）は、例えば、回転軸Ｊ１およびチャック回動軸Ｊ２に垂直である。

対向板部２１の下面２１２において、閉塞磁石２５２は複数の回動磁石２５１の近傍にそれぞれ固定される。後述の開放磁石２５３が回動磁石２５１の近傍に位置しない状態では、回動磁石２５１と閉塞磁石２５２との間の磁気的吸引力により、例えば回動磁石２５１のＮ極が回転軸Ｊ１とは反対側に位置し、Ｓ極が回転軸Ｊ１側に位置する。これにより、回動磁石２５１が取り付けられたチャックピン２３１では、チャック回動軸Ｊ２を中心とする角度位置が、図５に示す保持位置となる。図６では、各磁石のＮ極側の部位にハッチングを付している（後述の図７において同様）。本実施の形態では、磁石間の磁気的吸引力が利用されるが、もちろん、磁気的反発力が利用されてもよい。

図２を参照して、チャック駆動機構２５は、開放磁石２５３と、磁石昇降機構２５４とをさらに含む。開放磁石２５３は例えば永久磁石である。開放磁石２５３は対向板部２１よりも下方において、対向板部２１とは独立して設けられている。開放磁石２５３は、例えば、回転軸Ｊ１を中心とする略円環状の形状を有する。

開放磁石２５３の磁極の向き（磁化方向）は、回転軸Ｊ１を中心とする径方向に沿う。例えば、開放磁石２５３のＮ極が回転軸Ｊ１側に配置され、Ｓ極が回転軸Ｊ１とは反対側に配置される。

対向板部２１を鉛直方向に沿って見た場合に、開放磁石２５３は複数の回動磁石２５１の回転軸Ｊ１側近傍に配置される。図２の状態では、開放磁石２５３は、対向板部２１の下面２１２から十分に離れた位置（以下、「離間位置」という。）で停止している。離間位置で停止した開放磁石２５３は、回動磁石２５１に対して磁気的な影響をほとんど与えない。

磁石昇降機構２５４は対向板部２１の下方に設けられる。磁石昇降機構２５４は例えばエアシリンダを有し、エアシリンダのピストンロッドの先端に開放磁石２５３が取り付けられる。磁石昇降機構２５４がピストンロッドを上昇させることにより、図２中に二点鎖線で示すように、開放磁石２５３が対向板部２１の下面２１２に近接した位置（以下、「近接位置」という。）まで上昇する。これにより、図２に示すように、開放磁石２５３が複数の回動磁石２５１の回転軸Ｊ１側近傍に移動する。

図７は、対向板部２１の下面２１２の一例を概略的に示す図であり、開放磁石２５３が近接位置で停止した状態を示している。図７の状態では、回動磁石２５１と開放磁石２５３との間の磁気的吸引力が、回動磁石２５１と閉塞磁石２５２との間の磁気的吸引力よりも大きくなる。これにより、回動磁石２５１がチャック回動軸Ｊ２のまわりで回転して、回動磁石２５１のＮ極が回転軸Ｊ１側に位置し、Ｓ極が回転軸Ｊ１とは反対側に位置する。これにより、回動磁石２５１が取り付けられたチャックピン２３１では、チャック回動軸Ｊ２を中心とする角度位置が、図５に示す開放位置となる。

磁石昇降機構２５４がピストンロッドを下降させると、開放磁石２５３が回動磁石２５１から下方に離れ、チャックピン２３１における角度位置が保持位置に戻される。なお、磁石昇降機構２５４は、モータ等を用いて開放磁石２５３を昇降させる機構（例えばボールねじ機構）であってもよい。

後述する処理液による基板９の処理では、制御部６の制御により、チャック駆動機構２５が、開放磁石２５３を近接位置で停止させた状態と、開放磁石２５３を離間位置で停止させた状態とを切り替える。これにより、複数のチャックピン２３１により基板９を保持する状態と、複数のチャックピン２３１による基板９の保持を解除する状態とが切り替えられる。

次に、リフト部２２の一例について詳述する。各リフトピン２２１は、対向板部２１の穴部２１５において昇降可能に設けられる。各穴部２１５は鉛直方向において対向板部２１を貫通する。対向板部２１には、リフトピン２２１の落下を回避するためのストッパ（図示省略）が設けられる。例えば、対向板部２１の下面２１２における穴部２１５の径はリフトピン２２１の下端面の径よりも小さく設定されてもよい。これにより、リフトピン２２１の下端面の周縁部が対向板部２１の穴部２１５の底面部に当接する。よって、リフトピン２２１の落下を回避することができる。以下では、各リフトピン２２１がストッパに当接する位置を下位置と呼ぶ。

対向板部２１の各穴部２１５内には、リフトピン２２１を下方に押圧する付勢部材（例えば、ばね）が設けられてもよい。これにより、リフトピン２２１を下方に押圧して下位置で停止させることができる。

図２を参照して、リフト部２２はピン昇降機構２４をさらに含む。ピン昇降機構２４は基板保持部２の対向板部２１よりも下方に設けられ、リフトピン２２１を昇降させる。ピン昇降機構２４は、押し上げ部材２４１と、部材昇降機構２４２とを含んでいる。押し上げ部材２４１は、基板保持部２の対向板部２１よりも下方において、基板保持部２に対して昇降可能に設けられる。部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を昇降させる。部材昇降機構２４２は例えばエアシリンダを含み、エアシリンダのピストンロッドの先端が押し上げ部材２４１に連結される。なお、部材昇降機構２４２は、モータ等を用いて押し上げ部材２４１を昇降させる機構であってもよい。

図８は、ピン昇降機構２４の構成の一例を概略的に示す平面図である。押し上げ部材２４１は平面視において基準円Ｃ１上に配列されている。言い換えれば、押し上げ部材２４１は、リフトピン２２１が並ぶ仮想的な基準円Ｃ１上に設けられる。図８の例では、第１リフトピン２２１ａまたは第２リフトピン２２１ｂと同数の３つの押し上げ部材２４１が設けられている。３つの押し上げ部材２４１は第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂと同様に、周方向に１２０度間隔で配列されている。図２の例では、各押し上げ部材２４１は、鉛直方向に沿って延在する棒状の形状（例えば円柱形状）を有している。

３つの押し上げ部材２４１は、基板保持部２が第１回転位置で停止した第１状態において、それぞれ３つの第１リフトピン２２１ａと鉛直方向において対向する。なお、基板保持部２の回転位置とは、例えば基板処理装置１の床面に対する絶対的な回転位置である。ここで、基板保持部２の押し上げ部材２４１に対する相対的な回転位置（以下、相対回転位置と呼ぶ）も導入する。基板保持部２が第１相対回転位置で停止した第１状態において、押し上げ部材２４１が第１リフトピン２２１ａと鉛直方向において対向する。第１の実施の形態では、押し上げ部材２４１は回転軸Ｊ１のまわりで回転しないので、相対回転位置は回転位置（絶対回転位置）と等しい。

図８では、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂも模式的に示されている。図８の例では、平面視において、３つの第１リフトピン２２１ａはそれぞれ３つの押し上げ部材２４１と重なっている。つまり、図８においては、基板保持部２が第１回転位置（第１相対回転位置）で停止した第１状態での第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂの位置が示されている。

また、３つの押し上げ部材２４１は、基板保持部２が第２回転位置で停止した第２状態において、それぞれ３つの第２リフトピン２２１ｂと鉛直方向において対向する。押し上げ部材２４１に対する相対回転位置で説明すると、基板保持部２が第２相対回転位置で停止した第２状態において、押し上げ部材２４１が第２リフトピン２２１ｂと鉛直方向において対向する。上述のように、第１の実施の形態では相対回転位置は回転位置と等しいので、以下では、主として回転位置を用いて説明する。ここでは、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂは周方向に６０度間隔で交互に配列されているので、第２回転位置は、第１回転位置から６０・ｎ（ｎは自然数）度回転させて得られる角度位置である。

図９は、ピン昇降機構２４の構成の一例を概略的に示す平面図である。ただし、図９では、基板保持部２が第２回転位置で停止した第２状態での第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂが模式的に示されている。図９の例では、平面視において、３つの第２リフトピン２２１ｂはそれぞれ３つの押し上げ部材２４１と重なっている。

部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を昇降させる。図示の例では、３つの押し上げ部材２４１は連結部材２４３によって互いに連結されている。連結部材２４３は、例えば、回転軸Ｊ１を中心とした略円環状の板状形状を有している。連結部材２４３の上面には、３つの押し上げ部材２４１の下端が連結される。言い換えれば、各押し上げ部材２４１は連結部材２４３の上面から上方に延在する。部材昇降機構２４２は３つの押し上げ部材２４１および連結部材２４３を一体で昇降させる。なお、押し上げ部材２４１は必ずしも相互に連結されている必要はなく、３つの押し上げ部材２４１のそれぞれに部材昇降機構２４２が設けられてもよい。

押し上げ部材２４１の上端部は、鉛直方向に垂直な断面において、対向板部２１の穴部２１５よりも小さい面積を有しており、穴部２１５に下方から遊挿可能である。

部材昇降機構２４２は、基板保持部２が第１回転位置で停止した第１状態（図８参照）において、３つの押し上げ部材２４１を上昇させる。これにより、３つの押し上げ部材２４１の上端がそれぞれ３つの第１リフトピン２２１ａの下面に当接する。部材昇降機構２４２が３つの押し上げ部材２４１をさらに上昇させることにより、３つの押し上げ部材２４１がそれぞれ３つの第１リフトピン２２１ａを上方に押し上げる。これにより、３つの第１リフトピン２２１ａが上昇する。このとき、押し上げ部材２４１の上端部は対向板部２１の穴部２１５に遊挿される。部材昇降機構２４２は所定位置まで押し上げ部材２４１を上昇させることにより、第１リフトピン２２１ａが所定の上位置まで上昇する。この上位置において、第１リフトピン２２１ａの先端はチャックピン２３１の上端よりも上方に位置する。

また、部材昇降機構２４２はこの状態から３つの押し上げ部材２４１を下降させる。これにより、３つの押し上げ部材２４１によって支持された３つの第１リフトピン２２１ａは上位置から下降する。部材昇降機構２４２は、押し上げ部材２４１の上端が対向板部２１の下面２１２よりも下方に位置するまで押し上げ部材２４１を下降させる。これにより、３つの第１リフトピン２２１ａが下位置で停止する。

また、部材昇降機構２４２は、基板保持部２が第２回転位置で停止した第２状態（図９参照）において、３つの押し上げ部材２４１を上昇させる。これにより、３つの押し上げ部材２４１の上端がそれぞれ３つの第２リフトピン２２１ｂの下面に当接する。部材昇降機構２４２が３つの押し上げ部材２４１をさらに上昇させることにより、３つの押し上げ部材２４１がそれぞれ３つの第２リフトピン２２１ｂを押し上げる。これにより、３つの第２リフトピン２２１ｂが上昇する。このとき、押し上げ部材２４１の上端部は対向板部２１の穴部２１５に遊挿される。部材昇降機構２４２は所定の位置まで押し上げ部材２４１を上昇させることにより、第２リフトピン２２１ｂを所定の上位置まで上昇させる。この上位置において、第２リフトピン２２１ｂの先端はチャックピン２３１の上端よりも上方に位置する。第２リフトピン２２１ｂについての上位置は例えば第１リフトピン２２１ａについての上位置と略等しい。

また、部材昇降機構２４２はこの状態から３つの押し上げ部材２４１を下降させる。これにより、３つの押し上げ部材２４１によって支持された３つの第２リフトピン２２１ｂは下降する。部材昇降機構２４２は、押し上げ部材２４１の上端が対向板部２１の下面２１２よりも下方に位置するまで押し上げ部材２４１を下降させる。これにより、３つの第２リフトピン２２１ｂが下位置で停止する。

なお、第１リフトピン２２１ａを上昇させる際に、押し上げ部材２４１が押圧する部材を第１作用部材と呼ぶと、上述の例では、この第１作用部材は第１リフトピン２２１ａの下端部に相当する。また、第２リフトピン２２１ｂを上昇させる際に、押し上げ部材２４１が押圧する部材を第２作用部材と呼ぶと、上述の例では、この第２作用部材は第２リフトピン２２１ｂの下端部に相当する。

図１０は、回転軸Ｊ１についての周方向に沿って見たリフトピン２２１の構成の一例を概略的に示す図であり、図１１は、リフトピン２２１の構成の一例を概略的に示す平面図である。図１０および図１１の例では、各リフトピン２２１は、支持体２２１１と、突出部２２０とを含む。支持体２２１１の鉛直方向に垂直な断面形状は例えば略円形である。支持体２２１１の上面には、上方に突出する突出部２２０が設けられる。例えば、突出部２２０は、回転軸Ｊ１を含むとともに径方向に沿う面Ｆ１（図１１中に一点鎖線で示す。）に関して対称形状を有する。突出部２２０は、リフト支持面２２２と、リフト案内面２２４と、リフト補助案内面２２６とを有する。

リフト支持面２２２は、およそ上方を向く面であり、回転軸Ｊ１側（図１０および図１１の右側）に向かうにしたがって対向面２１１に近づく。すなわち、リフト支持面２２２は回転軸Ｊ１側に向かって下方に傾斜する。また、リフト支持面２２２は、面Ｆ１から周方向（図１１のおよそ上下方向）の両側に向かって下方に傾斜する２つの面２２２１を有する。２つの面２２２１は面Ｆ１上において鈍角で互いに交差する。すなわち、リフト支持面２２２は、２つの面２２２１が交差する角部２２３を有する。角部２２３は回転軸Ｊ１側に向かって下方に傾斜する。後述するように、複数のリフトピン２２１が基板９を支持する際には、典型的には、各リフトピン２２１の角部２２３が基板９の周縁部９４の下面側部分とほぼ点接触する。また、リフト支持面２２２の対向面２１１（水平面）に対する傾斜角θ１は、チャックピン２３１の下側当接面２３５の傾斜角θ４（図４参照）よりも小さい。すなわち、下側当接面２３５の勾配はリフト支持面２２２よりも大きい。

リフト案内面２２４は、およそ回転軸Ｊ１側を向く面であり、リフト支持面２２２に対して回転軸Ｊ１とは反対側に連続する。リフト案内面２２４も回転軸Ｊ１側に向かって下方に傾斜する。リフト案内面２２４は、面Ｆ１から周方向の両側に向かって広がる２つの面２２４１を有する。２つの面２２４１は面Ｆ１上において鈍角で互いに交差する。すなわち、リフト案内面２２４は、２つの面２２４１が交差する角部２２５を有する。角部２２５は回転軸Ｊ１側に向かって下方に傾斜する。面Ｆ１上において、リフト案内面２２４の対向面２１１（水平面）に対する傾斜角θ２（図１０中に二点鎖線で示すリフトピン２２１参照）は、リフト支持面２２２の当該傾斜角θ１よりも大きい。換言すると、リフト案内面２２４の勾配はリフト支持面２２２よりも大きい。面Ｆ１上において、リフト案内面２２４の下端と回転軸Ｊ１との間の距離は基板９の半径よりも僅かに大きい。

リフト補助案内面２２６は、回転軸Ｊ１側かつ上方を向く面であり、リフト案内面２２４に対して回転軸Ｊ１とは反対側に連続する。リフト補助案内面２２６も回転軸Ｊ１側に向かって下方に傾斜する。リフト補助案内面２２６は、面Ｆ１から周方向の両側に向かって広がる２つの面２２６１を有する。２つの面２２６１は面Ｆ１上において鈍角で互いに交差する。すなわち、リフト補助案内面２２６は、２つの面２２６１が交差する角部２２７を有する。角部２２７は回転軸Ｊ１側に向かって下方に傾斜する。面Ｆ１上において、リフト補助案内面２２６の対向面２１１（水平面）に対する傾斜角θ３（図１０中に二点鎖線で示すリフトピン２２１参照）は、リフト案内面２２４の当該傾斜角θ２よりも小さく、リフト支持面２２２の当該傾斜角θ１よりも大きい。換言すると、リフト補助案内面２２６はリフト案内面２２４よりも勾配が小さく、リフト支持面２２２よりも勾配が大きい。

リフトピン２２１が下位置で停止した状態において、リフトピン２２１の支持体２２１１の上面が、対向面２１１と同じ高さ、または、対向面２１１よりも僅かに上方に位置する。したがって、後述する処理液による処理の際に、リフトピン２２１の支持体２２１１の上面の上に処理液はほとんど溜まらない。また、リフト支持面２２２におけるリフト案内面２２４の近傍には、２つの排液溝２２８が形成される。２つの排液溝２２８はリフト支持面２２２の角部２２３に対して周方向の両側に配置される。各排液溝２２８は角部２２３の近傍から面２２２１の縁まで周方向に連続する。排液溝２２８の底面は角部２２３から離れるにしたがって下方に傾斜する。処理液による処理の際に、基板９とリフト支持面２２２との間に入り込んだ処理液が排液溝２２８により適切に排出される。

リフトピン２２１は既述のように、押し上げ部材２４１によって押し上げられて、上位置まで上昇する（図１０中の二点鎖線）。また、リフトピン２２１は押し上げ部材２４１の下降に伴って下降して、下位置まで下降する（図１０中の実線）。

制御部６は基板処理装置１の各部の動作を制御することができる。具体的には、制御部６は、基板回転機構３のモータ３２、処理液供給部４の弁、不活性ガス供給部５の弁、ノズル移動機構、ピン昇降機構２４の部材昇降機構２４２およびチャック駆動機構２５の磁石昇降機構２５４を制御することができる。

制御部６は電子回路であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部６が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部６が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部６が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。

図２の例では、基板処理装置１には、回転センサ７が設けられている。回転センサ７は例えばエンコーダであって、基板保持部２の回転位置を測定する。回転センサ７は、測定した回転位置を示す測定信号を制御部６に出力する。制御部６は回転センサ７からの測定信号に基づいて、基板回転機構３を制御する。これにより、基板回転機構３は高い精度で基板保持部２の回転位置を制御することができる。また、基板回転機構３は高い精度で基板保持部２の回転速度を制御することもできる。

図１２は、基板処理装置１の動作の一例を示すフローチャートである。チャック駆動機構２５は、初期的には、複数のチャックピン２３１の角度位置が開放位置となるように、チャックピン２３１を駆動している。上述の例に即して説明すれば、磁石昇降機構２５４は初期的には開放磁石２５３を近接位置で停止させる。また、ピン昇降機構２４は、初期的には、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂを下位置で停止させている。

まず、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置で停止させる（ステップＳ１）。この状態では、３つの押し上げ部材２４１はそれぞれ３つの第１リフトピン２２１ａと鉛直方向において対向する（図８参照）。次に、部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を上昇させる（ステップＳ２）。これにより、押し上げ部材２４１が第１リフトピン２２１ａを押し上げて、第１リフトピン２２１ａを上位置まで上昇させる（図１０中の二点鎖線も参照）。

次に、センターロボット（搬送装置）ＣＲは未処理の基板９を３つの第１リフトピン２２１ａの上に載置する（ステップＳ３）。具体的には、センターロボットＣＲは、第１主面９１が下方を向き第２主面９２が上方を向いた状態で、基板９をハンドＨの上に載置している。センターロボットＣＲはこのハンドＨを基板保持部２の上方に移動させた上で、ハンドＨを下降させる。この下降中に、基板９がハンドＨから３つの第１リフトピン２２１ａの上に受け渡される。これにより、基板９は３つの第１リフトピン２２１ａによって水平姿勢で支持される。具体的には、基板９の周縁部９４が３つの第１リフトピン２２１ａのリフト支持面２２２により下方から支持される。典型的には、３つの第１リフトピン２２１ａは基板９の周縁部９４とのみ接触する。好ましくは、各リフト支持面２２２の角部２２３が周縁部９４とほぼ点接触する。

ハンドＨから第１リフトピン２２１ａに基板９を受け渡す際に、仮に、ハンドＨ上の基板９の中心が回転軸Ｊ１からずれている場合でも、基板９の端面９３が第１リフトピン２２１ａのリフト案内面２２４と当接することにより、基板９の中心が回転軸Ｊ１に近づけられる。すなわち、基板９の偏心が調整される。このとき、端面９３は、例えば、リフト案内面２２４の角部２２５と接触する。ここでは、回転軸Ｊ１に対して、基板９の中心が回転軸Ｊ１に垂直ないずれの方向にずれている場合でも、周方向に等間隔で配列された３つの第１リフトピン２２１ａにより、基板９の中心を回転軸Ｊ１に精度よく近づけることが可能である。センターロボットＣＲは基板９を第１リフトピン２２１ａに受け渡した後に、ハンドＨを基板処理装置１から退避させる。

次に、部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を下降させて第１リフトピン２２１ａを下位置まで下降させる（ステップＳ４）。これにより、第１リフトピン２２１ａによって支持された基板９も下降する。チャック部２３は、下降した基板９を保持する。具体的には、磁石昇降機構２５４が開放磁石２５３を近接位置から離間位置まで下降させることにより、複数のチャックピン２３１が開放位置から保持位置に移動（回動）する。各チャックピン２３１における開放位置から保持位置への移動では、まず、複数のリフト支持面２２２により支持された基板９の周縁部９４が、図４に示すチャックピン２３１の下側当接面２３５に当接し、続いて、回転軸Ｊ１側へと向かう下側当接面２３５に案内されて基板９が上方に僅かに移動する。そして、基板９の端面９３が、リフト支持面２２２よりも上方に位置する湾曲当接面２３４に当接する。これにより、基板９を複数のリフト支持面２２２の全てから上方に離間させた状態で、複数のチャックピン２３１により基板９が水平に保持される。典型的には、複数のチャックピン２３１は基板９の周縁部９４とのみ接触する。

次に、基板処理装置１は基板９に対する処理を行う（ステップＳ５）。例えば図２に示す不活性ガス供給部５により、基板９の第１主面９１と対向板部２１の対向面２１１との間の空間への不活性ガスの供給が開始される。また、基板回転機構３により、液処理回転速度（回転数）での基板９の回転が開始される。基板９は水平姿勢で基板保持部２とともに回転する。液処理回転速度は例えば３００～１５００ｒｐｍである。

続いて、処理液供給部４による基板９の第２主面９２への処理液の供給が開始される。第２主面９２では、基板９の回転による遠心力により処理液が基板９の周縁部９４に向かって広がり、第２主面９２の全体に処理液が供給される。基板９に処理液を供給している間も、第１主面９１側への不活性ガスの供給は継続される。処理液供給部４では、例えば、所定の薬液が第２主面９２に供給され、その後、純水が供給される（洗浄処理）。なお、この処理において、処理液に加えて、ブラシ等を用いた処理が行われてもよい。また、処理液供給部４では、薬液および純水が異なる液ノズルから吐出されてもよい。

処理液の供給が停止されると、基板回転機構３が基板９の回転速度を液処理回転速度よりも高くすることにより、基板９の乾燥処理（スピンドライ）が行われる。この基板９の乾燥により、基板９に対する処理が実質的に終了する。

次に、基板回転機構３は基板保持部２を第２回転位置で停止させる（ステップＳ６）。この状態では、３つの押し上げ部材２４１はそれぞれ３つの第２リフトピン２２１ｂと鉛直方向において対向する（図９参照）。

次に、チャック部２３が基板９の保持を解除しつつ、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を上昇させる（ステップＳ７）。具体的には、まず磁石昇降機構２５４が開放磁石２５３を開放位置から近接位置まで上昇させる。これにより、チャックピン２３１が保持位置から開放位置に移動（回動）し、基板９の保持が解除される。各チャックピン２３１における保持位置から開放位置への移動では、図４に示すチャック当接面２３２が回転軸Ｊ１とは反対側へと向かうことにより、下側当接面２３５に基板９の周縁部９４が当接した状態で、基板９が下方に僅かに移動する。そして、この状態で、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を上昇させることにより、押し上げ部材２４１が第２リフトピン２２１ｂを押し上げて第２リフトピン２２１ｂを上位置まで上昇させる。これにより、第２リフトピン２２１ｂは基板９をチャック部２３から受け取り、基板９の周縁部９４を支持して持ち上げる。このとき、基板９の周縁部９４は３つの第２リフトピン２２１ｂのリフト支持面２２２により下方から支持される。典型的には、３つの第２リフトピン２２１ｂは基板９の周縁部９４とのみ接触する。好ましくは、各リフト支持面２２２の角部２２３が周縁部９４とほぼ点接触する。

次に、センターロボットＣＲは処理済みの基板９を第２リフトピン２２１ｂから取り出す(ステップＳ８)。具体的には、センターロボットＣＲが、基板９の第１主面９１と対向板部２１との間にハンドＨを進入させ、その後、ハンドＨを上昇させることにより、基板９を第２リフトピン２２１ｂから持ち上げる。センターロボットＣＲは、基板９が載置されたハンドＨを基板処理装置１から退避させる。これにより、基板９が基板処理装置１の外部へと搬出される。

次に、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を下降させて、第２リフトピン２２１ｂを下位置まで下降させる（ステップＳ９）。以上により、基板処理装置１における基板９の処理が完了する。

以上のように、基板処理装置１によれば、未処理の基板９を第２リフトピン２２１ｂではなく第１リフトピン２２１ａで受け取る（ステップＳ３）。つまり、第１リフトピン２２１ａは未処理の基板９の搬入時に用いられるのに対して、第２リフトピン２２１ｂは未処理の基板９の搬入時には用いられない。よって、未処理の基板９が汚染されていたとしても、その汚染は第１リフトピン２２１ａには転写され得るものの、第２リフトピン２２１ｂには転写されない。したがって、第２リフトピン２２１ｂは第１リフトピン２２１ａよりも清浄である。

また、この基板処理装置１によれば、洗浄処理が行われた処理済みの清浄な基板９を第１リフトピン２２１ａではなく第２リフトピン２２１ｂで支持する（ステップＳ７）。つまり、汚染度の低い第２リフトピン２２１ｂは処理済みの清浄な基板９の搬出時に用いられるのに対して、汚染度の高い第１リフトピン２２１ａは処理済みの清浄な基板９の搬出時には用いられない。よって、第１リフトピン２２１ａから処理済みの基板９への汚染の転写を回避できる。第２リフトピン２２１ｂは第１リフトピン２２１ａよりも清浄であるので、第２リフトピン２２１ｂによる処理済みの基板９への汚染も抑制することができる。

しかも、基板処理装置１によれば、共通の押し上げ部材２４１によって、第１リフトピン２２１ａの昇降および第２リフトピン２２１ｂの昇降を互いに独立して行う（ステップＳ２およびステップＳ７）。つまり、押し上げ部材２４１は第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂの両方に共通に用いられる。よって、特許文献１のように、第１リフトピン２２１ａに専用の昇降アクチュエータと、第２リフトピン２２１ｂに専用の昇降アクチュエータの両方が設けられた構造に比して、基板処理装置１の構造を簡易にできる。ひいては、基板処理装置１の製造コストを低減することができる。

さらに、基板処理装置１によれば、押し上げ部材２４１が第１リフトピン２２１ａと対向する状態と、押し上げ部材２４１が第２リフトピン２２１ｂと対向する状態とを、基板回転機構３による基板保持部２の回転によって切り替えている（ステップＳ１およびステップＳ６）。つまり、基板９の処理に必要な基板回転機構３を利用して、押し上げ部材２４１の基板保持部２に対する位置合わせを行っている。したがって、押し上げ部材２４１および連結部材２４３を回転軸Ｊ１のまわりで一体に回転させる回転機構を新たに設ける場合に比して、基板処理装置１の構成をより簡易にでき、また、製造コストを低減することができる。

なお、上述の例では、基板９の下方を向く第１主面９１がデバイス形成面であるので、リフトピン２２１は基板９の周縁部９４を支持している。つまり、リフトピン２２１が第１主面９１上に形成されたパターンに接触しないように、基板９の周縁部９４を支持している。しかしながら、基板９は、デバイス非形成面である第２主面９２が下方を向く状態で、基板保持部２に保持されてもよい。この場合、リフトピン２２１はより回転軸Ｊ１に近い位置に設けられてもよい。言い換えれば、リフトピン２２１はチャックピン２３１よりも回転軸Ｊ１に近い位置に設けられてもよい。このとき、リフトピン２２１はより回転軸Ｊ１に近い位置で基板９の第２主面９２を支持する。この場合、リフトピン２２１は先細形状を有して、基板９の第２主面とほぼ点接触してもよい。

また、上述の例では、３つの第１リフトピン２２１ａは周方向に互いに略等間隔に配列され、３つの第２リフトピン２２１ｂは周方向に互いに略等間隔に配列され、３つの押し上げ部材２４１は周方向に互いに略等間隔に配列された。しかしながら、基板保持部２が第１回転位置で停止した第１状態で、３つの押し上げ部材２４１がそれぞれ３つの第１リフトピン２２１ａと対向し、かつ、基板保持部２が第２回転位置で停止した第２状態で、３つの押し上げ部材２４１がそれぞれ３つの第２リフトピン２２１ｂと対向する限りにおいて、第１リフトピン２２１ａ、第２リフトピン２２１ｂおよび押し上げ部材２４１の配列は上記に限らない。

第２の実施の形態．
基板９の周縁にノッチが形成される場合がある。ノッチとは、基板９の周縁に形成された凹部であり、平面視において基板９の中心側に凹む。例えばノッチは平面視において略Ｖ字状に形成される。このノッチは、基板９の向きを示すことができる。図１のキャリアＣ内において、基板９は、そのノッチの周方向の位置が互いに等しくなるように揃えられる。インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲは、ハンドＨに対する基板９のノッチの周方向の位置を維持しつつ基板９を搬送するので、基板処理装置１への基板９の搬入時において、ノッチの周方向の位置は予め決められている。

第１の実施の形態では、基板９の搬入時には、基板保持部２は第１回転位置で停止しており、基板９の搬出時には、基板保持部２は第２回転位置で停止している。よって、基板９の搬出時おけるノッチの周方向の位置は、基板９の搬入時におけるノッチの周方向の位置と相違する。以下、具体的に説明する。

図１３および図１４は、ピン昇降機構２４の構成の一例を示す図である。図１３では、搬入時における基板９およびリフトピン２２１が二点鎖線で示されており、図１４では、搬出時における基板９およびリフトピン２２１が二点鎖線で示されている。図１３および図１４に示すように、基板９の周縁には、ノッチ９５が形成されている。

基板９の搬入時において、基板回転機構３は既述のように基板保持部２を第１回転位置で停止させる。この状態では、押し上げ部材２４１は第１リフトピン２２１ａと鉛直方向において対向する。そして、この状態において、センターロボットＣＲは基板９を第１リフトピン２２１ａの上に載置する。図１３の例では、基板９の搬入時において、ノッチ９５は回転軸Ｊ１に対して右上に位置している。

基板処理装置１は、既述のように、第１リフトピン２２１ａを下降させて基板９をチャック部２３で保持し、基板９に対して処理を行う。そして、処理済みの基板９の搬出のために、基板回転機構３が基板保持部２を、第１回転位置とは異なる第２回転位置で停止させる（図１４参照）。そして、押し上げ部材２４１が第２リフトピン２２１ｂを上昇させて、第２リフトピン２２１ｂが基板９を持ち上げる。

よって、基板９の搬出時におけるノッチ９５の周方向位置は、基板９の搬入時におけるノッチ９５の周方向位置と相違する（図１３および図１４参照）。具体的には、ノッチ９５の周方向位置の差（角度）は第１回転位置と第２回転位置との間の角度（ここでは６０度）とほぼ一致する。このように、基板処理装置１の搬出入時におけるノッチ９５の周方向位置が互いに相違することは好ましくない場合がある。

そこで、第２の実施の形態では、基板９の搬出時におけるノッチ９５の周方向位置を、基板９の搬入時におけるノッチ９５の周方向位置に近づけ、好ましくは一致させることを企図する。

第２の実施の形態にかかる基板処理装置１は、ピン昇降機構２４の構成を除いて第１の実施の形態と同様の構成を有している。図１５は、第２の実施の形態にかかるピン昇降機構２４の構成の一例を概略的に示す平面図であり、図１６は、第２の実施の形態にかかるピン昇降機構２４の構成の一例を概略的に示す断面図である。

このピン昇降機構２４の押し上げ部材２４１は、回転軸Ｊ１のまわりで回動（周回）可能に設けられている。押し上げ部材２４１の回動の角度範囲は、第１回転位置と第２回転位置との間の角度以上に設定される。上述の例では、第１回転位置と第２回転位置との角度は６０度であるので、押し上げ部材２４１は６０度以上の角度範囲で回動可能に設けられる。

図１５および図１６の例では、ピン昇降機構２４は、押し上げ部材２４１と、固定部材２４４と、可動部材２４５と、ガイド２４６とをさらに含んでいる。図１５の例では、可動部材２４５は、回転軸Ｊ１を中心とした略円環状の形状を有している。可動部材２４５は、回転軸Ｊ１についての径方向に沿う断面において、例えば一辺が水平面に沿う矩形状の形状を有している（図１６参照）。可動部材２４５の上面には、押し上げ部材２４１の下端が連結されている。言い換えれば、押し上げ部材２４１は可動部材２４５の上面から上方に延在する。図１５の例では、３つの押し上げ部材２４１が可動部材２４５によって相互に連結される。

固定部材２４４は基板処理装置１のチャンバ内に固定されている。固定部材２４４は、例えば、回転軸Ｊ１を中心とした略円環状の形状を有しており、可動部材２４５と鉛直方向において間隔を空けて対向する。固定部材２４４は径方向に沿う断面において、例えば、一辺が水平面に沿う矩形状の形状を有している（図１６参照）。固定部材２４４はチャンバに対して固定される。

ガイド２４６は、可動部材２４５を固定部材２４４に対して周方向にスライド可能に連結する。図示の例では、ガイド２４６は可動部材２４５と固定部材２４４との間に設けられている。ガイド２４６は、レール２４６１と、可動プレート２４６２とを含んでいる。レール２４６１は、回転軸Ｊ１を中心とした略円弧状の形状を有しており、図１６の例では、固定部材２４４の上面に設けられている。可動プレート２４６２は、レール２４６１に対して回転軸Ｊ１についての周方向にスライド可能に連結されている。例えば、レール２４６１の両側面には、周方向に延在する凹部（不図示）が形成され、可動プレート２４６２はレール２４６１の上面を覆いつつ、当該凹部に篏合する。レール２４６１の側面と可動プレート２４６２の側部との間には不図示の転動体（例えば球）が設けられており、当該転動体の回転を伴って、可動プレート２４６２がレール２４６１に対して周方向にスライドする。可動プレート２４６２の上面は、可動部材２４５の下面に固定される。

図１５の例では、複数（図示の例では３つ）のガイド２４６が周方向において間隔を空けて並んで設けられている。３つのガイド２４６は周方向に略等間隔に配列されている。各ガイド２４６の周方向の移動可能範囲が第１回転位置と第２回転位置との間の角度以上となるように、レール２４６１の長さが設定される。

部材昇降機構２４２は、押し上げ部材２４１、固定部材２４４、可動部材２４５およびガイド２４６を一体で昇降させる。例えば、部材昇降機構２４２がエアシリンダを含む場合、そのエアシリンダのピストンロッドの先端が固定部材２４４に連結される。これによれば、部材昇降機構２４２がピストンロッドを上昇させることにより、押し上げ部材２４１、固定部材２４４、可動部材２４５およびガイド２４６を一体に上昇させることができる。

図１５の例では、基板保持部２が第２回転位置で停止した状態におけるリフトピン２２１が模式的に示されており、基板９も示されている。図１５では、押し上げ部材２４１が第２リフトピン２２１ｂと対向している。つまり、基板保持部２は押し上げ部材２４１に対して第２相対回転位置で停止している。図１５に例示するように、この状態では、基板９のノッチ９５は回転軸Ｊ１に対してほぼ右側に位置しており、搬入時における基板９のノッチ９５の位置とは相違する。

この状態において、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を上昇させることにより、押し上げ部材２４１が第２リフトピン２２１ｂを押し上げて、第２リフトピン２２１ｂが基板９を持ち上げる。

図１７は、基板処理装置１の概略構成の一例を示す側面図である。図１７の例では、基板保持部２は第２回転位置（第２相対回転位置）で停止している。そして、押し上げ部材２４１は第２リフトピン２２１ｂを押し上げており、第２リフトピン２２１ｂが基板９を持ち上げて支持している。

この状態において、押し上げ部材２４１の上端部は対向板部２１の穴部２１５に挿入される。しかも、押し上げ部材２４１は回転軸Ｊ１のまわりで回動（周回）可能である。よって、基板保持部２および押し上げ部材２４１は所定の角度範囲で一体に回動することができる。つまり、基板回転機構３が基板保持部２を回転させると、対向板部２１は押し上げ部材２４１の上端部を回転方向に押して、押し上げ部材２４１を回転軸Ｊ１のまわりで回転させる。言い換えれば、基板保持部２は第２相対回転位置を維持したまま、回転軸Ｊ１のまわりを回転できる。

要するに、基板保持部２は、上位置で停止する押し上げ部材２４１と周方向において対向する部材（図示の例では対向板部２１）を含んでおり、基板保持部２の回転に伴って当該部材が押し上げ部材２４１を回転方向に押圧する。これにより、押し上げ部材２４１が基板保持部２と一体に回転する。

基板回転機構３は、第２リフトピン２２１ｂが押し上げ部材２４１によって押し上げられて基板９を持ち上げた状態（図１５および図１７）で、基板保持部２を第１回転位置に回転させる。具体的な一例として、基板回転機構３は、図１５において反時計回りに基板保持部２を６０度回転させる。この回転に伴って、対向板部２１は押し上げ部材２４１の上端部を回転方向（反時計回り）に押して、押し上げ部材２４１および可動部材２４５を回転軸Ｊ１のまわりで一体に回転させる。これにより、押し上げ部材２４１および可動部材２４５は回転方向に一体で回転する。また、基板９は第２リフトピン２２１ｂに支持されているので、基板保持部２の回転により、基板９も６０度回転する。

図１８は、第２リフトピン２２１ｂが基板９を支持した状態で基板保持部２を第２回転位置から回転させて第１回転位置で停止させたときのピン昇降機構２４の構成の一例を概略的に示す図であり、図１９は、基板処理装置１の概略構成の一例を示す図である。図１８および図１９の例では、図１５および図１７に比して、第２リフトピン２２１ｂおよび押し上げ部材２４１が反時計回りに６０度だけ回転（周回）しており、基板９も反時計回りに６０度だけ回転する。これにより、基板９のノッチ９５の周方向位置を、基板９の搬入時におけるノッチ９５の周方向位置にほぼ一致させることができる（図１３も参照）。

次に、第２の実施の形態にかかる基板処理装置１の動作の一例について説明する。図２０は、基板処理装置１の動作の一例を示すフローチャートである。チャック駆動機構２５は、初期的には、複数のチャックピン２３１の角度位置が開放位置となるように、チャックピン２３１を駆動している。上述の例では、磁石昇降機構２５４は初期的に開放磁石２５３を近接位置に停止させる。また、ピン昇降機構２４は、初期的には、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂを下位置で停止させている。

まず、ステップＳ１と同様に、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置で停止させる（ステップＳ１１）。このとき、押し上げ部材２４１は第１リフトピン２２１ａと鉛直方向において対向する。つまり、基板保持部２は押し上げ部材２４１に対して第１相対回転位置で停止する。次に、ステップＳ２と同様に、部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を上昇させ、第１リフトピン２２１ａを上位置まで上昇させる（ステップＳ１２）。次に、ステップＳ３と同様に、センターロボットＣＲは未処理の基板９を第１リフトピン２２１ａの上に載置する（ステップＳ１３）。この基板９の周縁には例えばノッチ９５が形成されている。第１リフトピン２２１ａの上に載置された基板９のノッチ９５の周方向位置（初期位置）は予め決められている。

次に、ステップＳ４と同様に、部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を下降させて第１リフトピン２２１ａを下降させ、チャック部２３が基板９を保持する（ステップＳ１４）。次に、ステップＳ５と同様に、基板処理装置１は基板９に対する処理を行う（ステップＳ１５）。次に、ステップＳ６と同様に、基板回転機構３は基板保持部２を第２回転位置で停止させる（ステップＳ１６）。このとき、押し上げ部材２４１は第２リフトピン２２１ｂと鉛直方向において対向する。つまり、基板保持部２は押し上げ部材２４１に対して第２相対回転位置で停止する。次に、ステップＳ７と同様に、チャック部２３が基板９の保持を解除しつつ、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を上昇させて、基板９を第２リフトピン２２１ｂで持ち上げる（ステップＳ１７）。

次に、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置まで回転させて第１回転位置で停止させる（ステップＳ１８）。この回転により、対向板部２１は３つの押し上げ部材２４１を回転方向に向かって押すので、３つの押し上げ部材２４１および可動部材２４５は基板保持部２と一体に回転軸Ｊ１のまわりを回転する。つまり、基板保持部２は第２相対回転位置を維持しつつ、第１回転位置まで回転する。また、処理済みの基板９は第２リフトピン２２１ｂによって支持された状態で回転する。よって、基板９のノッチ９５の周方向位置を初期位置にほぼ戻すことができる。

次に、ステップＳ８と同様に、センターロボットＣＲは処理済みの基板９を第２リフトピン２２１ｂから受け取る(ステップＳ１９)。次に、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置から第２回転位置へと逆方向に回転させる。つまり、基板保持部２は第２相対回転位置を維持しつつ、第２回転位置まで回転する。これにより、基板保持部２、押し上げ部材２４１および可動部材２４５は一体で回転し、押し上げ部材２４１の周方向位置を元の位置（初期位置）に戻すことができる。次に、ステップＳ９と同様に、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を下降させて、第２リフトピン２２１ｂを下位置まで下降させる（ステップＳ２１）。

以上のように、この基板処理装置１によっても、未処理の基板９を第１リフトピン２２１ａで支持し（ステップＳ１１からステップＳ１４）、処理済みの基板９を第２リフトピン２２１ｂで支持する（ステップＳ１６からステップＳ１９）。よって、処理済みの基板９への汚染を抑制することができる。

また、この基板処理装置１によっても、押し上げ部材２４１によって、第１リフトピン２２１ａの昇降および第２リフトピン２２１ｂの昇降を行う（ステップＳ１２およびステップＳ１７）。よって、特許文献１のように、第１リフトピン２２１ａに専用の押し上げ部材と、第２リフトピン２２１ｂに専用の押し上げ部材の両方が設けられた構造に比して、基板処理装置１の構造を簡易にできる。ひいては、基板処理装置１の製造コストを低減することができる。

しかも、この基板処理装置１によれば、押し上げ部材２４１は、第２リフトピン２２１ｂを押し上げた状態で、基板保持部２と一体で回転することができる。よって、第２リフトピン２２１ｂが処理済みの基板９を持ち上げた状態で、基板保持部２を第１回転位置から第２回転位置に回転させることができる。したがって、基板９のノッチ９５の周方向位置を初期位置にほぼ戻すことができる（ステップＳ１８）。これにより、センターロボットＣＲは、基板保持部２が同じ第１回転位置で停止した状態で、基板９の搬出入を行うことができる。よって、センターロボットＣＲは、基板処理装置１に搬入したときの向きで、処理済みの基板９を取り出すことができる。つまり、センターロボットＣＲのハンドＨにおける基板９の向きを基板処理装置１の前後で維持できる。

上述の例では、基板回転機構３は、押し上げ部材２４１が第２リフトピン２２１ｂを押し上げて第２リフトピン２２１ｂが基板９を支持する状態で、押し上げ部材２４１および第２リフトピン２２１ｂを一体で回転させた。しかしながら、必ずしもこれに限らない。基板回転機構３は、押し上げ部材２４１が第１リフトピン２２１ａを押し上げて第１リフトピン２２１ａが基板９を支持した状態で、基板保持部２および押し上げ部材２４１を一体で回転させることによっても、基板９のノッチ９５の周方向位置を調整することができる。以下、具体的な動作の一例について説明する。

図２１は、基板処理装置１の動作の他の一例を示すフローチャートである。チャック駆動機構２５は、初期的には、複数のチャックピン２３１の角度位置が開放位置となるように、チャックピン２３１を駆動している。上述の例では、磁石昇降機構２５４は初期的に開放磁石２５３を近接位置に停止させる。また、ピン昇降機構２４は、初期的には、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂを下位置で停止させている。

まず、ステップＳ１と同様に、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置で停止させる（ステップＳ４１）。このとき、押し上げ部材２４１は第１リフトピン２２１ａと鉛直方向において対向する。つまり、基板保持部２は押し上げ部材２４１に対して第１相対回転位置で停止する。次に、ステップＳ２と同様に、部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を上昇させ、第１リフトピン２２１ａを上位置まで上昇させる（ステップＳ４２）。

次に、基板回転機構３は基板保持部２を第２回転位置まで回転させて第２回転位置で停止させる（ステップＳ４３）。この回転により、対向板部２１は３つの押し上げ部材２４１を回転方向に向かって押すので、３つの押し上げ部材２４１および可動部材２４５は基板保持部２と一体に回転軸Ｊ１のまわりを回転する。つまり、基板保持部２は第１相対回転位置を維持しつつ、第２回転位置まで回転する。

次に、ステップＳ３と同様に、センターロボットＣＲは未処理の基板９を第１リフトピン２２１ａの上に載置する（ステップＳ４４）。この基板９の周縁には例えばノッチ９５が形成されている。第１リフトピン２２１ａの上に載置された基板９のノッチ９５の周方向位置（初期位置）は予め決められている。

このように、未処理の基板９は基板保持部２が第２回転位置で停止した状態で、基板処理装置１に搬入される。

次に、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置まで逆方向に回転させて第１回転位置で停止させる（ステップＳ４５）。この回転により、対向板部２１は３つの押し上げ部材２４１を逆方向に向かって押すので、３つの押し上げ部材２４１および可動部材２４５は基板保持部２と一体に回転軸Ｊ１のまわりを逆方向に回転する。つまり、基板保持部２は第１相対回転位置を維持しつつ、第１回転位置まで回転する。これにより、押し上げ部材２４１の周方向位置を元の位置（初期位置）にほぼ戻すことができる。

次に、ステップＳ４と同様に、部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を下降させて第１リフトピン２２１ａを下降させ、チャック部２３が基板９を保持する（ステップＳ４６）。次に、ステップＳ５と同様に、基板処理装置１は基板９に対する処理を行う（ステップＳ４７）。

次に、ステップＳ６と同様に、基板回転機構３は基板保持部２を第２回転位置で停止させる（ステップＳ４８）。このとき、押し上げ部材２４１は第２リフトピン２２１ｂと鉛直方向において対向する。つまり、基板保持部２は押し上げ部材２４１に対して第２相対回転位置で停止する。このステップＳ４８における基板９のノッチ９５の周方向位置は、基板９の搬入時のノッチ９５の周方向位置とほぼ一致する。なぜなら、基板９は基板保持部２が第２回転位置で停止した状態で搬入されるからである（ステップＳ４３およびステップＳ４４）。

次に、ステップＳ７と同様に、チャック部２３が基板９の保持を解除しつつ、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を上昇させて、基板９を第２リフトピン２２１ｂで持ち上げる（ステップＳ４９）。次に、ステップＳ８と同様に、センターロボットＣＲは処理済みの基板９を第２リフトピン２２１ｂから受け取る(ステップＳ５０)。次に、ステップＳ９と同様に、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を下降させて、第２リフトピン２２１ｂを下位置まで下降させる（ステップＳ５１）。

以上のように、この動作によれば、センターロボットＣＲは、基板保持部２が同じ第２回転位置で停止した状態で、基板９の搬出入を行うことができる（ステップＳ４３、ステップＳ４４、ステップＳ４８からステップＳ５０）。よって、センターロボットＣＲは、基板処理装置１に搬入したときの向きで、処理済みの基板９を取り出すことができる。つまり、センターロボットＣＲのハンドＨにおける基板９の向きを基板処理装置１の前後で維持できる。

図２２は、基板処理装置１の動作の他の一例を示すフローチャートである。チャック駆動機構２５は、初期的には、複数のチャックピン２３１の角度位置が開放位置となるように、チャックピン２３１を駆動している。上述の例では、磁石昇降機構２５４は初期的に開放磁石２５３を近接位置に停止させる。また、ピン昇降機構２４は、初期的には、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂを下位置で停止させている。

まず、ステップＳ１と同様に、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置で停止させる（ステップＳ６１）。このとき、押し上げ部材２４１は第１リフトピン２２１ａと鉛直方向において対向する。つまり、基板保持部２は押し上げ部材２４１に対して第１相対回転位置で停止する。次に、ステップＳ２と同様に、部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を上昇させ、第１リフトピン２２１ａを上位置まで上昇させる（ステップＳ６２）。

次に、基板回転機構３は基板保持部２を第２回転位置まで回転させて第２回転位置で停止させる（ステップＳ６３）。この回転により、対向板部２１は３つの押し上げ部材２４１を回転方向に向かって押すので、３つの押し上げ部材２４１および可動部材２４５は基板保持部２と一体に回転軸Ｊ１のまわりを回転する。つまり、基板保持部２は第１相対回転位置を維持しつつ、第２回転位置まで回転する。

次に、ステップＳ３と同様に、センターロボットＣＲは未処理の基板９を第１リフトピン２２１ａの上に載置する（ステップＳ６４）。この基板９の周縁には例えばノッチ９５が形成されている。第１リフトピン２２１ａの上に載置された基板９のノッチ９５の周方向位置（初期位置）は予め決められている。

このように、未処理の基板９は基板保持部２が第２回転位置で停止した状態で、基板処理装置１に搬入される。

次に、ステップＳ４と同様に、部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を下降させて第１リフトピン２２１ａを下降させ、チャック部２３が基板９を保持する（ステップＳ６５）。基板保持部２は第２回転位置で停止した状態で押し上げ部材２４１が第１リフトピン２２１ａを下降させるので、以後、押し上げ部材２４１は、基板保持部２が第１回転位置で停止した状態で第２リフトピン２２１ｂと鉛直方向において対向し、基板保持部２が第２回転位置で停止した状態で第１リフトピン２２１ａと鉛直方向において対向することとなる。つまり、基板保持部２は第１回転位置で停止することにより、押し上げ部材２４１に対して第２相対回転位置で停止し、第２回転位置で停止することにより、押し上げ部材２４１に対して第１相対回転位置で停止する。

次に、ステップＳ５と同様に、基板処理装置１は基板９に対する処理を行う（ステップＳ６６）。

次に、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置で停止させる（ステップＳ６７）。これにより、押し上げ部材２４１は第２リフトピン２２１ｂと鉛直方向において対向する。次に、ステップＳ７と同様に、チャック部２３が基板９の保持を解除しつつ、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を上昇させて、基板９を第２リフトピン２２１ｂで持ち上げる（ステップＳ６８）。

次に、基板回転機構３は基板保持部２を第２回転位置まで回転させて第２回転位置で停止させる（ステップＳ６９）。この回転により、対向板部２１は３つの押し上げ部材２４１を回転方向に向かって押すので、３つの押し上げ部材２４１および可動部材２４５は基板保持部２と一体に回転軸Ｊ１のまわりを回転する。つまり、基板保持部２は第２相対位置を維持しつつ、第２回転位置まで回転する。

このステップＳ６９における基板９のノッチ９５の周方向位置は、基板９の搬入時のノッチ９５の周方向位置とほぼ一致する。なぜなら、基板９は基板保持部２が第２回転位置で停止した状態で搬入されるからである（ステップＳ６３およびステップＳ６４）。

次に、ステップＳ８と同様に、センターロボットＣＲは処理済みの基板９を第２リフトピン２２１ｂから受け取る(ステップＳ７０)。次に、ステップＳ９と同様に、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を下降させて、第２リフトピン２２１ｂを下位置まで下降させる（ステップＳ７１）。

以上のように、この動作によっても、センターロボットＣＲは、基板保持部２が同じ第２回転位置で停止した状態で、基板９の搬出入を行うことができる（ステップＳ６３、ステップＳ６４、ステップＳ６８からステップＳ７０）。よって、センターロボットＣＲは、基板処理装置１に搬入したときの向きで、処理済みの基板９を取り出すことができる。つまり、センターロボットＣＲのハンドＨにおける基板９の向きを基板処理装置１の前後で維持できる。

要するに、基板回転機構３は、押し上げ部材２４１が第１リフトピン２２１ａを押し上げた状態、および、押し上げ部材２４１が第２リフトピン２２１ｂが押し上げた状態の少なくともいずれか一方において基板保持部２および押し上げ部材２４１を一体に回転させることにより、第１リフトピン２２１ａがセンターロボットＣＲから未処理の基板９を受け取るときの基板保持部２の回転位置、および、第２リフトピン２２１ｂが処理済みの基板９をセンターロボットＣＲに受け渡すときの基板保持部２の回転位置を互いに近づければよい。より具体的には、基板回転機構３はこれらの回転位置の差を、第１回転位置と第２回転位置との間の角度（上述の例では６０度）よりも小さくすればよく、より好ましくは、これらの回転位置を互いに一致させるとよい。

なお、上述の例では、互いに離れて設けられる３つのガイド２４６が設けられているものの、必ずしもこれに限らない。例えば、レール２４６１は、回転軸Ｊ１を中心とした略円環状の形状を有していてもよい。この場合、可動部材２４５は固定部材２４４に対して何周でも回転可能である。この場合、基板保持部２は回転軸Ｊ１のまわりを一方向のみ回転可能であってもよい。なぜなら、一方向の回転によって、基板保持部２および押し上げ部材２４１を第１回転位置から第２回転位置へと一体に回転させることができ、また、基板保持部２および押し上げ部材２４１を第２回転位置から第１回転位置へと一体に回転させることができるからである。

第３の実施の形態．
第３の実施の形態にかかる基板処理装置１の構成は、第１または第２の実施の形態にかかる基板処理装置１と同様である。第３の実施の形態では、ダミー基板の処理について述べる。ダミー基板とは、例えばテスト用の基板であり、基板処理装置１が正しく動作するのかを確認するための基板である。ダミー基板は基板９と略同一の形状を有しているものの、必ずしもデバイス用のパターンが形成される必要はない。

基板処理装置１は例えば所定時間ごとに（例えば毎日）、ダミー基板を処理する。このダミー基板は繰り返し使用されるので、処理終了後は所定の保管位置で保管される。この長期の保管により、ダミー基板には汚染が蓄積され得る。このようなダミー基板は洗浄処理によっても洗浄しきれない場合があり、処理済みのダミー基板の汚染度は、処理済みの基板９と比べて高くなり得る。

あるいは、ダミー基板とは、検査用の基板９であってもよい。基板９の第１主面９１には、パターンが形成されているところ、そのパターンが正しく形成されているかどうかを確認する場合がある。この場合、基板９の第１主面９１に対して処理を行うべく、基板９の第１主面９１が上方を向くようにして、基板９が基板保持部２に受け渡される場合がある。この場合、リフトピン２２１は基板９の第２主面９２（例えばその周縁部）を支持する。基板９の第２主面９２はデバイス非形成面であるので、第１主面９１よりも汚染度が高い場合がある。

そこで、基板処理装置１は、このようなダミー基板の搬入時および搬出時の両方においては、第１リフトピン２２１ａを用いる。言い換えれば、ダミー基板に対しては、第２リフトピン２２１ｂを用いない。

図２３は、基板処理装置１の動作の一例を示すフローチャートである。チャック駆動機構２５は、初期的には、複数のチャックピン２３１の角度位置が開放位置となるように、チャックピン２３１を駆動している。上述の例では、磁石昇降機構２５４は初期的に開放磁石２５３を近接位置に停止させる。また、ピン昇降機構２４は、初期的には、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂを下位置で停止させている。

まず、ステップＳ１と同様に、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置（第１相対回転位置）で停止させる（ステップＳ３１）。次に、ステップＳ２と同様に、部材昇降機構２４２は、押し上げ部材２４１を上昇させる（ステップＳ３２）。これにより、押し上げ部材２４１が第１リフトピン２２１ａを押し上げて、第１リフトピン２２１ａを上位置まで上昇させる。

次に、ステップＳ３と同様に、センターロボットＣＲは未処理のダミー基板を第１リフトピン２２１ａの上に載置する（ステップＳ３３）。次に、ステップＳ４と同様に、部材昇降機構２４２は押し上げ部材２４１を下降させて第１リフトピン２２１ａを下降させる（ステップＳ３４）。これにより、第１リフトピン２２１ａによって支持されたダミー基板も下降する。そして、チャック部２３は、下降したダミー基板を保持する。次に、ステップＳ５と同様に、基板処理装置１はダミー基板に対する処理を行う（ステップＳ３５）。

次に、基板回転機構３は基板保持部２を第１回転位置（第１相対回転位置）で停止させる（ステップＳ３６）。この状態では、３つの押し上げ部材２４１はそれぞれ３つの第１リフトピン２２１ａと鉛直方向において対向する。次に、チャック部２３が基板９の保持を解除しつつ、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を上昇させる（ステップＳ３７）。これにより、押し上げ部材２４１が第１リフトピン２２１ａを上昇させ、第１リフトピン２２１ａがダミー基板をチャック部２３から受け取り、ダミー基板を持ち上げる。

次に、ステップＳ８と同様に、センターロボットＣＲは処理済みのダミー基板を第１リフトピン２２１ａから取り出す(ステップＳ３８)。次に、部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を下降させて、第１リフトピン２２１ａを下位置まで下降させる（ステップ３９）。以上により、基板処理装置１におけるダミー基板の処理が完了する。

以上のように、基板処理装置１は、ダミー基板の搬入時および搬出時の両方において、第１リフトピン２２１ａが用いられる。言い換えれば、ダミー基板に対しては、第２リフトピン２２１ｂが用いられない。よって、ダミー基板の汚染が第２リフトピン２２１ｂに転写することを回避できる。したがって、基板処理装置１が基板９を処理する際に、ダミー基板の汚染がリフトピン２２１を介して処理済みの清浄な基板９へ転写することを回避できる。

変形例．
変形例にかかる基板処理装置１は、リフト部２２の構成を除いて、第１から第３の実施の形態と同様の構成を有している。

図２４は、変形例にかかるリフト部２２の構成の一例を概略的に示す平面図である。図２４の例では、３つの第１リフトピン２２１ａはチャックピン２３１よりも回転軸Ｊ１に近い位置で、回転軸Ｊ１を中心とした基準円の上に設けられている。また、図２４の例では、３つの第２リフトピン２２１ｂは第１リフトピン２２１ａよりも回転軸Ｊ１に近い位置で、回転軸Ｊ１を中心とした基準円の上に設けられている。

図２４の例では、３つの第１リフトピン２２１ａは連結部材２２２ａによって互いに連結されている。連結部材２２２ａは、回転軸Ｊ１を中心とした略円環状の形状を有している。また、連結部材２２２ａは、回転軸Ｊ１側に突出する突出部を含んでいる。以下では、この突出部を第１作用部材２２３ａと呼ぶ。

３つの第２リフトピン２２１ｂは連結部材２２２ｂによって互いに連結されている。連結部材２２２ｂは、回転軸Ｊ１を中心とした略円環状の形状を有している。具体的には、図２４の例では、連結部材２２２ｂは第１作用部材２２３ａと異なる周方向の領域において、回転軸Ｊ１を中心とした円弧状の形状を有し、第１作用部材２２３ａの近傍では、第１作用部材２２３ａを避けるように回転軸Ｊ１側に凹んでいる。連結部材２２２ｂは、回転軸Ｊ１についての周方向において第１作用部材２２３ａと並ぶ第２作用部材２２３ｂを含んでいる。図２４の例では、連結部材２２２ｂのうち回転軸Ｊ１を中心とした円弧部分の一部が第２作用部材２２３ｂに相当する。

基板保持部２の対向板部２１の内部には、連結部材２２２ａおよび連結部材２２２ｂを収納する環状空間が形成されており、当該環状空間は、第１作用部材２２３ａおよび第２作用部材２２３ｂの各々と対向する位置において、対向板部２１の下面２１２で開口している。つまり、対向板部２１の下面２１２には、第１作用部材２２３ａの下面に連通する穴部（開口）が形成されており、また、第２作用部材２２３ｂの下面に連通する穴部（開口）が形成されている。

図２４の例では、押し上げ部材２４１が破線で示されている。図２４の例では、第１から第３の実施の形態の具体例とは異なって、１つの押し上げ部材２４１が設けられている。基板保持部２が第１相対回転位置で停止した第１状態において、押し上げ部材２４１は第１作用部材２２３ａと鉛直方向において対向する。部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を上昇させることにより、押し上げ部材２４１の上端は第１作用部材２２３ａの下面に当接する。部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１をさらに上昇させることにより、押し上げ部材２４１は第１作用部材２２３ａを押し上げる。これにより、第１作用部材２２３ａに連結された３つの第１リフトピン２２１ａが上昇する。また、部材昇降機構２４２はこの状態から押し上げ部材２４１を下降させることにより、３つの第１リフトピン２２１ａを一体に下降させることができる。

図２５は、基板保持部２が第２相対回転位置で停止した第２状態での、リフト部２２の構成の一例を概略的に示す図である。図２５に示すように、基板保持部２が第２相対回転位置で停止した第２状態において、押し上げ部材２４１は第２作用部材２２３ｂと鉛直方向において対向する。部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１を上昇させることにより、押し上げ部材２４１の上端は第２作用部材２２３ｂの下面に当接する。部材昇降機構２４２が押し上げ部材２４１をさらに上昇させることにより、押し上げ部材２４１は第２作用部材２２３ｂを押し上げる。これにより、第２作用部材２２３ｂに連結された第２リフトピン２２１ｂが上昇する。また、部材昇降機構２４２はこの状態から押し上げ部材２４１を下降させることにより、３つの第２リフトピン２２１ｂを一体に下降させることができる。

変形例にかかる基板処理装置１によっても、押し上げ部材２４１が第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂを互いに独立に昇降させることができる。

なお、図２４および図２５の例では、第１リフトピン２２１ａ、第２リフトピン２２１ｂおよびチャックピン２３１の径方向の位置が相違しているものの、これらが同一の基準円上に設けられてもよい。この状態でも、所定の第１連結部材により、第１リフトピン２２１ａを相互に連結し、また、第１連結部材と平面視において重ならない形状を有する第２連結部材により、第２リフトピン２２１ｂを相互に連結するとよい。そして、回転軸Ｊ１の周方向に並ぶ第１作用部材および第２作用部材を、それぞれ第１連結部材および第２連結部材に設ければよい。押し上げ部材２４１は、平面視において、第１作用部材および第２作用部材が並ぶ、回転軸Ｊ１を中心とした基準円の上に設けられる。これにより、基板保持部２を回転させることで、押し上げ部材２４１を第１作用部材および第２作用部材の各々と鉛直方向で対向させることができる。

以上、実施の形態が説明されたが、この基板処理装置１はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。本実施の形態は、その開示の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

上記基板処理装置１では様々な変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、３つの第１リフトピン２２１ａおよび３つの第２リフトピン２２１ｂが設けられるが、基板９を下方から支持するという観点では、第１リフトピン２２１ａおよび第２リフトピン２２１ｂの個数は４以上であってもよい。また、既述のように、複数のリフトピン２２１のリフト案内面２２４により、センターロボットＣＲとの基板９の受け渡しの際に、基板９の中心が回転軸Ｊ１に近づけられる。この場合に、回転軸Ｊ１に垂直な様々な方向に関して、基板９の中心を精度よく回転軸Ｊ１に近づけるという観点では、リフト部２２は、周方向に等間隔に配置される４以上の第１リフトピン２２１ａおよび４以上の第２リフトピン２２１ｂを含むことが好ましい。

また上述の例では、６つのチャックピン２３１が設けられているが、基板９の周縁部９４を保持するという観点では、チャックピン２３１の個数は３以上であればよい。また、チャック駆動機構２５は、磁石によりチャックピン２３１を駆動しているものの、例えばモータによりチャックピン２３１を駆動してもよい。また、上述の例では、複数のチャックピン２３１を一体に駆動しているものの、これらの少なくとも一つを他の少なくとも一つと独立して駆動してもよい。これによれば、基板９の処理中に、基板９を保持するチャックピン２３１を順次に切り替えることができ、チャックピン２３１の保持位置における処理不良を抑制できる。

図１０および図１１に示すリフト支持面２２２およびリフト案内面２２４の形状、並びに、図４および図５に示すチャック当接面２３２の形状は一例に過ぎず、適宜変更されてよい。

また、チャック部２３は必ずしもチャックピン２３１を含んでいる必要はない。チャック部２３は基板９の下面を吸着して基板９を保持してもよい。例えば、チャック部２３は、対向板部２１の対向面２１１に形成された複数の吸着孔と、当該複数の吸着孔から気体を吸引する吸引機構とを含んでいてもよい。これにより、基板９を対向板部２１の対向面２１１に吸着することができる。あるいは、チャック部２３は、対向板部２１の対向面２１１側に複数の電極と、複数の電極に静電気を発生させるための電源とを含んでいてもよい。これにより、基板９を静電チャックすることができる。

１ 基板処理装置
２ 基板保持部
３ 回転機構（基板回転機構）
４ 洗浄処理部（処理液供給部）
７ 回転センサ
２３ チャック部
２２１ａ 第１リフトピン
２２１ｂ 第２リフトピン
２３１ａ 第１作用部材
２３１ｂ 第１作用部材
２４１ 押し上げ部材
２４２ 昇降機構（部材昇降機構）
２４４ 固定部材
２４５ 可動部材
２４６ ガイド
ＣＲ 搬送装置（センターロボット）

Claims (13)

1. 基板を水平姿勢で保持するチャック部と、前記チャック部に対して昇降可能に設けられて前記基板を支持する３つ以上の第１リフトピンおよび３つ以上の第２リフトピンと、前記第１リフトピンに連結される第１作用部材と、前記基板の周方向において前記第１作用部材と異なる位置に設けられ、前記第２リフトピンに連結される第２作用部材と、を含む基板保持部と、
   前記基板の中央部を通り鉛直方向に沿う回転軸のまわりで、前記基板保持部を回転させる回転機構と、
   前記基板保持部よりも鉛直下方において昇降可能に設けられる押し上げ部材と、
   前記押し上げ部材を前記基板保持部に対して昇降させる昇降機構と
   を備え、
   前記押し上げ部材は、前記基板保持部が前記押し上げ部材に対して第１相対回転位置で停止した第１状態で、鉛直方向において前記第１作用部材と対向し、前記基板保持部が前記押し上げ部材に対して第２相対回転位置で停止した第２状態で、鉛直方向において前記第２作用部材と対向し、
   前記昇降機構は、前記第１状態で前記押し上げ部材を上昇させて前記第１作用部材を押し上げることにより、前記第１リフトピンを上昇させ、前記第２状態で前記押し上げ部材を上昇させて前記第２作用部材を押し上げることにより、前記第２リフトピンを上昇させる、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記基板保持部に保持された前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理部を備え、
   前記昇降機構は、
   前記第１状態で前記押し上げ部材を上昇させて３つ以上の前記第１リフトピンを上昇させ、未処理の前記基板を外部の搬送装置から３つ以上の前記第１リフトピンで受け取り、
   前記第１状態で前記押し上げ部材を下降させて未処理の前記基板を前記チャック部に保持させ、
   前記洗浄処理部によって処理された処理済みの前記基板を、前記第２状態で前記押し上げ部材を上昇させ３つ以上の前記第２リフトピンを上昇させ、前記基板を前記チャック部から３つ以上の前記第２リフトピンで受け取る、基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記第１作用部材は、前記第１リフトピンの各々の下端部であり、
   前記第２作用部材は、前記第２リフトピンの各々の下端部であり、
   前記押し上げ部材は、前記第１リフトピンまたは前記第２リフトピンと同数設けられ、かつ、互いに連結されており、
   前記押し上げ部材は、前記第１状態で前記第１リフトピンの前記下端部にそれぞれ対向し、
   前記押し上げ部材は、前記第２状態で前記第２リフトピンの前記下端部にそれぞれ対向し、
   前記昇降機構は、前記第１状態および前記第２状態の各々において、前記押し上げ部材を一体に昇降させる、基板処理装置。
4. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記押し上げ部材は、前記第１リフトピンを押し上げた状態で、前記基板保持部と一体に回転可能であり、
   前記押し上げ部材は、前記第２リフトピンを押し上げた状態でも、前記基板保持部と一体に回転可能である、基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置であって、
   前記押し上げ部材が前記第１リフトピンを押し上げた状態、および、前記押し上げ部材が前記第２リフトピンを押し上げた状態の少なくともいずれか一方において前記回転機構が前記基板保持部および前記押し上げ部材を一体に回転させて、前記第１リフトピンが前記搬送装置から未処理の前記基板を受け取るときの前記基板保持部の回転位置、および、前記第２リフトピンが処理済みの前記基板を前記搬送装置に受け渡すときの前記基板保持部の回転位置を互いに近づける、基板処理装置。
6. 請求項４または請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記基板保持部は、第１回転位置で停止した状態で前記押し上げ部材に対して前記第１相対回転位置で停止する前記第１状態となり、
   前記基板保持部は、第２回転位置で停止した状態で前記押し上げ部材に対して前記第２相対回転位置で停止する前記第２状態となり、
   前記昇降機構は、
   前記第１状態で前記押し上げ部材の上昇により前記第１リフトピンを上昇させて、未処理の前記基板を前記第１リフトピンで受け取り、
   前記第１状態で前記押し上げ部材の下降により前記第１リフトピンを下降させて、未処理の前記基板を前記チャック部に保持させ、
   前記第２状態で前記押し上げ部材の上昇により前記第２リフトピンを上昇させて、処理済みの前記基板を前記チャック部から前記第２リフトピンで受け取り、
   前記回転機構は、前記第２リフトピンが処理済みの前記基板を持ち上げた状態で、前記基板保持部を前記第１回転位置に回転させる、基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置であって、
   前記回転機構は、前記第２リフトピンによって持ち上げられた処理済みの前記基板が前記搬送装置によって搬出されたときに、前記基板保持部を前記第２回転位置に回転させ、
   前記昇降機構は、前記基板保持部が前記第２回転位置で停止した前記第２状態で、前記押し上げ部材を下降させて前記第２リフトピンを下降させる、基板処理装置。
8. 請求項４または請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記基板保持部は、第１回転位置で停止した状態で前記押し上げ部材に対して前記第１相対回転位置で停止する前記第１状態となり、
   前記基板保持部は、第２回転位置で停止した状態で前記押し上げ部材に対して前記第２相対回転位置で停止する前記第２状態となり、
   前記回転機構は、
   前記昇降機構が前記第１状態で前記第１リフトピンを上昇させた状態で、前記基板保持部を前記第２回転位置に回転させて、前記第２状態で未処理の前記基板を前記第１リフトピンで受け取り、
   前記第１リフトピンが未処理の前記基板を持ち上げた状態で、前記基板保持部を前記第１回転位置に回転させ、
   前記昇降機構は、
   前記第１状態で前記押し上げ部材の下降により前記第１リフトピンを下降させて、未処理の前記基板を前記チャック部に保持させ、
   前記第２状態で前記押し上げ部材の上昇により前記第２リフトピンを上昇させて、処理済みの前記基板を前記チャック部から前記第２リフトピンで受け取る、基板処理装置。
9. 請求項４から請求項８のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
   前記押し上げ部材に連結された可動部材と、
   固定部材と、
   前記回転軸についての周方向に沿って前記可動部材を前記固定部材に対してスライド可能に固定するガイドと
   をさらに備える、基板処理装置。
10. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
    前記昇降機構は、
    前記第１状態で前記押し上げ部材を上昇させて前記第１リフトピンを押し上げ、未処理のダミー基板を外部の搬送装置から前記第１リフトピンで受け取り、前記押し上げ部材を下降させて未処理の前記ダミー基板を前記チャック部に保持させ、
    前記洗浄処理部によって処理された処理済みの前記ダミー基板を、前記第１状態で前記押し上げ部材を上昇させて前記チャック部から前記第１リフトピンで受け取る、基板処理装置。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記基板保持部の回転位置を測定する回転センサをさらに備える、基板処理装置。
12. 請求項１から請求項１１のいずれか一つに記載の基板処理装置と、前記基板を搬入する搬入部と、前記基板を前記搬入部から受け取り、前記基板処理装置に受け渡す基板受渡し部とを含む、基板処理システム。
13. 基板を水平姿勢で保持するチャック部と、前記チャック部に対して昇降可能に設けられて前記基板を支持する３つ以上の第１リフトピンおよび３つ以上の第２リフトピンと、前記第１リフトピンに連結される第１作用部材と、前記基板の周方向において前記第１作用部材と異なる位置に設けられ、前記第２リフトピンに連結される第２作用部材と、を含む基板保持部を、前記基板の中央部を通り鉛直方向に沿う回転軸について、前記押し上げ部材に対して第１相対回転位置で停止させる第１工程と、
    前記第１工程の後に、前記基板保持部よりも鉛直下方に設けられ、前記基板保持部が前記第１相対回転位置で停止した第１状態で前記第１作用部材と鉛直方向において対向する押し上げ部材を、前記基板保持部に対して上昇させて前記第１作用部材を押し上げることにより、前記第１リフトピンを上昇させる第２工程と、
    前記押し上げ部材に対して第２相対回転位置で前記基板保持部を停止させる第３工程と、
    前記第３工程の後に、前記基板保持部が前記第２相対回転位置で停止した第２状態で前記第２作用部材と鉛直方向において対向する前記押し上げ部材を、前記基板保持部に対して上昇させて前記第２作用部材を押し上げることにより、前記第２リフトピンを上昇させる第４工程と
    を備える、基板処理方法。

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